JPS59217341A - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
半導体集積回路装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS59217341A JPS59217341A JP9177383A JP9177383A JPS59217341A JP S59217341 A JPS59217341 A JP S59217341A JP 9177383 A JP9177383 A JP 9177383A JP 9177383 A JP9177383 A JP 9177383A JP S59217341 A JPS59217341 A JP S59217341A
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- JP
- Japan
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- film
- glass film
- phosphorus
- wiring
- silica
- Prior art date
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- Pending
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- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、半導体集積回路装置の製造方法に関し、特に
高湿用で、かつ高配線密度の多層金属配線を有する半導
体集積回路の改良されり製造方法に関する。
高湿用で、かつ高配線密度の多層金属配線を有する半導
体集積回路の改良されり製造方法に関する。
従来、多層金属配線は、高速演算を特徴とするバイポー
ラ・デバイスに於いて主として使用されてきたが、近年
ＭｉＳ型デバイスにおいても短チヤネル化が進み、高速
動作が可能となりその結果、配線の遅延時間が問題視さ
れはじめた。又、ゲートアレイに代表される論理演算デ
バイスの如き、配線密度の高いＭＩＳ型デバイスにおい
て大規模化を進める為、二層金属配線が使用されだした
。
ラ・デバイスに於いて主として使用されてきたが、近年
ＭｉＳ型デバイスにおいても短チヤネル化が進み、高速
動作が可能となりその結果、配線の遅延時間が問題視さ
れはじめた。又、ゲートアレイに代表される論理演算デ
バイスの如き、配線密度の高いＭＩＳ型デバイスにおい
て大規模化を進める為、二層金属配線が使用されだした
。
二層金属配線における重要な技術は、層間絶縁膜と二層
目金属配線の段部被覆度である。後者については、し１
」えばスパッタ法等の被覆度の優れた金属被着技術が必
須であるが、同時に、段部が平坦化され、滑らかになっ
ていることが必要であり、Ａｉ１者の層間絶縁膜の被着
技術の改良が望まれている。
目金属配線の段部被覆度である。後者については、し１
」えばスパッタ法等の被覆度の優れた金属被着技術が必
須であるが、同時に、段部が平坦化され、滑らかになっ
ていることが必要であり、Ａｉ１者の層間絶縁膜の被着
技術の改良が望まれている。
層間絶縁膜に関する先行技術として、概ね、下記３種類
が考えられる。第１は低温気相成長法によるシリコン酸
化膜（以下ＣＶＤ−８ｉＯ２と記す）を付着した後、塗
布法によるシリコン酸化膜（以下シリカ会ガラス膜と略
す）で平坦化された複合絶縁膜があるが、ＣＶＤ−８ｉ
Ｏ□上に、シリカ・ガラス膜を塗布した後の熱処理にお
いてシリカ・ガラス膜にクランクが入りやすい為、シリ
カ・ガラス膜全３０ｏ、Ａ８度しか塗布できず、段部形
状は十分に平坦化できない欠点がある。第２はポリイミ
ド等の有機＋（７４脂を層間絶縁膜として用いる技術が
開発されているが、４００〜５００℃の加熱処理に対し
て機械的電気的なｕ性が十分でない。第３は比較的最近
実用化された技術で、低温成長で段１ “ＦｊＥ
（ｆＪＪ−！１１４ｆｌ、にＣ＠“７°５ Ｘ ？
Ｋ−１ｆｚ Ｇ Ｋ”６”１１膜′ｆ：層間絶縁膜に使
用する方法がある。しかしながら、窒化膜はシリコン酸
化膜に比し電気伝導性が高く、又、シリコン酸化膜と窒
化膜との界面に多数のトラップ準位を持ち、例えば１０
５Ｖ／ａｍ程度の高電界が印加されると電荷を捕獲し帯
電することがあり、電気的に不安定な欠点があり、ＭＩ
Ｓ型デバイスにぐま、殆んど使用されていない。
が考えられる。第１は低温気相成長法によるシリコン酸
化膜（以下ＣＶＤ−８ｉＯ２と記す）を付着した後、塗
