JPH08321504A - 窒化物用ｍｏｃｖｄ装置 - Google Patents
窒化物用ｍｏｃｖｄ装置Info
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- JPH08321504A JPH08321504A JP12532295A JP12532295A JPH08321504A JP H08321504 A JPH08321504 A JP H08321504A JP 12532295 A JP12532295 A JP 12532295A JP 12532295 A JP12532295 A JP 12532295A JP H08321504 A JPH08321504 A JP H08321504A
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Landscapes
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板温度を低くして成膜が可能で、小規模な
除害設備で済む窒化物用ＭＯＣＶＤ装置を提供する 【構成】 窒化物成膜用原料ガスの導入口３と、キャリ
ヤガスの導入口４と、サブフロー用ガス導入口５及び真
空排気装置６に接続された排気口７を備えた真空室１内
に加熱装置９を設け、該加熱装置で加熱した基板８に該
サブフロー用ガス導入口からのガス及び該原料ガスの化
学反応により窒化物の膜を成膜するＭＯＣＶＤ装置に於
いて、該サブフロー用ガス導入口にＮ2 ガス源１０を接
続すると共に該Ｎ2 ガス源からのＮ2 ガスを励起するガ
ス励起装置１１を接続した 【効果】 有害性のないＮ2 ガスを使用して窒化物の薄
膜を従来よりも温度の低い基板上に形成でき、真空室等
の耐熱構造を簡単化できると共に除害設備が小規模とな
し得られ、装置が安価になると共に電気消費量が少なく
なって経済的
除害設備で済む窒化物用ＭＯＣＶＤ装置を提供する 【構成】 窒化物成膜用原料ガスの導入口３と、キャリ
ヤガスの導入口４と、サブフロー用ガス導入口５及び真
空排気装置６に接続された排気口７を備えた真空室１内
に加熱装置９を設け、該加熱装置で加熱した基板８に該
サブフロー用ガス導入口からのガス及び該原料ガスの化
学反応により窒化物の膜を成膜するＭＯＣＶＤ装置に於
いて、該サブフロー用ガス導入口にＮ2 ガス源１０を接
続すると共に該Ｎ2 ガス源からのＮ2 ガスを励起するガ
ス励起装置１１を接続した 【効果】 有害性のないＮ2 ガスを使用して窒化物の薄
膜を従来よりも温度の低い基板上に形成でき、真空室等
の耐熱構造を簡単化できると共に除害設備が小規模とな
し得られ、装置が安価になると共に電気消費量が少なく
なって経済的
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＧａＮ、ＳｉＮ等の窒
化物の膜を基板に形成するためのＭＯＣＶＤ（Metalorg
anic Chemical Vapor Deposition）装置に関する。
化物の膜を基板に形成するためのＭＯＣＶＤ（Metalorg
anic Chemical Vapor Deposition）装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、窒化ガリウム（ＧａＮ）の薄膜を
基板に成膜するＭＯＣＶＤ装置として、例えば図１に示
したように、トリメチルガリウム（Ｇａ（ＣＨ3 ）3 ）
の原料制御装置ａ及びＮＨ3 の原料制御装置ｂに夫々接
続された２本の窒化物成膜用原料ガスの導入口ｃ、ｄ
と、不活性ガスやＨ2ガスなどのキャリヤガス源ｌに接
続されたキャリヤガスの導入口ｋと、Ｎ2 ガスを噴出し
するサブフロー用ガス導入口ｅ及び真空排気装置ｆに接
続された排気口ｇを備えた真空室ｈ内にヒータ等の加熱
