JPS5851523A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS5851523A JPS5851523A JP14995281A JP14995281A JPS5851523A JP S5851523 A JPS5851523 A JP S5851523A JP 14995281 A JP14995281 A JP 14995281A JP 14995281 A JP14995281 A JP 14995281A JP S5851523 A JPS5851523 A JP S5851523A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の構造に係り、特に半導体装置に於
けるパッジベージ璽ン換の構造iこ関する。
けるパッジベージ璽ン換の構造iこ関する。
半導体集積回路等の半導体装置に於いては、従来から、
アルカリ等の汚染物質イオンをドラッグする性質の優れ
たりん珪酸ガラス(PEG)膜がパッジベージlン膜と
して多く用いられている0しかしながら該P8GMは、
湿気に対しての保−効果が必ずしも充分でないという問
題がありた。
アルカリ等の汚染物質イオンをドラッグする性質の優れ
たりん珪酸ガラス(PEG)膜がパッジベージlン膜と
して多く用いられている0しかしながら該P8GMは、
湿気に対しての保−効果が必ずしも充分でないという問
題がありた。
そこで近時湿気に対する保護効果を高め半導体装置の信
頼性をより向上せしめる手段として、バッジページ嘗ン
膜に窒化シリコン(8is N4 )gを用いた構造が
提案されている。
頼性をより向上せしめる手段として、バッジページ嘗ン
膜に窒化シリコン(8is N4 )gを用いた構造が
提案されている。
第1図は上記従来提案の構造をMOB型牛導体装@に適
用した一例を示したもので、図に於て1はPfiシリコ
ン(8i)基板、2はN+型ソース領埴、3はN+mド
レイン領域、4はシート酸化膜、5は多結晶8Iゲート
電極配線、6はフィールド酸化膜、7はキャパシタ用酸
化膜、8は多結晶8iキヤパシタ電極、9は多結晶St
配線、10は下層リン珪酸:lj :y x (P 8
G ) g 、11 a 、1 l bはアルミニウ
ム配線、12はPSGバッジベージN:/H1,13は
8i、N4 バッジベージ纏ン換ヲ表わしている。この
ような構造に於て8i、N、パッシペニシ■ンII![
13は、下層番こあるAt配線11a。
用した一例を示したもので、図に於て1はPfiシリコ
ン(8i)基板、2はN+型ソース領埴、3はN+mド
レイン領域、4はシート酸化膜、5は多結晶8Iゲート
電極配線、6はフィールド酸化膜、7はキャパシタ用酸
化膜、8は多結晶8iキヤパシタ電極、9は多結晶St
配線、10は下層リン珪酸:lj :y x (P 8
G ) g 、11 a 、1 l bはアルミニウ
ム配線、12はPSGバッジベージN:/H1,13は
8i、N4 バッジベージ纏ン換ヲ表わしている。この
ような構造に於て8i、N、パッシペニシ■ンII![
13は、下層番こあるAt配線11a。
11b等を変質せしめないために、プラズマ化学気相成
長(OVL))法を用いて450IC)以下の温度で形
成する必要がある。そしてSi、、□N4膜のプラズマ
OVDに於て、形成か容易で成長速度が速く、且つ優n
た膜質が得られる方法は、成長ガスにモノシラン(si
