JPH0474858A - 窒化膜の製造方法 - Google Patents
窒化膜の製造方法Info
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- JPH0474858A JPH0474858A JP18529890A JP18529890A JPH0474858A JP H0474858 A JPH0474858 A JP H0474858A JP 18529890 A JP18529890 A JP 18529890A JP 18529890 A JP18529890 A JP 18529890A JP H0474858 A JPH0474858 A JP H0474858A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は窒化膜の新規の製造方法、特に半導体として特
性の優れた窒化膜の製造方法に関するものである。
性の優れた窒化膜の製造方法に関するものである。
[従来の技術]
従来、窒化膜は耐蝕性薄膜として用いられるばかりでな
く、発光素子用薄膜としての検討も広く行なわれている
。−船釣に、窒化膜を得るためには、反応温度を極めて
高くする必要があり、製造が難しいばかりでなく、窒素
の不足から化学量論的組成からのずれも生じるという問
題がある。
く、発光素子用薄膜としての検討も広く行なわれている
。−船釣に、窒化膜を得るためには、反応温度を極めて
高くする必要があり、製造が難しいばかりでなく、窒素
の不足から化学量論的組成からのずれも生じるという問
題がある。
この窒素の不足のために、キャリア密度が極めて大きく
なり、良好な半導体特性が得られないことになる。
なり、良好な半導体特性が得られないことになる。
CVD法[ジャパニーズ ジャーナル オブアブライド
フィジクス(Jal)、J、Appl、Phys、)
、15.1943(197B)コ 、 MBE 法
[Appl 、Phys、Lett、、45 (19
83)]などでGa窒化物を製造する試みはあるが、何
れも高温成膜する必要があり、膜質の向上には結びつい
ていない。
フィジクス(Jal)、J、Appl、Phys、)
、15.1943(197B)コ 、 MBE 法
[Appl 、Phys、Lett、、45 (19
83)]などでGa窒化物を製造する試みはあるが、何
れも高温成膜する必要があり、膜質の向上には結びつい
ていない。
また、低温成膜を実現するために、窒素源を電子シャワ
ーにより活性化する試みがある[ジャパニーズ ジャー
ナル オブ アブライドフィジクス(Jap、J、Ap
pl、Phys、)、20.L545(1981)コが
、この方法によっても膜質の向上には不十分と思われる
。
ーにより活性化する試みがある[ジャパニーズ ジャー
ナル オブ アブライドフィジクス(Jap、J、Ap
pl、Phys、)、20.L545(1981)コが
、この方法によっても膜質の向上には不十分と思われる
。
これらの問題を解決することは、特に半導体用薄膜とし
て窒化膜を利用しようとするとき重要なものである。
て窒化膜を利用しようとするとき重要なものである。
[発明が解決しようとする課題〕
窒化膜を工業的に安定に製造し、また化学量論的組成に
きわめて近い組成にするためには、できるだけ低温で成
膜する必要がある。
きわめて近い組成にするためには、できるだけ低温で成
膜する必要がある。
そのためには、活性の高い窒素源を使用することが有効
と考えられる。活性の高い窒素源としては、活性の高い
窒素化合物、原子状窒素、窒素イオンなどがあるが、従
来のプラズマを利用した技術[ジャーナル オブ バキ
ュームサイエンスアンド テクノロジー(J 、Vac
、Sci 。
と考えられる。活性の高い窒素源としては、活性の高い
窒素化合物、原子状窒素、窒素イオンなどがあるが、従
来のプラズマを利用した技術[ジャーナル オブ バキ
ュームサイエンスアンド テクノロジー(J 、Vac
、Sci 。
TeChnol、)、A7,701(1989)]など
では、これらを効率よく生成させることは難しい。
では、これらを効率よく生成させることは難しい。
