KR20130124827A - 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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KR20130124827A
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이희근
김연태
노남석
윤해주
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명은 무게, 두께, 비용 및 공정 시간을 줄일 수 있고, 액정 주입구 근처에서 빛샘이 발생하는 것을 방지할 수 있는 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치는 복수의 화소 영역을 포함하는 기판; 상기 기판 위에 형성되어 있는 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터에 연결되어 상기 화소 영역 내에 형성되어 있는 화소 전극; 상기 화소 전극 위에 형성되어 있는 공통 전극; 상기 화소 전극과 상기 공통 전극 사이에 형성되어 있는 공간; 상기 공통 전극 위에 형성되고, 유기 물질로 이루어져 있는 지붕층; 및, 상기 지붕층 위에 형성되어, 상기 화소 영역 별로 상기 공간을 밀봉하는 덮개막을 포함하고, 상기 공통 전극 및 상기 지붕층은 상기 화소 영역의 윗변 및 아랫변으로부터 돌출되도록 형성되어 있는 돌출부를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

표시 장치 및 그 제조 방법{DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 무게, 두께, 비용 및 공정 시간을 줄일 수 있고, 액정 주입구 근처에서 빛샘이 발생하는 것을 방지할 수 있는 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 화소 전극과 공통 전극 등 전기장 생성 전극이 형성되어 있는 두 장의 표시판과 그 사이에 들어 있는 액정층으로 이루어지며, 전기장 생성 전극에 전압을 인가하여 액정층에 전기장을 생성하고 이를 통하여 액정층의 액정 분자들의 배향을 결정하고 입사광의 편광을 제어함으로써 영상을 표시한다.
액정 표시 장치를 구성하는 두 장의 표시판은 박막 트랜지스터 표시판과 대향 표시판으로 이루어질 수 있다. 박막 트랜지스터 표시판에는 게이트 신호를 전송하는 게이트선과 데이터 신호를 전송하는 데이터선이 서로 교차하여 형성되고, 게이트선 및 데이터선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극 등이 형성될 수 있다. 대향 표시판에는 차광부재, 색필터, 공통 전극 등이 형성될 수 있다. 경우에 따라 차광 부재, 색필터, 공통 전극이 박막 트랜지스터 표시판에 형성될 수도 있다.
그러나, 종래의 액정 표시 장치에서는 두 장의 기판이 필수적으로 사용되고, 두 장의 기판 위에 각각의 구성 요소들을 형성함으로써, 표시 장치가 무겁고, 두꺼우며, 비용이 많이 들고, 공정 시간이 오래 걸리는 등의 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 하나의 기판을 이용하여 표시 장치를 제조함으로써, 무게, 두께, 비용 및 공정 시간을 줄일 수 있는 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 액정 주입구 근처에서 액정이 화소 영역의 안쪽으로 오목한 메니스커스(meniscus)를 가지지 않도록 하여 빛샘이 발생하는 것을 방지할 수 있는 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적에 따른 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치는 복수의 화소 영역을 포함하는 기판; 상기 기판 위에 형성되어 있는 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터에 연결되어 상기 화소 영역 내에 형성되어 있는 화소 전극; 상기 화소 전극 위에 형성되어 있는 공통 전극; 상기 화소 전극과 상기 공통 전극 사이에 형성되어 있는 공간; 상기 공통 전극 위에 형성되고, 유기 물질로 이루어져 있는 지붕층; 및, 상기 지붕층 위에 형성되어, 상기 화소 영역 별로 상기 공간을 밀봉하는 덮개막을 포함하고, 상기 공통 전극 및 상기 지붕층은 상기 화소 영역의 윗변 및 아랫변으로부터 돌출되도록 형성되어 있는 돌출부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 화소 영역들은 매트릭스 형태로 배치되고, 상기 공통 전극 및 상기 지붕층은 상기 공간의 상부면, 좌측면, 및 우측면을 덮도록 형성되고, 상기 화소 영역들 중 행 방향으로 이웃하는 화소 영역들을 따라 연결될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치는 상기 화소 영역의 윗변 및 아랫변에서 상기 공간을 외부로 노출시키는 액정 주입구; 및, 상기 공간 내에 형성되어 있는 액정을 더 포함하고, 상기 덮개막은 상기 액정 주입구를 덮도록 형성될 수 있다.
상기 돌출부는 상기 화소 영역의 윗변 및 아랫변의 좌측 및 우측 가장자리로부터 돌출되고, 삼각형으로 이루어질 수 있다.
상기 돌출부는 상기 화소 영역의 좌측변 및 우측변으로부터 연장되는 변 및 상기 화소 영역의 윗변 및 아랫변과 중첩되는 변을 포함하는 직각 삼각형으로 이루어질 수 있다.
상기 돌출부는 상기 화소 영역의 윗변 및 아랫변의 중앙으로부터 돌출되고, 삼각형, 사각형, 및 반원 중 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있다.
상기 돌출부가 상기 삼각형으로 이루어질 때, 상기 화소 영역의 윗변 및 아랫변과 중첩되는 상기 삼각형의 밑변의 길이는 5um이상이고, 상기 화소 영역의 폭보다 좁고, 상기 삼각형의 높이는 5um이상이고, 30um이하이고, 상기 삼각형의 좌측변 또는 우측변이 상기 화소 영역의 윗변과 이루는 각은 10도 이상이고 80도 이하일 수 있다.
상기 돌출부는 상기 화소 영역의 위변 및 아랫변의 중앙과 좌측 가장자리 사이와 중앙과 우측 가장자리 사이에서 돌출되고, 삼각형으로 이루어질 수 있다.
상기 돌출부는 상기 화소 영역의 윗변 및 아랫변으로부터 돌출되고, 상기 화소 영역의 윗변 및 아랫변 위에서 꼭지점이 서로 만나는 복수의 삼각형으로 이루어질 수 있다.
상기 돌출부는 상기 화소 영역의 윗변 및 아랫변의 가장자리로부터 중앙으로 갈수록 점차적으로 돌출 길이가 길어지도록 형성될 수 있다.
상기 돌출부는 삼각형 또는 궁형(segment of circle)으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치는 상기 기판 아래에 형성되어 있는 제1 편광판; 및, 상기 덮개막 위에 형성되어 있는 제2 편광판을 더 포함하고, 상기 제1 편광판 및 상기 제2 편광판 중 어느 하나의 투과축은 상기 화소 영역의 윗변 및 아랫변에 평행하고, 상기 제1 편광판 및 상기 제2 편광판 중 다른 하나의 투과축은 상기 화소 영역의 윗변 및 아랫변에 수직하도록 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 제조 방법은 복수의 화소 영역을 포함하는 기판 위에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 박막 트랜지스터와 연결되도록 상기 화소 영역 내에 화소 전극을 형성하는 단계; 상기 화소 전극 위에 희생층을 형성하는 단계; 상기 희생층의 상부면, 좌측면, 및 우측면을 덮도록 공통 전극을 형성하는 단계; 상기 공통 전극 위에 유기 물질로 지붕층을 형성하는 단계; 상기 화소 영역의 윗변 및 아랫변에서 상기 희생층이 노출되도록 상기 지붕층 및 상기 공통 전극을 패터닝하여 액정 주입구를 형성하는 단계; 상기 희생층을 제거하여 상기 화소 전극과 상기 공통 전극 사이에 공간을 형성하는 단계; 상기 액정 주입구를 통해 상기 공간에 액정을 주입하는 단계; 및, 상기 지붕층 위에 덮개막을 형성하여 상기 화소 영역 별로 상기 공간을 밀봉하는 단계를 포함하고, 상기 액정 주입구를 형성하는 단계에서 상기 지붕층 및 상기 공통 전극이 상기 화소 영역의 윗변 및 아랫변으로부터 돌출되는 돌출부를 포함하도록 상기 지붕층 및 상기 공통 전극을 패터닝하는 것을 특징으로 한다.
상기 희생층을 형성하는 단계에서 상기 희생층이 상기 화소 영역들 중 행 방향으로 이웃하는 화소 영역들 사이에서 분리되고, 열 방향으로 이웃하는 화소 영역들을 따라 연결되도록 형성할 수 있다.
상기 액정 주입구를 형성하는 단계에서 상기 지붕층 및 상기 공통 전극이 상기 행 방향으로 이웃하는 화소 영역들을 따라 연결되고, 상기 열 방향으로 이웃하는 화소 영역들을 따라 분리되도록 형성할 수 있다.
상기 돌출부가 상기 화소 영역의 윗변 및 아랫변의 좌측 및 우측 가장자리로부터 돌출되고, 삼각형으로 이루어지도록 형성할 수 있다.
상기 돌출부가 상기 화소 영역의 좌측변 및 우측변으로부터 연장되는 변 및 상기 화소 영역의 윗변 및 아랫변과 중첩되는 변을 포함하는 직각 삼각형으로 이루어지도록 형성할 수 있다.
상기 돌출부가 상기 화소 영역의 윗변 및 아랫변의 중앙으로부터 돌출되고, 삼각형, 사각형, 및 반원 중 어느 하나 이상으로 이루어지도록 형성할 수 있다.
