CN101535525A - Cvd系统排气口的原位清洗 - Google Patents

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Abstract

本发明的各个实施例涉及使用CVD来形成膜层的方法与装置。一个或多个方法与装置实施方式包括打断允许聚合物在CVD装置的排气管线中生成的键和/或防止其形成。

Description

CVD系统排气口的原位清洗
技术领域
本发明一般涉及清洗化学气相沉积(CVD)排气系统，尤其涉及原位清洗CVD系统中的聚合性污染物的方法。
现有技术
在CVD处理期间，沉积气体被释放入腔室内以在所处理基板的表面上形成薄膜层。在此种CVD工艺中，沉积腔室内的某些区域上(例如，腔室壁)也会出现不希望发生的沉积。虽然这些沉积气体中个别分子在腔室内的滞留时间相对较短，但是，也只有少部分释入腔室中的分子会在沉积过程中被消耗掉且沉积在晶片或是腔室壁上。
在用CVD在晶片上形成层的半导体制造工艺期间，如果所注入的处理气体只会在晶片表面上沉积，将是完美的，但是，实际情况是，某些气体分子会略过晶片表面而沉积在处理室表面。某些未消耗掉的气体分子则会和已部分反应的化合物及反应副产物一起通过排气管线而被真空抽离处理腔室。废气中尚有多种化合物仍处于高度反应状态和/或含有会在排气管线中形成不合需要沉积物的残余物或颗粒物质。在美国应用材料公司制造的一种处理腔室(例如，Epi Centura
Figure A200780015988D0005103116QIETU
)中，处理气体的温度在离开处理腔室后随着处理进气排气管线中后会遽降，导致排气插入件、排气盖以及至少最开始的4英尺排气管线会出现涂层。除了上述的物质外，一般还会观察到半透明黏稠液体式的涂层物质，带有类似蜂蜜般的黏稠性质。视工艺条件以及排气管线位置的不同，浓缩的排气副产物可显现为从不透明的白到不透明的黄到不透明的红棕色。当浓缩的排气副产物为不透明时，其显现为固态。一般认为半透明的液体一旦暴露到周围环境下之后，会即刻反应以形成为不透明的白色物质。
因此，堆积在排气管线中的液体及固体会带来一些问题。首先，此类堆积物会影响安全，因为在标准、定期清洗操作中，排气管线会被暴露在周围环境下，而当真空密封被打破时，通常会引燃这类自燃性物质(pyrophoric substance)。其次，如果排气管线中沉积了足够量的物质后，若没有适当清洗的话，会使得排气管线以及与其相关联的真空泵被阻塞。即使有定期清洗，堆积物也会干扰真空泵的正常运作，并大幅缩短真空泵的使用寿命。此外，这些固体物会从排气管线中回冲到处理腔室中，导致腔室污染。如果这些半透明液体被快速暴露在空气下，即可出现爆炸性反应。
为了避免这些问题，需定期清洗排气管线的内表面以移除这些沉积物。在标准腔室清洗操作中执行此程序来移除腔室壁及腔室中类似区域上不需要的沉积物。常见的腔室清洗技术包括使用蚀刻气体(例如，氟)来移除腔室壁和其它区域上的沉积物。可将蚀刻气体引入到腔室中并形成等离子体，以使蚀刻气体可和沉积物反应并将其从腔室壁上移除。这类清洗程序通常在每一晶片或数个晶片的沉积步骤之间来进行。
自腔室壁上移除沉积物其实相当简单，因为等离子体在腔室内邻近沉积物的区域产生。但是，移除排气管线中的沉积物就没有这么容易了，因为排气管线系位在处理腔室的下游。在一固定时段内，相较于排气管线中的点来说，大部分处理腔室中的点可与蚀刻剂中更多的氟原子接触。因此，在一固定时段内，可通过清洗过程充分地清洗处理腔室，但类似的沉积物则仍会留存在排气管线中。