[発明が解決しようとする課題]
本発明は、活性の高い窒素を効率よく生成し、それを窒
化膜の製造に利用して従来の問題を解決しようとするも
のである。
化膜の製造に利用して従来の問題を解決しようとするも
のである。
[課題を解決するための手段]
本発明者らは前記問題点を解決するため鋭意研究を重ね
た結果、プラズマや電子シャワーを使用しない窒素活性
化法を用いた窒化膜の製造方法を見いたすに至った。
た結果、プラズマや電子シャワーを使用しない窒素活性
化法を用いた窒化膜の製造方法を見いたすに至った。
本発明は真空中において、ガス状窒素化合物をクラッキ
ングガスセルにより加熱分解して活性窒素を基板上に供
給し、基板上で金属、有機金属化合物、あるいは金属塩
と反応させることを特徴とする窒化膜の製造方法を提供
するものである。
ングガスセルにより加熱分解して活性窒素を基板上に供
給し、基板上で金属、有機金属化合物、あるいは金属塩
と反応させることを特徴とする窒化膜の製造方法を提供
するものである。
本発明における真空とは、10−’Torr以下の圧力
のことである。成膜に必要なガス、金属蒸気が互いに衝
突せずに基板に到達するためには、10−’Torr以
下の圧力にし、平均自由行程を大きくとることが特に好
ましい。
のことである。成膜に必要なガス、金属蒸気が互いに衝
突せずに基板に到達するためには、10−’Torr以
下の圧力にし、平均自由行程を大きくとることが特に好
ましい。
ガス状窒素化合物の一例としては、NH,、N2 H4
、N2 H2(CH3)2、N2、NF3、H4H4、
NH2C1、HN3 、NH4X (X−F、 CI、
Br。
、N2 H2(CH3)2、N2、NF3、H4H4、
NH2C1、HN3 、NH4X (X−F、 CI、
Br。
1) 、N2 H5X(X−F、 CI)などがある。
これらのガス状窒素化合物は、常温ガスのものはそのま
ま、常温液体のものはあらかじめ加熱ガス化してクラッ
キングガスセルに導入する。
ま、常温液体のものはあらかじめ加熱ガス化してクラッ
キングガスセルに導入する。
また、本発明におけるクラッキングガスセルとは、ガス
状窒素化合物を加熱分解するものである。特に触媒存在
下においてガス状窒素化合物を加熱し、効率よくガス状
窒素化合物を加熱分解することが好ましい。触媒に使用
するものの例としてはAI□0.、Pe、 Cu、 A
g、 Au、Hg。
状窒素化合物を加熱分解するものである。特に触媒存在
下においてガス状窒素化合物を加熱し、効率よくガス状
窒素化合物を加熱分解することが好ましい。触媒に使用
するものの例としてはAI□0.、Pe、 Cu、 A
g、 Au、Hg。
Ba5No%w、 Ni、石英、Crなどがある。これ
らのものを繊維状、多孔質状にしたもの、あるいは多孔
質ガラスなどの表面に金属をコーティングしたもの等を
用いて、表面積を大きくとり、ガス状窒素化合物とよく
接するようにすることが好ましい。
らのものを繊維状、多孔質状にしたもの、あるいは多孔
質ガラスなどの表面に金属をコーティングしたもの等を
用いて、表面積を大きくとり、ガス状窒素化合物とよく
接するようにすることが好ましい。
第1図に一例として、Al20iを触媒として使用した
クラッキングガスセルを図示する。BNセル1中に繊維
状Al2032を詰め、加熱ヒーター3でセルを加熱す
る。加熱温度は、1oO〜1000℃の範囲で設定する
ことが出来、加熱温度は熱電対5でモニターする。ガス
状窒素化合物4は繊維状A1゜0.に接しながら基板表
面に供給される。
クラッキングガスセルを図示する。BNセル1中に繊維
状Al2032を詰め、加熱ヒーター3でセルを加熱す
る。加熱温度は、1oO〜1000℃の範囲で設定する
ことが出来、加熱温度は熱電対5でモニターする。ガス
状窒素化合物4は繊維状A1゜0.に接しながら基板表
面に供給される。
基板は、成膜する窒化物膜によって異なる。
例としては、Sl、AI203 、ZnO,MgO,S
iC。
iC。
またはGaAs51nAsなどの周期表第■−v族化合
物、Zn5eなどの周期表第n−IV族化合物などの単
結晶基板、石英ガラス、MESAガラス等のガラス基板
