JPH0936062A - Pt合金電極形成用組成物、Pt合金電極及びPt合金電極パターン - Google Patents

Pt合金電極形成用組成物、Pt合金電極及びPt合金電極パターン

Info

Publication number
JPH0936062A
JPH0936062A JP7181777A JP18177795A JPH0936062A JP H0936062 A JPH0936062 A JP H0936062A JP 7181777 A JP7181777 A JP 7181777A JP 18177795 A JP18177795 A JP 18177795A JP H0936062 A JPH0936062 A JP H0936062A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
alloy electrode
compound
complex
substrate
alloy
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP7181777A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroto Uchida
寛人 内田
Atsushi Sai
篤 齋
Masamitsu Sato
正光 佐藤
Katsumi Ogi
勝実 小木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Materials Corp filed Critical Mitsubishi Materials Corp
Priority to JP7181777A priority Critical patent/JPH0936062A/ja
Publication of JPH0936062A publication Critical patent/JPH0936062A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【解決手段】 金属−炭素のδ又はπ結合を有するPt
化合物と、同Ru化合物及び/又はIr化合物と有機溶
剤とを含むPt合金電極形成用組成物。この組成物を基
体に塗布して熱処理して形成したPt合金電極。この組
成物を基体に塗布し、放射線でパターン露光後現像して
熱処理して形成したPt合金電極パターン。 【効果】 保存安定性、塗布性に優れる上に、易分解性
であるため、比較的低温の熱処理により低抵抗かつ平滑
で基板への密着性が高いPt合金電極を容易に形成する
ことができる。また、放射線照射により容易にPtとR
u及び/又はIrを析出させるため、放射線照射による
露光後、現像して熱処理することにより、基板上にPt
合金電極パターンを容易に形成することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、強誘電体メモリに
代表される誘電体デバイスの電極用として有用なPt合
金電極形成用組成物、並びに、この組成物を用いて形成
したPt合金電極及びPt合金電極パターンに関する。
【0002】
【従来の技術】従来、誘電体素子用の電極としての誘電
体膜の誘電特性の向上に、スパッタ法により形成された
Pt−Ru合金膜が有効であることが、第42回応用物
理学関係連合講演会(28p−D−5、1995)にお
いて報告されている。
【0003】また、スパッタ法により形成されたPt−
Ir合金膜を、PZT薄膜の電極に用いると、リーク特
性に優れる誘電体膜が形成されることも第42回応用物
理学関係連合講演会(30p−D−18、1995)に
おいて報告されている。
【0004】このようにPt単独組成の膜よりも、Pt
−Ru、Pt−Ir等のPt合金薄膜を使用することに
より、誘電体膜の誘電特性が向上することは既に知られ
ている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来に
おいて、Pt合金膜の回路パターンを作成するために
は、真空蒸着法、スパッタ法等によりPt合金膜を成膜
後、ECRプラズマ、イオンミリング等のドライエッチ
ングによるパターニングが必要であり、電極パターン形
成の工程が煩雑にならざるを得なかった。
【0006】一方、Pt合金膜形成用の組成物として
は、Ptの有機酸塩又はチオレート化合物を用いたMO
(Metallo-Organics)ペーストが用いられているが、従来
のMOペーストでは、焼成温度500℃〜800℃とい
った高温焼成が必要であるため、300℃以下の低温で
の成膜が要求されるポリイミド等の樹脂材料上へのPt
合金の成膜、GaAs、InP、GaN等の化合物半導
体材料を用いたプロセスへの適用が困難であり、適用範
囲が狭いという欠点があった。
【0007】このようなことから、真空蒸着法、スパッ
タ法等によりPt合金薄膜を形成後、ECRプラズマ等
のドライエッチングを行うという煩雑な作業により、P
t合金回路パターンが形成されているのが現状である。
【0008】Pt合金薄膜を形成するに際して、有機P
t化合物と有機Ru化合物及び/又は有機Ir化合物を
