FI97731B - Menetelmä ja laite ohutkalvojen valmistamiseksi - Google Patents

Menetelmä ja laite ohutkalvojen valmistamiseksi Download PDF

Info

Publication number
FI97731B
FI97731B FI945612A FI945612A FI97731B FI 97731 B FI97731 B FI 97731B FI 945612 A FI945612 A FI 945612A FI 945612 A FI945612 A FI 945612A FI 97731 B FI97731 B FI 97731B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
gas
substrate
reactor
disc
flow
Prior art date
Application number
FI945612A
Other languages
English (en)
Swedish (sv)
Other versions
FI945612A0 (fi
FI97731C (fi
FI945612A (fi
Inventor
Pekka Soininen
Tuomo Suntola
Sven Lindfors
Original Assignee
Mikrokemia Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mikrokemia Oy filed Critical Mikrokemia Oy
Publication of FI945612A0 publication Critical patent/FI945612A0/fi
Priority to FI945612A priority Critical patent/FI97731C/fi
Priority to AU39857/95A priority patent/AU3985795A/en
Priority to JP51734396A priority patent/JP3349156B2/ja
Priority to US08/682,703 priority patent/US5711811A/en
Priority to KR1019960704092A priority patent/KR100255431B1/ko
Priority to PCT/FI1995/000659 priority patent/WO1996017969A2/en
Priority to DE19581482T priority patent/DE19581482T1/de
Publication of FI945612A publication Critical patent/FI945612A/fi
Publication of FI97731B publication Critical patent/FI97731B/fi
Application granted granted Critical
Publication of FI97731C publication Critical patent/FI97731C/fi

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C23C16/45546—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus specially adapted for a substrate stack in the ALD reactor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C10/00—Solid state diffusion of only metal elements or silicon into metallic material surfaces
    • C23C10/06—Solid state diffusion of only metal elements or silicon into metallic material surfaces using gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
    • C23C8/06—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