を用いる。基板は、基板加熱装置により200〜150
0℃の範囲で加熱される。
物、Zn5eなどの周期表第n−IV族化合物などの単
結晶基板、石英ガラス、MESAガラス等のガラス基板
を用いる。基板は、基板加熱装置により200〜150
0℃の範囲で加熱される。
また、基板と薄膜との間にバッファ層として、アモルフ
ァス状の物質、例えばA + N5GaN、 Sj。
ァス状の物質、例えばA + N5GaN、 Sj。
SjC等、あるいは単結晶物質として、例えばA I
N、 ZnO、SiC等を設け、膜質の改善を行なうこ
とも出来る。
N、 ZnO、SiC等を設け、膜質の改善を行なうこ
とも出来る。
また、成膜中に不純物をドーピングして、キャリア密度
制御、p型n型制御を行なうことも出来る。ドーピング
する不純物物質の例としては、Mgc Zns Sb−
F 、St等がある。
制御、p型n型制御を行なうことも出来る。ドーピング
する不純物物質の例としては、Mgc Zns Sb−
F 、St等がある。
活性窒素と反応する金属、有機金属化合物、金属塩の例
としては、B、AI、Ga5In5 Ti5WSNb、
V、 AI (CH3) 3、AI(C2H5) 3
、Ga (CH3) 、s 、Ga(C2Hs ) 3
、Ga(C2Hs ) 2 C1、In (C)+3
) 3、In(C2)is) 3 、 InCs
Is 、BBr:+ 、BClm 、AlBr
3 、AlCl3 、A I F3 、GaBr3
、GaFi 、TiBr4、TlC14などがあ
る。特に、周期表■族元素の金属、有機金属化合物、あ
るいは金属塩から選ぶことが好ましい。これらを抵抗加
熱坩堝または電子ビーム蒸発装置によって蒸発させるか
、あるいはガスセルにより基板表面に供給する。
としては、B、AI、Ga5In5 Ti5WSNb、
V、 AI (CH3) 3、AI(C2H5) 3
、Ga (CH3) 、s 、Ga(C2Hs ) 3
、Ga(C2Hs ) 2 C1、In (C)+3
) 3、In(C2)is) 3 、 InCs
Is 、BBr:+ 、BClm 、AlBr
3 、AlCl3 、A I F3 、GaBr3
、GaFi 、TiBr4、TlC14などがあ
る。特に、周期表■族元素の金属、有機金属化合物、あ
るいは金属塩から選ぶことが好ましい。これらを抵抗加
熱坩堝または電子ビーム蒸発装置によって蒸発させるか
、あるいはガスセルにより基板表面に供給する。
基板表面では、前記活性窒素と金属、有機金属化合物、
金属塩が反応を起こし、窒化膜が生成する。
金属塩が反応を起こし、窒化膜が生成する。
次に成膜方法の一例を説明するか特にこれに限定される
ものではない。
ものではない。
装置には第2図に示すような真空容器6内に蒸発用坩堝
(クヌードセンセル)7、電子ビーム蒸発装置8、クラ
ッキングガスセル9、基板加熱ホルダー11を備えたM
BE装置を使用する。
(クヌードセンセル)7、電子ビーム蒸発装置8、クラ
ッキングガスセル9、基板加熱ホルダー11を備えたM
BE装置を使用する。
蒸発用坩堝7にはGa金属をいれ、900〜1000℃
に加熱する。
に加熱する。
クラッキングガスセル9は、ガス出口を基板12に吹き
付けるように設置する。導入ガスにはNH3あるいはN
2H4を使用し導入量は1〜50cc/i+inとする
。クラッキングガスセル9の加熱温度は200〜600
℃に設定する。
付けるように設置する。導入ガスにはNH3あるいはN
2H4を使用し導入量は1〜50cc/i+inとする
。クラッキングガスセル9の加熱温度は200〜600
℃に設定する。
真空容器内の真空度は、成膜時で1〜5X10−6To
rr程度となる。
rr程度となる。
基板にサファイア単結晶基板などを使用し、600〜1
000℃に加熱しなからGaNを成膜する。
000℃に加熱しなからGaNを成膜する。
成膜後、NH3あるいはN2H4を導入しながら基板温
度を下げる。以上のようにして、透明かつ単軸配向のG
aN膜を得ることが出来る。
度を下げる。以上のようにして、透明かつ単軸配向のG
aN膜を得ることが出来る。
本発明の窒化膜製造方法においては、活性窒素の供給速
