JPH0936062A - Ｐｔ合金電極形成用組成物、Ｐｔ合金電極及びＰｔ合金電極パターン - Google Patents
Ｐｔ合金電極形成用組成物、Ｐｔ合金電極及びＰｔ合金電極パターンInfo
- Publication number
- JPH0936062A JPH0936062A JP7181777A JP18177795A JPH0936062A JP H0936062 A JPH0936062 A JP H0936062A JP 7181777 A JP7181777 A JP 7181777A JP 18177795 A JP18177795 A JP 18177795A JP H0936062 A JPH0936062 A JP H0936062A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alloy electrode
- compound
- complex
- substrate
- alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 83
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title claims abstract description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 7
- 125000000058 cyclopentadienyl group Chemical group C1(=CC=CC1)* 0.000 claims abstract description 7
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N endo-cyclopentadiene Natural products C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 5
- ICPMUWPXCAVOOQ-UHFFFAOYSA-N cycloocta-1,3,5-triene Chemical compound C1CC=CC=CC=C1 ICPMUWPXCAVOOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 claims abstract description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 8
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 24
- -1 organic acid salt Chemical class 0.000 description 14
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 12
- RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N Cyclopentane Chemical compound C1CCCC1 RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 229910000575 Ir alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910002835 Pt–Ir Inorganic materials 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910002848 Pt–Ru Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N heptamethylene Natural products C1CCCCCC1 DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N N,N,N',N'-tetramethylethylenediamine Chemical compound CN(C)CCN(C)C KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910000929 Ru alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004177 diethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010073306 Exposure to radiation Diseases 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 125000001945 cyclooctatrienyl group Chemical group C1(=CC=CC=CCC1)* 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 150000002168 ethanoic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N isopropanol acetate Natural products CC(C)OC(C)=O JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940011051 isopropyl acetate Drugs 0.000 description 1
- GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-N isovaleric acid Chemical compound CC(C)CC(O)=O GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- JJKUOVDAMCXQFK-UHFFFAOYSA-H ruthenium(3+);tricarbonate Chemical compound [Ru+3].[Ru+3].[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O JJKUOVDAMCXQFK-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 金属−炭素のδ又はπ結合を有するＰｔ
化合物と、同Ｒｕ化合物及び／又はＩｒ化合物と有機溶
剤とを含むＰｔ合金電極形成用組成物。この組成物を基
体に塗布して熱処理して形成したＰｔ合金電極。この組
成物を基体に塗布し、放射線でパターン露光後現像して
熱処理して形成したＰｔ合金電極パターン。 【効果】 保存安定性、塗布性に優れる上に、易分解性
であるため、比較的低温の熱処理により低抵抗かつ平滑
で基板への密着性が高いＰｔ合金電極を容易に形成する
ことができる。また、放射線照射により容易にＰｔとＲ
ｕ及び／又はＩｒを析出させるため、放射線照射による
露光後、現像して熱処理することにより、基板上にＰｔ
合金電極パターンを容易に形成することができる。
化合物と、同Ｒｕ化合物及び／又はＩｒ化合物と有機溶
剤とを含むＰｔ合金電極形成用組成物。この組成物を基
体に塗布して熱処理して形成したＰｔ合金電極。この組
成物を基体に塗布し、放射線でパターン露光後現像して
熱処理して形成したＰｔ合金電極パターン。 【効果】 保存安定性、塗布性に優れる上に、易分解性
であるため、比較的低温の熱処理により低抵抗かつ平滑
で基板への密着性が高いＰｔ合金電極を容易に形成する
ことができる。また、放射線照射により容易にＰｔとＲ
ｕ及び／又はＩｒを析出させるため、放射線照射による
露光後、現像して熱処理することにより、基板上にＰｔ
合金電極パターンを容易に形成することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、強誘電体メモリに
代表される誘電体デバイスの電極用として有用なＰｔ合
金電極形成用組成物、並びに、この組成物を用いて形成
したＰｔ合金電極及びＰｔ合金電極パターンに関する。
代表される誘電体デバイスの電極用として有用なＰｔ合
金電極形成用組成物、並びに、この組成物を用いて形成
したＰｔ合金電極及びＰｔ合金電極パターンに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、誘電体素子用の電極としての誘電
体膜の誘電特性の向上に、スパッタ法により形成された
Ｐｔ−Ｒｕ合金膜が有効であることが、第４２回応用物
理学関係連合講演会（２８ｐ−Ｄ−５、１９９５）にお
いて報告されている。
体膜の誘電特性の向上に、スパッタ法により形成された
Ｐｔ−Ｒｕ合金膜が有効であることが、第４２回応用物
理学関係連合講演会（２８ｐ−Ｄ−５、１９９５）にお
いて報告されている。
【０００３】また、スパッタ法により形成されたＰｔ−
Ｉｒ合金膜を、ＰＺＴ薄膜の電極に用いると、リーク特
性に優れる誘電体膜が形成されることも第４２回応用物
理学関係連合講演会（３０ｐ−Ｄ−１８、１９９５）に
おいて報告されている。
Ｉｒ合金膜を、ＰＺＴ薄膜の電極に用いると、リーク特
性に優れる誘電体膜が形成されることも第４２回応用物
理学関係連合講演会（３０ｐ−Ｄ−１８、１９９５）に
おいて報告されている。
【０００４】このようにＰｔ単独組成の膜よりも、Ｐｔ
−Ｒｕ、Ｐｔ−Ｉｒ等のＰｔ合金薄膜を使用することに
より、誘電体膜の誘電特性が向上することは既に知られ
ている。
−Ｒｕ、Ｐｔ−Ｉｒ等のＰｔ合金薄膜を使用することに
より、誘電体膜の誘電特性が向上することは既に知られ
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来に
おいて、Ｐｔ合金膜の回路パターンを作成するために
は、真空蒸着法、スパッタ法等によりＰｔ合金膜を成膜
後、ＥＣＲプラズマ、イオンミリング等のドライエッチ
ングによるパターニングが必要であり、電極パターン形
成の工程が煩雑にならざるを得なかった。
おいて、Ｐｔ合金膜の回路パターンを作成するために
は、真空蒸着法、スパッタ法等によりＰｔ合金膜を成膜
後、ＥＣＲプラズマ、イオンミリング等のドライエッチ
ングによるパターニングが必要であり、電極パターン形
成の工程が煩雑にならざるを得なかった。
【０００６】一方、Ｐｔ合金膜形成用の組成物として
は、Ｐｔの有機酸塩又はチオレート化合物を用いたＭＯ
(Metallo-Organics)ペーストが用いられているが、従来
のＭＯペーストでは、焼成温度５００℃〜８００℃とい
った高温焼成が必要であるため、３００℃以下の低温で
の成膜が要求されるポリイミド等の樹脂材料上へのＰｔ
合金の成膜、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＮ等の化合物半導
体材料を用いたプロセスへの適用が困難であり、適用範
囲が狭いという欠点があった。
は、Ｐｔの有機酸塩又はチオレート化合物を用いたＭＯ
(Metallo-Organics)ペーストが用いられているが、従来
のＭＯペーストでは、焼成温度５００℃〜８００℃とい
った高温焼成が必要であるため、３００℃以下の低温で
の成膜が要求されるポリイミド等の樹脂材料上へのＰｔ
合金の成膜、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＮ等の化合物半導
体材料を用いたプロセスへの適用が困難であり、適用範
囲が狭いという欠点があった。
【０００７】このようなことから、真空蒸着法、スパッ
タ法等によりＰｔ合金薄膜を形成後、ＥＣＲプラズマ等
のドライエッチングを行うという煩雑な作業により、Ｐ
ｔ合金回路パターンが形成されているのが現状である。
タ法等によりＰｔ合金薄膜を形成後、ＥＣＲプラズマ等
のドライエッチングを行うという煩雑な作業により、Ｐ
ｔ合金回路パターンが形成されているのが現状である。
