JP2000311992A5 - - Google Patents
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Description
【書類名】 明細書
【発明の名称】 不揮発性半導体記憶装置
【特許請求の範囲】
【請求項1】 半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された素子分離領域と、
前記半導体基板上に形成されたメモリセル部および周辺回路部と
を備えた不揮発性半導体記憶装置において、
前記周辺回路部を構成する、第一の長さを持つ第1のゲート電極部および前記第1のゲート電極部の両側に設けられた拡散層を有する第1のトランジスタと、
前記メモリセル部を構成する、前記第一の長さよりも短い第二の長さを持つ第2のゲート電極部および前記第2のゲート電極部の両側に設けられた拡散層を有する第2のトランジスタと、
前記メモリセル部に形成された前記拡散層に接続されたコンタクトプラグと、
前記第2のトランジスタを覆い、前記第1のトランジスタは覆わないように形成された第1の絶縁膜と
を具備し、
前記第1の絶縁膜はシリコン酸化膜とは異なる、シリコン酸化膜よりも酸化種を通し難い性質を有する材料からなるとともに、前記コンタクトプラグの形成時に前記素子分離領域がエッチングされるのを防止するエッチングストッパとなることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項2】 前記第2のゲート電極部は、
前記半導体基板上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられた浮遊ゲートと、
前記浮遊ゲート上に設けられたゲート間絶縁膜と、
前記ゲート間絶縁膜上に設けられた、タングステンシリサイド膜を含む制御ゲートと
からなる積層ゲート構造を有することを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項3】 半導体基板と、
前記半導体基板上に形成されたメモリセル部および周辺回路部と
を具備し、
前記メモリセル部に形成された、データの書き込み消去が可能なメモリセルトランジスタと、
前記周辺回路部に形成された周辺回路トランジスタと
を備えた不揮発性半導体記憶装置であって、
前記メモリセルトランジスタおよび前記周辺回路トランジスタの側面および上面が、シリコンと窒素とを主要構成元素とする絶縁膜によってそれぞれ覆われるとともに、その絶縁膜の表面には酸化膜が形成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項4】 半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された素子分離領域と、
前記半導体基板上に形成されたメモリセル部と、
前記メモリセル部に形成された、データの書き込み消去が可能なメモリセルトランジスタと、
前記メモリセル部に形成された拡散層と、
前記拡散層に接続されたコンタクトプラグと、
前記コンタクトプラグを形成する際の、前記素子分離領域に対するエッチングストッパ絶縁膜と
を備えた不揮発性半導体記憶装置であって、
前記メモリセルトランジスタは前記エッチングストッパ絶縁膜によって覆われ、
前記エッチングストッパ絶縁膜は、シリコンと窒素とを主要構成元素とする絶縁膜であり、
前記エッチングストッパ絶縁膜の表面には酸化膜が形成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項5】 前記エッチングストッパ絶縁膜の膜厚が50nm以下であることを特徴とする請求項4に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項6】 前記エッチングストッパ絶縁膜の表面に形成された前記酸化膜は、その厚さが1nm以上、10nm以下であることを特徴とする請求項4に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項7】 前記エッチングストッパ絶縁膜中の水素濃度が、3×10 21 atom/cm 3 以下であることを特徴とする請求項4に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項8】 前記エッチングストッパ絶縁膜中の水素濃度は、前記絶縁膜とその絶縁膜の表面に形成された前記酸化膜との界面で小さく、界面から離れるにしたがって次第に濃くなる濃度勾配を持つことを特徴とする請求項4に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項9】 半導体基板と、
前記半導体基板上に形成されたメモリセル部および周辺回路部と
を具備し、
前記メモリセル部に形成された、データの書き込み消去が可能なメモリセルトランジスタと、
前記周辺回路部に形成された周辺回路トランジスタと
を備えた不揮発性半導体記憶装置であって、
前記メモリセルトランジスタおよび前記周辺回路トランジスタの側壁に、シリコンと窒素とを主要構成元素とする絶縁膜が形成されるとともに、その絶縁膜の表面には酸化膜が形成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項10】 前記メモリセル部はさらに選択トランジスタを備え、
前記メモリセルトランジスタの拡散層が、前記選択トランジスタを介して、コンタクトプラグに接続されていることを特徴とする請求項3または9に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項11】 前記絶縁膜の膜厚が50nm以下であることを特徴とする請求項3または9に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項12】 前記絶縁膜の表面に形成された前記酸化膜は、その厚さが1nm以上、10nm以下であることを特徴とする請求項3または9に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項13】 前記絶縁膜中の水素濃度が、3×10 21 atom/cm 3 以下であることを特徴とする請求項3または9に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項14】 前記絶縁膜中の水素濃度は、前記絶縁膜とその絶縁膜の表面に形成された前記酸化膜との界面で小さく、界面から離れるにしたがって次第に濃くなる濃度勾配を持つことを特徴とする請求項3または9に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、不揮発性半導体記憶装置に関するもので、特に、電荷蓄積層としての浮遊ゲート上に制御ゲートが積層された、いわゆるスタックトゲート構造のメモリセル(セルトランジスタ)を有する半導体メモリに用いられるものである。
【0002】
【従来の技術】
周知のように、半導体メモリは、セルトランジスタや周辺トランジスタが同一基板上に配設されてなる構成とされている。その一例として、たとえば、データの書き込み・消去が電気的に行われるEEPROM(Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory)が良く知られている。
【0003】
図10は、EEPROMの1つである、従来の、NAND型EEPROMにおけるセルトランジスタ(含む、選択ゲートトランジスタ)および周辺トランジスタの構成を概略的に示すものである。
【0004】
以下に、NAND型EEPROMにおけるセルトランジスタおよび周辺トランジスタの構成について、その形成プロセスにしたがって説明する。
【0005】
すなわち、図11は、上記した従来のNAND型EEPROMにおける、セルトランジスタおよび周辺トランジスタの形成プロセスを示すもので、まず、たとえば同図(a)に示すように、シリコン基板101の表面にウェル領域および素子分離領域(いずれも図示していない)を形成した後に、上記ウェル領域上にゲート絶縁膜またはトンネル酸化膜となる熱酸化膜102を形成する。
【0006】
そして、メモリセル領域においては、上記熱酸化膜(トンネル酸化膜)102上にスタックトゲート構造のゲート電極部103を、また、その周辺回路領域においては、上記熱酸化膜(ゲート絶縁膜)102上に単一層からなるゲート電極部104を、それぞれ形成する。
【0007】
上記メモリセル領域におけるゲート電極部103は、たとえば、電荷蓄積層としての浮遊ゲート電極103a上に、ゲート間絶縁膜となるONO膜(酸化膜/窒化膜/酸化膜)103bを介して、制御ゲート電極103cが積層されてなる、周知の構成となっている。
【0008】
次いで、たとえば同図(b)に示すように、ゲート電極部103,104の加工ダメージを回復するための後酸化膜105を形成する。
【0009】
次いで、たとえば同図(c)に示すように、それぞれのトランジスタに対し、ソース・ドレイン拡散層を形成するための不純物106を打ち込む。
【0010】
次いで、たとえば同図(d)に示すように、その不純物106をアニールによって活性化させて、チャネル領域側に追い込むことにより、ソース・ドレイン拡散層106’を形成する。
【0011】
続いて、層間絶縁膜107を埋め込んだ後、上記ゲート電極部104につながるコンタクト108や配線109、および、ソース・ドレイン拡散層106’につながるコンタクト110やビット線111などの形成が行われて、図10に示した構成の、セルトランジスタおよび周辺トランジスタが形成される。