含む組成物の塗布液を基体上にスピンコート、スプレー
コート、ディップコート、スクリーン印刷等により塗布
後、比較的低温で熱処理することにより平滑で低抵抗な
Pt合金薄膜を作製することができるならば、Pt合金
薄膜の成膜工程は著しく簡略化される。
【0009】また、この組成物が、光、レーザー、電子
線、X線等の放射線照射により容易に分解してPtとR
u及び/又はIrとを析出させることが可能であれば、
これら放射線により露光した後に、露光されてない部分
を溶剤で洗浄除去し、その後熱処理することにより、基
板上にPt合金薄膜のパターンを容易に形成することが
可能となる。即ち、この場合には、レーザーのスキャニ
ングによる直接描写やマスクパターンの転写により、エ
ッチングの難しいPt合金薄膜の回路パターンを直接基
板上に形成することが可能となり、高集積化した誘電体
薄膜素子の製造プロセスの作業工程を大幅に短縮するこ
とが可能となる。
【0010】本発明は上記従来の実情に鑑みてなされた
ものであって、比較的低温の熱処理により低抵抗かつ平
滑なPt合金薄膜を容易に形成することができ、また、
放射線照射による露光後、現像して熱処理することによ
り、基板上にPt合金薄膜又は部分酸化Pt合金薄膜の
パターンを容易に形成することが可能なPt合金電極形
成用組成物、並びに、この組成物より形成したPt合金
電極及びPt合金電極パターンを提供することを目的と
する。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明のPt合金電極形
成用組成物は、金属−炭素のδ又はπ結合を有するPt
化合物と、金属−炭素のδ又はπ結合を有するRu化合
物及び/又は金属−炭素のδ又はπ結合を有するIr化
合物と、有機溶剤とを含むことを特徴とする。
【0012】金属−炭素のδ又はπ結合を有するPt化
合物,Ru化合物及びIr化合物は、Pt合金電極形成
用の塗布材料として用いた場合、保存熱安定性、塗布性
に優れ、しかも、従来用いられている有機酸塩やチオレ
ート化合物に比べて活性が高く、分解され易いため、1
50〜500℃の水素還元雰囲気での熱処理、或いは、
150〜700℃の酸化雰囲気での熱処理という比較的
低温の熱処理により、低抵抗かつ平滑なPt合金電極又
は部分酸化Pt合金電極を形成することができる。
【0013】また、金属−炭素のδ又はπ結合を有する
Pt化合物、Ru化合物及びIr化合物は、光、レーザ
ー、電子線、X線等の放射線照射により容易に金属−炭
素結合が解離してPt,Ru,Irを析出させることが
可能なため、これら放射線により露光した後に、露光さ
れてない部分を溶剤で洗浄除去し、その後熱処理するこ
とにより、基板上にPt合金電極又は部分酸化Pt合金
電極のパターンを容易に形成することができる。
【0014】本発明による特に優れた効果は、基板への
密着性、平滑性及び誘電体膜の電極として用いた際の誘
電体膜のリーク特性、誘電率等の点で、従来のスパッタ
法により形成したPt合金膜よりも優れていることにあ
る。即ち、本発明のPt合金電極上に、ゾルゲル法、M
OD法、スパッタ法、CVD法等により、PZT、BS
T、BIT、SrBi2 Ta29 等の誘電体膜を形成
した場合、その誘電率特性、リーク特性等は著しく良好
なものとなることが確認された。
【0015】本発明のPt合金電極形成用組成物におい
ては、Pt化合物が、Pt(II)アルキル錯体、Pt(II)
π−アリル錯体及びPt(IV)アルキル錯体よりなる群か
ら選ばれる1種又は2種以上であり、Ru化合物が、R
u(0) カルボニル錯体、Ru(II)シクロペンタジエニル
錯体及びRu(0) シクロオクタトリエン錯体よりなる群
から選ばれる1種又は2種以上であり、Ir化合物が、
Ir(I) シクロペンタジエニル錯体であることが好まし
い。
【0016】本発明のPt合金電極は、このような本発
明の組成物を基体上に塗布後、還元雰囲気又は酸化雰囲
気で熱処理することにより基板上に形成したものであ
る。
【0017】本発明のPt合金電極パターンは、本発明
の組成物を基体上に塗布後、放射線によりパターン露光
した後、露光されていない部分を溶剤で洗浄除去し、次
いで、還元雰囲気又は酸化雰囲気で熱処理することによ
り基板上に形成したものである。
【0018】
【発明の実施の形態】以下に本発明を詳細に説明する。
【0019】本発明において、金属−炭素のδ又はπ結
合を有するPt化合物としては、具体的には、下記(1)
〜(3) のPt錯体が挙げられる。
【0020】
【化1】
【0021】また、金属−炭素のδ又はπ結合を有する
Ru化合物としては、具体的には、下記(4) 〜(6) のR
u錯体が挙げられる。
【0022】
【化2】
【0023】また、金属−炭素のδ又はπ結合を有する
Ir化合物としては、具体的には、下記(7) のIr錯体
が挙げられる。
【0024】
【化3】
【0025】これらのPt錯体,Ru錯体及びIr錯体
は、従来公知の文献記載の方法に従って合成することが
できる。
【0026】本発明においては、これらのPt錯体、R
u錯体、Ir錯体は各々1種単独で用いても、2種以上
