JP2000305086A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

液晶表示装置及びその製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 スペーサを散布する工程を省略することがで
き、かつセル厚の変化を避けることができて、表示品質
が良好な液晶表示装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 ＴＦＴ基板３０側に、画素電極３２及び
突起パターン３５を形成し、画素電極３２及び突起パタ
ーン３５の表面を垂直配向膜３６で覆う。また、ＣＦ基
板４０側に、対向電極４４及び突起パターン４５を形成
し、対向電極４４及び突起パターン４５の表面を垂直配
向膜４６で覆う。そして、ＣＦ基板４０の突起パターン
４５の先端部分をＴＦＴ基板３０に接触させて配置し、
両者の間に負の誘電率異方性を有する液晶４９を封入す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、垂直配向（Vertic
ally Aligned）型液晶表示装置及びその製造方法に関
し、特に画素内で液晶分子の配向方向を複数に分割した
構造の液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】アクティブマトリクス方式の液晶表示装
置は、非選択時にオフ状態となって信号を遮断するスイ
ッチを各画素に設けることによってクロストークを防止
するものであり、単純マトリクス方式の液晶表示装置に
比べて優れた表示特性を示す。特に、スイッチとしてＴ
ＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）を使
用した液晶表示装置は、ＴＦＴの駆動能力が高いので、
ＣＲＴ（Cathode-Ray Tube）に匹敵するほど優れた表示
特性を示す。
【０００３】図４３は一般的なＴＮ（Twisted Nematic
）型液晶表示装置の構造を示す断面図である。ＴＮ型
液晶表示装置は、対向して配置された２枚のガラス基板
６１，７１の間に正の誘電率異方性を有する液晶６９を
封入した構造を有している。一方のガラス基板６１の上
面側にはＴＦＴ（図示せず）、画素電極６２、バスライ
ン６３、平坦化層６４及び配向膜６６が形成されてい
る。画素電極６２は透明導電材料であるＩＴＯ（indium
-tin oxide：インジウム酸化スズ）からなり、これらの
画素電極６２には画像に応じた電圧がバスライン６３及
びＴＦＴを介して所定のタイミングで供給される。平坦
化層６４は絶縁材料に形成されており、画素電極６２及
びバスライン６３を覆っている。平坦化層６４の上には
ポリイミド等からなる水平配向膜６６が形成されてい
る。この配向膜６６の表面には、電圧を印加していない
ときの液晶分子の配向方向を決定するために、配向処理
が施されている。配向処理の代表的な方法としては、布
製のローラーにより配向膜の表面を一方向に擦るラビン
グ法が知られている。
【０００４】また、ガラス基板７１の下面側にはブラッ
クマトリクス７２、カラーフィルタ７３、平坦化層７
４、対向電極７５及び配向膜７６が形成されている。ブ
ラックマトリクス７２は画素間の領域を光が透過しない
ようにするため、Ｃｒ（クロム）等の金属により形成さ
れている。カラーフィルタ７３には赤（Ｒ）、緑
（Ｇ）、青（Ｂ）の３色があり、１つの画素電極６２に
Ｒ・Ｇ・Ｂいずれか１つのカラーフィルタ７３が対向し
ている。平坦化層７４はブラックマトリクス７２及びカ
ラーフィルタ７３を覆うように形成されており、この平
坦化層７４の下側にはＩＴＯからなる対向電極７５が形
成されている。また、対向電極７５の下側には水平配向
膜７６が形成されている。この配向膜７６の表面も、ラ
ビング処理が施されている。但し、配向膜６６のラビン
グ方向と配向膜７６のラビング方向とは９０°異なって
いる。
【０００５】基板６１，７１は、球形又は円柱形のスペ
ーサ７９を挟んで配置され、このスペーサ７９により液
晶６９の層厚（以下、「セル厚」という）が一定に維持
される。スペーサ７９は、例えばプラスチック又はガラ
スにより形成されている。更に、ガラス基板６１の下面
側及びガラス基板７１の上面側にはそれぞれ偏光板（図
示せず）が貼り付けられている。ノーマリホワイトモー
ドの液晶表示装置では２枚の偏光板は偏光軸が互いに直
交するように配置され、ノーマリブラックモードの液晶
表示装置では２枚の偏光板は偏光軸が並行に配置され
る。
【０００６】以下、ＴＦＴ、画素電極及び配向膜等が形
成された基板をＴＦＴ基板といい、カラーフィルタ、対
向電極及び配向膜等が形成された基板をＣＦ基板とい
う。図４４はノーマリホワイトモードのＴＮ型液晶表示
装置の動作を示す模式図である。この図４４に示すよう
に、ノーマリホワイトモードの液晶表示装置では、２枚
の偏光板６７，７７は偏光軸が直交するように配置され
る。ＴＮ型液晶表示装置では正の誘電率異方性を有する
液晶６９と水平配向膜６６，７６を用いているので、配
向膜６６，７６の近傍の液晶分子６９ａは配向膜６６，
７６のラビング方向に配向する。図４４（ａ）に示すよ
うに、２枚の偏光板６７，７７を偏光軸が直交するよう
に配置したＴＮ型液晶表示装置では、２つの配向膜６
６，７６の間の液晶分子６９ａは、一方の基板６１側か
ら他方の基板７１側に向かうにつれて螺旋状に配向方向
を変えていく。このとき、偏光板６７を通過した光は直
線偏光となり液晶６９の層に入る。液晶分子６９ａは徐
々に捩じれて配向しているので、入力した光の偏光方向
も徐々に捩じれ、光が偏光板７７を通過する。
【０００７】画素電極６２と対向電極７５との間の電圧
を徐々に上げていくと、ある電圧（しきい値）を境に液
晶分子６９ａが電界の方向に立ち上がり始め、十分な電
圧を印加すると、図４４（ｂ）に示すように、液晶分子
６９ａは基板６１，７１に対しほぼ垂直になる。このと
き、偏光板６７を通過した光は液晶６９の層で偏光軸が
回転しないため、偏光板７７を通過することができな
い。
【０００８】つまり、ＴＮ型液晶表示装置では、印加電
圧に応じて、液晶分子が基板６１，７１に対し殆ど平行
な状態から殆ど垂直な状態に変化し、液晶表示装置を透
過する光の透過率もこれに応じて変化する。各画素毎に
光の透過率を制御することにより、液晶表示装置に所望
の画像を表示することができる。ところで、上述した構
造のＴＮ型液晶表示装置では、視野角特性がよくない。
すなわち、基板に対し垂直な方向から画像を見ると良好
な表示品質が得られるものの、斜め方向から画像を見る
とコントラストが著しく低下したり、濃淡が反転してし
まう。
【０００９】ＴＮ型液晶表示装置の視野角特性を改善す
る方法として、配向分割が知られている。これは、１つ
の画素内に配向方向が異なる２以上の領域を設けること
により達成される。具体的には、１つの画素領域を２以
上の領域に分けて、配向膜のラビング方向がそれぞれ異
なるようにラビングする。これにより、一方の領域で漏
れた光が他方の領域で遮断されるので、中間調表示にお
けるコントラストの低下が改善される。
【００１０】また、近年、ＴＮ型液晶表示装置よりも視
角特性及び表示品質が優れた液晶表示装置として垂直配
向型液晶表示装置が注目されている。ＴＮ型液晶表示装
置では正の誘電率異方性を有する液晶（ポジ型液晶）と
水平配向膜とを組み合わせて使用するのに対し、垂直配
向型液晶表示装置では負の誘電率異方性を有する液晶
（ネガ型液晶）と垂直配向膜とを組み合わせて使用す
る。垂直配向型液晶表示装置では、画素電極と対向電極
との間に電圧を印加しない状態では液晶分子が基板に対
しほぼ垂直な方向に配向し、画素電極と対向電極との間
に電圧を印加すると液晶分子の配向方向は基板に対し水
平な方向に傾いていく。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の垂直
配向型液晶表示装置では、図４３に示すＴＮ型液晶表示
装置と同様に、スペーサによりセル厚を一定の厚さに維
持している。スペーサは、前述したように球形又は円柱
形のプラスチップ又はガラスからなり、ＴＦＴ基板とＣ
Ｆ基板とを貼合わせるときにいずれか一方の基板上に散
布される。
【００１２】従って、従来の垂直配向型液晶表示装置で
は、スペーサを散布する工程が必要であり、煩雑であ
る。また、スペーサの散布密度のばらつきによりセル厚
が不均一になり、表示品質が低下する。更に、振動や衝
撃が加えられるとスペーサが移動し、セル厚のばらつき
の原因となる。更にまた、ガラス基板に強い圧力が加え
られるとスペーサがカラーフィルタにめり込み、セル厚
が変化する。
【００１３】以上から本発明の目的は、スペーサを散布
する工程を省略することができ、かつセル厚の変化を避
けることができて、表示品質が良好な液晶表示装置及び
その製造方法を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本願請求項１に記載の液
晶表示装置は、図１に例示するように、一方の面側に形
成された第１の電極３２と、該第１の電極３２を覆う第
１の垂直配向膜３６とを有する第１の基板３０と、前記
第１の基板３０の前記一方の面に対向する面側に形成さ
れた第２の電極４４と、該第２の電極４４の上に絶縁材
料により形成された第１の突起パターン４５と、前記第
２の電極４４及び前記第１の突起パターン４５を覆う第
２の垂直配向膜４６とを有し、前記第１の突起パターン
４５の先端部分が前記第１の基板３０に接触した第２の
基板４０と、前記第１の基板３０と前記第２の基板４０
との間に封入された負の誘電率異方性を有する液晶４９
とを有することを特徴とする。
【００１５】垂直配向型液晶表示装置は、ＴＮ型液晶表
示装置に比べて視野角特性が良好であるが、配向分割に
より視野角特性をより一層向上させることができる。垂
直配向型液晶表示装置では、電極（画素電極３２及び対
向電極４４のうち少なくとも一方）の上方に突起パター
ン３５，４５を設けることにより、配向分割を達成する
ことができる。つまり、垂直配向型液晶表示装置では、
液晶分子は垂直配向膜の表面に対し垂直方向に配向する
ので、電極３２，４５の上方に突起パターン３３，４５
を設けると、突起パターン３２，４５の一方の斜面と他
方の斜面で液晶分子の配向方向が異なり、配向分割が達
成される。
【００１６】本発明では、電極の上方に絶縁体からなる
突起パターン３５，４５を設けることにより配向分割を
達成するとともに、少なくとも突起パターン４５の一部
を一方の基板４０側から他方の基板３０側に大きく突出
させて突起パターン４５の先端部分を他方の基板３０に
接触させて、これによりセル厚を一定に維持する。この
ように、本発明においては、配向分割を達成するための
突起パターン４５によりセル厚を一定に維持するので、
球形又は円柱形のスペーサを散布する工程が不要になる
とともに、スペーサの移動やカラーフィルタへのめり込
みによる表示品質の劣化が回避される。
【００１７】配向分割を達成するための突起パターン
（画素領域に形成される突起パターン３５）のパターン
幅が狭すぎると、配向分割の効果を十分に得ることがで
きない。逆に、配向分割を達成するための突起パターン
３５のパターン幅が広すぎると、開口率が低下して明る
い画像を表示することができなくなる。このため、配向
分割を達成するための突起パターン３５のパターン幅
は、３〜１５μｍとすることが好ましい。
【００１８】また、配向分割を達成するための突起パタ
ーン３５の高さが低すぎると、配向分割の効果を十分に
得ることができない。このため、配向分割を達成するた
めの突起パターン３５の高さは、遮光膜４２（ブラック
マトリクス）の開口部におけるセル厚の１／５以上とす
ることが必要である。配向分割を達成するための突起パ
ターン３５に替えて、図４（ｂ），図５に例示するよう
に、電極２ｂ，３２にスリット６，３２ａを形成しても
よい。これにより、電圧を印加したときにスリット６，
３２ａの近傍では電界の方向が電極の面に対し若干傾く
ため、突起パターンを設けたときと同様に配向分割が達
成される。
【００１９】なお、特開平７−３１１３８３号公報に
は、基板上に窒化シリコンまたは酸化シリコンからなる
突起パターンを設け、その上に透明電極及び配向膜を形
成した液晶表示装置が開示されている。しかし、特開平
７−３１１３８３号公報に開示された技術は、水平配向
型液晶表示装置に関するものであり、本発明とは作用及
び効果が異なる。すなわち、特開平７−３１１３８３号
公報に開示された技術では、突起パターンの上に電極が
あるので電極が基板に対し傾斜した面をもつことにな
る。上記の技術を垂直配向型液晶表示装置に適用する
と、電圧を印加していないときは液晶分子が傾斜面に対
し垂直に配向し、電圧を印加すると、液晶分子は傾斜面
に平行な方向に配向しようとする。しかし、電圧を印加
したときに傾斜面近傍の液晶分子がどちら側に回転する
かは不定であり、配向の乱れの原因となる。一方、本発
明では、電極は基板に対し平行であるので、電圧を印加
すると、突起パターンの傾斜面に対し垂直な方向に対向
している液晶分子に対し斜めの方向から電界が加わる。
従って、液晶分子の回転方向が決まり、配向の乱れが回
避される。
【００２０】本願請求項５に記載の液晶表示装置の製造
方法は、図１に例示するように、第１の基板上４１に各
画素領域の間を遮光する遮光膜４２を形成する工程と、
前記第１の基板４１上の前記画素領域上にカラーフィル
タ４３を形成する工程と、前記カラーフィルタ４３の上
に対向電極４４を形成する工程と、前記対向電極４４の
上に絶縁材料からなる第１の突起パターン４５を形成す
る工程と、前記第１の基板４１の上側に前記対向電極４
４及び前記第１の突起パターン４５を覆う第１の垂直配
向膜４６を形成する工程と、第２の基板３１の上側に複
数の画素電極３２を形成する工程と、前記第２の基板３
１の上側に前記画素電極３２を覆う第２の垂直配向膜３
６を形成する工程と、前記第１の基板４１と前記第２の
基板３１とを前記第１の垂直配向膜４６及び前記第２の
垂直配向膜３６が形成された面を対向させ、かつ前記第
１の突起パターン４５の先端部分を前記第２の基板３１
の前記第２の垂直配向膜３６に接触させて配置する工程
とを有することを特徴とする。なお、第１の基板と第２
の基板との間に液晶を封入方法としては、第１の基板と
第２の基板とをシール材で接合した後に両基板の間に液
晶を注入する方法と、第１の基板又は第２の基板のいず
れか一方に液晶を滴下し、その後一方の基板の上に他方
の基板を配置して、これらの基板を接合する方法とがあ
る。本発明方法では、どちらの方法を採用してもよい。
【００２１】本発明方法により形成した液晶表示装置で
は、突起パターン４５により配向分割が達成されると共
に、突起パターン４５によりセル厚が一定に維持され
る。これにより、スペーサを散布する工程が不用になる
とともに、スペーサの移動やカラーフィルタへのめり込
みによる表示品質の劣化が回避される。本願請求項２に
記載の液晶表示装置は、図８に例示するように、一方の
面側に形成された複数の第１の電極３２と、該第１の電
極３２を覆う第１の垂直配向膜３６とを有する第１の基
板３０と、前記第１の基板３０の前記一方の面に対向す