【0012】
しかしながら、上記した従来のセルトランジスタおよび周辺トランジスタの場合、不純物106を打ち込んだ後のアニールの条件によって、各ソース・ドレイン拡散層106’の、ゲート電極部103,104とのオーバラップ長が左右される。
【0013】
たとえば、アニールが足らずに、ソース・ドレイン拡散層106’がゲート電極部103,104とオーバラップせず、オフセットになると、その部分が寄生抵抗となって、十分なドレイン電流が得られなくなる。
【0014】
逆に、アニールが過ぎて、ソース・ドレイン拡散層106’がチャネル領域内の深くにまで侵入すると、ショートチャネル効果が顕著になり、ソース・ドレイン間耐圧の低下を招くなど、デバイス特性を劣化させる。
【0015】
一般に、メモリセルは、周辺トランジスタと比較してゲート長が短い。そのため、ショートチャネル効果が効きやすい。つまり、周辺トランジスタにとって十分なだけのアニールをすると、セルトランジスタや選択ゲートトランジスタはパンチスルーを起こす恐れがある。
【0016】
NAND型のEEPROMの場合、そもそも、メモリセルのソース・ドレイン拡散層106’は、直列に配列されたセルの相互を電気的に接続できれば良いので、ゲート電極部103としっかりオーバラップさせる必要はない。すなわち、セルトランジスタおよび選択ゲートトランジスタの特性からは、むしろ、不純物106を打ち込んだ後のアニールは控えめにするべきだといえる。
【0017】
また、ゲート加工後の後酸化量についても、本来、加工ダメージを十分に回復できるだけの後酸化は必要だが、後酸化はバーズビーク量を増加させる。ゲート長が短いメモリセルの場合、後酸化によるバーズビーク量の増加(たとえば、図10のA部参照)は、書き込み・消去特性を劣化させるために好ましいものではない。
【0018】
一方、周辺トランジスタの場合は、ゲート長が比較的長いため、十分に後酸化することが許される(たとえば、図10のB部参照)。
【0019】
このように、NAND型のEEPROMには、ゲート長の異なるトランジスタが存在するが、トランジスタのゲート長に応じて後酸化量や不純物拡散の最適なアニール条件が異なるため、これがプロセスマージンを減少させる一つの大きな要因となっていた。
【0020】
【発明が解決しようとする課題】
上記したように、従来においては、トランジスタのゲート長に応じて後酸化量や不純物拡散の最適なアニール条件が異なるため、これがプロセスマージンを減少させているという問題があった。
【0021】
そこで、この発明は、後酸化量や不純物拡散のためのアニール条件を、トランジスタのゲート長に応じて制御でき、装置の高性能化を図ることが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供することを目的としている。
【0022】
また、この発明の目的は、後酸化量や不純物拡散のためのアニール条件を、トランジスタのゲート長に応じて最適化する場合にも、シリコン窒化膜中の水素濃度を低減でき、トンネル酸化膜中での電子トラップ量を減少させることが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供することにある。
【0023】
【課題を解決するための手段】
本願発明の一態様によれば、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された素子分離領域と、前記半導体基板上に形成されたメモリセル部および周辺回路部とを備えた不揮発性半導体記憶装置において、前記周辺回路部を構成する、第一の長さを持つ第1のゲート電極部および前記第1のゲート電極部の両側に設けられた拡散層を有する第1のトランジスタと、前記メモリセル部を構成する、前記第一の長さよりも短い第二の長さを持つ第2のゲート電極部および前記第2のゲート電極部の両側に設けられた拡散層を有する第2のトランジスタと、前記メモリセル部に形成された前記拡散層に接続されたコンタクトプラグと、前記第2のトランジスタを覆い、前記第1のトランジスタは覆わないように形成された第1の絶縁膜とを具備し、前記第1の絶縁膜はシリコン酸化膜とは異なる、シリコン酸化膜よりも酸化種を通し難い性質を有する材料からなるとともに、前記コンタクトプラグの形成時に前記素子分離領域がエッチングされるのを防止するエッチングストッパとなることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置が提供される。
【0024】
この発明の不揮発性半導体記憶装置によれば、周辺トランジスタの領域のみ選択的に酸化できるようになる。これにより、トランジスタのゲート長が異なる場合にも、それぞれのトランジスタに対する、後酸化量や不純物拡散のためのアニール条件を同時に満たすことが可能となるものである。
【0025】
また、本願発明の一態様によれば、半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたメモリセル部および周辺回路部とを具備し、前記メモリセル部に形成された、データの書き込み消去が可能なメモリセルトランジスタと、前記周辺回路部に形成された周辺回路トランジスタとを備えた不揮発性半導体記憶装置であって、前記メモリセルトランジスタおよび前記周辺回路トランジスタの側面および上面が、シリコンと窒素とを主要構成元素とする絶縁膜によってそれぞれ覆われるとともに、その絶縁膜の表面には酸化膜が形成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置が提供される。
【0026】
また、本願発明の一態様によれば、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された素子分離領域と、前記半導体基板上に形成されたメモリセル部と、前記メモリセル部に形成された、データの書き込み消去が可能なメモリセルトランジスタと、前記メモリセル部に形成された拡散層と、前記拡散層に接続されたコンタクトプラグと、前記コンタクトプラグを形成する際の、前記素子分離領域に対するエッチングストッパ絶縁膜とを備えた不揮発性半導体記憶装置であって、前記メモリセルトランジスタは前記エッチングストッパ絶縁膜によって覆われ、前記エッチングストッパ絶縁膜は、シリコンと窒素とを主要構成元素とする絶縁膜であり、前記エッチングストッパ絶縁膜の表面には酸化膜が形成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置が提供される。
【0027】
さらに、本願発明の一態様によれば、半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたメモリセル部および周辺回路部とを具備し、前記メモリセル部に形成された、データの書き込み消去が可能なメモリセルトランジスタと、前記周辺回路部に形成された周辺回路トランジスタとを備えた不揮発性半導体記憶装置であって、前記メモリセルトランジスタおよび前記周辺回路トランジスタの側壁に、シリコンと窒素とを主要構成元素とする絶縁膜が形成されるとともに、その絶縁膜の表面には酸化膜が形成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置が提供される。
【0028】
この発明の不揮発性半導体記憶装置によれば、シリコン窒化膜中の水素によるトンネル酸化膜への影響を減少できるようになる。これにより、トンネル酸化膜の信頼性が劣化するのを防ぐことが可能となるものである。
【0029】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【0030】
(第一の実施形態)
図1は、本発明の第一の実施形態にかかる不揮発性半導体記憶装置の概略構成を、NAND型EEPROMを例に示すものである。
【0031】
すなわち、NAND型EEPROMは、たとえば、同一のシリコン基板11上に、メモリセル領域(セルアレイ)12と、コア回路部を含む周辺回路領域13とを有して構成されている。
【0032】
上記メモリセル領域12には、たとえば図2に示すように、上記シリコン基板11の表面に、それぞれ、アイランド状のウェル領域12aおよびストライプ状の素子分離領域12bが形成されている。ウェル領域12aはカラム方向に設けられ、各ウェル領域12aの間に、それぞれ、素子分離領域12bが設けられている。
【0033】
また、上記ウェル領域12aの一部にはソース拡散層21aが、上記ウェル領域12aの別の一部にはドレイン拡散層21bが形成されている。そして、ソース拡散層21aとドレイン拡散層21bの間には、たとえば、18個のトランジスタ(第2のトランジスタ)が直列に接続されて設けられている。
【0034】
この場合、18個のトランジスタのうち、上記ソース拡散層21aにつながる選択ゲートトランジスタSGSおよび上記ドレイン拡散層21bにつながる選択ゲートトランジスタSGDを除く、残りの16個のトランジスタ(WL0〜WL15)STによって、セルユニットとしてのNAND型メモリセルが構成されている。
【0035】
各セルトランジスタSTは、たとえば図1に示すように、熱酸化膜(トンネル酸化膜)31、浮遊ゲート電極(電荷蓄積層)32、ゲート間絶縁膜(ONO膜など)33、制御ゲート電極(WL0〜WL15)34、および、ソース・ドレイン拡散層21から構成されている。
【0036】
この場合、浮遊ゲート電極32上に、ゲート間絶縁膜33を介して、制御ゲート電極34が積層されて、後述する周辺トランジスタのゲート電極部(第1のゲート電極部)のゲート長よりも短い、第2のゲート長からなるスタックトゲート構造のゲート電極部(第2のゲート電極部)35が形成されている。
