TWI485496B - 基板及具有其之顯示裝置 - Google Patents

Description

基板及具有其之顯示裝置

本發明是有關於一種具有微線材結構之基板，且特別是有關於一種具有此種基板之顯示裝置。

近年來，液晶顯示器已經廣泛應用於電子產品的顯示螢幕。液晶顯示器有許多不同的形式，包括扭轉向列(twister nematic)，超扭曲向列(super twisted nematic,STN)，平面切換(in-plane switching)，多區域垂直排列(multi-domain vertical alignment,MVA)等。

當施加電壓於液晶顯示器之電極時，可以控制液晶分子的旋轉方向，並調變光的偏振方向，進而影響光通過量而造成亮態及暗態之反差作為顯示結果。

為了控制液晶分子方向，傳統使用向列型液晶(nematic liquid crystal)之形式的顯示器，常將基板之表面配向處理以控制液晶分子的配向，例如進行摩擦(rubbing)處理，用布材摩擦與液晶接觸之基板表面上所塗佈之配向膜表面，不但使製程成本升高且容易降低顯示品質。且前述使用向列(nematic)液晶的顯示器，其應答時間過長，不利於色序法之動態圖像顯示的應用，需要設置彩色濾光片薄膜來呈現彩色的顯示效果。因此，生產成本及製程複雜度較高。

因此，具有快速反應速度的藍相液晶成為目前業界的研究重點之一。藍相液晶顯示裝置具有反應速度更快、對 比度高、視角更廣的優點 然而，藍相液晶所需要的驅動電壓較高，成為發展藍相液晶顯示裝置所需要克服的問題之一。

本發明係有關於一種基板及具有此基板的顯示裝置。基板具有電極結構及微線材結構，可以增加且延伸操作電場區域的範圍，降低顯示裝置的驅動電壓。

根據本發明之第一方面，提出一種顯示裝置，包括一第一基材、一第二基材、一液晶層、一微線材結構及一電極結構。第二基材與第一基材相對而設。液晶層設置於第一基材與第二基材之間。微線材結構設於第一基材及第二基材至少其中一者上。電極結構，至少設於具有微線材結構之第一基材或第二基材上。

根據本發明之第二方面，提出一種基板，用於一液晶顯示裝置，基板包括一基材、一電極結構及一微線材結構。微線材結構，設於基材上。電極結構設於基材上，且電極結構鄰接於液晶顯示裝置之一液晶層。

為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：

第1A圖係繪示依照本發明一實施例之顯示裝置的示意圖。請參考第1A圖，顯示裝置10包括第一基材110a、第二基材110b、電極結構150、微線材結構160及液晶層 180、第二基材110b與第一基材110a相對而設。電極結構150設於具有微線材結構160之第一基材110a上。電極結構150例如係包括複數個交錯設置的畫素電極及共電極。微線材結構160設於第一基材110a上，於一實施例中，微線材結構160可以設置於畫素電極及共電極上或畫素電極及共電極之間(繪示於第7圖)。液晶層180設置於第一基材110a與第二基材110b之間。第一基材110a、電極結構150及微線材結構160係構成基板100。

於一實施例中，微線材結構160係包括一金屬氧化物或一奈米碳材。奈米碳材係選擇自奈米碳簇(carbon-based nanomaterial)、奈米實心碳材(carbon fiber)以及奈米石墨材料(carbon graphite)所組成的群組。舉例來說，微線材結構160可以係選擇自由氧化鐵、三氧化二鐵(Fe₂ O₃ )、二氧化鈦(TiO₂ )、氧化銅(CuO)及銦錫氧化物(ITO)所組成的群組。於一實施例中，微線材結構160包括複數條直徑係10奈米(nm)至1微米(μm)，長度係100nm至10μm的微線材，微線材係均勻分佈設置，微線材結構160的密度可以表示為每100微米平方(μm² )有10^-2 至10⁶ 根微線材。當電壓施加於電極結構150，微線材結構160因受到電極結構150之電場影響而具有電性，因而可以增加並延伸操作電場區域的範圍，使有效電場範圍擴大而可更有效操控液晶分子。