度が窒化膜生成の律速となっていると考えられる。クラ
ッキングガスセルを用いない場合に比べ、単軸配向膜を
得るための基板温度を100℃以上低くすることが出来
るので、活性窒素の供給速度がより大きくなっていると
考えられる。
度が窒化膜生成の律速となっていると考えられる。クラ
ッキングガスセルを用いない場合に比べ、単軸配向膜を
得るための基板温度を100℃以上低くすることが出来
るので、活性窒素の供給速度がより大きくなっていると
考えられる。
[実施例コ
以下実施例によりさらに詳細に説明する。
実施例1
装置には第2図に示すようなMBE装置を使用した。
蒸発用坩堝7にはGa金属をいれ、940”Cに加熱し
た。クラッキングガスセル9は、ガス出口を基板12に
吹き付けるように設置した。導入ガスにはNH3を使用
し導入量は3 cc/+inとした。
た。クラッキングガスセル9は、ガス出口を基板12に
吹き付けるように設置した。導入ガスにはNH3を使用
し導入量は3 cc/+inとした。
また、このガスセルは触媒存在下でガスを加熱できるよ
うになっており、アルミナに触れさせながら約300℃
に加熱した。基板にはサファイア単結晶基板(1102
)面を使用し650”Cに加熱した。
うになっており、アルミナに触れさせながら約300℃
に加熱した。基板にはサファイア単結晶基板(1102
)面を使用し650”Cに加熱した。
真空容器内の真空度は、成膜時で1〜5×10”6To
rr程度であった。
rr程度であった。
このような実験条件において1時開成膜を行ない、膜厚
的450OAの透明なGaN膜を得た。X線回折測定の
結果(110)単軸配向膜であった。分光の結果から得
たバンドギャップの大きさは、約3 、2eVであフた
。
的450OAの透明なGaN膜を得た。X線回折測定の
結果(110)単軸配向膜であった。分光の結果から得
たバンドギャップの大きさは、約3 、2eVであフた
。
−船釣なVan der Pauv法測定によれば、キ
ャリア密度は5X1018cm−’ キャリア移動度
は約30c4/V−seeであった。
ャリア密度は5X1018cm−’ キャリア移動度
は約30c4/V−seeであった。
以下の比較例1に示すように、クラッキングガスセルの
使用により窒素の活性が高められ、膜質が向上したこと
がわかった。
使用により窒素の活性が高められ、膜質が向上したこと
がわかった。
比較例1
装置には実施例1と同様の第2図に示すようなMBE装
置を使用した。
置を使用した。
実施例1と同様の条件で、クラッキングガスセルの温度
を室温として成膜を行なったところ、Ca金属が析出し
黒くなった。
を室温として成膜を行なったところ、Ca金属が析出し
黒くなった。
一般的なVan der Pauv法測定によれば、キ
ャリア密度はlXl0”cm−’ キャリア移動度は
約50シ1v−8ecであった。
ャリア密度はlXl0”cm−’ キャリア移動度は
約50シ1v−8ecであった。
実施例2
装置には実施例1と同様の第2図に示すようなMBE装
置を使用した。
置を使用した。
蒸発用坩堝7にはAI金金属いれ、800℃に加熱した
。
。
クラッキングガスセル9は、ガス出口を基板7に吹き付
けるように設置した。導入ガスにはN2H4を使用し、
導入量は3 cc/sinとした。
けるように設置した。導入ガスにはN2H4を使用し、
導入量は3 cc/sinとした。
またこのガスセルは触媒存在下でガスを加熱できるよう
になっており、アルミナに触れさせながら約400℃に
加熱した。基板にはサファイア単結晶基板(oooi)
面を使用し、1000℃に加熱した。
になっており、アルミナに触れさせながら約400℃に
加熱した。基板にはサファイア単結晶基板(oooi)
面を使用し、1000℃に加熱した。
真空容器内の真空度は、成膜時で1〜5×10−’To
rr程度であった。
rr程度であった。
このような実験条件において1時開成膜を行ない、膜厚
的4000 iの透明なA31N膜を得た。
的4000 iの透明なA31N膜を得た。
X線回折測定の結果(001)単軸配向膜であった。分
光の結果から得たバンドギャップの大きさは、約5.9
eVであった。