装置ｉを設け、該加熱装置ｉで加熱した基板ｊに該サブ
フロー用ガス導入口ｅからＮ2 若しくはＨ2 ガスを吹き
付けながら、該原料ガスをキャリヤガスと共に流し、該
原料ガスに化学反応Ｇａ（ＣＨ3 ）3 ＋ＮＨ3 →ＧａＮ
＋３ＣＨ4 を発生させてＧａＮの膜を成膜する装置が知
られている。図１には、通常のＭＯＣＶＤ装置に必要な
基板準備室、除害装置、フローガイド、圧力制御装置、
真空計など説明には不要である機器を省略して記載し
た。
基板に成膜するＭＯＣＶＤ装置として、例えば図１に示
したように、トリメチルガリウム（Ｇａ（ＣＨ3 ）3 ）
の原料制御装置ａ及びＮＨ3 の原料制御装置ｂに夫々接
続された２本の窒化物成膜用原料ガスの導入口ｃ、ｄ
と、不活性ガスやＨ2ガスなどのキャリヤガス源ｌに接
続されたキャリヤガスの導入口ｋと、Ｎ2 ガスを噴出し
するサブフロー用ガス導入口ｅ及び真空排気装置ｆに接
続された排気口ｇを備えた真空室ｈ内にヒータ等の加熱
装置ｉを設け、該加熱装置ｉで加熱した基板ｊに該サブ
フロー用ガス導入口ｅからＮ2 若しくはＨ2 ガスを吹き
付けながら、該原料ガスをキャリヤガスと共に流し、該
原料ガスに化学反応Ｇａ（ＣＨ3 ）3 ＋ＮＨ3 →ＧａＮ
＋３ＣＨ4 を発生させてＧａＮの膜を成膜する装置が知
られている。図１には、通常のＭＯＣＶＤ装置に必要な
基板準備室、除害装置、フローガイド、圧力制御装置、
真空計など説明には不要である機器を省略して記載し
た。
【０００３】該基板ｊには、通常、サファイヤ等が使用
され、成膜する場合、該基板ｊを加熱装置ｉで１０００
〜１２００℃に加熱する。Ｇａ原料は、原料制御装置ａ
により、通常、液体のＧａ（ＣＨ3 ）3 中にＨ2 、Ｎ2
等を導入し、液体のＧａ原料を含ませ、ガス状態で使用
する。このとき、Ｈ2 やＮ2 等は、マスフローコントロ
ーラを用いて流量制御を行うことが多い。Ｇａ原料及び
ＮＨ3 を加熱された基板ｊの上へ導き、上記化学反応に
より成膜を行うが、このときに気流の乱れが発生しやす
いため、該基板ｊの板面へ向けてサブフロー用ガス導入
口ｅからＨ2 やＮ2 ガスを吹き付けて気流の乱れを補正
する。該真空室ｈに導入された原料ガス、サブフロー用
ガスの反応に使用されなかった残りは、排気口ｇから排
除される。該基板ｊ上には上記反応でＧａＮ結晶が薄膜
として生成する。該原料ガスにＡｌ原料、ドーピング原
料等を混入させることにより、半導体や発光素子として
使用できる基板が得られる。
され、成膜する場合、該基板ｊを加熱装置ｉで１０００
〜１２００℃に加熱する。Ｇａ原料は、原料制御装置ａ
により、通常、液体のＧａ（ＣＨ3 ）3 中にＨ2 、Ｎ2
等を導入し、液体のＧａ原料を含ませ、ガス状態で使用
する。このとき、Ｈ2 やＮ2 等は、マスフローコントロ
ーラを用いて流量制御を行うことが多い。Ｇａ原料及び
ＮＨ3 を加熱された基板ｊの上へ導き、上記化学反応に
より成膜を行うが、このときに気流の乱れが発生しやす
いため、該基板ｊの板面へ向けてサブフロー用ガス導入
口ｅからＨ2 やＮ2 ガスを吹き付けて気流の乱れを補正
する。該真空室ｈに導入された原料ガス、サブフロー用
ガスの反応に使用されなかった残りは、排気口ｇから排
除される。該基板ｊ上には上記反応でＧａＮ結晶が薄膜
として生成する。該原料ガスにＡｌ原料、ドーピング原
料等を混入させることにより、半導体や発光素子として
使用できる基板が得られる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の窒化物
のＭＯＣＶＤは、ＮＨ3 を原料として使用しており、基
板ｊの加熱温度１０００℃以上の高い温度に加熱する必
要があった。窒化物の窒素源として用いられる原料は少
なく、その中でＮＨ3ガスは結晶性の良い原料として使
用されるが、ＮＨ3 ガスの分解効率が低く、大量の未分