る面側に形成されて前記第１の基板３０の前記第１の電
極間３２の領域に対応する領域に配置された遮光膜５２
と、前記第１の基板３０の各第１の電極３２に対向して
配置された複数のカラーフィルタ５３と、前記遮光膜５
２及び前記カラーフィルタ５３の上方に形成された第２
の電極５４と、前記第２の電極５４の上に絶縁材料によ
り形成された第１の突起パターン５５と、前記第２の電
極５４及び少なくとも前記第２の電極５４上の前記第１
の突起パターン５５を覆う第２の垂直配向膜５６とを有
し、前記遮光膜５２の上方の前記第１の突起パターン５
５の先端部分が前記第１の基板３０に接触した第２の基
板５０と、前記第１の基板３０と前記第２の基板５０と
の間に封入された負の誘電率異方性を有する液晶４９と
を有することを特徴とする。
【００２２】本発明においては、遮光膜５２を厚く形成
し、その上に突起パターン５５を形成して、他方の基板
に接触させる。突起パターンのうち他方の基板に接触す
る部分を遮光膜の上に配置することにより、開口率の低
下を回避できる。また、図１１に例示するように、遮光
膜５２は、赤（Ｒ）・緑（Ｇ）・青（Ｂ）の３色のカラ
ーフィルタのうち２つ以上を重ねることにより形成して
もよい。この場合、クロム（Ｃｒ）等の金属を使用して
遮光膜を形成する方法に比べて、製造工程を簡略化する
ことができる。
【００２３】本願請求項６に記載の液晶表示装置の製造
方法は、図１１に例示するように、第１の基板５１上の
各画素領域に赤色、緑色及び青色のカラーフィルタ５３
Ｒ，５３Ｇ，５３Ｂのいずれか１つを選択的に形成する
とともに、各画素領域の間に前記赤色、緑色及び青色の
カラーフィルタ５３Ｒ，５３Ｇ，５３Ｂのうちの少なく
とも２つのカラーフィルタを重ね合わせて形成して遮光
膜５２とする工程と、前記カラーフィルタ５３Ｒ，５３
Ｇ，５３Ｂの上に対向電極５４を形成する工程と、前記
対向電極５４の上に絶縁材料からなる第１の突起パター
ン５５を形成する工程と、前記第１の基板５１の上側に
前記対向電極５４及び前記第１の突起パターン５５を覆
う第１の垂直配向膜５６を形成する工程と、第２の基板
３１の上側に複数の画素電極３２を形成する工程と、前
記第２の基板３１の上側に前記画素電極３２を覆う第２
の垂直配向膜３６を形成する工程と、前記第１の基板５
１と前記第２の基板３１とを前記第１の垂直配向膜５６
及び前記第２の垂直配向膜３６が形成された面を対向さ
せ、かつ前記第１の突起パターン５５の先端部分を前記
第２の基板３１の前記垂直配向膜に接触させて配置する
工程とを有することを特徴とする。
【００２４】本発明においては、カラーフィルタ５３
Ｒ，５３Ｇ，５３Ｂのうちの少なくとも２つのカラーフ
ィルタを重ね合わせて形成して遮光膜５２とするので、
Ｃｒ等により遮光膜を形成する工程が不用になる。ま
た、遮光膜５２の上方の突起パターン５５の先端部分を
他方の基板３０に接触させてセル厚を一定に維持するの
で、スペーサを散布する工程が不用である。これらによ
り、製造工程が簡略化される。
【００２５】本願請求項７に記載の液晶表示装置は、図
１７，図１８に例示するように、一方の面側に形成され
た複数の第１の電極１０２と、該第１の電極１０２を覆
う第１の垂直配向膜１０６とを有する第１の基板１００
と、前記第１の基板１００の前記第１の電極１０２に対
向して配置された赤色、緑色及び青色のカラーフィルタ
１１３Ｒ，１１３Ｇ，１１３Ｂと、これらのカラーフィ
ルタ１１３Ｒ，１１３Ｇ，１１３Ｂのうちの少なくとも
２つのカラーフィルタが重なって構成され、前記の各第
１の電極１０２間の領域に対応する領域に配置された遮
光膜１１２と、少なくとも前記カラーフィルタ１１３
Ｒ，１１３Ｇ，１１３Ｂを覆う第２の電極１１４と、前
記遮光膜１１２の上方に選択的に形成されたセル厚調整
層１１７と、前記第２の電極１１４及び前記セル厚調整
層１１７の上方に絶縁材料により形成された突起パター
ン１１５と、前記第２の電極１１４及び少なくとも前記
第２の電極１１４上の前記突起パターン１１５を覆う第
２の垂直配向膜１１６とを有し、前記突起パターン１１
５の先端部分が前記第１の基板１００に接触した第２の
基板１１０と、前記第１の基板１００と前記第２の基板
１１０との間に封入された負の誘電率異方性を有する液
晶４９とを有することを特徴とする。
【００２６】本発明においては、遮光膜１１２の上に設
けられたセル厚調整層１１７により、セル厚を調整する
ことができる。これにより、カラーフィルタ１１３Ｒ，
１１３Ｇ，１１３Ｂの厚さを厚くしなくとも、最適なセ
ル厚に調整することが可能になる。この場合、第２の基
板は、図２３に例示するように、第１の基板の前記第１
の電極に対向して配置された赤色、緑色及び青色のカラ
ーフィルタ１１３Ｒ，１１３Ｇ，１１３Ｂと、これらの
カラーフィルタ１１３Ｒ，１１３Ｇ，１１３Ｂのうちの
少なくとも２つのカラーフィルタが重なって構成され、
前記の各第１の電極間の領域に対応する領域に配置され
た遮光膜１１２と、前記カラーフィルタ１１３Ｒ，１１
３Ｇ，１１３Ｂ及び前記遮光膜１１２を覆う第２の電極
１１６と、前記第２の電極の上に絶縁材料により形成さ
れた突起パターン１１７と、前記遮光膜１１２の上方の
前記突起パターン１１７の上に形成されたセル厚調整層
１１８と、前記第２の電極及び前記セル厚調整層を覆う
第２の垂直配向膜１１６とを有する基板を使用してもよ
い。
【００２７】本願請求項９に記載の液晶表示装置は、図
２４に例示するように、一方の面側に形成された複数の
第１の電極１０２と、該第１の電極を覆う第１の垂直配
向膜１０とを有する第１の基板１００と、前記第１の基
板１００の第１の電極１０２の間の領域に対応する領域
に配置された非透光性材料からなる遮光膜１２２と、前
記第１の基板１００の前記第１の電極１０２に対向して
配置されるとともに、少なくとも１つが前記遮光膜１２
２の上を覆う赤色、緑色及び青色のカラーフィルタ１２
３Ｒ，１２３Ｇ，１２３Ｂと、前記カラーフィルタ１２
３Ｒ，１２３Ｇ，１２３Ｂを覆う第２の電極１２６と、
前記第２の電極１２６の上に絶縁材料により形成された
突起パターン１２５と、前記第２の電極１２６及び少な
くとも前記第２の電極１２６上の前記突起パターン１２
５を覆う第２の垂直配向膜１２６とを有し、前記突起パ
ターン１２５の先端部分が前記第１の基板１００に接触
した第２の基板１２０と、前記第１の基板１００と前記
第２の基板１２０との間に封入された負の誘電率異方性
を有する液晶４９とを有することを特徴とする。
【００２８】本発明においても、黒色樹脂のような非透
光性材料からなる遮光膜１２２によりセル厚を調整する
ことができるので、カラーフィルタ１２３Ｒ，１２３
Ｇ，１２３Ｂを厚くしなくても、最適なセル厚に調整す
ることができる。この場合に、図２５に例示するよう
に、前記遮光膜が、金属又は金属化合物からなる膜（遮
光膜）１３２と、その膜１３２の上に形成されたレジス
ト１３７とにより構成されていてもよい。
【００２９】本発明においては、遮光膜１３２のパター
ニングに使用したレジスト１３７を残し、そのレジスト
１３７の上に形成された突起パターン１３５の先端部分
を第１の基板１００に接触させてセル厚を一定に維持す
る。これにより、製造工程が簡単であるという利点があ
る。本願請求項１０に記載の液晶表示装置の製造方法
は、図１７，図１８，図２０，図２１に例示するよう
に、第１の基板１１１の上の画素領域にカラーフィルタ
１１３Ｒ，１１３Ｇ，１１３Ｂを形成するとともに、画
素領域間の領域に前記カラーフィルタ１１３Ｒ，１１３
Ｇ，１１３Ｂを２層以上に重ねて遮光膜１１２を形成す
る工程と、少なくとも前記カラーフィルタ１１３Ｒ，１
１３Ｇ，１１３Ｂの上に対向電極１１４を形成する工程
と、前記遮光膜１１２の上方の所定領域に絶縁材料から
なるセル厚調整層１１７を形成する工程と、前記対向電
極１１４及び前記セル厚調整層１１７の上にドメイン規
制手段として絶縁材料からなる突起パターン１１５を形
成する工程と、前記対向電極１１４及び少なくとも前記
対向電極１１４上の前記突起パターン１１５を覆う第１
の垂直配向膜１１６を形成する工程と、第２の基板１０
１の上側に複数の画素電極１０２を形成する工程と、前
記画素電極１０２を覆う第２の垂直配向膜１０６を形成
する工程と、前記第１の基板１１１と前記第２の基板１
０１とを前記第１の垂直配向膜１１６及び前記第２の垂
直配向膜１０６が形成された面を対向させ、かつ前記突
起パターン１１５の先端部分を前記第２の基板１０１の
前記第２の垂直配向膜１０６に接触させて配置する工程
とを有することを特徴とする。
【００３０】本発明においては、セル厚調整層１１７に
よりセル厚を調整することができるので、カラーフィル
タ１１３Ｒ，１１３Ｇ，１１３Ｂの厚さを過剰に厚くす
る必要がない。本願請求項１１に記載の液晶表示装置の
製造方法は、図２５〜図２７に例示するように、第１の
基板に金属膜及び感光性レジスト膜を形成し、フォトリ
ソグライフィ法により前記感光性レジスト及び前記金属
膜をパターニングして画素間の領域に前記金属膜及び前
記レジスト膜を残し、前記金属膜からなる遮光膜１３２
と該遮光膜１３２を覆うレジスト膜１３７とを形成する
工程と、画素領域に赤色、緑色及び青色のカラーフィル
タ１３３Ｒ，１３３Ｇ，１３３Ｂを形成するとともに、
前記レジスト膜１３２の上に１色以上のカラーフィルタ
１３３Ｒ，１３３Ｇ，１３３Ｂを形成する工程と、前記
カラーフィルタ１３３Ｒ，１３３Ｇ，１３３Ｂの上に対
向電極１３３を形成する工程と、前記対向電極１３３の
上にドメイン規制手段として絶縁材料からなる突起パタ
ーン１３５を形成する工程と、前記対向電極１３４及び
少なくとも前記対向電極１３４上の前記突起パターン１
３５を覆う第１の垂直配向膜１３６を形成する工程と、
第２の基板１０１の上側に複数の画素電極１０２を形成
する工程と、前記画素電極１０２を覆う第２の垂直配向
膜１０６を形成する工程と、前記第１の基板１３１と前
記第２の基板１０１とを前記第１の垂直配向膜１３６及
び前記第２の垂直配向膜１０６が形成された面を対向さ
せ、かつ前記突起パターン１３５の先端部分を前記第２
の基板１０１側に接触させて配置する工程とを有するこ
とを特徴とする。
【００３１】本発明においては、遮光膜１３２のパター
ニングに使用したレジスト膜１３７によりセル厚を調整
することが可能であり、比較的容易に製造することがで
きる。本願請求項１２に記載の液晶表示装置は、図２
８，図２９に例示するように、一方の面側に形成された
複数の第１の電極１０２と、該第１の電極を覆う第１の
垂直配向膜１０６とを有する第１の基板１００と、前記
第１の基板１００の前記第１の電極１０２に対向して配
置された赤色、緑色及び青色のカラーフィルタ１４３
Ｒ，１４３Ｇ，１４３Ｂと、赤色画素の周囲では青色カ
ラーフィルタ１４３Ｂと該青色カラーフィルタ１４３Ｂ
の上の赤色カラーフィルタ１４３Ｒとにより構成され、
緑色画素の周囲では青色カラーフィルタ１４３Ｂと該青
色カラーフィルタ１４３Ｂの上の緑色カラーフィルタ１
４３Ｇとにより構成された遮光膜１４２と、前記カラー
フィルタ１４３Ｒ，１４３Ｇ，１４３Ｂ及び前記遮光膜
１４２を覆う第２の電極１４４と、前記第２の電極１４
４を覆う第２の垂直配向膜１４６とを有する第２の基板
１４０と、前記第１の基板１００と前記第２の基板１４
０との間に封入された負の誘電率異方性を有する液晶４
９とを有することを特徴とする。
【００３２】本発明では、赤色画素の周囲では青色カラ
ーフィルタ１４３Ｂと赤色カラーフィルタ１４３Ｒとの
２層のカラーフィルタにより遮光膜１４２を構成し、緑
色画素の周囲では青色カラーフィルタ１４３Ｂと緑色カ
ラーフィルタ１４３Ｇとにより遮光膜１４２を構成して
いる。これにより、赤色画素側の段差の傾斜角度及び緑
色側の段差の傾斜角度が小さくなり、液晶分子の配向異
常に起因する光漏れを軽減することができる。
【００３３】本願請求項１４に記載の液晶表示装置に製
造方法は、図２９〜図３２に例示するように、第１の基
板１４１の上の青色画素領域及び遮光領域に青色カラー
フィルタ１４３Ｂを形成する工程と、前記第１の基板１
４１の上の赤色画素領域、該赤色画素領域の周囲の遮光
領域及び前記青色画素領域の周囲の遮光領域の一部の前
記青色カラーフィルタ１４３Ｂの上に赤色カラーフィル
タ１４３Ｒを形成する工程と、前記第１の基板１４１上
の緑色画素領域、該緑色画素領域の周囲の遮光領域及び
前記青色画素領域の周囲の遮光領域の残部の前記青色カ
ラーフィルタ１４３Ｂの上に緑色カラーフィルタ１４３
Ｇを形成する工程と、前記赤色カラーフィルタ１４３
Ｒ、前記青色カラーフィルタ１４３Ｂ及び前記緑色カラ
ーフィルタ１４３Ｇの上に対向電極１４４を形成する工
程と、前記対向電極１４４の上にドメイン規制手段とし
て絶縁材料からなる突起パターン１４５を形成する工程
と、前記対向電極１４４及び前記突起パターン１４５を
覆う第１の垂直配向膜１４６を形成する工程と、第２の
基板１０１の上に複数の画素電極１０２を形成する工程
と、前記画素電極１０２を覆う第２の垂直配向膜１０６
を形成する工程と、前記第１の基板１４１と前記第２の
基板１０１とを前記第１の垂直配向膜１４６及び前記第
２の垂直配向膜１０６が形成された面を対向させ、かつ
前記突起パターン１４５の先端部分を前記第２の基板１
００側に接触させて配置することを特徴とする。
【００３４】本発明では、カラーフィルタを２層に重ね
て遮光膜を形成し、その上に形成した突起パターン１４
５の先端部分でセル厚を一定に維持するので、比較的容
易に製造することができる。赤色カラーフィルタと青色
カラーフィルタとを重ねて遮光膜とする場合、表示領域
の外側部分で青色光の光漏れが発生することがある。こ
れを防止するために、請求項１５に記載し、図３５に例
示するように、表示領域の外側部分に、青色光を遮断す
る冗長遮光膜１５２を形成することが好ましい。これに
より、表示領域外側部分における青色光の光漏れを確実
に防止することができて、表示品質が向上する。本発明
は、垂直配向膜を使用するＶＡ（Vertically Aligned）
モードの液晶表示装置だけでなく、水平配向膜を使用す
る液晶表示装置にも適用することができる。
【００３５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、添付の図面を参照して説明する。 （第１の実施の形態）図１は本発明の第１の実施の形態
の液晶表示装置の断面図、図２は同じくその液晶表示装
置のＴＦＴ基板３０の平面図、図３は同じくその液晶表
示装置のＣＦ基板４０の平面図である。なお、図３に
は、ＴＦＴ基板３０側に形成された突起パターン３５を
一点鎖線で示す。
【００３６】本実施の形態の液晶表示装置は、ＴＦＴ基
板３０とＣＦ基板４０との間に負の誘電率異方性を有す
る液晶４９を封入した構造を有している。また、ＴＦＴ
基板３０の上側及びＣＦ基板４０の下側にはそれぞれ偏
光板（図示せず）が配置されている。これらの偏光板
は、偏光軸が相互に直交するように配置されている。Ｔ
ＦＴ基板３０は、ガラス基板３１と、このガラス基板３
１の下面側に形成された画素電極３２、絶縁膜３４ａ〜
３４ｃ及び配向膜３６等により構成される。すなわち、
図２に示すように、ガラス基板３１の下面側には複数本
のゲートバスライン３３ｂが相互に並行に形成されてい