光の結果から得たバンドギャップの大きさは、約5.9
eVであった。
比較例2
装置には実施例2と同様の第2図に示すようなMBE装
置を使用した。
置を使用した。
実施例2と同様の条件で、クラッキングガスセルの温度
を加熱せずに成膜を行なったところ、^貴金属が析出し
黒くなった。また、分光による測定ではバンドギャップ
は観測できなかった。
を加熱せずに成膜を行なったところ、^貴金属が析出し
黒くなった。また、分光による測定ではバンドギャップ
は観測できなかった。
以上のように、クラッキングガスセルの使用により窒素
の活性が高められたことがわかった。
の活性が高められたことがわかった。
実施例3
装置には実施例1と同様の第2図に示すようなMBE装
置を使用した。
置を使用した。
蒸発用坩堝7にはGa金属をいれ、940℃に加熱した
。蒸発用坩堝7のもう一方にはA1金属をいれ、100
0℃に加熱した。
。蒸発用坩堝7のもう一方にはA1金属をいれ、100
0℃に加熱した。
クラッキングガスセル9はガス出口を基板12に吹き付
けるように設置した。導入ガスにはNHJを使用し導入
量は3 cc/winとした。また、このガスセルは触
媒存在下でガスを加熱できるようになっており、細線状
にした金属Peに触れさせながら約600℃に加熱した
。基板にはサファイア単結晶基板(1102)面を使用
し、700℃に加熱した。
けるように設置した。導入ガスにはNHJを使用し導入
量は3 cc/winとした。また、このガスセルは触
媒存在下でガスを加熱できるようになっており、細線状
にした金属Peに触れさせながら約600℃に加熱した
。基板にはサファイア単結晶基板(1102)面を使用
し、700℃に加熱した。
真空容器内の真空度は、成膜時て1〜5×1O−6To
rr程度であった。
rr程度であった。
このような実験条件において1時開成膜を行ない、膜厚
的4500 Xの透明なGaA I N膜を得た。
的4500 Xの透明なGaA I N膜を得た。
X線回折測定の結果、(110)単軸配向膜であった。
原子吸光法による組成分析によれば、A交の原子数比は
Gaの約10%であった。分光の結果から得たバンドギ
ャップの大きさは、約3.7eVであった。
Gaの約10%であった。分光の結果から得たバンドギ
ャップの大きさは、約3.7eVであった。
一般的なVan Der Pauv法測定によれば、キ
ャリア密度は2 X 10”(至)−3、キャリア移動
度は約80C4/■・secであった。
ャリア密度は2 X 10”(至)−3、キャリア移動
度は約80C4/■・secであった。
実施例4
装置には実施例1と同様の第2図に示すようなMBE装
置を使用した。
置を使用した。
蒸発用坩堝7にはGa金属をいれ、940℃に加熱した
。蒸発用坩堝7のもう一方にはIn金属をいれ、650
℃に加熱した。
。蒸発用坩堝7のもう一方にはIn金属をいれ、650
℃に加熱した。
クラッキングガスセル9はガス出口を基板12に吹き付
けるように設置した。導入ガスにはNF2を使用し導入
量は3 cc/a+inとした。また、このガスセルは
触媒存在下でガスを加熱できるようになっており、アル
ミナに触れさせながら約500℃に加熱した。基板には
サファイア単結晶基板(1102)面を使用し、700
℃に加熱した。
けるように設置した。導入ガスにはNF2を使用し導入
量は3 cc/a+inとした。また、このガスセルは
触媒存在下でガスを加熱できるようになっており、アル
ミナに触れさせながら約500℃に加熱した。基板には
サファイア単結晶基板(1102)面を使用し、700
℃に加熱した。
真空容器内の真空度は、成膜時で1〜5X10−6To
rr程度であった。
rr程度であった。
このような実験条件において1時開成膜を行ない、膜厚
的3500 Xの透明なGa1nN膜を得た。
的3500 Xの透明なGa1nN膜を得た。
X線回折測定の結果、(110)単軸配向膜であった。
原子吸光法による組成分析によれば、Inの原子数比は
Gaの約5%であった。分光の結果から得たバンドギャ
ップの大きさは約3.OeVであった。−船釣なVan
der Pauw法測定によれば、キャリア密度1.