97731
Menetelmä ja laite ohutkalvojen valmistamiseksi
Esillä olevan keksinnön kohteena on patenttivaatimuksen 1 johdannon mukainen 5 menetelmä ohutkalvojen valmistamiseksi.
Tällaisen menetelmän mukaan reaktiotilaan sijoitettu substraatti saatetaan alttiiksi ohutkalvon muodostamiseen käytettävän ainakin kahden eri reaktantin vuorottaisille pintareaktioille. Höyry faasissa olevia reaktantteja syötetään toistuvasti ja vuorottaisesti 10 kukin omasta lähteestään reaktiotilaan, jossa ne saatetaan reagoimaan substraatin pinnan kanssa kiinteässä olomuodossa olevan ohutkalvotuotteen muodostamiseksi substraatille. Substraatille kiinnittymättömät reaktiotuotteet ja mahdollinen reaktanttiylimäärä poistetaan kaasufaasissa reaktiotilasta, 15 Keksintö koskee myös patenttivaatimuksen 7 johdannon mukaista laitetta.
Ohutkalvojen kasvatus tapahtuu perinteisesti tyhjöhöyrystyksellä, Molecular Beam Epitaxy :llä (MBE) ja muilla vastaavilla vakuumikasvatusmenetelmillä, Chemical Vapor Deposition: in (CVD) eri muodoilla (kuten matalapaine- ja metallo-organo-CVD ja 20 plasma-avusteinen CVD) tai yllä mainitulla, vuorottaisiin pintareaktioihin perustuvalla kasvatuksella, josta käytetään nimitystä Atomic Layer Epitaxy, eli lyhennettynä ALE. MBE:ssa ja CVD:ssa kalvon kasvu on verrannollinen muiden prosessiarvojen lisäksi myös syötettyjen lähtöaineiden pitoisuuksiin. Jotta kyseisillä menetelmillä valmistetuista kalvoista tulisi tasaisia, niin lähdeaineiden määrien ja reaktiivisuuksien on oltava 25 yhtäsuuret eri puolilla substraattia. Mikäli eri lähtöaineet pääsevät kosketuksiin toistensa kanssa ennen substraatin pintaa, niinkuin esimerkiksi CVD:ssa on asianlaita, on aina olemassa sellainen mahdollisuus, että ne reagoivat keskenään. Tällöin on vaarana mikropartikkelien muodostuminen jo kaasujen syöttökanavistoissa. Tällaiset mikropartik-kelit yleensä huonontavat kalvoa. Ennenaikaisten reaktioiden välttämiseksi MBE-ja 30 CVD-reaktoreissa lähtöaineet esimerkiksi lämmitetään vasta substraateilla. Reaktion käynnistämiseksi voidaan lämmön lisäksi käyttää esim. plasmaa tai muuta vastaavaa aktivaattoria.
2 97731 MBE- ja CVD-prosesseissa ohutkalvojen kasvu säädetään ensisijaisesti alustalle saapuvan lähdeainevirran suuruuden avulla. ALE-prosessissa kasvua kontrolloi sen sijaan alustan pinta eikä niinkään lähdeainevirran pitoisuudet tai virtausominaisuudet. ALE:ssa edellytetään vain, että lähtöainetta on riittävästi kalvon kasvuun eripuolilla substraattia.
5 ALE-tekniikkaa on kuvattu esim. FI-patenttijulkaisuissa 523S9 ja 57975 sekä US-patenttijulkaisuissa 4 058 430 ja 4 389 973, joissa on on myös esitetty eräitä kyseistä menetelmää soveltavia laiteratkaisuja. Laitteita ohutkalvojen kasvatukseen löytyy myös seuraavista julkaisuista: Material Science Report 4(7)(1989) 261 ja Tyhjiötekniikka ISBN 10 951-794-422-5 s. 253-261.
ALE-kasvatuksessa atomit tai molekyylit virtaavat substraattien yli pommittaen niiden pintaa jatkuvasti siten, että pintaan muodostuu täysin kyllästynyt molekyylikerros. FI-patenttijulkaisusta 57975 tunnetun tekniikan mukaisesti seuraavana saapuva inertti-15 kaasupulssi muodostaa diffuusiovallin, joka poistaa ylimääräisen lähtöaineen ja kaasu maiset reaktiotuotteet substraatilta. Toisiaan seuraavat eri lähtöainepulssit ja niitä erottavat inerttikaasun muodostamat diffuusiovallit aikaansaavat pintakemiansa kontrolloiman kalvon kasvun. Tällaista reaktoria kutsutaan "travelling wave" -reaktoriksi. Prosessin kannalta ei ole merkitystä liikkuvatko kaasut vai substraatit, vaan että reaktion 20 eri lähtöaineet ovat erotetut toisistaan ja että ne saapuvat substraatille vuorottain.
Useimmat tyhjöhöyrystimet toimivat ns. "single shot" -periaatteella. Siinä höyrystetty atomi tai molekyyli törmää vain kerran substraattiin. Mikäli se ei reagoi substraatin pinnan kanssa, niin se kimpoaa tai uudelleen höyrystyy kohti laitteiston seinämiä tai 25 vakuumipumppua ja kondensoituu sinne. Kuumaseinämäisissä reaktoreissa seinämään tai substraattiin osunut atomi tai molekyyli voi höyrystyä uudestaan ja siten törmätä .: substraattiin uudemman kerran. Tämä "multi-shot" -periaate ALE-reaktoreissa parantaa mm. laitteiston materiaalihyötysuhdetta. 1
Mikäli ALE-kasvatuksessa lähtöaineet jakautuvat virtausdynaamisten tms. syiden takia epätasaisesti substraattien eripuolille, on kalvon tasaisen kasvun varmistamiseksi kutakin lähtöainetta pulssitettava substraattien yli niin paljon, että sitä virtaa myös laihimman 3 97731 virtauksen kohdilla riittävän suuri annos joka pulssilla. Kun toisaalta tiedetään, että virtausgeometria voi johtaa jopa useita dekadeja suuriin konsentraatioeroihin, niin . huonoilla virtausgeometrioilla lähtöaineita voidaan joutua pulssittamaan enemmän kuin kalvon kasvu kokonaisuudessaan edellyttäisi. Tätä kutsutaan yliannostukseksi ja siihen 5 saattavat vaikuttaa muutkin syyt, kuten lähtöaineiden kemia.
Jotta ALE-kasvatuksessa lähtöainetta olisi riittävästi eripuolilla substraattia ilman, että jouduttaisiin suuriin yliannostuksiin, on kaasujen tasaiseksi jakamiseksi käytössä kaksi ratkaisua: 10 1. Rakennetaan laitteisto siten, että paine substraateilla on niin alhainen, että kaasumole-kyylien keskinäinen keskimääräinen törmäysväli on suurempi kuin substraattien väliset etäisyydet. Tällöin pääosa kaasumolekyylien törmäyksistä osuu substraatteihin ja harva kaasu pääsee jakaantumaan tasaisesti substraatteihin nähden. Kun keskimääräinen 15 törmäysväli on tyypillisen systeemin seinämän välisen etäisyyden d suuruinen tai edes 1/100 osa siitä, niin kaasua kutsutaan välitilaiseksi. Yhden millibaarin paineessa ja huoneen lämpötilassa typpimolekyylin keskimääräinen törmäysväli on 64 mikrometriä ja 0,01 mbar:ssa 6,4 mm. ALE-reaktoreissa substraattien väliset etäisyydet ovat tyypillisesti muutamia millimetrejä. Pyrittäessä ko. ratkaisuun on paineen siten oltava n. 1 mbar 20 tai mielummin jopa sen alle.
2. Paineen ollessa suurempi kaasumolekyylien keskimääräinen törmäysväli pienenee ja kaasu ei ole enää välitilassa vaan se on viskoottisessa tilassa (törmäysväli < d/100). Viskoottisessa tilassa kaasun virtaus on sen molekyylien kollektiivista, törmäysten kautta 25 toisiinsa kytkettyä liikettä pienenevän paineen suuntaan. Lämpöliikkeen aiheuttama molekyylien keskinäinen sekoittuminen ilmenee diffuusiona. Ratkaisuissa kaasua pyritään jakamaan tasaisesti substraattien yli erilaisten kaasun virtauttimien ja suuttimien avulla, koska diffuusionopeudet kaasuvirran poikkisuunnassa ovat pieniä verrattuna kaasun etenemisnopeuteen.
Ensin mainitun vaihtoehdon heikkoutena on vaadittu alhainen paine reaalisilla dimensioilla. Kun paine laskee dekadilla niin pumpun kapasiteetin on noustava myös dekadilla ja 30 4 97731 kaasujen nopeudet nousevat myöskin dekadilla mikäli kaasuvirtaus pidetään vakiona. Kaasujen nopeudessa ei voida ylittää äänen nopeutta ja pumppujen hinnat nousevat voimakkaasti. Lisäksi paineen laskiessa on reaktorin dimensioita väljennettävä, jotta läpäisy paranisi ettei syntyisi painetta nostavia painehäviöitä. Tämä taasen edellyttäisi 5 jälleen paineen laskemista.
