ATE259432T1 - Verfahren und vorrichtung zum epitaktischem wachsen eines materials auf einem substrat - Google Patents

Verfahren und vorrichtung zum epitaktischem wachsen eines materials auf einem substrat

Info

Publication number
ATE259432T1
ATE259432T1 AT00927574T AT00927574T ATE259432T1 AT E259432 T1 ATE259432 T1 AT E259432T1 AT 00927574 T AT00927574 T AT 00927574T AT 00927574 T AT00927574 T AT 00927574T AT E259432 T1 ATE259432 T1 AT E259432T1
Authority
AT
Austria
Prior art keywords
substrate
region
growing
epitactically
epitactically growing
Prior art date
Application number
AT00927574T
Other languages
English (en)
Inventor
Michael Franks Robinson
Original Assignee
Emf Ireland Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Emf Ireland Ltd filed Critical Emf Ireland Ltd
Application granted granted Critical
Publication of ATE259432T1 publication Critical patent/ATE259432T1/de

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02Epitaxial-layer growth
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02Epitaxial-layer growth
    • C30B25/14Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C30B29/403AIII-nitrides
    • C30B29/406Gallium nitride

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
AT00927574T 1999-05-13 2000-05-12 Verfahren und vorrichtung zum epitaktischem wachsen eines materials auf einem substrat ATE259432T1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP99303738 1999-05-13
PCT/GB2000/001829 WO2000070129A1 (en) 1999-05-13 2000-05-12 Method and apparatus for epitaxially growing a material on a substrate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
ATE259432T1 true ATE259432T1 (de) 2004-02-15

Family

ID=8241389

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
AT00927574T ATE259432T1 (de) 1999-05-13 2000-05-12 Verfahren und vorrichtung zum epitaktischem wachsen eines materials auf einem substrat

Country Status (8)

Country Link
EP (1) EP1190122B1 (de)
JP (2) JP4790914B2 (de)
KR (1) KR100712241B1 (de)
AT (1) ATE259432T1 (de)
AU (1) AU4596500A (de)
CA (1) CA2373170C (de)
DE (1) DE60008241T2 (de)
WO (1) WO2000070129A1 (de)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5334243A (en) * 1993-05-04 1994-08-02 The Dow Chemical Company Crack inhibitor for tape joint compositions
DE10320597A1 (de) * 2003-04-30 2004-12-02 Aixtron Ag Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von Halbleiterschichten mit zwei Prozessgasen, von denen das eine vorkonditioniert ist
US7585772B2 (en) 2006-07-26 2009-09-08 Freiberger Compound Materials Gmbh Process for smoothening III-N substrates
WO2008017320A1 (de) * 2006-08-09 2008-02-14 Freiberger Compound Materials Gmbh Verfahren zur herstellung eines dotierten iii-n-massivkristalls sowie eines freistehenden dotierten iii-n-substrates und dotierter iii-n-massivkristall sowie freistehendes dotiertes iii-n-substrat
US8778078B2 (en) 2006-08-09 2014-07-15 Freiberger Compound Materials Gmbh Process for the manufacture of a doped III-N bulk crystal and a free-standing III-N substrate, and doped III-N bulk crystal and free-standing III-N substrate as such
JP2009234906A (ja) 2008-03-03 2009-10-15 Mitsubishi Chemicals Corp 窒化物半導体結晶とその製造方法
JP5549754B2 (ja) * 2008-08-29 2014-07-16 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP5423205B2 (ja) * 2008-08-29 2014-02-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
KR20110079831A (ko) 2008-10-03 2011-07-08 비코 프로세스 이큅먼트, 아이엔씨. 기상 에피택시 시스템