x>とアンモニア(NH4)成るいは窒素(Nt)+用
いる公知の方法である。従って81.N4 パッジペー
ジ箇ン!a13内に成長反応の際に生成する水素0が含
まれるときは避゛けられない、そのため上記従来構造の
MO8型半導体装置に於ては、該装置を動作せしめ、ソ
ース領域2とドレイン領域3の間にチャネル領域ahが
形成された際に、骸チャネル領域ahに発生したホット
・ホールと、psoパッジページ謬ンl112及び下層
P8GJI110内を拡散してチャネル領域附近の到達
した前記水素Hとの結合により正電荷が生じ、該正電荷
によりゲートが正電位を帯びて、該半導体装置の閾値電
圧(Vth)が変動するという問題がある。
長(OVL))法を用いて450IC)以下の温度で形
成する必要がある。そしてSi、、□N4膜のプラズマ
OVDに於て、形成か容易で成長速度が速く、且つ優n
た膜質が得られる方法は、成長ガスにモノシラン(si
x>とアンモニア(NH4)成るいは窒素(Nt)+用
いる公知の方法である。従って81.N4 パッジペー
ジ箇ン!a13内に成長反応の際に生成する水素0が含
まれるときは避゛けられない、そのため上記従来構造の
MO8型半導体装置に於ては、該装置を動作せしめ、ソ
ース領域2とドレイン領域3の間にチャネル領域ahが
形成された際に、骸チャネル領域ahに発生したホット
・ホールと、psoパッジページ謬ンl112及び下層
P8GJI110内を拡散してチャネル領域附近の到達
した前記水素Hとの結合により正電荷が生じ、該正電荷
によりゲートが正電位を帯びて、該半導体装置の閾値電
圧(Vth)が変動するという問題がある。
本発明は上記問題点に鑑み窒化シリコン・パッジベージ
璽ン膜の下層に活性水素の拡散阻止1!lIを設けた半
導体装置を提供する。
璽ン膜の下層に活性水素の拡散阻止1!lIを設けた半
導体装置を提供する。
即ち本発明は、窃化シリコン展をパッジページ曹ン換と
して用いる半導体装fItに於て、窒化シリコン・パッ
ジベージ曹ン膜の下部に、該窒化シリコン・パッジベー
ジ曹ン膜−こ接スるスパッタ・シリコン膜を設けたこと
を特憎とする。
して用いる半導体装fItに於て、窒化シリコン・パッ
ジベージ曹ン膜の下部に、該窒化シリコン・パッジベー
ジ曹ン膜−こ接スるスパッタ・シリコン膜を設けたこと
を特憎とする。
以下本発明を実施例について、第2図に示T−実施例の
要部断面図、及び第3図に示す他の一実施例に於ける要
部断面図を用いて詳細に説明する。
要部断面図、及び第3図に示す他の一実施例に於ける要
部断面図を用いて詳細に説明する。
本発明をMO8型半導体装置に適用した一実施例に於け
る要部断面を示したのが第2図で、該実施例に於ては、
プラズマOVD法で形成させた根板の厚さを有Tるりん
i*度の低い第2のりん珪酸ガラス(P2O)JI[1
2’とを用いてバク7ペーシ・璽ン膜を構成しており、
史に本発明の構造に於ては−に示すように、8鳳、N4
M13と第2のP8()[12/ の間JC1000〜
3000(X)s直の厚さのスパ2り・シリコン膜14
が介在せしめられている。そして該スパッタ・シリコン
膜14417モル7アス構造を有しており、ダンプリン
グ・ボンド(不飽和結合))f:多く含んでいる。従っ
て上記本発明の構造iこ於ては、5iaN4at 3に
含まれる活性水素Hがスパッタ・シリコン[14内のダ
ンプリング・ボンドに結合捕獲されるので、該半導体装
置の動作時に該活性水素Hが第2のPaG膜12’第1