为了尝试充分地清洗排气管线，可增加清洗操作的持续时间。但是，增加清洗操作的时间却是不合需要的，因为会增加设备的停工期，此将不利地影响晶片的产出率。此外，这类残余物可被清除的程度仅及于清洗处理中被排放入排气管线中的反应物可与管线中残余物反应的程度。在某些系统与应用中，排出反应物的滞留时间并不足以到达排气管线的末端甚或中间部分。在这些系统与应用中，其残余物的推积是更值得关注的问题。
已设计了多种不同装置来便于清洗这类排气管线。已被用来清洗排气管线的一种方式是藉由使气体转向进入收集腔室中，而使排气流中的颗粒物质在到达真空泵之前，先被捕获在颗粒物质无法轻易逸出的收集腔室中。依赖这种技术的装置提供收集腔室的可拆卸门或类似入口，从而一旦有足够量的物质堆积在该腔室内时，即可将其轻易地移除。一般来说，在清洗此收集腔室期间，可暂时关闭基板沉积系统，由此限制或降低系统的晶片产出率。
另一种被用来清洗排气管线的方式依赖于一种刷洗系统，其使用等离子体增强的CVD技术来从废气中提取出反应性组分，以作为电极表面上的膜层沉积。此刷洗系统被设计成可最大地移除作为固态膜的反应物，并使用大面积螺旋电极。此螺旋电极被容纳在可拆卸的罐中，其放在靠近排气管线末端介于吹气泵和机械泵之间的位置。待电极上累积了足够量的固态废物后，即将该罐移除以丢弃并置换。
现有技术方法中的问题是该系统必须依赖于电极的大表面积来提供收集所沉积固体的区域。为容纳此具有大表面积的电极，系统体积变得相当大。此外，操作此现有技术系统的成本也相当高，因为那些可移除的罐是必须可置换、且恰当处理的可弃物品。此外，该刷洗系统系位在真空排气管线开始部分的下游处，因此无法确保可移除累积在此部分管线中的粉状材料与颗粒性物质。
另一种被用来清洗排气管线的方式是使用偶尔被称作使用点反应器(point of use reactor)的方式。使用点反应器使用加热器匣来使处理腔室中的过量气体反应。此使用点反应器的最高温度约为500℃，且其反应副产物会留在排气管线中。此使用点反应器对减压沉积来说不够有效，因为所生成的聚硅会导致明显的颗粒物生成。
再一种被用来清洗排气管线的方式涉及将粉末残余物和其它颗粒物捕获在收集腔室中并用形成在反应腔室下游的等离子体将其移除。来自等离子体的组分反应形成可容易从排气管线抽出的气体产物。此转换过程依赖于在捕获颗粒的区域中由蚀刻气体形成的等离子体，且此类装置有时候被称为下游等离子体装置(Downstream Plasma Apparatus)或简称“DPA”。关于此装置及其方法的数个示例在美国专利No.6,194,628中公开，其全文并入本文作为参考。此设备的一种实施例在美国专利No.6,194,628号中公开，该设备包括一线圈，其环绕由容器腔所限定的气体通道。该线圈连接至一RF电源，该电源用来将气体通道内颗粒物质和残余物的分子激发成为等离子体状态。此类设备的商用版的RF电源使用高频RF功率和含氟气体(例如，三氟化氮)来化学蚀刻排气沉积物。在美国专利No.6,194,268中描述的电源频率范围的上限为200MHz，而在美国专利No.6,194,268的实验设计中使用的频率则是13.56MHz。使用含氟气体的一潜在问题是其与反应器中材料间的兼容性、因清洗处理所产生的有毒废弃物的丢弃、以及如果未加以适当处理其对设备可能产生的伤害。
因此，需要提供可有效且完整地清洗半导体处理系统内排气管线的方法与设备。
发明内容
本发明的实施例涉及清洗例如半导体处理腔室的化学气相沉积(CVD)处理室的排气管线的方法与装置。其它实施例则涉及包括清洗设备的CVD处理装置与方法。
在一实施例中，提供一CVD设备，其包括CVD反应腔室，该CVD反应腔室内包含基板支撑件和气体分配系统，该气体分配系统用以将气体引入反应腔室内；排气管线，连接至该反应腔室，用以自该反应腔室中移除气体；以及一设备，用以防止聚合物在该排气管线中生成。在一个或多个实施方式中，该设备包含一RF腔室。该RF腔室可适于产生足够打断聚合物键或防止聚合物键形成的温度。该设备进一步包含蚀刻剂气体源和输入至该RF腔室的蚀刻剂气体。在其它实施方式中，用以防止聚合物于排气管线中生成的装置包括UV光源。