【０００８】Ｐｔ合金薄膜を形成するに際して、有機Ｐ
ｔ化合物と有機Ｒｕ化合物及び／又は有機Ｉｒ化合物を
含む組成物の塗布液を基体上にスピンコート、スプレー
コート、ディップコート、スクリーン印刷等により塗布
後、比較的低温で熱処理することにより平滑で低抵抗な
Ｐｔ合金薄膜を作製することができるならば、Ｐｔ合金
薄膜の成膜工程は著しく簡略化される。
ｔ化合物と有機Ｒｕ化合物及び／又は有機Ｉｒ化合物を
含む組成物の塗布液を基体上にスピンコート、スプレー
コート、ディップコート、スクリーン印刷等により塗布
後、比較的低温で熱処理することにより平滑で低抵抗な
Ｐｔ合金薄膜を作製することができるならば、Ｐｔ合金
薄膜の成膜工程は著しく簡略化される。
【０００９】また、この組成物が、光、レーザー、電子
線、Ｘ線等の放射線照射により容易に分解してＰｔとＲ
ｕ及び／又はＩｒとを析出させることが可能であれば、
これら放射線により露光した後に、露光されてない部分
を溶剤で洗浄除去し、その後熱処理することにより、基
板上にＰｔ合金薄膜のパターンを容易に形成することが
可能となる。即ち、この場合には、レーザーのスキャニ
ングによる直接描写やマスクパターンの転写により、エ
ッチングの難しいＰｔ合金薄膜の回路パターンを直接基
板上に形成することが可能となり、高集積化した誘電体
薄膜素子の製造プロセスの作業工程を大幅に短縮するこ
とが可能となる。
線、Ｘ線等の放射線照射により容易に分解してＰｔとＲ
ｕ及び／又はＩｒとを析出させることが可能であれば、
これら放射線により露光した後に、露光されてない部分
を溶剤で洗浄除去し、その後熱処理することにより、基
板上にＰｔ合金薄膜のパターンを容易に形成することが
可能となる。即ち、この場合には、レーザーのスキャニ
ングによる直接描写やマスクパターンの転写により、エ
ッチングの難しいＰｔ合金薄膜の回路パターンを直接基
板上に形成することが可能となり、高集積化した誘電体
薄膜素子の製造プロセスの作業工程を大幅に短縮するこ
とが可能となる。
【００１０】本発明は上記従来の実情に鑑みてなされた
ものであって、比較的低温の熱処理により低抵抗かつ平
滑なＰｔ合金薄膜を容易に形成することができ、また、
放射線照射による露光後、現像して熱処理することによ
り、基板上にＰｔ合金薄膜又は部分酸化Ｐｔ合金薄膜の
パターンを容易に形成することが可能なＰｔ合金電極形
成用組成物、並びに、この組成物より形成したＰｔ合金
電極及びＰｔ合金電極パターンを提供することを目的と
する。
ものであって、比較的低温の熱処理により低抵抗かつ平
滑なＰｔ合金薄膜を容易に形成することができ、また、
放射線照射による露光後、現像して熱処理することによ
り、基板上にＰｔ合金薄膜又は部分酸化Ｐｔ合金薄膜の
パターンを容易に形成することが可能なＰｔ合金電極形
成用組成物、並びに、この組成物より形成したＰｔ合金
電極及びＰｔ合金電極パターンを提供することを目的と
する。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明のＰｔ合金電極形
成用組成物は、金属−炭素のδ又はπ結合を有するＰｔ
化合物と、金属−炭素のδ又はπ結合を有するＲｕ化合
物及び／又は金属−炭素のδ又はπ結合を有するＩｒ化
合物と、有機溶剤とを含むことを特徴とする。
成用組成物は、金属−炭素のδ又はπ結合を有するＰｔ
化合物と、金属−炭素のδ又はπ結合を有するＲｕ化合
物及び／又は金属−炭素のδ又はπ結合を有するＩｒ化
合物と、有機溶剤とを含むことを特徴とする。
【００１２】金属−炭素のδ又はπ結合を有するＰｔ化
合物，Ｒｕ化合物及びＩｒ化合物は、Ｐｔ合金電極形成
用の塗布材料として用いた場合、保存熱安定性、塗布性
に優れ、しかも、従来用いられている有機酸塩やチオレ
ート化合物に比べて活性が高く、分解され易いため、１
５０〜５００℃の水素還元雰囲気での熱処理、或いは、
１５０〜７００℃の酸化雰囲気での熱処理という比較的
低温の熱処理により、低抵抗かつ平滑なＰｔ合金電極又
は部分酸化Ｐｔ合金電極を形成することができる。
合物，Ｒｕ化合物及びＩｒ化合物は、Ｐｔ合金電極形成
用の塗布材料として用いた場合、保存熱安定性、塗布性
に優れ、しかも、従来用いられている有機酸塩やチオレ
ート化合物に比べて活性が高く、分解され易いため、１
５０〜５００℃の水素還元雰囲気での熱処理、或いは、
１５０〜７００℃の酸化雰囲気での熱処理という比較的
低温の熱処理により、低抵抗かつ平滑なＰｔ合金電極又
は部分酸化Ｐｔ合金電極を形成することができる。
【００１３】また、金属−炭素のδ又はπ結合を有する
Ｐｔ化合物、Ｒｕ化合物及びＩｒ化合物は、光、レーザ
ー、電子線、Ｘ線等の放射線照射により容易に金属−炭
素結合が解離してＰｔ，Ｒｕ，Ｉｒを析出させることが
可能なため、これら放射線により露光した後に、露光さ
れてない部分を溶剤で洗浄除去し、その後熱処理するこ
とにより、基板上にＰｔ合金電極又は部分酸化Ｐｔ合金
電極のパターンを容易に形成することができる。
Ｐｔ化合物、Ｒｕ化合物及びＩｒ化合物は、光、レーザ
ー、電子線、Ｘ線等の放射線照射により容易に金属−炭
素結合が解離してＰｔ，Ｒｕ，Ｉｒを析出させることが
可能なため、これら放射線により露光した後に、露光さ
れてない部分を溶剤で洗浄除去し、その後熱処理するこ
とにより、基板上にＰｔ合金電極又は部分酸化Ｐｔ合金
電極のパターンを容易に形成することができる。
【００１４】本発明による特に優れた効果は、基板への
密着性、平滑性及び誘電体膜の電極として用いた際の誘
電体膜のリーク特性、誘電率等の点で、従来のスパッタ
法により形成したＰｔ合金膜よりも優れていることにあ
る。即ち、本発明のＰｔ合金電極上に、ゾルゲル法、Ｍ
ＯＤ法、スパッタ法、ＣＶＤ法等により、ＰＺＴ、ＢＳ
Ｔ、ＢＩＴ、ＳｒＢｉ2 Ｔａ2 Ｏ9 等の誘電体膜を形成
した場合、その誘電率特性、リーク特性等は著しく良好
なものとなることが確認された。
密着性、平滑性及び誘電体膜の電極として用いた際の誘
電体膜のリーク特性、誘電率等の点で、従来のスパッタ