5 Xl019cm−3、キャリア移動度約30c−/
■・seeであった。
Gaの約5%であった。分光の結果から得たバンドギャ
ップの大きさは約3.OeVであった。−船釣なVan
der Pauw法測定によれば、キャリア密度1.
5 Xl019cm−3、キャリア移動度約30c−/
■・seeであった。
実施例5
装置には実施例1と同様の第2図に示すようなMBE装
置を使用した。
置を使用した。
クラッキングガスセル9は、ガス出口を基板12に吹き
付けるように設置した。導入ガスにはN z H4を使
用し導入量は3 cc/1ninとした。またこのガス
セルは触媒存在下でガスを加熱できるようになっており
、多孔質状石英に触れさせながら約300℃に加熱した
。
付けるように設置した。導入ガスにはN z H4を使
用し導入量は3 cc/1ninとした。またこのガス
セルは触媒存在下でガスを加熱できるようになっており
、多孔質状石英に触れさせながら約300℃に加熱した
。
ガスセル10は、ガス出口を基板7に吹き付けるように
設置し、導入ガスにはGa(C)I 3 ) 3を使用
した。導入量は1 cc/winとした。基板にはサフ
ァイア単結晶基板(1102)面を使用し、850℃に
加熱した。
設置し、導入ガスにはGa(C)I 3 ) 3を使用
した。導入量は1 cc/winとした。基板にはサフ
ァイア単結晶基板(1102)面を使用し、850℃に
加熱した。
真空容器内の真空度は、成膜時で1〜5×1O−6To
rr程度であった。
rr程度であった。
このような実験条件において1時開成膜を行ない、膜厚
的3500 Xの透明なGaN膜を得た。X線回折測定
の結果(110)単軸配向膜であった。分光の結果から
得たバンドギャップの大きさは、約3.2eVであった
。
的3500 Xの透明なGaN膜を得た。X線回折測定
の結果(110)単軸配向膜であった。分光の結果から
得たバンドギャップの大きさは、約3.2eVであった
。
一般的なVan der Pauv法測定によれば、キ
ャリア密度は5 X 10”c+n −3キャリア移動
度は約30cシ/■・secであった。
ャリア密度は5 X 10”c+n −3キャリア移動
度は約30cシ/■・secであった。
実施例6
装置には実施例1と同様の第2図に示すようなMBE装
置を使用した。
置を使用した。
クラッキングガスセル9はガス出口を基板12に吹き付
けるように設置した。導入ガスにはH4H4を使用し導
入量は3 cc/winとした。またこのガスセルは触
媒存在下でガスを加熱できるようになっており、アルミ
ナに触れさせながら約500℃に加熱した。
けるように設置した。導入ガスにはH4H4を使用し導
入量は3 cc/winとした。またこのガスセルは触
媒存在下でガスを加熱できるようになっており、アルミ
ナに触れさせながら約500℃に加熱した。
ガスセル10は、ガス出口を基板7に吹き付けるように
設置し、導入ガスにはGa(C)13)3を使用した。
設置し、導入ガスにはGa(C)13)3を使用した。
導入量は1 cc/winとした。基板にはサファイア
単結晶基板(1102)面を使用し、650℃に加熱し
た。
単結晶基板(1102)面を使用し、650℃に加熱し
た。
真空容器内の真空度は、成膜時で1〜5×1O−6To
rr程度であった。
rr程度であった。
このような実験条件において1時開成膜を行ない、膜厚
的45001の透明なGaN膜を得た。X線回折測定の
結果(110)単軸配向膜であった。分光の結果から得
たバンドギャップの大きさは、約3.2eVであった。
的45001の透明なGaN膜を得た。X線回折測定の
結果(110)単軸配向膜であった。分光の結果から得
たバンドギャップの大きさは、約3.2eVであった。
一般的なVan der Pauv法測定によれば、キ
ャリア密度は6 X 10180111−’ キャリ
ア移動度は約30cシ/V−5eCであった。
ャリア密度は6 X 10180111−’ キャリ
ア移動度は約30cシ/V−5eCであった。
実施例7
装置には実施例1と同様の第2図に示すようなMBE装
置を使用した。
置を使用した。
蒸発用坩堝7にはGa金属をいれ、蒸発用坩堝7のもう
一方にはA1金属をいれた。
一方にはA1金属をいれた。
クラッキングガスセル9はガス出口を基板12に吹き付
けるように設置した。導入ガスにはNH3を使用し導入
量は3 cc/sinとした。また、このガスセルは触
媒存在下でガスを加熱できるようになっており、アルミ
ナに触れさせながら約300℃に加熱した。基板にはサ
ファイア単結晶基板(0001)面を使用した。
けるように設置した。導入ガスにはNH3を使用し導入
量は3 cc/sinとした。また、このガスセルは触
媒存在下でガスを加熱できるようになっており、アルミ
ナに触れさせながら約300℃に加熱した。基板にはサ
ファイア単結晶基板(0001)面を使用した。
真空容器内の真空度は、成膜時で1〜5×LO−6To