解ガスが真空室ｈから排出されるので、排気装置の除害
装置が大規模になる欠点があった。
のＭＯＣＶＤは、ＮＨ3 を原料として使用しており、基
板ｊの加熱温度１０００℃以上の高い温度に加熱する必
要があった。窒化物の窒素源として用いられる原料は少
なく、その中でＮＨ3ガスは結晶性の良い原料として使
用されるが、ＮＨ3 ガスの分解効率が低く、大量の未分
解ガスが真空室ｈから排出されるので、排気装置の除害
装置が大規模になる欠点があった。
【０００５】本発明は、基板温度を低くして成膜が可能
で、小規模な除害設備で済む窒化物用ＭＯＣＶＤ装置を
提供することを目的とするものである。
で、小規模な除害設備で済む窒化物用ＭＯＣＶＤ装置を
提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明では、窒化物成膜
用原料ガスの導入口と、キャリヤガスの導入口と、サブ
フロー用ガス導入口及び真空排気装置に接続された排気
口を備えた真空室内に加熱装置を設け、該加熱装置で加
熱した基板に該サブフロー用ガス導入口からのガス及び
該原料ガスの化学反応により窒化物の膜を成膜するＭＯ
ＣＶＤ装置に於いて、該サブフロー用ガス導入口にＮ2
ガス源を接続すると共に該Ｎ2 ガス源からのＮ2 ガスを
励起するガス励起装置を接続したことにより、上記の目
的を達成するようにした。該ガス励起装置には、ヘリカ
ルアンテナ或いはこれの外周にミラー磁場またはカスプ
磁場を形成する磁石を設けて構成したもの、更には、電
子サイクロトロン共鳴用磁場を形成するための磁石と、
該容器内にマイクロ波を導入するマイクロ波導入管と、
イオン引出電極とで構成したものを使用できる。
用原料ガスの導入口と、キャリヤガスの導入口と、サブ
フロー用ガス導入口及び真空排気装置に接続された排気
口を備えた真空室内に加熱装置を設け、該加熱装置で加
熱した基板に該サブフロー用ガス導入口からのガス及び
該原料ガスの化学反応により窒化物の膜を成膜するＭＯ
ＣＶＤ装置に於いて、該サブフロー用ガス導入口にＮ2
ガス源を接続すると共に該Ｎ2 ガス源からのＮ2 ガスを
励起するガス励起装置を接続したことにより、上記の目
的を達成するようにした。該ガス励起装置には、ヘリカ
ルアンテナ或いはこれの外周にミラー磁場またはカスプ
磁場を形成する磁石を設けて構成したもの、更には、電
子サイクロトロン共鳴用磁場を形成するための磁石と、
該容器内にマイクロ波を導入するマイクロ波導入管と、
イオン引出電極とで構成したものを使用できる。
【０００７】
【作用】真空室内を適当な真空圧に排気したのち、原料
ガスの導入口から窒化物成膜用の原料ガスを導入し、こ
れをキャリヤガスに伴わせて流すと共にその流れの乱れ
を補正すべくサブフロー用ガス導入口からＮ2 ガスを流
し、加熱装置により基板を所定の温度に加熱する。該Ｎ
2 ガスは気流の補正と窒素原料を兼ね、Ｎ2 ガス源から
のガスを励起するガス励起装置により励起された状態で
該真空室内へ流出するので、比較的低い温度で熱分解し
た原料ガスと基板の板面に於いて反応を生じ、該板面に
窒化物の薄膜が形成される。また、Ｎ2 ガスを励起する
ことでＮ2ガスの分解効率が良好になり、排気口から排
出される未分解のガス量が少なくなるため、除害装置に
小型のものを使用することが可能になる。
ガスの導入口から窒化物成膜用の原料ガスを導入し、こ
れをキャリヤガスに伴わせて流すと共にその流れの乱れ
を補正すべくサブフロー用ガス導入口からＮ2 ガスを流
し、加熱装置により基板を所定の温度に加熱する。該Ｎ
2 ガスは気流の補正と窒素原料を兼ね、Ｎ2 ガス源から
のガスを励起するガス励起装置により励起された状態で
該真空室内へ流出するので、比較的低い温度で熱分解し
た原料ガスと基板の板面に於いて反応を生じ、該板面に
窒化物の薄膜が形成される。また、Ｎ2 ガスを励起する