상기 돌출부가 상기 삼각형으로 이루어질 때, 상기 화소 영역의 윗변 및 아랫변과 중첩되는 상기 삼각형의 밑변의 길이는 5um이상이고, 상기 화소 영역의 폭보다 좁고, 상기 삼각형의 높이는 5um이상이고, 30um이하이고, 상기 삼각형의 좌측변 또는 우측변이 상기 화소 영역의 윗변과 이루는 각은 10도 이상이고 80도 이하가 되도록 형성할 수 있다.
상기 돌출부가 상기 화소 영역의 윗변 및 아랫변의 중앙과 좌측 가장자리 사이와 중앙과 우측 가장자리 사이에서 돌출되고, 삼각형으로 이루어지도록 형성할 수 있다.
상기 돌출부가 상기 화소 영역의 윗변 및 아랫변으로부터 돌출되고, 상기 화소 영역의 윗변 및 아랫변 상에서 꼭지점이 서로 만나는 복수의 삼각형으로 이루어지도록 형성할 수 있다.
상기 돌출부가 상기 화소 영역의 윗변 및 아랫변의 가장자리로부터 중앙으로 갈수록 점차적으로 돌출 길이가 길어지도록 형성할 수 있다.
상기 돌출부가 삼각형 또는 궁형(segment of circle)으로 이루어지도록 형성할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 제조 방법은 상기 기판 아래에 제1 편광판을 형성하는 단계; 및, 상기 덮개막 위에 제2 편광판을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 제1 편광판 및 상기 제2 편광판 중 어느 하나의 투과축은 상기 화소 영역의 윗변 및 아랫변에 평행하고, 상기 제1 편광판 및 상기 제2 편광판 중 다른 하나의 투과축은 상기 화소 영역의 윗변 및 아랫변에 수직하도록 형성할 수 있다.
상기한 바와 같은 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치 및 그 제조 방법은 다음과 같은 효과가 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치 및 그 제조 방법은 하나의 기판을 이용하여 표시 장치를 제조함으로써, 무게, 두께, 비용 및 공정 시간을 줄일 수 있다.
또한, 공통 전극 및 지붕층이 액정 주입구 근처에서 돌출부를 가지도록 형성함으로써, 액정의 매니스커스를 화소 영역의 외곽으로 이동시켜 액정 주입구 근처에서 빛샘이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 편광판의 투과축을 화소 영역의 윗변 및 아랫변에 평행한 방향과 수직한 방향으로 위치시킴으로써, 화소 영역의 가장자리에서 빛샘이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 의한 표시 장치의 한 화소를 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1의 II-II선을 따라 나타낸 본 발명의 제1 실시예에 의한 표시 장치의 한 화소를 나타낸 단면도이다.
도 3은 도 1의 III-III선을 따라 나타낸 본 발명의 제1 실시예에 의한 표시 장치의 한 화소를 나타낸 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 의한 표시 장치의 한 화소의 액정의 초기 배향 상태를 나타낸 평면도이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 의한 표시 장치를 나타낸 평면도이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 의한 표시 장치를 나타낸 평면도이다.
도 7은 본 발명의 제4 실시예에 의한 표시 장치를 나타낸 평면도이다.
도 8은 본 발명의 제5 실시예에 의한 표시 장치를 나타낸 평면도이다.
도 9는 본 발명의 제6 실시예에 의한 표시 장치를 나타낸 평면도이다.
도 10은 본 발명의 제7 실시예에 의한 표시 장치를 나타낸 평면도이다.
도 11은 본 발명의 제8 실시예에 의한 표시 장치를 나타낸 평면도이다.
도 12, 도 14, 도 16, 도 18, 도 20, 및 도 22는 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 공정 평면도이다.
도 13, 도 15, 도 17, 도 19, 도 21, 및 도 23은 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도이다.
이하에서 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
먼저, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 의한 표시 장치에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 의한 표시 장치의 한 화소를 나타낸 평면도이고, 도 2는 도 1의 II-II선을 따라 나타낸 본 발명의 제1 실시예에 의한 표시 장치의 한 화소를 나타낸 단면도이며, 도 3은 도 1의 III-III선을 따라 나타낸 본 발명의 제1 실시예에 의한 표시 장치의 한 화소를 나타낸 단면도이다.
본 발명의 제1 실시예에 의한 표시 장치는 유리 또는 플라스틱 등과 같은 재료로 만들어진 기판(110) 위에 일방향으로 형성되어 있는 게이트선(121) 및 타방향으로 형성되어 있는 데이터선(171)을 포함한다. 게이트선(121)과 데이터선(171)은 서로 교차하도록 형성될 수 있다.
기판(110)은 복수의 화소 영역(P)을 포함하고, 복수의 화소 영역(P)은 서로 교차하여 형성되어 있는 게이트선(121)과 데이터선(171)에 의해 정의되어 매트릭스 형태로 배치될 수 있다.
게이트선(121)은 주로 가로 방향으로 뻗어있으며 게이트 신호를 전달한다. 또한, 게이트선(121)으로부터 돌출되어 있는 게이트 전극(124)이 형성되어 있다. 게이트 전극(124)에는 게이트선(121)을 통해 게이트 신호가 인가된다.
게이트선(121) 및 게이트 전극(124)과 연결되지 않도록 화소 영역(P) 내에 유지 전극(133)이 더 형성될 수 있다. 도시된 바와 같이 유지 전극(133)은 게이트선(121) 및 데이터선(171)과 나란한 방향으로 형성될 수 있다. 이와 달리 게이트선(121)과 나란한 방향으로만 형성될 수도 있다. 서로 이웃한 화소 영역(P)들에 형성된 복수의 유지 전극(133)들은 서로 연결되도록 형성되어 있다. 유지 전극(133)에는 공통 전압 등과 같은 일정한 전압이 인가된다.
게이트선(121), 게이트 전극(124), 및 유지 전극(133) 위에는 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(140)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등과 같은 무기 절연 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 게이트 절연막(140)은 단일막 또는 다중막으로 이루어질 수 있다.
게이트 절연막(140) 위에는 반도체층(150)이 형성되어 있다. 반도체층(150)은 게이트 전극(124) 위에 위치할 수 있다. 또한, 도시된 바와 같이 데이터선(171)의 아래까지 연장되어 형성될 수도 있다. 반도체층(150)은 비정질 실리콘(amorpous silicon), 다결정 실리콘(polycystalline silicon), 금속 산화물(metal oxide) 등으로 이루어질 수 있다.
반도체층(150) 위에는 데이터선(171)으로부터 돌출되어 있는 소스 전극(173) 및 소스 전극(173)과 이격되어 있는 드레인 전극(175)이 형성되어 있다.
데이터선(171)은 주로 세로 방향으로 뻗어 있으며, 데이터 신호를 전달한다. 데이터선(171)으로 전달된 데이터 신호는 소스 전극(173)에 인가된다.
게이트 전극(124), 반도체층(150), 소스 전극(173), 및 드레인 전극(175)은 하나의 박막 트랜지스터를 구성한다. 박막 트랜지스터가 온 상태일 때 소스 전극(173)에 인가된 데이터 신호는 드레인 전극(175)으로 전달된다.
데이터선(171), 소스 전극(173), 드레인 전극(175), 소스 및 드레인 전극(173, 175) 사이로 노출되어 있는 반도체층(150)의 위에는 보호막(180)이 형성되어 있다. 보호막(180)은 유기 절연 물질 또는 무기 절연 물질로 이루어질 수 있으며, 단일막 또는 다중막으로 형성될 수 있다.
보호막(180) 위에는 각 화소 영역(P) 내에 색필터(230)가 형성되어 있다. 각 색필터(230)는 적색, 녹색 및 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 하나를 표시할 수 있다. 색필터(230)는 적색, 녹색, 및 청색의 삼원색에 한정되지 아니하고, 청록색(cyan), 자홍색(magenta), 옐로(yellow), 화이트 계열의 색 등을 표시할 수도 있다.
이웃하는 색필터(230) 사이의 영역에는 차광 부재(220)가 형성되어 있다. 차광 부재(220)는 화소 영역(P)의 경계부와 박막 트랜지스터 위에 형성되어 빛샘을 방지할 수 있다.
색필터(230) 및 차광 부재(220) 위에는 제1 절연층(240)이 더 형성될 수 있다. 제1 절연층(240)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등과 같은 무기 절연 물질로 이루어질 수 있다. 제1 절연층(240)은 유기 물질로 이루어진 색필터(230) 및 차광 부재(220)를 보호하는 역할을 하며, 필요에 따라 생략될 수도 있다.
제1 절연층(240), 차광 부재(220), 보호막(180)에는 드레인 전극(175)의 일부가 노출되도록 접촉 구멍(181)이 형성되어 있다. 접촉 구멍(181)은 차광 부재(220) 대신 색필터(230)에 형성될 수도 있다.
제1 절연층(240) 위에는 접촉 구멍(181)을 통해 드레인 전극(175)과 연결되는 화소 전극(191)이 형성되어 있다. 화소 전극(191)은 각 화소 영역(P) 내에 형성되고, 드레인 전극(175)과 연결되어 있어 박막 트랜지스터가 온 상태일 때 드레인 전극(175)으로부터 데이터 신호를 인가 받는다. 화소 전극(191)은 인듐-주석 산화물(ITO, Indium Tin Oxide), 인듐-아연 산화물(IZO, Indium Zinc Oxide) 등과 같은 투명한 금속 물질로 이루어질 수 있다.