【0037】
ドレイン拡散層21bに接続された選択ゲートトランジスタSGDは、上記したセルトランジスタSTのソース・ドレイン拡散層21の一方がドレイン拡散層21bとなっている以外は、各セルトランジスタSTと同様の構成となっている(ソース拡散層21aに接続された選択ゲートトランジスタSGSの場合は、ソース・ドレイン拡散層21の一方がソース拡散層21aとなっている)。
【0038】
なお、ソース・ドレイン拡散層21は、各セルトランジスタSTのゲート電極部35間に対応する、上記ウェル領域12aの表面部にそれぞれ形成されている。
【0039】
上記各ゲート電極部35の周囲は、後酸化膜36を介して、シリコン窒化(SiN)膜などからなる第1の絶縁膜37によって覆われている。すなわち、この第1の絶縁膜37は、上記トランジスタST,SGS,SGDのすべてを覆うように、上記メモリセル領域12上にのみ選択的に設けられている。
【0040】
そして、その第1の絶縁膜37上に層間絶縁膜38が埋め込まれるとともに、この層間絶縁膜38に対して、上記第1の絶縁膜37および上記熱酸化膜31を貫通し、上記ドレイン拡散層21b(または、ソース拡散層21a)につながるコンタクト39が形成されている。
【0041】
さらに、上記層間絶縁膜38上に、上記コンタクト39を介して、上記ドレイン拡散層21bにつながるビット線(BL1,BL2,〜)40が、カラム方向に沿って形成されて、たとえば図3に示すような構成のメモリセル・アレイが実現されている。
【0042】
一方、上記周辺回路領域13における周辺トランジスタCTは、たとえば図1に示すように、熱酸化膜(ゲート絶縁膜)31、単一層からなるゲート電極部(第1のゲート長を有する第1のゲート電極部)41、および、ソース・ドレイン拡散層42,43から構成されている。
【0043】
また、上記ゲート電極部41の周囲は、後酸化膜36のみによって覆われている。
【0044】
そして、その後酸化膜36上に上記層間絶縁膜38が埋め込まれるとともに、この層間絶縁膜38に対して、上記後酸化膜36を貫通し、上記ゲート電極部41につながるコンタクト44が形成されている。
【0045】
さらに、上記層間絶縁膜38上に、上記コンタクト44を介して、上記ゲート電極部41につながる配線45が形成されている。
【0046】
図4は、上記した構成のNAND型EEPROMにおける、セルトランジスタ(含む、選択ゲートトランジスタSGS,SGD)STおよび周辺トランジスタCTの形成プロセスについて、概略的に示すものである。
【0047】
まず、たとえば同図(a)に示すように、シリコン基板11の表面にウェル領域および素子分離領域(いずれも図示していない)を形成した後に、上記ウェル領域上にゲート絶縁膜またはトンネル酸化膜となる熱酸化膜31を形成する。
【0048】
そして、メモリセル領域12においては、上記熱酸化膜(トンネル酸化膜)31上にスタックトゲート構造のゲート電極部(電荷蓄積層としての浮遊ゲート電極32、ゲート間絶縁膜となるONO膜(酸化膜/窒化膜/酸化膜)33、制御ゲート電極(ワード線WL0〜WL15)34)35を、また、その周辺回路領域13においては、上記熱酸化膜(ゲート絶縁膜)31上に単一層からなるゲート電極部41を、それぞれ素子分離領域に直交する方向にストライプ状に形成する。
【0049】
続いて、ゲート電極部35,41の加工ダメージを回復するための後酸化膜36を形成する。
【0050】
続いて、それぞれのトランジスタST,SGS,SGD,CTに対し、ソース・ドレイン拡散層21(ソース拡散層21aおよびドレイン拡散層21b),42,43を形成するための不純物21’を打ち込む。
【0051】
次いで、たとえば同図(b)に示すように、シリコン窒化膜からなる第1の絶縁膜37を全面に堆積する。なお、この第1の絶縁膜37としては、シリコン窒化膜に限らず、後の酸化雰囲気でのアニール時に酸化剤(酸化種)を通さないような膜であれば良い。
【0052】
次いで、たとえば同図(c)に示すように、リソグラフィーによってパターニングしたレジストをマスク(図示していない)として、周辺回路領域13上に堆積した第1の絶縁膜37のみを、CDE(Chemical Dry Etching)などの方法で剥離する。
【0053】
次いで、たとえば同図(d)に示すように、導入した不純物21’を、酸化雰囲気中でのアニールによって活性化させて、各チャネル領域側に追い込むことにより、ソース・ドレイン拡散層21(ソース拡散層21aおよびドレイン拡散層21b),42,43を、それぞれ形成する。
【0054】
このように、メモリセル領域12のみに第1の絶縁膜37をつけた状態において、酸化雰囲気中でアニールする。このとき、周辺回路領域13上には第1の絶縁膜37がないので、メモリセル領域12よりも、酸化剤がシリコン基板11に多く到達する。そのため、周辺回路領域13での不純物21’の拡散が加速され、ソース・ドレイン拡散層42,43が十分にゲート電極部41とオーバラップする。
【0055】
一方、メモリセル領域12は、第1の絶縁膜37で覆われているので、酸化雰囲気中でアニールしても、酸化剤はシリコン基板11にはほとんど到達しない。このため、不純物21’は、周辺トランジスタCTほどは拡散せず、ショートチャネル効果を抑制できる。
【0056】
特に、制御ゲート電極34にタングステンシリサイド(WSi)を用いた場合、酸化雰囲気中にてアニールすることによる、WSiの異常酸化が懸念される。これは、セルトランジスタSTなどの、ゲート長の短いところで起こりやすい。しかし、第1の絶縁膜37でメモリセル領域12を覆うことによって、酸化剤がゲート電極部35に到達するのを防止できるようになる結果、WSiからなる制御ゲート電極34の異常酸化を阻止することが可能となる。
【0057】
また、トンネル酸化膜31に対するバーズビーク量およびゲート電極部35の側壁における後酸化量は、第1の絶縁膜37を残存させることによって、第1の絶縁膜37を剥離した場合に比べて減少できるようになる(書き込み・消去特性の改善)。
【0058】
つまり、第1の絶縁膜37の形成/非形成に応じて、後酸化を多くしてゲート電極部41の加工ダメージを回復したい周辺トランジスタCTと、後酸化しすぎるのが好ましくないメモリセル(セルトランジスタSTおよび選択ゲートトランジスタSGS,SGD)とで、後酸化量を変えることが可能となる。
【0059】
以降、層間絶縁膜38を埋め込んだ後、上記ゲート電極部41につながるコンタクト44や配線45の形成、および、ドレイン拡散層21b(または、ソース拡散層21a)につながるコンタクト39やビット線40などの形成が行われて、図1に示した構成のNAND型EEPROMが完成される。
【0060】
上記したように、周辺トランジスタの領域のみ選択的に酸化できるようにしている。
【0061】
すなわち、メモリセルの領域のみを第1の絶縁膜によって覆った状態で、酸化雰囲気中でのアニールを行うようにしている。これにより、トランジスタのゲート長が異なる場合にも、それぞれのトランジスタに対する、後酸化量や不純物拡散のためのアニール条件を同時に満たすことが可能となる。したがって、トランジスタのゲート長に応じて、後酸化量や不純物拡散の最適なアニール条件が異なることによるプロセスマージンの減少を抑制でき、装置の高性能化を図る上で非常に有用である。
【0062】
なお、上記した本発明の第1の実施形態においては、周辺トランジスタのゲート構造部が単一層からなる場合を例に説明したが、これに限らず、たとえばメモリセル領域内の各トランジスタと同様に、ゲート間絶縁膜(インターポリ)を介した2層構造とすることも可能である。この場合、第一層目のゲート電極を引き出して、ゲートコンタクトをとるようにすれば良い。
【0063】
このような構成によれば、周辺トランジスタのゲート電極部にもゲート間絶縁膜が配置されることにより、ゲート間絶縁膜に対するバーズビーク量を、第1の絶縁膜を残した領域と剥離した領域とで変化させることができるようになる。
【0064】
また、選択ゲートトランジスタについても、そのゲート電極部の構成を、セルトランジスタのゲート電極部と同一の構成とする場合に限らず、たとえば、ゲート間絶縁膜を有さない構成としても良い。
【0065】
また、第1の絶縁膜を剥離する場合、すべての周辺トランジスタについて剥離する必要はなく、たとえば、ゲート電極部に対して、ソース・ドレイン拡散層を十分にオーバラップさせたいトランジスタ、または、後酸化を多くしたいトランジスタについてのみ、第1の絶縁膜を剥離するようにしても良い。
【0066】
また、第1の絶縁膜として用いられるシリコン窒化膜は、一般に、水素を多く含むことやメカニカルな膜ストレスが大きいために、メモリセルのトンネル酸化膜の信頼性を劣化させることが懸念される。
【0067】
この場合、シリコン窒化膜の堆積後に酸化雰囲気中でアニールすることにより、シリコン窒化膜中の水素を引き抜き、膜質を改善することができる。したがって、メモリセルのトンネル酸化膜の信頼性が劣化するのを抑制する効果が十分に期待できる。
【0068】
しかしながら、酸化雰囲気中でのアニールを行った後においては、シリコン窒化膜は必要ない。そこで、アニール後にすべてのシリコン窒化膜を剥離するようにすることも可能である。
【0069】
ここで、第1の絶縁膜は、拡散層のオーバラップ量に選択性を持たせるという役目の他に、拡散層コンタクトのジャンクション・リークを防ぐという効果(いわゆる、エッチングストッパとしての機能)も期待できる。
