CN103513471B - 基板及具有其的显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提出一种基板及具有其的显示装置。该显示装置包括一第一基材、一第二基材、一液晶层、一微线材结构及一电极结构。第二基材与第一基材相对而设。液晶层设置于第一基材与第二基材之间。微线材结构设于第一基材及第二基材至少其中一者上。电极结构至少设于具有微线材结构的第一基材或第二基材上。

Description

基板及具有其的显示装置

技术领域

本发明是有关于一种具有微线材结构的基板，且特别是有关于一种具有此种基板的显示装置。

背景技术

近年来，液晶显示器已经广泛应用于电子产品的显示屏幕。液晶显示器有许多不同的形式，包括扭转向列(twisternematic)，超扭曲向列(supertwistednematic，STN)，平面切换(in-planeswitching)，多区域垂直排列(multi-domainverticalalignment，MVA)等。

当施加电压于液晶显示器的电极时，可以控制液晶分子的旋转方向，并调变光的偏振方向，进而影响光通过量而造成亮态及暗态的反差作为显示结果。

为了控制液晶分子方向，传统使用向列型液晶(nematicliquidcrystal)的形式的显示器，常将基板的表面配向处理以控制液晶分子的配向，例如进行摩擦(rubbing)处理，用布材摩擦与液晶接触的基板表面上所涂布的配向膜表面，不但使制程成本升高且容易降低显示品质。且前述使用向列(nematic)液晶的显示器，其应答时间过长，不利于色序法的动态图像显示的应用，需要设置彩色滤光片薄膜来呈现彩色的显示效果。因此，生产成本及制程复杂度较高。

因此，具有快速反应速度的蓝相液晶成为目前业界的研究重点之一。蓝相液晶显示装置具有反应速度更快、对比度高、视角更广的优点。然而，蓝相液晶所需要的驱动电压较高，成为发展蓝相液晶显示装置所需要克服的问题之一。

发明内容

本发明是有关于一种基板及具有此基板的显示装置。基板具有电极结构及微线材结构，可以增加且延伸操作电场区域的范围，降低显示装置的驱动电压。

根据本发明的第一方面，提出一种显示装置，包括一第一基材、一第二基材、一液晶层、一微线材结构及一电极结构。第二基材与第一基材相对而设。液晶层设置于第一基材与第二基材之间。微线材结构设于第一基材及第二基材至少其中一者上。电极结构，至少设于具有微线材结构的第一基材或第二基材上。

根据本发明的第二方面，提出一种基板，用于一液晶显示装置，基板包括一基材、一电极结构及一微线材结构。微线材结构，设于基材上。电极结构设于基材上，且电极结构邻接于液晶显示装置的一液晶层。

附图说明

为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：

图1A绘示依照本发明一实施例的显示装置的示意图。

图1B绘示如图1A的基板的俯视图。

图2绘示依照本发明一实施例的显示装置的剖面示意图。

图3绘示依照本发明一实施例的显示装置的剖面示意图。

图4绘示依照本发明一实施例的显示装置的剖面示意图。

图5绘示依照本发明一实施例的显示装置的剖面示意图。

图6绘示依照本发明一实施例的显示装置的剖面示意图。

图7绘示依照本发明一实施例的显示装置的剖面示意图。

图8绘示依照本发明一实施例的显示装置的剖面示意图。

图9绘示依照本发明一实施例的显示装置的剖面示意图。

图10A～10B绘示依照本发明一实施例的基板的示意图。

图11A～11B绘示依照本发明一实施例的基板的示意图。

图12A～12B绘示依照本发明一实施例的基板的示意图。

图13～图19绘示依照本发明实施例的电极结构与微线材结构的不同实施态样的示意图。

图20A～20E绘示依照本发明实施例的微线材结构的不同实施态样的示意图。

主要元件符号说明：

10、20、30、40、50、60、70、80、90：显示装置

100、200、300a、300b、400a、400b、500a、500b、600a、600b、700a、700b、800a、800b、900a、900b、1000、1100、1200、1300、1400、1500、1600、1700、1800、1900：基板