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5272399A (en) * 1975-12-13 1977-06-16 Fujitsu Ltd Method and apparatus for growth of single crystals of al2o3 from gas p hase
JPS58125698A (ja) * 1982-01-19 1983-07-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 結晶成長装置
JPS58140391A (ja) * 1982-02-08 1983-08-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 気相成長装置
JPS61215288A (ja) * 1985-03-19 1986-09-25 Masayoshi Umeno 半導体製造方法
JPH0691020B2 (ja) * 1986-02-14 1994-11-14 日本電信電話株式会社 気相成長方法および装置
JPH01215795A (ja) * 1988-02-22 1989-08-29 Idemitsu Petrochem Co Ltd ダイヤモンドの製造方法およびプラズマ噴射装置
JPH0474858A (ja) * 1990-07-16 1992-03-10 Asahi Chem Ind Co Ltd 窒化膜の製造方法
US5324386A (en) * 1991-03-19 1994-06-28 Fujitsu Limited Method of growing group II-IV mixed compound semiconductor and an apparatus used therefor
JPH05234908A (ja) * 1992-02-20 1993-09-10 Nippon Steel Corp エピタキシャル結晶成長装置用励起セル装置
JP3131005B2 (ja) * 1992-03-06 2001-01-31 パイオニア株式会社 化合物半導体気相成長装置
JP2711959B2 (ja) * 1992-03-16 1998-02-10 光技術研究開発株式会社 Iii族元素の窒化膜の形成方法
JPH05335622A (ja) * 1992-05-27 1993-12-17 Asahi Chem Ind Co Ltd 半導体発光装置
JP3181171B2 (ja) * 1994-05-20 2001-07-03 シャープ株式会社 気相成長装置および気相成長方法
JPH08321504A (ja) * 1995-05-24 1996-12-03 Ulvac Japan Ltd 窒化物用mocvd装置
JPH1053500A (ja) * 1996-08-02 1998-02-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 成膜装置及び成膜方法
JP3355475B2 (ja) * 1997-10-02 2002-12-09 株式会社ジャパンエナジー 基板の温度分布測定方法

Also Published As

Publication number Publication date
CA2373170A1 (en) 2000-11-23
WO2000070129A1 (en) 2000-11-23
JP2011168492A (ja) 2011-09-01
JP4790914B2 (ja) 2011-10-12
DE60008241D1 (de) 2004-03-18
DE60008241T2 (de) 2004-07-01
EP1190122B1 (de) 2004-02-11
CA2373170C (en) 2009-09-01
AU4596500A (en) 2000-12-05
JP2002544116A (ja) 2002-12-24
KR20020012216A (ko) 2002-02-15
KR100712241B1 (ko) 2007-04-27
EP1190122A1 (de) 2002-03-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69738020D1 (de) Verfahren und anordnung zur thermischen behandlung eines einkristallinischen plättchens, einkristallinisches plättchen und verfahren zur herstellung eines einkristallinischen plättchens
DE69625852T2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Kontrollieren des Wachsens eines Siliciumkristalles
DE69511995T2 (de) Verfahren zum züchten von galliumnitridhalbleiterkristallen und vorrichtung
DE60009434D1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines bearbeiteten Produktes aus organischem Material
DE69006672T2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Dampfphasenauftragung eines Werkstoffs auf ein Substrat.
DE60238863D1 (de) Vorrichtung und verfahren zur fermentation in hohen zelldichten
DE69403434D1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Kultivieren von Pflanzen auf einem Förderband
DE69623837T2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Einkristallzüchtung
ATE259432T1 (de) Verfahren und vorrichtung zum epitaktischem wachsen eines materials auf einem substrat
DE69103119D1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Steuerung der Züchtung eines Kegelförmigen Teiles eines Einkristalles.
DE59901083D1 (de) VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG MINDESTENS EINES SiC-EINKRISTALLS
DE59900493D1 (de) SUBSTRATHALTERUNG FÜR SiC-EPITAXIE UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES EINSATZES FÜR EINEN SUSZEPTOR
DE69713664D1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einkristallines Siliziumkarbids (SiC) auf einem Keimkristall
ATE306825T1 (de) Vorrichtung und verfahren zum schälen von schälgut
DE59709100D1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur thermischen Behandlung von Flugstäuben aus Rostverbrennungsanlagen
DE19882385T1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Zuführen von einkristallinem Material
ATE290617T1 (de) Verfahren und vorrichtung zur abscheidung von materialien mit grosser elektronischer bandlücke und grosser bindungsenergie
DE29711593U1 (de) Vorrichtung zur thermischen Behandlung eines Rohmaterials
DE60002579D1 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung von bohrern
DE69738617D1 (de) Verfahren zur epitaktischen Wachstum von zwillingsfreien, (111)-orientierten II-VI Legierungsfilmen auf Silizium-Substraten
DE69901830T2 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Kristallzüchtung
DE69604948T2 (de) Verfahren zur Züchtung einkristalliner Silizium aus der Dampfphase
DE69535263D1 (de) Angiotensin ii zur verbesserung der befruchtung
DE69022437D1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur epitaktischen Abscheidung.
DE59708759D1 (de) Verfahren zum Verteilen des Guts über die Breite eines Förder-rosts und Schubrost zur Durchführung dieses Verfahrens

Legal Events

Date Code Title Description
RER Ceased as to paragraph 5 lit. 3 law introducing patent treaties