Painetta voidaan pienentää myös pienentämällä huuhteluvirtauksia ja lähtöaineiden siirtovirtauksia. Koska siirrettävänä on edelleen yhtä paljon lähtöainetta ja huuhteluiden on oltava riittäviä, niin tämä johtaa prosessiaikojen pitenemiseen. Tämä ei välttämättä ole 10 ongelma tutkimusreaktoreissa mutta ongelma kärjistyy tuotantolaitteistoissa ja suurilla substraattipinta-aloilla.
Toisen vaihtoehdon mukaisessa ratkaisussa paine on tyypillisesti 2-10 mbar, jolloin tarvittavat pumput ovat kuhtuullisen kokoisia, putkiston ja substraattipitimen dimensiot 15 ovat helposti toteutettavia sekä kaasujen virtausajat ja nopeudet kohtuullisia.
Jaettaessa kaasuja tasaisesti substraattien koko leveydelle käytetään erilaisia törmäyttimiä ja kuristimia. Törmäyttimissä kaasusuihku törmäytetään johonkin pintaan, joka aikaansaa suihkun hajaantumisen ja sekoittumisen. Tällaisia törmäyksiä voidaan myös järjestää 20 useita peräkkäin. Kaasun kuristimien toiminta taas perustuu siihen, että rinnakkaisten kuristimien syöttöpuolella konduktanssi on hyvin suuri verrattuna konduktanssiin kuristusten läpi. Tällöin kaasun kannalta kaikki kuristukset ovat saman arvoisia ja näin virtaus jakautuu tasaisesti viivamaiseksi tai tasomaiseksi. Kuristimina voidaan käyttää esimerkiksi kapeaa rakoa, vierekkäisiä reikiä (putkia), sintteriä, tms.
25
Vaikka virtaus on saatu tasaiseksi, niin käytännössä on havaittu ongelmia kalvon tasaisuudessa, koska viskoosit kaasut suuntautuvat kohti matalampaa painetta eli kaasun poistoaukkoa. 1 »I li t fili I;i1-Ö : -
Esillä olevan keksinnön tarkoituksena on poistaa tunnettuun tekniikkaan liittyvät epäkohdat ja saada aikaan aivan uudenlainen laite tasalaatuisten ohutkalvojen kasvattamiseksi.
5 97731
Keksintö perustuu siihen ajatukseen, että virtauksen tasaava ns. määräävä kuristus sijoitetaan reaktiotilassa substraattien jälkeen. Tällöin korkeammassa paineessa oleva viskoottinen lähtöainekaasu onkin reaktiokammiossa substraatin kohdalla tai, jos reaktiokammioon on sijoitettu vastakkaisille sivuille kaksi substraattia, substraattien 5 välissä. Tässä kohdassa konduktanssi on siis poikittaissuunnassa suurempi kuin poistoon johtavan kuristuksen yli. Koska paine substraattien välissä näin tasoittuu, ei myöskään konsentraatioeroja esiinny, mikäli syötetty kaasu on ollut homogeenista.
Keksinnön mukaiselle menetelmälle on edelleen ominaista, että reaktiotilaan johdettava 10 kaasuvirtaus litistetään levymäiseksi.
Keksinnön mukainen menetelmä voidaan edullisesti toteuttaa laitteessa, jolla on kasettira-kenne. Niinpä tällainen reaktiotila muodostuu levymäisistä rakenneosista, jotka ovat päällekkäin (tai vierekkäin) ladottavia. Rakenneosista ainakin osa on keskenään saman-15 laisia. Kasettirakennetta koottaessa substraatti sijoitetaan rakenneosan päälle rakenne osaan muodostettuun syvennykseen. Reaktanttien syöttökanavat ja kaasumaisten reaktiotuotteiden ja reaktanttiylimäärän poistokanavat syntyvät rakenteeseen substraatin tasoon nähden pystysuorina käytävinä. Substraattisyvennys liittyy poistokanavaan syvennyksen ja poistokanavan välisen kynnyksen kautta. Tämä kynnys muodostaa 20 substraatin tason suuntaisen kapean raon kootussa kasettirakenteessa ja toimii poistuvan kaasun virtauksenkuristimena.
DE-hakemusjulkaisusta 3 707 672 tunnetaan ratkaisu, jossa substraatit ovat pyöritettävissä poikkileikkaukseltaan ympyränkehän muotoisen reaktiokammion sisällä, jolloin 25 kaasun virtausta kuristetaan substraattien jälkeen. Viitejulkaisusta ei kuitenkaan ole löydettävissä mitään viittausta edellä esitettyyn kombinaatioon, jossa litistettyä kaasunvir-tausta kuristetaan. Keksinnön mukaisella ratkaisulla saadaan reaktanttikaasujen tiheys- ja paine-erot erittäin tehokkaasti poistetuksi virtauksen leveyssuunnassa. 1 ♦ Täsmällisemmin sanottuna keksinnön mukaiselle menetelmälle on pääasiallisesti tun nusomaista se, mikä on esitetty patenttivaatimuksen 1 tunnusmerkkiosassa.
6 97731
Keksinnön mukaiselle laitteelle on puolestaan tunnusomaista se, mikä on esitetty patenttivaatimuksen 7 tunnusmerkkiosassa.
Tämän keksinnön yhteydessä tarkoitetaan käsitteellä "reaktantti" höyrystettävissä olevaa 5 ainetta, joka pystyy reagoimaan substraatin pinnan kanssa. ALE-menetelmässä käytetään tavallisesti kahteen eri ryhmään kuuluvia reaktantteja. Reaktantit voivat olla kiinteitä aineita, nesteitä tai kaasuja. "Metallisiksi reaktanteiksi" kutsutaan metalliyhdisteitä tai jopa alkuainemuodossa olevia metalleja. Sopivia metallireaktantteja ovat metallien halo-genidit, esim. kloridit ja bromidit, ja organometalliyhdisteet, kuten thd-kompleksit.
10 Esimerkkeinä metallisista reaktanteista mainittakoon Zn, ZnCl2, Ca(thd)2, (CH3)3A1 ja
Cp2Mg. "Epämetallisiksi reaktanteiksi" kutsutaan yhdisteitä ja alkuaineita, jotka reagoivat metalliyhdisteiden kanssa. Viimeksi mainittuja edustavat tyypillisesti vesi, rikki, rikkivety ja ammoniakki.
IS "Suojakaasu" tarkoittaa kaasua, joka johdetaan reaktiotilaan ja jolla estetään reaktanttien ja vastaavasti substraatin ei-halutut reaktiot. Näitä ovat esim. reaktanttien ja substraatin reaktiot mahdollisten epäpuhtauksien kanssa. Suojakaasulla estetään myös eri reaktantti-ryhmiin kuuluvien aineiden väliset reaktiot esim. syöttöputkistoissa. Suojakaasua käytetään keksinnön mukaisessa menetelmässä edullisesti myös reaktanttien höyrypuls-20 sien kantajakaasuna. Erään edullisen sovellutusmuodon mukaan, jossa vaihtoehdossa eri reaktanttiryhmiin kuuluvat reaktantit johdetaan eri syöttökanavistoja pitkin reaktiotilaan, toisesta syöttökanavasta syötetään reaktanttihöyryfaasipulssi ja toisesta suojakaasua, jolloin suojakaasuvirtauksella estetään reaktanttien pääsyn toisen reaktanttiryhmän syöttö-kanavaan. Esimerkkeinä sopivista suojakaasuista mainittakoon inerttikaasut, kuten typpi-25 kaasu ja jalokaasut, esim. argon. Suojakaasuna voidaan myös käyttää sinänsä reaktiivista kaasua, kuten vetykaasua, jonka tarkoituksena on estää ei-haluttujen reaktioiden (esim. hapetusreaktioiden) tapahtuminen substraatin pinnassa.
Käsitteeseen "reaktiotila" sisältyy keksinnön mukaan sekä se tila, johon substraatti on 30 sijoitettu ja jossa höyryfaasissa olevat reaktantit annetaan reagoida substraatin kanssa ohutkalvojen kasvattamiseksi (= reaktiokammio), että reaktiokammioon välittömästi johtavat kaasukanavat, joiden kautta reaktantit johdetaan reaktiokammioon (syöttökana- !* ia i mu m i «i .
7 97731 vat) tai joiden kautta reaktiokammiosta voidaan poistaa ohutkalvokasvatuksen kaasumaiset reaktiotuotteet ja reaktanttien ylimäärä (poistokanavat). Laiteratkaisun mukaan syöttöjä vastaavasti poistokanavia voi olla yksi tai useampi. Ne voivat sijaita myös substraattien vastakkaisissa päissä, jolloin kutakin reaktanttiryhmää vastaava poistoaukko sijaitsee 5 toisen ryhmän syötön päässä edullisimmin siitä kielellä erotettuna (vrt. kuvio 3 mukainen sovellutusmuoto). Kaasut voidaan syöttää substraatille vastakkaisista suunnista vuorot-tain. Näin voidaan kompensoida havaittua substraatin syötön puoleisessa päässä tapahtuvaa voimakkaampaa kalvonkasvua. Myös poistokanavan poistoimu järjestetään vuorottai-seksi.