のPaG膜10’等を透過してゲート近傍に到達し、チ
ャネル領域Ohで発生するホット・ホールと結合して正
電荷を生ずることがなくなる。従って該半導体装置のv
thlCf動を生じない、なお第2図に於て、lはP型
シリコン(81)基板、2はNflソース領域、3はN
+型ドレイン領域、4はゲート酸化膜、5は多結晶8i
ゲート電極、6はフィールド酸化膜、7はキャノくシタ
用酸化膜、8は多結晶8iキヤパシタ電極、9は多結晶
8i配線、1(lりん#14度の高い第1のPEG膜、
11m、llbはアルミニウム(At)配線を示してい
る。
る要部断面を示したのが第2図で、該実施例に於ては、
プラズマOVD法で形成させた根板の厚さを有Tるりん
i*度の低い第2のりん珪酸ガラス(P2O)JI[1
2’とを用いてバク7ペーシ・璽ン膜を構成しており、
史に本発明の構造に於ては−に示すように、8鳳、N4
M13と第2のP8()[12/ の間JC1000〜
3000(X)s直の厚さのスパ2り・シリコン膜14
が介在せしめられている。そして該スパッタ・シリコン
膜14417モル7アス構造を有しており、ダンプリン
グ・ボンド(不飽和結合))f:多く含んでいる。従っ
て上記本発明の構造iこ於ては、5iaN4at 3に
含まれる活性水素Hがスパッタ・シリコン[14内のダ
ンプリング・ボンドに結合捕獲されるので、該半導体装
置の動作時に該活性水素Hが第2のPaG膜12’第1
のPaG膜10’等を透過してゲート近傍に到達し、チ
ャネル領域Ohで発生するホット・ホールと結合して正
電荷を生ずることがなくなる。従って該半導体装置のv
thlCf動を生じない、なお第2図に於て、lはP型
シリコン(81)基板、2はNflソース領域、3はN
+型ドレイン領域、4はゲート酸化膜、5は多結晶8i
ゲート電極、6はフィールド酸化膜、7はキャノくシタ
用酸化膜、8は多結晶8iキヤパシタ電極、9は多結晶
8i配線、1(lりん#14度の高い第1のPEG膜、
11m、llbはアルミニウム(At)配線を示してい
る。
又第3図はパッジページ冒ン腺をSt、N、撫13のみ
で形成する場合の一実施1flJを示したもので、骸栴
造に於ては第1のP8G膜10′上に直かに前記同様の
厚さのスパッタ・シリコン@14が稙着形成さnlその
上に前記同様の厚さの8i、N。
で形成する場合の一実施1flJを示したもので、骸栴
造に於ては第1のP8G膜10′上に直かに前記同様の
厚さのスパッタ・シリコン@14が稙着形成さnlその
上に前記同様の厚さの8i、N。
膜13が形成される。そして該構造に於てはスノ(ツタ
・シリコン1[14被着面即ち第1のpsog10′上
に形成されているAt配線11a、llb等相互間の絶
縁性を確保するために、図に示すように各配線118.
11bの周囲に第1のPEGM表出領域15を残してス
パッタ・シリコン膜13を形成することが望ましい。な
お第3図に於てバッジページ曹ン膜以外の構造は航2図
と同じで、第2図と同じ番号で同じ部分を示している。
・シリコン1[14被着面即ち第1のpsog10′上
に形成されているAt配線11a、llb等相互間の絶
縁性を確保するために、図に示すように各配線118.
11bの周囲に第1のPEGM表出領域15を残してス
パッタ・シリコン膜13を形成することが望ましい。な
お第3図に於てバッジページ曹ン膜以外の構造は航2図
と同じで、第2図と同じ番号で同じ部分を示している。
モして骸桝造に於ても前記実施例と同様、S輸N4 !