請參考第1B圖，其繪示如第1A圖之基板100的俯視圖。於此實施例中，電極結構150例如係半圓柱狀或半橢圓柱狀。當然，電極結構150亦可以包括T型、梯形、半 圓形、矩形或多層複合型之結構，並不作限制。微線材結構160例如係包括複數條棒狀或針狀的細小微線材，均勻或不均勻地設置在電極結構150對稱軸的上方以形成尖端放電。當然，微線材結構160亦可以係絨毛狀、叉狀、針狀或柱狀。當施加電壓給電極結構150時，微線材結構160可延伸操作電場區域，減少死區(Dead Zone)的範圍。死區係指不可操作液晶之電場。微線材結構160的形狀及設置位置可以依照製程需求或產品需求作調整，並不作限制。

請參考第2圖，其繪示依照本發明一實施例之顯示裝置20的剖面示意圖。如第2圖所示，顯示裝置20包括第一基材210a、第二基材210b、電極結構250、微線材結構260及液晶層280。第二基材210b與第一基材210a相對而設。電極結構250包括一第一電極230、一絕緣層235及一第二電極240。第一電極230設於第一基材210a上。絕緣層235設於第一電極230上。第二電極240設於絕緣層235上，微線材結構260係設置於第二電極240上。於此實施例中，微線材結構260例如係與第1A~1B圖之微線材結構160具有相同的長度、密度及材料，故於此將不再贅述。

於此實施例中，第一基材210a、絕緣層235、電極結構250及微線材結構260係構成基板200。於第2圖僅繪示微線材結構260係設置於第二電極240之對稱軸上，然而，微線材結構260亦可以設置於第二電極240的其他位置。或者，微線材結構260亦可以設置於絕緣層235上介 於兩個第二電極240之間的位置，當兩個相鄰之第二電極240施加不同極性電壓後，微線材結構260可藉以受到第二電極240的誘導而於兩側帶有不同極性之電性，據以增加局部之電場強度。

第3圖繪示依照本發明一實施例之顯示裝置30的剖面示意圖。顯示裝置30包括第一基材310a、第二基材310b、電極結構350a、電極結構350b、微線材結構360a、微線材結構360b及液晶層380。第二基材310b與第一基材310a相對而設。電極結構350包括一第一電極350a及一第二電極350b。第一電極350a設於第一基材310a上，第二電極350b設於第二基材310b上。微線材結構360a係設置於第二電極350a上，且微線材結構360b係設置於第二電極350b上。

於此實施例中，微線材結構360a及微線材結構360b例如係與第1A~1B圖之微線材結構160具有相同的長度、密度及材料，於此將不再贅述。第一基材310a、電極結構350a及微線材結構360a係構成基板300a，第二基材310b、電極結構350b及微線材結構360b係構成基板300b，基板300a及基板300b可以係相同結構且對稱地設置。當然，基板300a及基板300b亦可以為不同結構非對稱設置，並不作限制。舉例來說，可以僅單側基板設置有微線材結構，例如，基板300a及基板300b可以僅一者有微線材結構的設置。也就是說，微線材結構360a或微線材結構360b可以設置於該基板300a之電極結構350a及基板300b之電極結構350b至少其中一者上即可。

於第3圖僅繪示微線材結構360a及微線材結構360b分別設置於電極結構350a及電極結構350b之對稱軸上。然而，微線材結構360a及微線材結構360b亦可以設置於電極結構350a及電極結構350b的其他位置。只要微線材結構360a及微線材結構360b可以延伸電極結構350a及電極結構350b之操作電場區域即可。

請參考第4圖，其繪示依照本發明一實施例之顯示裝置40的剖面示意圖。如第4圖所示，顯示裝置40包括第一基材410a、第二基材410b、電極結構450a、電極結構450b、微線材結構460a、微線材結構460b及液晶層480。第二基材410b與第一基材410a相對而設。電極結構450a包括一第一電極430a、一絕緣層435a及一第二電極440a。第一電極430a設於第一基材410a上。絕緣層435a設於第一電極430a上。第二電極440a設於絕緣層435a上，微線材結構460a係設置於第二電極440a上。電極結構450b包括一第一電極430b、一絕緣層435b及一第二電極440b。第一電極430b設於第二基材410b上。絕緣層435b設於第一電極430b上。第二電極440b設於絕緣層435b上，微線材結構460b係設置於第二電極440b上。