10 "Substraatin pinnalla" tarkoitetaan sitä substraatin päällä olevaa pintaa, jonka reak-tiokammioon virtaava reaktanttihöyry kohtaa. Eli ohutkalvokasvatuksen ensimmäisellä jaksolla kyseinen pinta on substraatin, esim. lasin, pinta, toisella jaksolla ensimmäisen jakson aikana substraatille muodostunut kerros, joka koostuu reaktanttien välisestä 15 kiinteästä reaktiotuotteesta, joka on kiinnittynyt substraatille, jne.
Keksinnön mukaan yksittäisten substraattien yli kulkeva virtaus määräytyy etenkin reak-tiokammion loppupäässä olevasta kuristuksesta. Virtauksen tasaamiseksi kuristusta voidaan käyttää myös substraattien syöttöpäässä tai jopa niin, että substraatit itsessään 20 muodostavat määräävän kuristuksen. Viimeksi mainitussa tapauksissa substraatit sijoitetaan reaktiokammioihin siten, että niiden ja vastakkaisen seinämän (esim. toisen substraatin) raajaama tilavuus kuristaa reaktiokammioiden kaasunvirtausta.
Tasaisen kalvon kasvattamiseksi on keksinnön mukaisessa ratkaisussa havaittu oleelli-25 seksi erottaa tapahtumina kaasuseoksen ja virtauksen homogenisoinnit toisistaan. Näiden homogenisoinnit edustavat kahta periaatteessa erillistä vaihetta, vaikka ne tapahtuisivat-kin saman rakennekomponentin avulla. Aiemmissa ratkaisuissa on vain pyritty sekoittamaan virtausta. Homogenisointia kuvataan lähemmin alla. 1
Keksinnön mukaan ohutkalvon kasvatuslaitteisto jaetaan ainakin kolmeen vyöhykkee seen, jotka ovat: kaasujen homogenisointivyöhyke, substraatin ja reaktanttien reak-tiovyöhyke ja kaasunvirtauksenkuristusvyöhyke. Näistä vyöhykkeistä homogenisointi- 97731 s vyöhyke sijoitetaan tyypillisesti ennen reaktiovyöhykettä tai sen yhteyteen ja virtauksen-kuristusvyöhyke sijoitetaan reaktiovyöhykkeen jälkeen tai se jaetaan reaktiovyöhykettä edeltävään osaan ja vyöhykettä seuraavaan osaan.
5 Edullisesti keksinnön mukaista laitetta ajetaan siten, että konsentraatioeroja aiheuttavat suojakaasulaimennukset minimoidaan homogenisointiongelmien vähentämiseksi. Tästä huolimatta on havaittu edulliseksi järjestää laitteeseen homogenisointivyöhyke, jolla höyrystetyn reaktantin ja suojakaasun muodostama kaasuseos homogenisoidaan. Homogenisointivyöhyke voidaan sijoittaa laitteen substraattipitimiin, mutta se voidaan 10 myös sijoittaa lähderyhmän yhteyteen erillisenä komponenttina tai rakentamalla putkiston rakenne sekoittumista tehostavaksi.
Esimerkkinä substraattipitimiin sijoitetusta homogenisointivyöhykkeestä mainittakoon seuraava ratkaisu, joka soveltuu erityisen hyvin tapauksiin, joissa ohutkalvon kasvatta-15 miseen käytetään ainakin kahta yhdistekomponenttireaktanttia.
Kukin reaktanttiryhmä syötetään omaa syöttökanavaansa pitkin suoraan reaktiokammi-oon. Reaktantin annetaan sekoittua ja homogenisoitua toisen reaktanttiryhmän syöttö-kanavasta tulevan suojakaasuvirtauksen kanssa ennen kuin se saatetaan kosketuksiin 20 substraatin kanssa. Eri reaktanttiryhmien syöttökanavien poistopäät, joita seuraavassa kutsutaan reaktanttien "syöttöaukoiksi", on tällöin viety reaktiokammioon, ohutkalvojen substraatin läheisyyteen. Syöttöaukkojen välille on sovitettu välilevy, joka estää toisesta syöttökanavasta tulevan reaktanttivirtauksen kulkeutumisen suoraan toiseen reaktantti-ryhmään kuuluvan reaktantin syöttökanavaan. Kontaminaatiovaaran poistamiseksi on 25 tällöin erityisen edullista ajaa suojakaasua sen syöttökanavan läpi, josta ei syötetä reaktanttia. Reaktanttien syöttöaukot järjestetään välilevyn vastakkaisille puolille ja • reaktanttien syöttövirtaukset johdetaan suoraan välilevyä päin, jolloin kaasuvirtaus saadaan levitetyksi oleellisesti tasossa "litistetyn" virtauksen tuottamiseksi. Vastakkaisista suunnista tulevat kantajakaasu- ja vastaavasti reaktanttihöy ry virtaukset, jotka ovat 30 litistyneet välilevyyn tapahtuvan törmäyksen vaikutuksesta, yhdistetään ennen kuin kaasuvirta johdetaan kosketukseen alustan kanssa.
*· - IN t MH M ; 9 97731 Tätä sovellutusmuotoa kuvataan alla lähemmin kuvion 3 yhteydessä.
On voitu todeta, että aineen siirtyminen diffuusion vaikutuksesta on erittäin tehokasta litistettyjen kaasuvirtausten välillä ja alustalle tuotava kaasu on siksi varsin homogeeni-5 nen sekä koostumukseltaan että virtaukseltaan.
Homogenisointivyöhyke voi myös sijaita ennen reaktiokammiota. Kuviossa 2 on kuvattu sovellutusmuoto, jossa reaktanttihöyryä sisältävä kaasuvirtaus homogenisoidaan mahdollisen suojakaasuvirtauksen kanssa reaktiotilaan johtavassa syöttöaukossa törmäyttämällä 10 kaasuvirtaukset seinämään, jossa ne litistyvät edellä kuvatulla tavalla muodostaen tasomaisen virtauksen. Tämä johdetaan poikkileikkaukseltaan kapeaa ja pitkänomaista syöttökanavaa pitkin reaktiokammioihin.
Yleisesti keksinnön mukaisen laitteen halutussa osassa kaasuvirtaus voidaan saattaa 15 litteäksi siten, että pyöreässä putkessa saapuva virtaus törmäytetään siihen nähden kohtisuoraan levyyn. Kyseisessä levyssä voi olla työstettynä yhteen suuntaan aukeneva viuhkamainen rako, johon saapuva kaasuvirta suuntautuu. Tämä jo alustavasti litistetty virtaus johdetaan tyypillisesti litteään kaasunsyöttökanavaan tai litteään reaktiokammi-oon. Reaktiothan syöttöpuolella kaasut saatetaan virtaamaan 90° :n mutkassa litistyksen 20 yhteydessä, jolloin mutka ja siihen liittyvät törmäykset tehostavat virtauksen tasoittumista virtauksen leveyssuunnassa.
Virtaus on siis ensin homogenisoitava konsentraatioiden suhteen esimerkiksi pohjalevys-sä, minkä jälkeen se saatetaan litistetyksi siten, että siinä ei ole (paine-eroja) tiheyseroja 25 leveyssuunnassa. Sen jälkeen tämä litteä rintama jaetaan rinnasteisiin reaktiokammioihin.
Kunkin reaktiokammion sisällä on vielä huolehdittava siitä, että rintama etenee tasaisesti • substraattien yli. Reaktiokammioiden ja niiden syöttö- sekä poistokuristusten muodosta mat rinnasteiset kuristukset jakavat kaasuvirtauksen tasaisesti eri reaktiokammioihin. Kunkin reaktiokammion ominaiskuristus yhdessä sen syöttö- ja poistokuristuksen kanssa 30 taasen huolehtii niiden läpi menevän virtauksen tasaisuudesta.
Reaktiovyöhykkeessä pyritään ylläpitämään Iäpivirtaavan kaasun homogeenisuutta.
10 97731
Muodostamalla reaktiokammio kapeaksi (eli siten, että substraattien kohdalla sen korkeus on pieni suhteessa leveyteen), reaktiokammiossa ei synny kaasuvirtaukseen mitään konsentraatioprofiilia. On erityisen edullista muodostaa substraattia ympäröivä reaktiokammio sellaiseksi, että sen seinämät ovat lähellä prosessoitavaa alustaa. Kammi-5 on yläseinämä on edullisesti yhdensuuntainen substraatin tason yläpinnan kanssa.
Muodostamalla reaktiokammion syöttöaukot rakomaisiksi, ei synny painegradienttia reaktiokammion sisään. Ohutkalvojen kasvatuksen komponentit levittyvät siten tasaisesti koko substraatin leveydelle, eikä sivuttaissuunnassa synny mitään profiilia.