ことでＮ2ガスの分解効率が良好になり、排気口から排
出される未分解のガス量が少なくなるため、除害装置に
小型のものを使用することが可能になる。
【０００８】
【実施例】本発明の実施例を図面に基づき説明すると、
図２に於いて符号１は、トリメチルガリウムＧａ（ＣＨ
3 ）3 等の窒化物成膜用原料ガスの原料制御装置２に接
続した導入口３と、ＡｒガスやＨ2ガス等のキャリヤガ
スを導入する導入口４と、サブフロー用ガス導入口５及
び真空ポンプの真空排気装置６に接続された排気口７を
備えた真空室を示し、該真空室１内には基板８の載置可
能な例えばヒータで構成された加熱装置９が設けられ
る。原料ガスの導入口３及びキャリヤガスの導入口４の
開口は、該基板８の板面に沿った流れを生じるように該
基板８の側方へ向けて開口され、その流れを補正するサ
ブフロー用ガス導入口５の開口は該基板８の成膜面の板
面に向けてサブフローが吹き出すように設けられる。該
基板８にはサファイヤ等のＧａＮに比較的格子整合し、
結晶性の良い成長をできる材料が使用される。該真空排
気装置６には、排気中の有害物を除去する除害装置２１
が設けられる。
図２に於いて符号１は、トリメチルガリウムＧａ（ＣＨ
3 ）3 等の窒化物成膜用原料ガスの原料制御装置２に接
続した導入口３と、ＡｒガスやＨ2ガス等のキャリヤガ
スを導入する導入口４と、サブフロー用ガス導入口５及
び真空ポンプの真空排気装置６に接続された排気口７を
備えた真空室を示し、該真空室１内には基板８の載置可
能な例えばヒータで構成された加熱装置９が設けられ
る。原料ガスの導入口３及びキャリヤガスの導入口４の
開口は、該基板８の板面に沿った流れを生じるように該
基板８の側方へ向けて開口され、その流れを補正するサ
ブフロー用ガス導入口５の開口は該基板８の成膜面の板
面に向けてサブフローが吹き出すように設けられる。該
基板８にはサファイヤ等のＧａＮに比較的格子整合し、
結晶性の良い成長をできる材料が使用される。該真空排
気装置６には、排気中の有害物を除去する除害装置２１
が設けられる。
【０００９】以上の構成は従来の窒化物膜を作成するＭ
ＯＣＶＤ装置の構成と略同様であるが、本発明では該サ
ブフロー用ガス導入口５へのサブフロー用ガス源にＮ2
ガスのガス源１０を接続し、その途中に該ガス源１０か
らのＮ2 ガスを励起するガス励起装置１１を設けるよう
にしたもので、該ガス励起装置１１を備えることによ
り、励起されたＮ2 ガスがサブフロー用ガス及び窒素原
料として真空室１内へ吹き出す。
ＯＣＶＤ装置の構成と略同様であるが、本発明では該サ
ブフロー用ガス導入口５へのサブフロー用ガス源にＮ2
ガスのガス源１０を接続し、その途中に該ガス源１０か
らのＮ2 ガスを励起するガス励起装置１１を設けるよう
にしたもので、該ガス励起装置１１を備えることによ
り、励起されたＮ2 ガスがサブフロー用ガス及び窒素原
料として真空室１内へ吹き出す。
【００１０】該ガス励起装置１１としては、図３に示す
ように、Ｎ2 ガス源１０への連通口１２と該サブフロー
用ガス導入口５へ連通する連通口１３を有する密閉され
た容器１４の内部に高周波発振源１５に接続されたヘリ
カルコイルから成るヘリカルアンテナ１６を設けて構成
したものが使用される。該ヘリカルアンテナ１６に高周
波発振源１５から例えば13.56MHz以上の周波数の電流を
通電すると、該容器１４内が１０-5Torr程度の比較的高
真空であっても該ヘリカルアンテナ１６で囲まれた空間
に高密度のプラズマが発生し、該Ｎ2 ガス源１０からの
Ｎ2 ガスをＮイオン状態に励起する。該ヘリカルアンテ
ナ１６は該容器１４の外部に設けることも可能であり、
また、図４に示すように該ヘリカルアンテナ１６の外周
に、ミラー磁場またはカスプ磁場を形成する磁石１７を
設けると該容器１４の内部のプラズマにより発生する電