法により形成したＰｔ合金膜よりも優れていることにあ
る。即ち、本発明のＰｔ合金電極上に、ゾルゲル法、Ｍ
ＯＤ法、スパッタ法、ＣＶＤ法等により、ＰＺＴ、ＢＳ
Ｔ、ＢＩＴ、ＳｒＢｉ2 Ｔａ2 Ｏ9 等の誘電体膜を形成
した場合、その誘電率特性、リーク特性等は著しく良好
なものとなることが確認された。
【００１５】本発明のＰｔ合金電極形成用組成物におい
ては、Ｐｔ化合物が、Ｐｔ(II)アルキル錯体、Ｐｔ(II)
π−アリル錯体及びＰｔ(IV)アルキル錯体よりなる群か
ら選ばれる１種又は２種以上であり、Ｒｕ化合物が、Ｒ
ｕ(0) カルボニル錯体、Ｒｕ(II)シクロペンタジエニル
錯体及びＲｕ(0) シクロオクタトリエン錯体よりなる群
から選ばれる１種又は２種以上であり、Ｉｒ化合物が、
Ｉｒ(I) シクロペンタジエニル錯体であることが好まし
い。
ては、Ｐｔ化合物が、Ｐｔ(II)アルキル錯体、Ｐｔ(II)
π−アリル錯体及びＰｔ(IV)アルキル錯体よりなる群か
ら選ばれる１種又は２種以上であり、Ｒｕ化合物が、Ｒ
ｕ(0) カルボニル錯体、Ｒｕ(II)シクロペンタジエニル
錯体及びＲｕ(0) シクロオクタトリエン錯体よりなる群
から選ばれる１種又は２種以上であり、Ｉｒ化合物が、
Ｉｒ(I) シクロペンタジエニル錯体であることが好まし
い。
【００１６】本発明のＰｔ合金電極は、このような本発
明の組成物を基体上に塗布後、還元雰囲気又は酸化雰囲
気で熱処理することにより基板上に形成したものであ
る。
明の組成物を基体上に塗布後、還元雰囲気又は酸化雰囲
気で熱処理することにより基板上に形成したものであ
る。
【００１７】本発明のＰｔ合金電極パターンは、本発明
の組成物を基体上に塗布後、放射線によりパターン露光
した後、露光されていない部分を溶剤で洗浄除去し、次
いで、還元雰囲気又は酸化雰囲気で熱処理することによ
り基板上に形成したものである。
の組成物を基体上に塗布後、放射線によりパターン露光
した後、露光されていない部分を溶剤で洗浄除去し、次
いで、還元雰囲気又は酸化雰囲気で熱処理することによ
り基板上に形成したものである。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下に本発明を詳細に説明する。
【００１９】本発明において、金属−炭素のδ又はπ結
合を有するＰｔ化合物としては、具体的には、下記(1)
〜(3) のＰｔ錯体が挙げられる。
合を有するＰｔ化合物としては、具体的には、下記(1)
〜(3) のＰｔ錯体が挙げられる。
【００２０】
【化１】
【００２１】また、金属−炭素のδ又はπ結合を有する
Ｒｕ化合物としては、具体的には、下記(4) 〜(6) のＲ
ｕ錯体が挙げられる。
Ｒｕ化合物としては、具体的には、下記(4) 〜(6) のＲ
ｕ錯体が挙げられる。
【００２２】
【化２】
【００２３】また、金属−炭素のδ又はπ結合を有する
Ｉｒ化合物としては、具体的には、下記(7) のＩｒ錯体
が挙げられる。
Ｉｒ化合物としては、具体的には、下記(7) のＩｒ錯体
が挙げられる。
【００２４】
【化３】
【００２５】これらのＰｔ錯体，Ｒｕ錯体及びＩｒ錯体
は、従来公知の文献記載の方法に従って合成することが
できる。
は、従来公知の文献記載の方法に従って合成することが
できる。
【００２６】本発明においては、これらのＰｔ錯体、Ｒ
ｕ錯体、Ｉｒ錯体は各々１種単独で用いても、２種以上
併用しても良い。
ｕ錯体、Ｉｒ錯体は各々１種単独で用いても、２種以上
併用しても良い。
【００２７】本発明の誘電体素子用Ｐｔ合金電極形成用
組成物は、これらのＰｔ錯体と、Ｒｕ錯体及び／又はＩ
ｒ錯体とを、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチ
ル等の酢酸エステル類、イソプロパノール（ＩＰＡ）、
ブタノール、エタノールアミン等のアルコール類、エチ
レングリコール、ジオキサン等のエーテル類、Ｎ，Ｎ，
Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン（ＴＭＥＤ
Ａ）等のアミン類、その他、トルエン等の有機溶剤に、
合計の金属換算含有量で０．１〜３０重量％程度の濃度
に溶解することにより、容易に調製することができる。
組成物は、これらのＰｔ錯体と、Ｒｕ錯体及び／又はＩ
ｒ錯体とを、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチ
ル等の酢酸エステル類、イソプロパノール（ＩＰＡ）、
ブタノール、エタノールアミン等のアルコール類、エチ
レングリコール、ジオキサン等のエーテル類、Ｎ，Ｎ，
Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン（ＴＭＥＤ
Ａ）等のアミン類、その他、トルエン等の有機溶剤に、
合計の金属換算含有量で０．１〜３０重量％程度の濃度
に溶解することにより、容易に調製することができる。
【００２８】なお、各金属化合物の含有割合は、形成す
るＰｔ合金電極のＰｔ合金組成に応じて決定されるが、
好ましいＰｔ合金組成は次の通りである。
るＰｔ合金電極のＰｔ合金組成に応じて決定されるが、
好ましいＰｔ合金組成は次の通りである。
【００２９】 Ｐｔ−Ｒｕ−Ｉｒ合金の場合：Ｒｕ ０．１〜２０重量％， Ｉｒ ０．１〜２０重量％，残部Ｐｔ Ｐｔ−Ｒｕ合金の場合 ：Ｒｕ ０．１〜２５重量％，残部Ｐｔ Ｐｔ−Ｉｒ合金の場合 ：Ｉｒ ０．１〜２５重量％，残部Ｐｔ 本発明のＰｔ合金電極は、このような本発明のＰｔ合金
電極形成用組成物を、Ｓｉ，ＳｉＯ2 ，ＧａＡｓ，Ｉｎ
Ｐ，ＧａＮ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＡｌＮ，ポリイミド等の基板
上に、スピンコート、スプレーコート、ディップコー
ト、スクリーン印刷等の手法で塗布した後、水素還元雰
囲気中で１５０〜５００℃、好ましくは２００〜４５０
℃で１〜３０分程度熱処理することにより容易に形成す
ることができる。
電極形成用組成物を、Ｓｉ，ＳｉＯ2 ，ＧａＡｓ，Ｉｎ