布法によるシリコン酸化膜（以下シリカ会ガラス膜と略
す）で平坦化された複合絶縁膜があるが、ＣＶＤ−８ｉ
Ｏ□上に、シリカ・ガラス膜を塗布した後の熱処理にお
いてシリカ・ガラス膜にクランクが入りやすい為、シリ
カ・ガラス膜全３０ｏ、Ａ８度しか塗布できず、段部形
状は十分に平坦化できない欠点がある。第２はポリイミ
ド等の有機＋（７４脂を層間絶縁膜として用いる技術が
開発されているが、４００〜５００℃の加熱処理に対し
て機械的電気的なｕ性が十分でない。第３は比較的最近
実用化された技術で、低温成長で段１ “ＦｊＥ
（ｆＪＪ−！１１４ｆｌ、にＣ＠“７°５ Ｘ ？
Ｋ−１ｆｚ Ｇ Ｋ”６”１１膜′ｆ：層間絶縁膜に使
用する方法がある。しかしながら、窒化膜はシリコン酸
化膜に比し電気伝導性が高く、又、シリコン酸化膜と窒
化膜との界面に多数のトラップ準位を持ち、例えば１０
５Ｖ／ａｍ程度の高電界が印加されると電荷を捕獲し帯
電することがあり、電気的に不安定な欠点があり、ＭＩ
Ｓ型デバイスにぐま、殆んど使用されていない。
本発明の目的は、上記欠点を除去しＭＩＳ型デバイスに
適用しても、電気的に安定で１段差平坦化効果が犬で、
しかも耐湿性においても優れた改良された半導体集積回
路装置の製造方法を提供することにある。
適用しても、電気的に安定で１段差平坦化効果が犬で、
しかも耐湿性においても優れた改良された半導体集積回
路装置の製造方法を提供することにある。
本発明の半導体集積回路装置の製造方法は、金めジ配線
が２層以上の多層配線構造を有する半導体集積回路装置
の製造方法において、第１の配線導体を選択的に形成す
る工程と、該第１の配線導体上に３〜８モル％のリンガ
ラス膜を被着する工程と、該リンガラス膜上にリン化合
物全添加したシリコン化合物を主として含む浴液を塗布
し成膜する工程と、該成膜を低温で焼き固めてリンを含
むリンガラス膜とする工程と、該リンを含むシリカ・ガ
ラス膜上に更に３〜８モル％のリンガラス膜を被着する
工程と、該被着されたリンガラス膜上に第２の配線導体
全選択的に形成する工程を含んで構成される。
が２層以上の多層配線構造を有する半導体集積回路装置
の製造方法において、第１の配線導体を選択的に形成す
る工程と、該第１の配線導体上に３〜８モル％のリンガ
ラス膜を被着する工程と、該リンガラス膜上にリン化合
物全添加したシリコン化合物を主として含む浴液を塗布
し成膜する工程と、該成膜を低温で焼き固めてリンを含
むリンガラス膜とする工程と、該リンを含むシリカ・ガ
ラス膜上に更に３〜８モル％のリンガラス膜を被着する
工程と、該被着されたリンガラス膜上に第２の配線導体
全選択的に形成する工程を含んで構成される。
本発明によれば、層間絶縁膜として、シリコン酸化膜で
はなくてリンガラス膜を用いているので塗布法によるシ
リカ・ガラス膜にクラックが入りにくく従って、従来法
よ！ｌｌｓ＜塗布できるので段差平坦化効果が犬となる
だけでなく、比較的低濃度のリンガラス膜を便用するの
で、浸入してきた水分をよく吸収し、（転）ｒ接するア
ルミニウム等腐蝕性の萬い配線金に１の腐蝕断線をよく
防止できるのである。
はなくてリンガラス膜を用いているので塗布法によるシ
リカ・ガラス膜にクラックが入りにくく従って、従来法
よ！ｌｌｓ＜塗布できるので段差平坦化効果が犬となる
だけでなく、比較的低濃度のリンガラス膜を便用するの
で、浸入してきた水分をよく吸収し、（転）ｒ接するア
ルミニウム等腐蝕性の萬い配線金に１の腐蝕断線をよく
防止できるのである。
史に、二層金属配線を用いるデバイスにおいては１通常
、層間絶縁膜の開孔部を介して−、二層金机配線が電気
的に接続されている。この−、二層間の低抵抗接続を得
る為、二層目金属を被着する直前に開孔し下部一層金属
に対し逆スパツタと呼ばれる軽いエツチングが、金属被
着真空槽内で通常行われている。しかるに、シリカ・ガ
ラス膜が層間絶縁膜の上面に積層されていたなら、逆ス
パツタにより、その表面がわずかにエツチングされる。
、層間絶縁膜の開孔部を介して−、二層金机配線が電気
的に接続されている。この−、二層間の低抵抗接続を得
る為、二層目金属を被着する直前に開孔し下部一層金属
に対し逆スパツタと呼ばれる軽いエツチングが、金属被
着真空槽内で通常行われている。しかるに、シリカ・ガ
ラス膜が層間絶縁膜の上面に積層されていたなら、逆ス
パツタにより、その表面がわずかにエツチングされる。
この時、完全なリンガラス膜となっていない段部の厚い
シリカ・ガラス膜から、水素等を主成分とするガスθく
゛発生し、真空度を劣化させ、二層目金属の性質をかえ