10 Prosessin määräävä kuristus, eli substraatin jälkeinen kuristus, voidaan tehdä erilliseksi komponentiksi tai se voidaan integroida osaksi kasettirakenteen substraatinkannatinlevyä. Sekä metalliset että epämetalliset lähtöaineet voidaan syöttää omien kuristimiensa läpi, jolloin kuristimissa kulkeva virtaus voidaan mitoittaa sellaiseksi, että se toimii sulkuvir-tauksena eri tyyppisten lähteiden lähdeputkistojen välillä erottaen ne kemiallisesti 15 toisistaan.
Erään edullisen sovellutusmuodon mukaan kuristus toteutetaan alipainelähteeseen (esim. tyhjöpumppuun) yhdistetyn poistokanavan ja reaktiokammion välisenä kapeana imurako-na. Tämä voi muodostua paitsi yhdestä yhtenäisestä raosta myös monesta pienestä 20 rinnakkaisesta raosta, joita edeltää konduktanssiltaan niihin nähden suuri reaktiokammio.
Edullisesti keksinnön mukainen laitteisto koostuu päällekkäin tai vierekkäin ladotuista levymäisistä kappaleista, joihin on työstetty reaktiokammioita ja kaasukanavia vastaavat kaiverrukset ja joista kappaleista ainakin osa on keskenään samanlaisia. Reaktiokammiot 25 muodostuvat tasomaisina tiloina päällekkäisten tai vierekkäisten rakenneosien väliin.
Levymäisten kappaleiden laidat on varustettu pyöreillä tai vaihtoehtoisesti pitkäomaisilla • lovilla tai avanteilla, jotka ulottuvat levyn läpi ja jotka muodostavat edellä mainitut reaktiothan kaasukanavat, jotka muodostuvat rakenneosien laitoihin reaktiokammioiden suhteen kohtisuorina kanavina kun levymäiset kappaleet on ladottu päällekkäin tai vierek-30 käin reaktoripakan muodostamiseksi. Pyöreitä lovia on syöttöpuolella sopivimmin yksi reaktanttiryhmää kohti, eli tavallisesti kaksi kappaletta. Pitkäomaisia lovia on syöttöpuolella vain yksi.
11 97731
Levymäisten kappaleiden keskiosiin voidaan muodostaa levyn tason suuntaiset syvennykset, jotka laitojen puoleisilta sivuiltaan on yhdistetty loviin tai avanteisiin. Syvennykset muodostavat reaktiotilan reaktiokammiot. Syvennykset voidaan kaivertaa niin syviksi, että ne ulottuvat levyn tason läpi muodostaen keskeisen aukon. Edullisesti 5 syvennysten sivureunat myötäilevät ainakin kahdelta vastakkaiselta pinnaltaan substraat tien reunoja, jolloin substraatit voidaan sijoittaa aukkoihin. Haluttaessa syvennysten sivureunoihin voidaan muodostaa ulokkeet substraatin pidikkeiksi. Viimeksi mainitussa tapauksessa reaktiopakan reaktiokammion pitkät sivut muodostuvat levymäisten kappaleiden keskeisiin aukkoihin sovitetuista, esim. seläkkäin järjestetyistä substraateista.
10
Kasettirakenteisessa laitteessa on suojakaasutiivistys, joka on toteutettu siten, että levymäisten rakenneosien pintaan, lähelle levyjen reunoja on muodostettu levyn ääriviivaa kiertävä imu-ura mahdollisten vuotojen keräämiseksi. Imu-ura yhdistetään alipaineisiin poistokanavaan. Imu-uralla voidaan estää reaktorin ulkopuolelta tulevien epäpuhtauk-15 sien pääsy reaktiotilaan tai reaktioihin osallistuvien aineiden pääsy reaktiotilan ulkopuolelle. Imu-urassa kulkeva eristysvirtaus toimii mahdollisimman hyvin, jos reak-tiokaasujen voimakkain kuristus on substraatin loppupäässä, lähellä poistokanavaa.
Kasettirakenteen osat valmistetaan materiaalista, joka on inertti ALE-kasvatuksessa 20 käytettävien reaktanttien suhteen. Edullisia materiaaleja ovat lasi ja sentapaiset silikaat- tipohjaiset aineet sekä erilaiset keraamiset materiaalit.
Keksinnön mukaisella ratkaisulla saadaan aikaan huomattavia etuja aiemmin käytössä olleisiin ALE-ratkaisuihin nähden. Niinpä koska kaasujen jako substraattipinnoille 25 tasoittuu, voidaan käyttää pienempää yliannostusta ja näin säästää lähtöaineita sekä prosessiaikaa. Myös kalvon laatu paranee.
Edellä kuvatuilla laiteratkaisuilla voidaan reaktiotilan rakennetta keventää ja laitteiston osien lukumäärää minimoida. Vierekkäin tai päällekkäin järjestetyillä reaktiokammiolla 30 voidaan kaasujen syöttö- ja vastaavasti poistokanavien pituutta lyhentää. Tämä koskee etenkin yllä mainituista tapauksista viimeistä, jossa substraatit toimivat reaktiokammioi-den välisinä seinäminä.
12 97731
Keksinnön tarkemmat yksityiskohdat ja edut käyvät ilmi seuraavasta yksityiskohtaisesta selityksestä ja oheen liitetyistä piirustuksista, joista kuviossa 1 on esitetty keksinnön ensimmäisen sovellutusmuodon mukaisen reaktori-5 pakan yksinkertaistettu rakenne halkileikattuna sivukuvantona, kuviossa 2 on esitetty vastaava sivukuvanto kuvion 1 mukaisesta sovellutusmuodosta pohjalevylle kiinnitettynä, ja kuviossa 3 on esitetty keksinnön toisen sovellutusmuodon mukaisen reaktiotilaratkaisun yksinkertaistettu rakenne halkileikattuna sivukuvantona.
10
Kuviossa 1 esitetty laiteratkaisu käsittää päällekkäin ladotuista keskenään samanlaisista levymäisistä kappaleista 10 koostuvan reaktiotilan eli reaktoripakan 1, jonka kaasukana-vat 7, 4 ja reaktiokammiot 13 muodostuvat levyihin muodostetuista avanteista ja lovista. Laitteessa on neljä reaktiokammiota 13, joihin on sijoitettu kahdeksan substraattia 12, 15 joiden päälle kasvatetaan ohutkalvoja ALE-prosessilla. Viitenumerolla 3 on merkitty reaktoripakan liitäntä pumpun imuaukkoon menevälle putkelle. Liitäntä on yhdistetty höyrymäisten reaktiotuotteiden ja reaktanttiylimäärän poistokanavaan 4, joka toimii rinnakkaisista reaktiokammioista tulevien poistojen kokoomaputkena. Viitenumerolla 2 on puolestaan merkitty höyryfaasissa olevien reaktanttien syöttöreikä, joka on vuorostaan 20 on yhdistetty reaktanttien syöttöputkeen 7.
Levyihin on muodostettu kiertävä imu-ura 5 mahdollisten vuotojen keräämiseksi. Imu-ura on yhteydessä poistoon 4. Imu-urilla voidaan välttää reaktorin ulkopuolelta tulevien epäpuhtauksien pääsy reaktiotilaan ja vastaavasti reaktanttien vuoto reaktiotilan ulko-25 puolelle. Se muodostaa siten eräänlaisen kaasutiivisteen reaktorille.
Levymäisiä kappaleita päällekkäin ladottaessa kahden levyn välille sovitetaan välilevy 6, jonka avulla voidaan säädellä syöttöputkesta 7 reaktiotilaan 13 johtavan syöttöraon 8 ja reaktiotilasta poistokanavaan 4 johtavan poistoraon suuruutta eli kaasuvirtauksen 30 kuristusta.
Päällimmäisen reaktiotilan ylempi puolisko muodostaa reaktoripakan kansilevyn 9 ja 13 97731 alimman reaktiotilan alempi puolisko vastaavasti pohjalevyn 11. Pohjalevy on asennettu tukilevylle 17. Kansi- ja pohjalevyn välille on ladottu kolme keskenään samanlaista levyä 10. Kukin levy muodostaa yhdessä substraatin 13 kanssa kahden vierekkäisen reaktiotilan välisen seinän sekä syöttö- että poistoputkiston 7, 4 yhdessä välilevyjen 6 ja muiden 5 levyjen kanssa. Levyjä voi olla 0 -100 kpl.
Syöttö- ja poistoputkistot 7, 4 ja reaktiokammiota on muodostettu poikkileikkaukseltaan pituussuunnassaan kapeiksi ja pitkänomaisiksi "litistetyn" kaasuvirtauksen mahdollistamiseksi ja reaktiotilan koon minimoimiseksi.
10
Kuvion 1 mukaisessa sovellutusmuodossa eri reaktanttiryhmään kuuluvat reaktantti-höyryfaasipulssit syötetään vuorottain syöttöputkeen 7. Ennen syöttöä ne on sopivimmin homogenoitu suojakaasuvirtauksen avulla syöttöputkessa 7 tai ennen sitä. Syöttöputkessa, josta esitetään kuviossa sen poikittaissuuntainen leikkaus, kukin levymäiseksi litistynyt 15 reaktanttihöyryfaasipulssi etenee reuna edellä kulkevana virtauksena. Virtauksen leveys on substraattialustan levyinen, eli esimerkiksi noin 10 - 30 cm, ja sen poikittaissuuntainen dimensio noin 1-3 cm.