【0070】
たとえば図5に示すように、コンタクト39の形成位置がマスクの合わせずれなどの理由により、素子分離領域12b上にかかるような場合、コンタクト開孔時のRIE(Reactive Ion Etching)に選択性を持たせておくことによって、一旦、エッチングを第1の絶縁膜37で止めることができる(同図(a)参照)。
【0071】
こうして、第1の絶縁膜37に達するコンタクト孔(第1のコンタクト孔)39aを開孔した後、エッチングの条件を切り換えて第1の絶縁膜37をエッチングして、ドレイン拡散層21b(または、ソース拡散層21a)とのコンタクトをとるためのコンタクト孔(第2のコンタクト孔)39bを開孔する(同図(b)参照)。
【0072】
こうすることによって、素子分離領域12bが大きくエッチングされるのを防止できる。
【0073】
このように、第1の絶縁膜37は、拡散層コンタクトのジャンクション・リークを防ぐという効果も期待できるため、酸化雰囲気中でのアニールを行った後にシリコン窒化膜を剥離する場合にも、少なくとも拡散層コンタクトの形成部のシリコン窒化膜は残して剥離するのが良い。
【0074】
また、上述した本発明の第1の実施形態においては、後酸化膜36上に、第1の絶縁膜37を形成するようにしたが、これに限らず、たとえば図6に示すように、後酸化膜36と第1の絶縁膜37との間にTEOS(Tetra Ethoxy Silane)膜などの、酸化剤を通す第2の絶縁膜51を形成するようにしても良い。
【0075】
この場合、第2の絶縁膜51は、たとえば、第1の絶縁膜37を剥離する際のストッパとして機能するため、プロセスマージンを広げることが可能となる。
【0076】
また、NAND型EEPROMに限らず、たとえば図7に示すような構成のメモリセル・アレイを有するAND型のEEPROMや、NOR型のEEPROMなどにも適用できる。
【0077】
(第二の実施形態)
図8は、本発明の第二の実施形態にかかる不揮発性半導体記憶装置の、セルトランジスタ(含む、選択ゲートトランジスタ)および周辺トランジスタの形成プロセスを概略的に示すものである。なお、ここでは、NAND型EEPROMを例に説明する。
【0078】
まず、たとえば同図(a)に示すように、シリコン基板11の表面にウェル領域および素子分離領域(いずれも図示していない)を形成した後に、上記ウェル領域上にゲート絶縁膜またはトンネル酸化膜となる熱酸化膜31を形成する。
【0079】
そして、メモリセル領域12においては、上記熱酸化膜(トンネル酸化膜)31上にスタックトゲート構造のゲート電極部(電荷蓄積層としての浮遊ゲート電極32、ゲート間絶縁膜となるONO膜(酸化膜/窒化膜/酸化膜)33、制御ゲート電極(ワード線WL0〜WL15)34)35を、また、その周辺回路領域13においては、上記熱酸化膜(ゲート絶縁膜)31上に単一層からなるゲート電極部41を、それぞれ素子分離領域に直交する方向にストライプ状に形成する。
【0080】
続いて、ゲート電極部35,41の加工ダメージを回復するための後酸化膜36を形成する。
【0081】
続いて、それぞれのトランジスタに対し、ソース・ドレイン拡散層21(ソース拡散層21aおよびドレイン拡散層21b),42,43を形成するための不純物21’を打ち込む。
【0082】
次いで、たとえば同図(b)に示すように、シリコン窒化膜からなる第1の絶縁膜37を、少なくともメモリセル領域12上に堆積する。
【0083】
続いて、酸化雰囲気中でのアニールによって、導入した不純物21’を活性化させる。
【0084】
その際、たとえば同図(c)に示すように、第1の絶縁膜37の表面を酸化させて表面酸化膜37’を形成する。この表面酸化膜37’は、上記第1の絶縁膜37の表面での酸化量が、たとえば、10オングストローム以上〜100オングストローム以下となるように形成される。
【0085】
なお、表面酸化膜37’が形成された上記第1の絶縁膜37は、その表面側から徐々に水素濃度が高くなるような濃度勾配をもつ。
【0086】
こうして、シリコン窒化膜中の水素によるトンネル酸化膜への影響を減少させた状態で、不純物21’を各チャネル領域側に追い込むことにより、たとえば同図(d)に示すように、ソース・ドレイン拡散層21(ソース拡散層21aおよびドレイン拡散層21b),42,43を、それぞれ形成する。
【0087】
以降、層間絶縁膜38を埋め込んだ後、上記ゲート電極部41につながるコンタクト44や配線45の形成、および、ドレイン拡散層21b(または、ソース拡散層21a)につながるコンタクト39やビット線40などの形成が同様に行われて、NAND型EEPROM(図示していない)が完成される。
【0088】
このように、第1の絶縁膜37の表面に強制的に表面酸化膜37’を形成させることにより、たとえば図9に示すように、シリコン窒化膜中の水素濃度を低減でき、熱酸化膜(トンネル酸化膜)31における電子トラップ量dVgを減少させることが可能となる。
【0089】
すなわち、層間絶縁膜38を堆積する前に、第1の絶縁膜37の表面を酸化させるようにした場合、シリコン窒化膜中の水素濃度を低減でき、熱酸化膜31中の水素濃度を下げることが可能となる。その結果、熱酸化膜31における電子トラップ量dVgを減少させることが可能となって、トンネル酸化膜の信頼性が劣化するのを防止できるものである。
【0090】
因みに、本図9に示す、トンネル酸化膜中の水素濃度(本発明)は、表面酸化膜37’を形成しなかった場合(従来)を“1”とした際の、相対値である。
【0091】
また、電子トラップ量dVgは、たとえば、ゲートに負電圧を印加し、トンネル酸化膜に0.1A/cm2 程度の直流の定電流を20秒間ほど流したときの、その20秒間におけるゲート電圧の最小値と最大値との差である。この場合、トンネル酸化膜中での電子トラップの発生量が多いほど、dVgの値は大きくなる。
【0092】
このような構成によれば、上述したように、第1の絶縁膜を残したままでも、メモリセルのトンネル酸化膜の信頼性が劣化するのを抑制できる。
【0093】
なお、上述した本発明の第二の実施形態においては、第1の絶縁膜を形成する前に不純物を導入するようにしたが、これに限らず、たとえば第1の絶縁膜を形成した後に不純物を導入するようにすることも可能である。
【0094】
また、NAND型のEEPROMに限らず、AND型やNOR型のEEPROMにも同様に適用できる。
【0095】
その他、この発明の要旨を変えない範囲において、種々変形実施可能なことは勿論である。
【0096】
【発明の効果】
以上、詳述したようにこの発明によれば、後酸化量や不純物拡散のためのアニール条件を、トランジスタのゲート長に応じて制御でき、装置の高性能化を図ることが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供できる。
【0097】
また、この発明によれば、後酸化量や不純物拡散のためのアニール条件を、トランジスタのゲート長に応じて最適化する場合にも、シリコン窒化膜中の水素濃度を低減でき、トンネル酸化膜中での電子トラップ量を減少させることが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】
この発明の第一の実施形態にかかる不揮発性半導体記憶装置の構成を、NAND型EEPROMを例に示す概略断面図。
【図2】
同じく、NAND型EEPROMにおける、セルアレイの構成例を示す概略平面図。
【図3】
同じく、NAND型EEPROMにおける、セルアレイを概略的に示す回路構成図。
【図4】
同じく、NAND型EEPROMにおける、各トランジスタの形成プロセスを説明するために示す工程断面図。
【図5】
同じく、NAND型EEPROMにおける、拡散層コンタクトの形成プロセスを説明するために示す工程断面図。
【図6】
同じく、NAND型EEPROMにおけるメモリセルの、他の構成例を示す概略断面図。
【図7】
AND型EEPROMにおける、セルアレイを概略的に示す回路構成図。
【図8】
この発明の第二の実施形態にかかる不揮発性半導体記憶装置の概略を、NAND型EEPROMを例に示す工程断面図。
【図9】
同じく、NAND型EEPROMにおける特性を、従来技術と比較して示す概略図。
【図10】
従来技術とその問題点を説明するために、NAND型EEPROMの構成を示す概略断面図。
【図11】
同じく、従来のNAND型EEPROMにおける、各トランジスタの形成プロセスを説明するために示す工程断面図。
【符号の説明】
11…シリコン基板
12…メモリセル領域(セルアレイ)
12a…ウェル領域
12b…素子分離領域
13…周辺回路領域
21…ソース・ドレイン拡散層
21’…不純物
21a…ソース拡散層
21b…ドレイン拡散層
31…熱酸化膜(トンネル酸化膜/ゲート絶縁膜)
32…浮遊ゲート電極(電荷蓄積層)
33…ゲート間絶縁膜
34…制御ゲート電極
35…ゲート電極部(セルトランジスタ/選択ゲートトランジスタ)
36…後酸化膜
37…第1の絶縁膜
37’…表面酸化膜
38…層間絶縁膜
39…コンタクト(拡散層コンタクト)
39a…コンタクト孔(第1のコンタクト孔)
39b…コンタクト孔(第2のコンタクト孔)
40…ビット線
41…ゲート電極部(周辺トランジスタ)
42,43…ソース・ドレイン拡散層(周辺トランジスタ)
44…コンタクト(ゲートコンタクト)
45…配線
51…第2の絶縁膜
ST…セルトランジスタ
CT…周辺トランジスタ
SGS…選択ゲートトランジスタ(ソース側)
SGD…選択ゲートトランジスタ(ドレイン側)