本发明的其它实施方式涉及可防止聚合物在CVD反应腔室的排气管线内生成的方法，包括使从该CVD反应腔室中排出的气体流经下游腔室，此下游腔室产生能打断聚合物键或防止聚合物键形成的能量。该设备可包括低频RF腔室，其适于产生足以打断排气管线中聚合物物质的键或防止物质其形成的温度。或者，该装置可进一步包括一UV光源。
附图简述
图1示出本发明的包括一排气管线清洗设备的实施例；
图2示出使用加热系统的排气管线清洗设备的实施方式；
图3是图2排气管线清洗设备的侧截面图；
图4是图2排气管线清洗设备的顶截面图；
图5是图2排气管线清洗设备的侧视图；
图6是使用UV能量的排气管线清洗设备的另一实施例的侧截面图；及
图7示出可与图6设备一起使用的UV系统的实施例。
详细描述
在说明本发明的数个实施方式之前，应当理解，本发明并不限于以下实施方式中所述及的构造或处理步骤等细节。也可以其它实施方式来以各种方式实施本发明。
本发明的各方面提供用于化学气相沉积的方法与设备。特定实施方式涉及半导体处理装置与方法。具体实施方式涉及用以清洗化学气相沉积设备(例如，半导体处理设备的CVD反应腔室)的排气管线的方法与装置。在一个或多个实施方式中，在反应腔室下游设置一装置，以打断排出组分的键和/或防止其形成，藉以防止这些排出组分被聚合。在第一实施方式中，低频RF腔室位于沉积系统的排气盖旁且在反应腔室下游。此下游的低频RF腔室可单独利用热或合并使用蚀刻剂，来防止聚合物物质在排气管线中形成。在特定实施例中，可产生低压等离子体来帮助清洗排气管线。在另一个实施方式中，可邻近沉积系统的排气盖旁腔室下游利用UV光来防止排气管线中的化学物聚合。可单独使用该UV能量或合并使用蚀刻剂物质。在特定实施方式中，可使用低压等离子体与UV能量来帮助清洗排气管线。
现在将说明可与本文中所述清洗设备和方法一起使用的典型的半导体处理腔室与操作。应该理解，本文中所述的清洗设备及操作仅是示例性的，本发明的方法和设备也可与其它类型的处理腔室与操作一起使用。本发明的清洗设备和方法可与多种不同的半导体处理设备一起使用。
图1示出一种适当的装置，即在处理腔室中一次处理一个晶片的单晶片处理器。基座120将腔室100分成位于该基座下方的第一部分124(即，下部)，以及另一位于该基座上方的第二部分122(即，上部)。该基座120一般安装在轴126上，以便绕着其中心来旋转该基座，以实现晶片的更均匀处理。在该腔室上部122提供处理气体，例如沉积气体115。一般在该腔室的一侧设有进气通道178，并在其相对侧具有排气通道113，以实现处理气体在该晶片上的流动。加热该基座120，以便将该晶片加热到合乎需要的处理温度。根据某些特定实施例，用来加热晶片的一种方法是利用设置在腔室周围的灯134，将光线导入腔室中并照射在该基座120上来加热。为了控制加热晶片的温度，必须经常测量基座120的温度。此通常利用红外线温度传感器136来实现，其可检测自该已加热的基座上发射出来的红外光。也可设置反射镜135，以将光反射进腔室中。
可以较腔室上部的沉积气体略大的压力，在腔室下部通入惰性气体121(例如，氢气)，以防止材料沉积在基座的背表面上。用来达成此目的的装置之一于Roger N.Anderson等人的题为“Gas Inlets For WaferProcessing Chamber”的美国专利No.5916369中公开，其内容并入本文作为参考。由于腔室下部内惰性气体的压力较高，因此其会绕着基座边缘从腔室下部流入腔室上部中。此惰性气体流可防止沉积气体115流入该腔室的下部。