Syöttökanavistossa etenevä virtaus jaetaan tasaisesti rinnakkaisten reaktiokammioiden 13 20 kesken mitoittamalla reaktiotila kuristimineen siten, että syöttökanavan 7 konduktanssi on paljon suurempi kuin konduktanssi reaktiokammioiden 13 läpi. Kunkin virtauskam-mion läpi kulkevan virtausreitin tulee olla koduktanssiltaan verrannollinen muihin virtausreitteihin (yhtäsuuri). Tällöin paine ja virtaus tasoittuvat eri virtauskammioiden välillä ja ohutkalvon kasvu on vastaavaa eri kammiossa. Kammion 13 sisällä virtaus 25 tasoittuu kammion poistopäähän muodostetun kapean imuraon 14 vaikutuksesta, joka toimii kuristimena. Koska raon konduktanssi on verrannollinen sen pitkien sivujen * välisen etäisyyden, joka tyypillisesti on 0,1 - 2 mm, kolmanteen potenssiin ja koska raon pituus on vähintään substraattien lyhyemmän sivun pituinen (esim. 6" , 8" tai 12"), on raon valmistustarkkuuden osalta esitettävät vaatimukset erittäin tiukat. Koska tällaisen 30 raon valmistaminen on hankalaa ja kallista, voidaan rako 14 tehdä myös useista peräkkäi sistä lyhyemmistä raoista, joiden välissä on lyhyt kannake. Tällöin kaasu pyrkii poistu-maan rakoon tai rakoihin tasaisesti jakautuneena. Reaktiokammiossa 13 tämä näkyy 14 97731 etenevän kaasupulssin etureunan poikittaissuuntaisen paineen tasaisena jakautumisena eli tasaisena rintamana. Käytännön kokeissa (vajaa-annostuskokeet) kaasurintaman on todettu olevan hyvin suora.
5 Kaasurintaman leveyssuunnassa poiston tasaisuuden varmistaminen on ensiarvoisen tärkeää, koska kaasumolekyylit suuntaavat kulkunsa alimman paineen (tehokkain imu) suuntaan ja siten tasainen rintama vääristyy, mikäli siilien kohdistuu epätasainen imuvoima. Tasainen imuvoima puolestaan korjaa mahdollisesti muista syistä vääristynyttä rintamaa.
10
Kaasujen poistuttua reaktiotilasta ja varsinkin koko reaktorista, ne eivät aiheuta ongelmia kasvatettavalle kalvolle vaikka ne kuinka sekoittuisivatkin.
Kuvion 1 mukaisessa ratkaisussa on kaasun virtaukselle järjestetty kuristuskohdat sekä 15 ennen substraatteja (8) että niiden jälkeen (14). Tällä järjestelyllä voidaan taata varsin homogeeninen virtaus substraattien yli.
Kuviossa 2 on esitetty edellä kuvattu kasettirakenne pohjalevylle 15 asennettuna. Pohjalevyyn on muodostettu kaasukanava 16 reaktiotilaan syötettävälle kaasulle.
20 Kohdatessaan pohjalevyn seinämän suojakaasua sisältävä reaktanttihöyryfaasipulssi litistyy levymäisiksi, reuna edellä kulkeviksi virtauksiksi. Virtauksen leveys on tässäkin tapauksessa ainakin likimain substraattialustan levyinen. Syöttöputken kautta kaasuvirtaus johdetaan edellä kuvatulla tavalla reaktiokammioihin.
25 Oleellista kuvion 2 mukaisessa sovellutusmuodossa on siten, että kaasuvirtaus homo genisoidaan reaktiotilaan syötettäessä ennen kuin se litteänä, levymäisenä virtauksena ' johdetaan reaktiokammioihin.
Kuviossa 3 on kuvattu edellä esitetystä ratkaisusta hieman poikkeava toteutus. Kuviossa 30 noudatettava viitenumerointi on seuraava: < 21. Reaktiopakka
Il M l Hill I I I N» : 1 15 97731 22. Lähdemateriaaliryhmän A syöttöreikä 23. Lähdemateriaaliryhmän B syöttöreikä 24. Liitäntä pumpun imuaukkoon menevälle putkelle 25. Rinnakkaisista reaktiotiloista tulevien poistojen kokoomaputki.
5 26. Levyä kiertävä imu-ura mahdollisten vuotojen keräämiseksi, imu-ura on yhteydessä poistoon.
27. Välilevy, jonka avulla voidaan säädellä raon suuruutta eli kuristusta. Välilevy muodostaa eri lähdemateriaaliryhmiä erottavan kielen syötössä ja sen avulla voidaan säätää poiston kuristusta.
10 28. Syöttökanava ryhmän B lähdemateriaaleille 29. Syöttökanava ryhmän A lähdemateriaaleille 30. Lähdemateriaalien jaosta rinnakkaisille reaktiotiloille huolehtivat syöttöputket.
31. Kansilevy ja päällimmäisen reaktiotilan toinen puolisko.
32. 0-100 keskenään samanlaista levyä. Kukin levy muodostaa yhdessä substraatin 15 kanssa kahden vierekkäisen reaktiotilan välisen seinän sekä syöttö- että poistoputkiston yhdessä välilevyjen ja muiden levyjen kanssa.
33. Pohjalevy ja alimmaisen reaktiotilan toinen puolisko 34. Ylin pohjalevy 35. Keskimmäinen pohjalevy 20 36. Alin pohjalevy 37. Substraatit 38. Reaktiokammio 39. Rako, joka toimii kuristimena 1 2 3 4 5 6
Kuvion 3 mukaista sovellutusmuotoa käytetään vastaavalla tavalla kuin kuviossa 1 2 esitettyä ratkaisua. Laite eroaa kuitenkin edellisestä vaihtoehdosta siinä, että eri reaktant- 3 ' tiryhmiin kuuluvat lähtöaineet kuljetetaan omia syöttökanaviaan pitkin suoraan reak- 4 tiokammioiden syöttöraoille asti. Tästä syystä reaktoripakka on asennettu sellaisten 5 pohjalevyjen 34 - 36 päälle, joihin päällekkäin ladottuina muodostuu omat virtauskanavat 6 22, 23 eri reaktanttiryhmien reaktanteilie. Reaktoripakan laidassa reaktantit liikkuvat niinikään omissa syöttöputkissaan 28, 29.
16 97731
Kaasut syötetään syöttöputkista 28, 29 välilevyjen muodostamien kielekkeiden 27 erottamina, jolloin reaktiokammion korkeuden mitoitus on tehty siten, että diffuusio sekoittaa eri kanavista tulevat virtaukset tehokkaasti keskenään. Rintaman leveyssuunnassa diffuusio on liian hidas sekoitusmenetelmä, mutta paksuussuunnassa se toimii 5 hyvin. Kun toisesta syöttöputkesta, esim. 28, syötetään reaktanttia, toisesta, 29, syöte tään suojakaasua. Kielekkeisiin törmätessään reaktantti- ja vastaavasti suojakaasuvirtauk-set litistyvät tasomaisiksi ja ne homogenisoituvat sekoittuessaan keskenään reaktiokammion syöttöraossa.
10 Syöttökanavat 22, 23 ja syöttöputket 30 ovat ympyränmuotoisia ja reaktanttikaasujen virtaukset levitetään viuhkamaisesti ja litistetään vasta välilevyjen kohdalla. Syöttöputkia voi olla useita kummallekin reaktanttiryhmälle, jolloin kunkin putken kautta johdetaan virtausta vain osalle substraattia.
15 Kuviossa 3, joka esittää laitteen halkileikattua sivukuvantoa, on selkeyden vuoksi esitetty molemmat syöttöputket. Käytännössä nämä on kuitenkin järjestetty vierekkäin siten, että niiden syöttöaukot ovat samalla etäisyydellä substraateista, jolloin sivukuvannossa näkyisi vain etummainen putki toisen jäädessä sen taakse.
20 Edellä selostetussa sovellutusmuodossa, kuten ensimmäisessäkin tapauksessa, kaasurin- taman leveyssuuntaisen poiston tasaisuuden varmistaminen on ensiarvoisen tärkeää. Kammion 38 sisällä virtausta tasoitetaan siksi kammion poistopäähän muodostetulla kapealla imuraolla 39, joka toimii kuristimena.
25 Esimerkki
Seuraavassa esimerkissä esitetään keksinnön mukaisen ohutkalvolaitteen mitoitus-esimerkki: 1
Substraatin koko 300 x 300 mm
Substraattien lukumäärä 10 kpl
Reaktiotilojen lukumäärä 5 kpl 17 97731
Substraattien välinen rako 4 mm
Reaktiotilojen yhteenlaskettu tilavuus 300 x 300 x 4 x 5 mm = 18.000 cm3
Syöttökanaviston mitat 300 x 10 x 100 mm = 300 cm3
Poistokanaviston mitat 300 x 10 x 100 mm = 300 cm3 5
Yhteensä 18.600 cm3 eli n. 19 1
Pumpuksi valitaan pumppu, jonka tuotto on 360 m3/h eli 1001/s. Pulssien välinen aika on ainakin n. 0,25 s.