화소 전극(191)은 가로 줄기부(193), 가로 줄기부(193)와 직교하는 세로 줄기부(192), 및 복수의 제1 내지 제4 미세 가지부(194a, 194b, 194c, 194d)를 포함한다.
가로 줄기부(193)는 게이트선(121)과 나란한 방향으로 형성될 수 있고, 세로 줄기부(192)는 데이터선(171)과 나란한 방향으로 형성될 수 있다. 가로 줄기부(193)는 인접한 두 게이트선(121) 사이의 대략 중간에 형성될 수 있고, 세로 줄기부(192)는 인접한 두 데이터선(171) 사이의 대략 중간에 형성될 수 있다.
하나의 화소 영역(P)은 가로 줄기부(193)와 세로 줄기부(192)에 의해 제1 부화소 영역, 제2 부화소 영역, 제3 부화소 영역, 및 제4 부화소 영역으로 나뉜다. 제1 부화소 영역은 가로 줄기부(193)의 좌측 및 세로 줄기부(192)의 상측에 위치하고, 제2 부화소 영역은 가로 줄기부(193)의 우측 및 세로 줄기부(192)의 상측에 위치한다. 제3 부화소 영역은 가로 줄기부(193)의 좌측 및 세로 줄기부(192)의 하측에 위치하고, 제4 부화소 영역은 가로 줄기부(193)의 우측 및 세로 줄기부(192)의 하측에 위치한다.
제1 미세 가지부(194a)는 제1 부화소 영역 내에 형성되고, 제2 미세 가지부(194b)는 제2 부화소 영역 내에 형성된다. 제3 미세 가지부(194c)는 제3 부화소 영역 내에 형성되고, 제4 미세 가지부(194d)는 제4 부화소 영역 내에 형성된다.
제1 미세 가지부(194a)는 가로 줄기부(193) 또는 세로 줄기부(192)로부터 좌상 방향으로 비스듬하게 뻗어 있으며, 제2 미세 가지부(194b)는 가로 줄기부(193) 또는 세로 줄기부(192)로부터 우상 방향으로 비스듬하게 뻗어 있다. 또한 제3 미세 가지부(194c)는 가로 줄기부(193) 또는 세로 줄기부(192)로부터 좌하 방향으로 비스듬하게 뻗어 있으며, 제4 미세 가지부(194d)는 가로 줄기부(193) 또는 세로 줄기부(192)에서부터 우하 방향으로 비스듬하게 뻗어 있다.
제1 내지 제4 미세 가지부(194a-194d)는 게이트선(121) 또는 가로 줄기부(193)와 대략 45도 또는 135도의 각을 이루도록 형성될 수 있다. 또한, 이웃하는 부화소 영역의 제1 내지 제4 미세 가지부(194a-194d)는 서로 직각을 이루도록 형성될 수 있다.
상기에서 도 1에 도시되어 있는 화소 전극(191)의 형상에 대해 설명하였으나, 화소 전극(191)의 형상은 이에 한정되지 아니하고 다양하게 변형이 가능하다. 또한, 하나의 화소 영역이 네 개의 부화소 영역으로 나뉘어 지는 것으로 설명하였으나, 더 많은 영역으로 나뉘어질 수도 있고, 복수의 부화소 영역으로 나뉘어지지 않을 수도 있다.
화소 전극(191) 위에는 화소 전극(191)으로부터 일정한 거리를 가지고 이격되도록 공통 전극(270)이 형성되어 있다. 화소 전극(191)과 공통 전극(270) 사이에는 공간(200)이 형성되어 있고, 공간(200) 내에는 액정(3)이 형성되어 있다. 액정(3)은 복수의 액정 분자들로 이루어져 있으며, 전계가 인가되지 않은 상태에서 기판(110)에 수직한 방향으로 서 있을 수 있다.
상기에서 화소 전극(191)은 공간(200)을 기준으로 아래에 형성되어 있고, 공통 전극(270)은 공간(200)을 기준으로 위에 형성되어 있는 것으로 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 아니한다. 화소 전극(191)과 공통 전극(270)이 모두 공간(200)을 기준으로 아래에 형성될 수도 있다. 이때, 화소 전극(191)과 공통 전극(270)이 동일한 층에 형성될 수도 있고, 절연층을 사이에 두고 서로 다른 층에 형성될 수도 있다. 이때, 액정(3)은 공간(200) 내에서 기판(110)과 평행한 방향으로 누워있도록 형성될 수 있다.
화소 전극(191) 위에는 제1 배향막(11)이 형성되어 있다. 제1 배향막(11)은 화소 전극(191)에 의해 덮여있지 않은 제1 절연층(240) 위에도 형성될 수 있다.
제1 배향막(11)과 마주보도록 공통 전극(270) 아래에는 제2 배향막(21)이 형성되어 있다.
제1 배향막(11)과 제2 배향막(21)은 수직 배향막으로 이루어질 수 있고, 폴리 아믹산(Polyamic acid), 폴리 실록산(Polysiloxane), 폴리 이미드(Polyimide) 등의 물질로 이루어질 수 있다. 제1 및 제2 배향막(11, 21)은 화소 영역(P)의 가장자리에서 서로 연결될 수 있다.
공간(200)은 제1 절연층(240), 화소 전극(191), 공통 전극(270)에 의해 둘러싸여 있다. 공통 전극(270)은 데이터선(171)과 중첩되는 부분에서 제1 절연층(240) 바로 위에 접촉되도록 형성되어, 데이터선(171)과 인접한 부분에서는 공통 전극(270)이 공간(200)의 좌측 면과 우측 면을 덮게 된다. 즉, 화소 영역(P)의 좌우를 감싸도록 공통 전극(270)이 형성되어 있다. 또한, 공통 전극(270)은 행 방향으로 인접한 화소 영역(P)들을 따라 연결되어 있다.
공통 전극(270)은 열 방향으로 인접한 화소 영역(P)들을 따라서는 연결되어 있지 않다. 즉, 게이트선(121)과 인접한 부분에서 공통 전극(270)이 공간(200)의 상측 면과 하측 면을 대부분 덮지 않도록 형성되어 있다. 따라서, 공간(200)의 상측 면과 하측 면에는 공간(200)이 외부로 노출되도록 액정 주입구(201)가 형성되어 있다. 즉, 액정 주입구(201)는 게이트선(121)을 따라 형성되고, 액정 주입구(201)를 통해 액정(3)이 공간(200)의 내부로 주입된다.
상기에서 공통 전극(270)이 공간(200)의 좌측 면과 우측 면을 덮고, 상측 면과 하측 면을 덮지 않는 것으로 설명하였으나 본 발명은 이에 한정되지 아니하고, 공통 전극(270)이 공간(200)의 다른 측면을 덮도록 형성될 수도 있다. 예를 들면, 공통 전극(270)이 공간(200)의 상측 면과 하측 면을 덮고, 좌측 면과 우측 면을 덮지 않도록 형성될 수도 있다. 이때, 액정 주입구(201)는 데이터선(171)을 따라 형성될 수 있다.
도시는 생략하였으나, 공통 전극(270) 위에는 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등과 같은 무기 절연 물질로 이루어진 절연층이 더 형성될 수도 있다.
공통 전극(270) 위에는 지붕층(285)이 형성되어 있다. 지붕층(285)은 유기 물질로 이루어질 수 있다.
지붕층(285) 위에는 제2 절연층(290)이 더 형성될 수 있다. 제2 절연층(290)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등과 같은 무기 절연 물질로 이루어질 수 있다. 제2 절연층(290)은 지붕층(285)의 상부면 및 측면을 모두 덮도록 형성될 수 있다. 제2 절연층(290)은 유기 물질로 이루어진 지붕층(285)을 보호하는 역할을 하며, 필요에 따라 생략될 수도 있다.
공통 전극(270)과 지붕층(285)은 화소 영역(P)의 윗변 및 아랫변으로부터 돌출되도록 형성되어 있는 돌출부(287)를 포함할 수 있다. 돌출부(287)는 화소 영역(P)의 윗변의 좌측 및 우측 가장자리 및 아랫변의 좌측 및 우측 가장자리로부터 돌출되도록 형성되어 있다.
돌출부(287)는 삼각형으로 이루어져 있고, 특히 4개의 직각 삼각형으로 이루어질 수 있다. 돌출부(287)는 제1 내지 제4 돌출부(287a, 287b, 287c, 287d)로 이루어질 수 있고, 먼저 화소 영역(P)의 윗변의 좌측 가장자리로부터 돌출되어 있는 제1 돌출부(287a)는 화소 영역(P)의 좌측변으로부터 연장되는 변과 화소 영역(P)의 윗변과 중첩되는 변이 서로 직각을 이루는 직각 삼각형으로 이루어질 수 있다. 화소 영역(P)의 윗변의 우측 가장자리로부터 돌출되어 있는 제2 돌출부(287b)는 화소 영역(P)의 우측변으로부터 연장되는 변과 화소 영역(P)의 윗변과 중첩되는 변이 서로 직각을 이루는 직각 삼각형으로 이루어질 수 있다. 화소 영역(P)의 아랫변의 좌측 가장자리로부터 돌출되어 있는 제3 돌출부(287c)는 화소 영역(P)의 좌측변으로부터 연장되는 변과 화소 영역(P)의 아랫변과 중첩되는 변이 서로 직각을 이루는 직각 삼각형으로 이루어질 수 있다. 화소 영역(P)의 아랫변의 우측 가장자리로부터 돌출되어 있는 제4 돌출부(287d)는 화소 영역(P)의 우측변으로부터 연장되는 변과 화소 영역(P)의 아랫변과 중첩되는 변이 서로 직각을 이루는 직각 삼각형으로 이루어질 수 있다.