る。また、各ゲートバスライン３３ｂの間には、それぞ
れ補助容量電極３３ｃが形成されている。これらのゲー
トバスライン３３ｂ及び補助容量電極３３ｃは、ガラス
基板３１の下面側に形成された絶縁膜（ゲート絶縁膜）
３４ａに被覆されている（図１参照）。この絶縁膜３４
ａの下には、ＴＦＴ３７の活性層となるシリコン膜３７
ｂが選択的に形成されている。このシリコン膜３７ｂ
は、アモルファスシリコン又はポリシリコンからなる。
ゲートバスライン３３ｂとドレインバスライン３３ａと
により区画された矩形の領域がそれぞれ画素となる領域
である。
【００３７】絶縁膜３４ａ及びシリコン膜３７ａの下に
は絶縁膜３４ｂが形成されている。この絶縁膜３４ｂの
下には、複数本のドレインバスライン３３ａと、ＴＦＴ
３７のドレイン電極３７ａ及びソース電極３７ｃとが形
成されている。ドレインバスライン３３ａはゲートバス
ライン３３ａに直交するように形成されている。また、
ドレイン電極３７ａはドレインバスライン３３ａに電気
的に接続されている。これらのドレインバスライン３３
ａ、ドレイン電極３７ａ及びソース電極３７ｃは、絶縁
膜３４ｂの下に形成された絶縁膜（最終保護膜）３４ｃ
に覆われている。そして、この絶縁膜３４ｃの下側に
は、ＩＴＯからなる画素電極３２が、１つの画素毎に１
つずつ形成されている。この画素電極３２は、絶縁膜３
４ｃに形成されたコンタクトホールを介してソース電極
３７ｃと電気的に接続されている。
【００３８】画素電極３２の下側には、図２に一点鎖線
で示すように突起パターン３５がジグザグ形状に形成さ
れている。この突起パターン３５は、絶縁性の樹脂によ
り、約１．５μｍの高さに形成されている。また、ガラ
ス基板３１の下側の全面には垂直配向膜３６が形成され
ており、この垂直配向膜３６により画素電極３２及び突
起パターン３５の表面が覆われている。なお、図２中に
おいてデータバスライン３３ａとゲートバスライン３３
ｂとが交差する部分に破線で示した台形の部分は、後述
するＣＦ基板４０の突起パターン４５が接触する位置を
示している。
【００３９】一方、ＣＦ基板４０は、ガラス基板４１
と、ガラス基板４１の上面側に形成されたブラックマト
リクス４２、カラーフィルタ４３、対向電極４４及び垂
直配向膜４６等により構成される。すなわち、図３に示
すように、ガラス基板４１の上面上には、クロム（Ｃ
ｒ）の薄膜からなるブラックマトリクス４２が形成され
ている。このブラックマトリクス４２は、ＴＦＴ基板３
０のドレインバスライン３３ａ、ゲートバスライン３３
ｂ、補助容量電極３３ｃ及びＴＦＴ３７を覆う形状に形
成されている。
【００４０】また、ガラス基板４１上には、赤（Ｒ）、
緑（Ｇ）及び青（Ｂ）のカラーフィルタ４３が形成され
ている。これらのカラーフィルタ４３はＴＦＴ基板３０
の画素電極３２に対向する位置に配置され、１つの画素
電極３２に赤、緑又は青のいずれか１つのカラーフィル
タ４３が対応している。また、カラーフィルタ４３の縁
部はブラックマトリクス４２の縁部に重なっている。
【００４１】ブラックマトリクス４２及びカラーフィル
タ４３の上には、ＩＴＯからなる対向電極４４が形成さ
れている。また、この対向電極４４の上には突起パター
ン４５が図３に太線で示すようにジグザグ形状に形成さ
れている。この突起パターン４５の高さは約４．０μｍ
であり、絶縁性樹脂により形成されている。また、対向
電極４４の上には垂直配向膜４６が形成されており、突
起パターン４５の表面はこの垂直配向膜４６に覆われて
いる。なお、ＣＦ基板４０側の突起パターン４５は、図
３に示すように、ＴＦＴ基板３０側の突起パターン３５
の間に配置されている。
【００４２】本実施の形態においては、ＴＦＴ基板３０
側の突起パターン３５は約１．５μｍの高さに形成され
ており、ＣＦ基板４０側の突起パターン４５は約４．０
μｍの高さに形成されている。そして、図１に示すよう
にＣＦ基板４０側の突起パターン４５の先端部分がＴＦ
Ｔ基板３０に接触し、セル厚を一定に維持している。こ
のため、本実施の形態では、従来必要とされていたスペ
ーサ（球形又は円柱形の部材）が不要であり、ＴＦＴ基
板３０側の画素電極３２とＣＦ基板４０側の対向電極４
４との短絡を確実に回避することができる。また、従来
の液晶表示装置のように球形又は円柱形のスペーサを使
用した場合は、スペーサの近傍では液晶分子がスペーサ
の表面に沿って配向してしまうため、配向が乱れて表示
不良の原因となることがある。しかし、本実施の形態で
は、球形又は円柱形のスペーサを使用しないので、良好
な表示品質が得られる。
【００４３】更に、本実施の形態においては、ＴＦＴ基
板３０側の突起パターン３５とＣＦ基板４０側の突起パ
ターン４５とにより配向分割が達成される。図４（ａ）
は突起パターンにより配向分割が達成される原理を説明
する模式図である。図４（ａ）に示す液晶表示装置で
は、一方の基板１ａの上側に電極２ａが形成されてお
り、この電極２ａの上に絶縁性材料からなる突起パター
ン３ａが形成されている。これらの電極２ａ及び突起パ
ターン３ａの表面は垂直配向膜４ａで覆われている。ま
た、他方の基板１ｂの下側に電極２ｂが形成されてお
り、この電極２ｂの下に絶縁性材料からなる突起パター
ン３ｂが形成されている。これらの電極２ｂ及び突起パ
ターン３ｂの表面は垂直配向膜４ｂで覆われている。
【００４４】一般的に、垂直配向型液晶表示装置では、
画素電極と対向電極との間に電圧を印加したときに液晶
分子が傾く方向を一定にするために、配向膜の表面にラ
ビング処理が施されている。しかし、図４（ａ）に示す
ように、電極２ａと配向膜４ａとの間に突起パターン３
ａを設け、電極２ｂと配向膜４ｂとの間に突起パターン
３ｂを設けた場合、突起パターン３ａ，３ｂの近傍の液
晶分子５は突起パターン３ａ，３ｂの表面に対し垂直方
向に配向する。この状態で電極２ａ，２ｂ間に電圧を印
加すると、突起パターン３ａ，３ｂの近傍の液晶分子５
の影響により、電極２ａ，２ｂ間の液晶分子５の傾く方
向が決まる。すなわち、突起パターン３ａ，３ｂの両側
で液晶分子５の傾く方向が逆になる。これにより、配向
膜４ａ，４ｂにラビング処理を施さなくとも、配向分割
が達成される。
【００４５】また、一方の基板１ｂ側に突起パターン３
ｂを設ける替わりに、図４（ｂ）に示すように、電極２
ｂにスリット６を設けてもよい。この場合も、電極２
ａ，２ｂ間に電圧を印加したときに液晶分子の傾く方向
が突起パターン３ａ及びスリット６の両側で逆方向にな
り、配向分割が達成される。本実施の形態では、図１に
示すように、対向電極４４の上及び画素電極３２の下に
それぞれジグザグ形状の突起パターン４５，３５が形成
されているので、１つの画素領域内で液晶分子の配向方
向が２以上に分割される。これにより、良好な視角特性
（コントラスト特性を含む）が得られる。また、本実施
の形態においては、ＣＦ基板４０側に設けられた突起パ
ターン４５によりセル厚を一定に維持する。この突起パ
ターン４５は対向電極４４上に固定されており、振動や
衝撃によりセル厚が変化することがない。従って、表示
品質の劣化が回避される。
【００４６】以下、第１の実施の形態の液晶表示装置の
製造方法について説明する。ＴＦＴ基板３０は以下のよ
うに形成する。まず、公知の方法により、ガラス基板３
１の上（図１では下面側）にドレインバスライン３３
ａ、ゲートバスライン３３ｂ、補助容量電極３３ｃ、Ｔ
ＦＴ３７、画素電極３２及び絶縁膜３４ａ〜３４ｃを形
成する。ドレインバスライン３３ａ、ゲートバスライン
３３ｂ、補助容量電極３３ｃの厚さは例えば０．１５μ
ｍ、ゲート絶縁膜３４ａの厚さは例えば約０．３５μ
ｍ、シリコン膜３７ｂの厚さは例えば０．０３μｍ、画
素電極３２の厚さは例えば、０．０７μｍ、絶縁膜３４
ｃの厚さは例えば０．３３μｍとする。
【００４７】次に、ガラス基板３１の上側全面にフォト
レジストを約１．５μｍの厚さに塗布した後、所定のパ
ターンを有するマスクを用いてフォトレジストを露光す
る。その後、現像処理を施し、厚さが約１．５μｍ、幅
が約１０μｍでジグザグ形状の突起パターン３５を形成
する。この場合、図２に示すように、突起パターン３５
により１つの画素領域が少なくとも２つの領域に分割さ
れるようにする。
【００４８】次いで、ガラス基板３１の上側に、所定の
パターンでポリアミック酸からなる垂直配向膜３６を約
０．１μｍの厚さに形成する。これにより、ＴＦＴ基板
３０が完成する。なお、垂直配向膜としては、上記した
ポリアミック酸の膜以外にもポリイミドの膜や、斜方蒸
着等により形成した無機膜を使用することができる。Ｃ
Ｆ基板４０は以下のように形成する。まず、ガラス基板
４１の上にクロム（Ｃｒ）膜を約０．１６μｍの厚さに
形成し、該クロム膜の上に所定のパターンを有するフォ
トレジストを形成し、このフォトレジストをマスクとし
てクロム膜をエッチングし、ブラックマトリクス４２を
形成する。
【００４９】次に、ガラス基板４１の上に、青色樹脂、
赤色樹脂及び緑色樹脂をそれぞれ塗布して、赤（Ｒ）・
緑（Ｇ）・青（Ｂ）のカラーフィルタ４３を形成する。
カラーフィルタ４３の厚さは、例えば約１．５μｍとす
る。また、各カラーフィルタ４３の縁部がブラックマト
リクス４２の縁部と若干重なるようにする。次に、基板
４１の上側全面に例えばＩＴＯをスパッタリングして、
厚さが約０．１５μｍの対向電極４４を形成する。その
後、対向電極４４の上にフォトレジストを約４．０μｍ
の厚さに塗布し、該フォトレジストを露光及び現像処理
して、厚さが約４．０μｍ、幅が約１０μｍの突起パタ
ーン４５を、図３に示すようにジグザグ形状に形成す
る。
【００５０】次いで、ガラス基板４１の上側に、ポリア
ミック酸からなる垂直配向膜４６を約０．１μｍの厚さ
に形成する。これにより、ＣＦ基板４０が完成する。こ
のようにしてＴＦＴ基板３０及びＣＦ基板４０を形成し
た後、配向膜３６，４６が形成された面を向かい合わせ
て配置し、ＴＦＴ基板３０の縁部とＣＦ基板４０の縁部
とを、液晶注入口となる部分を残して接合する。その
後、必要に応じて接合した基板３０，４０を所定のサイ
ズに切断する。
【００５１】次いで、ＴＦＴ基板３０とＣＦ基板４０と
の間に負の誘電率異方性を有する液晶４９を注入し、液
晶注入口の部分を密封する。その後、ＴＦＴ基板３０及
びＣＦ基板４０の外側にそれぞれ偏光板を貼り付ける。
これにより、本実施の形態の液晶表示装置が完成する。
本実施の形態においては、ＣＦ基板４０に設けた突起パ
ターン４５によりセル厚を一定に維持するので、従来必
要とされていた球形又は円柱形のスペーサを散布する工
程が不要である。また、スペーサの移動に起因するセル
厚の変化が防止されるので、表示むらの発生が回避され
る。更に、突起パターン３５，４５により配向分割を実
現するので、配向膜３６，４６にラビング処理を施す必
要がなく、ラビング工程及びラビング後の洗浄工程を省
略することができる。また、突起パターン４５は対向電
極４４上に固定されているので、振動や衝撃による位置
ずれがなく、セル厚の変化が防止される。これにより、
液晶表示装置の信頼性が向上する。更に、本実施の形態
においては、突起パターン３５，４５の傾斜面に直交す
るように液晶分子が配向するので、突起パターン３５，
４５の両側で液晶分子の配向方向が異なり、配向分割が
実現される。これにより、良好な視角特性が得られる。
【００５２】なお、本実施の形態ではＴＦＴ基板側に突
起パターン３５が設けられている場合について説明した
が、突起パターン３５を設ける替わりに、画素電極３２
にスリットを設けてもよい（図４（ｂ）参照）。この場
合も、配向分割が実現され、上記の実施の形態と同様の
効果が得られる。図５は、ＴＦＴ基板側の画素電極３２
にスリットを形成した例を示す図である。この例では、
画素電極３２に、ＣＦ基板４０側の突起パターン４５に
対し平行となるスリット３２ａを設けている。このよう
な構成とすると、電圧を印加したときにスリットの近傍
では電界の向きが基板に対し傾き、液晶分子は突起パタ
ーンに向かう方向に傾斜する。これにより、上記の実施
の形態と同様に、配向分割が達成される。
【００５３】本発明において、配向分割を実現するため
の突起パターンの幅が広すぎる場合及び突起パターンの
高さが高すぎる場合は、開口率が減少して透過率の低下
を招く。逆に突起パターンの幅が狭すぎる場合及び突起
パターンの高さが低すぎる場合は、配向分割の効果が得
られなくなったり、突起パターン形成時にパターン切れ
が発生しやすくなる。従って、配向分割を実現するため
の突起パターンの幅及び高さはセル厚に応じて適宜設定
することが好ましい。
【００５４】以下、配向分割を達成するための突起パタ
ーン（第１の実施の形態では、突起パターン３５）の高
さと幅について説明する。図６は、横軸に突起パターン
の高さとセル厚との割合（突起パターン高さ／セル厚）
をとり、横軸に白表示時の光の透過率をとって、両者の
関係を示す図である。この図６からわかるように、突起
パターンの高さとセル厚との割合を０．２以上とする
と、透過率が約３％以上となり、明るくコントラストが
高い画像を表示することができる。このため、配向分割
を実現するための突起パターンの高さは、セル厚の０．
２倍以上とすることが好ましい。突起パターンの高さの
より好ましい範囲は、セル厚の０．２〜０．８倍、更に
好ましい範囲は０．３〜０．５倍である。
【００５５】図７は、横軸に突起パターンのパターン幅
をとり、縦軸に白表示時の光の透過率をとって両者の関
係を示す図である。この図からわかるように、突起パタ
ーンのパターン幅を５μｍ〜１５μｍとすることによ
り、透過率が約３％以上となり、明るくコントラストが
高い画像を表示することができる。このため、突起パタ
ーンのパターン幅は５〜１５μｍとすることが好まし
い。
【００５６】（第２の実施の形態）図８は本発明の第２
の実施の形態の液晶表示装置の断面図、図９は同じくそ
の液晶表示装置のＣＦ基板の平面図である。本実施の形
態が第１の実施の形態と異なる点はＣＦ基板の構造が異
なることにあるので、図８において図１と同一物には同
一符号を付してその詳しい説明は省略する。
【００５７】ＣＦ基板５０側のガラス基板５１の上に
は、ＴＦＴ基板３０のゲートバスライン３３ｂ、ドレイ
ンバスライン３３ａ、ＴＦＴ及び補助容量電極に整合す
る位置にブラックマトリクス５２が形成されている。こ
のブラックマトリクス５２は、黒色樹脂により約４μｍ
の厚さに形成されている。また、ブラックマトリクス５
２の開口部には、赤（Ｒ）・緑（Ｇ）・青（Ｂ）のカラ
ーフィルタ５３が形成されている。これらのカラーフィ
ルタ５３の厚さはいずれも約１．５μｍである。そし
て、ブラックマトリクス５２及びカラーフィルタ５３の
上にはＩＴＯからなる対向電極５４が形成されており、
その対向電極５４の上には、高さが約１．５μｍの突起
パターン５５が、図９に示すようにジグザグ形状に形成
されている。そして、対向電極５４の上には垂直配向膜
５６が形成されており、突起パターン５５の表面も配向
膜５６に覆われている。ＣＦ基板５０側の突起パターン
５５は、データバスライン３３ａとゲートバスライン３
３ｂとが交差する部分（図２の破線で示す台形の部分）
でＴＦＴ基板３０に接触する。
【００５８】以下、本実施の形態の液晶表示装置の製造
方法について説明する。但し、ＴＦＴ基板の製造方法は