a13に含まれる活性水素Hはスパッタ・シリコン膜1
4内のダンプリング・ボンドに捕獲されゲーF近傍に達
することはない。
a13に含まれる活性水素Hはスパッタ・シリコン膜1
4内のダンプリング・ボンドに捕獲されゲーF近傍に達
することはない。
なお本発明の特徴であるSt、N、膜13下部のスパッ
タ・シリコン膜14は、ノン−ドープのアモルファス・
シリコンからなっており、例えば5X10” (Tor
r )程度のアルゴン(A「) 中でスパッタを行わ甘
る通常のスパッタリング法により形成せしめれば良い。
タ・シリコン膜14は、ノン−ドープのアモルファス・
シリコンからなっており、例えば5X10” (Tor
r )程度のアルゴン(A「) 中でスパッタを行わ甘
る通常のスパッタリング法により形成せしめれば良い。
又他の各領域の形成方法は一般に行われている方法と変
わりがない。
わりがない。
なお又、上記*′m例に戻では、本発明をアルきニウム
配線が一層からなる構造について読切したが、本発明は
多層配線構造の牛導体装置にも適用できる。
配線が一層からなる構造について読切したが、本発明は
多層配線構造の牛導体装置にも適用できる。
以上説明したように、本発明によれば窒化シリコン膜内
に含まれる活性水嵩がスパッターシリコン膜によりて捕
獲固定される。従って耐湿性の優れた窒化シリコン膜を
用いてパッジページ曹ン農を形成することが可能−こな
り、MI8型半導体装置の信頼性が向上する。
に含まれる活性水嵩がスパッターシリコン膜によりて捕
獲固定される。従って耐湿性の優れた窒化シリコン膜を
用いてパッジページ曹ン農を形成することが可能−こな
り、MI8型半導体装置の信頼性が向上する。
又本発明は特に高集積度の牛導体集積回路装置に対して
効果的であり、更にバイポーラ型半導体集積回路にも有
効である。
効果的であり、更にバイポーラ型半導体集積回路にも有
効である。
第1図は従来構造の要部断面図、第2包は本発明の一実
施例憂こ於ける要部断面図で、第3図は本発明の他の一
実施例に於ける要部w11面因である。
施例憂こ於ける要部断面図で、第3図は本発明の他の一
実施例に於ける要部w11面因である。
Claims (1)
- 窒化シリコン膜をパッジページ膠ン膜として用いる半導
体装置iこ於て、上記窒化シリコン膜の下部に、該窒化
シリコン膜に接するスパッタ・シリコン膜を設けたこと
を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14995281A JPS5851523A (ja) | 1981-09-22 | 1981-09-22 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14995281A JPS5851523A (ja) | 1981-09-22 | 1981-09-22 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5851523A true JPS5851523A (ja) | 1983-03-26 |
JPS645458B2 JPS645458B2 (ja) | 1989-01-30 |
Family
ID=15486170
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14995281A Granted JPS5851523A (ja) | 1981-09-22 | 1981-09-22 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5851523A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59179508A (ja) * | 1983-03-29 | 1984-10-12 | Toa Nenryo Kogyo Kk | エチレン共重合体の製造法 |
US5471084A (en) * | 1991-12-03 | 1995-11-28 | Nippondenso Co., Ltd. | Magnetoresistive element and manufacturing method therefor |
US5523604A (en) * | 1994-05-13 | 1996-06-04 | International Rectifier Corporation | Amorphous silicon layer for top surface of semiconductor device |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55113334A (en) * | 1979-02-23 | 1980-09-01 | Hitachi Ltd | Manufacture of passivation film |
-
1981
- 1981-09-22 JP JP14995281A patent/JPS5851523A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55113334A (en) * | 1979-02-23 | 1980-09-01 | Hitachi Ltd | Manufacture of passivation film |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59179508A (ja) * | 1983-03-29 | 1984-10-12 | Toa Nenryo Kogyo Kk | エチレン共重合体の製造法 |
JPH0337563B2 (ja) * | 1983-03-29 | 1991-06-06 | Tonen Kk | |
US5471084A (en) * | 1991-12-03 | 1995-11-28 | Nippondenso Co., Ltd. | Magnetoresistive element and manufacturing method therefor |
US5523604A (en) * | 1994-05-13 | 1996-06-04 | International Rectifier Corporation | Amorphous silicon layer for top surface of semiconductor device |
US5654206A (en) * | 1994-05-13 | 1997-08-05 | International Rectifier Corporation | Amorphous silicon layer for top surface of semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS645458B2 (ja) | 1989-01-30 |
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