제2 절연층(290)이 지붕층(285)의 상부면 및 측면을 덮도록 형성되어 있으므로, 제2 절연층(290)도 화소 영역(P)의 윗변 및 아랫변으로부터 돌출되도록 형성되어 있는 돌출부(285a)를 포함할 수 있다.
공간(200) 내에 형성되어 있는 액정(3)은 모세관 현상을 이용하여 액정 주입구(201)를 통해 주입된 액정으로써, 액정 주입구(201)의 근처에 메니스커스(meniscus)가 형성된다.
이때, 액정 주입구(201)가 일직선으로 형성되는 경우를 가정하면, 메니스커스는 액정 주입구(201)의 내측으로 오목한 형태를 가지게 된다. 따라서, 화소 영역(P)의 가장자리에는 액정(3)이 존재하지 않는 영역이 발생하게 되며, 해당 부분에서는 빛샘 현상이 나타날 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서는 화소 영역(P)의 윗변과 아랫변의 양측 가장자리에서 공통 전극(270)과 지붕층(285)이 돌출부(287)를 가지도록 형성함으로써, 액정 주입구(201)의 일부가 화소 영역(P)의 외측에 위치하도록 할 수 있다. 따라서, 메니스커스가 화소 영역(P)보다 바깥쪽에 형성되며, 액정(3)은 화소 영역의 전체를 채울 수 있게 되어 빛샘 현상을 방지할 수 있다.
제2 절연층(290) 위에는 덮개막(295)이 형성될 수 있다. 덮개막(295)은 공간(200)이 외부로 노출되어 있는 액정 주입구(201)를 덮도록 형성된다. 즉, 공간(200)의 내부에 형성되어 있는 액정(3)이 외부로 나오지 않도록 액정 주입구(201)를 밀봉할 수 있다. 덮개막(295)은 액정(3)과 접촉하게 되므로, 액정(3)과 반응하지 않는 물질로 이루어지는 것이 바람직하다. 예를 들면, 덮개막(295)은 페릴린 등과 같은 물질로 이루어질 수 있다. 덮개막(295)은 두꺼운 유기막으로 이루어져 기판(110) 위를 평탄화할 수도 있다.
기판(110)의 아래에는 제1 편광판(12)이 형성될 수 있고, 덮개막(295)의 위에는 제2 편광판(22)이 더 형성될 수 있다.
덮개막(295) 위에 제2 편광판(22)을 형성할 때 덮개막(295)의 상부가 평탄하도록 하는 것이 더 바람직하다. 따라서, 도시는 생략하였으나, 덮개막(295)의 상부를 평탄화할 수 있도록 하는 층이 더 형성될 수 있다.
도 4를 참고하면, 액정(3)에 전계가 형성되어 있지 않은 초기 상태에서 화소 영역(P)의 가장자리에서는 액정(3)이 화소 영역(P)의 가장자리에 수직한 방향으로 누워있을 수 있다.
이때, 제1 편광판(12)의 편광축(POL1)과 제2 편광판(22)의 편광축(POL2)이 각각 화소 영역(P)의 일 변에 대해 45도 및 135도를 가지도록 형성되어 있다면, 화소 영역(P)의 가장자리에서는 제1 편광판(12)을 통과한 광의 일부가 액정(3)을 지나 제2 편광판(22)을 통과하여 빛샘으로 시인될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서는 제1 편광판(12)의 편광축(POL1)이 화소 영역(P)의 상측변 및 하측변과 평행하도록 형성되어 있고, 제2 편광판(22)의 편광축(POL2)이 화소 영역(P)의 좌측변 및 우측변과 평행하도록 형성되어 있다. 따라서, 화소 영역(P)의 가장자리에서는 제1 편광판(12)을 통과한 광이 액정(3)을 지나지 못하게 되고, 빗샘 현상을 방지할 수 있다.
상기에서 설명한 바와 달리, 제1 편광판(12)의 편광축(POL1)이 화소 영역(P)의 좌측변 및 우측변과 평행하도록 형성되고, 제2 편광판(22)의 편광축(POL2)이 화소 영역(P)의 상측변 및 하측변과 평행하도록 형성될 수도 있다.
상기에서 화소 영역(P) 내에는 색필터(230)가 형성되어 있고, 화소 영역(P)의 경계에는 차광 부재(220)가 형성되어 있는 것으로 설명하였으나 본 발명은 이에 한정되지 아니하고, 차광 부재(220)는 형성되지 않을 수도 있다. 차광 부재(220)를 대신하여 인접한 화소 영역(P)에 형성되어 있는 색필터(230)가 화소 영역(P)의 경계부까지 연장되어 두 가지 색상의 색필터(230)가 서로 겹치도록 형성될 수 있다. 화소 영역(P)의 경계부에서 서로 겹치도록 형성되어 있는 색필터(230)가 광을 차단하는 역할을 할 수 있다.
또한, 상기에서 색필터(230) 및 차광 부재(220)는 공통 전극(270)의 아래에 형성되어 있는 것으로 설명하였으나 본 발명은 이에 한정되지 아니하고, 색필터(230)와 차광 부재(220)가 공통 전극(270)의 위에 형성될 수도 있다. 이때, 별도의 지붕층(285)은 형성되지 아니하고, 색필터(230)와 차광 부재(220)가 지붕층(285)의 역할을 대신할 수 있다.
다음으로, 도 5를 참고하여 본 발명의 제2 실시예에 의한 표시 장치에 대해 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 제2 실시예에 의한 표시 장치는 제1 실시예에 의한 표시 장치와 동일한 부분이 상당하므로, 이에 대한 설명은 생략하고 차이점이 있는 부분에 대해서만 이하에서 설명한다. 제1 실시예와 가장 큰 차이점은 돌출부(287)의 형상에 있으며, 이하에서 더욱 상세히 설명한다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 의한 표시 장치를 나타낸 평면도이다. 본 발명의 제2 실시예에 의한 표시 장치는 단면도 상에서는 제1 실시예에 의한 표시 장치와 유사하므로, 도시를 생략한다.
본 발명의 제2 실시예에 의한 표시 장치는 제1 실시예에 의한 표시 장치와 동일한 순서로 각 구성요소들이 적층되어 있다.
제1 실시예에서는 돌출부(287)가 화소 영역(P)의 윗변 및 아랫변의 좌측 및 우측 가장자리로부터 돌출되도록 형성되어 있는 반면에, 제2 실시예에서는 돌출부(287)가 화소 영역(P)의 윗변 및 아랫변의 중앙으로부터 돌출되도록 형성되어 있다.
돌출부(287)는 삼각형으로 이루어져 있고, 특히 2개의 이등변 삼각형으로 이루어질 수 있다. 돌출부(287)는 제1 및 제2 돌출부(287a, 287b)로 이루어질 수 있다. 화소 영역(P)의 윗변의 중앙으로부터 돌출되어 있는 제1 돌출부(287a)는 화소 영역(P)의 윗변과 중첩되는 변, 화소 영역(P)의 윗변과 소정의 각을 이루며 화소 영역(P)의 외측에 대칭으로 형성되는 두 개의 변을 포함할 수 있다. 화소 영역(P)의 아랫변의 중앙으로부터 돌출되어 있는 제2 돌출부(287b)는 화소 영역(P)의 아랫변과 중첩되는 변, 화소 영역(P)의 아랫변과 소정의 각을 이루며 화소 영역(P)의 외측에 대칭으로 형성되는 두 개의 변을 포함할 수 있다.
화소 영역(P)의 폭(w1)은 표시 장치의 크기, 해상도 등에 따라 다양하게 설계가 가능하며, 예를 들면, 100um이하로 형성할 수 있다.
이때, 제1 돌출부(287a)의 밑변의 길이(w2)는 메니스커스를 제어할 수 있는 최소한의 크기 이상으로 형성하고, 화소 영역(P)의 폭(w1)보다는 좁게 형성하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 제1 돌출부(287a)의 밑변의 길이(w2)는 5um이상이고, 100um이하로 형성할 수 있다.
또한, 제1 돌출부(287a)의 높이(h)는 5um이상이고, 30um이하로 형성하는 것이 바람직하다.
또한, 제1 돌출부(287a)의 좌측변이 제1 돌출부(287a)의 밑변 즉, 화소 영역(P)의 윗변과 이루는 각은 10도 이상이고, 80도 이하로 형성하는 것이 바람직하다. 제1 돌출부(287a)의 좌측변과 우측변이 대칭으로 형성되는 경우, 제1 돌출부(287a)의 우측변도 제1 돌출부(287a)의 밑변 즉, 화소 영역(P)의 윗변과 이루는 각이 10도 이상이고, 80도 이하가 되도록 형성한다.