第１の実施の形態と同様であるので、ここでは省略す
る。まず、ガラス基板５１の上に、厚さが約４．０μｍ
のブラックマトリクス５２を黒色樹脂により形成する。
ブラックマトリクス５２の材料は特に限定するものでは
ないが、例えばカーボンブラックを混入したアクリル樹
脂を使用することができる。この場合、カーボンブラッ
クを混入したアクリル樹脂を基板５１上に塗布すること
によりブラックマトリクス５２を形成する。
【００５９】次に、ガラス板５１の上のブラックマトリ
クス５２の開口部分に、赤色樹脂、緑色樹脂及び青色樹
脂を約１．５μｍの厚さに順次塗布して、各画素領域
に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）又は青（Ｂ）のカラーフィルタ
５３を形成する。これにより、ブラックマトリクス５４
とカラーフィルタ５３との間には約２．５μｍの段差が
形成される。
【００６０】次いで、ガラス基板５１の上側全面に、Ｉ
ＴＯをスパッタリングして、厚さが約０．１５μｍの対
向電極５４を形成する。その後、対向電極５４の上に高
さが約１．５μｍ、幅が約１０μｍの突起パターン５５
をジグザグ形状に形成する。この突起パターン５５は、
第１の実施の形態と同様に、フォトレジストを使用して
形成する。この場合、露光マスクの突起パターンの幅が
均一であるとすると、図１０に示すように、露光及び現
像処理後にブラックマトリクス５２上の突起パターン５
５の幅が他の部分よりも狭くなり、スペーサとして必要
な強度を確保できなくなるおそれがある。このため、ブ
ラックマトリクス５２の上の突起パターン５５の幅は、
図９に示すように他の部分よりも広くすることが好まし
い。
【００６１】次いで、対向電極５４の上側に、ポリアミ
ック酸からなる垂直配向膜５６を約０．１５μｍの厚さ
に形成し、この垂直配向膜５６により対向電極５４及び
突起パターン５５の表面を被覆する。これにより、ＣＦ
基板５０が完成する。その後、図８に示すように、配向
膜３６，５６が形成された面を内側にしてＴＦＴ基板３
０とＣＦ基板５０とを重ね合わせる。この場合、ブラッ
クマトリクス５２上の突起パターン５５がＴＦＴ基板３
０に接触し、ＣＦ基板５０とＴＦＴ基板３０との間の隙
間（セル厚）が一定（約４μｍ）に維持される。
【００６２】次いで、ＴＦＴ基板３０及びＣＦ基板５０
の縁部を接合し、両者の間に負の誘電率異方性を有する
液晶を封入する。その後、ＴＦＴ基板３０及びＣＦ基板
５０の外側にそれぞれ偏光板（図示せず）を配置する。
これにより、本実施の形態の液晶表示装置が完成する。
本実施の形態においても、突起パターン３５，５５によ
り配向分割が実現され、第１の実施の形態と同様に良好
な視角特性が得られる。また、ブラックマトリクス５２
の上の突起パターン５５によりセル厚が一定に維持さ
れ、振動や衝撃が加えられてもセル厚が変化しないの
で、表示品質の劣化が回避される。更に、従来必要とさ
れていた球形又は円柱形のスペーサを散布する工程や配
向膜をラビング処理する工程が不要であり、液晶表示装
置の製造工程が簡略化されるという利点もある。更にま
た、突起パターン３５，５５により液晶分子の配向方向
を決めるので、ＣＦ基板に平坦化膜（オーバーコート）
を形成する必要がない。更にまた、本実施の形態では、
ブラックマトリクス５２上の突起パターン５５の幅を他
の部分よりも太くしているので、突起パターン５５を形
成する際にブラックマトリクス５２の上の突起パターン
５５のパターン幅が細くなることが回避される。このた
め、セル厚を保持する部分の突起パターン５５の高さが
均一になり、セル厚の変動が抑制される。
【００６３】なお、本実施の形態においても、図５に示
すように、ＴＦＴ基板３０側に突起３５を形成する替わ
りに、画素電極３２にスリットを設けてもよい。 （第３の実施の形態）図１１は本発明の第３の実施の形
態の液晶表示装置を示す断面図、図１２は同じくそのＣ
Ｆ基板の平面図である。本実施の形態が第２の実施の形
態と異なる点はＣＦ基板側の構造が異なることにあり、
その他の部分は基本的に第２の実施の形態と同様である
ので、図１１、図１２において、図８、図９と同一物に
は同一符号を付してその詳しい説明は省略する。
【００６４】ＣＦ基板５０側のガラス基板５１の上に
は、赤（Ｒ）のカラーフィルタ５３Ｒ、緑（Ｇ）のカラ
ーフィルタ５３Ｇ及び青（Ｂ）のカラーフィルタ５３Ｂ
が形成されており、ＴＦＴ基板３０のゲートバスライン
３３ｂ、ドレインバスライン３３ａ、ＴＦＴ及び補助容
量電極に整合する位置では、これらのカラーフィルタ５
３Ｒ，５３Ｇ，５３Ｂが３層に重なってブラックマトリ
クス５２となっている。各カラーフィルタ５３Ｒ，５３
Ｇ，５３Ｂの厚さはいずれも約１．５μｍである。但
し、これらのカラーフィルタ５３Ｒ，５３Ｇ，５３Ｂは
赤色、緑色又は青色の樹脂を塗布することにより形成す
るが、そのようにしてカラーフィルタ５３Ｒ，５３Ｇ，
５３Ｂを形成すると、重なり部分（ブラックマトリクス
５２）におけるカラーフィルタ５３Ｒ，５３Ｇ，５３Ｂ
の厚さは平坦部分（画素領域）のカラーフィルタ５３
Ｒ，５３Ｇ，５３Ｂよりも若干薄くなる。
【００６５】これらのカラーフィルタ５３Ｒ，５３Ｇ，
５３Ｂの上には、ＩＴＯからなる対向電極５４が約０．
１５μｍの厚さに形成されている。この対向電極５４の
上には、高さが約１．５μｍの絶縁性樹脂からなる突起
パターン５５が図１２に示すようにジグザグ形状に形成
されている。また、各画素領域の四隅の部分では、突起
パターン５５の幅は太くなっている。更に、突起パター
ン５５とブラックマトリクス５２とが交差する部分に
は、図１２に示すように突起パターン５５ａを設けて、
突起パターン５５の強度を補強することが好ましい。
【００６６】対向電極５４の上にはポリアミック酸から
なる垂直配向膜５６が形成されており、突起パターン５
５，５５ａの表面もこの配向膜５６により覆われてい
る。以下、本実施の形態の液晶表示装置の製造方法につ
いて、図１３、図１４を参照して説明する。但し、ＴＦ
Ｔ基板の製造方法は第１の実施の形態と同様であるの
で、ここでは省略する。
【００６７】まず、図１３（ａ）に示すように、ガラス
基板５１の上の青の画素領域及びブラックマトリクス５
２となる部分に青色の樹脂を約１．５μｍの厚さに塗布
して、カラーフィルタ５３Ｂを形成する。次に、図１３
（ｂ）に示すように、ガラス基板５１上の赤の画素領域
及びブラックマトリクス５２となる部分に赤色の樹脂を
約１．５μｍの厚さに塗布して、カラーフィルタ５３Ｒ
を形成する。その後、図１３（ｃ）に示すように、ガラ
ス基板５１の上の緑の画素領域及びブラックマトリクス
５２となる部分の上に緑色の樹脂を約１．５μｍの厚さ
に塗布して、カラーフィルタ５３Ｇを形成する。
【００６８】次に、図１４（ａ）に示すように、ガラス
基板５１の上側全面にＩＴＯを約０．１５μｍの厚さに
被覆して対向電極５４を形成する。その後、対向電極５
４の上に感光性樹脂を塗布し、突起パターンを有する露
光マスクを介して感光性樹脂を露光した後、現像処理を
施すことにより、図１４（ｃ）に示すように、突起パタ
ーン５５を形成する。その後、ガラス基板１１の上側に
ポリアミック酸を約０．１μｍの厚さに塗布して垂直配
向膜５６を形成する。
【００６９】次いで、図１１に示すように、ＣＦ基板５
０とＴＦＴ基板３０とを配向膜３６．５６を形成した面
を内側にして重ね合わせ、両者の間に負の静電率異方性
を有する液晶４９を封入する。このときＣＦ基板５０と
ＴＦＴ基板３０とはブラックマトリクス５２の上の突起
パターン５５の部分で接触し、セル厚が一定に維持され
る。これにより、本実施の形態の液晶表示装置が完成す
る。
【００７０】本実施の形態においては、Ｒ・Ｇ・Ｂの３
色のカラーフィルタ５５Ｒ．５５Ｇ．５５Ｂを重ね合わ
せてブラックマトリクス５２を形成している。従って、
第２の実施の形態で必要であった黒色樹脂によりブラッ
クマトリクスを形成する工程が不要になり、スペーサを
散布する工程及びラビング処理を施す工程が不要である
ことと相俟って、製造工程がより一層簡略化される。な
お、この例では、Ｒ・Ｇ・Ｂの３色を重ね合わせてブラ
ックマトリクス５２を形成しているが、最も遮光性が高
い青色のカラーフィルタを含む２色以上のカラーフィル
タを重ね合わせてブラックマトリクスとしてもよい。例
えば、赤と青とを重ねることにより、遮光率（ＯＤ値）
が２．０以上（透過率が１０-2以下）となるため、赤と
青とのカラーフィルタ５５Ｒ，５５Ｂを重ね合わせるだ
けでも十分な遮光性が得られる。
【００７１】また、本実施の形態では、カラーフィルタ
５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂを重ね合わせることによりブラ
ックマトリクス５２の部分を他の部分から突出させ、そ
の上に突起パターン５５を形成して、該突起パターン５
５の部分でＣＦ基板５０とＴＦＴ基板３０とを接触さ
せ、セル厚を一定に維持する。従って、振動や衝撃によ
りセル厚が変動するおそれがなく、良好な表示品質を維
持できる。
【００７２】なお、上記実施の形態では赤色、緑色及び
青色の樹脂をガラス基板上に塗布することによりカラー
フィルタ５３Ｒ，５３Ｇ，５３Ｂを形成しているが、熱
転写フィルム（ドライフィルム）によりこれらのカラー
フィルタを形成してもよい。上記実施の形態のように樹
脂を塗布してカラーフィルタを形成する場合、樹脂の乾
燥が完了するまでの間に樹脂が高いところから低いとこ
とに流れるいわゆるレベリングという現象が発生する。
このため、セル厚によっては、カラーフィルタを重ねて
所定の高さのブラックマトリクスを形成することが難し
いことがある。このような場合、熱転写フィルムを使用
することにより、所望の高さのブラックマトリクスを形
成することができる。
【００７３】例えば、着色層が２．０μｍの厚さの青色
の熱転写フィルムをガラス基板５１上の全面に熱転写
（ラミネート）した後、露光及び現像処理を施して青色
のカラーフィルタ５３Ｂを形成する。次に、赤色の熱転
写フィルムをガラス基板上５１上の全面に熱転写した
後、露光及び現像処理を施して、赤色のカラーフィルタ
５３Ｒを形成し、更に緑色の熱転写フィルムをガラス基
板上５１上の全面に熱転写した後、露光及び現像処理を
施して緑色のカラーフィルタ５３Ｇを形成する。
【００７４】この方法では、着色層が仮乾燥状態でガラ
ス基板５１に転写されるため、カラーフィルタの重なり
部分でもレベリングが起こらず、最終的にカラーフィル
タ５３Ｒ，５３Ｇ，５３Ｂの厚さはいずれも約１．５μ
ｍとなり、合計膜厚が約４．５μｍのブラックマトリク
スを形成することができる。図１５は第３の実施の形態
の変形例を示す液晶表示装置の断面図である。この例で
は、青（Ｂ）のカラーフィルタ５３Ｂの厚さを他のカラ
ーフィルタ５３Ｒ，５３Ｇの厚さよりも厚くしている。
具体的には、青のカラーフィルタ５５Ｂの厚さを約２．
０μｍとし、赤及び緑のカラーフィルタ５５Ｒ，５５Ｇ
の厚さを約１．５μｍとしている。従って、青の画素の
部分ではセル厚が約３．５μｍであり、赤及び緑の画素
の部分ではセル厚が約４．０μｍである。
【００７５】図１６は横軸にセル厚をとり、縦軸に光の
透過率（相対値）をとって、各色の画素におけるセル厚
（液晶層の厚さ）と透過率との関係を示す図である。こ
の図から明らかなように、青（Ｂ）の画素の場合は液晶
層の厚さが約３．５μｍ付近に透過率のピークがあり、
赤（Ｒ）及び緑（Ｇ）の画素の場合は液晶層の厚さが約
４．０〜４．５μｍのところに透過率のピークがある。
【００７６】このように、カラーフィルタの色毎（画素
毎）に液晶層の厚さを調整することにより光学特性Δｎ
ｄが最適され、ノーマリブラックモードの液晶表示装置
の場合、色度特性や透過率特性及びコントラスト等の特
性が良好になるという効果が得られる。 （第４の実施の形態）図１７は本発明の第４の実施の形
態の液晶表示装置の断面図、図１８は同じくその一部を
拡大して示す図、図１９は同じくその液晶表示装置のＣ
Ｆ基板１１０を示す平面図である。なお、図１７，図１
８ではＣＦ基板１１０を上側に、ＴＦＴ基板１００を下
側に示している。また、図１７では図１８に示す配向膜
１０６，１１６の図示を省略している。更に、図１９に
は、ＴＦＴ基板１００側の画素電極１０２に設けられた
スリット１０２ａを一点鎖線で示している。図１７は図
１９のＡ−Ａ線による断面図である。
【００７７】本実施の形態の液晶表示装置は、ＴＦＴ基
板１００とＣＦ基板１１０との間に負の誘電率異方性を
有する液晶４９を封入した構造を有している。また、Ｔ
ＦＴ基板１００の下側及びＣＦ基板１１０の上側にはそ
れぞれ偏光板（図示せず）が配置されている。これらの
偏光板は、偏光軸が相互に直交するように配置されてい
る。
【００７８】ＴＦＴ基板１００は、ガラス基板１０１
と、このガラス基板１０１の上面側に形成された画素電
極１０２、絶縁膜１０４ａ，１０４ｂ、配向膜１０６及
びＴＦＴ等により構成される。すなわち、図１８に示す
ように、ガラス基板１０１の上面側には複数本のゲート
バスライン１０３ｂと、複数本のドレインバスライン１
０３ａと、ＩＴＯからなる画素電極１０２とが形成され
ている。ゲートバスライン１０３ｂとドレインバスライ
ン１０３ａとの間は絶縁膜１０４ａにより絶縁されてお
り、ドレインバスライン１０３ａと画素電極１０２との
間は絶縁膜１０４ｂにより絶縁されている。画素電極１
０２には液晶分子の配向方向を決めるためのスリット１
０２ａが設けられている（図５参照）。スリット１０２
ａは、図１９に示すように、画素を複数の領域に分割す
るように、ジグザグ形状に設けられている。また、ガラ
ス基板１０１の上側全面には垂直配向膜１０６が形成さ
れており、この垂直配向膜１０６により画素電極１０２
の表面が覆われている。
【００７９】一方、ＣＦ基板１１０は、ガラス基板１１
１と、ガラス基板１１１の下面側に形成されたカラーフ
ィルタ１１３Ｒ，１１３Ｇ，１１３Ｂ、対向電極１１４
及び配向膜１１６等により構成される。すなわち、図１
８に示すように、ガラス基板１１１の下面にはカラーフ
ィルタ１１３Ｒ（赤），１１３Ｇ（緑），１１３Ｂ
（青）が形成されている。各画素領域には、これらのカ
ラーフィルタ１１３Ｒ，１１３Ｇ，１１３Ｂのうちのい
ずれか１色のフィルタが配置されている。また、画素と
画素との間の領域ではカラーフィルタ１１３Ｒ，１１３
Ｇ，１１３Ｂが３層に重なってブラックマトリクス１１
２となっている。ガラス基板１１１の下面側には、これ
らのカラーフィルタ１１３Ｒ，１１３Ｇ，１１３Ｂ及び
ブラックマトリクス１１２を覆うようにして、ＩＴＯか
らなる対向電極１１４が形成されている。
【００８０】また、ゲートバスライン１０３ｂ及びドレ
インバスライン１０３ａが交差する部分のブラックマト
リクス１１２の下方には、絶縁性樹脂からなるセル厚調
整層１１７が形成されている。更に、対向電極１１４の
上及びセル厚調整層１１７の下には、図１９に示すよう
に、突起パターン１１５がジグザグ形状に形成されてい
る。更にまた、対向電極１１４の下側全面には垂直配向
膜１１６が形成されており、この垂直配向膜１１６によ
り画素電極１１４の表面及び突起パターン１１５の表面
が覆われている。
【００８１】ＴＦＴ基板１００及びＣＦ基板１１０は配