rr程度であった。
rr程度であった。
まず、基板温度を600℃に設定し、A1の蒸発用坩堝
のシャッタを開け、30分成膜したところ、膜厚200
0 &のアモルファスAINバッファ層が生成した。
のシャッタを開け、30分成膜したところ、膜厚200
0 &のアモルファスAINバッファ層が生成した。
つぎに、基板温度を700℃に設定し、Gaの蒸発用坩
堝のシャッタを開け、1時開成膜を行なったところ、膜
厚約3500人の透明なGaN膜を得た。X線回折測定
の結果、(001)単軸配向膜であった。分光の結果か
ら得たバンドギャップの大きさは約3.2eVであった
。
堝のシャッタを開け、1時開成膜を行なったところ、膜
厚約3500人の透明なGaN膜を得た。X線回折測定
の結果、(001)単軸配向膜であった。分光の結果か
ら得たバンドギャップの大きさは約3.2eVであった
。
−船釣なVan der Pauv法測定によれば、キ
ャリア密度4.5 XIO”am−3、キャリア移動度
約30Cシ/V・secであった。
ャリア密度4.5 XIO”am−3、キャリア移動度
約30Cシ/V・secであった。
実施例8
装置には実施例1と同様の第2図に示すようなMBE装
置を使用した。
置を使用した。
蒸発用坩堝7にはGa金属をいれ、940℃に加熱した
。蒸発用坩堝7のもう一方にはMg金属をいれ、400
℃に加熱した。
。蒸発用坩堝7のもう一方にはMg金属をいれ、400
℃に加熱した。
クラッキングガスセル9はガス出口を基板12に吹き付
けるように設置した。導入ガスにはNHsを使用し導入
量は3 cc/sinとした。また、このガスセルは触
媒存在下でガスを加熱できるようになっており、アルミ
ナに触れさせながら約400℃に加熱した。基板にはサ
ファイア単結晶基板(1102)面を使用し、700℃
に加熱した。
けるように設置した。導入ガスにはNHsを使用し導入
量は3 cc/sinとした。また、このガスセルは触
媒存在下でガスを加熱できるようになっており、アルミ
ナに触れさせながら約400℃に加熱した。基板にはサ
ファイア単結晶基板(1102)面を使用し、700℃
に加熱した。
真空容器内の真空度は、成膜時で1〜5X10−6To
rr程度であった。
rr程度であった。
このような実験条件において1時開成膜を行ない、膜厚
約350OAの透明なMgドープGaN膜を得た。X線
回折測定の結果、(110)単軸配向膜であった。分光
の結果から得たバンドギャップの大きさは約3.2eV
であった。
約350OAの透明なMgドープGaN膜を得た。X線
回折測定の結果、(110)単軸配向膜であった。分光
の結果から得たバンドギャップの大きさは約3.2eV
であった。
この膜の抵抗率はきわめて大きかった。
[発明の効果コ
以上のように、本発明の窒化膜の製造法は、プラズマや
、電子シャワーを用いない、新規の窒素活性化法を用い
た、工業上極めて有用なものである。
、電子シャワーを用いない、新規の窒素活性化法を用い
た、工業上極めて有用なものである。
第1図は、本発明で用いるのに適したクラッキングガス
セルの一例の構成を示す断面の模式第2図は本発明で用
いるMBE装置の模式図である。 1・・・BNセル、2・・・繊維状Al2O3,3・・
・加熱ヒータ、4・・・ガス状窒素化合物、5・・・熱
電対、6・・・真空容器、7・・・蒸発用坩堝、8・・
・電子ビーム蒸発装置、 9・・・クラッキングガスセル、10・・・ガスセル、
11・・・基板加熱ホルダー 12・・・基板特許出願
人 旭化成工業株式会社 代理人 弁理士 小 松 秀 岳 代理人 弁理士 旭 宏 代理人 弁理士 加々美 紀 雄
セルの一例の構成を示す断面の模式第2図は本発明で用
いるMBE装置の模式図である。 1・・・BNセル、2・・・繊維状Al2O3,3・・
・加熱ヒータ、4・・・ガス状窒素化合物、5・・・熱
電対、6・・・真空容器、7・・・蒸発用坩堝、8・・
・電子ビーム蒸発装置、 9・・・クラッキングガスセル、10・・・ガスセル、
11・・・基板加熱ホルダー 12・・・基板特許出願
人 旭化成工業株式会社 代理人 弁理士 小 松 秀 岳 代理人 弁理士 旭 宏 代理人 弁理士 加々美 紀 雄
Claims (1)
- 真空中において、ガス状窒素化合物をクラッキングガ
スセルにより加熱分解して活性窒素を基板上に供給し、
基板上で金属、有機金属化合物、あるいは金属塩と反応
させることを特徴とする窒化膜の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18529890A JPH0474858A (ja) | 1990-07-16 | 1990-07-16 | 窒化膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18529890A JPH0474858A (ja) | 1990-07-16 | 1990-07-16 | 窒化膜の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0474858A true JPH0474858A (ja) | 1992-03-10 |