併用しても良い。
【0027】本発明の誘電体素子用Pt合金電極形成用
組成物は、これらのPt錯体と、Ru錯体及び/又はI
r錯体とを、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチ
ル等の酢酸エステル類、イソプロパノール(IPA)、
ブタノール、エタノールアミン等のアルコール類、エチ
レングリコール、ジオキサン等のエーテル類、N,N,
N’,N’−テトラメチルエチレンジアミン(TMED
A)等のアミン類、その他、トルエン等の有機溶剤に、
合計の金属換算含有量で0.1〜30重量%程度の濃度
に溶解することにより、容易に調製することができる。
【0028】なお、各金属化合物の含有割合は、形成す
るPt合金電極のPt合金組成に応じて決定されるが、
好ましいPt合金組成は次の通りである。
【0029】 Pt−Ru−Ir合金の場合:Ru 0.1〜20重量%, Ir 0.1〜20重量%,残部Pt Pt−Ru合金の場合 :Ru 0.1〜25重量%,残部Pt Pt−Ir合金の場合 :Ir 0.1〜25重量%,残部Pt 本発明のPt合金電極は、このような本発明のPt合金
電極形成用組成物を、Si,SiO2 ,GaAs,In
P,GaN,Al23 ,AlN,ポリイミド等の基板
上に、スピンコート、スプレーコート、ディップコー
ト、スクリーン印刷等の手法で塗布した後、水素還元雰
囲気中で150〜500℃、好ましくは200〜450
℃で1〜30分程度熱処理することにより容易に形成す
ることができる。
【0030】また、本発明の部分酸化Pt合金電極は、
上記本発明のPt合金電極形成用組成物を、上記と同様
に、基板上に塗布した後、酸化雰囲気中で150〜70
0℃、好ましくは300〜500℃で1〜15分程度熱
処理することにより容易に形成することができる。
【0031】本発明のPt合金電極パターンは、本発明
のPt合金電極形成用組成物を上記と同様にして基板上
に塗布した後、得られた塗膜に対して光、レーザー、電
子線、X線等の放射線を所定のパターンに照射して露光
し、露光されていない塗膜部分を溶剤で洗浄除去して現
像し、次いで、水素還元雰囲気中で、上記Pt合金電極
の形成における熱処理と同様の条件で熱処理することに
より容易に形成することができる。
【0032】また、本発明の部分酸化Pt合金電極パタ
ーンは、本発明のPt合金電極形成用組成物を上記と同
様にして基板上に塗布した後、パターン露光及び現像
し、次いで、酸化雰囲気で、上記部分酸化Pt合金電極
の形成における熱処理と同様の条件で熱処理することに
より容易に形成することができる。
【0033】なお、Pt合金電極パターンの形成に当
り、パターン露光はマスクパターンを用いる露光であっ
ても、レーザー光等を、パターンに沿って走査すること
による露光であっても良い。
【0034】また、露光後の現像には、0.1〜10重
量%の塩酸,硝酸,硫酸,フッ酸等を含む、IPA,ブ
タノール,ジオキサン等の溶液を溶剤として用いること
ができる。
【0035】
【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をよ
り具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限
り、以下の実施例に限定されるものではない。
【0036】なお、実施例及び比較例で用いた各化合物
は次の通りである。
【0037】Me2 Pt(COD):ジメチルPt(II)
シクロオクタジエニル錯体(前記構造式(ii)においてR
1 =R2 =CH3 ) Et2 Pt(COD):ジエチルPt(II)シクロオクタ
ジエニル錯体(前記構造式(ii)においてR1 =R2 =C
25 ) Me2 Pt(TMEDA):ジメチルPt(II)テトラメチルエ
チレンジアミノ錯体(前記構造式(iii) においてR1
2 =CH3 ) Et2 Pt(TMEDA):ジエチルPt(II)テトラメチルエ
チレンジアミノ錯体(前記構造式(iii) においてR1
2 =C25 ) Cp2 Ru:Ru(II)シクロペンタジエニル錯体(前記
構造式(viii)においてR8 =H) Ru3 CO12:炭酸ルテニウム(前記化学式(vii)) C65 CH3 Ru(COD):トルエンRu(0) シクロ
オクタジエニル錯体(前記構造式(x) においてR9
H,R10=CH3 ) C64(CH3)2 Ru(COD):p−キシレンRu(0) シク
ロオクタジエニル錯体(前記構造式(x) においてR9
10=CH3 ) (COD)(COTE) Ru:シクロオクタトリエンRu(0) シク
ロオクタジエニル錯体(前記構造式(ix)) CpIr(COD):シクロペンタンIr(I) シクロオ
クタジエニル錯体(前記構造式(xi)においてR11=R12
=H) CpIr(DMCOD):シクロペンタンIr(I) ジメチルシク
ロオクタジエニル錯体(前記構造式(xi)においてR11
H,R12=CH3 ) CpIr(COT):シクロペンタンIr(I) シクロオ
クタトリエニル錯体(前記構造式(xii) においてR11