以上对反应器的描述主要用作说明，且本发明可与其它CVD设备一起使用，例如电子回旋共振式(ECR)等离子体CVD装置、感应耦合RF高密度等离子体CVD装置、或其类似物。本发明也可与热式CVD设备、等离子体蚀刻设备、及物理气相沉积设备一起使用。本发明用以防止沉积物累积在排出管线内的设备与装置并不限于任一特定半导体处理装置或任一特定沉积或蚀刻处理与方法。
在半导体处理操作期间，例如，以CVD反应腔室100来实施的化学气相沉积处理期间，多种气态废弃物与污染物会从腔室100排至排气管线131中。如上所述，随着沉积气体115通过排气通道113排出腔室100，这些沉积气体会在排气通道113中冷却并凝固形成废弃物111。这些废弃物111也会沉积在排气盖130和排气管线131上。取决于所执行的特定操作，这些废弃物111可包括聚合性物质和颗粒物质，例如部分反应的产物及副产物，当其离开排气管线时会在管线中留下残余物与类似的粉末状物质。举例来说，在使用硅烷(SiH4)、氮(N2)、及氨(NH3)作为前体来沉积氮化硅膜时，可观察到管线有棕色粉状残余物，其系由SixNyHz、SixHy、SiOx及硅元素所组成。一般认为此残余物是由SiH4+N2+NH3的反应的半反应副产物所造成的。当使用其它前体气体或液体(如，二硅烷或有机来源物)来沉积氮化硅层时，也会形成类似的残余物。此外，在沉积氧氮膜及氧化硅膜期间，以及在等离子体蚀刻与其它处理步骤期间，都会出现残余物累积的现象。已经观察到，尚未暴露于空气中的黏稠性物质是由尚未暴露在空气下的氯化硅烷所组成。这些聚合物会与水反应而形成硅氧聚合物。一旦暴露至空气下，这些黏稠性液体就会凝结成固态，以下将举例说明。
本发明的实施例藉由打破键和/或防止键的生成，以及防止经过真空排气管线排出的反应物气体中组分的聚合，来达成防止这类残余物和颗粒物质聚积在排气管线内的目的。本发明实施例可与低压等离子体一起使用，来帮助清洗排气管线。
再次参照图1，根据本发明的一个或多个实施例，CVD反应腔室100装配有可打断键或防止键生成的装置140。该装置140可减少和/或防止排气管线中可形成聚合物的物质彼此聚合，该装置140被设置在排气气体源、处理腔室100的下游。装置140可连接到或是取代一部分的排气管线131。
在图1中，沿着一部分的排气管线131，将用以打断并防止聚合物于排气管线131中生成的可打断键或防止键生成的装置140(以下称为“聚合物防止装置”)装配在真空泵系统与真空歧管之间。由于其装配位置，从真空腔室100排出的气体因此必须通过聚合物防止装置140。聚合物防止装置140可沿着排气管线131设置在任一位置，但较佳地是，聚合物防止装置140的位置愈靠近排气盖130愈好，使得自腔室100排出的气体可在通过排气管线131任一部分之前，先通过此聚合物防止装置140。
操作时，当沉积气体从真空腔室通过排气管线131排出时，可操作聚合物防止装置140来打断并防止可容许聚合物于排气管线131中生成的键的形成，藉以防止这类聚合物物质在排气管线131中生成。为防止聚合物的形成，可在沉积和清洗期间打开聚合物防止装置140，或是只在清洗处理期间激活聚合物防止装置140。
以下将说明聚合物防止装置的特定实施方式。参照图2-5，此聚合物防止装置可包括一种附连到排气盖130的下游高温腔室101。在所示实施方式中，下游高温腔室101可以是一种低频RF腔室。在此所指的“低频”表示RF频率低于20KHz，更典型地低于10KHz。RF腔室可产生足够的高温，以打断或防止会在排气管线中形成聚合物的键。此足以打断或防止会在排气管线中形成聚合物的键的高温一般超过1000℃，典型地超过1050℃，更典型地介于约1100℃到约1200℃间。