子が該容器１４の周壁に衝突して消滅することを防げ、
密度の高いプラズマが得られる。更に、図５のように、
該容器１４の内部に電子サイクロトロン共鳴用磁場を形
成するための磁石１８を設け、該容器１４内へマイクロ
波を導入するためのマイクロ波導入管１９とイオン引出
電極２０を設けて構成したガス励起装置１１を使用して
もよい。
ように、Ｎ2 ガス源１０への連通口１２と該サブフロー
用ガス導入口５へ連通する連通口１３を有する密閉され
た容器１４の内部に高周波発振源１５に接続されたヘリ
カルコイルから成るヘリカルアンテナ１６を設けて構成
したものが使用される。該ヘリカルアンテナ１６に高周
波発振源１５から例えば13.56MHz以上の周波数の電流を
通電すると、該容器１４内が１０-5Torr程度の比較的高
真空であっても該ヘリカルアンテナ１６で囲まれた空間
に高密度のプラズマが発生し、該Ｎ2 ガス源１０からの
Ｎ2 ガスをＮイオン状態に励起する。該ヘリカルアンテ
ナ１６は該容器１４の外部に設けることも可能であり、
また、図４に示すように該ヘリカルアンテナ１６の外周
に、ミラー磁場またはカスプ磁場を形成する磁石１７を
設けると該容器１４の内部のプラズマにより発生する電
子が該容器１４の周壁に衝突して消滅することを防げ、
密度の高いプラズマが得られる。更に、図５のように、
該容器１４の内部に電子サイクロトロン共鳴用磁場を形
成するための磁石１８を設け、該容器１４内へマイクロ
波を導入するためのマイクロ波導入管１９とイオン引出
電極２０を設けて構成したガス励起装置１１を使用して
もよい。
【００１１】該基板８の板面にＧａＮの窒化物膜を形成
する場合、サファイヤの基板８を加熱装置９により例え
ば９００℃に加熱し、原料制御装置２に於いて液体のＧ
ａ（ＣＨ3 ）3 中にＨ2 、Ｎ2 等を導入してこれに液体
のＧａ原料を含ませ、ガス状態で導入口３から吹き出さ
せると共に、例えばＨ2 ガスを含むＡｒガスのキャリヤ
ガスを導入口４から吹き出させ、これと同時にサブフロ
ー用ガス導入口５からガス励起装置１０で励起されたＮ
2 ガスを吹き出させると、ガスは基板８の板面に沿って
流れ、加熱された基板８上に従来のＭＯＣＶＤ装置で生
成したＧａＮと同等のＧａＮ結晶が生成する。このと
き、基板８上では、 Ｇａ（ＣＨ3 ）＋Ｎ＋３／２Ｈ2 →ＧａＮ＋３ＣＨ4 の化学反応が生じているものと推定され、この反応での
ＮはＮ2 ガスをガス励起装置１１で分解したことによる
発生したものと推定される。また、Ｈ2 はキャリヤガス
中に含まれる成分である。
する場合、サファイヤの基板８を加熱装置９により例え
ば９００℃に加熱し、原料制御装置２に於いて液体のＧ
ａ（ＣＨ3 ）3 中にＨ2 、Ｎ2 等を導入してこれに液体
のＧａ原料を含ませ、ガス状態で導入口３から吹き出さ
せると共に、例えばＨ2 ガスを含むＡｒガスのキャリヤ
ガスを導入口４から吹き出させ、これと同時にサブフロ
ー用ガス導入口５からガス励起装置１０で励起されたＮ
2 ガスを吹き出させると、ガスは基板８の板面に沿って
流れ、加熱された基板８上に従来のＭＯＣＶＤ装置で生
成したＧａＮと同等のＧａＮ結晶が生成する。このと
き、基板８上では、 Ｇａ（ＣＨ3 ）＋Ｎ＋３／２Ｈ2 →ＧａＮ＋３ＣＨ4 の化学反応が生じているものと推定され、この反応での
ＮはＮ2 ガスをガス励起装置１１で分解したことによる
発生したものと推定される。また、Ｈ2 はキャリヤガス
中に含まれる成分である。
【００１２】該ガス励起装置１１を設けることで安定で
有害性のないＮ2 ガスを窒化物の窒素原料として使用で
き、励起されているので基板８の加熱温度が低くても十
分なＭＯＣＶＤを行え、原料の使用効率も高くなって真
空排気装置６に設けられる除害装置２１に小形のものを
使用できる。尚、該原料ガスとしてＧａ（ＣＨ3 ）3以
外のガスを使用すれば他の窒化物膜を基板８に形成で