向膜１０２，１１６が形成された面を対向させて配置さ
れており、ＴＦＴ基板１００のゲートバスライン１０３
ｂ及びドレインバスライン１０３ａが交差する部分に、
ＣＦ基板１１０のセル厚調整層１１７の下方の突起パタ
ーン１１５が接触することにより、ＴＦＴ基板１００と
ＣＦ基板１１０との間隔（セル厚）が一定に維持されて
いる。以下、ＴＦＴ基板とＣＦ基板との間のセル厚を一
定に維持する部分をスペーサ部という。
【００８２】図２０及び図２１は本実施の形態の液晶表
示装置のＣＦ基板の製造方法を工程順に示す断面図であ
る。なお、図２０，図２１では、カラーフィルタを形成
する面を上側にしてＣＦ基板を示している。まず、図２
０（ａ）に示すように、ガラス基板１１１上の青色画素
領域、ブラックマトリクス形成領域及び位置合わせマー
ク（図示せず）等のマーク形成領域に、青色カラーフィ
ルタ１１３Ｂを１．５μｍの厚さに形成する。青色カラ
ーフィルタ１１３Ｂの材料としては青色顔料を分散した
感光性レジストを使用し、この感光性レジストをガラス
基板１１１上に塗布した後、露光及び現像処理を施すこ
とにより、青色カラーフィルタ１１３Ｂを形成すること
ができる。
【００８３】次に、図２０（ｂ）に示すように、赤色顔
料を分散した感光性レジストを使用して、ガラス基板１
１１上の赤色画素領域及びブラックマトリクス形成領域
に、赤色カラーフィルタ１１３Ｒを１．５μｍの厚さに
形成する。次に、図２０（ｃ）に示すように、緑色顔料
を分散した感光性レジストを使用して、ガラス基板１１
１上の緑色画素形成領域及びブラックマトリクス形成領
域に、緑色カラーフィルタ１１３Ｇを１．５μｍの厚さ
に形成する。
【００８４】本実施の形態では、カラーフィルタ１１３
Ｒ，１１３Ｇ，１１３Ｂを重ねてブラックマトリクスを
形成するが、フィルタの重なり部分では画素領域に比べ
てフィルタの厚さが薄くなる。上記のように各フィルタ
１１３Ｒ，１１３Ｇ，１１３Ｂの厚さを１．５μｍとし
た場合、重なり部分の高さ（画素領域のカラーフィルタ
表面からの突出高さ）は約１．８μｍとなる。
【００８５】次に、図２１（ａ）に示すように、ガラス
基板１１１の上側全面にＩＴＯを１５００Åの厚さに形
成して対向電極１１４とする。次に、図２１（ｂ）に示
すように、対向電極１１４上の所定の領域（スペーサ
部）に高さが約３．０μｍのセル厚調整層１１７を形成
する。セル厚調整層１１７の材料としては例えばポジ型
のノボラック樹脂（感光性レジスト）を使用することが
できる。この場合、ガラス基板１１１の上側の全面にノ
ボラック樹脂を塗布し、その後露光及び現像処理を施す
ことにより、セル厚調整層１１７を形成する。
【００８６】次いで、図２１（ｃ）に示すように、ガラ
ス基板１１１の上側に、高さが約１．５μｍの突起パタ
ーン１１５を形成する。但し、カラーフィルタの重なり
部分では、突起パターン１１５の高さは若干低くなる。
突起パターン１１５も、ポジ型ノボラック樹脂を使用し
て形成することができる。その後、ガラス基板１１１の
上側全面に配向膜１１６を形成する。これにより、ＣＦ
基板１１０が完成する。この例では、スペーサ部の高さ
（画素領域のフィルタ表面からの突出高さ）は約４．０
μｍとなる。
【００８７】なお、上記の例ではカラーフィルタ１１３
Ｒ，１１３Ｇ，１１３Ｂを顔料分散型感光性レジストを
使用して形成する場合について説明したが、それ以外の
材料を使用してカラーフィルタ１１３Ｒ，１１３Ｇ，１
１３Ｂを形成してもよい。例えば、染料又は顔料を含有
する樹脂を使用し、エッチングにより所定の形状にパタ
ーニングしてカラーフィルタを形成してもよい。また、
印刷等の方法によりカラーフィルタを形成することもで
きる。
【００８８】更に、上記に例では、セル厚調整層１１７
をノボラック樹脂により形成したが、それ以外の材料、
例えばアクリル、ポリイミド及びエポキシ樹脂等により
形成してもよい。以下、本実施の形態の効果について説
明する。カラーフィルタ１１３Ｒ，１１３Ｇ，１１３Ｂ
の原料となる感光性レジストには、着色材料（顔料）の
バインダーとしてアクリル樹脂が使用されている。ま
た、本実施の形態では、突起パターン１１５の材料とし
て感光性ノボラック樹脂を使用している。これらの材料
は平坦性がよいため、カラーフィルタの重なり部分にお
ける厚さは画素領域（平坦部分）における厚さよりも薄
くなる。
【００８９】通常、スピンナーやスリットコータなどで
これらの樹脂を塗布した場合、樹脂が乾燥するまでの間
に、上に重なった２層目、３層目の樹脂部分ではレベリ
ングが発生し、２層目のカラーフィルタの厚さは１層目
の約７０％、３層目のカラーフィルタの厚さは１層目の
約５０％程度と薄くなってしまう。仮に、セル厚調整層
１１７がないとすると、セル厚はカラーフィルタの重な
り部分の厚さによって決まるので、カラーフィルタの重
なり部分における各カラーフィルタの厚さを厚くする必
要がある。２層目及び３層目のカラーフィルタの厚さを
厚くするためには、例えば真空乾燥により乾燥を早めて
レベリングを少なくする方法や、樹脂の塗布膜厚を厚く
する方法が考えられる。しかし、これらの方法では、塗
布むらや乾燥むらが発生し、製造歩留まりが低下してし
まう。
【００９０】図２２は横軸に画素領域におけるカラーフ
ィルタの厚さをとり、縦軸にスペーサ部の高さをとっ
て、両者の関係を示した図である。但し、▲印は各カラ
ーフィルタの厚さと突起パターンの高さが同じ場合、□
印は突起パターンの高さが２μｍで一定の場合を示して
いる。この図からわかるように、セル厚を４μｍとする
ためには、各カラーフィルタの画素領域における厚さ及
び突起パターンの高さをいずれも３μｍとする必要があ
る。但し、突起パターンの高さがセル厚の３０％以下又
は５０％以上となると、透過率の低下やコントラストの
低下を招く。このため、突起パターンの高さは１．２〜
２．０μｍとすることが好ましく、そうするとカラーフ
ィルタの厚さを更に厚くする必要がある。
【００９１】一般に、カラーフィルタの材料となる顔料
分散型レジストは、厚さが３μｍを超えると微細なパタ
ーニングが困難になる。また、塗布後の乾燥速度が遅く
なり、生産性が低下するという問題も発生する。従っ
て、カラーフィルタの厚さを３μｍ以上とすることは現
実的ではない。カラーフィルタの材料として、ポリイミ
ドのように平坦性が悪い材料を使用することも考えられ
る。しかし、ポリイミドは非感光性であるので、パター
ニングにはエッチング工程が必要になり、工程数の増加
によって製造コストが上昇するという難点がある。ま
た、仮にカラーフィルタを厚く形成したとしても、スペ
ーサ部の対向電極とＴＦＴ基板側の画素電極との距離が
極めて接近することとなり、短絡不良が発生しやすくな
る。
【００９２】本実施の形態では、前述の如く、カラーフ
ィルタ１１３Ｒ，１１３Ｇ，１１３Ｂの重なり部分と突
起パターン１１５との間にセル厚調整層１１７を設け、
このセル厚調整層１１７でセル厚を調整できるので、カ
ラーフィルタ１１３Ｒ，１１３Ｇ，１１３Ｂの厚さを３
μｍ以下としても十分なセル厚を確保することができ
る。従って、生産性の低下や製造歩留まりの低下が回避
される。また、感光性レジストでカラーフィルタを形成
するので、カラーフィルタをポリイミド等の非感光性樹
脂で製造する場合に比べて、工程数の増加を回避でき
る。更に、突起パターン１１７によりセル厚を最適値に
調整することが比較的容易にできるので、透過率の低下
やコントラストの低下を回避することができる。更にま
た、セル厚調整層１１７により対向電極１１４とＴＦＴ
基板１００側の画素電極１０２との間に十分な間隔をと
ることができるので、仮に接触部分で配向膜１０６，１
１６が破損したとしても、ショート不良の発生を回避で
きる。
【００９３】なお、上記の実施の形態では、セル厚調整
層１１７を形成し、その後突起パターン１１５を形成し
たが、この工程は逆でもよい。すなわち、図２３に示す
ように、対向電極１１４上に突起パターン１１７を形成
し、その後、スペーサ部の突起パターン１１７の上にセ
ル厚調整層１１８を形成する。この場合も、上記の実施
の形態と同様の効果が得られる。
【００９４】また、上記の実施の形態では、カラーフィ
ルタ１１３Ｒ，１１３Ｇ，１１３Ｂを３層重ねてブラッ
クマトリクス１１２としたが、何れか２層のカラーフィ
ルタを重ねてブラックマトリクスとしてもよい。更に、
スペーサ部で対向電極１１４と画素電極１０２とのショ
ートの発生がない場合は、セル厚調整層１１７を形成し
た後に対向電極１１４を形成してもよい。
【００９５】（第５の実施の形態）図２４は本発明の第
５の実施の形態の液晶表示装置を示す断面図である。な
お、ＴＦＴ基板側の構造は第４の実施の形態と同一であ
るので、図２４において図１８と同一物には同一符号を
付してその詳しい説明は省略する。ＣＦ基板１２０側の
ガラス基板１２１の一方の面（図では下面）には、黒色
樹脂からなるブラックマトリクス１２２が所定のパター
ンで形成されている。この黒色樹脂からなるブラックマ
トリクス１２２の厚さは例えば３．５μｍである。ま
た、このブラックマトリクス１２２は、黒色顔料を分散
した感光性レジストを使用し、露光及び現像工程を経て
パターニングされる。
【００９６】ガラス基板１２１の下面の各画素領域に
は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタ１
２３Ｒ，１２３Ｇ，１２３Ｂが形成されている。ブラッ
クマトリクス１２４の下側には、これらのカラーフィル
タ１２３Ｒ，１２３Ｇ，１２３Ｂが３層に積層されてい
る。また、ガラス基板１２１の下面側には、カラーフィ
ルタ１２３Ｒ，１２３Ｇ，１２３Ｂを覆うようにしてＩ
ＴＯからなる対向電極１２４が形成されている。そし
て、対向電極１２４の下には、突起バターン１２５が形
成されている。この突起パターンは、第４の実施の形態
と同様に、ＴＦＴ基板１１０側に設けられた画素電極１
０２のスリット１０２ａ間に配置されている（図１９参
照）。
【００９７】対向電極１２４の下面には、垂直配向膜１
２６が形成されており、突起パターン１２５の表面はこ
の垂直配向膜１２６により覆われている。本実施の形態
においては、樹脂製のブラックマトリクス１２４により
セル厚を調整するので、第４の実施の形態と同様に、カ
ラーフィルタの厚さを厚くしたり、突起パターンの高さ
を高くする必要がなく、最適なセル厚に調整することが
できる。これにより第４の実施の形態と同様の効果が得
られる。
【００９８】なお、上記実施の形態ではブラックマトリ
クス１２４の下にカラーフィルタ１２３Ｒ，１２３Ｇ，
１２３Ｂを３層に重ねた場合について説明したが、ブラ
ックマトリクス１２４の下のカラーフィルタは１層又は
２層でもよい。また、対向電極１２４と画素電極１０２
とがショートするおそれがない場合は、突起パターン１
２５を形成した後に対向電極１２４を形成してもよい。
【００９９】更に、スペーサ部以外の部分では樹脂製ブ
ラックマトリクス１２２の上にカラーフィルタを重ねな
くてもよいし、スペーサ部と同様にカラーフィルタを重
ねて形成してもよい。但し、スペーサ部以外の部分でセ
ル厚の１／３を超える突起が形成される場合は、その上
を突起パターン１２５と同時に形成した絶縁層（突起パ
ターン１２５と同じ材料からなる絶縁層）により被覆す
ることが好ましい。これにより、ＴＦＴ基板１００側の
画素電極１０２とＣＦ基板１２０側の対向電極１２４と
のショートの発生をより確実に防止することができる。
【０１００】（第６の実施の形態）図２５は本発明の第
６の実施の形態の液晶表示装置を示す断面図である。な
お、本実施の形態においてもＴＦＴ基板側の構造は第４
の実施の形態と同一であるので、図２５において図１８
と同一物には同一符号を付してその詳しい説明は省略す
る。
【０１０１】ＣＦ基板１３０側のガラス基板１３１の下
面側には、低反射Ｃｒ（クロム）からなるブラックマト
リクス１３２が所定のパターンで形成されている。ま
た、ブラックマトリクス１３２の下には、ブラックマト
リクス１３２と同じパターンでレジスト１３７が形成さ
れている。ガラス基板１３１の下面の各画素領域には、
赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタ１３３
Ｒ，１３３Ｇ，１３３Ｂが形成されている。ブラックマ
トリクス１２４の下側には、これらのカラーフィルタ１
３３Ｒ，１３３Ｇ，１３３Ｂが３層に積層されている。
【０１０２】また、ガラス基板１３１の下面側には、カ
ラーフィルタ１３３Ｒ，１３３Ｇ，１３３Ｂを覆うよう
にしてＩＴＯからなる対向電極１３４が形成されてい
る。更に、対向電極１３４の下には、突起バターン１３
５が形成されている。この突起パターンは、第４の実施
の形態と同様に、ＴＦＴ基板１１０側に設けられた画素
電極１０２のスリット１０２ａ間に配置されている（図
１９参照）。
【０１０３】更にまた、対向電極１３４の下には垂直配
向膜１３６が形成されており、突起パターン１３５の表
面はこの垂直配向膜１３６により覆われている。図２
６，図２７は本実施の形態の液晶表示装置のＣＦ基板１
３０の製造方法を工程順に示す断面図である。まず、図
２６（ａ）に示すように、ガラス基板１３１上に低反射
Ｃｒ膜を約０．１６μｍの厚さに成膜し、その上にポジ
型ノボラック樹脂からなる感光性レジスト１３７を約
４．０μｍの厚さに形成する。そして、このレジスト１
３７を露光及び現像処理して、所定のブラックマトリク
スパターンとする。その後、レジスト１３７に覆われて
いない部分のＣｒ膜をエッチングにより除去して、レジ
スト１３７の下方にのみＣｒ膜を残存させる。このレジ
スト１３７の下方に残存したＣｒ膜がブラックマトリク
ス１３２となる。
【０１０４】次に、図２６（ｂ）に示すように、ガラス
基板１３１上に、青色カラーフィルタ１３３Ｂを１．５
μｍの厚さに形成する。青色カラーフィルタ１３３Ｂの
材料としては青色顔料を分散した感光性レジストを使用
し、この感光性レジストをガラス基板１３１上に塗布し
た後、露光及び現像処理を施すことにより、青色カラー
フィルタ１３３Ｂを形成することができる。
【０１０５】次に、図２６（ｃ）に示すように、赤色顔
料を分散した感光性レジストを使用して、ガラス基板１
３１上に赤色カラーフィルタ１３３Ｒを１．５μｍの厚
さに形成する。次に、図２７（ａ）に示すように、緑色
顔料を分散した感光性レジストを使用して、ガラス基板
１３１上に緑色カラーフィルタ１３３Ｇを１．５μｍの
厚さに形成する。ここまでの工程で、低反射Ｃｒブラッ
クマトリクス１３２、ブラックマトリクス１３２上のレ
ジスト１３７、各カラーフィルタ１３３Ｒ，１３３Ｇ，
１３３Ｂの重なり部分の高さ（画素部分のフィルタ表面
からの突出高さ）は約３．８μｍとなる。
【０１０６】次に、図２７（ｂ）に示すように、全面に
ＩＴＯからなる対向電極１１４を例えば１５００Åの厚
さに形成する。次いで、図２７（ｃ）に示すように、対
向電極１１４の上に突起パターン１３５をジグザグ形状
（図１９参照）に形成する。突起パターン１３５の高さ
は約１．５μｍとする。カラーフィルタの重なり部分で
は、突起パターン１３５の高さは１．５μｍよりも低く
なる。突起パターン１３５の材料としては、ポジ型ノボ
ラック樹脂を使用することができる。
【０１０７】その後、ガラス基板１３１の上側全面に配