Family
ID=16168415
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18529890A Pending JPH0474858A (ja) | 1990-07-16 | 1990-07-16 | 窒化膜の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0474858A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05259158A (ja) * | 1992-03-16 | 1993-10-08 | Hikari Gijutsu Kenkyu Kaihatsu Kk | Iii族元素の窒化膜の形成方法 |
US5718047A (en) * | 1995-09-22 | 1998-02-17 | Yazaki Corporation | Method of manufacturing electrical junction box |
WO2000070129A1 (en) * | 1999-05-13 | 2000-11-23 | Emf Ireland Limited | Method and apparatus for epitaxially growing a material on a substrate |
WO2003096380A2 (en) * | 2002-05-08 | 2003-11-20 | Dana Corporation | Plasma-assisted nitrogen surface-treatment |
JP2007284267A (ja) * | 2006-04-13 | 2007-11-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | GaN結晶の製造方法 |
WO2009014099A1 (ja) * | 2007-07-20 | 2009-01-29 | National University Corporation Nagaoka University Of Technology | 窒化物膜の堆積方法及び堆積装置 |
-
1990
- 1990-07-16 JP JP18529890A patent/JPH0474858A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05259158A (ja) * | 1992-03-16 | 1993-10-08 | Hikari Gijutsu Kenkyu Kaihatsu Kk | Iii族元素の窒化膜の形成方法 |
US5718047A (en) * | 1995-09-22 | 1998-02-17 | Yazaki Corporation | Method of manufacturing electrical junction box |
WO2000070129A1 (en) * | 1999-05-13 | 2000-11-23 | Emf Ireland Limited | Method and apparatus for epitaxially growing a material on a substrate |
WO2003096380A2 (en) * | 2002-05-08 | 2003-11-20 | Dana Corporation | Plasma-assisted nitrogen surface-treatment |
WO2003096380A3 (en) * | 2002-05-08 | 2004-07-08 | Dana Corp | Plasma-assisted nitrogen surface-treatment |
JP2007284267A (ja) * | 2006-04-13 | 2007-11-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | GaN結晶の製造方法 |
WO2009014099A1 (ja) * | 2007-07-20 | 2009-01-29 | National University Corporation Nagaoka University Of Technology | 窒化物膜の堆積方法及び堆積装置 |
JP2009049392A (ja) * | 2007-07-20 | 2009-03-05 | Nagaoka Univ Of Technology | 窒化物膜の堆積方法及び堆積装置 |
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