高温腔室101的组件包括顶挡板102及底挡板104，其可由SiC或任何其它适当的材料制成，其夹有并支撑被第一石英衬垫108所环绕的石墨支承管106，如图3及4所示。参照图3及5，第二不透明的石英衬垫110环绕该透明的石英衬垫108。用于产生低频RF能量的适当线圈112(例如，镀镍的铜线圈)环绕该不透明的石英衬垫110。陶瓷衬垫114环绕该线圈112，且该陶瓷衬垫又被不锈钢衬垫116所环绕。不锈钢衬垫116至少有两种用途：第一，其可遮蔽CVD处理装置100与其它装置，使其不受线圈所产生的电压与噪音的干扰；第二，如果陶瓷衬垫114破裂或如果真空密封室101被以其它方式打破，则衬垫116可提供第二密封，以防止废弃物气体逸散。也可使用多种金属(例如，铝或钢铁或其它化合物)来制造衬垫116，且为了达到遮蔽效果，较佳地是将其接地。如图5所示，可在下游高温腔室101的出口部分设置不透明石英光挡板118，来提供隔热效果。
当然，可以理解，以上提供的下游高温腔室101的细节仅为示例性实施例，且可利用该设计的许多变体。操作低频RF腔室以产生足以打断或防止可于排气管线内形成聚合物的键的温度的细节可通过实验确定。现有技术中已知的有可以产生约1000℃至约1200℃温度的高温RF腔室。
可使用诸如电容耦合电极、感应耦合线圈或ECR技术的各种公知方法，在下游高温腔室101内创建可形成等离子体的电场。然而，较佳的是使用诸如螺旋谐振线圈(helical resonator coil)之类的感应线圈(因其紧凑尺寸及产生相当高电压电场的能力)来创建电场。这类线圈是本领域普通技术人员所众所周知的，且可依据已知教科书(如，Michael A.Lieberman和Allan J.Lichtenberg，“Principles of Plasma Dischargesand Materials Processing”，第404-410页，John Wiley & Sons(1994))中阐述的标准来设计，其全文并入本文中参考。
螺旋谐振线圈可由诸如铜、镍或金之类的高度导电金属或类似的导电材料制成。为恰当地使线圈产生谐振，很重要的一点是线圈长度必须约等于或比所施加RF信号波长的1/4略长一些。这种长度的线圈可产生较强且较强烈的电压场，其可进一步分解高温腔室101内的物质。
该螺旋谐振线圈一端连接至一RF电源，另一端则接地。为确保通过和/或沉积在下游高温腔室101内的材料可完全反应，必须在足以将石墨管加热至高于1000℃温度且可任选地形成低频等离子体的电平下由RF电源来驱动该下游高温腔室101。一般来说，可使用约50-1000瓦或更大的功率电平，较佳是使用约100-400瓦的功率电平。所选用的实际功率电平应当通过在使用足够高功率电平以形成低频等离子体的需要与使用低功率电平以节省能源成本、及可容许使用较便宜电源的需要之间取得平衡来决定。
电源驱动的高温腔室101在低于约10KHz的频率下运作。在此频率范围下，可提供较高程度的离子撞击，以进一步帮助清洗该排气管线。
可由单频RF源或混频RF源来提供RF功率电平。电源的功率输出将取决于下游高温腔室101的应用及要在下游高温腔室101中处理的气体体积。可从RF电源来产生RF功率以向反应腔室100供电或是可由另一单独RF电源103来供电，以仅驱动聚合物防止装置140。此外，假设在清洗室中存在多个处理腔室，连接到反应腔室100的多个下游高温腔室101可通过连接到适量RF功率分配器的另一单独专用RF电源来启动。
可改变下游高温腔室101的长度和大小。在某些应用中，下游高温腔室可仅为4-6英寸长或甚至更短，而在其它应用中，下游高温腔室101的长度可为排气管线131的全长(4-5英尺或更长)，因此可取代该管线。因为线圈长度应当比RF波长的1/4略长一些，因此线圈长度与所使用RF频率之间有直接关系。越长的线圈需要越低频率的RF功率信号。