於此實施例中，微線材結構460a及微線材結構460b例如係與第1A~1B圖之微線材結構160具有相同的長度、密度及材料，故於此將不再贅述。第一基材410a、絕緣層435a、電極結構450a及微線材結構460a係構成基板400a。第二基材410b、絕緣層435b、電極結構450b及微線材結構460b係構成基板400b。於第4圖僅繪示微線材 結構460a及微線材結構460b分別設置於電極結構450a及電極結構450b之對稱軸上。然而，微線材結構460a及微線材結構460b亦可以設置於電極結構450a及電極結構450b上的其他位置。或者，微線材結構460a或微線材結構460b亦可以設置於絕緣層435a或絕緣層435b上介於兩個電極結構450a或介於兩個電極結構450b之間的位置，當兩個相鄰之電極結構450a或兩個相鄰之電極結構450b分別施加不同極性電壓後，微線材結構460a或微線材結構460b可以受到電極結構450a或電極結構450b的誘導，而於微線材結構460a或微線材結構460b兩側會帶有不同極性之電性，可據以增加局部之電場強度。

第5圖繪示依照本發明一實施例之顯示裝置50的剖面示意圖。顯示裝置50包括第一基材510a、第二基材510b、電極結構550、微線材結構560a、微線材結構560b及液晶層580。第二基材510b與第一基材510a相對而設。電極結構550包括一第一電極550a及一第二電極550b。第一電極550a設於第一基材510a上，第二電極550b設於第二基材510b上。微線材結構560a及微線材結構560b係分別設置於第二電極550a及第二電極550b上。

於此實施例中，微線材結構560a及微線材結構560b例如係與第1A~1B圖之微線材結構160具有相同的長度、密度及材料，於此將不再贅述。第一基材510a、第一電極550a及微線材結構560a係構成基板500a，第二基材510b、第二電極550b及微線材結構560b係構成基板500b。

於此實施例中，基板500a及基板500b可以係相同或 不同結構。亦即，可以僅單側基板設置有微線材結構。也就是說，微線材結構560a或微線材結構560b設置於該基板500a之第一電極550a及基板500b之第二電極550b至少其中一者上即可。此外，微線材結構560a及微線材結構560b可以分別設置於電極結構550a及電極結構550b之對稱軸上。亦可以設置於第一電極550a及第二電極550b的其他位置。只要微線材結構560a及微線材結構560b可以增加電極結構550之局部之電場強度即可。

請參考第6圖，其繪示依照本發明一實施例之顯示裝置60的剖面示意圖。如第6圖所示，顯示裝置60包括第一基材610a、第二基材610b、電極結構650a、電極結構650b、微線材結構660a、微線材結構660b及液晶層680。第二基材610b與第一基材610a相對而設。電極結構650a包括一第一電極630a、一絕緣層635a及一第二電極640a。第一電極630a設於第一基材610a上。絕緣層635a設於第一電極630a上。第二電極640a設於絕緣層635a上，微線材結構660a係設置於第二電極640a上。電極結構650b包括一第一電極630b、一絕緣層635b及一第二電極640b。第一電極630b設於第二基材610b上。絕緣層635b設於第一電極630b上。第二電極640b設於絕緣層635b上，微線材結構660b係設置於第二電極640b上。

於此實施例中，微線材結構660a及微線材結構660b例如係與第1A~1B圖之微線材結構160具有相同的長度、密度及材料，故於此將不再贅述。第一基材610a、絕緣層635a、電極結構650a及微線材結構660a係構成基板 600a。第二基材610b、絕緣層535b、電極結構650b及微線材結構660b係構成基板600b。於第6圖僅繪示微線材結構660a及微線材結構660b分別設置於電極結構650a及電極結構650b之對稱軸上。然而，微線材結構660a及微線材結構660b亦可以設置於電極結構650a及電極結構650b上的其他位置。或者，微線材結構660a或微線材結構660b亦可以設置於絕緣層635a或絕緣層635b上介於兩個電極結構650a或介於兩個電極結構650b之間的位置。兩個相鄰之電極結構650a或兩個相鄰之電極結構650b分別施加不同極性電壓後，微線材結構660a或微線材結構660b可以受到電極結構650a或電極結構650b的誘導，而微線材結構660a或微線材結構660b之兩側會帶有不同極性之電性，據以增加局部之電場強度。