상기에서는 제1 돌출부(287a)의 수치를 한정하였으나, 제2 돌출부(287b)도 동일 범위 내에서 설계할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서는 화소 영역(P)의 윗변과 아랫변의 중앙에서 공통 전극(270)과 지붕층(285)이 돌출부(287)를 가지도록 형성함으로써, 액정 주입구(201)의 일부가 화소 영역(P)의 외측에 위치하도록 할 수 있다. 따라서, 메니스커스가 화소 영역(P)보다 바깥쪽에 형성된다.
다음으로, 도 6 및 도 7을 참고하여 본 발명의 제3 및 제4 실시예에 의한 표시 장치에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 의한 표시 장치를 나타낸 평면도이고, 도 7은 본 발명의 제4 실시예에 의한 표시 장치를 나타낸 평면도이다.
제3 및 제4 실시예에서 돌출부(287)가 형성되는 위치는 제2 실시예에서와 동일하나 그 형상이 상이하다.
제3 및 제4 실시예에 의한 표시 장치는 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이 공통 전극(270)과 지붕층(285)이 화소 영역(P)의 윗변 및 아랫변의 중앙으로부터 돌출되도록 형성되어 있는 돌출부(287)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
제3 실시예에 의한 표시 장치의 돌출부(287)는 도 6에 도시된 바와 같이 사각형으로 이루어져 있다. 돌출부(287)는 제1 돌출부(287a) 및 제2 돌출부(287b)로 이루질 수 있다. 화소 영역(P)의 윗변의 중앙으로부터 돌출되어 있는 제1 돌출부(287a)는 화소 영역(P)의 윗변과 중첩되는 변, 화소 영역(P)의 윗변과 수직을 이루는 두 개의 변을 포함하도록 형성되어 있다. 화소 영역(P)의 아랫변의 중앙으로부터 돌출되어 있는 제2 돌출부(287b)는 화소 영역(P)의 아랫변과 중첩되는 변, 화소 영역(P)의 아랫변과 수직을 이루는 두 개의 변을 포함하도록 형성되어 있다.
제3 실시예에서 돌출부(287)의 폭과 높이의 수치는 제2 실시예에서의 돌출부의 밑변과 높이에 대응하는 값의 범위를 가지도록 형성할 수 있다.
제4 실시예에 의한 표시 장치의 돌출부(287)는 도 7에 도시된 바와 같이 반원으로 이루어져 있다. 돌출부(287)는 제1 돌출부(287a) 및 제2 돌출부(287b)로 이루어질 수 있다. 화소 영역(P)의 윗변의 중앙으로부터 돌출되어 있는 제1 돌출부(287a)는 화소 영역의 윗변과 중첩되는 변을 포함하고, 상기 변을 지름으로 하는 반원으로 이루어져 있다. 화소 영역(P)의 아랫변의 중앙으로부터 돌출되어 있는 제2 돌출부(287b)는 화소 영역의 아랫변과 중첩되는 변을 포함하고, 상기 변을 지름으로 하는 반원으로 이루어져 있다.
제4 실시예에서 돌출부(287)의 지름의 수치는 제2 실시예에서의 돌출부의 밑변에 대응하는 값의 범위를 가지도록 형성할 수 있다.
돌출부(287)의 형상과 관련하여 제2 실시예에서는 삼각형, 제3 실시예에서는 사각형, 제4 실시예에서는 반원으로 이루어진 경우에 대해 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 아니하고, 사다리꼴 등 다양한 형상으로 이루어질 수 있다.
다음으로, 도 8을 참고하여 본 발명의 제5 실시예에 의한 표시 장치에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 8은 본 발명의 제5 실시예에 의한 표시 장치를 나타낸 평면도이다.
제5 실시예에 의한 표시 장치는 도 8에 도시된 바와 같이 공통 전극(270)과 지붕층(285)이 화소 영역(P)의 윗변 및 아랫변으로부터 돌출되도록 형성되어 있는 돌출부(287)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
제5 실시예에 의한 표시 장치의 돌출부(287)는 도 8에 도시된 바와 같이 삼각형으로 이루어져 있으며, 제1 내지 제4 돌출부(287a, 287b, 287c, 287d)로 이루어져 있다. 제1 돌출부(287a)는 화소 영역(P)의 윗변의 중앙과 좌측 가장자리 사이에서 돌출되도록 형성되어 있다. 제2 돌출부(287b)는 화소 영역(P)의 윗변의 중앙과 우측 가장자리 사이에서 돌출되도록 형성되어 있다. 제3 돌출부(287c)는 화소 영역(P)의 아랫변의 중앙과 좌측 가장자리 사이에서 돌출되도록 형성되어 있다. 제4 돌출부(287d)는 화소 영역(P)의 아랫변의 중앙과 우측 가장자리 사이에서 돌출되도록 형성되어 있다.
상기에서 돌출부(287)는 4개의 삼각형으로 이루어져 있는 것으로 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 아니하고, 더 적은 수 또는 더 많은 수의 삼각형으로 이루어질 수도 있다. 즉, 화소 영역(P)의 윗변의 중앙과 좌측 가장자리 사이에서 하나의 돌출부가 아닌 2개의 돌출부가 형성되고, 마찬가지로 화소 영역(P)의 윗변의 중앙과 우측 가장자리 사이에서도 2개의 돌출부가 형성되어, 돌출부가 총 8개의 삼각형으로 이루어질 수도 있다.
또한, 상기에서 돌출부(287)는 삼각형으로 이루어져 있는 것으로 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 아니하고, 사각형, 반원, 사다리꼴 등 다양한 형상으로 이루어질 수 있다.
다음으로, 도 9를 참고하여 본 발명의 제6 실시예에 의한 표시 장치에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 9는 본 발명의 제6 실시예에 의한 표시 장치를 나타낸 평면도이다.
제6 실시예에 의한 표시 장치는 도 9에 도시된 바와 같이 공통 전극(270)과 지붕층(285)이 화소 영역(P)의 윗변 및 아랫변으로부터 돌출되도록 형성되어 있는 돌출부(287)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
제6 실시예에 의한 표시 장치의 돌출부(287)는 도 9에 도시된 바와 같이 삼각형으로 이루어져 있으며, 제1 내지 제6 돌출부(287a, 287b, 287c, 287d, 287e, 287f)로 이루어져 있다. 제1 내지 제3 돌출부(287a, 287b, 287c)는 화소 영역(P)의 윗변 상에서 꼭지점이 서로 만나는 3개의 삼각형으로 이루어져 있고, 제4 내지 제6 돌출부(287d, 287e, 287f)는 화소 영역(P)의 아랫변 상에서 꼭지점이 서로 만나는 3개의 삼각형으로 이루어져 있다.
제1 돌출부(287a)는 화소 영역(P)의 좌측변으로부터 연장되는 변과 화소 영역(P)의 윗변과 중첩되는 변이 서로 직각을 이루는 직각 삼각형으로 이루어질 수 있다. 제2 돌출부(287b)는 화소 영역(P)의 윗변으로부터 화소 영역(P)의 외측으로 돌출되도록 형성되어 있고, 밑변이 화소 영역(P)의 윗변과 중첩되도록 형성될 수 있다. 제3 돌출부(287c)는 화소 영역(P)의 우측변으로부터 연장되는 변과 화소 영역(P)의 윗변과 중첩되는 변이 서로 직각을 이루는 직각 삼각형으로 이루어질 수 있다.
제2 돌출부(287b)는 제1 돌출부(287a)와 제3 돌출부(287c) 사이에 위치하며, 제2 돌출부(287b)의 꼭지점은 화소 영역(P)의 윗변 상에서 제1 돌출부(287a)의 꼭지점 및 제3 돌출부(287c)의 꼭지점과 만난다.
제4 돌출부(287d)는 화소 영역(P)의 좌측변으로부터 연장되는 변과 화소 영역(P)의 아랫변과 중첩되는 변이 서로 직각을 이루는 직각 삼각형으로 이루어질 수 있다. 제5 돌출부(287e)는 화소 영역(P)의 아랫변으로부터 화소 영역(P)의 외측으로 돌출되도록 형성되어 있고, 밑변이 화소 영역(P)의 아랫변과 중첩되도록 형성될 수 있다. 제6 돌출부(287f)는 화소 영역(P)의 우측변으로부터 연장되는 변과 화소 영역(P)의 아랫변과 중첩되는 변이 서로 직각을 이루는 직각 삼각형으로 이루어질 수 있다.
제5 돌출부(287e)는 제4 돌출부(287d)와 제6 돌출부(287f) 사이에 위치하며, 제5 돌출부(287e)의 꼭지점은 화소 영역(P)의 아랫변 상에서 제4 돌출부(287d)의 꼭지점 및 제6 돌출부(287f)의 꼭지점과 만난다.
상기에서는 돌출부가 화소 영역의 윗변 상에서 꼭지점이 서로 만나는 3개의 삼각형과 화소 영역의 아랫변 상에서 꼭지점이 서로 만나는 3개의 삼각형으로 이루어져 있다고 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 아니한다. 돌출부는 화소 영역의 윗변 상에서 꼭지점이 서로 만나는 3개 이상의 삼각형들과 화소 영역의 아랫변 상에서 꼭지점이 서로 만나는 3개 이상의 삼각형으로 이루어질 수도 있다.
