JP2974003B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/408—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor with an insulating layer with a particular dielectric or electrostatic property, e.g. with static charges or for controlling trapped charges or moving ions, or with a plate acting on the insulator potential or the insulator charges, e.g. for controlling charges effect or potential distribution in the insulating layer, or with a semi-insulating layer contacting directly the semiconductor surface
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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-
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- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、５００Ｖ以上の
横型の高耐圧デバイスと制御用ＩＣとを同一のシリコン
チップに集積化した半導体装置において、その耐圧構造
領域に形成される保護膜に関する。
横型の高耐圧デバイスと制御用ＩＣとを同一のシリコン
チップに集積化した半導体装置において、その耐圧構造
領域に形成される保護膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】スイッチング電源用ＩＣ等は個別の高耐
圧デバイスを制御するための専用ＩＣで、通常はこの制
御用ＩＣと高耐圧デバイスとは外部接続する方法がとら
れているが、この制御用ＩＣと高耐圧デバイスをシリコ
ンチップに集積することができれば、部品点数の削減、
電源システムの簡素化が実現できる。
圧デバイスを制御するための専用ＩＣで、通常はこの制
御用ＩＣと高耐圧デバイスとは外部接続する方法がとら
れているが、この制御用ＩＣと高耐圧デバイスをシリコ
ンチップに集積することができれば、部品点数の削減、
電源システムの簡素化が実現できる。
【０００３】高耐圧デバイスと制御用ＩＣとを同一のシ
リコンチップに集積するためには、スイッチング時に発
生するノイズで制御用ＩＣが誤動作するのを防ぐ必要が
ある。そのために、高耐圧デバイスを横型構造として、
電極を全て半導体基板の一方の表面から取り出し、半導
体基板の他方の表面を接地して、半導体基板内に集積さ
れる高耐圧デバイスと制御用ＩＣの共通の接地とする必
要がある。しかし、この横型構造では、半導体基板上に
形成された電極間に、つまり、半導体基板の横方向に高
電圧が印加されるために、半導体基板表面に異物等の付
着物があると、局部的な電界集中が発生し、耐圧低下を
招くなど、このような半導体装置では半導体基板の表面
状態が極めて重要になる。
リコンチップに集積するためには、スイッチング時に発
生するノイズで制御用ＩＣが誤動作するのを防ぐ必要が
ある。そのために、高耐圧デバイスを横型構造として、
電極を全て半導体基板の一方の表面から取り出し、半導
体基板の他方の表面を接地して、半導体基板内に集積さ
れる高耐圧デバイスと制御用ＩＣの共通の接地とする必
要がある。しかし、この横型構造では、半導体基板上に
形成された電極間に、つまり、半導体基板の横方向に高
電圧が印加されるために、半導体基板表面に異物等の付
着物があると、局部的な電界集中が発生し、耐圧低下を
招くなど、このような半導体装置では半導体基板の表面
状態が極めて重要になる。
【０００４】そこで半導体装置の表面を汚染から守り電
気的に安定化させ、電界集中を防止する目的で導電性保
護膜である屈折率２．８以上のシリコン窒化膜が通常用
いられている。
気的に安定化させ、電界集中を防止する目的で導電性保
護膜である屈折率２．８以上のシリコン窒化膜が通常用
いられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、通常のプロセ
スでは図６に示すようにこのシリコン窒化膜１２の表面
には不要な薄いシリコン酸化膜１１が形成され、この不