、例えば、配線寿命の劣化の原因となる。しかしながら
１本発明に於いては１段部シリカ・ガラス膜の上面に０
．７μｍのリンガラス膜が８１１層されているので、逆
スパツタでエツチングされることがなく、ガスの発生は
ない。従って１品質の商い本来の二層目金属を被着形成
することができるのである。
シリカ・ガラス膜から、水素等を主成分とするガスθく
゛発生し、真空度を劣化させ、二層目金属の性質をかえ
、例えば、配線寿命の劣化の原因となる。しかしながら
１本発明に於いては１段部シリカ・ガラス膜の上面に０
．７μｍのリンガラス膜が８１１層されているので、逆
スパツタでエツチングされることがなく、ガスの発生は
ない。従って１品質の商い本来の二層目金属を被着形成
することができるのである。
次に１本発明の実施例について、図面を参照して説明す
る。第１図〜第４図は本発明の詳細な説明用の製造工程
断面図である。
る。第１図〜第４図は本発明の詳細な説明用の製造工程
断面図である。
第１図に示すように、シリコン基板１上の厚いシリコン
酸化膜２の表面に、膜厚約５０００〜６０００人の第１
層目のアルミニウム配線３を選択形成する。
酸化膜２の表面に、膜厚約５０００〜６０００人の第１
層目のアルミニウム配線３を選択形成する。
次に、第２図に示すように、全面に第１の層間絶縁膜と
して、低温気相成長法等により、３〜８モル％９リンガ
ラス膜４全約０．３μｍの厚さに成長させる。段部は庇
状を成している。その後、第２の層間絶縁膜として３〜
８モル％のリンを含んだシリかガラス膜ぢを６００Ａ程
度塗布して庇部全平滑化する。なお、このシリカ・ガラ
ス膜は。
して、低温気相成長法等により、３〜８モル％９リンガ
ラス膜４全約０．３μｍの厚さに成長させる。段部は庇
状を成している。その後、第２の層間絶縁膜として３〜
８モル％のリンを含んだシリかガラス膜ぢを６００Ａ程
度塗布して庇部全平滑化する。なお、このシリカ・ガラ
ス膜は。
リン化合物を添加したシリコン化合物を主として含むｍ
液を塗布し成膜する。次に塗布膜を４５０’Ｃ程度の熱
処理により、リンガラス膜化す・る。ここで添加するリ
ン化合物の量によりリン濃度全３〜８モル％にすること
ができる。
液を塗布し成膜する。次に塗布膜を４５０’Ｃ程度の熱
処理により、リンガラス膜化す・る。ここで添加するリ
ン化合物の量によりリン濃度全３〜８モル％にすること
ができる。
次に第３図に示すように、第１層間絶縁膜と同じ３〜８
モル％のリンガラス膜６を第３の眉間絶縁膜として０７
μｍ程度被着させる。かくして平坦な３層の層間絶縁膜
が形成される事になる。
モル％のリンガラス膜６を第３の眉間絶縁膜として０７
μｍ程度被着させる。かくして平坦な３層の層間絶縁膜
が形成される事になる。
最後に、第４図に示すよ−）に、一層目アルミニウム配
線と二層目アルミニウム配線を接続するスルーホール７
全開孔した後、二層目アルミニウム配線８を選択形成す
れば本発明により半導体集積回路装置は完成する。
線と二層目アルミニウム配線を接続するスルーホール７
全開孔した後、二層目アルミニウム配線８を選択形成す
れば本発明により半導体集積回路装置は完成する。
以上、説明した如く１本発明の二層金属配線の製造方法
によれば、層間絶縁膜が３〜８モル％のリンガラス膜で
あることから電気的には、高濃度側で多少の分極現象が
認められる以外安定である。
によれば、層間絶縁膜が３〜８モル％のリンガラス膜で
あることから電気的には、高濃度側で多少の分極現象が
認められる以外安定である。
又、リンガラス膜を用いたことにより、シリカ・ガラス
膜を６００Ａと厚く塗布できる為段部平坦化の効果、８
犬よヶ１．第２層目ア／８ｆｊｉ部被覆いが向上する。
膜を６００Ａと厚く塗布できる為段部平坦化の効果、８
犬よヶ１．第２層目ア／８ｆｊｉ部被覆いが向上する。
更に、リンガラス膜の濃度の適正化を図ることにより、
浸入してくる水分を吸収し。
浸入してくる水分を吸収し。
隣接するアルミニウムの如き腐蝕性の高い配線金属の腐
蝕断ｉ’ｉよく防止できるのである。
蝕断ｉ’ｉよく防止できるのである。
又、塗布法によるシリカ・ガラス膜が２層の層間絶縁膜
に挾まれている為二層目アルミニウム配線被層前の逆ス
パツタ処理時にも、シリカ・ガラス膜はスルーホール部
を除いてエツチングされない為、水素等を主成分とする
ガスの発生がなく、正常な二層目アルミニウム配線の被
着が可能となる。
に挾まれている為二層目アルミニウム配線被層前の逆ス
パツタ処理時にも、シリカ・ガラス膜はスルーホール部
を除いてエツチングされない為、水素等を主成分とする
ガスの発生がなく、正常な二層目アルミニウム配線の被