Ｐ，ＧａＮ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＡｌＮ，ポリイミド等の基板
上に、スピンコート、スプレーコート、ディップコー
ト、スクリーン印刷等の手法で塗布した後、水素還元雰
囲気中で１５０〜５００℃、好ましくは２００〜４５０
℃で１〜３０分程度熱処理することにより容易に形成す
ることができる。
【００３０】また、本発明の部分酸化Ｐｔ合金電極は、
上記本発明のＰｔ合金電極形成用組成物を、上記と同様
に、基板上に塗布した後、酸化雰囲気中で１５０〜７０
０℃、好ましくは３００〜５００℃で１〜１５分程度熱
処理することにより容易に形成することができる。
上記本発明のＰｔ合金電極形成用組成物を、上記と同様
に、基板上に塗布した後、酸化雰囲気中で１５０〜７０
０℃、好ましくは３００〜５００℃で１〜１５分程度熱
処理することにより容易に形成することができる。
【００３１】本発明のＰｔ合金電極パターンは、本発明
のＰｔ合金電極形成用組成物を上記と同様にして基板上
に塗布した後、得られた塗膜に対して光、レーザー、電
子線、Ｘ線等の放射線を所定のパターンに照射して露光
し、露光されていない塗膜部分を溶剤で洗浄除去して現
像し、次いで、水素還元雰囲気中で、上記Ｐｔ合金電極
の形成における熱処理と同様の条件で熱処理することに
より容易に形成することができる。
のＰｔ合金電極形成用組成物を上記と同様にして基板上
に塗布した後、得られた塗膜に対して光、レーザー、電
子線、Ｘ線等の放射線を所定のパターンに照射して露光
し、露光されていない塗膜部分を溶剤で洗浄除去して現
像し、次いで、水素還元雰囲気中で、上記Ｐｔ合金電極
の形成における熱処理と同様の条件で熱処理することに
より容易に形成することができる。
【００３２】また、本発明の部分酸化Ｐｔ合金電極パタ
ーンは、本発明のＰｔ合金電極形成用組成物を上記と同
様にして基板上に塗布した後、パターン露光及び現像
し、次いで、酸化雰囲気で、上記部分酸化Ｐｔ合金電極
の形成における熱処理と同様の条件で熱処理することに
より容易に形成することができる。
ーンは、本発明のＰｔ合金電極形成用組成物を上記と同
様にして基板上に塗布した後、パターン露光及び現像
し、次いで、酸化雰囲気で、上記部分酸化Ｐｔ合金電極
の形成における熱処理と同様の条件で熱処理することに
より容易に形成することができる。
【００３３】なお、Ｐｔ合金電極パターンの形成に当
り、パターン露光はマスクパターンを用いる露光であっ
ても、レーザー光等を、パターンに沿って走査すること
による露光であっても良い。
り、パターン露光はマスクパターンを用いる露光であっ
ても、レーザー光等を、パターンに沿って走査すること
による露光であっても良い。
【００３４】また、露光後の現像には、０．１〜１０重
量％の塩酸，硝酸，硫酸，フッ酸等を含む、ＩＰＡ，ブ
タノール，ジオキサン等の溶液を溶剤として用いること
ができる。
量％の塩酸，硝酸，硫酸，フッ酸等を含む、ＩＰＡ，ブ
タノール，ジオキサン等の溶液を溶剤として用いること
ができる。
【００３５】
【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をよ
り具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限
り、以下の実施例に限定されるものではない。
り具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限
り、以下の実施例に限定されるものではない。
【００３６】なお、実施例及び比較例で用いた各化合物
は次の通りである。
は次の通りである。
【００３７】Ｍｅ2 Ｐｔ（ＣＯＤ）：ジメチルＰｔ(II)
シクロオクタジエニル錯体（前記構造式(ii)においてＲ
1 ＝Ｒ2 ＝ＣＨ3 ） Ｅｔ2 Ｐｔ（ＣＯＤ）：ジエチルＰｔ(II)シクロオクタ
ジエニル錯体（前記構造式(ii)においてＲ1 ＝Ｒ2 ＝Ｃ
2 Ｈ5 ） Ｍｅ2 Ｐｔ(TMEDA）：ジメチルＰｔ(II)テトラメチルエ
チレンジアミノ錯体（前記構造式(iii) においてＲ1 ＝
Ｒ2 ＝ＣＨ3 ） Ｅｔ2 Ｐｔ(TMEDA）：ジエチルＰｔ(II)テトラメチルエ
チレンジアミノ錯体（前記構造式(iii) においてＲ1 ＝
Ｒ2 ＝Ｃ2 Ｈ5 ） Ｃｐ2 Ｒｕ：Ｒｕ(II)シクロペンタジエニル錯体（前記
構造式(viii)においてＲ8 ＝Ｈ） Ｒｕ3 ＣＯ12：炭酸ルテニウム（前記化学式(vii)) Ｃ6 Ｈ5 ＣＨ3 Ｒｕ（ＣＯＤ):トルエンＲｕ(0) シクロ
オクタジエニル錯体（前記構造式(x) においてＲ9 ＝
Ｈ，Ｒ10＝ＣＨ3 ） Ｃ6 Ｈ4(ＣＨ3)2 Ｒｕ(COD):ｐ−キシレンＲｕ(0) シク
ロオクタジエニル錯体（前記構造式(x) においてＲ9 ＝
Ｒ10＝ＣＨ3 ） (COD)(COTE) Ｒｕ：シクロオクタトリエンＲｕ(0) シク
ロオクタジエニル錯体（前記構造式(ix)） ＣｐＩｒ（ＣＯＤ）：シクロペンタンＩｒ(I) シクロオ
クタジエニル錯体（前記構造式(xi)においてＲ11＝Ｒ12
＝Ｈ） ＣｐＩｒ(DMCOD):シクロペンタンＩｒ(I) ジメチルシク
ロオクタジエニル錯体（前記構造式(xi)においてＲ11＝
Ｈ，Ｒ12＝ＣＨ3 ） ＣｐＩｒ（ＣＯＴ）：シクロペンタンＩｒ(I) シクロオ
クタトリエニル錯体（前記構造式(xii) においてＲ11＝
Ｈ） ＣｐＩｒ（ＣＯＴＥ）：シクロペンタンＩｒ(I) シクロ
オクタテトラエニル錯体（前記構造式(xiii)においてＲ
11＝Ｈ） 実施例１〜１８，比較例１，２，４，５ Ｐｔ錯体、Ｒｕ錯体、Ｉｒ錯体を、表１〜３に示す組み
合せで用い、表１に示す溶媒に表１に示す金属濃度で溶
解してＰｔ合金電極形成用組成物を調製した。
シクロオクタジエニル錯体（前記構造式(ii)においてＲ
1 ＝Ｒ2 ＝ＣＨ3 ） Ｅｔ2 Ｐｔ（ＣＯＤ）：ジエチルＰｔ(II)シクロオクタ
ジエニル錯体（前記構造式(ii)においてＲ1 ＝Ｒ2 ＝Ｃ