110a、110b、210a、210b、310a、310b、410a、410b、510a、510b、610a、610b、710a、710b、810a、810b、910a、910b、1010、1110、1210、1310、1410、1510、1610、1710、1810、1910：基材

150、250、350、450a、450b、550、650a、650b、750、850、950、1050、1150、1250、1350、1450、1550、1650、1750、1850、1950：电极结构

230、240、350a、350b、430a、430b、440a、440b、630a、630b、640a、640b：电极

235、435a、435b、635a、635b、935：绝缘层

160、260、360a、360b、460a、460b、660a、660b、660a、660b、760a、760b、860a、860b、960a、960b、1060、1160、1260、1360、1460、1560、1660、1760、1860、1960、2060a～2060e：微线材结构

180、280、380、480、580、680、780、880、980：液晶层

P1、P2：间距

X：距离

具体实施方式

图1A绘示依照本发明一实施例的显示装置的示意图。请参考图1A，显示装置10包括第一基材110a、第二基材110b、电极结构150、微线材结构160及液晶层180。第二基材110b与第一基材110a相对而设。电极结构150设于具有微线材结构160的第一基材110a上。电极结构150例如系包括多个交错设置的像素电极及共电极。微线材结构160设于第一基材110a上，于一实施例中，微线材结构160可以设置于像素电极及共电极上或像素电极及共电极之间（绘示于图7）。液晶层180设置于第一基材110a与第二基材110b之间。第一基材110a、电极结构150及微线材结构160系构成基板100。

于一实施例中，微线材结构160包括一金属氧化物或一纳米碳材。纳米碳材是选择自纳米碳簇(carbon-basednanomaterial)、纳米实心碳材(carbonfiber)以及纳米石墨材料(carbongraphite)所组成的群组。举例来说，微线材结构160可以是选择自由氧化铁、三氧化二铁（Fe₂O₃）、二氧化钛(TiO₂)、氧化铜(CuO)及铟锡氧化物(ITO)所组成的群组。于一实施例中，微线材结构160包括多条直径系10纳米（nm）至1微米（μm），长度系100nm至10μm的微线材，微线材系均匀分布设置，微线材结构160的密度可以表示为每100微米平方（μm²）有10^-2至10⁶根微线材。当电压施加于电极结构150，微线材结构160因受到电极结构150的电场影响而具有电性，因而可以增加并延伸操作电场区域的范围，使有效电场范围扩大而可更有效操控液晶分子。

请参考图1B，其绘示如图1A的基板100的俯视图。于此实施例中，电极结构150例如系半圆柱状或半椭圆柱状。当然，电极结构150亦可以包括T型、梯形、半圆形、矩形或多层复合型的结构，并不作限制。微线材结构160例如系包括多条棒状或针状的细小微线材，均匀或不均匀地设置在电极结构150对称轴的上方以形成尖端放电。当然，微线材结构160亦可以系绒毛状、叉状、针状或柱状。当施加电压给电极结构150时，微线材结构160可延伸操作电场区域，减少死区（DeadZone）的范围。死区系指不可操作液晶的电场。微线材结构160的形状及设置位置可以依照制程需求或产品需求作调整，并不作限制。

请参考图2，其绘示依照本发明一实施例的显示装置20的剖面示意图。如图2所示，显示装置20包括第一基材210a、第二基材210b、电极结构250、微线材结构260及液晶层280。第二基材210b与第一基材210a相对而设。电极结构250包括一第一电极230、一绝缘层235及一第二电极240。第一电极230设于第一基材210a上。绝缘层235设于第一电极230上。第二电极240设于绝缘层235上，微线材结构260系设置于第二电极240上。于此实施例中，微线材结构260例如系与图1A～1B的微线材结构160具有相同的长度、密度及材料，故于此将不再赘述。