請參考第7圖，其繪示依照本發明一實施例之顯示裝置70之剖面示意圖。顯示裝置70包括第一基材710a、第二基材710b、電極結構750、微線材結構760及液晶層780。第二基材710b與第一基材710a相對而設。電極結構750設於具有微線材結構760之第一基材710a上。電極結構750例如係包括複數個交錯設置的畫素電極及共電極。微線材結構760設於第一基材710a上，且設置於兩相鄰之電極結構750之間，兩相鄰之電極結構750例如係畫素電極及共電極。液晶層780設置於第一基材710a與第二基材710b之間。第一基材710a、電極結構750及微線材結構760係構成基板700。於此實施例之微線材結構760例如係與第1A~1B圖之微線材結構160具有相同的長 度、密度及材料，故於此將不再贅述。

請參考第8圖，其繪示依照本發明一實施例之顯示裝置80之剖面示意圖。顯示裝置80包括第一基材810a、第二基材810b、電極結構850、微線材結構860及液晶層880。第二基材810b與第一基材810a相對而設。電極結構850設於具有微線材結構860之第一基材810a上。電極結構850例如係包括複數個交錯設置的畫素電極及共電極。微線材結構860係設置於電極結構850之邊緣，兩相鄰之電極結構850例如係畫素電極及共電極。液晶層880設置於第一基材810a與第二基材810b之間。第一基材810a、電極結構850及微線材結構860係構成基板800。於此實施例之微線材結構860例如係與第1A~1B圖之微線材結構160具有相同的長度、密度及材料，故於此將不再贅述。

請參考第9圖，其繪示依照本發明一實施例之顯示裝置90之剖面示意圖。顯示裝置90包括第一基材910a、第二基材910b、電極結構950、微線材結構960及液晶層980。液晶層980設置於第一基材910a與第二基材910b之間。第二基材910b與第一基材910a相對而設。電極結構950設於具有微線材結構960之第一基材910a上。電極結構950例如係包括複數個交錯設置的第二電極940、絕緣層935及第一電極930，第一電極930及第二電極940例如係畫素電極或共電極中任一者。微線材結構960係設置於兩相鄰之電極結構950之間的非電極區，且可以係設置於第一基材910a之上表面上，兩相鄰之電極結構950 可以係畫素電極及共電極。

第一基材910a、電極結構950及微線材結構960係構成基板900。於此實施例之微線材結構960例如係與第1A~1B圖之微線材結構160具有相同的長度、密度及材料，故於此將不再贅述。兩個相鄰之電極結構950施加不同極性電壓後，微線材結構960可以受到兩側電極結構950的誘導，使得微線材結構960之兩側帶有不同極性之電性，據以增加局部之電場強度。

第10A圖繪示依照本發明一實施例之基板1000的剖面示意圖。如第10A圖所示，基板1000包括基材1010、電極結構1050及微線材結構1060。請參考第10B圖，其繪示如第10A圖之基板1000的俯視圖。基板1000與與第1A圖之基板100很相近，差異僅在於基板1000之電極結構1050的形狀係長方體。基板1000可以取代第1A~1B、2~9圖中之顯示裝置10~90任一側的基板。

第11A圖繪示依照本發明一實施例之基板1100的剖面示意圖。如第11A圖所示，基板1100包括基材1110、電極結構1150及微線材結構1160。請參考第11B圖，其繪示如第11A圖之基板1100的俯視圖。基板1100與與第1A圖之基板100很相近，差異僅在於基板1100之微線材結構1160係設置在電極結構1150的兩側。如此將可以有效解決施加電壓後電場有死區(Dead Zone)的問題。微線材結構1160可以係均勻或不均勻地設置，且電極結構1150兩側的微線材結構1160可以依據製程或產品需求，以對稱或不對稱的方式設置，並不作限制。基板1100可 以取代第1A~1B、2~9圖中之顯示裝置10~90任一側的基板。