2 Ｈ5 ） Ｍｅ2 Ｐｔ(TMEDA）：ジメチルＰｔ(II)テトラメチルエ
チレンジアミノ錯体（前記構造式(iii) においてＲ1 ＝
Ｒ2 ＝ＣＨ3 ） Ｅｔ2 Ｐｔ(TMEDA）：ジエチルＰｔ(II)テトラメチルエ
チレンジアミノ錯体（前記構造式(iii) においてＲ1 ＝
Ｒ2 ＝Ｃ2 Ｈ5 ） Ｃｐ2 Ｒｕ：Ｒｕ(II)シクロペンタジエニル錯体（前記
構造式(viii)においてＲ8 ＝Ｈ） Ｒｕ3 ＣＯ12：炭酸ルテニウム（前記化学式(vii)) Ｃ6 Ｈ5 ＣＨ3 Ｒｕ（ＣＯＤ):トルエンＲｕ(0) シクロ
オクタジエニル錯体（前記構造式(x) においてＲ9 ＝
Ｈ，Ｒ10＝ＣＨ3 ） Ｃ6 Ｈ4(ＣＨ3)2 Ｒｕ(COD):ｐ−キシレンＲｕ(0) シク
ロオクタジエニル錯体（前記構造式(x) においてＲ9 ＝
Ｒ10＝ＣＨ3 ） (COD)(COTE) Ｒｕ：シクロオクタトリエンＲｕ(0) シク
ロオクタジエニル錯体（前記構造式(ix)） ＣｐＩｒ（ＣＯＤ）：シクロペンタンＩｒ(I) シクロオ
クタジエニル錯体（前記構造式(xi)においてＲ11＝Ｒ12
＝Ｈ） ＣｐＩｒ(DMCOD):シクロペンタンＩｒ(I) ジメチルシク
ロオクタジエニル錯体（前記構造式(xi)においてＲ11＝
Ｈ，Ｒ12＝ＣＨ3 ） ＣｐＩｒ（ＣＯＴ）：シクロペンタンＩｒ(I) シクロオ
クタトリエニル錯体（前記構造式(xii) においてＲ11＝
Ｈ） ＣｐＩｒ（ＣＯＴＥ）：シクロペンタンＩｒ(I) シクロ
オクタテトラエニル錯体（前記構造式(xiii)においてＲ
11＝Ｈ） 実施例１〜１８，比較例１，２，４，５ Ｐｔ錯体、Ｒｕ錯体、Ｉｒ錯体を、表１〜３に示す組み
合せで用い、表１に示す溶媒に表１に示す金属濃度で溶
解してＰｔ合金電極形成用組成物を調製した。
【００３８】得られたＰｔ合金電極形成用組成物をＳｉ
（１１０）基板上にスピンコートした後、Ｈ2 −Ａｒ
（Ｈ2 ：Ａｒ＝２：８（体積比））雰囲気中で表１〜３
に示す温度で１５分焼成した。
（１１０）基板上にスピンコートした後、Ｈ2 −Ａｒ
（Ｈ2 ：Ａｒ＝２：８（体積比））雰囲気中で表１〜３
に示す温度で１５分焼成した。
【００３９】その結果、いずれの場合も平滑なＰｔ合金
電極又は部分酸化Ｐｔ合金電極を形成することができ
た。得られたＰｔ合金電極のシート抵抗を測定し、結果
を表１〜３に示した。また、Ｐｔ合金電極上にスパッタ
法によりＢＳＴ又はＰＺＴ誘電体膜を形成した後、図１
に示す素子構造とし、リーク電流特性を調べ、結果を表
１〜３に示した。なお、図１において１はＳｉ基板、２
は下部Ｐｔ合金電極、３は誘電体膜、４は上部電極であ
る。
電極又は部分酸化Ｐｔ合金電極を形成することができ
た。得られたＰｔ合金電極のシート抵抗を測定し、結果
を表１〜３に示した。また、Ｐｔ合金電極上にスパッタ
法によりＢＳＴ又はＰＺＴ誘電体膜を形成した後、図１
に示す素子構造とし、リーク電流特性を調べ、結果を表
１〜３に示した。なお、図１において１はＳｉ基板、２
は下部Ｐｔ合金電極、３は誘電体膜、４は上部電極であ
る。
【００４０】比較例３，６，７ スパッタ法によりＳｉ（１１１）基板上に基板濃度６０
０℃で表１〜３に示す膜組成のＰｔ合金電極を形成し、
そのシート抵抗を測定した。また、実施例１と同様にし
てリーク電流特性を調べた。結果を表１〜３に示す。
０℃で表１〜３に示す膜組成のＰｔ合金電極を形成し、
そのシート抵抗を測定した。また、実施例１と同様にし
てリーク電流特性を調べた。結果を表１〜３に示す。
【００４１】表１〜３より、本発明のＰｔ合金電極はシ
ート抵抗が小さく、しかも、Ｐｔ合金電極上に形成した
誘電体膜のリーク特性にも優れることが明らかである。
ート抵抗が小さく、しかも、Ｐｔ合金電極上に形成した
誘電体膜のリーク特性にも優れることが明らかである。
【００４２】
【表１】
【００４３】
【表２】
【００４４】
【表３】
【００４５】実施例１９〜３６ 実施例１〜１８において、熱処理の雰囲気をＯ2 雰囲気
とし、熱処理条件を表４に示す温度及び時間としたこと
以外は同様にして、電極表面にＲｕＯ2 及び／又はＩｒ
2 Ｏ3 が析出した部分酸化Ｐｔ合金電極を形成し、同様
にシート抵抗及びリーク電流を測定し結果を表４に示し
た。
とし、熱処理条件を表４に示す温度及び時間としたこと
以外は同様にして、電極表面にＲｕＯ2 及び／又はＩｒ
2 Ｏ3 が析出した部分酸化Ｐｔ合金電極を形成し、同様
にシート抵抗及びリーク電流を測定し結果を表４に示し
た。
【００４６】
【表４】
【００４７】実施例３７ 実施例１〜３６において、各々、Ｐｔ合金電極形成用組
成物を基板に塗布した後、塗膜にマスクパターンを通し
たＸｅＣｌ（３０８ｎｍ，３０Ｈｚ，１ｍＪ）を照射し
てＰｔ合金を析出させた後、露光していない部分を１０
重量％塩酸ＩＰＡ溶液で除去後、熱処理したこと以外は
各々同様に行ったところ、いずれの場合も良好なＰｔ−
Ｒｕ合金電極パターン、Ｐｔ−Ｉｒ合金電極パターン、
又はＰｔ−Ｒｕ−Ｉｒ合金電極パターン、或いは、表面
にＲｕＯ2 及び／又はＩｒ2 Ｏ3が析出した部分酸化Ｐ
ｔ−Ｒｕ合金電極パターン、Ｐｔ−Ｉｒ合金電極パター
ン、又はＰｔ−Ｒｕ−Ｉｒ合金電極パターンを形成する
ことができた。
成物を基板に塗布した後、塗膜にマスクパターンを通し
たＸｅＣｌ（３０８ｎｍ，３０Ｈｚ，１ｍＪ）を照射し
てＰｔ合金を析出させた後、露光していない部分を１０
重量％塩酸ＩＰＡ溶液で除去後、熱処理したこと以外は
各々同様に行ったところ、いずれの場合も良好なＰｔ−
Ｒｕ合金電極パターン、Ｐｔ−Ｉｒ合金電極パターン、
又はＰｔ−Ｒｕ−Ｉｒ合金電極パターン、或いは、表面
にＲｕＯ2 及び／又はＩｒ2 Ｏ3が析出した部分酸化Ｐ
ｔ−Ｒｕ合金電極パターン、Ｐｔ−Ｉｒ合金電極パター
ン、又はＰｔ−Ｒｕ−Ｉｒ合金電極パターンを形成する
ことができた。
【００４８】実施例３８ 実施例３７において、マスクパターンを通したＸｅＣｌ
光による露光の代りに、Ａｒイオンレーザー光（ＣＷ出
力１０Ｗ，５１５ｎｍ）をスキャニングして露光したこ
と以外は各々同様に行ったところ、いずれの場合も良好