H) CpIr(COTE):シクロペンタンIr(I) シクロ
オクタテトラエニル錯体(前記構造式(xiii)においてR
11=H) 実施例1〜18,比較例1,2,4,5 Pt錯体、Ru錯体、Ir錯体を、表1〜3に示す組み
合せで用い、表1に示す溶媒に表1に示す金属濃度で溶
解してPt合金電極形成用組成物を調製した。
【0038】得られたPt合金電極形成用組成物をSi
(110)基板上にスピンコートした後、H2 −Ar
(H2 :Ar=2:8(体積比))雰囲気中で表1〜3
に示す温度で15分焼成した。
【0039】その結果、いずれの場合も平滑なPt合金
電極又は部分酸化Pt合金電極を形成することができ
た。得られたPt合金電極のシート抵抗を測定し、結果
を表1〜3に示した。また、Pt合金電極上にスパッタ
法によりBST又はPZT誘電体膜を形成した後、図1
に示す素子構造とし、リーク電流特性を調べ、結果を表
1〜3に示した。なお、図1において1はSi基板、2
は下部Pt合金電極、3は誘電体膜、4は上部電極であ
る。
【0040】比較例3,6,7 スパッタ法によりSi(111)基板上に基板濃度60
0℃で表1〜3に示す膜組成のPt合金電極を形成し、
そのシート抵抗を測定した。また、実施例1と同様にし
てリーク電流特性を調べた。結果を表1〜3に示す。
【0041】表1〜3より、本発明のPt合金電極はシ
ート抵抗が小さく、しかも、Pt合金電極上に形成した
誘電体膜のリーク特性にも優れることが明らかである。
【0042】
【表1】
【0043】
【表2】
【0044】
【表3】
【0045】実施例19〜36 実施例1〜18において、熱処理の雰囲気をO2 雰囲気
とし、熱処理条件を表4に示す温度及び時間としたこと
以外は同様にして、電極表面にRuO2 及び/又はIr
23 が析出した部分酸化Pt合金電極を形成し、同様
にシート抵抗及びリーク電流を測定し結果を表4に示し
た。
【0046】
【表4】
【0047】実施例37 実施例1〜36において、各々、Pt合金電極形成用組
成物を基板に塗布した後、塗膜にマスクパターンを通し
たXeCl(308nm,30Hz,1mJ)を照射し
てPt合金を析出させた後、露光していない部分を10
重量%塩酸IPA溶液で除去後、熱処理したこと以外は
各々同様に行ったところ、いずれの場合も良好なPt−
Ru合金電極パターン、Pt−Ir合金電極パターン、
又はPt−Ru−Ir合金電極パターン、或いは、表面
にRuO2 及び/又はIr23が析出した部分酸化P
t−Ru合金電極パターン、Pt−Ir合金電極パター
ン、又はPt−Ru−Ir合金電極パターンを形成する
ことができた。
【0048】実施例38 実施例37において、マスクパターンを通したXeCl
光による露光の代りに、Arイオンレーザー光(CW出
力10W,515nm)をスキャニングして露光したこ
と以外は各々同様に行ったところ、いずれの場合も良好
なPt−Ru合金電極パターン、Pt−Ir合金電極パ
ターン、又はPt−Ru−Ir合金電極パターン、或い
は、表面にRuO2 及び/又はIr23 が析出した部
分酸化Pt−Ru合金電極パターン、Pt−Ir合金電
極パターン、又はPt−Ru−Ir合金電極パターンを
形成することができた。
【0049】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明のPt合金電
極形成用組成物は、保存安定性、塗布性に優れる上に、
易分解性であるため、比較的低温の熱処理により低抵抗
かつ平滑で基板への密着性が高いPt合金電極又は部分
酸化Pt合金電極を容易に形成することができる。ま
た、放射線照射により容易にPtとRu及び/又はIr
を析出させるため、放射線照射による露光後、現像して
熱処理することにより、基板上にPt合金電極又は部分
酸化Pt合金電極のパターンを容易に形成することがで
きる。
【0050】このような本発明のPt合金電極形成用組
成物により形成されるPt合金電極又は部分酸化Pt合
金電極は、表面平滑で低抵抗である上に、この上に形成
される誘電膜の誘電率特性やリーク特性の向上にも有効
であることから、各種電極材料として極めて有用であ
る。
【0051】本発明のPt合金電極パターン又は部分酸
化Pt合金電極パターンによれば、レーザーのスキャニ
ングによる直接描写やマスクパターンの転写により、エ
ッチングの難しいPt合金の回路パターンを直接基板上
に、所望のパターン形状に精度良く、容易かつ効率的に
形成することができ、高集積化した誘電体薄膜素子の製
造プロセスの作業工程を短縮することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例及び比較例において、誘電体膜のリーク
電流の測定のために作製した素子を示す断面図である。
【符号の説明】
1 Si基板 2 下部Pt合金電極 3 誘電体膜 4 上部Pt合金電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/8242 H01L 41/08 L 41/09 (72)発明者 小木 勝実 埼玉県大宮市北袋町1丁目297番地 三菱 マテリアル株式会社総合研究所内