WL0〜WL15(WLn)…ワード線
BL1,BL2,〜…ビット線
【発明の名称】 不揮発性半導体記憶装置
【特許請求の範囲】
【請求項1】 半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された素子分離領域と、
前記半導体基板上に形成されたメモリセル部および周辺回路部と
を備えた不揮発性半導体記憶装置において、
前記周辺回路部を構成する、第一の長さを持つ第1のゲート電極部および前記第1のゲート電極部の両側に設けられた拡散層を有する第1のトランジスタと、
前記メモリセル部を構成する、前記第一の長さよりも短い第二の長さを持つ第2のゲート電極部および前記第2のゲート電極部の両側に設けられた拡散層を有する第2のトランジスタと、
前記メモリセル部に形成された前記拡散層に接続されたコンタクトプラグと、
前記第2のトランジスタを覆い、前記第1のトランジスタは覆わないように形成された第1の絶縁膜と
を具備し、
前記第1の絶縁膜はシリコン酸化膜とは異なる、シリコン酸化膜よりも酸化種を通し難い性質を有する材料からなるとともに、前記コンタクトプラグの形成時に前記素子分離領域がエッチングされるのを防止するエッチングストッパとなることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項2】 前記第2のゲート電極部は、
前記半導体基板上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられた浮遊ゲートと、
前記浮遊ゲート上に設けられたゲート間絶縁膜と、
前記ゲート間絶縁膜上に設けられた、タングステンシリサイド膜を含む制御ゲートと
からなる積層ゲート構造を有することを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項3】 半導体基板と、
前記半導体基板上に形成されたメモリセル部および周辺回路部と
を具備し、
前記メモリセル部に形成された、データの書き込み消去が可能なメモリセルトランジスタと、
前記周辺回路部に形成された周辺回路トランジスタと
を備えた不揮発性半導体記憶装置であって、
前記メモリセルトランジスタおよび前記周辺回路トランジスタの側面および上面が、シリコンと窒素とを主要構成元素とする絶縁膜によってそれぞれ覆われるとともに、その絶縁膜の表面には酸化膜が形成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項4】 半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された素子分離領域と、
前記半導体基板上に形成されたメモリセル部と、
前記メモリセル部に形成された、データの書き込み消去が可能なメモリセルトランジスタと、
前記メモリセル部に形成された拡散層と、
前記拡散層に接続されたコンタクトプラグと、
前記コンタクトプラグを形成する際の、前記素子分離領域に対するエッチングストッパ絶縁膜と
を備えた不揮発性半導体記憶装置であって、
前記メモリセルトランジスタは前記エッチングストッパ絶縁膜によって覆われ、
前記エッチングストッパ絶縁膜は、シリコンと窒素とを主要構成元素とする絶縁膜であり、
前記エッチングストッパ絶縁膜の表面には酸化膜が形成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項5】 前記エッチングストッパ絶縁膜の膜厚が50nm以下であることを特徴とする請求項4に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項6】 前記エッチングストッパ絶縁膜の表面に形成された前記酸化膜は、その厚さが1nm以上、10nm以下であることを特徴とする請求項4に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項7】 前記エッチングストッパ絶縁膜中の水素濃度が、3×10 21 atom/cm 3 以下であることを特徴とする請求項4に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項8】 前記エッチングストッパ絶縁膜中の水素濃度は、前記絶縁膜とその絶縁膜の表面に形成された前記酸化膜との界面で小さく、界面から離れるにしたがって次第に濃くなる濃度勾配を持つことを特徴とする請求項4に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項9】 半導体基板と、
前記半導体基板上に形成されたメモリセル部および周辺回路部と
を具備し、
前記メモリセル部に形成された、データの書き込み消去が可能なメモリセルトランジスタと、
前記周辺回路部に形成された周辺回路トランジスタと
を備えた不揮発性半導体記憶装置であって、
前記メモリセルトランジスタおよび前記周辺回路トランジスタの側壁に、シリコンと窒素とを主要構成元素とする絶縁膜が形成されるとともに、その絶縁膜の表面には酸化膜が形成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項10】 前記メモリセル部はさらに選択トランジスタを備え、
前記メモリセルトランジスタの拡散層が、前記選択トランジスタを介して、コンタクトプラグに接続されていることを特徴とする請求項3または9に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項11】 前記絶縁膜の膜厚が50nm以下であることを特徴とする請求項3または9に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項12】 前記絶縁膜の表面に形成された前記酸化膜は、その厚さが1nm以上、10nm以下であることを特徴とする請求項3または9に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項13】 前記絶縁膜中の水素濃度が、3×10 21 atom/cm 3 以下であることを特徴とする請求項3または9に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項14】 前記絶縁膜中の水素濃度は、前記絶縁膜とその絶縁膜の表面に形成された前記酸化膜との界面で小さく、界面から離れるにしたがって次第に濃くなる濃度勾配を持つことを特徴とする請求項3または9に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、不揮発性半導体記憶装置に関するもので、特に、電荷蓄積層としての浮遊ゲート上に制御ゲートが積層された、いわゆるスタックトゲート構造のメモリセル(セルトランジスタ)を有する半導体メモリに用いられるものである。
【0002】
【従来の技術】
周知のように、半導体メモリは、セルトランジスタや周辺トランジスタが同一基板上に配設されてなる構成とされている。その一例として、たとえば、データの書き込み・消去が電気的に行われるEEPROM(Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory)が良く知られている。
【0003】
図10は、EEPROMの1つである、従来の、NAND型EEPROMにおけるセルトランジスタ(含む、選択ゲートトランジスタ)および周辺トランジスタの構成を概略的に示すものである。
【0004】
以下に、NAND型EEPROMにおけるセルトランジスタおよび周辺トランジスタの構成について、その形成プロセスにしたがって説明する。
【0005】
すなわち、図11は、上記した従来のNAND型EEPROMにおける、セルトランジスタおよび周辺トランジスタの形成プロセスを示すもので、まず、たとえば同図(a)に示すように、シリコン基板101の表面にウェル領域および素子分離領域(いずれも図示していない)を形成した後に、上記ウェル領域上にゲート絶縁膜またはトンネル酸化膜となる熱酸化膜102を形成する。
【0006】
そして、メモリセル領域においては、上記熱酸化膜(トンネル酸化膜)102上にスタックトゲート構造のゲート電極部103を、また、その周辺回路領域においては、上記熱酸化膜(ゲート絶縁膜)102上に単一層からなるゲート電極部104を、それぞれ形成する。
【0007】
上記メモリセル領域におけるゲート電極部103は、たとえば、電荷蓄積層としての浮遊ゲート電極103a上に、ゲート間絶縁膜となるONO膜(酸化膜/窒化膜/酸化膜)103bを介して、制御ゲート電極103cが積層されてなる、周知の構成となっている。
【0008】
次いで、たとえば同図(b)に示すように、ゲート電極部103,104の加工ダメージを回復するための後酸化膜105を形成する。
【0009】
次いで、たとえば同図(c)に示すように、それぞれのトランジスタに対し、ソース・ドレイン拡散層を形成するための不純物106を打ち込む。
【0010】
次いで、たとえば同図(d)に示すように、その不純物106をアニールによって活性化させて、チャネル領域側に追い込むことにより、ソース・ドレイン拡散層106’を形成する。
【0011】
続いて、層間絶縁膜107を埋め込んだ後、上記ゲート電極部104につながるコンタクト108や配線109、および、ソース・ドレイン拡散層106’につながるコンタクト110やビット線111などの形成が行われて、図10に示した構成の、セルトランジスタおよび周辺トランジスタが形成される。
【0012】
しかしながら、上記した従来のセルトランジスタおよび周辺トランジスタの場合、不純物106を打ち込んだ後のアニールの条件によって、各ソース・ドレイン拡散層106’の、ゲート電極部103,104とのオーバラップ長が左右される。