다음으로, 도 10을 참고하여 본 발명의 제7 실시예에 의한 표시 장치에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 10은 본 발명의 제7 실시예에 의한 표시 장치를 나타낸 평면도이다.
제7 실시예에 의한 표시 장치는 도 10에 도시된 바와 같이 공통 전극(270)과 지붕층(285)이 화소 영역(P)의 윗변 및 아랫변으로부터 돌출되도록 형성되어 있는 돌출부(287)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
제7 실시예에 의한 표시 장치의 돌출부(287)는 도 10에 도시된 바와 같이 삼각형으로 이루어져 있으며, 제1 및 제2 돌출부(287a, 287b)로 이루어져 있다. 제1 돌출부(287a)는 화소 영역(P)의 윗변의 좌측 및 우측 가장자리로부터 중앙으로 갈수록 점차적으로 돌출 길이가 길어지는 삼각형으로 이루어진다. 제2 돌출부(287b)는 화소 영역(P)의 아랫변의 좌측 및 우측 가장자리로부터 중앙으로 갈수록 점차적으로 돌출 길이가 길어지는 삼각형으로 이루어진다.
다음으로, 도 11을 참고하여 본 발명의 제8 실시예에 의한 표시 장치에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 11은 본 발명의 제8 실시예에 의한 표시 장치를 나타낸 평면도이다.
제8 실시예에 의한 표시 장치의 돌출부(287)는 제7 실시예에서와 같이 화소 영역(P)의 윗변의 좌측 및 우측 가장자리로부터 중앙으로 갈수록 점차적으로 돌출 길이가 길어지는 제1 돌출부(287a)와 화소 영역(P)의 아랫변의 좌측 및 우측 가장자리로부터 중앙으로 갈수록 점차적으로 돌출 길이가 길어지는 제2 돌출부(287b)를 포함한다.
다만, 제7 실시예에서와 달리 제8 실시예에 의한 표시 장치의 돌출부(287)는 제1 및 제2 돌출부(287a, 287b)가 궁형(segment of circle)으로 이루어진다.
즉, 제7 실시예에서는 화소 영역(P)의 가장자리로부터 중앙까지의 길이와 돌출 길이의 관계가 선형적인 반면에, 제8 실시예에서는 화소 영역(P)의 가장자리로부터 중앙까지의 길이와 돌출 길이의 관계가 비선형적이다.
다음으로 도 12 내지 도 23을 참고하여 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 제조 방법에 대해 설명하면 다음과 같다.
이하에서 설명하는 표시 장치의 제조 방법은 상기에서 설명한 제1 실시예에 의한 표시 장치를 제조하는 방법에 관한 것으로, 동일한 방법을 이용하여 마스크의 형상만을 수정함으로써 제2 내지 제8 실시예에 의한 표시 장치를 제조할 수 있다.
도 12, 도 14, 도 16, 도 18, 도 20, 및 도 22는 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 공정 평면도이고, 도 13, 도 15, 도 17, 도 19, 도 21, 및 도 23은 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도이다.
먼저, 도 12 및 도 13에 도시된 바와 같이, 유리 또는 플라스틱 등으로 이루어진 기판(110) 위에 일방향으로 뻗어있는 게이트선(121) 및 게이트선(121)으로부터 돌출되는 게이트 전극(124)을 형성한다. 또한, 게이트선(121) 및 게이트 전극(124)과 이격되도록 유지 전극(133)을 형성한다. 유지 전극(133)은 게이트선(121) 및 게이트 전극(124)과 동일한 물질로 형성될 수 있다.
이어, 게이트선(121), 게이트 전극(124), 및 유지 전극(133)을 포함한 기판(110) 위의 전면에 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물과 같은 무기 절연 물질을 이용하여 게이트 절연막(140)을 형성한다. 게이트 절연막(140)은 단일막 또는 다중막으로 형성될 수 있다.
도 14 및 도 15에 도시된 바와 같이, 게이트 절연막(140) 위에 비정질 실리콘(amorpous silicon), 다결정 실리콘(polycystalline silicon), 금속 산화물(metal oxide) 등과 같은 반도체 물질을 증착한 후 이를 패터닝하여 반도체층(150)을 형성한다. 반도체층(150)은 게이트 전극(124) 위에 위치하도록 형성할 수 있다.
이어, 금속 물질을 증착한 후 이를 패터닝하여 타방향으로 뻗어있는 데이터선(171)을 형성한다. 또한, 데이터선(171)으로부터 반도체층(150) 위로 돌출되는 소스 전극(173) 및 소스 전극(173)과 이격되는 드레인 전극(175)을 함께 형성한다. 금속 물질은 단일막 또는 다중막으로 이루어질 수 있다.
상기에서 반도체 물질을 패터닝하여 반도체층(150)을 형성한 후 금속 물질을 증착하고 패터닝하여 데이터선(171), 소스 전극(173), 및 드레인 전극(175)을 형성하는 것으로 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 아니한다.
즉, 반도체 물질과 금속 물질을 연속으로 증착한 후 이를 동시에 패터닝하여 반도체층(150), 데이터선(171), 소스 전극(173), 및 드레인 전극(175)을 형성할 수도 있다. 이때, 반도체층(150)은 데이터선(171)의 아래까지 연장되어 형성된다.
게이트 전극(124), 반도체층(150), 소스 전극(173), 및 드레인 전극(175)은 하나의 박막 트랜지스터를 구성한다. 게이트선(121)과 데이터선(171)은 서로 교차하여 형성될 수 있으며, 게이트선(121)과 데이터선(171)에 의해 복수의 화소 영역(P)이 정의될 수 있다.
도 16 및 도 17에 도시된 바와 같이, 데이터선(171), 소스 전극(173), 드레인 전극(175), 소스 및 드레인 전극(173, 175) 사이로 노출되어 있는 반도체층(150) 위에 보호막(180)을 형성한다. 보호막(180)은 유기 절연 물질 또는 무기 절연 물질로 이루어질 수 있으며, 단일막 또는 다중막으로 형성될 수 있다.
이어, 보호막(180) 위의 각 화소 영역(P) 내에 색필터(230)를 형성한다. 복수의 화소 영역(P)의 열 방향을 따라 동일한 색의 색필터(230)를 형성할 수 있다. 예를 들어, 세 가지 색의 색필터(230)를 형성하는 경우 제1 색의 색필터(230)를 먼저 형성한 후 마스크를 쉬프트 시켜 제2 색의 색필터(230)를 형성할 수 있다. 이어, 제2 색의 색필터(230)를 형성한 후 마스크를 쉬프트시켜 제3 색의 색필터(230)를 형성할 수 있다.
이어, 보호막(180) 위의 각 화소 영역(P)의 경계부 및 박막 트랜지스터 위에 차광 부재(220)를 형성한다.
상기에서 색필터(230)를 형성한 후 차광 부재(220)를 형성하는 것으로 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 아니하고 차광 부재(220)를 먼저 형성한 후 색필터(230)를 형성할 수도 있다.
이어, 색필터(230) 및 차광 부재(220) 위에 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등과 같은 무기 절연 물질로 제1 절연층(240)을 형성한다.
이어, 드레인 전극(175)의 일부가 노출되도록 제1 절연층(240), 차광 부재(220), 및 보호막(180)을 식각하여 접촉 구멍(181)을 형성한다.
이어, 제1 절연층(240) 위에 인듐-주석 산화물(ITO, Indium Tin Oxide), 인듐-아연 산화물(IZO, Indium Zinc Oxide) 등과 같은 투명한 금속 물질을 증착한 후 패터닝하여 화소 영역(P) 내에 화소 전극(191)을 형성한다. 화소 전극(191)은 접촉 구멍(181)을 통해 드레인 전극(175)과 연결되도록 형성한다.
도 18 및 도 19에 도시된 바와 같이, 화소 전극(191) 및 제1 절연층(240) 위에 유기 절연 물질로 희생층(210)을 형성한다. 희생층(210)을 패터닝하여 일방향으로 이웃하는 화소 영역(P)들 사이가 분리되고, 타방향으로 이웃하는 화소 영역(P)들을 따라 연결되도록 형성한다. 예를 들면, 희생층(210)이 행 방향으로 이웃하는 화소 영역(P)들 사이가 분리되고, 열 방향으로 이웃하는 화소 영역(P)들을 따라 연결되도록 형성할 수 있다. 이를 위해, 데이터선(171) 위에 형성되어 있는 희생층(210)을 제거할 수 있다.
희생층(210)은 감광성 고분자 물질로 이루어질 수 있으며, 포토 공정을 진행함으로써, 희생층(210)을 패터닝할 수 있다.
도 20 및 도 21에 도시된 바와 같이, 희생층(210) 위에 금속 물질을 증착하여 공통 전극(270)을 형성한다. 이때, 공통 전극(270)은 기판(110) 위의 전면을 덮도록 형성되어 있다.
이어, 공통 전극(270) 위에 유기 물질로 지붕층(285)을 형성한다. 지붕층(285)을 패터닝하여 열 방향으로 이웃하는 화소 영역(P) 사이에 위치한 지붕층(285)을 제거하여 지붕층(285)이 행 방향으로 이웃하는 화소 영역(P)들을 따라 연결되도록 한다. 또한, 지붕층(285)이 화소 영역(P)의 윗변 및 아랫변으로부터 돌출되는 돌출부(287)를 포함하도록 패터닝한다.