第12A圖繪示依照本發明一實施例之基板1200的剖面示意圖。如第12A圖所示，基板1200包括基材1210、電極結構1250及微線材結構1260。請參考第12B圖，其繪示如第12A圖之基板1200的俯視圖。基板1200與第10A圖之基板1000很相近，差異僅在於基板1200之微線材結構1260係設置在電極結構1250的兩側，以解決施加電壓後電場有死區的問題。

於此實施例中，微線材結構1260與電極結構1250之邊緣具有一距離X，距離X係10奈米(nm)至10微米(μm)。兩排微線材結構1260之間彼此具有一間距P1，間距P1係0.01μm至20μm。同一排相鄰之兩個微線材結構1260彼此具有一間距P2，間距P2係0.01μm至20μm。於一實施例中，微線材結構1260可以係均勻或不均勻地設置，且電極結構1250兩側的微線材結構1260可以依據製程或產品需求，以對稱或不對稱的方式設置，並不作限制。基板1200可以取代第1A~1B、2~9圖中之顯示裝置10~90任一側的基板。

第13~19圖繪示依照本發明實施例之電極結構與微線材的不同實施態樣之示意圖。請先參考第13圖，電極結構1350之剖面例如係半圓形，電極結構1350的表面上可以設置複數個微線材結構1360。於此實施例係以電極結構1350上，均勻設置三排微線材結構1360為例作說明，當然，可以依照製程及產品需求，於電極結構1350上非 均勻地、不對稱地設置較多或較少排的微線材結構1360，並不作限制。

請參考第14圖，於一實施例中，電極結構1450之剖面可以係梯形，且電極結構1450的表面上可以設置複數個微線材結構1460。請參考第15圖，於一實施例中，電極結構1550之剖面可以係矩形或正方形，且電極結構1550的表面上可以設置複數個微線材結構1560。請參考第16圖，於一實施例中，電極結構1650之剖面可以係層狀堆疊的複合層形式，且電極結構1650的表面上可以設置複數個微線材結構1660。於第14~16圖之電極結構1450~1650，係以均勻設置三排微線材結構1460~1660於電極結構1450~1650為例作說明。當然，可以依照製程及產品需求，於電極結構1450~1650上非均勻地、不對稱地設置較多或較少排的微線材結構1460~1660，並不作限制。

請參考第17圖，於一實施例中，電極結構1750之剖面可以係層狀堆疊的複合層形式(圖未示)，且電極結構1750的表面上可以設置複數個微線材結構1760。請參考第18圖，於一實施例中，電極結構1850之剖面可以係三角形，且電極結構1850的表面上可以設置複數個微線材結構1860。於第17~18圖之電極結構1750~1850，係以對稱或非對稱設置之雙排微線材結構1760~1860於電極結構1750~1850為例作說明。當然，可以依照製程及產品需求，於電極結構1750~1850上均勻或非均勻地、對稱地設置較多或較少排的微線材結構1760~1860，並不作 限制。

請參考第19圖，於一實施例中，電極結構1950之剖面可以係T型，且電極結構1950的表面上可以設置複數個微線材結構1960。於此係以電極結構1950的表面上設置單排微線材結構1960為例作說明。當然，可以依照製程及產品需求，於電極結構1950上均勻或非均勻地、對稱地設置較多或較少排的微線材結構1960，並不作限制。

第20A~20E圖繪示依照本發明實施例之微線材結構的不同實施態樣之示意圖。請先參考第20A圖，微線材結構2060a可以係角柱型，例如是第20A圖所繪示的六角柱型。請參考第20B圖，微線材結構2060b亦可以係棒狀且頂端為螺旋型。請參考第20C圖，微線材結構2060c可以是叉狀。請參考第20D圖，微線材結構2060d可以是半圓柱型。請參考第20E圖，微線材結構2060e可以是柱狀(例如係碳柱體)且具有複數枝細微分支(例如係氧化鋅)向外凸出。於一實施例中，微線材結構還可以是絨毛狀或針狀。