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 金属−炭素のδ又はπ結合を有するPt
    化合物と、金属−炭素のδ又はπ結合を有するRu化合
    物及び/又は金属−炭素のδ又はπ結合を有するIr化
    合物と、有機溶剤とを含むことを特徴とするPt合金電
    極形成用組成物。
  2. 【請求項2】 請求項1において、Pt化合物が、Pt
    (II)アルキル錯体、Pt(II)π−アリル錯体及びPt(I
    V)アルキル錯体よりなる群から選ばれる1種又は2種以
    上であり、 Ru化合物が、Ru(0) カルボニル錯体、Ru(II)シク
    ロペンタジエニル錯体及びRu(0) シクロオクタトリエ
    ン錯体よりなる群から選ばれる1種又は2種以上であ
    り、 Ir化合物が、Ir(I) シクロペンタジエニル錯体であ
    ることを特徴とするPt合金電極形成用組成物。
  3. 【請求項3】 請求項1又は2に記載の組成物を基体上
    に塗布後、還元雰囲気で熱処理することにより基板上に
    形成したPt合金電極。
  4. 【請求項4】 請求項1又は2に記載の組成物を基体上
    に塗布後、酸化雰囲気で熱処理することにより基板上に
    形成したPt合金電極。
  5. 【請求項5】 請求項1又は2に記載の組成物を基体上
    に塗布後、放射線によりパターン露光した後、露光され
    ていない部分を溶剤で洗浄除去し、次いで、還元雰囲気
    で熱処理することにより基板上に形成したPt合金電極
    パターン。
  6. 【請求項6】 請求項1又は2に記載の組成物を基体上
    に塗布後、放射線によりパターン露光した後、露光され
    ていない部分を溶剤で洗浄除去し、次いで、酸化雰囲気
    で熱処理することにより基板上に形成したPt合金電極
    パターン。
JP7181777A 1995-07-18 1995-07-18 Pt合金電極形成用組成物、Pt合金電極及びPt合金電極パターン Withdrawn JPH0936062A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7181777A JPH0936062A (ja) 1995-07-18 1995-07-18 Pt合金電極形成用組成物、Pt合金電極及びPt合金電極パターン