于此实施例中，第一基材210a、绝缘层235、电极结构250及微线材结构260系构成基板200。于图2仅绘示微线材结构260系设置于第二电极240的对称轴上，然而，微线材结构260亦可以设置于第二电极240的其他位置。或者，微线材结构260亦可以设置于绝缘层235上介于两个第二电极240之间的位置，当两个相邻的第二电极240施加不同极性电压后，微线材结构260可借以受到第二电极240的诱导而于两侧带有不同极性的电性，据以增加局部的电场强度。

图3绘示依照本发明一实施例的显示装置30的剖面示意图。显示装置30包括第一基材310a、第二基材310b、电极结构350a、电极结构350b、微线材结构360a、微线材结构360b及液晶层380。第二基材310b与第一基材310a相对而设。电极结构350包括一第一电极350a及一第二电极350b。第一电极350a设于第一基材310a上，第二电极350b设于第二基材310b上。微线材结构360a系设置于第二电极350a上，且微线材结构360b系设置于第二电极350b上。

于此实施例中，微线材结构360a及微线材结构360b例如系与图1A～1B的微线材结构160具有相同的长度、密度及材料，于此将不再赘述。第一基材310a、电极结构350a及微线材结构360a系构成基板300a，第二基材310b、电极结构350b及微线材结构360b系构成基板300b，基板300a及基板300b可以系相同结构且对称地设置。当然，基板300a及基板300b亦可以为不同结构非对称设置，并不作限制。举例来说，可以仅单侧基板设置有微线材结构，例如，基板300a及基板300b可以仅一者有微线材结构的设置。也就是说，微线材结构360a或微线材结构360b可以设置于该基板300a的电极结构350a及基板300b的电极结构350b至少其中一者上即可。

于图3仅绘示微线材结构360a及微线材结构360b分别设置于电极结构350a及电极结构350b的对称轴上。然而，微线材结构360a及微线材结构360b亦可以设置于电极结构350a及电极结构350b的其他位置。只要微线材结构360a及微线材结构360b可以延伸电极结构350a及电极结构350b的操作电场区域即可。

请参考图4，其绘示依照本发明一实施例的显示装置40的剖面示意图。如图4所示，显示装置40包括第一基材410a、第二基材410b、电极结构450a、电极结构450b、微线材结构460a、微线材结构460b及液晶层480。

第二基材410b与第一基材410a相对而设。电极结构450a包括一第一电极430a、一绝缘层435a及一第二电极440a。第一电极430a设于第一基材410a上。绝缘层435a设于第一电极430a上。第二电极440a设于绝缘层435a上，微线材结构460a系设置于第二电极440a上。电极结构450b包括一第一电极430b、一绝缘层435b及一第二电极440b。第一电极430b设于第二基材410b上。绝缘层435b设于第一电极430b上。第二电极440b设于绝缘层435b上，微线材结构460b系设置于第二电极440b上。

于此实施例中，微线材结构460a及微线材结构460b例如系与图1A～1B的微线材结构160具有相同的长度、密度及材料，故于此将不再赘述。第一基材410a、绝缘层435a、电极结构450a及微线材结构460a系构成基板400a。第二基材410b、绝缘层435b、电极结构450b及微线材结构460b系构成基板400b。于图4仅绘示微线材结构460a及微线材结构460b分别设置于电极结构450a及电极结构450b的对称轴上。然而，微线材结构460a及微线材结构460b亦可以设置于电极结构450a及电极结构450b上的其他位置。或者，微线材结构460a或微线材结构460b亦可以设置于绝缘层435a或绝缘层435b上介于两个电极结构450a或介于两个电极结构450b之间的位置，当两个相邻的电极结构450a或两个相邻的电极结构450b分别施加不同极性电压后，微线材结构460a或微线材结构460b可以受到电极结构450a或电极结构450b的诱导，而于微线材结构460a或微线材结构460b两侧会带有不同极性的电性，可据以增加局部的电场强度。