上述下游高温腔室101可被单独用在热模式中以清洗排气管线131或是可和低频等离子体(其可在低频RF腔室中产生)一起使用。如在本文中使用地，低压指压力低于20托，更典型地低于约10托。此外，可活化诸如HCl、NF3、Cl2及F2之类的蚀刻剂物质来增强清洗效果。可将蚀刻剂物质引入至与排气盖130连通的入口端98。
美国专利No.6,042,654中描述了一种用含氯气体清洗晶片处理室中的沉积后的沉积物的方法，其全部内容并入本文作为参考。在美国专利No.6,042,654所描述的方法中，加热氯气可产生氯自由基，此氯自由基可再与处理腔室中的沉积物反应。
高温清洗处理与装置的优点在于在较高温度下HCl可被用作清洗气体。在一实施方式中，当HCl被用作蚀刻剂物质时，下游高温腔室101被加热到高达约1200℃的温度。一旦下游高温腔室101到达HCl的解离温度之上的约1200℃后，即将HCl引入至下游高温腔室101中。因为高温的结果，HCl会解离成反应性氢(H)及氯(Cl)，其可再与硅副产物反应。在将HCl用作为蚀刻剂的实施例中，应将下游RF腔室加热到HCl的解离温度，其约为1150℃以上。若低于此温度，一般相信HCl将无法打断聚合物。
因此，根据一个或多个实施方式，可通过将低频RF腔室加热至足以打断可形成排气管线内聚合性废弃组分的键或是防止这类键生成的温度，来防止聚合性物质于排气管线内生成。此外，可使用加热来活化下游RF腔室内的蚀刻剂物质。可使用超过约1000℃的温度，典型地超过约1100℃的温度，例如，介于约1100℃至约1200℃间的温度，来打断键以防止废弃组分间的聚合反应并可用来活化蚀刻剂物质。
以上虽然已说明可于一处理的特定期间打开或关闭聚合物防止装置140，但也可将此聚合物防止装置配置成为无源装置。作为无源装置，当此聚合物防止装置140是上述的下游高温腔室101时，该下游高温腔室101可被连续供给足够量的RF功率信号，使得不需使用特殊控制信号或处理器时间来打开或关闭该聚合物防止装置140。
如前所述，如果被配置为有源装置，则其仅在腔室清洗期间才会向聚合物防止装置140供电。可任选地，也可在腔室100正在沉积膜层时供应RF功率。当将聚合物防止装置140配置为主动装置时，一般由处理器应用经过由控制管线发送来的控制信号来进行时间的控制。
可构建出本发明装置的多个可选实施方式。上述图1所示的聚合物防止装置140可以是耦合于排气盖的真空UV装置的形式。此装置的一示例性实施例于图6中示出。在图7中，UV设备200被耦合到反应腔室100的排气盖130，其在排气管线131的上游。可以理解，除了被耦合至排气盖之外或替代之，UV设备200也可被耦合至排气管线131。为了添加诸如HCl、NF3、Cl2及F2之类的蚀刻剂物质，可将入口耦合至排气盖130或排气管线。可将蚀刻剂物质注入排气管线或排气盖中，以增强清洗操作。
图7示出可用于图7所示实施例的UV装置200的实施例。在图7中，UV设备200包括美国麻省Danvers的Osram Sylvania所出售的Xeradex
Figure A200780015988D0005103116QIETU
灯泡。或者，可使用由USHIO America公司提供的UV光源。灯泡的波长取决于所使用的蚀刻剂种类。当将Cl2作为蚀刻剂时，适当的波长包括172纳米与124纳米。将灯泡202附连到位于适当UV窗204中的排气盖，该UV窗204通常可用适当的密封件206、208(例如，O-型环)加以密封。灯罩210可包括供氮气或其它气体使用的排气阀212。
使用时，由灯泡202产生的UV能量可防止在排气管线中形成聚合物所需的键被生成或将之的打断。保持气相的挥发性物质以气相方式经由泵通过排气管线131。相信如果使用HCl作为蚀刻剂，其在UV光下较活泼，并可增强清洗处理。通过加热排气管线(UV设备200下游至少3-4英尺)来进一步增强清洗处理可能是合乎需要的。