なＰｔ−Ｒｕ合金電極パターン、Ｐｔ−Ｉｒ合金電極パ
ターン、又はＰｔ−Ｒｕ−Ｉｒ合金電極パターン、或い
は、表面にＲｕＯ2 及び／又はＩｒ2 Ｏ3 が析出した部
分酸化Ｐｔ−Ｒｕ合金電極パターン、Ｐｔ−Ｉｒ合金電
極パターン、又はＰｔ−Ｒｕ−Ｉｒ合金電極パターンを
形成することができた。
光による露光の代りに、Ａｒイオンレーザー光（ＣＷ出
力１０Ｗ，５１５ｎｍ）をスキャニングして露光したこ
と以外は各々同様に行ったところ、いずれの場合も良好
なＰｔ−Ｒｕ合金電極パターン、Ｐｔ−Ｉｒ合金電極パ
ターン、又はＰｔ−Ｒｕ−Ｉｒ合金電極パターン、或い
は、表面にＲｕＯ2 及び／又はＩｒ2 Ｏ3 が析出した部
分酸化Ｐｔ−Ｒｕ合金電極パターン、Ｐｔ−Ｉｒ合金電
極パターン、又はＰｔ−Ｒｕ−Ｉｒ合金電極パターンを
形成することができた。
【００４９】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明のＰｔ合金電
極形成用組成物は、保存安定性、塗布性に優れる上に、
易分解性であるため、比較的低温の熱処理により低抵抗
かつ平滑で基板への密着性が高いＰｔ合金電極又は部分
酸化Ｐｔ合金電極を容易に形成することができる。ま
た、放射線照射により容易にＰｔとＲｕ及び／又はＩｒ
を析出させるため、放射線照射による露光後、現像して
熱処理することにより、基板上にＰｔ合金電極又は部分
酸化Ｐｔ合金電極のパターンを容易に形成することがで
きる。
極形成用組成物は、保存安定性、塗布性に優れる上に、
易分解性であるため、比較的低温の熱処理により低抵抗
かつ平滑で基板への密着性が高いＰｔ合金電極又は部分
酸化Ｐｔ合金電極を容易に形成することができる。ま
た、放射線照射により容易にＰｔとＲｕ及び／又はＩｒ
を析出させるため、放射線照射による露光後、現像して
熱処理することにより、基板上にＰｔ合金電極又は部分
酸化Ｐｔ合金電極のパターンを容易に形成することがで
きる。
【００５０】このような本発明のＰｔ合金電極形成用組
成物により形成されるＰｔ合金電極又は部分酸化Ｐｔ合
金電極は、表面平滑で低抵抗である上に、この上に形成
される誘電膜の誘電率特性やリーク特性の向上にも有効
であることから、各種電極材料として極めて有用であ
る。
成物により形成されるＰｔ合金電極又は部分酸化Ｐｔ合
金電極は、表面平滑で低抵抗である上に、この上に形成
される誘電膜の誘電率特性やリーク特性の向上にも有効
であることから、各種電極材料として極めて有用であ
る。
【００５１】本発明のＰｔ合金電極パターン又は部分酸
化Ｐｔ合金電極パターンによれば、レーザーのスキャニ
ングによる直接描写やマスクパターンの転写により、エ
ッチングの難しいＰｔ合金の回路パターンを直接基板上
に、所望のパターン形状に精度良く、容易かつ効率的に
形成することができ、高集積化した誘電体薄膜素子の製
造プロセスの作業工程を短縮することが可能となる。
化Ｐｔ合金電極パターンによれば、レーザーのスキャニ
ングによる直接描写やマスクパターンの転写により、エ
ッチングの難しいＰｔ合金の回路パターンを直接基板上
に、所望のパターン形状に精度良く、容易かつ効率的に
形成することができ、高集積化した誘電体薄膜素子の製
造プロセスの作業工程を短縮することが可能となる。
【図１】実施例及び比較例において、誘電体膜のリーク
電流の測定のために作製した素子を示す断面図である。
電流の測定のために作製した素子を示す断面図である。
１ Ｓｉ基板 ２ 下部Ｐｔ合金電極 ３ 誘電体膜 ４ 上部Ｐｔ合金電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/8242 Ｈ０１Ｌ 41/08 Ｌ 41/09 (72)発明者 小木 勝実 埼玉県大宮市北袋町１丁目297番地 三菱 マテリアル株式会社総合研究所内
Claims (6)
- 【請求項１】 金属−炭素のδ又はπ結合を有するＰｔ
化合物と、金属−炭素のδ又はπ結合を有するＲｕ化合
物及び／又は金属−炭素のδ又はπ結合を有するＩｒ化
合物と、有機溶剤とを含むことを特徴とするＰｔ合金電
極形成用組成物。 - 【請求項２】 請求項１において、Ｐｔ化合物が、Ｐｔ
(II)アルキル錯体、Ｐｔ(II)π−アリル錯体及びＰｔ(I
V)アルキル錯体よりなる群から選ばれる１種又は２種以
上であり、 Ｒｕ化合物が、Ｒｕ(0) カルボニル錯体、Ｒｕ(II)シク
ロペンタジエニル錯体及びＲｕ(0) シクロオクタトリエ
ン錯体よりなる群から選ばれる１種又は２種以上であ
り、 Ｉｒ化合物が、Ｉｒ(I) シクロペンタジエニル錯体であ
ることを特徴とするＰｔ合金電極形成用組成物。 - 【請求項３】 請求項１又は２に記載の組成物を基体上
に塗布後、還元雰囲気で熱処理することにより基板上に
形成したＰｔ合金電極。 - 【請求項４】 請求項１又は２に記載の組成物を基体上
に塗布後、酸化雰囲気で熱処理することにより基板上に
形成したＰｔ合金電極。 - 【請求項５】 請求項１又は２に記載の組成物を基体上
に塗布後、放射線によりパターン露光した後、露光され
ていない部分を溶剤で洗浄除去し、次いで、還元雰囲気
で熱処理することにより基板上に形成したＰｔ合金電極
パターン。 - 【請求項６】 請求項１又は２に記載の組成物を基体上
に塗布後、放射線によりパターン露光した後、露光され
ていない部分を溶剤で洗浄除去し、次いで、酸化雰囲気
で熱処理することにより基板上に形成したＰｔ合金電極
パターン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7181777A JPH0936062A (ja) | 1995-07-18 | 1995-07-18 | Ｐｔ合金電極形成用組成物、Ｐｔ合金電極及びＰｔ合金電極パターン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7181777A JPH0936062A (ja) | 1995-07-18 | 1995-07-18 | Ｐｔ合金電極形成用組成物、Ｐｔ合金電極及びＰｔ合金電極パターン |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0936062A true JPH0936062A (ja) | 1997-02-07 |