向膜１３６を形成する。これによりＣＦ基板１３０が完
成する。この例では、スペーサ部の高さ（画素領域のフ
ィルタ表面からの突出高さ）は約４．０μｍとなる。本
実施の形態においては、第４の実施の形態と同様の効果
が得られるのに加えて、低反射Ｃｒからなるブラックマ
トリクスを形成する際に使用したレジストをそのまま残
してセル厚調整用のスペーサとするので、工程数の増加
を回避できるという利点がある。
【０１０８】なお、本実施の形態ではレジスト１３７の
上にＲＧＢのカラーフィルタを３層を重ねたが、１層又
は２層重ねとしてもよい。また、本実施の形態では、レ
ジスト１３７の上にカラーフィルタを重ねるため、レジ
スト１３７上のカラーフィルタの厚さは薄くなる。この
ため、所定のセル厚を確保するために、ブラックマトリ
クス１３２とレジスト１３７との合計の厚さを、各カラ
ーフィルタ１３３Ｒ，１３３Ｇ，１３３Ｂの画素領域に
おける厚さよりも厚くすることが好ましい。
【０１０９】（第７の実施の形態）図２８は本発明の第
７の実施の形態の液晶表示装置を示す平面図、図２９
（ａ）は図２８のＢ−Ｂ線による断面図、図２９（ｂ）
は図２８のＣ−Ｃ線による断面図である。なお、本実施
の形態の液晶表示装置のＴＦＴ基板側の構造は第４の実
施の形態と同一であるので、図２９において図１８と同
一物には同一符号を付してその詳しい説明は省略する。
また、図２９においては、ＴＦＴ基板を上側、ＣＦ基板
を下側に示している。
【０１１０】本実施の形態の液晶表示装置は、ＴＦＴ基
板１００とＣＦ基板１４０との間に負の誘電率異方性を
有する液晶４９を封入した構造を有している。また、Ｔ
ＦＴ基板１００の上側及びＣＦ基板１４０の下側にはそ
れぞれ偏光板（図示せず）が配置されている。これらの
偏光板は、偏光軸が相互に直交するように配置されてい
る。
【０１１１】ＣＦ基板１４０は、ガラス基板１４１と、
ガラス基板１４１の上側に形成されたカラーフィルタ１
４３Ｒ（赤），１４３Ｇ（緑），１４３Ｂ（青）、対向
電極１４４及び配向膜１４６等により構成される。ずな
わち、図２９に示すように、ガラス基板１４１の上には
カラーフィルタ１４３Ｒ，１４３Ｇ，１４３Ｂが形成さ
れている。各画素領域にはこれらのカラーフィルタ１４
３Ｒ，１４３Ｇ，１４３Ｂのうちのいずれか１色のフィ
ルタが配置されている。また、画素と画素との間の領域
ではカラーフィルタ１４３Ｂと、カラーフィルタ１４３
Ｒ又はカラーフィルタ１４３Ｇのいずれか１つとが２層
に重なってブラックマトリクス１４２となっている。更
に、ゲートバスライン１０３ｂとドレインバスライン１
０３ａとが交差する地点の近傍のスペーサ部１４８で
は、カラーフィルタ１４３Ｒ，１４３Ｇ，１４３Ｂが３
層に重なっている。
【０１１２】これらのカラーフィルタ１４３Ｒ，１４３
Ｇ，１４３Ｂの上にはＩＴＯからなる対向電極１４４が
形成されている。また、対向電極１４４上には、図２８
に示すように、絶縁性樹脂からなる突起パターン１４５
がジグザグ形状に形成されている。更に、対向電極１４
４及び突起パターン１４５の表面を覆うようにして垂直
配向膜１４４が形成されている。
【０１１３】このように構成されたＣＦ基板１４０は、
スペーサ部１４８の突起１４５の先端部分でＴＦＴ基板
１００に接触し、ＴＦＴ基板１００とＣＦ基板１４０と
の間のセル厚を一定に維持するようになっている。な
お、スペーサ部１４８のサイズは３０μｍ×３０μｍで
ある。図３０，図３１は本実施の形態の液晶表示装置の
ＣＦ基板の製造方法を工程順に示す平面図、図３２は同
じくその断面図である。なお、図３２は図２８のＣ−Ｃ
線における断面を示している。
【０１１４】まず、図３０（ａ）及び図３２（ａ）に示
すように、青色顔料を分散した感光性レジストを使用
し、ガラス基板１４１上の青色画素形成領域及びブラッ
クマトリクス領域に青色カラーフィルタ１４３Ｂを約
１．５μｍの厚さに形成する。次に、図３０（ｂ）及び
図３２（ｂ）に示すように、赤色顔料を分散した感光性
レジストを使用し、ガラス基板１４１上の赤色画素形成
領域に赤色カラーフィルタ１４３Ｒを約１．５μｍの厚
さに形成する。このとき同時に、赤色画素の周囲のブラ
ックマトリクス形成領域、スペーサ部形成領域及び青色
画素の周囲のブラックマトリクス形成領域の青色カラー
フィルタ１４３Ｂの上に、赤色カラーフィルタ１４３Ｒ
を重ねて形成する。但し、赤色画素と緑色画素との間の
ブラックマトリクス形成領域では、赤色画素側の半分の
領域にのみ赤色カラーフィルタ１４３Ｒを形成する。ま
た、緑色画素と青色画素との間のブラックマトリクス形
成領域の上には、赤色カラーフィルタ１４３Ｒを形成し
ない。
【０１１５】次に、図３１，図３２（ｃ）に示すよう
に、緑色顔料を分散した感光性レジストを使用し、ガラ
ス基板１４１上の緑色画素形成領域に緑色カラーフィル
タ１４３Ｇを約１５μｍの厚さに形成する。このとき同
時に、緑色画素の周囲のブラックマトリクス形成領域及
びスペーサ部形成領域の青色カラーフィルタ１４３Ｂ又
は赤色カラーフィルタ１４３Ｒの上に、緑色カラーフィ
ルタ１４３Ｇを重ねて形成する。但し、緑色画素と赤色
画素との間のブラックマトリクス形成領域では、緑色画
素側の半分の領域にのみ緑色カラーフィルタ１４３Ｇを
形成する。
【０１１６】次いで、図２８及び図２９に示すように、
カラーフィルタ１４３Ｒ，１４３Ｇ，１４３Ｂの上にＩ
ＴＯを約１０００Åの厚さに形成して画素電極１４４と
する。その後、画素電極１４４の上にポジ型レジストを
成膜し、露光及び現像処理を施して、幅が約１０μｍ、
高さが約１．５μｍの突起パターン１４５を形成する。
そして、ガラス基板１４１の上側全面に垂直配向膜１４
６を約８００Åの厚さに形成する。これによりＣＦ基板
１４０が完成する。このようにしてＣＦ基板１４０を形
成した場合、スペーサ部１４８の高さは約３．８μｍと
なる。
【０１１７】以下、本実施の形態の効果について説明す
る。ブラックマトリクスをＲＧＢのカラーフィルタの３
層構造とした場合、ブラックマトリクスの側壁部分の傾
斜角度が大きくなり、ブラックマトリクスの側壁部分の
近傍では液晶分子の角度が基板に対しほぼ水平となって
しまう。このような配向異常は、電圧無印加時の光の漏
れの原因となるとともに、電圧印加時の透過率の低下の
原因となり、コントラストの大幅な低下を招く。
【０１１８】図３３は横軸に画素領域とブラックマトリ
クスとの段差をとり、縦軸にコントラストをとって、画
素領域エッジ部の段差とコントラストとの関係を示す図
である。この図からわかるように、段差が１．５μｍを
超えると、コントラストは２００未満となってしまう。
そこで、本実施の形態では、青色カラーフィルタ１４３
Ｂと赤色カラーフィルタ１４３Ｒ又は緑色カラーフィル
タ１４３Ｇとの２層によりブラックマトリクス１４２を
構成している。これにより、画素領域とブラックマトリ
クスとの間の段差は３層構造のときの約２／３となり、
液晶分子が基板に対しほぼ水平に配向する領域はセルギ
ャップ方向で約２／３と少なくなり、光漏れが低減され
る。
【０１１９】また、ブラックマトリクスと画素領域との
間の段差の傾斜角度が大きいと、液晶分子の配向は基板
に対し水平に近づき、段差の傾斜角度が小さいと液晶分
子の配向は基板に対し垂直に近づく。図３４は横軸に段
差部の傾斜角度をとり、縦軸にコントラストをとって両
者の関係を示す図である。この図に示すように、傾斜角
度が３０度以下の場合は、コントラストが２５０以上と
なり、十分なコントラストが得られる。
【０１２０】ところで、各カラーフィルタの明るさへの
寄与を考えた場合、ＲＧＢの明るさへの寄与度は、Ｒ：
Ｇ：Ｂ＝３：３：１となる。従って、青色画素の部分で
の光漏れは、コントラストの低下には影響が少なく、赤
色又は青色画素の部分での光漏れはコントラストの低下
に大きく影響する。本実施の形態では、赤色画素の周囲
ではブラックマトリクスの最上層を赤色カラーフィルタ
で構成し、緑色画素の周囲ではブラックマトリクスの最
上層を緑色カラーフィルタで構成している。このため、
赤色画素とその周囲のブラックマトリクスとの間、及び
緑色画素とその周囲のブラックマトリクスとの間の傾斜
が緩やかになり、配向異常によるコントラストの低下を
低減することができる。なお、青色画素の周囲では傾斜
角度が大きくなるが、上述したように青色画素の明るさ
への寄与度が小さいので、傾斜角度が大きくなることに
よる青色画素での光漏れが問題となることはない。
【０１２１】実際に上記の方法で液晶表示装置を作成し
てコントラストを調べたところ、コントラストは４００
以上であった。画素領域とブラックマトリクスとの間の
段差の傾斜角度を変化させる方法としては、カラーフィ
ルタを形成するときの露光条件や現像条件を変化させる
方法や、カラーフィルタの材料となる樹脂を変える方法
がある。これらの方法を使用することにより、画素領域
とブラックマトリクスとの間の段差の傾斜角度を３０度
以下とすることができる。
【０１２２】（第８の実施の形態）図３５は本発明の第
８の実施の形態の液晶表示装置を示す断面図である。な
お、本実施の形態は、液晶表示装置の表示領域の外側に
冗長遮光膜を配置したものであり、その他の部分の構成
は例えば前述の第１〜第７の実施の形態に示す構成を適
用することができる。
【０１２３】本実施の形態においては、ＴＦＴ基板１５
０の表示領域の外側のガラス基板１５１上に冗長遮光膜
１５２が形成されている。冗長遮光膜１５２は、光を遮
断する例えばＡｌ（アルミニウム）膜とＴｉ（チタン）
膜との多層金属膜、又はＣｒ膜等の金属膜又は金属酸化
膜により構成される。ＴＦＴ基板１５０側の垂直配向膜
１５６の端部は、この冗長遮光膜１５２の表示領域側端
部の上に重なっている。本実施の形態では冗長遮光膜１
５２の幅を２．０ｍｍとしているが、冗長遮光膜１５２
の幅はパターン形成時の位置決め精度に応じて決定し、
配向膜１５６との間に隙間が生じないようにする必要が
ある。
【０１２４】なお、ＴＦＴ基板１５０の表示領域には、
複数の画素電極（図示せず）と、各画素電極毎に配置さ
れたＴＦＴ（図示せず）と、該ＴＦＴに接続されたバス
ライン（図示せず）と、画素電極の上を覆う垂直配向膜
１５６とが形成されている。ＣＦ基板１６０には、第１
〜第７の実施の形態と同様に、各画素領域に配置された
カラーフィルタ（図示せず）と、ブラックマトリクス１
６２と、表示領域内に存在するカラーフィルタ及びブラ
ックマトリクス１６２の上を覆う対向電極（図示せず）
と、対向電極を覆う垂直配向膜１６６が形成されてい
る。本実施の形態では、ブラックマトリクス１６２が、
青色カラーフィルタと赤色カラーフィルタとの２層によ
り構成されているものとする。また、ブラックマトリク
ス１６２の縁部（表示領域の外側）は配向膜１６６に覆
われていないものとする。ＴＦＴ基板１５０側の冗長遮
光膜１５２は、表示領域の外側のブラックマトリクス１
６２に対向するように対向するように配置されている。
【０１２５】ＴＦＴ基板１５０側のバスライン（ゲート
バスライン又はドレインバスライン）は外部回路と接続
するために、表示領域から基板１５１の端部まで引き出
されている。このため、バスライン同士が冗長遮光膜１
５２を介して電気的に接続しないように、冗長遮光膜１
５２はバスライン間に形成するか、又はバスラインとは
別の層に形成する必要がある。冗長遮光膜１５２をバス
ラインと別の層に形成する場合は、バスライン同士の容
量カップリングを防止するために、図３６に示すよう
に、バスライン１５３の直上又は直下に冗長遮光膜１５
２を配置しないことが好ましい。
【０１２６】以下、本実施の形態の効果について説明す
る。カラーフィルタを重ねてブラックマトリクスとする
場合、カラーフィルタを３層重ねるとブラックマトリク
スの厚さが厚くなって、段差部分で対向電極の断線（い
わゆる段切れ）が発生しやすくなる。このため、カラー
フィルタを重ねてブラックマトリクスとする場合は、カ
ラーフィルタの層数は２層とすることが好ましい。カラ
ーフィルタを２層又は３層に重ねた場合の透過率を下記
表１に示す。但し、ＯＤ値は、透過率のログ値である。
【０１２７】
【表１】
【０１２８】この表からわかるように、２色のカラーフ
ィルタを重ねてブラックマトリクスとする場合、青色カ
ラーフィルタと赤色カラーフィルタとの組み合わせが最
も効率よく光を遮断することができる。しかし、実際に
ブラックマトリクスを青色カラーフィルタと赤色カラー
フィルタとにより構成した液晶表示装置を作成すると、
表示領域の外側部分で青色光の光漏れが発生する。これ
は、以下の理由によると考えられる。
【０１２９】図３７は、冗長遮光膜がない液晶表示装置
の断面図である。なお、図３７において、図３５と同一
物には同一符号を付してその詳しい説明は省略する。こ
の液晶表示装置では、青色カラーフィルタの上に赤色カ
ラーフィルタを重ねてブラックマトリクスを構成してい
るものとする。一般的に、図３７に示すように、ＣＦ基
板１６０側の表示領域の外側のブラックマトリクス１６
２の縁部は配向膜１６６に覆われていない。この部分で
は、液晶分子がランダムに配向するため、電圧無印加時
の光の透過率が高くなる。
【０１３０】図３８は、青色、緑色及び赤色の各カラー
フィルタの波長分光特性を示す図である。この図に示す
ように、青色領域の波長の光に対する赤色カラーフィル
タの透過率が比較的高いため、青色カラーフィルタと赤
色カラーフィルタとを重ねても、短波長領域の光を十分
にカットすることができない。このため、青色カラーフ
ィルタと赤色カラーフィルタとにより構成されるブラッ
クマトリクスでは、短波長側の光（青色光）が透過し、
青色光漏れとして観察される。
【０１３１】しかし、本実施の形態では、表示領域の外
側に冗長遮光膜１５２を配置しているので、表示領域の
外側に発生する青色光漏れを確実に遮断することができ
る。また、本実施の形態では、ＣＦ基板１６０側のブラ
ックマトリクス１６２が青色及び赤色のカラーフィルタ
により構成されているので、ＴＦＴ基板１５０側の金属
からなる冗長遮光膜１５２に比べて反射率が低く、外光
反射防止膜としての効果もある。これにより、表示品質
が向上するという利点がある。
【０１３２】（第９の実施の形態）図３９は本発明の第
９の実施の形態の液晶表示装置を示す断面図である。な
お、図３９において、図３５と同一物には同一符号を付
してその詳しい説明は省略する。本実施の形態において
は、ＣＦ基板１６０に形成されたカラーフィルタ１６２
が青色カラーフィルタ及び赤色カラーフィルタを積層し
て構成されている。また、ＣＦ基板１６０の上面（ＴＦ
Ｔ基板１５０に対向する面と反対側の面）であって、表
示領域の外側の部分に、ＵＶ（ultraviolet ）コート膜
からなる冗長遮光膜１６３が形成されている。ＵＶコー
ト膜は、例えば蒸着法によりＴｉＯ2 膜とＳｉＯ2 膜と
を多層に積層して形成されたものであり、カットオフ波
長は５００ｎｍ以下である。
【０１３３】本実施の形態においては、表示領域の外側
部分で青色カラーフィルタ及び赤色カラーフィルタによ
り構成されたブラックマトリクスを青色光が透過して
も、冗長遮光膜１６３により青色光が遮断されるので、
青光漏れを確実に防止することができる。なお、本実施
の形態においては、ＣＦ基板１６０側にＵＶコート膜か