要の薄いシリコン酸化膜１１とシリコン窒化膜１２との
界面に電荷が蓄積する。そのためシリコン窒化膜１２の
抵抗値が不均一となり、電界集中が発生して、半導体装
置の耐圧が低下する不具合を生じる。
スでは図６に示すようにこのシリコン窒化膜１２の表面
には不要な薄いシリコン酸化膜１１が形成され、この不
要の薄いシリコン酸化膜１１とシリコン窒化膜１２との
界面に電荷が蓄積する。そのためシリコン窒化膜１２の
抵抗値が不均一となり、電界集中が発生して、半導体装
置の耐圧が低下する不具合を生じる。
【０００６】また、モールド樹脂にシリコンチップをパ
ッケージングした後、高温高湿雰囲気で動作させると、
図７のようにシリコン窒化膜１２の表面に局部酸化膜１
３が形成されて、耐圧が低下するという不具合を生じ
る。これは、導電性保護膜であるシリコン窒化膜１２は
通常の絶縁性保護膜と比べて親水性であり、酸化し易い
性質があるためで、その化学反応（semiconductor worl
d 1984,12 p168参照のこと) は図８のようになる。
ッケージングした後、高温高湿雰囲気で動作させると、
図７のようにシリコン窒化膜１２の表面に局部酸化膜１
３が形成されて、耐圧が低下するという不具合を生じ
る。これは、導電性保護膜であるシリコン窒化膜１２は
通常の絶縁性保護膜と比べて親水性であり、酸化し易い
性質があるためで、その化学反応（semiconductor worl
d 1984,12 p168参照のこと) は図８のようになる。
【０００７】この発明の目的は、前記の課題を解決し
て、耐圧低下を招かない半導体装置およびその製造方法
を提供することにある。
て、耐圧低下を招かない半導体装置およびその製造方法
を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに、横型の高耐圧半導体装置の同一表面上の主電極間
上に形成される耐圧構造領域で、シリコン基板上にシリ
コン酸化膜を介して導電性保護膜である第１シリコン窒
化膜が形成され、表面に酸化膜のない状態の前記第１シ
リコン窒化膜上に屈折率２．２以下の第２シリコン窒化
膜が形成される構成とする。
めに、横型の高耐圧半導体装置の同一表面上の主電極間
上に形成される耐圧構造領域で、シリコン基板上にシリ
コン酸化膜を介して導電性保護膜である第１シリコン窒
化膜が形成され、表面に酸化膜のない状態の前記第１シ
リコン窒化膜上に屈折率２．２以下の第２シリコン窒化
膜が形成される構成とする。
【０００９】これにより、第１シリコン窒化膜の表面の
酸化を防止し、半導体装置の耐圧低下を防止する。前記
横型の高耐圧半導体装置の同一表面上の主電極間上に形
成される耐圧構造領域で、シリコン基板上にシリコン酸
化膜を介して導電性保護膜である第１シリコン窒化膜が
形成される工程と、前記第１シリコン窒化膜上に形成さ
れるシリコン酸化膜を除去する工程とを含む工程とす
る。
酸化を防止し、半導体装置の耐圧低下を防止する。前記
横型の高耐圧半導体装置の同一表面上の主電極間上に形
成される耐圧構造領域で、シリコン基板上にシリコン酸
化膜を介して導電性保護膜である第１シリコン窒化膜が
形成される工程と、前記第１シリコン窒化膜上に形成さ
れるシリコン酸化膜を除去する工程とを含む工程とす
る。
【００１０】こうすることで、第１シリコン窒化膜の表
面に形成される酸化膜を除去して、第１シリコン窒化膜
表面の酸化を防止する。前記のシリコン酸化膜を除去す
る工程の後に、第１シリコン窒化膜表面をヘキサメチル
ジシラザン処理を行なうとよい。こうすることで、第１
シリコン窒化膜上に水分が付着することを確実に防止す
る。前記第１シリコン窒化膜は屈折率２．８以上でよ
い。さらに前記シリコン窒化膜は屈折率２．８以上で
３．３以下が好ましい。
面に形成される酸化膜を除去して、第１シリコン窒化膜
表面の酸化を防止する。前記のシリコン酸化膜を除去す
る工程の後に、第１シリコン窒化膜表面をヘキサメチル
ジシラザン処理を行なうとよい。こうすることで、第１
シリコン窒化膜上に水分が付着することを確実に防止す
る。前記第１シリコン窒化膜は屈折率２．８以上でよ
い。さらに前記シリコン窒化膜は屈折率２．８以上で
３．３以下が好ましい。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１はこの発明の第１実施例の要
部断面図である。同図は、５００Ｖ以上の横型の高耐圧
デバイスと制御用ＩＣとをシリコンチップに集積されて
いる半導体装置で、その中の横型の高耐圧デバイス部の
要部断面図である。ｐ基板１上にｎウエル領域２を形成
し、ｎウエル領域２の表面層にｐベース領域３とｐオフ
セット領域４と、このｐオフセット領域４と離してｎ+
領域５とを形成する。ここではこれらを含めてシリコン