き、例えばＳｉＨ4 を使用すれば、基板８に珪素系の窒
化膜ＳｉＮを形成できる。
有害性のないＮ2 ガスを窒化物の窒素原料として使用で
き、励起されているので基板８の加熱温度が低くても十
分なＭＯＣＶＤを行え、原料の使用効率も高くなって真
空排気装置６に設けられる除害装置２１に小形のものを
使用できる。尚、該原料ガスとしてＧａ（ＣＨ3 ）3以
外のガスを使用すれば他の窒化物膜を基板８に形成で
き、例えばＳｉＨ4 を使用すれば、基板８に珪素系の窒
化膜ＳｉＮを形成できる。
【００１３】
【発明の効果】以上のように本発明によるときは、真空
室内の加熱装置で加熱した基板にサブフロー用ガスと原
料ガスの化学反応により窒化物の膜を成膜するＭＯＣＶ
Ｄ装置のサブフロー用ガス導入口にＮ2 ガス源を接続す
ると共に該Ｎ2 ガス源からのＮ2 ガスを励起するガス励
起装置を接続したので、有害性のないＮ2 ガスを使用し
て窒化物の薄膜を従来よりも温度の低い基板上に形成で
き、真空室等の耐熱構造を簡単化できると共に除害設備
が小規模となし得られ、装置が安価になると共に電気消
費量が少なくなって経済的である等の効果がある。
室内の加熱装置で加熱した基板にサブフロー用ガスと原
料ガスの化学反応により窒化物の膜を成膜するＭＯＣＶ
Ｄ装置のサブフロー用ガス導入口にＮ2 ガス源を接続す
ると共に該Ｎ2 ガス源からのＮ2 ガスを励起するガス励
起装置を接続したので、有害性のないＮ2 ガスを使用し
て窒化物の薄膜を従来よりも温度の低い基板上に形成で
き、真空室等の耐熱構造を簡単化できると共に除害設備
が小規模となし得られ、装置が安価になると共に電気消
費量が少なくなって経済的である等の効果がある。
【図１】 従来の窒化物用ＭＯＣＶＤ装置の断面図
【図２】 本発明の実施例の断面図
【図３】 ガス励起装置の断面図
【図４】 ガス励起装置の変形例の断面図
【図５】 ガス励起装置の他の変形例の断面図
１ 真空室 ３、４ 導入口 ５ サブフロー用ガス導入口 ６ 真空排気
装置 ７ 真空排気口 ８ 基板 ９ 加熱装置 １０ Ｎ2 ガス
源 １１ ガス励起装置 １２、１３ 連通口 １４ 容器 １５ 高周波
発振源 １６ ヘリカルアンテナ １７、１８ 磁石 １９ マイクロ波導入管 ２０ イオン
引出電極
装置 ７ 真空排気口 ８ 基板 ９ 加熱装置 １０ Ｎ2 ガス
源 １１ ガス励起装置 １２、１３ 連通口 １４ 容器 １５ 高周波
発振源 １６ ヘリカルアンテナ １７、１８ 磁石 １９ マイクロ波導入管 ２０ イオン
引出電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ３０Ｂ 25/14 Ｃ３０Ｂ 25/14 Ｈ０１Ｌ 21/205 Ｈ０１Ｌ 21/205 21/31 21/31 Ｃ
Claims (5)
- 【請求項１】 窒化物成膜用原料ガスの導入口と、キャ
リヤガスの導入口と、サブフロー用ガス導入口及び真空
排気装置に接続された排気口を備えた真空室内に加熱装
置を設け、該加熱装置で加熱した基板に該サブフロー用
ガス導入口からのガス及び該原料ガスの化学反応により
窒化物の膜を成膜するＭＯＣＶＤ装置に於いて、該サブ
フロー用ガス導入口にＮ2 ガス源を接続すると共に該Ｎ
2 ガス源からのＮ2 ガスを励起するガス励起装置を接続
したことを特徴とする窒化物用ＭＯＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 上記窒化物成膜用原料ガスの導入口を上
記基板の側方へ向けて開口させ、上記サブフロー用ガス
導入口を該基板の板面に向けて開口したことを特徴とす
る請求項１に記載の窒化物用ＭＯＣＶＤ装置。 - 【請求項３】 上記ガス励起装置は、上記Ｎ2 ガス源へ
の連通口と上記サブフロー用ガス導入口への連通口を有
する密閉された容器の内部若しくは外部に高周波発振源