图5绘示依照本发明一实施例的显示装置50的剖面示意图。显示装置50包括第一基材510a、第二基材510b、电极结构550、微线材结构560a、微线材结构560b及液晶层580。第二基材510b与第一基材510a相对而设。电极结构550包括一第一电极550a及一第二电极550b。第一电极550a设于第一基材510a上，第二电极550b设于第二基材510b上。微线材结构560a及微线材结构560b系分别设置于第二电极550a及第二电极550b上。

于此实施例中，微线材结构560a及微线材结构560b例如系与图1A～1B的微线材结构160具有相同的长度、密度及材料，于此将不再赘述。第一基材510a、第一电极550a及微线材结构560a系构成基板500a，第二基材510b、第二电极550b及微线材结构560b系构成基板500b。

于此实施例中，基板500a及基板500b可以系相同或不同结构。亦即，可以仅单侧基板设置有微线材结构。也就是说，微线材结构560a或微线材结构560b设置于该基板500a的第一电极550a及基板500b的第二电极550b至少其中一者上即可。此外，微线材结构560a及微线材结构560b可以分别设置于电极结构550a及电极结构550b的对称轴上。亦可以设置于第一电极550a及第二电极550b的其他位置。只要微线材结构560a及微线材结构560b可以增加电极结构550的局部的电场强度即可。

请参考图6，其绘示依照本发明一实施例的显示装置60的剖面示意图。如图6所示，显示装置60包括第一基材610a、第二基材610b、电极结构650a、电极结构650b、微线材结构660a、微线材结构660b及液晶层680。

第二基材610b与第一基材610a相对而设。电极结构650a包括一第一电极630a、一绝缘层635a及一第二电极640a。第一电极630a设于第一基材610a上。绝缘层635a设于第一电极630a上。第二电极640a设于绝缘层635a上，微线材结构660a系设置于第二电极640a上。电极结构650b包括一第一电极630b、一绝缘层635b及一第二电极640b。第一电极630b设于第二基材610b上。绝缘层635b设于第一电极630b上。第二电极640b设于绝缘层635b上，微线材结构660b系设置于第二电极640b上。

于此实施例中，微线材结构660a及微线材结构660b例如系与图1A～1B的微线材结构160具有相同的长度、密度及材料，故于此将不再赘述。第一基材610a、绝缘层635a、电极结构650a及微线材结构660a系构成基板600a。第二基材610b、绝缘层535b、电极结构650b及微线材结构660b系构成基板600b。于图6仅绘示微线材结构660a及微线材结构660b分别设置于电极结构650a及电极结构650b的对称轴上。然而，微线材结构660a及微线材结构660b亦可以设置于电极结构650a及电极结构650b上的其他位置。或者，微线材结构660a或微线材结构660b亦可以设置于绝缘层635a或绝缘层635b上介于两个电极结构650a或介于两个电极结构650b之间的位置。两个相邻的电极结构650a或两个相邻的电极结构650b分别施加不同极性电压后，微线材结构660a或微线材结构660b可以受到电极结构650a或电极结构650b的诱导，而微线材结构660a或微线材结构660b的两侧会带有不同极性的电性，据以增加局部的电场强度。

请参考图7，其绘示依照本发明一实施例的显示装置70的剖面示意图。显示装置70包括第一基材710a、第二基材710b、电极结构750、微线材结构760及液晶层780。第二基材710b与第一基材710a相对而设。电极结构750设于具有微线材结构760的第一基材710a上。电极结构750例如系包括多个交错设置的像素电极及共电极。微线材结构760设于第一基材710a上，且设置于两相邻的电极结构750之间，两相邻的电极结构750例如系像素电极及共电极。液晶层780设置于第一基材710a与第二基材710b之间。第一基材710a、电极结构750及微线材结构760系构成基板700。于此实施例的微线材结构760例如系与图1A～1B的微线材结构160具有相同的长度、密度及材料，故于此将不再赘述。