基板３０とする。ｐオフセット領域４上を含むシリコン
基板３０上に選択的にシリコン酸化膜８を形成し、ｐベ
ース領域３上およびｎ+領域５上にソース電極６および
ドレイン電極７を形成する。
部断面図である。同図は、５００Ｖ以上の横型の高耐圧
デバイスと制御用ＩＣとをシリコンチップに集積されて
いる半導体装置で、その中の横型の高耐圧デバイス部の
要部断面図である。ｐ基板１上にｎウエル領域２を形成
し、ｎウエル領域２の表面層にｐベース領域３とｐオフ
セット領域４と、このｐオフセット領域４と離してｎ+
領域５とを形成する。ここではこれらを含めてシリコン
基板３０とする。ｐオフセット領域４上を含むシリコン
基板３０上に選択的にシリコン酸化膜８を形成し、ｐベ
ース領域３上およびｎ+領域５上にソース電極６および
ドレイン電極７を形成する。
【００１２】少なくともシリコン酸化膜８上には導電性
保護膜である屈折率２．８以上の第１シリコン窒化膜９
を形成し、その上に絶縁性保護膜である屈折率２．２以
下の第２シリコン窒化膜１０を形成する。この屈折率の
異なる第１、第２シリコン窒化膜９、１０はシラン（Ｓ
ｉＨ4 ）ガスとアンモニア（ＮＨ4 ）ガスの流量比を変
えて得られる。膜厚は共に１μｍとする。同図ではこれ
らのシリコン窒化膜９、１０はソース電極６とドレイン
電極７上にも被覆している。またソース電極６とドレイ
ン電極７は図示されていない箇所でボンディングパッド
と接続する。またゲート構造部はここでは省略されてい
る。さらに、シリコンチップに集積される制御用ＩＣも
省略されている。
保護膜である屈折率２．８以上の第１シリコン窒化膜９
を形成し、その上に絶縁性保護膜である屈折率２．２以
下の第２シリコン窒化膜１０を形成する。この屈折率の
異なる第１、第２シリコン窒化膜９、１０はシラン（Ｓ
ｉＨ4 ）ガスとアンモニア（ＮＨ4 ）ガスの流量比を変
えて得られる。膜厚は共に１μｍとする。同図ではこれ
らのシリコン窒化膜９、１０はソース電極６とドレイン
電極７上にも被覆している。またソース電極６とドレイ
ン電極７は図示されていない箇所でボンディングパッド
と接続する。またゲート構造部はここでは省略されてい
る。さらに、シリコンチップに集積される制御用ＩＣも
省略されている。
【００１３】尚、前記の絶縁性保護膜である第２シリコ
ン窒化膜１０は、導電性保護膜である第１シリコン窒化
膜９より屈折率が小さいため、水分等により酸化するこ
とを防止する保護膜として働く。またシリコン窒化膜の
屈折率が高くなると、シリコン成分が多くなり導電性が
高まる。そのため、導電性保護膜である第１シリコン窒
化膜９の屈折率は、２．８以上で３．５以下が好まし
い。また、絶縁性保護膜である第２シリコン窒化膜１０
の屈折率は、２．２以下で１．８以上が好ましい。
ン窒化膜１０は、導電性保護膜である第１シリコン窒化
膜９より屈折率が小さいため、水分等により酸化するこ
とを防止する保護膜として働く。またシリコン窒化膜の
屈折率が高くなると、シリコン成分が多くなり導電性が
高まる。そのため、導電性保護膜である第１シリコン窒
化膜９の屈折率は、２．８以上で３．５以下が好まし
い。また、絶縁性保護膜である第２シリコン窒化膜１０
の屈折率は、２．２以下で１．８以上が好ましい。
【００１４】図２はシリコン窒化膜中のシリコン濃度お
よび抵抗率と屈折率の関係を示し、同図（ａ）はシリコ
ン濃度と屈折率の関係、同図（ｂ）は抵抗率と屈折率の
関係を示す。図２において、シリコン濃度が高くなる
と、屈折率も高くなり、また屈折率が高くなると、抵抗
率は低くなる。同図よりシリコン濃度を６１at％程度と
すると、屈折率が２程度となり、屈折率が２程度の場合
は抵抗率は１０14Ω・ｃｍの桁となり、シリコン窒化膜
は絶縁膜として機能する。一方、シリコン濃度を７７at
％程度とすると、屈折率が３程度となり、屈折率が３程
度の場合は抵抗率は１０ 10Ω・ｃｍの桁となり、シリコ
ン窒化膜は導電性膜として機能する。このことから、導
電性保護膜である第１シリコン窒化膜９の屈折率を２．
８以上とし、絶縁性保護膜である第２シリコン窒化膜１
０の屈折率を２．２以下とした。
よび抵抗率と屈折率の関係を示し、同図（ａ）はシリコ
ン濃度と屈折率の関係、同図（ｂ）は抵抗率と屈折率の
関係を示す。図２において、シリコン濃度が高くなる
と、屈折率も高くなり、また屈折率が高くなると、抵抗
率は低くなる。同図よりシリコン濃度を６１at％程度と
すると、屈折率が２程度となり、屈折率が２程度の場合
は抵抗率は１０14Ω・ｃｍの桁となり、シリコン窒化膜
は絶縁膜として機能する。一方、シリコン濃度を７７at
％程度とすると、屈折率が３程度となり、屈折率が３程
度の場合は抵抗率は１０ 10Ω・ｃｍの桁となり、シリコ