Claims (23)

1. Menetelmä ohutkalvon valmistamiseksi substraatille, jossa menetelmässä reaktiotilaan (1; 21) sijoitettu substraatti saatetaan alttiiksi ohutkalvon muodostamiseen käytettävän 5 ainakin kahden eri reaktantin vuorottaisille pintareaktioille, jonka menetelmän mukaan - reaktantteja syötetään höyryfaasipulssien muodossa toistuvasti ja vuorottaisesti kukin omasta lähteestään reaktiotilaan (1; 21), - höyryfaasissa olevat reaktantit saatetaan reagoimaan substraatin (12; 37) pinnan kanssa kiinteässä olomuodossa olevan ohutkalvotuotteen muodostamiseksi 10 substraatille, ja - kaasumaiset reaktiotuotteet ja mahdollinen reaktanttiylimäärä poistetaan kaasu-faasissa reaktiotilasta, tunnettu siitä, että - reaktiotilaan johdettava kaasuvirtaus litistetään levymäiseksi virtaukseksi ja 15. reaktiothan kaasunvirtausta kuristetaan kaasun virtaussuunnassa substraattien jälkeen (14; 39).
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että reaktiotilassa kaasunvirtauksen konduktanssi pidetään virtauksen poikittaissuunnassa suurempana 20 substraattien (12; 37) kohdalla kuin substraattien jälkeen.
3. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että kaasunvirtausta kuristetaan myös ennen substraatteja.
4. Patenttivaatimuksen 1, 2 tai 3 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että . kaasunvirtausta kuristetaan substraattien (12; 37) avulla.
5. Jonkin patenttivaatimuksen 1 - 4 mukainen menetelmä, jossa reaktiotilaan johdetaan reaktantin höyryfaasipulsseista ja suojakaasusta koostuva kaasuseos, joka saatetaan 30 virtaamaan substraatin (12; 37) yli, tunnettu siitä, että kaasuseos ja kaasun virtaus homogenisoidaan ennen kaasun johtamista reaktiotilaan (1; 21). > · «.!- Uitu I , , M , 19 97731
6. Patenttivaatimuksen 5 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että kaasuseoksen syöttökanavan (7; 30) konduktanssi pidetään reaktiotilan konduktanssia suurempana.
7. Laite ohutkalvojen kasvattamiseksi substraatin päälle saattamalla substraatti alttiiksi 5 höyryfaasissa olevien reaktanttien vuorottaisille pintareaktioille ohutkalvon muodostami seksi substraatin päälle pintareaktioiden avulla, joka laite käsittää - ainakin yhden reaktiokammion (13; 38), johon substraatti on sovitettavissa, - reaktiokammioon yhdistetyt syöttökanavat (7; 22, 29, 23, 28) ohutkalvon kasvattamiseen käytettävien reaktanttien syöttämiseksi, sekä 10. reaktiokammioon yhdistetyt poistokanavat (4; 25) kaasumaisten reaktiotuotteiden ja reaktanttien ylimäärän poistamiseksi, tunnettu siitä, että laite koostuu päällekkäin tai vierekkäin ladotuista levymäisistä rakenneosista (10; 32), joista ainakin osa on keskenään samanlaisia ja joihin on työstetty reaktiokammioita (13; 38) sekä syöttö- ja poistokanavia vastaavat kaiverrukset ja 15 avanteet (7, 4; 22, 29, 23, 28), jolloin poistokanaviin on muodostettu poistuvan kaasun virtauksenkuristimet.
8. Patenttivaatimuksen 7 mukainen laite, tunnettu siitä, että siinä on ainakin kaksi reaktiokammiota (13; 38) kahden tai useamman ohutkalvon samanaikaiseksi kasvattami- 20 seksi.
9. Patenttivaatimuksen 7 tai 8 mukainen laite, tunnettu siitä, että levymäisten kappaleiden (10; 32) laitoihin on muodostettu levyn tason suhteen poikittaiset avanteet, jotka ulottuvat levyn läpi ja jotka muodostavat reaktiotilan kaasukanavat (7, 8 ja 4; 22, 25 23, 28, 29, 24), kun levymäiset kappaleet on ladottu päällekkäin tai vierekkäin.
10. Jonkin patenttivaatimuksen 7-9 mukainen laite, tunnettu siitä, että levymäisten kappaleiden keskiosiin on muodostettu levyn tason suuntaiset syvennykset (13; 38), jotka muodostavat reaktiotilan reaktiokammion, kun levymäiset kappaleet on ladottu 30 päällekkäin tai vierekkäin.
11. Patenttivaatimuksen 10 mukainen laite, tunnettu siitä, että päällekkäin tai 20 97731 vierekkäin ladotuissa kappaleissa muodostuu syvennysten ja avanteiden välille ainakin yksi kapea rako (8, 14; 39), joka toimii reaktiotilassa virtaavan kaasun kuristimena.
12. Patenttivaatimuksen 11 mukainen laite, tunnettu siitä, että kuristin koostuu 5 useista vierekkäisistä raoista.
13. Patenttivaatimuksen 11 tai 12 mukainen laite, tunnettu siitä, että sanotut raot on työtetty syvennysten ja avanteiden väliseen seinämään.
14. Patenttivaatimusten 11 tai 12 mukainen laite, tunnettu siitä, että päällekkäin tai vierekkäin ladottujen kappaleiden (10; 32) välille on sovitettavissa välilevyt (6; 27), joiden paksuus vastaa reaktiotilan kuristimena toimivan raon leveyttä.
15. Patenttivaatimuksen 10 mukainen laite, tunnettu siitä, että syvennykset 15 ulottuvat levyn tason läpi muodostaen levymäisiin kappaleisiin keskeisen aukon, johon substraatti (12; 37) on sijoitettavissa.
16. Patenttivaatimuksen 15 mukainen laite, tunnettu siitä, että keskeisen aukon sivuihin on muodostettu ulokkeet substraatin pidikkeiksi. 20
17. Patenttivaatimuksen 15 mukainen laite, tunnettu siitä, että päällekkäin tai vierekkäin ladotuista levymäisistä kappaleista (10; 32) muodostuvassa reaktiotilassa reak-tiokammion pitkät sivut muodostuvat levymäisten kappaleiden keskeisiin aukkoihin sovitetuista substraateista (12; 37). 25
18. Patenttivaatimuksen 7 mukainen laite, tunnettu siitä, että siinä on suoja-kaasutiivistys, joka on toteutettu siten, että levymäisten rakenneosien pintaan, lähelle levyjen reunoja on muodostettu levyn ääriviivaa kiertävä imu-ura (5; 26) mahdollisten vuotojen keräämiseksi. 30
18 97731
19. Patenttivaatimuksen 18 mukainen laite, tunnettu siitä, että imu-ura (5; 26) on yhdistetty poistokanavaan (4; 25). * IU1 miii i t t tri 21 97731
20. Jonkin patenttivaatimuksen 7-19 mukainen laite, tunnettu siitä, että päällekkäin tai vierekkäin ladottavat kappaleet on asennettavissa pohjalevylle (15), johon on muodostettu reaktioillaan syötettävän kaasun virtauskanava (16), jossa kaasun virtaus homogenisoituu. 5
21. Jonkin patenttivaatimuksen 7-20 mukainen laite, tunnettu siitä, että levymäisiä, päällekkäin tai vierekkäin ladottavia kappaleita on 2 -100 kpl.
22. Patenttivaatimuksen 7 mukainen laite, tunnettu siitä, että syöttö- ja vastaavasti 10 poistokanavia on ainakin kaksi kumpaakin ja ne sijaitsevat substraattien vastakkaisissa päissä, jolloin kutakin reaktanttiryhmää vastaava poistoaukko sijaitsee toisen ryhmän syötön päässä.
23. Patenttivaatimuksen 22 mukainen laite, tunnettu siitä, että reaktanttien 15 höyryfaasipulssit ovat syötettävissä substraateille vastakkaisista suunnista vuorottain. 20 25 30 22 97731
FI945612A 1994-11-28 1994-11-28 Menetelmä ja laite ohutkalvojen valmistamiseksi FI97731C (fi)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI945612A FI97731C (fi) 1994-11-28 1994-11-28 Menetelmä ja laite ohutkalvojen valmistamiseksi
AU39857/95A AU3985795A (en) 1994-11-28 1995-11-28 Method and equipment for growing thin films
JP51734396A JP3349156B2 (ja) 1994-11-28 1995-11-28 薄膜を成長させるための方法と装置
US08/682,703 US5711811A (en) 1994-11-28 1995-11-28 Method and equipment for growing thin films
KR1019960704092A KR100255431B1 (ko) 1994-11-28 1995-11-28 박막을 성장시키기 위한 방법 및 장치
PCT/FI1995/000659 WO1996017969A2 (en) 1994-11-28 1995-11-28 Method and equipment for growing thin films
DE19581482T DE19581482T1 (de) 1994-11-28 1995-11-28 Verfahren und Ausrüstung zur Bildung von Dünnschichten