이때, 돌출부(287)는 화소 영역(P)의 윗변의 좌측 및 우측 가장자리 및 아랫변의 좌측 및 우측 가장자리로부터 돌출되는 4개의 직각 삼각형으로 이루어지도록 형성한다. 즉, 돌출부(287)는 제1 내지 제4 돌출부(287a, 287b, 287c, 287d)로 이루어질 수 있고, 먼저 화소 영역(P)의 윗변의 좌측 가장자리로부터 돌출되어 있는 제1 돌출부(287a)는 화소 영역(P)의 좌측변으로부터 연장되는 변과 화소 영역(P)의 윗변과 중첩되는 변이 서로 직각을 이루는 직각 삼각형으로 이루어질 수 있다. 화소 영역(P)의 윗변의 우측 가장자리로부터 돌출되어 있는 제2 돌출부(287b)는 화소 영역(P)의 우측변으로부터 연장되는 변과 화소 영역(P)의 윗변과 중첩되는 변이 서로 직각을 이루는 직각 삼각형으로 이루어질 수 있다. 화소 영역(P)의 아랫변의 좌측 가장자리로부터 돌출되어 있는 제3 돌출부(287c)는 화소 영역(P)의 좌측변으로부터 연장되는 변과 화소 영역(P)의 아랫변과 중첩되는 변이 서로 직각을 이루는 직각 삼각형으로 이루어질 수 있다. 화소 영역(P)의 아랫변의 우측 가장자리로부터 돌출되어 있는 제4 돌출부(287d)는 화소 영역(P)의 우측변으로부터 연장되는 변과 화소 영역(P)의 아랫변과 중첩되는 변이 서로 직각을 이루는 직각 삼각형으로 이루어질 수 있다.
도 22 및 도 23에 도시된 바와 같이, 지붕층(285) 위에 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등과 같은 무기 절연 물질로 제2 절연층(290)을 형성할 수 있다.
이어, 제2 절연층(290) 및 공통 전극(270)을 패터닝하여, 열 방향으로 이웃하는 화소 영역(P) 사이에 위치한 공통 전극(270) 및 제2 절연층(290)을 제거하여 공통 전극(270)이 행 방향으로 이웃하는 화소 영역(P)들을 따라 연결되도록 한다. 또한, 공통 전극(270)이 화소 영역(P)의 윗변 및 아랫변으로부터 돌출되는 돌출부(287)를 포함하도록 패터닝한다.
지붕층(285)을 패터닝하는데 사용되는 마스크와 공통 전극(270)을 패터닝하는데 사용되는 마스크는 동일 마스크일 수 있으며, 따라서, 지붕층(285)과 공통 전극(270)은 실질적으로 동일한 평면 모양을 가지게 된다. 다만, 도 23에 도시된 바와 같이 제2 절연층(290)이 지붕층(285)을 측면까지 감싸도록 형성되는 것이 바람직하므로 공통 전극(270)은 지붕층(285)보다 좀 더 바깥쪽의 경계선을 가지게 된다.
공통 전극(270)을 패터닝함으로써, 공통 전극(270)도 화소 영역(P)의 윗변 및 아랫변으로부터 돌출되는 제1 내지 제4 돌출부(287a, 287b, 287c, 287d)를 포함하게 된다.
공통 전극(270)이 제거된 부분의 아래에 위치한 희생층(210)은 노출된다. 희생층(210)이 노출된 기판(110) 위에 산소 플라즈마를 공급하여 애싱하거나, 현상액을 공급하여 희생층(210)을 전면 제거한다. 희생층(210)이 제거되면 희생층(210)이 위치하였던 자리에 공간(200)이 발생한다. 즉, 화소 전극(191)과 공통 전극(270)이 공간(200)을 사이에 두고 서로 이격된다.
또한, 공통 전극(270) 및 지붕층(285)이 형성되어 있지 않은 부분을 통해 공간(200)은 외부로 노출되어 있으며, 이를 액정 주입구(201)라 한다. 액정 주입구(201)는 게이트선(121) 방향을 따라 형성되어 있다. 이와 달리 액정 주입구(201)를 데이터선(171)을 따라 형성할 수도 있다.
액정 주입구(201)는 화소 영역(P)의 윗변 및 아랫변에 인접하여 위치하며, 본 발명의 일 실시예에서는 공통 전극(270) 및 지붕층(285)이 돌출부(287)를 가지므로, 액정 주입구(201)의 일부가 화소 영역(P)의 외측에 위치하게 된다. 즉, 화소 영역(P)의 윗변 및 아랫변의 좌측 및 우측 가장자리에서 액정 주입구(201)는 화소 영역(P)의 외측에 위치하게 되고, 이에 따라 메니스커스가 화소 영역(P)보다 바깥쪽에 형성된다.
이어, 스핀 코팅 방식 또는 잉크젯 방식으로 배향 물질이 포함되어 있는 배향액을 기판(110) 위에 떨어뜨리면, 배향액이 액정 주입구(201)를 통해 공간(200) 내부로 주입된다. 배향액을 공간(200)의 내부로 주입한 후 경화 공정을 진행하면 용액 성분은 증발하고, 배향 물질이 공간(200) 내부의 벽면에 남게 된다.
따라서, 화소 전극(191) 위에 제1 배향막(11)을 형성하고, 공통 전극(270) 아래에 제2 배향막(21)을 형성할 수 있다. 제1 배향막(11)과 제2 배향막(21)은 공간(200)을 사이에 두고 마주보도록 형성되고, 화소 영역(P)의 가장자리에서는 서로 연결되도록 형성된다. 공통 전극(270)은 데이터선(171)과 인접한 부분에서 데이터선(171)과 나란한 방향으로 공간(200)의 측면을 덮도록 측벽을 형성하고, 측벽의 내면에도 배향 물질이 남기 때문이다.
이때, 제1 및 제2 배향막(11, 21)은 공간(200)의 측면을 제외하고는 제1 기판(110)에 대해 수직한 방향으로 배향이 이루어진다. 추가로 제1 및 제2 배향막(11, 21)에 자외선을 조사하는 공정을 진행함으로써, 기판(110)에 대해 수평한 방향으로 배향이 이루어지도록 할 수도 있다.
이어, 잉크젯 방식 또는 디스펜싱 방식으로 액정 분자들로 이루어진 액정(3)을 기판(110) 위에 떨어뜨리면, 액정(3)이 액정 주입구(201)를 통해 공간(200) 내부로 주입된다. 이때, 액정(3)을 홀수 번째 게이트선(121)을 따라 형성된 액정 주입구(201)에 떨어뜨리고, 짝수 번째 게이트선(121)을 따라 형성된 액정 주입구(201)에는 떨어뜨리지 않을 수 있다. 이와 반대로, 액정(3)을 짝수 번째 게이트선(121)을 따라 형성된 액정 주입구(201)에 떨어뜨리고, 홀수 번째 게이트선(121)을 따라 형성된 액정 주입구(201)에는 떨어뜨리지 않을 수 있다.
홀수 번째 게이트선(121)을 따라 형성된 액정 주입구(201)에 액정(3)을 떨어뜨리면 모세관력(capillary force)에 의해 액정(3)이 액정 주입구(201)를 통과하여 공간(200) 내부로 들어가게 된다. 이때, 짝수 번째 게이트선(121)을 따라 형성된 액정 주입구(201)를 통해 공간(200) 내부의 공기가 빠져나감으로써, 액정(3)이 공간(200) 내부로 잘 들어가게 된다.
이어, 제2 절연층(290) 위에 액정(3)과 반응하지 않는 물질을 증착하여 덮개막(295)을 형성한다. 덮개막(295)은 공간(200)이 외부로 노출되어 있는 액정 주입구(201)를 덮도록 형성되어 화소 영역(P) 별로 공간(200)을 밀봉한다. 예를 들면, 덮개막(295)은 페릴린 등과 같이 액정(3)과 반응하지 않은 물질로 형성할 수 있다.
덮개막(295)을 두껍게 형성하거나, 덮개막(295) 위에 유기 절연막을 별도로 형성하여 기판(110) 위를 평탄화할 수도 있다.
이어, 기판(110)의 아래에 제1 편광판(12)을 형성하고, 덮개막(295)의 위에 제2 편광판(22)을 형성할 수 있다.