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7181777A JPH0936062A (ja) 1995-07-18 1995-07-18 Pt合金電極形成用組成物、Pt合金電極及びPt合金電極パターン

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0936062A true JPH0936062A (ja) 1997-02-07

Family

ID=16106706

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7181777A Withdrawn JPH0936062A (ja) 1995-07-18 1995-07-18 Pt合金電極形成用組成物、Pt合金電極及びPt合金電極パターン

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0936062A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11163271A (ja) * 1997-11-28 1999-06-18 Rohm Co Ltd キャパシタの製法
WO2000022658A1 (fr) * 1998-10-14 2000-04-20 Hitachi, Ltd. Dispositif semi-conducteur et son procede de fabrication
JP2002524872A (ja) * 1998-09-03 2002-08-06 マイクロン テクノロジー,インコーポレイティド 拡散バリアー層及びその製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11163271A (ja) * 1997-11-28 1999-06-18 Rohm Co Ltd キャパシタの製法
JP2002524872A (ja) * 1998-09-03 2002-08-06 マイクロン テクノロジー,インコーポレイティド 拡散バリアー層及びその製造方法
WO2000022658A1 (fr) * 1998-10-14 2000-04-20 Hitachi, Ltd. Dispositif semi-conducteur et son procede de fabrication

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100294583B1 (ko) 전극패턴형성용 조성물
US5178989A (en) Pattern forming and transferring processes
US7067346B2 (en) Titanium carboxylate films for use in semiconductor processing
JPS60262150A (ja) 三層レジスト用中間層材料及びそれを用いた三層レジストパタン形成方法
JP2004512672A (ja) 電子材料製造法
JPH02244507A (ja) インジウムすず酸化物薄層のエッチング方法及び透明電気導電パターンの形成方法
KR20220088013A (ko) 반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
EP0052787B1 (en) Etchant composition and application thereof
US20030064323A1 (en) Method for forming a pattern and method of manufacturing semiconductor device
JPS62502757A (ja) パタ−ン化されたアルミニウム層を有するデバイスの製造方法
TWI769312B (zh) 抗蝕劑圖案形成方法及基板的處理方法
JP2926622B2 (ja) パターン形成方法
JPH0936062A (ja) Pt合金電極形成用組成物、Pt合金電極及びPt合金電極パターン
JPH10251519A (ja) 珪素組成物、これを用いたパターン形成方法、および電子部品の製造方法
US20030209747A1 (en) Dielectric element and method for fabricating the same
JPH1020488A (ja) Pb非含有金属酸化物薄膜パターンの形成方法
JPH08176177A (ja) Pt膜形成用組成物、並びに、この組成物より形成したPt膜及びPt膜パターン
JPH08277473A (ja) Ir膜又は酸化Ir膜形成用組成物、並びに、この組成物より形成したIr膜、酸化Ir膜、Ir膜パターン及び酸化Ir膜パターン
JPH0314172B2 (ja)
JPH05265210A (ja) レジスト組成物及びそれを用いるパターン形成方法
JP4675450B2 (ja) 薄膜パターンの形成方法
JP2937380B2 (ja) 配線形成方法およびその装置
JPH09162161A (ja) 金属パターンの製造方法
JP3280074B2 (ja) X線マスク製造方法
JP3387034B2 (ja) 金属膜の表面処理プロセスおよび半導体メタライゼーションの製造プロセス

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20021001