着が可能となる。
以上説明したように本発明によれば、従来問題であった
ＭＩＳ型デバイスに適用しても、電気的に安定で、段差
平坦化効果が犬で、しかも耐湿性においても優れた改良
された多層配線を持つ半導体集積回路装置を製造するこ
とができる。
ＭＩＳ型デバイスに適用しても、電気的に安定で、段差
平坦化効果が犬で、しかも耐湿性においても優れた改良
された多層配線を持つ半導体集積回路装置を製造するこ
とができる。
第１図〜第４図は本発明の詳細な説明用の製造工程断面
図を示す。 １・・・・・・シリコン半導体基板、２・・・・・・シ
リコン酸化膜、３・・・・・・第１の配線導体、４，６
・・・・・・３〜８モル％のリンガラス膜、５・・・・
・・リンを含むシリかガラス、７・・・・・・スルホー
ル開孔部、８・・印・第２の配線導体。 黛１ 偲 争３回 乗４− フ
図を示す。 １・・・・・・シリコン半導体基板、２・・・・・・シ
リコン酸化膜、３・・・・・・第１の配線導体、４，６
・・・・・・３〜８モル％のリンガラス膜、５・・・・
・・リンを含むシリかガラス、７・・・・・・スルホー
ル開孔部、８・・印・第２の配線導体。 黛１ 偲 争３回 乗４− フ
Claims (1)
- 金属配線が２層以上の多層配線構造を有する半導体集積
回路装置の製造方法において、第１の配線導体を選択的
に形成する工程と、該第１の配線導体上に３〜８モル％
のリンガラス膜を被着する工程と、該リンガラス膜上に
リン化合物を添加したシリコン化合物を主として含むｍ
液を塗布し成膜する工程と、該成膜を低温で焼き固めて
リンを含むシリカ・ガラス膜とする工程と該リンを含む
シリカ・ガラス膜上に更に３〜８モル％のリンガラス膜
を被着する工程と、該被着されたリンガラス膜上に第２
の配線導体を選択的に形成する工程と全含むことを特徴
とする半導体集積回路装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9177383A JPS59217341A (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9177383A JPS59217341A (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59217341A true JPS59217341A (ja) | 1984-12-07 |
Family
ID=14035895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9177383A Pending JPS59217341A (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59217341A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61284940A (ja) * | 1985-06-11 | 1986-12-15 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6298643A (ja) * | 1985-10-24 | 1987-05-08 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| JPH01268154A (ja) * | 1988-04-20 | 1989-10-25 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1983
- 1983-05-25 JP JP9177383A patent/JPS59217341A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61284940A (ja) * | 1985-06-11 | 1986-12-15 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6298643A (ja) * | 1985-10-24 | 1987-05-08 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| JPH01268154A (ja) * | 1988-04-20 | 1989-10-25 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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