綜上所述，本發明上述實施例之基板及具有此種基板的顯示裝置，藉由電極結構與微線材的設置，可以有效提升局部電場，降低顯示裝置的驅動電壓。當微線材係設置於電極結構表面上時，更可以減少電場死區的問題。可以在不需要增加驅動電壓的狀況下，使得電場的分佈更均勻、電場的強度更強且電場的密度更高，因而可增加並延伸操作電場的區域範圍，以降低驅動電壓。

綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然 其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

10、20、30、40、50、60、70、80、90‧‧‧顯示裝置

100、200、300a、300b、400a、400b、500a、500b、600a、600b、700a、700b、800a、800b、900a、900b、1000、1100、1200、1300、1400、1500、1600、1700、1800、1900‧‧‧基板

110a、110b、210a、210b、310a、310b、410a、410b、510a、510b、610a、610b、710a、710b、810a、810b、910a、910b、1010、1110、1210、1310、1410、1510、1610、1710、1810、1910‧‧‧基材

150、250、350、450a、450b、550、650a、650b、750、850、950、1050、1150、1250、1350、1450、1550、1650、1750、1850、1950‧‧‧電極結構

230、240、350a、350b、430a、430b、440a、440b、630a、630b、640a、640b‧‧‧電極

235、435a、435b、635a、635b、935‧‧‧絕緣層

160、260、360a、360b、460a、460b、660a、660b、660a、660b、760a、760b、860a、860b、960a、960b、1060、1160、1260、1360、1460、1560、1660、1760、1860、1960、2060a~2060e‧‧‧微線材結構

180、280、380、480、580、680、780、880、980‧‧‧液晶層

P1、P2‧‧‧間距

X‧‧‧距離

第1A圖係繪示依照本發明一實施例之顯示裝置的示意圖。

第1B圖係繪示如第1A圖之基板的俯視圖。

第2圖係繪示依照本發明一實施例之顯示裝置的剖面示意圖。

第3圖繪示依照本發明一實施例之顯示裝置的剖面示意圖。

第4圖繪示依照本發明一實施例之顯示裝置的剖面示意圖。

第5圖繪示依照本發明一實施例之顯示裝置的剖面示意圖。

第6圖繪示依照本發明一實施例之顯示裝置的剖面示意圖。

第7圖繪示依照本發明一實施例之顯示裝置之剖面示意圖。

第8圖繪示依照本發明一實施例之顯示裝置之剖面示意圖。

第9圖繪示依照本發明一實施例之顯示裝置之剖面示意圖。

第10A~10B圖繪示依照本發明一實施例之基板的示 意圖。

第11A~11B圖繪示依照本發明一實施例之基板的示意圖。

第12A~12B圖繪示依照本發明一實施例之基板的示意圖。

第13~19圖繪示依照本發明實施例之電極結構與微線材結構的不同實施態樣之示意圖。

第20A~20E圖繪示依照本發明實施例之微線材結構的不同實施態樣之示意圖。

10‧‧‧顯示裝置

100‧‧‧基板

110a、110b‧‧‧基材

150‧‧‧電極結構

160‧‧‧微線材結構

180‧‧‧液晶層

Claims (18)