らなる冗長遮光膜１６３を形成したが、冗長遮光膜はＴ
ＦＴ基板１５０側に形成してもよく、ＣＦ基板１６０及
びＴＦＴ基板１５０の両方に形成してもよい。
【０１３４】（第１０の実施の形態）図４０は本発明の
第１０の実施の形態の液晶表示装置を示す断面図であ
る。なお、図４０においても、図３５と同一物には同一
符号を付してその詳しい説明は省略する。ＴＦＴ基板１
５０及びＣＦ基板１６０を接合してなる液晶パネルを挟
んで、一対の偏光板１５８，１６８が配置される。これ
らの偏光板１５８，１６８は、偏光軸が相互に直交する
ように配置される。本実施の形態では、これらの偏光板
１５８，１６８のうちの少なくとも一方の偏光板に、冗
長遮光膜１６９としてＵＶコート膜を形成している。但
し、冗長遮光膜１６９は、表示領域の外側部分であっ
て、ブラックマトリクス１６２が垂直配向膜１６６に覆
われていない部分に対応する領域に形成する。
【０１３５】本実施の形態では、第８の実施の形態と同
様の効果が得られるのに加えて、液晶パネルに直接冗長
遮光膜１６９（ＵＶコート膜）を形成するのではないた
め、ＵＶコート膜の形成が容易であるという利点があ
る。 （第１１の実施の形態）図４１は本発明の第１１の実施
の形態の液晶表示装置のＣＦ基板を示す平面図である。
本実施の形態において、ＴＦＴ基板の構造は例えば第１
〜第７の実施の形態に示す構成を適用することができ
る。図４１において、１７７は表示領域、１７８は表示
領域の外側部分、１７９はトランスファ接続部を示す。
また、図４２（ａ）は表示領域１７７におけるＣＦ基板
の断面図、図４２（ｂ）は表示領域の外側におけるＣＦ
基板の断面図である。
【０１３６】本実施の形態において、ＣＦ基板１７０側
の表示領域１７７内のブラックマトリクスは、青色カラ
ーフィルタと赤色カラーフィルタとの２層構造により構
成されている。また、表示領域よりも外側の部分１７８
では、赤色、緑色及び青色カラーフィルタの３層構造に
より冗長遮光膜１７５が構成されている。通常、液晶表
示装置では、ＣＦ基板側の対向電極とＴＦＴ基板側の電
圧印加部とが、表示領域の外側の部分でトランスファと
いわれる導電体を介して電気的に接続される。トランス
ファは、トランスファ接続部１７９に配置される。
【０１３７】表示領域の外側部分の冗長遮光膜の全部を
３色のカラーフィルタの３層構造としてしまうと、表示
領域１７７とその外側の部分１７８との段差が大きくな
り、対向電極（ＩＴＯ膜）が連続的に形成されず、段切
れ（断線）が発生するおそれがある。そこで、本実施の
形態においては、図４２（ｂ）に示すように、トランス
ファ接続部１７９のカラーフィルタを２層重ねとし、接
続不良の発生を防止している。
【０１３８】このように、本実施の形態においては、表
示領域の外側部分の冗長遮光膜１７５を、赤色、緑色及
び青色のカラーフィルタの３層により構成しているの
で、表示領域の外側部分の青色光漏れを確実に回避する
ことができる。また、表示領域の外側であってトランス
ファによりＴＦＴ基板側の電極と電気的に接続する部分
（トランスファ接続部１７９）のカラーフィルタを２層
重ねとしているので、ＩＴＯ膜形成時の段切れが発生し
にくく、製造歩留まりの低下が回避される。
【０１３９】（付記） （１）請求項１に記載の液晶表示装置において、前記第
１の基板の前記第１の電極と前記第１の垂直配向膜との
間に、前記第１の突起パターンよりも低い第２の突起パ
ターンを有することが好ましい。 （２）請求項１に記載の液晶表示装置において、前記第
１の基板の前記第１の電極にスリットが設けられている
ことが好ましい。
【０１４０】（３）請求項２に記載の液晶表示装置にお
いて、前記カラーフィルタのうち、青色のカラーフィル
タが他の色のカラーフィルタと異なる厚さで形成されて
いることが好ましい。 （４）請求項２に記載の液晶表示装置において、前記遮
光膜は、黒色樹脂により前記カラーフィルタよりも厚く
形成されていることが好ましい。
【０１４１】（５）請求項２に記載の液晶表示装置にお
いて、前記遮光膜は、前記カラーフィルタのうち、青色
のカラーフィルタを含む少なくとも２以上のカラーフィ
ルタが重なって構成されたものであることが好ましい。 （６）請求項２に記載の液晶表示装置において、前記第
１の基板の前記第１の電極と前記第１の垂直配向膜との
間に第２の突起パターンが形成されていることが好まし
い。
【０１４２】（７）請求項２に記載の液晶表示装置にお
いて、前記第１の基板の前記第１の電極にスリットが設
けられていることが好ましい。 （８）請求項５に記載の液晶表示装置の製造方法におい
て、前記第２の基板の上側に複数の画素電極を形成する
工程の後に、前記画素電極の上方に絶縁材料からなる第
２の突起パターンを形成する工程を有することが好まし
い。
【０１４３】（９）請求項５に記載の液晶表示装置の製
造方法において、前記遮光膜は黒色樹脂により形成し、
前記カラーフィルタは該遮光膜よりも薄く形成すること
が好ましい。 （１０）請求項５に記載の液晶表示装置の製造方法にお
いて、前記カラーフィルタのうち青色のカラーフィルタ
を他の色のカラーフィルタと異なる厚さで形成すること
が好ましい。
【０１４４】（１１）請求項６に記載の液晶表示装置の
製造方法において、前記第２の基板の上側に複数の画素
電極を形成する工程の後に、前記画素電極の上方に絶縁
材料からなる第２の突起パターンを形成する工程を有す
ることが好ましい。 （１２）請求項６に記載の液晶表示装置の製造方法にお
いて、前記赤のカラーフィルタ、前記緑のカラーフィル
タ及び前記青のカラーフィルタのうちの少なくとも１つ
は他のカラーフィルタと異なる厚さで形成することが好
ましい。
【０１４５】（１３）請求項９に記載の液晶表示装置に
おいて、前記遮光膜の厚さが前記カラーフィルタの厚さ
よりも厚いことが好ましい。 （１４）請求項９に記載の液晶表示装置において、前記
遮光膜が、金属又は金属化合物からなる膜と、その上に
形成されたレジストとからなることが好ましい。
【０１４６】（１５）請求項１３に記載の液晶表示装置
において、前記赤色画素領域とその周囲の前記遮光膜と
の間の傾斜角度、及び前記緑色画素領域とその周囲の前
記遮光膜との間の傾斜角度がいずれも３０度以下である
ことが好ましい。 （１６）請求項１３に記載の液晶表示装置において、前
記赤色画素領域とその周囲の前記遮光膜との間の段差、
及び前記緑色画素領域とその周囲の前記遮光膜との間の
段差がいずれも１．５μｍ以下であることが好ましい。
【０１４７】（１７）請求項１５に記載の液晶表示装置
において、前記冗長遮光膜は、金属又は金属化合物から
なることが好ましい。 （１８）請求項１５に記載の液晶表示装置において、前
記冗長遮光膜は、カット波長が５００ｎｍ以下のＵＶコ
ート膜からなることが好ましい。 （１９）請求項１５に記載の液晶表示装置において、前
記冗長遮光膜は、赤色、緑色及び青色のカラーフィルタ
の３層構造からなることが好ましい。
【０１４８】
【発明の効果】以上説明したように、本願発明の液晶表
示装置によれば、第２の基板の突起パターンの先端部分
が第１の基板に接触してセル厚が一定に維持されるの
で、従来必要とされていた球形又は円柱形のスペーサが
不要である。これにより、衝撃や振動を加えられてもセ
ル厚が変化することがなく、表示品質の劣化が回避され
る。また、電極上に形成した絶縁性の突起パターンで第
１の基板と第２の基板との間隔を一定に維持するので、
第１の基板側の電極と第２の基板側の電極との短絡が確
実に回避される。更に、本発明によれば、突起パターン
の両側で液晶の配向方向が異なり、配向分割が達成され
る。これにより、視角特性が向上するという効果が得ら
れる。
【０１４９】また、本願発明の液晶表示装置の製造方法
によれば、一方の基板上に対向電極、第１の突起パター
ン及び第１の垂直配向膜を形成し、他方の基板上に画素
電極、第２の突起パターン及び第２の垂直配向膜を形成
して、前記第１の基板と前記第２の基板とを前記第１の
垂直配向膜及び前記第２の垂直配向膜が形成された面を
対向させ、かつ前記第１の突起パターンの先端部分を前
記第２の基板の前記第２の垂直配向膜に接触させて配置
し、両者の間に負の誘電率異方性を有する液晶を封入す
るので、従来必要とされていたスペーサを散布する工程
や、配向膜をラビングする工程等が不要になり、製造工
程が簡略化される。
【０１５０】また、本願発明の他の液晶表示装置によれ
ば、セル厚調整層を設けているので、カラーフィルタの
厚さを過剰に厚くすることなく、セル厚を適正に調整す
ることができる。本願発明の更に他の液晶表示装置によ
れば、黒色樹脂により遮光膜を形成し、該遮光膜の上に
１又は複数のカラーフィルタを重ねているので、カラー
フィルタの厚さを過剰に厚くすることなく、セル厚を適
正に調整することができる。
【０１５１】本願発明の更に他の液晶表示装置によれ
ば、遮光膜の形成時に使用するレジストを残し、該レジ
ストによりセル厚を調整するので、カラーフィルタの厚
さを過剰に厚くすることなく、セル厚を適正に調整する
ことができるとともに、製造が容易になる。本願発明の
更に他の液晶表示装置によれば、赤色画素の周囲では青
色カラーフィルタと赤色カラーフィルタとにより遮光膜
を構成し、緑色画素の周囲では青色カラーフィルタと緑
色カラーフィルタとにより遮光膜を構成するので、赤色
画素と遮光膜との間の傾斜角度及び緑色画素と遮光膜と
の間の傾斜角度が緩やかになり、配向異常による光漏れ
を軽減することができる。
【０１５２】本願発明の更に他の液晶表示装置によれ
ば、表示領域の外側部分に青色光を遮断する冗長遮光膜
を設けているので、遮光膜を赤色カラーフィルタと青色
カラーフィルタとを重ねて構成した場合に表示領域の外
側部分に発生する青色光の光漏れを確実に防止すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本発明の第１の実施の形態の液晶表示装
置の断面図である。
【図２】図２は第１の実施の形態の液晶表示装置のＴＦ
Ｔ基板の平面図である。
【図３】図３は第１の実施の形態の液晶表示装置のＣＦ
基板の平面図である。
【図４】図４（ａ）は突起パターンにより配向分割が達
成される原理を示す図、図４（ｂ）は突起パターンと画
素電極のスリットとにより配向分割が達成される原理を
示す図である。
【図５】図５はＴＦＴ基板側の画素電極にスリットを形
成した例を示す図である。
【図６】図６は突起パターン高さ／セル厚と白表示時の
光の透過率との関係を示す図である。
【図７】図７は突起パターンのパターン幅と白表示時の
光の透過率との関係を示す図である。
【図８】図８は本発明の第２の実施の形態の液晶表示装
置の断面図である。
【図９】図９は第２の実施の形態の液晶表示装置のＣＦ
基板の平面図である。
【図１０】図１０はブラックマトリクス上の突起パター
ンの幅を他の部分と同じにしたときの問題点を示すＣＦ
基板の平面図である。
【図１１】図１１は本発明の第３の実施の形態の液晶表
示装置を示す断面図である。
【図１２】図１２は第３の実施の形態の液晶表示装置の
ＣＦ基板の平面図である。
【図１３】図１３は第３の実施の形態の液晶表示装置の
製造方法を示す断面図（その１）である。
【図１４】図１４は第３の実施の形態の液晶表示装置の
製造方法を示す断面図（その２）である。
【図１５】図１５は第３の実施の形態の変形例を示す断
面図である。
【図１６】図１６は赤、緑、青の各カラーフィルタを用
いたときのセル厚と透過率との関係を示す図である。
【図１７】図１７は本発明の第４の実施の形態の液晶表
示装置の断面図である。
【図１８】図１８は図１７の一部を拡大して示す図であ
る。
【図１９】図１９は第４の実施の形態の液晶表示装置の
ＣＦ基板を示す平面図である。
【図２０】図２０は第４の実施の形態の液晶表示装置の
ＣＦ基板の製造方法を示す図（その１）である。
【図２１】図２１は第４の実施の形態の液晶表示装置の
ＣＦ基板の製造方法を示す図（その２）である。
【図２２】図２２はカラーフィルタの厚さとスペーサ部
の高さとの関係を示す図である。
【図２３】図２３は第４の実施の形態の変形例を示す断
面図である。
【図２４】図２４は本発明の第５の実施の形態の液晶表
示装置を示す断面図である。
【図２５】図２５は本発明の第６の実施の形態の液晶表
示装置を示す断面図である。
【図２６】図２６は第６の実施の形態の液晶表示装置の
ＣＦ基板の製造方法を示す図（その１）である。
【図２７】図２７は第６の実施の形態の液晶表示装置の
ＣＦ基板の製造方法を示す図（その２）である。
【図２８】図２８は本発明の第７の実施の形態の液晶表
示装置を示す平面図である。
【図２９】図２９（ａ）は図２８のＢ−Ｂ線による断面
図、図２９（ｂ）は図２８のＣ−Ｃ線による断面図であ
る。
【図３０】図３０は第７の実施の形態の液晶表示装置の
ＣＦ基板の製造方法を示す平面図（その１）である。
【図３１】図３１は第７の実施の形態の液晶表示装置の
ＣＦ基板の製造方法を示す平面図（その２）である。
【図３２】図３２は第７の実施の形態の液晶表示装置の
ＣＦ基板の製造方法を示す断面図である。
【図３３】図３３は画素領域エッジ部の段差とコントラ
ストとの関係を示す図である。
【図３４】図３４は画素領域エッジ部の段差の傾斜角度
とコントラストをとって両者の関係を示す図である。
【図３５】図３５は本発明の第８の実施の形態の液晶表
示装置を示す断面図である。
【図３６】図３６は第８の実施の形態の液晶表示装置を
示す斜視図である。
【図３７】図３７は冗長遮光膜がない液晶表示装置の断
面図である。
【図３８】図３８は青色、緑色及び赤色の各カラーフィ
ルタの波長分光特性を示す図である。
【図３９】図３９は本発明の第９の実施の形態の液晶表
示装置を示す断面図である。
【図４０】図４０は本発明の第１０の実施の形態の液晶
表示装置を示す断面図である。
【図４１】図４１は本発明の第１１の実施の形態の液晶
表示装置のＣＦ基板を示す平面図である。
【図４２】図４２（ａ）は第１１の実施の形態の液晶表
示装置の表示領域におけるＣＦ基板の断面図、図４２
（ｂ）は表示領域の外側におけるＣＦ基板の断面図であ
る。
【図４３】図４３は一般的なＴＮ（Twisted Nematic ）
型液晶表示装置の構造を示す断面図である。
【図４４】図４４はノーマリホワイトモードのＴＮ型液
晶表示装置の動作を示す模式図である。
【符号の説明】
１ａ，１ｂ，３１，４１，５１，６１，７１，１０１，
１１１，１５１，１６１， ガラス基板、 ３ａ，３ｂ，３５，４５，５５，１１５，１２５，１３
５，１４５ 突起パターン、 ４ａ，４ｂ，３６，４６，５６，１０６，１１６，１４
６，１５６，１６６，１７６ 垂直配向膜、 ６，３２ａ，１０２ａ スリット、 ３０，１００，１５０ ＴＦＴ基板、 ３２，６２，１０２ 画素電極、 ４０，５０，１１０，１２０，１３０，１６０ ＣＦ基
板、 ４２，５２，７２，１１２，１２２，１３２，１４２，
１６２ ブラックマトリクス、 ４３，５３，５３Ｒ，５３Ｇ，５３Ｂ，７３，１１３
Ｒ，１１３Ｇ，１１３Ｂ，１４３Ｒ，１４３Ｇ，１４３
Ｂ，１７３Ｒ，１７３Ｇ，１７３Ｂ カラーフィルタ、 ４４，５４，７５，１１４，１２４，１７４ 対向電