请参考图8，其绘示依照本发明一实施例的显示装置80的剖面示意图。显示装置80包括第一基材810a、第二基材810b、电极结构850、微线材结构860及液晶层880。第二基材810b与第一基材810a相对而设。电极结构850设于具有微线材结构860的第一基材810a上。电极结构850例如系包括多个交错设置的像素电极及共电极。微线材结构860系设置于电极结构850的边缘，两相邻的电极结构850例如系像素电极及共电极。液晶层880设置于第一基材810a与第二基材810b之间。第一基材810a、电极结构850及微线材结构860系构成基板800。于此实施例的微线材结构860例如系与图1A～1B的微线材结构160具有相同的长度、密度及材料，故于此将不再赘述。

请参考图9，其绘示依照本发明一实施例的显示装置90的剖面示意图。显示装置90包括第一基材910a、第二基材910b、电极结构950、微线材结构960及液晶层980。液晶层980设置于第一基材910a与第二基材910b之间。第二基材910b与第一基材910a相对而设。电极结构950设于具有微线材结构960的第一基材910a上。电极结构950例如系包括多个交错设置的第二电极940、绝缘层935及第一电极930，第一电极930及第二电极940例如系像素电极或共电极中任一者。微线材结构960系设置于两相邻的电极结构950之间的非电极区，且可以系设置于第一基材910a的上表面上，两相邻的电极结构950可以系像素电极及共电极。

第一基材910a、电极结构950及微线材结构960系构成基板900。于此实施例的微线材结构960例如系与图1A～1B的微线材结构160具有相同的长度、密度及材料，故于此将不再赘述。两个相邻的电极结构950施加不同极性电压后，微线材结构960可以受到两侧电极结构950的诱导，使得微线材结构960的两侧带有不同极性的电性，据以增加局部的电场强度。

图10A绘示依照本发明一实施例的基板1000的剖面示意图。如图10A所示，基板1000包括基材1010、电极结构1050及微线材结构1060。请参考图10B，其绘示如图10A的基板1000的俯视图。基板1000与与图1A的基板100很相近，差异仅在于基板1000的电极结构1050的形状系长方体。基板1000可以取代图1A～1B、图2～9中的显示装置10～90任一侧的基板。

图11A绘示依照本发明一实施例的基板1100的剖面示意图。如图11A所示，基板1100包括基材1110、电极结构1150及微线材结构1160。请参考图11B，其绘示如图11A的基板1100的俯视图。基板1100与与图1A的基板100很相近，差异仅在于基板1100的微线材结构1160系设置在电极结构1150的两侧。如此将可以有效解决施加电压后电场有死区（DeadZone）的问题。微线材结构1160可以系均匀或不均匀地设置，且电极结构1150两侧的微线材结构1160可以依据制程或产品需求，以对称或不对称的方式设置，并不作限制。基板1100可以取代图1A～1B、图2～9中的显示装置10～90任一侧的基板。

图12A绘示依照本发明一实施例的基板1200的剖面示意图。如图12A所示，基板1200包括基材1210、电极结构1250及微线材结构1260。请参考图12B，其绘示如图12A的基板1200的俯视图。基板1200与图10A的基板1000很相近，差异仅在于基板1200的微线材结构1260系设置在电极结构1250的两侧，以解决施加电压后电场有死区的问题。

于此实施例中，微线材结构1260与电极结构1250的边缘具有一距离X，距离X系10纳米（nm）至10微米（μm）。两排微线材结构1260之间彼此具有一间距P1，间距P1系0.01μm至20μm。同一排相邻的两个微线材结构1260彼此具有一间距P2，间距P2系0.01μm至20μm。于一实施例中，微线材结构1260可以系均匀或不均匀地设置，且电极结构1250两侧的微线材结构1260可以依据制程或产品需求，以对称或不对称的方式设置，并不作限制。基板1200可以取代图1A～1B、图2～9中的显示装置10～90任一侧的基板。