1. 一種顯示裝置，包括：一第一基材；一第二基材；一液晶層，設置於該第一基材與該第二基材之間；一電極結構，設於該第一基材或該第二基材至少其中一者上；以及一微線材結構，設立於該第一基材、該第二基材及該電極結構至少其中一者上，其中該微線材結構係複數條微線材，該些微線材係排列設置，相鄰兩列之該些微線材具有一第一間距，同一列之該些微線材之間具有一第二間距，該第一間距係0.01μm至20μm，該第二間距係0.01μm至20μm，且該些微線材的密度係於每100微米平方(μm² )有10^-2 至10⁶ 根微線材。
2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該電極結構包括：一第一電極，設置於該第一基材上；以及一第二電極，設置於該第二基材上，其中該微線材結構係設置於該第一電極及該第二電極至少其中一者上。
3. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該電極結構包括：一第一電極，設於該第一基材上；一絕緣層，設於該第一電極上；以及一第二電極，設於該絕緣層上，且該微線材結構係設置於該絕緣層或該第二電極上。
4. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該電極結構包括：一畫素電極，設於該第一基材及該第二基材至少其中一者上；以及一共電極，與該畫素電極間隔且交錯地設置，其中該微線材結構係設置於該畫素電極及該共電極之間或設置於該畫素電極及該共電極至少其中一者上。
5. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該電極結構包括一T型、一梯形、一半圓形、一矩形或一多層複合型之結構，且該微線材結構係包括一金屬氧化物或一奈米碳材，該奈米碳材係選擇自奈米碳簇(carbon-based nanomaterial)、奈米實心碳材(carbon fiber)以及奈米石墨材料(carbon graphite)所組成的群組。
6. 如申請專利範圍第5項所述之顯示裝置，其中該微線材結構係選擇自氧化鐵、二氧化鈦、氧化銅及銦錫氧化物所組成的群組。
7. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該微線材結構的直徑係10奈米(nm)至1微米(μm)，該微線材結構的長度係100奈米(nm)至10微米(μm)。
8. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該微線材結構係絨毛狀、叉狀、針狀或柱狀，其中該柱狀之微線材結構包括一碳柱體及複數條纖維狀分支設置於該碳柱體上。
9. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該微線材結構係設置於該電極結構之邊緣或該電極結構對稱軸上，且該微線材結構與該電極結構之邊緣的距離係10nm至10μm。
10. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該第一基材係包括一電極區及一非電極區，該電極結構係設置於該電極區，其中該微線材結構係設置於該非電極區與該電極區之間或該非電極區上。
11. 一種基板，用於一液晶顯示裝置，該基板包括：一基材；一電極結構，設於該基材上，且鄰接於該液晶顯示裝置之一液晶層；以及一微線材結構，設立於該基材及該電極結構至少其中一者之上，其中該微線材結構係複數條微線材，該些微線材係排列設置，相鄰兩列之該些微線材之間具有一第一間距，同一列之該些微線材之間具有一第二間距，該第一間距係0.01μm至20μm，該第二間距係0.01μm至20μm，且該些微線材的密度係於每100微米平方(μm² )有10^-2 至10⁶ 根微線材。
12. 如申請專利範圍第11項所述之基板，其中該微線材結構係設置於該電極結構之邊緣或該電極結構對稱軸上，且該微線材結構與該電極結構之邊緣的距離係10nm至10μm。
13. 如申請專利範圍第11項所述之基板，其中該電極結構包括： 一第一電極，設於該基板上；一絕緣層，設於該第一電極上；以及一第二電極，設於該絕緣層上，且該微線材結構係設置於該絕緣層或該電極上。
14. 如申請專利範圍第11項所述之基板，其中該電極結構包括：一畫素電極，設於該基板上；以及一共電極，與該畫素電極間隔且交錯地設置，其中該微線材結構係設置於該畫素電極及該共電極之間或設置於該畫素電極及該共電極至少其中一者上。
15. 如申請專利範圍第11項所述之基板，其中該電極結構包括一T型、一梯形、一半圓形、一矩形或一多層複合型之結構，該微線材結構係絨毛狀、叉狀、針狀或柱狀，該柱狀之微線材結構包括一碳柱體及複數條纖維狀分支設置於該碳柱體上。
16. 如申請專利範圍第15項所述之基板，其中該微線材結構包括一金屬氧化物或一奈米碳材，該奈米碳材係選擇自奈米碳簇(carbon-based nanomaterial)、奈米實心碳材(carbon fiber)以及奈米石墨材料(carbon graphite)所組成的群組。
17. 如申請專利範圍第11項所述之基板，其中該微線材結構的直徑係10nm至1μm，且該微線材結構的長度係100nm至10μm。
18. 如申請專利範圍第11項所述之基板，其中該第 一基板係包括一電極區及一非電極區，該電極結構係設置於該電極區，其中該微線材結構係設置於該非電極區與該電極區之間或該非電極區上。