極、 ４９ 液晶（ネガ型液晶）、 ６６，６７ 水平配向膜、 ６９ 液晶（ポジ型液晶）、 ７０ スペーサ、 ６７，７７ 偏光板 １１７，１１８ セル厚調整層 １３７ レジスト １４８ スペーサ部 １５２，１６３，１６９ 冗長遮光膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 谷口 洋二 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 井上 弘康 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 田野瀬 友則 鳥取県米子市石州府字大塚ノ弐650番 株 式会社米子富士通内 (72)発明者 田中 義規 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 2H090 JA03 JC03 KA05 LA02 LA04 LA15 MA01 MA15 2H091 FA02Y FA35Y FB02 FD04 FD05 FD17 GA06 GA08 GA13 HA07 LA12 LA13 LA19 5C094 AA43 AA45 BA03 BA43 CA19 CA24 DA15 EA04 EA10 EC10 ED03 ED15 FA02 GB01

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 一方の面側に形成された第１の電極と、
    該第１の電極を覆う第１の垂直配向膜とを有する第１の
    基板と、 前記第１の基板の前記一方の面に対向する面側に形成さ
    れた第２の電極と、該第２の電極の上に絶縁材料により
    形成された第１の突起パターンと、前記第２の電極及び
    前記第１の突起パターンを覆う第２の垂直配向膜とを有
    し、前記第１の突起パターンの先端部分が前記第１の基
    板に接触した第２の基板と、 前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入された負
    の誘電率異方性を有する液晶とを有することを特徴とす
    る液晶表示装置。
  2. 【請求項２】 一方の面側に形成された複数の第１の電
    極と、該第１の電極を覆う第１の垂直配向膜とを有する
    第１の基板と、 前記第１の基板の前記一方の面に対向する面側に形成さ
    れて前記第１の基板の前記第１の電極間の領域に対応す
    る領域に配置された遮光膜と、前記第１の基板の各第１
    の電極に対向して配置された複数のカラーフィルタと、
    前記遮光膜及び前記カラーフィルタの上方に形成された
    第２の電極と、前記第２の電極の上に絶縁材料により形
    成された第１の突起パターンと、前記第２の電極及び少
    なくとも前記第２の電極上の前記第１の突起パターンを
    覆う第２の垂直配向膜とを有し、前記遮光膜の上方の前
    記第１の突起パターンの先端部分が前記第１の基板に接
    触した第２の基板と、 前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入された負
    の誘電率異方性を有する液晶とを有することを特徴とす
    る液晶表示装置。
  3. 【請求項３】 前記遮光膜は、赤色、緑色及び青色のカ
    ラーフィルタのうち少なくとも２つのカラーフィルタを
    重ね合わせて形成されていることを特徴とする請求項２
    に記載の液晶表示装置。
  4. 【請求項４】 前記第１の突起パターンは、前記遮光膜
    の上方の部分で前記第２の基板に接触していることを特
    徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
  5. 【請求項５】 第１の基板上に各画素領域の間を遮光す
    る遮光膜を形成する工程と、 前記第１の基板上の前記画素領域上にカラーフィルタを
    形成する工程と、 前記カラーフィルタの上に対向電極を形成する工程と、 前記対向電極の上に絶縁材料からなる第１の突起パター
    ンを形成する工程と、 前記第１の基板の上側に前記対向電極及び前記第１の突
    起パターンを覆う第１の垂直配向膜を形成する工程と、 第２の基板の上側に複数の画素電極を形成する工程と、 前記第２の基板の上側に前記画素電極を覆う第２の垂直
    配向膜を形成する工程と、 前記第１の基板と前記第２の基板とを前記第１の垂直配
    向膜及び前記第２の垂直配向膜が形成された面を対向さ
    せ、かつ前記第１の突起パターンの先端部分を前記第２
    の基板の前記第２の垂直配向膜に接触させて配置する工
    程とを有することを特徴とする液晶表示装置の製造方
    法。
  6. 【請求項６】 第１の基板上の各画素領域に赤色、緑色
    及び青色のカラーフィルタのいずれか１つを選択的に形
    成するとともに、各画素領域の間に前記赤色、緑色及び
    青色のカラーフィルタのうちの少なくとも２つのカラー
    フィルタを重ね合わせて形成して遮光膜とする工程と、 前記カラーフィルタの上に対向電極を形成する工程と、 前記対向電極の上に絶縁材料からなる第１の突起パター
    ンを形成する工程と、 前記第１の基板の上側に前記対向電極及び前記第１の突
    起パターンを覆う第１の垂直配向膜を形成する工程と、 第２の基板の上側に複数の画素電極を形成する工程と、 前記第２の基板の上側に前記画素電極を覆う第２の垂直
    配向膜を形成する工程と、 前記第１の基板と前記第２の基板とを前記第１の垂直配
    向膜及び前記第２の垂直配向膜が形成された面を対向さ
    せ、かつ前記第１の突起パターンの先端部分を前記第２
    の基板の前記第２の垂直配向膜に接触させて配置する工
    程とを有することを特徴とする液晶表示装置の製造方
    法。
  7. 【請求項７】 一方の面側に形成された複数の第１の電
    極と、該第１の電極を覆う第１の垂直配向膜とを有する
    第１の基板と、 前記第１の基板の前記第１の電極に対向して配置された
    赤色、緑色及び青色のカラーフィルタと、これらのカラ
    ーフィルタのうちの少なくとも２つのカラーフィルタが
    重なって構成され、前記の各第１の電極間の領域に対応
    する領域に配置された遮光膜と、少なくとも前記カラー
    フィルタを覆う第２の電極と、前記遮光膜の上方に選択
    的に形成されたセル厚調整層と、前記第２の電極及び前
    記セル厚調整層の上方に絶縁材料により形成された突起
    パターンと、前記第２の電極及び少なくとも前記第２の
    電極上の前記突起パターンを覆う第２の垂直配向膜とを
    有し、前記突起パターンの先端部分が前記第１の基板に
    接触した第２の基板と、 前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入された負
    の誘電率異方性を有する液晶とを有することを特徴とす
    る液晶表示装置。
  8. 【請求項８】 一方の面側に形成された複数の第１の電
    極と、該第１の電極を覆う第１の垂直配向膜とを有する
    第１の基板と、 前記第１の基板の前記第１の電極に対向して配置された
    赤色、緑色及び青色のカラーフィルタと、これらのカラ
    ーフィルタのうちの少なくとも２つのカラーフィルタが
    重なって構成され、前記の各第１の電極間の領域に対応
    する領域に配置された遮光膜と、少なくとも前記カラー
    フィルタを覆う第２の電極と、前記第２の電極の上に絶
    縁材料により形成された突起パターンと、前記遮光膜の
    上方の前記突起パターンの上に形成されたセル厚調整層
    と、少なくとも前記第２の電極を覆う第２の垂直配向膜
    とを有し、前記セル厚調整層の先端部分が前記第１の基
    板に接触した第２の基板と、 前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入された負
    の誘電率異方性を有する液晶とを有することを特徴とす
    る液晶表示装置。
  9. 【請求項９】 一方の面側に形成された複数の第１の電
    極と、該第１の電極を覆う第１の垂直配向膜とを有する
    第１の基板と、 前記第１の基板の第１の電極の間の領域に対応する領域
    に配置された非透光性材料からなる遮光膜と、前記第１
    の基板の前記第１の電極に対向して配置されるととも
    に、少なくとも１つが前記遮光膜の上を覆う赤色、緑色
    及び青色のカラーフィルタと、前記カラーフィルタを覆
    う第２の電極と、前記第２の電極の上に絶縁材料により
    形成された突起パターンと、前記第２の電極及び少なく
    とも前記第２の電極上の前記突起パターンを覆う第２の
    垂直配向膜とを有し、前記突起パターンの先端部分が前
    記第１の基板に接触した第２の基板と、 前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入された負
    の誘電率異方性を有する液晶とを有することを特徴とす
    る液晶表示装置。
  10. 【請求項１０】 第１の基板の上の画素領域にカラーフ
    ィルタを形成するとともに、画素領域間の領域に前記カ
    ラーフィルタを２層以上に重ねて遮光膜を形成する工程
    と、 少なくとも前記カラーフィルタの上に対向電極を形成す
    る工程と、 前記遮光膜の上方の所定領域に絶縁材料からなるセル厚
    調整層を形成する工程と、 前記対向電極及び前記セル厚調整層の上にドメイン規制
    手段として絶縁材料からなる突起パターンを形成する工
    程と、 前記対向電極及び少なくとも前記対向電極上の前記突起
    パターンを覆う第１の垂直配向膜を形成する工程と、 第２の基板の上側に複数の画素電極を形成する工程と、 前記画素電極を覆う第２の垂直配向膜を形成する工程
    と、 前記第１の基板と前記第２の基板とを前記第１の垂直配
    向膜及び前記第２の垂直配向膜が形成された面を対向さ
    せ、かつ前記突起パターンの先端部分を前記第２の基板
    側に接触させて配置する工程とを有することを特徴とす
    る液晶表示装置の製造方法。
  11. 【請求項１１】 第１の基板に金属膜及び感光性レジス
    ト膜を形成し、フォトリソグライフィ法により前記感光
    性レジスト及び前記金属膜をパターニングして画素間の
    領域に前記金属膜及び前記レジスト膜を残し、前記金属
    膜からなる遮光膜と該遮光膜を覆うレジスト膜とを形成
    する工程と、 画素領域に赤色、緑色及び青色のカラーフィルタを形成
    するとともに、前記レジスト膜の上に１色以上のカラー
    フィルタを形成する工程と、 前記カラーフィルタの上に対向電極を形成する工程と、 前記対向電極の上にドメイン規制手段として絶縁材料か
    らなる突起パターンを形成する工程と、 前記対向電極及び少なくとも前記対向電極上の前記突起
    パターンを覆う第１の垂直配向膜を形成する工程と、 第２の基板の上側に複数の画素電極を形成する工程と、 前記画素電極を覆う第２の垂直配向膜を形成する工程
    と、 前記第１の基板と前記第２の基板とを前記第１の垂直配
    向膜及び前記第２の垂直配向膜が形成された面を対向さ
    せ、かつ前記突起パターンの先端部分を前記第２の基板
    側に接触させて配置する工程とを有することを特徴とす
    る液晶表示装置の製造方法。
  12. 【請求項１２】 一方の面側に形成された複数の第１の
    電極と、該第１の電極を覆う第１の垂直配向膜とを有す
    る第１の基板と、 前記第１の基板の前記第１の電極に対向して配置された
    赤色、緑色及び青色のカラーフィルタと、赤色画素の周
    囲では青色カラーフィルタと該青色カラーフィルタの上
    の赤色カラーフィルタとにより構成され、緑色画素の周
    囲では青色カラーフィルタと該青色カラーフィルタの上
    の緑色カラーフィルタとにより構成された遮光膜と、前
    記カラーフィルタ及び前記遮光膜を覆う第２の電極と、
    前記第２の電極を覆う第２の垂直配向膜とを有する第２
    の基板と、 前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入された負
    の誘電率異方性を有する液晶とを有することを特徴とす
    る液晶表示装置。
  13. 【請求項１３】 前記第２の基板の前記第２の電極の上
    に形成され、前記第２の垂直配向膜に覆われた突起パタ
    ーンを有し、該突起パターンの先端部分が前記第１の基
    板に接触して前記第１の基板と前記第２の基板との隙間
    が一定に維持されることを特徴とする請求項１２に記載
    の液晶表示装置。
  14. 【請求項１４】 第１の基板の上の青色画素領域及び遮
    光領域に青色カラーフィルタを形成する工程と、 前記第１の基板の上の赤色画素領域、該赤色画素領域の
    周囲の遮光領域及び前記青色画素領域の周囲の遮光領域
    の一部の前記青色カラーフィルタの上に赤色カラーフィ
    ルタを形成する工程と、 前記第１の基板上の緑色画素領域、該緑色画素領域の周
    囲の遮光領域及び前記青色画素領域の周囲の遮光領域の
    残部の前記青色カラーフィルタの上に緑色カラーフィル
    タを形成する工程と、 前記赤色カラーフィルタ、前記青色カラーフィルタ及び
    前記緑色カラーフィルタの上に対向電極を形成する工程
    と、 前記対向電極の上にドメイン規制手段として絶縁材料か
    らなる突起パターンを形成する工程と、 前記対向電極及び前記突起パターンを覆う第１の垂直配
    向膜を形成する工程と、 第２の基板の上に複数の画素電極を形成する工程と、 前記画素電極を覆う第２の垂直配向膜を形成する工程
    と、 前記第１の基板と前記第２の基板とを前記第１の垂直配
    向膜及び前記第２の垂直配向膜が形成された面を対向さ
    せ、かつ前記突起パターンの先端部分を前記第２の基板
    側に接触させて配置する工程とを有することを特徴とす
    る液晶表示装置の製造方法。
  15. 【請求項１５】 一方の面側に形成された複数の第１の
    電極と、該第１の電極を覆う第１の配向膜とを有する第
    １の基板と、 前記第１の基板の前記第１の電極に対向して配置された
    赤色、緑色及び青色のカラーフィルタと、少なくとも２
    色のカラーフィルタを重ねて構成されたブラックマトリ
    クスと、前記カラーフィルタ及び前記ブラックマトリク
    スを覆う第２の電極と、前記第２の電極を覆う第２の配
    向膜とを有する第２の基板と、 前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入された負
    の誘電率異方性を有する液晶とを有する液晶表示装置に
    おいて、 前記複数の第１の電極が配置されてなる表示領域の外側
    部分に、青色光を遮断する冗長遮光膜が形成されている
    ことを特徴とする液晶表示装置。
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