に接続されたヘリカルコイルから成るヘリカルアンテナ
を設けて構成したことを特徴とする請求項１に記載の窒
化物用ＭＯＣＶＤ装置。 - 【請求項４】 上記ガス励起装置は、上記Ｎ2 ガス源へ
の連通口と上記サブフロー用ガス導入口への連通口を有
する密閉された容器の内部若しくは外部に高周波発振源
に接続されたヘリカルコイルから成るヘリカルアンテナ
を設け、該ヘリカルアンテナの外周に、ミラー磁場また
はカスプ磁場を形成する磁石を設けて構成したことを特
徴とする請求項３に記載の窒化物用ＭＯＣＶＤ装置。 - 【請求項５】 上記ガス励起装置は、上記Ｎ2 ガス源へ
の連通口と上記サブフロー用ガス導入口への連通口を有
する密閉された容器と、該容器の内部に電子サイクロト
ロン共鳴用磁場を形成するための磁石と、該容器内にマ
イクロ波を導入するマイクロ波導入管と、イオン引出電
極とで構成したことを特徴とする請求項１に記載の窒化
物用ＭＯＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12532295A JPH08321504A (ja) | 1995-05-24 | 1995-05-24 | 窒化物用ｍｏｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12532295A JPH08321504A (ja) | 1995-05-24 | 1995-05-24 | 窒化物用ｍｏｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08321504A true JPH08321504A (ja) | 1996-12-03 |
Family
ID=14907251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12532295A Pending JPH08321504A (ja) | 1995-05-24 | 1995-05-24 | 窒化物用ｍｏｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08321504A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2004006321A1 (ja) * | 2002-07-08 | 2005-11-10 | 関西ティー・エル・オー株式会社 | シリコン窒化膜の形成方法および形成装置 |
| JP2011168492A (ja) * | 1999-05-13 | 2011-09-01 | Veeco Process Equipment Inc | 基板上に材料をエピタキシャル成長させるための方法と装置 |
-
1995
- 1995-05-24 JP JP12532295A patent/JPH08321504A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011168492A (ja) * | 1999-05-13 | 2011-09-01 | Veeco Process Equipment Inc | 基板上に材料をエピタキシャル成長させるための方法と装置 |
| JP4790914B2 (ja) * | 1999-05-13 | 2011-10-12 | ヴィーコ・プロセス・イクウィップメント・インコーポレーテッド | 基板上に材料をエピタキシャル成長させるための方法と装置 |
| JPWO2004006321A1 (ja) * | 2002-07-08 | 2005-11-10 | 関西ティー・エル・オー株式会社 | シリコン窒化膜の形成方法および形成装置 |
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