덮개막(295) 위에 제2 편광판(22)을 형성하는 공정에서 도시는 생략하였으나, 덮개막(295)의 상부를 평탄화시킨 후 제2 편광판(22)을 부착하는 것이 바람직하다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
3: 액정 11: 제1 배향막
21: 제2 배향막 121: 게이트선
124: 게이트 전극 133: 유지 전극
140: 게이트 절연막 150: 반도체층
171: 데이터선 173: 소스 전극
175: 드레인 전극 180: 보호막
181: 접촉 구멍 191: 화소 전극
192: 세로 줄기부 193: 가로 줄기부
194a: 제1 미세 가지부 194b: 제2 미세 가지부
194c: 제3 미세 가지부 194d: 제4 미세 가지부
200: 공간 201: 액정 주입구
210: 희생층 220: 차광 부재
225: 제4 절연층 230: 색필터
240: 제1 절연층 270: 공통 전극
285: 지붕층 287: 돌출부
287a: 제1 돌출부 287b: 제2 돌출부
287c: 제3 돌출부 287d: 제4 돌출부
287e: 제5 돌출부 287f: 제6 돌출부
290: 제2 절연층 295: 덮개막
500: 마스크 510: 투과부
520: 불투과부

Claims (24)

  1. 복수의 화소 영역을 포함하는 기판;
    상기 기판 위에 형성되어 있는 박막 트랜지스터;
    상기 박막 트랜지스터에 연결되어 상기 화소 영역 내에 형성되어 있는 화소 전극;
    상기 화소 전극 위에 형성되어 있는 공통 전극;
    상기 화소 전극과 상기 공통 전극 사이에 형성되어 있는 공간;
    상기 공통 전극 위에 형성되고, 유기 물질로 이루어져 있는 지붕층; 및,
    상기 지붕층 위에 형성되어, 상기 화소 영역 별로 상기 공간을 밀봉하는 덮개막을 포함하고,
    상기 공통 전극 및 상기 지붕층은 상기 화소 영역의 윗변 및 아랫변으로부터 돌출되도록 형성되어 있는 돌출부를 포함하는,
    표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 화소 영역들은 매트릭스 형태로 배치되고,
    상기 공통 전극 및 상기 지붕층은,
    상기 공간의 상부면, 좌측면, 및 우측면을 덮도록 형성되고,
    상기 화소 영역들 중 행 방향으로 이웃하는 화소 영역들을 따라 연결되어 있는,
    표시 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 화소 영역의 윗변 및 아랫변에서 상기 공간을 외부로 노출시키는 액정 주입구; 및,
    상기 공간 내에 형성되어 있는 액정을 더 포함하고,
    상기 덮개막은 상기 액정 주입구를 덮도록 형성되어 있는,
    표시 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 돌출부는 상기 화소 영역의 윗변 및 아랫변의 좌측 및 우측 가장자리로부터 돌출되고, 삼각형으로 이루어진,
    표시 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 돌출부는 상기 화소 영역의 좌측변 및 우측변으로부터 연장되는 변 및 상기 화소 영역의 윗변 및 아랫변과 중첩되는 변을 포함하는 직각 삼각형으로 이루어진,
    표시 장치.
  6. 제3 항에 있어서,
    상기 돌출부는,
    상기 화소 영역의 윗변 및 아랫변의 중앙으로부터 돌출되고,
    삼각형, 사각형, 및 반원 중 어느 하나 이상으로 이루어진,
    표시 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 돌출부가 상기 삼각형으로 이루어질 때,
    상기 화소 영역의 윗변 및 아랫변과 중첩되는 상기 삼각형의 밑변의 길이는 5um이상이고, 상기 화소 영역의 폭보다 좁고,
    상기 삼각형의 높이는 5um이상이고, 30um이하이고,
    상기 삼각형의 좌측변 또는 우측변이 상기 화소 영역의 윗변과 이루는 각은 10도 이상이고 80도 이하인,
    표시 장치.
  8. 제3 항에 있어서,
    상기 돌출부는 상기 화소 영역의 위변 및 아랫변의 중앙과 좌측 가장자리 사이와 중앙과 우측 가장자리 사이에서 돌출되고, 삼각형으로 이루어진,
    표시 장치.
  9. 제3 항에 있어서,
    상기 돌출부는 상기 화소 영역의 윗변 및 아랫변으로부터 돌출되고, 상기 화소 영역의 윗변 및 아랫변 위에서 꼭지점이 서로 만나는 복수의 삼각형으로 이루어진,
    표시 장치.
  10. 제3 항에 있어서,
    상기 돌출부는 상기 화소 영역의 윗변 및 아랫변의 가장자리로부터 중앙으로 갈수록 점차적으로 돌출 길이가 길어지는,
    표시 장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 돌출부는 삼각형 또는 궁형(segment of circle)으로 이루어진,
    표시 장치.
  12. 제3 항에 있어서,
    상기 기판 아래에 형성되어 있는 제1 편광판; 및,
    상기 덮개막 위에 형성되어 있는 제2 편광판을 더 포함하고,
    상기 제1 편광판 및 상기 제2 편광판 중 어느 하나의 투과축은 상기 화소 영역의 윗변 및 아랫변에 평행하고,
    상기 제1 편광판 및 상기 제2 편광판 중 다른 하나의 투과축은 상기 화소 영역의 윗변 및 아랫변에 수직한,
    표시 장치.
  13. 복수의 화소 영역을 포함하는 기판 위에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;
    상기 박막 트랜지스터와 연결되도록 상기 화소 영역 내에 화소 전극을 형성하는 단계;
    상기 화소 전극 위에 희생층을 형성하는 단계;
    상기 희생층의 상부면, 좌측면, 및 우측면을 덮도록 공통 전극을 형성하는 단계;
    상기 공통 전극 위에 유기 물질로 지붕층을 형성하는 단계;
    상기 화소 영역의 윗변 및 아랫변에서 상기 희생층이 노출되도록 상기 지붕층 및 상기 공통 전극을 패터닝하여 액정 주입구를 형성하는 단계;
    상기 희생층을 제거하여 상기 화소 전극과 상기 공통 전극 사이에 공간을 형성하는 단계;
    상기 액정 주입구를 통해 상기 공간에 액정을 주입하는 단계; 및,
    상기 지붕층 위에 덮개막을 형성하여 상기 화소 영역 별로 상기 공간을 밀봉하는 단계를 포함하고,
    상기 액정 주입구를 형성하는 단계에서,
    상기 지붕층 및 상기 공통 전극이 상기 화소 영역의 윗변 및 아랫변으로부터 돌출되는 돌출부를 포함하도록 상기 지붕층 및 상기 공통 전극을 패터닝하는,
    표시 장치의 제조 방법.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 희생층을 형성하는 단계에서,
    상기 희생층이 상기 화소 영역들 중 행 방향으로 이웃하는 화소 영역들 사이에서 분리되고, 열 방향으로 이웃하는 화소 영역들을 따라 연결되도록 형성하는,
    표시 장치의 제조 방법.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 액정 주입구를 형성하는 단계에서,
    상기 지붕층 및 상기 공통 전극이 상기 행 방향으로 이웃하는 화소 영역들을 따라 연결되고, 상기 열 방향으로 이웃하는 화소 영역들을 따라 분리되도록 형성하는,
    표시 장치의 제조 방법.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 돌출부가 상기 화소 영역의 윗변 및 아랫변의 좌측 및 우측 가장자리로부터 돌출되고, 삼각형으로 이루어지도록 형성하는,
    표시 장치의 제조 방법.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 돌출부가 상기 화소 영역의 좌측변 및 우측변으로부터 연장되는 변 및 상기 화소 영역의 윗변 및 아랫변과 중첩되는 변을 포함하는 직각 삼각형으로 이루어지도록 형성하는,
    표시 장치의 제조 방법.
  18. 제15 항에 있어서,
    상기 돌출부가,
    상기 화소 영역의 윗변 및 아랫변의 중앙으로부터 돌출되고,
    삼각형, 사각형, 및 반원 중 어느 하나 이상으로 이루어지도록 형성하는,
    표시 장치의 제조 방법.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 돌출부가 상기 삼각형으로 이루어질 때,
    상기 화소 영역의 윗변 및 아랫변과 중첩되는 상기 삼각형의 밑변의 길이는 5um이상이고, 상기 화소 영역의 폭보다 좁고,
    상기 삼각형의 높이는 5um이상이고, 30um이하이고,
    상기 삼각형의 좌측변 또는 우측변이 상기 화소 영역의 윗변과 이루는 각은 10도 이상이고 80도 이하가 되도록 형성하는,
    표시 장치의 제조 방법.
  20. 제15 항에 있어서,
    상기 돌출부가 상기 화소 영역의 윗변 및 아랫변의 중앙과 좌측 가장자리 사이와 중앙과 우측 가장자리 사이에서 돌출되고, 삼각형으로 이루어지도록 형성하는,
    표시 장치의 제조 방법.
  21. 제15 항에 있어서,
    상기 돌출부가 상기 화소 영역의 윗변 및 아랫변으로부터 돌출되고, 상기 화소 영역의 윗변 및 아랫변 상에서 꼭지점이 서로 만나는 복수의 삼각형으로 이루어지도록 형성하는,
    표시 장치의 제조 방법.
  22. 제15 항에 있어서,
    상기 돌출부가 상기 화소 영역의 윗변 및 아랫변의 가장자리로부터 중앙으로 갈수록 점차적으로 돌출 길이가 길어지도록 형성하는,
    표시 장치의 제조 방법.
  23. 제22 항에 있어서,
    상기 돌출부가 삼각형 또는 궁형(segment of circle)으로 이루어지도록 형성하는,
    표시 장치의 제조 방법.
  24. 제15 항에 있어서,
    상기 기판 아래에 제1 편광판을 형성하는 단계; 및,
    상기 덮개막 위에 제2 편광판을 형성하는 단계를 더 포함하고,
    상기 제1 편광판 및 상기 제2 편광판 중 어느 하나의 투과축은 상기 화소 영역의 윗변 및 아랫변에 평행하고,
    상기 제1 편광판 및 상기 제2 편광판 중 다른 하나의 투과축은 상기 화소 영역의 윗변 및 아랫변에 수직한,
    표시 장치의 제조 방법.
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