ン窒化膜は導電性膜として機能する。このことから、導
電性保護膜である第１シリコン窒化膜９の屈折率を２．
８以上とし、絶縁性保護膜である第２シリコン窒化膜１
０の屈折率を２．２以下とした。
【００１５】図３はこの発明の第２実施例で、第１シリ
コン窒化膜上の不要なシリコン酸化膜を除去する製造工
程である。図１のように半導体基板内に各領域が形成さ
れ、その後で、シリコン酸化膜８、ソース電極６および
ドレイン電極７が形成される（同図（ａ））。つぎに屈
折率２．８の第１シリコン窒化膜９をシラン（Ｓｉ
Ｈ 4 ）ガスとアンモニア（ＮＨ3 ）を流して、膜厚１μ
ｍに形成する（同図（ｂ））。つぎにフォトレジストを
塗布した後、ボンディングパッド部を開口するために、
このフォトレジストを酸素プラズマ雰囲気でアッシング
（灰化）処理を行う。このときに、不要の薄いシリコン
酸化膜１１が第１シリコン窒化膜９上に形成される（同
図（ｃ））。つぎにこの不要のシリコン酸化膜１１をフ
ッ酸（ＨＦ）と水（Ｈ2 Ｏ）の比が１：２０の希釈液に
３０秒間浸漬して、除去する（同図（ｄ））。こうする
と第１シリコン窒化膜９上には不要な薄いシリコン酸化
膜１１が付着することがなく、耐圧の低下は起こらな
い。勿論、図１の場合でも第２シリコン窒化膜１０上に
不要のシリコン酸化膜１１が形成される場合、第２実施
例の工程でこの不要の薄いシリコン窒化膜１１を除去し
てもよい。
コン窒化膜上の不要なシリコン酸化膜を除去する製造工
程である。図１のように半導体基板内に各領域が形成さ
れ、その後で、シリコン酸化膜８、ソース電極６および
ドレイン電極７が形成される（同図（ａ））。つぎに屈
折率２．８の第１シリコン窒化膜９をシラン（Ｓｉ
Ｈ 4 ）ガスとアンモニア（ＮＨ3 ）を流して、膜厚１μ
ｍに形成する（同図（ｂ））。つぎにフォトレジストを
塗布した後、ボンディングパッド部を開口するために、
このフォトレジストを酸素プラズマ雰囲気でアッシング
（灰化）処理を行う。このときに、不要の薄いシリコン
酸化膜１１が第１シリコン窒化膜９上に形成される（同
図（ｃ））。つぎにこの不要のシリコン酸化膜１１をフ
ッ酸（ＨＦ）と水（Ｈ2 Ｏ）の比が１：２０の希釈液に
３０秒間浸漬して、除去する（同図（ｄ））。こうする
と第１シリコン窒化膜９上には不要な薄いシリコン酸化
膜１１が付着することがなく、耐圧の低下は起こらな
い。勿論、図１の場合でも第２シリコン窒化膜１０上に
不要のシリコン酸化膜１１が形成される場合、第２実施
例の工程でこの不要の薄いシリコン窒化膜１１を除去し
てもよい。
【００１６】図４はこの発明の第３実施例で、図３の工
程の後に、ヘキサメチルジシラザン処理を行った場合の
化学反応である。この工程の説明をすると、図３の工程
の後、１５０℃、２０分間のベーキング処理を行い、表
面に付着した水分を蒸発させ、バブリング（発泡化）さ
れたヘキサメチルジシラザン（（ＣＨ3)3 ＳｉＮＨＳｉ
（ＣＨ3)3 ）の気相雰囲気に１５分間さらして、窒素で
１分間置換する。
程の後に、ヘキサメチルジシラザン処理を行った場合の
化学反応である。この工程の説明をすると、図３の工程
の後、１５０℃、２０分間のベーキング処理を行い、表
面に付着した水分を蒸発させ、バブリング（発泡化）さ
れたヘキサメチルジシラザン（（ＣＨ3)3 ＳｉＮＨＳｉ
（ＣＨ3)3 ）の気相雰囲気に１５分間さらして、窒素で
１分間置換する。
【００１７】このヘキサメチルジシラザン処理の化学反
応では、第１シリコン窒化膜の表面のＯＨ基がＯＳｉ
（ＣＨ3)3 基に変わる。このヘキサメチルジシラザン処
理効果により、第１シリコン窒化膜の表面はＯＨ基を有
する親水性の膜からＯＳｉ（ＣＨ3)3 基を有する疎水性
の膜に変わり、水分の付着が防止される。図５はソース
電極とドレイン電極間に７００Ｖ印加した場合の電位分
布図を示す。酸化されていない導電性保護膜である屈折
率２．８の第１シリコン窒化膜９が被覆され、不要な薄
いシリコン酸化膜が付いていない横型の高耐圧デバイス
において、７００Ｖをソース電極とドレイン電極間に印
加した場合の等電位線を示す。等電位線は等間隔となっ
ており電界集中は起こらず、耐圧低下は起こらない。勿
論、ヘキサメチルジシラザン処理を行ったものや第２シ
リコン窒化膜が形成されているものも同じ効果が得られ
る。
応では、第１シリコン窒化膜の表面のＯＨ基がＯＳｉ
（ＣＨ3)3 基に変わる。このヘキサメチルジシラザン処
理効果により、第１シリコン窒化膜の表面はＯＨ基を有
する親水性の膜からＯＳｉ（ＣＨ3)3 基を有する疎水性
の膜に変わり、水分の付着が防止される。図５はソース
電極とドレイン電極間に７００Ｖ印加した場合の電位分
布図を示す。酸化されていない導電性保護膜である屈折