【0013】
たとえば、アニールが足らずに、ソース・ドレイン拡散層106’がゲート電極部103,104とオーバラップせず、オフセットになると、その部分が寄生抵抗となって、十分なドレイン電流が得られなくなる。
【0014】
逆に、アニールが過ぎて、ソース・ドレイン拡散層106’がチャネル領域内の深くにまで侵入すると、ショートチャネル効果が顕著になり、ソース・ドレイン間耐圧の低下を招くなど、デバイス特性を劣化させる。
【0015】
一般に、メモリセルは、周辺トランジスタと比較してゲート長が短い。そのため、ショートチャネル効果が効きやすい。つまり、周辺トランジスタにとって十分なだけのアニールをすると、セルトランジスタや選択ゲートトランジスタはパンチスルーを起こす恐れがある。
【0016】
NAND型のEEPROMの場合、そもそも、メモリセルのソース・ドレイン拡散層106’は、直列に配列されたセルの相互を電気的に接続できれば良いので、ゲート電極部103としっかりオーバラップさせる必要はない。すなわち、セルトランジスタおよび選択ゲートトランジスタの特性からは、むしろ、不純物106を打ち込んだ後のアニールは控えめにするべきだといえる。
【0017】
また、ゲート加工後の後酸化量についても、本来、加工ダメージを十分に回復できるだけの後酸化は必要だが、後酸化はバーズビーク量を増加させる。ゲート長が短いメモリセルの場合、後酸化によるバーズビーク量の増加(たとえば、図10のA部参照)は、書き込み・消去特性を劣化させるために好ましいものではない。
【0018】
一方、周辺トランジスタの場合は、ゲート長が比較的長いため、十分に後酸化することが許される(たとえば、図10のB部参照)。
【0019】
このように、NAND型のEEPROMには、ゲート長の異なるトランジスタが存在するが、トランジスタのゲート長に応じて後酸化量や不純物拡散の最適なアニール条件が異なるため、これがプロセスマージンを減少させる一つの大きな要因となっていた。
【0020】
【発明が解決しようとする課題】
上記したように、従来においては、トランジスタのゲート長に応じて後酸化量や不純物拡散の最適なアニール条件が異なるため、これがプロセスマージンを減少させているという問題があった。
【0021】
そこで、この発明は、後酸化量や不純物拡散のためのアニール条件を、トランジスタのゲート長に応じて制御でき、装置の高性能化を図ることが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供することを目的としている。
【0022】
また、この発明の目的は、後酸化量や不純物拡散のためのアニール条件を、トランジスタのゲート長に応じて最適化する場合にも、シリコン窒化膜中の水素濃度を低減でき、トンネル酸化膜中での電子トラップ量を減少させることが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供することにある。
【0023】
【課題を解決するための手段】
本願発明の一態様によれば、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された素子分離領域と、前記半導体基板上に形成されたメモリセル部および周辺回路部とを備えた不揮発性半導体記憶装置において、前記周辺回路部を構成する、第一の長さを持つ第1のゲート電極部および前記第1のゲート電極部の両側に設けられた拡散層を有する第1のトランジスタと、前記メモリセル部を構成する、前記第一の長さよりも短い第二の長さを持つ第2のゲート電極部および前記第2のゲート電極部の両側に設けられた拡散層を有する第2のトランジスタと、前記メモリセル部に形成された前記拡散層に接続されたコンタクトプラグと、前記第2のトランジスタを覆い、前記第1のトランジスタは覆わないように形成された第1の絶縁膜とを具備し、前記第1の絶縁膜はシリコン酸化膜とは異なる、シリコン酸化膜よりも酸化種を通し難い性質を有する材料からなるとともに、前記コンタクトプラグの形成時に前記素子分離領域がエッチングされるのを防止するエッチングストッパとなることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置が提供される。
【0024】
この発明の不揮発性半導体記憶装置によれば、周辺トランジスタの領域のみ選択的に酸化できるようになる。これにより、トランジスタのゲート長が異なる場合にも、それぞれのトランジスタに対する、後酸化量や不純物拡散のためのアニール条件を同時に満たすことが可能となるものである。
【0025】
また、本願発明の一態様によれば、半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたメモリセル部および周辺回路部とを具備し、前記メモリセル部に形成された、データの書き込み消去が可能なメモリセルトランジスタと、前記周辺回路部に形成された周辺回路トランジスタとを備えた不揮発性半導体記憶装置であって、前記メモリセルトランジスタおよび前記周辺回路トランジスタの側面および上面が、シリコンと窒素とを主要構成元素とする絶縁膜によってそれぞれ覆われるとともに、その絶縁膜の表面には酸化膜が形成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置が提供される。
【0026】
また、本願発明の一態様によれば、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された素子分離領域と、前記半導体基板上に形成されたメモリセル部と、前記メモリセル部に形成された、データの書き込み消去が可能なメモリセルトランジスタと、前記メモリセル部に形成された拡散層と、前記拡散層に接続されたコンタクトプラグと、前記コンタクトプラグを形成する際の、前記素子分離領域に対するエッチングストッパ絶縁膜とを備えた不揮発性半導体記憶装置であって、前記メモリセルトランジスタは前記エッチングストッパ絶縁膜によって覆われ、前記エッチングストッパ絶縁膜は、シリコンと窒素とを主要構成元素とする絶縁膜であり、前記エッチングストッパ絶縁膜の表面には酸化膜が形成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置が提供される。
【0027】
さらに、本願発明の一態様によれば、半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたメモリセル部および周辺回路部とを具備し、前記メモリセル部に形成された、データの書き込み消去が可能なメモリセルトランジスタと、前記周辺回路部に形成された周辺回路トランジスタとを備えた不揮発性半導体記憶装置であって、前記メモリセルトランジスタおよび前記周辺回路トランジスタの側壁に、シリコンと窒素とを主要構成元素とする絶縁膜が形成されるとともに、その絶縁膜の表面には酸化膜が形成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置が提供される。
【0028】
この発明の不揮発性半導体記憶装置によれば、シリコン窒化膜中の水素によるトンネル酸化膜への影響を減少できるようになる。これにより、トンネル酸化膜の信頼性が劣化するのを防ぐことが可能となるものである。
【0029】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【0030】
(第一の実施形態)
図1は、本発明の第一の実施形態にかかる不揮発性半導体記憶装置の概略構成を、NAND型EEPROMを例に示すものである。
【0031】
すなわち、NAND型EEPROMは、たとえば、同一のシリコン基板11上に、メモリセル領域(セルアレイ)12と、コア回路部を含む周辺回路領域13とを有して構成されている。
【0032】
上記メモリセル領域12には、たとえば図2に示すように、上記シリコン基板11の表面に、それぞれ、アイランド状のウェル領域12aおよびストライプ状の素子分離領域12bが形成されている。ウェル領域12aはカラム方向に設けられ、各ウェル領域12aの間に、それぞれ、素子分離領域12bが設けられている。
【0033】
また、上記ウェル領域12aの一部にはソース拡散層21aが、上記ウェル領域12aの別の一部にはドレイン拡散層21bが形成されている。そして、ソース拡散層21aとドレイン拡散層21bの間には、たとえば、18個のトランジスタ(第2のトランジスタ)が直列に接続されて設けられている。
【0034】
この場合、18個のトランジスタのうち、上記ソース拡散層21aにつながる選択ゲートトランジスタSGSおよび上記ドレイン拡散層21bにつながる選択ゲートトランジスタSGDを除く、残りの16個のトランジスタ(WL0〜WL15)STによって、セルユニットとしてのNAND型メモリセルが構成されている。
【0035】
各セルトランジスタSTは、たとえば図1に示すように、熱酸化膜(トンネル酸化膜)31、浮遊ゲート電極(電荷蓄積層)32、ゲート間絶縁膜(ONO膜など)33、制御ゲート電極(WL0〜WL15)34、および、ソース・ドレイン拡散層21から構成されている。
【0036】
この場合、浮遊ゲート電極32上に、ゲート間絶縁膜33を介して、制御ゲート電極34が積層されて、後述する周辺トランジスタのゲート電極部(第1のゲート電極部)のゲート長よりも短い、第2のゲート長からなるスタックトゲート構造のゲート電極部(第2のゲート電極部)35が形成されている。
【0037】