虽然本发明已参照特定实施例进行了描述，但可以理解这些实施例仅仅例示了本发明的原理和应用。对本领域技术人员而言，可在不悖离本发明的精神和范畴的情况下对本发明的方法作出多种修改与改变是显而易见的。因而，本发明旨在包括落在所附权利要求及其等效方案的范围内的这些修改和改变。

Claims (22)

1.一种防止聚合物在CVD反应腔室的排气管线中形成的方法，包括：
使从所述CVD反应腔室排出的气体流经下游腔室，所述下游腔室可产生打断或防止形成聚合物的键的能量，以防止聚合性物质在所述排气管线中形成。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述下游腔室包括低频RF腔室。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述低频RF腔室产生介于约1000℃到约1200℃的温度。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述低频RF腔室在低于约10KHz的频率下运作。
5.如权利要求3所述的方法，进一步包括产生低压等离子体。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述等离子体的压力低于约10托。
7.如权利要求2所述的方法，进一步包括将蚀刻剂引入所述腔室中。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述蚀刻剂选自由HCl和Cl2组成的群组。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述下游腔室包括UV光源。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述UV光源在约172nm波长下运作。
11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，蚀刻剂被引入所述下游腔室。
12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述蚀刻剂选自由HCl和Cl2组成的群组。
13.一种化学气相沉积(CVD)装置，包括：
CVD反应腔室，其包括基板支撑件和用以将气体引入到所述反应腔室的气体分配系统；
排气管线，连接到所述反应腔室，用以移除所述反应腔室内的气体；及
耦合到所述排气管线的一设备，用以防止聚合物在所述排气管线中形成。
14.如权利要求13所述的装置，其特征在于，所述装置包含热反应腔室，其产生介于约1000℃到约1200℃之间的温度。
15.如权利要求14所述的装置，其特征在于，所述热反应腔室包括一低频RF腔室。
16.如权利要求15所述的装置，其特征在于，所述低频RF腔室可在低于约10KHz的频率下运作。
17.如权利要求14所述的装置，进一步包括与所述排气管线连通的蚀刻气体输入口。
18.如权利要求13所述的装置，其特征在于，所述设备包括耦合到所述排气管线的UV光源。
19.如权利要求18所述的装置，其特征在于，所述UV光源在172nm波长下运作。
20.一种CVD装置，包括：
CVD反应腔室，其包括基板支撑件和用以将气体引入到所述反应腔室内的气体分配系统；
排气管线，连接到所述反应腔室，用以移除所述反应腔室内的气体；以及
用以防止聚合物在所述排气管线中形成的装置。
21.如权利要求20所述的装置，其特征在于，用以防止聚合物形成的装置包括用以产生介于约1000℃到约1200℃之间的温度的加热下游腔室。
22.如权利要求20所述的装置，其特征在于，所述用以防止聚合物形成的装置包括UV光源。
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