率２．８の第１シリコン窒化膜９が被覆され、不要な薄
いシリコン酸化膜が付いていない横型の高耐圧デバイス
において、７００Ｖをソース電極とドレイン電極間に印
加した場合の等電位線を示す。等電位線は等間隔となっ
ており電界集中は起こらず、耐圧低下は起こらない。勿
論、ヘキサメチルジシラザン処理を行ったものや第２シ
リコン窒化膜が形成されているものも同じ効果が得られ
る。
【００１８】この発明によれば、導電性保護膜であり表
面に酸化膜のない第１シリコン窒化膜と絶縁性保護膜で
ある第２シリコン窒化膜とを２層に積層する構成とした
ので、第１シリコン窒化膜の表面の酸化を防止すること
ができ、高温高湿雰囲気の水分の影響が多大にでる条件
下でも同様に酸化を防止することができる。また、その
製造方法においては、第１シリコン窒化膜表面にできる
薄い酸化膜を除去する工程を入れることで、第１シリコ
ン窒化膜の表面の酸化は防止される。さらに、ヘキサメ
チルジシラザン処理を施すことで、水分等の付着で第１
シリコン窒化膜の表面が酸化されることを確実に防止で
きる。このように、第１シリコン窒化膜の表面の酸化を
防止することで、半導体装置の主電極間の電界集中を抑
え耐圧に関する信頼性を向上させることができる。
面に酸化膜のない第１シリコン窒化膜と絶縁性保護膜で
ある第２シリコン窒化膜とを２層に積層する構成とした
ので、第１シリコン窒化膜の表面の酸化を防止すること
ができ、高温高湿雰囲気の水分の影響が多大にでる条件
下でも同様に酸化を防止することができる。また、その
製造方法においては、第１シリコン窒化膜表面にできる
薄い酸化膜を除去する工程を入れることで、第１シリコ
ン窒化膜の表面の酸化は防止される。さらに、ヘキサメ
チルジシラザン処理を施すことで、水分等の付着で第１
シリコン窒化膜の表面が酸化されることを確実に防止で
きる。このように、第１シリコン窒化膜の表面の酸化を
防止することで、半導体装置の主電極間の電界集中を抑
え耐圧に関する信頼性を向上させることができる。
【図１】この発明の第１実施例の要部断面図
【図２】シリコン窒化膜中のシリコン濃度および抵抗率
と屈折率の関係を示し、（ａ）はシリコン濃度と屈折率
の関係図、（ｂ）は抵抗率と屈折率の関係図
と屈折率の関係を示し、（ａ）はシリコン濃度と屈折率
の関係図、（ｂ）は抵抗率と屈折率の関係図
【図３】この発明の第２実施例で、第１シリコン窒化膜
上の不要なシリコン酸化膜を除去する製造工程図
上の不要なシリコン酸化膜を除去する製造工程図
【図４】この発明の第３実施例で、図２の工程後にヘキ
サメチルジシラザン処理工程を行った場合の化学反応す
る様子を示す図
サメチルジシラザン処理工程を行った場合の化学反応す
る様子を示す図
【図５】ソース電極とドレイン電極間に７００Ｖ印加し
た場合の電位分布図
た場合の電位分布図
【図６】シリコン窒化膜の表面に不要な薄いシリコン酸
化膜が形成された図
化膜が形成された図
【図７】シリコン窒化膜の表面に局部酸化膜が形成され
た図
た図
【図８】シリコン窒化膜が水と反応する様子を示した図
１ ｐ基板 ２ ｎウエル ３ ｐベース領域 ４ ｐオフセット領域 ５ ｎ+ 領域 ６ ソース電極 ７ ドレイン領域 ８ シリコン酸化膜 ９ 第１シリコン窒化膜 １０ 第２シリコン窒化膜 １１ 薄いシリコン酸化膜 １２ シリコン窒化膜 １３ 局部酸化膜 ３０ シリコン基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−275852（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−291241（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−15630（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−57635（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−335345（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−8234（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/318
Claims (5)
- 【請求項１】横型の高耐圧半導体装置の同一表面上の主
電極間上に形成される耐圧構造領域で、シリコン基板上
にシリコン酸化膜を介して導電性保護膜の第１シリコン
窒化膜が形成され、表面に酸化膜のない前記第１シリコ
ン窒化膜上に屈折率２．２以下の第２シリコン窒化膜が
形成されることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】横型の高耐圧半導体装置の同一表面上の主