图13～19绘示依照本发明实施例的电极结构与微线材的不同实施态样的示意图。请先参考图13，电极结构1350的剖面例如系半圆形，电极结构1350的表面上可以设置多个微线材结构1360。于此实施例系以电极结构1350上，均匀设置三排微线材结构1360为例作说明，当然，可以依照制程及产品需求，于电极结构1350上非均匀地、不对称地设置较多或较少排的微线材结构1360，并不作限制。

请参考图14，于一实施例中，电极结构1450的剖面可以系梯形，且电极结构1450的表面上可以设置多个微线材结构1460。请参考图15，于一实施例中，电极结构1550的剖面可以系矩形或正方形，且电极结构1550的表面上可以设置多个微线材结构1560。请参考图16，于一实施例中，电极结构1650的剖面可以系层状堆叠的复合层形式，且电极结构1650的表面上可以设置多个微线材结构1660。于图14～16的电极结构1450～1650，系以均匀设置三排微线材结构1460～1660于电极结构1450～1650为例作说明。当然，可以依照制程及产品需求，于电极结构1450～1650上非均匀地、不对称地设置较多或较少排的微线材结构1460～1660，并不作限制。

请参考图17，于一实施例中，电极结构1750的剖面可以系层状堆叠的复合层形式(图未示)，且电极结构1750的表面上可以设置多个微线材结构1760。请参考图18，于一实施例中，电极结构1850的剖面可以系三角形，且电极结构1850的表面上可以设置多个微线材结构1860。于图17～18的电极结构1750～1850，系以对称或非对称设置的双排微线材结构1760～1860于电极结构1750～1850为例作说明。当然，可以依照制程及产品需求，于电极结构1750～1850上均匀或非均匀地、对称地设置较多或较少排的微线材结构1760～1860，并不作限制。

请参考图19，于一实施例中，电极结构1950的剖面可以系T型，且电极结构1950的表面上可以设置多个微线材结构1960。于此系以电极结构1950的表面上设置单排微线材结构1960为例作说明。当然，可以依照制程及产品需求，于电极结构1950上均匀或非均匀地、对称地设置较多或较少排的微线材结构1960，并不作限制。

图20A～20E绘示依照本发明实施例的微线材结构的不同实施态样的示意图。请先参考图20A，微线材结构2060a可以系角柱型，例如是图20A所绘示的六角柱型。请参考图20B，微线材结构2060b亦可以系棒状且顶端为螺旋型。请参考图20C，微线材结构2060c可以是叉状。请参考图20D，微线材结构2060d可以是半圆柱型。请参考图20E，微线材结构2060e可以是柱状（例如系碳柱体）且具有多个枝细微分支（例如系氧化锌）向外凸出。于一实施例中，微线材结构还可以是绒毛状或针状。

综上所述，本发明上述实施例的基板及具有此种基板的显示装置，借由电极结构与微线材的设置，可以有效提升局部电场，降低显示装置的驱动电压。当微线材系设置于电极结构表面上时，更可以减少电场死区的问题。可以在不需要增加驱动电压的状况下，使得电场的分布更均匀、电场的强度更强且电场的密度更高，因而可增加并延伸操作电场的区域范围，以降低驱动电压。

虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的修改和完善，因此本发明的保护范围当以权利要求书所界定的为准。

Claims (16)

1.一种显示装置，包括：

一第一基材；

一第二基材，与该第一基材相对而设；

一液晶层，设置于该第一基材与该第二基材之间；

一电极结构，设于该第一基材及该第二基材至少其中一者上；以及

一微线材结构，设立于该第一基材、该第二基材及该电极结构至少其中一者上，该第一基材是包括一电极区及一非电极区，该电极结构是设置于该电极区，其中该微线材结构是设置于该非电极区与该电极区之间或该非电极区上。