Family
ID=16106706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7181777A Withdrawn JPH0936062A (ja) | 1995-07-18 | 1995-07-18 | Ｐｔ合金電極形成用組成物、Ｐｔ合金電極及びＰｔ合金電極パターン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0936062A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11163271A (ja) * | 1997-11-28 | 1999-06-18 | Rohm Co Ltd | キャパシタの製法 |
| WO2000022658A1 (fr) * | 1998-10-14 | 2000-04-20 | Hitachi, Ltd. | Dispositif semi-conducteur et son procede de fabrication |
| JP2002524872A (ja) * | 1998-09-03 | 2002-08-06 | マイクロン テクノロジー，インコーポレイティド | 拡散バリアー層及びその製造方法 |
-
1995
- 1995-07-18 JP JP7181777A patent/JPH0936062A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11163271A (ja) * | 1997-11-28 | 1999-06-18 | Rohm Co Ltd | キャパシタの製法 |
| JP2002524872A (ja) * | 1998-09-03 | 2002-08-06 | マイクロン テクノロジー，インコーポレイティド | 拡散バリアー層及びその製造方法 |
| WO2000022658A1 (fr) * | 1998-10-14 | 2000-04-20 | Hitachi, Ltd. | Dispositif semi-conducteur et son procede de fabrication |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100294583B1 (ko) | 전극패턴형성용 조성물 | |
| US5178989A (en) | Pattern forming and transferring processes | |
| US7067346B2 (en) | Titanium carboxylate films for use in semiconductor processing | |
| JPS60262150A (ja) | 三層レジスト用中間層材料及びそれを用いた三層レジストパタン形成方法 | |
| JP2004512672A (ja) | 電子材料製造法 | |
| JPH02244507A (ja) | インジウムすず酸化物薄層のエッチング方法及び透明電気導電パターンの形成方法 | |
| KR20220088013A (ko) | 반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 | |
| EP0052787B1 (en) | Etchant composition and application thereof | |
| US20030064323A1 (en) | Method for forming a pattern and method of manufacturing semiconductor device | |
| JPS62502757A (ja) | パタ−ン化されたアルミニウム層を有するデバイスの製造方法 | |
| TWI769312B (zh) | 抗蝕劑圖案形成方法及基板的處理方法 | |
| JP2926622B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH0936062A (ja) | Ｐｔ合金電極形成用組成物、Ｐｔ合金電極及びＰｔ合金電極パターン | |
| JPH10251519A (ja) | 珪素組成物、これを用いたパターン形成方法、および電子部品の製造方法 | |
| US20030209747A1 (en) | Dielectric element and method for fabricating the same | |
| JPH1020488A (ja) | Ｐｂ非含有金属酸化物薄膜パターンの形成方法 | |
| JPH08176177A (ja) | Ｐｔ膜形成用組成物、並びに、この組成物より形成したＰｔ膜及びＰｔ膜パターン | |
| JPH08277473A (ja) | Ｉｒ膜又は酸化Ｉｒ膜形成用組成物、並びに、この組成物より形成したＩｒ膜、酸化Ｉｒ膜、Ｉｒ膜パターン及び酸化Ｉｒ膜パターン | |
| JPH0314172B2 (ja) | ||
| JPH05265210A (ja) | レジスト組成物及びそれを用いるパターン形成方法 | |
| JP4675450B2 (ja) | 薄膜パターンの形成方法 | |
| JP2937380B2 (ja) | 配線形成方法およびその装置 | |
| JPH09162161A (ja) | 金属パターンの製造方法 | |
| JP3280074B2 (ja) | Ｘ線マスク製造方法 | |
| JP3387034B2 (ja) | 金属膜の表面処理プロセスおよび半導体メタライゼーションの製造プロセス |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20021001 |