ドレイン拡散層21bに接続された選択ゲートトランジスタSGDは、上記したセルトランジスタSTのソース・ドレイン拡散層21の一方がドレイン拡散層21bとなっている以外は、各セルトランジスタSTと同様の構成となっている(ソース拡散層21aに接続された選択ゲートトランジスタSGSの場合は、ソース・ドレイン拡散層21の一方がソース拡散層21aとなっている)。
【0038】
なお、ソース・ドレイン拡散層21は、各セルトランジスタSTのゲート電極部35間に対応する、上記ウェル領域12aの表面部にそれぞれ形成されている。
【0039】
上記各ゲート電極部35の周囲は、後酸化膜36を介して、シリコン窒化(SiN)膜などからなる第1の絶縁膜37によって覆われている。すなわち、この第1の絶縁膜37は、上記トランジスタST,SGS,SGDのすべてを覆うように、上記メモリセル領域12上にのみ選択的に設けられている。
【0040】
そして、その第1の絶縁膜37上に層間絶縁膜38が埋め込まれるとともに、この層間絶縁膜38に対して、上記第1の絶縁膜37および上記熱酸化膜31を貫通し、上記ドレイン拡散層21b(または、ソース拡散層21a)につながるコンタクト39が形成されている。
【0041】
さらに、上記層間絶縁膜38上に、上記コンタクト39を介して、上記ドレイン拡散層21bにつながるビット線(BL1,BL2,〜)40が、カラム方向に沿って形成されて、たとえば図3に示すような構成のメモリセル・アレイが実現されている。
【0042】
一方、上記周辺回路領域13における周辺トランジスタCTは、たとえば図1に示すように、熱酸化膜(ゲート絶縁膜)31、単一層からなるゲート電極部(第1のゲート長を有する第1のゲート電極部)41、および、ソース・ドレイン拡散層42,43から構成されている。
【0043】
また、上記ゲート電極部41の周囲は、後酸化膜36のみによって覆われている。
【0044】
そして、その後酸化膜36上に上記層間絶縁膜38が埋め込まれるとともに、この層間絶縁膜38に対して、上記後酸化膜36を貫通し、上記ゲート電極部41につながるコンタクト44が形成されている。
【0045】
さらに、上記層間絶縁膜38上に、上記コンタクト44を介して、上記ゲート電極部41につながる配線45が形成されている。
【0046】
図4は、上記した構成のNAND型EEPROMにおける、セルトランジスタ(含む、選択ゲートトランジスタSGS,SGD)STおよび周辺トランジスタCTの形成プロセスについて、概略的に示すものである。
【0047】
まず、たとえば同図(a)に示すように、シリコン基板11の表面にウェル領域および素子分離領域(いずれも図示していない)を形成した後に、上記ウェル領域上にゲート絶縁膜またはトンネル酸化膜となる熱酸化膜31を形成する。
【0048】
そして、メモリセル領域12においては、上記熱酸化膜(トンネル酸化膜)31上にスタックトゲート構造のゲート電極部(電荷蓄積層としての浮遊ゲート電極32、ゲート間絶縁膜となるONO膜(酸化膜/窒化膜/酸化膜)33、制御ゲート電極(ワード線WL0〜WL15)34)35を、また、その周辺回路領域13においては、上記熱酸化膜(ゲート絶縁膜)31上に単一層からなるゲート電極部41を、それぞれ素子分離領域に直交する方向にストライプ状に形成する。
【0049】
続いて、ゲート電極部35,41の加工ダメージを回復するための後酸化膜36を形成する。
【0050】
続いて、それぞれのトランジスタST,SGS,SGD,CTに対し、ソース・ドレイン拡散層21(ソース拡散層21aおよびドレイン拡散層21b),42,43を形成するための不純物21’を打ち込む。
【0051】
次いで、たとえば同図(b)に示すように、シリコン窒化膜からなる第1の絶縁膜37を全面に堆積する。なお、この第1の絶縁膜37としては、シリコン窒化膜に限らず、後の酸化雰囲気でのアニール時に酸化剤(酸化種)を通さないような膜であれば良い。
【0052】
次いで、たとえば同図(c)に示すように、リソグラフィーによってパターニングしたレジストをマスク(図示していない)として、周辺回路領域13上に堆積した第1の絶縁膜37のみを、CDE(Chemical Dry Etching)などの方法で剥離する。
【0053】
次いで、たとえば同図(d)に示すように、導入した不純物21’を、酸化雰囲気中でのアニールによって活性化させて、各チャネル領域側に追い込むことにより、ソース・ドレイン拡散層21(ソース拡散層21aおよびドレイン拡散層21b),42,43を、それぞれ形成する。
【0054】
このように、メモリセル領域12のみに第1の絶縁膜37をつけた状態において、酸化雰囲気中でアニールする。このとき、周辺回路領域13上には第1の絶縁膜37がないので、メモリセル領域12よりも、酸化剤がシリコン基板11に多く到達する。そのため、周辺回路領域13での不純物21’の拡散が加速され、ソース・ドレイン拡散層42,43が十分にゲート電極部41とオーバラップする。
【0055】
一方、メモリセル領域12は、第1の絶縁膜37で覆われているので、酸化雰囲気中でアニールしても、酸化剤はシリコン基板11にはほとんど到達しない。このため、不純物21’は、周辺トランジスタCTほどは拡散せず、ショートチャネル効果を抑制できる。
【0056】
特に、制御ゲート電極34にタングステンシリサイド(WSi)を用いた場合、酸化雰囲気中にてアニールすることによる、WSiの異常酸化が懸念される。これは、セルトランジスタSTなどの、ゲート長の短いところで起こりやすい。しかし、第1の絶縁膜37でメモリセル領域12を覆うことによって、酸化剤がゲート電極部35に到達するのを防止できるようになる結果、WSiからなる制御ゲート電極34の異常酸化を阻止することが可能となる。
【0057】
また、トンネル酸化膜31に対するバーズビーク量およびゲート電極部35の側壁における後酸化量は、第1の絶縁膜37を残存させることによって、第1の絶縁膜37を剥離した場合に比べて減少できるようになる(書き込み・消去特性の改善)。
【0058】
つまり、第1の絶縁膜37の形成/非形成に応じて、後酸化を多くしてゲート電極部41の加工ダメージを回復したい周辺トランジスタCTと、後酸化しすぎるのが好ましくないメモリセル(セルトランジスタSTおよび選択ゲートトランジスタSGS,SGD)とで、後酸化量を変えることが可能となる。
【0059】
以降、層間絶縁膜38を埋め込んだ後、上記ゲート電極部41につながるコンタクト44や配線45の形成、および、ドレイン拡散層21b(または、ソース拡散層21a)につながるコンタクト39やビット線40などの形成が行われて、図1に示した構成のNAND型EEPROMが完成される。
【0060】
上記したように、周辺トランジスタの領域のみ選択的に酸化できるようにしている。
【0061】
すなわち、メモリセルの領域のみを第1の絶縁膜によって覆った状態で、酸化雰囲気中でのアニールを行うようにしている。これにより、トランジスタのゲート長が異なる場合にも、それぞれのトランジスタに対する、後酸化量や不純物拡散のためのアニール条件を同時に満たすことが可能となる。したがって、トランジスタのゲート長に応じて、後酸化量や不純物拡散の最適なアニール条件が異なることによるプロセスマージンの減少を抑制でき、装置の高性能化を図る上で非常に有用である。
【0062】
なお、上記した本発明の第1の実施形態においては、周辺トランジスタのゲート構造部が単一層からなる場合を例に説明したが、これに限らず、たとえばメモリセル領域内の各トランジスタと同様に、ゲート間絶縁膜(インターポリ)を介した2層構造とすることも可能である。この場合、第一層目のゲート電極を引き出して、ゲートコンタクトをとるようにすれば良い。
【0063】
このような構成によれば、周辺トランジスタのゲート電極部にもゲート間絶縁膜が配置されることにより、ゲート間絶縁膜に対するバーズビーク量を、第1の絶縁膜を残した領域と剥離した領域とで変化させることができるようになる。
【0064】
また、選択ゲートトランジスタについても、そのゲート電極部の構成を、セルトランジスタのゲート電極部と同一の構成とする場合に限らず、たとえば、ゲート間絶縁膜を有さない構成としても良い。
【0065】
また、第1の絶縁膜を剥離する場合、すべての周辺トランジスタについて剥離する必要はなく、たとえば、ゲート電極部に対して、ソース・ドレイン拡散層を十分にオーバラップさせたいトランジスタ、または、後酸化を多くしたいトランジスタについてのみ、第1の絶縁膜を剥離するようにしても良い。
【0066】
また、第1の絶縁膜として用いられるシリコン窒化膜は、一般に、水素を多く含むことやメカニカルな膜ストレスが大きいために、メモリセルのトンネル酸化膜の信頼性を劣化させることが懸念される。
【0067】
この場合、シリコン窒化膜の堆積後に酸化雰囲気中でアニールすることにより、シリコン窒化膜中の水素を引き抜き、膜質を改善することができる。したがって、メモリセルのトンネル酸化膜の信頼性が劣化するのを抑制する効果が十分に期待できる。
【0068】
しかしながら、酸化雰囲気中でのアニールを行った後においては、シリコン窒化膜は必要ない。そこで、アニール後にすべてのシリコン窒化膜を剥離するようにすることも可能である。
【0069】
ここで、第1の絶縁膜は、拡散層のオーバラップ量に選択性を持たせるという役目の他に、拡散層コンタクトのジャンクション・リークを防ぐという効果(いわゆる、エッチングストッパとしての機能)も期待できる。
【0070】