2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该电极结构包括：

一第一电极，设于该第一基材上；

一绝缘层，设于该第一电极上；以及

一第二电极，设于该绝缘层上，且该微线材结构是设置于该绝缘层上。

3.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该电极结构包括：

一像素电极，设于该第一基材及该第二基材至少其中一者上；以及

一共电极，与该像素电极间隔且交错地设置，其中该微线材结构是设置于该像素电极及该共电极之间。

4.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该电极结构包括一T型、一梯形、一半圆形、一矩形或一多层复合型的结构，且该微线材结构包括一金属氧化物或一纳米碳材，该纳米碳材是选择自纳米碳簇、纳米实心碳材以及纳米石墨材料所组成的群组。

5.如权利要求4所述的显示装置，其特征在于，该微线材结构是选择自氧化铁、二氧化钛、氧化铜及铟锡氧化物所组成的群组。

6.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该微线材结构的直径是10nm至1μm，该微线材结构的长度是100nm至10μm。

7.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该微线材结构是多条微线材，所述微线材是排列设置，相邻两列的所述微线材结构具有一第一间距，同一列的所述微线材之间具有一第二间距，该第一间距是0.01μm至20μm，该第二间距是0.01μm至20μm，且所述微线材的密度是于每100微米平方有10^-2至10⁶根微线材。

8.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该微线材结构是绒毛状、叉状、针状或柱状，其中该柱状的微线材结构包括一碳柱体及多条纤维状分支设置于该碳柱体上。

9.一种基板，用于一液晶显示装置，该基板包括：

一基材；

一电极结构，设于该基材上，且邻接于该液晶显示装置的一液晶层；以及

一微线材结构，设立于该基材及该电极结构至少其中一者之上，其中该电极结构包括一T型、一梯形、一半圆形、一矩形或一多层复合型的结构，该微线材结构是绒毛状、叉状、针状或柱状，该柱状的微线材结构包括一碳柱体及多条纤维状分支设置于该碳柱体上。

10.如权利要求9所述的基板，其特征在于，该微线材结构是设置于该电极结构的边缘或该电极结构对称轴上，且该微线材结构与该电极结构的边缘的距离是10nm至10μm。

11.如权利要求9所述的基板，其特征在于，该电极结构包括：

一第一电极，设于该基板上；

一绝缘层，设于该第一电极上；以及

一第二电极，设于该绝缘层上，且该微线材结构是设置于该绝缘层或该电极上。

12.如权利要求9所述的基板，其特征在于，该电极结构包括：

一像素电极，设于该基板上；以及

一共电极，与该像素电极间隔且交错地设置，其中该微线材结构是设置于该像素电极及该共电极之间或设置于该像素电极及该共电极至少其中一者上。

13.如权利要求9所述的基板，其特征在于，该微线材结构包括一金属氧化物或一纳米碳材，该纳米碳材是选择自纳米碳簇、纳米实心碳材以及纳米石墨材料所组成的群组。

14.如权利要求9所述的基板，其特征在于，该微线材结构的直径是10nm至1μm，且该微线材结构的长度是100nm至10μm。

15.如权利要求9所述的基板，其特征在于，该微线材结构是多条微线材，所述微线材是排列设置，相邻两列的所述微线材结构之间具有一第一间距，同一列的所述微线材之间具有一第二间距，该第一间距是0.01μm至20μm，该第二间距是0.01μm至20μm，且所述微线材的密度是于每100微米平方有10^-2至10⁶根微线材。

16.如权利要求9所述的基板，其特征在于，该基板包括一电极区及一非电极区，该电极结构是设置于该电极区，其中该微线材结构是设置于该非电极区与该电极区之间或该非电极区上。