電極間上に形成される耐圧構造領域で、シリコン上にシ
リコン酸化膜を介して導電性保護膜である第１シリコン
窒化膜が形成される工程と、第１シリコン窒化膜上に形
成されるシリコン酸化膜が除去される工程とを含むこと
を特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】前記シリコン酸化膜を除去する工程の後
に、第１シリコン窒化膜表面をヘキサメチルジシラザン
処理を行なう工程を含むことを特徴とする請求項２記載
の半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】前記第１シリコン窒化膜は屈折率２．８以
上であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項５】前記第１シリコン窒化膜は屈折率は２．８
以上で３．３以下であることを特徴とする請求項１記載
の半導体装置。」
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|---|---|---|---|
| JP10112299A JP2974003B2 (ja) | 1998-04-22 | 1998-04-22 | 半導体装置およびその製造方法 |
| US09/223,668 US6316794B1 (en) | 1998-04-22 | 1998-12-30 | Lateral high voltage semiconductor device with protective silicon nitride film in voltage withstanding region |
| US09/931,604 US6558983B2 (en) | 1998-04-22 | 2001-08-16 | Semiconductor apparatus and method for manufacturing the same |
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| JPH11307527A JPH11307527A (ja) | 1999-11-05 |
| JP2974003B2 true JP2974003B2 (ja) | 1999-11-08 |
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| USH665H (en) * | 1987-10-19 | 1989-08-01 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Resistive field shields for high voltage devices |
| JPH0215630A (ja) | 1988-07-01 | 1990-01-19 | Nec Corp | 半導体装置の保護膜形成方法 |
| US5107323A (en) * | 1988-12-22 | 1992-04-21 | At&T Bell Laboratories | Protective layer for high voltage devices |
| US5374843A (en) * | 1991-05-06 | 1994-12-20 | Silinconix, Inc. | Lightly-doped drain MOSFET with improved breakdown characteristics |
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1998
- 1998-04-22 JP JP10112299A patent/JP2974003B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1998-12-30 US US09/223,668 patent/US6316794B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-08-16 US US09/931,604 patent/US6558983B2/en not_active Expired - Lifetime
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| US6558983B2 (en) | 2003-05-06 |
| JPH11307527A (ja) | 1999-11-05 |
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