たとえば図5に示すように、コンタクト39の形成位置がマスクの合わせずれなどの理由により、素子分離領域12b上にかかるような場合、コンタクト開孔時のRIE(Reactive Ion Etching)に選択性を持たせておくことによって、一旦、エッチングを第1の絶縁膜37で止めることができる(同図(a)参照)。
【0071】
こうして、第1の絶縁膜37に達するコンタクト孔(第1のコンタクト孔)39aを開孔した後、エッチングの条件を切り換えて第1の絶縁膜37をエッチングして、ドレイン拡散層21b(または、ソース拡散層21a)とのコンタクトをとるためのコンタクト孔(第2のコンタクト孔)39bを開孔する(同図(b)参照)。
【0072】
こうすることによって、素子分離領域12bが大きくエッチングされるのを防止できる。
【0073】
このように、第1の絶縁膜37は、拡散層コンタクトのジャンクション・リークを防ぐという効果も期待できるため、酸化雰囲気中でのアニールを行った後にシリコン窒化膜を剥離する場合にも、少なくとも拡散層コンタクトの形成部のシリコン窒化膜は残して剥離するのが良い。
【0074】
また、上述した本発明の第1の実施形態においては、後酸化膜36上に、第1の絶縁膜37を形成するようにしたが、これに限らず、たとえば図6に示すように、後酸化膜36と第1の絶縁膜37との間にTEOS(Tetra Ethoxy Silane)膜などの、酸化剤を通す第2の絶縁膜51を形成するようにしても良い。
【0075】
この場合、第2の絶縁膜51は、たとえば、第1の絶縁膜37を剥離する際のストッパとして機能するため、プロセスマージンを広げることが可能となる。
【0076】
また、NAND型EEPROMに限らず、たとえば図7に示すような構成のメモリセル・アレイを有するAND型のEEPROMや、NOR型のEEPROMなどにも適用できる。
【0077】
(第二の実施形態)
図8は、本発明の第二の実施形態にかかる不揮発性半導体記憶装置の、セルトランジスタ(含む、選択ゲートトランジスタ)および周辺トランジスタの形成プロセスを概略的に示すものである。なお、ここでは、NAND型EEPROMを例に説明する。
【0078】
まず、たとえば同図(a)に示すように、シリコン基板11の表面にウェル領域および素子分離領域(いずれも図示していない)を形成した後に、上記ウェル領域上にゲート絶縁膜またはトンネル酸化膜となる熱酸化膜31を形成する。
【0079】
そして、メモリセル領域12においては、上記熱酸化膜(トンネル酸化膜)31上にスタックトゲート構造のゲート電極部(電荷蓄積層としての浮遊ゲート電極32、ゲート間絶縁膜となるONO膜(酸化膜/窒化膜/酸化膜)33、制御ゲート電極(ワード線WL0〜WL15)34)35を、また、その周辺回路領域13においては、上記熱酸化膜(ゲート絶縁膜)31上に単一層からなるゲート電極部41を、それぞれ素子分離領域に直交する方向にストライプ状に形成する。
【0080】
続いて、ゲート電極部35,41の加工ダメージを回復するための後酸化膜36を形成する。
【0081】
続いて、それぞれのトランジスタに対し、ソース・ドレイン拡散層21(ソース拡散層21aおよびドレイン拡散層21b),42,43を形成するための不純物21’を打ち込む。
【0082】
次いで、たとえば同図(b)に示すように、シリコン窒化膜からなる第1の絶縁膜37を、少なくともメモリセル領域12上に堆積する。
【0083】
続いて、酸化雰囲気中でのアニールによって、導入した不純物21’を活性化させる。
【0084】
その際、たとえば同図(c)に示すように、第1の絶縁膜37の表面を酸化させて表面酸化膜37’を形成する。この表面酸化膜37’は、上記第1の絶縁膜37の表面での酸化量が、たとえば、10オングストローム以上〜100オングストローム以下となるように形成される。
【0085】
なお、表面酸化膜37’が形成された上記第1の絶縁膜37は、その表面側から徐々に水素濃度が高くなるような濃度勾配をもつ。
【0086】
こうして、シリコン窒化膜中の水素によるトンネル酸化膜への影響を減少させた状態で、不純物21’を各チャネル領域側に追い込むことにより、たとえば同図(d)に示すように、ソース・ドレイン拡散層21(ソース拡散層21aおよびドレイン拡散層21b),42,43を、それぞれ形成する。
【0087】
以降、層間絶縁膜38を埋め込んだ後、上記ゲート電極部41につながるコンタクト44や配線45の形成、および、ドレイン拡散層21b(または、ソース拡散層21a)につながるコンタクト39やビット線40などの形成が同様に行われて、NAND型EEPROM(図示していない)が完成される。
【0088】
このように、第1の絶縁膜37の表面に強制的に表面酸化膜37’を形成させることにより、たとえば図9に示すように、シリコン窒化膜中の水素濃度を低減でき、熱酸化膜(トンネル酸化膜)31における電子トラップ量dVgを減少させることが可能となる。
【0089】
すなわち、層間絶縁膜38を堆積する前に、第1の絶縁膜37の表面を酸化させるようにした場合、シリコン窒化膜中の水素濃度を低減でき、熱酸化膜31中の水素濃度を下げることが可能となる。その結果、熱酸化膜31における電子トラップ量dVgを減少させることが可能となって、トンネル酸化膜の信頼性が劣化するのを防止できるものである。
【0090】
因みに、本図9に示す、トンネル酸化膜中の水素濃度(本発明)は、表面酸化膜37’を形成しなかった場合(従来)を“1”とした際の、相対値である。
【0091】
また、電子トラップ量dVgは、たとえば、ゲートに負電圧を印加し、トンネル酸化膜に0.1A/cm2 程度の直流の定電流を20秒間ほど流したときの、その20秒間におけるゲート電圧の最小値と最大値との差である。この場合、トンネル酸化膜中での電子トラップの発生量が多いほど、dVgの値は大きくなる。
【0092】
このような構成によれば、上述したように、第1の絶縁膜を残したままでも、メモリセルのトンネル酸化膜の信頼性が劣化するのを抑制できる。
【0093】
なお、上述した本発明の第二の実施形態においては、第1の絶縁膜を形成する前に不純物を導入するようにしたが、これに限らず、たとえば第1の絶縁膜を形成した後に不純物を導入するようにすることも可能である。
【0094】
また、NAND型のEEPROMに限らず、AND型やNOR型のEEPROMにも同様に適用できる。
【0095】
その他、この発明の要旨を変えない範囲において、種々変形実施可能なことは勿論である。
【0096】
【発明の効果】
以上、詳述したようにこの発明によれば、後酸化量や不純物拡散のためのアニール条件を、トランジスタのゲート長に応じて制御でき、装置の高性能化を図ることが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供できる。
【0097】
また、この発明によれば、後酸化量や不純物拡散のためのアニール条件を、トランジスタのゲート長に応じて最適化する場合にも、シリコン窒化膜中の水素濃度を低減でき、トンネル酸化膜中での電子トラップ量を減少させることが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】
この発明の第一の実施形態にかかる不揮発性半導体記憶装置の構成を、NAND型EEPROMを例に示す概略断面図。
【図2】
同じく、NAND型EEPROMにおける、セルアレイの構成例を示す概略平面図。
【図3】
同じく、NAND型EEPROMにおける、セルアレイを概略的に示す回路構成図。
【図4】
同じく、NAND型EEPROMにおける、各トランジスタの形成プロセスを説明するために示す工程断面図。
【図5】
同じく、NAND型EEPROMにおける、拡散層コンタクトの形成プロセスを説明するために示す工程断面図。
【図6】
同じく、NAND型EEPROMにおけるメモリセルの、他の構成例を示す概略断面図。
【図7】
AND型EEPROMにおける、セルアレイを概略的に示す回路構成図。
【図8】
この発明の第二の実施形態にかかる不揮発性半導体記憶装置の概略を、NAND型EEPROMを例に示す工程断面図。
【図9】
同じく、NAND型EEPROMにおける特性を、従来技術と比較して示す概略図。
【図10】
従来技術とその問題点を説明するために、NAND型EEPROMの構成を示す概略断面図。
【図11】
同じく、従来のNAND型EEPROMにおける、各トランジスタの形成プロセスを説明するために示す工程断面図。
【符号の説明】
11…シリコン基板
12…メモリセル領域(セルアレイ)
12a…ウェル領域
12b…素子分離領域
13…周辺回路領域
21…ソース・ドレイン拡散層
21’…不純物
21a…ソース拡散層
21b…ドレイン拡散層
31…熱酸化膜(トンネル酸化膜/ゲート絶縁膜)
32…浮遊ゲート電極(電荷蓄積層)
33…ゲート間絶縁膜
34…制御ゲート電極
35…ゲート電極部(セルトランジスタ/選択ゲートトランジスタ)
36…後酸化膜
37…第1の絶縁膜
37’…表面酸化膜
38…層間絶縁膜
39…コンタクト(拡散層コンタクト)
39a…コンタクト孔(第1のコンタクト孔)
39b…コンタクト孔(第2のコンタクト孔)
40…ビット線
41…ゲート電極部(周辺トランジスタ)
42,43…ソース・ドレイン拡散層(周辺トランジスタ)
44…コンタクト(ゲートコンタクト)
45…配線
51…第2の絶縁膜
ST…セルトランジスタ
CT…周辺トランジスタ
SGS…選択ゲートトランジスタ(ソース側)
SGD…選択ゲートトランジスタ(ドレイン側)
WL0〜WL15(WLn)…ワード線
BL1,BL2,〜…ビット線
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