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI945612A FI97731C (fi) 1994-11-28 1994-11-28 Menetelmä ja laite ohutkalvojen valmistamiseksi
FI945612 1994-11-28

Publications (4)

Publication Number Publication Date
FI945612A0 FI945612A0 (fi) 1994-11-28
FI945612A FI945612A (fi) 1996-05-29
FI97731B true FI97731B (fi) 1996-10-31
FI97731C FI97731C (fi) 1997-02-10

Family

ID=8541889

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI945612A FI97731C (fi) 1994-11-28 1994-11-28 Menetelmä ja laite ohutkalvojen valmistamiseksi

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5711811A (fi)
JP (1) JP3349156B2 (fi)
KR (1) KR100255431B1 (fi)
AU (1) AU3985795A (fi)
DE (1) DE19581482T1 (fi)
FI (1) FI97731C (fi)
WO (1) WO1996017969A2 (fi)

Families Citing this family (583)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FI119941B (fi) * 1999-10-15 2009-05-15 Asm Int Menetelmä nanolaminaattien valmistamiseksi
FI117944B (fi) 1999-10-15 2007-04-30 Asm Int Menetelmä siirtymämetallinitridiohutkalvojen kasvattamiseksi
FI118158B (sv) 1999-10-15 2007-07-31 Asm Int Förfarande för modifiering av utgångsämneskemikalierna i en ALD-prosess
FI100409B (fi) * 1994-11-28 1997-11-28 Asm Int Menetelmä ja laitteisto ohutkalvojen valmistamiseksi
US6342277B1 (en) 1996-08-16 2002-01-29 Licensee For Microelectronics: Asm America, Inc. Sequential chemical vapor deposition
US5862223A (en) 1996-07-24 1999-01-19 Walker Asset Management Limited Partnership Method and apparatus for a cryptographically-assisted commercial network system designed to facilitate and support expert-based commerce
US6071572A (en) * 1996-10-15 2000-06-06 Applied Materials, Inc. Forming tin thin films using remote activated specie generation
FI972874A0 (fi) * 1997-07-04 1997-07-04 Mikrokemia Oy Foerfarande och anordning foer framstaellning av tunnfilmer
US6204194B1 (en) * 1998-01-16 2001-03-20 F.T.L. Co., Ltd. Method and apparatus for producing a semiconductor device
TW489827U (en) * 1998-04-09 2002-06-01 Kobe Steel Ltd Apparatus for high-temperature and high-pressure treatment of semiconductor substrates
NL1009171C2 (nl) * 1998-05-14 1999-12-10 Asm Int Waferrek voorzien van een gasverdeelinrichting.
US20060219157A1 (en) * 2001-06-28 2006-10-05 Antti Rahtu Oxide films containing titanium
US6974766B1 (en) * 1998-10-01 2005-12-13 Applied Materials, Inc. In situ deposition of a low κ dielectric layer, barrier layer, etch stop, and anti-reflective coating for damascene application
AU3229600A (en) * 1999-02-12 2000-08-29 Gelest, Inc. Chemical vapor deposition of tungsten nitride
TW432488B (en) * 1999-04-12 2001-05-01 Mosel Vitelic Inc Reaction facility for forming film and method of air intake
KR100347379B1 (ko) * 1999-05-01 2002-08-07 주식회사 피케이엘 복수매 기판의 박막 증착 공정이 가능한 원자층 증착장치
NL1012004C2 (nl) 1999-05-07 2000-11-13 Asm Int Werkwijze voor het verplaatsen van wafers alsmede ring.
FI118342B (fi) * 1999-05-10 2007-10-15 Asm Int Laite ohutkalvojen valmistamiseksi
WO2000079576A1 (en) * 1999-06-19 2000-12-28 Genitech, Inc. Chemical deposition reactor and method of forming a thin film using the same
US6391785B1 (en) * 1999-08-24 2002-05-21 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) Method for bottomless deposition of barrier layers in integrated circuit metallization schemes
US6511539B1 (en) 1999-09-08 2003-01-28 Asm America, Inc. Apparatus and method for growth of a thin film
WO2001029893A1 (en) 1999-10-15 2001-04-26 Asm America, Inc. Method for depositing nanolaminate thin films on sensitive surfaces
US6727169B1 (en) 1999-10-15 2004-04-27 Asm International, N.V. Method of making conformal lining layers for damascene metallization
US6475276B1 (en) * 1999-10-15 2002-11-05 Asm Microchemistry Oy Production of elemental thin films using a boron-containing reducing agent
FI118804B (fi) * 1999-12-03 2008-03-31 Asm Int Menetelmä oksidikalvojen kasvattamiseksi
US6503330B1 (en) 1999-12-22 2003-01-07 Genus, Inc. Apparatus and method to achieve continuous interface and ultrathin film during atomic layer deposition
FI118343B (fi) 1999-12-28 2007-10-15 Asm Int Laite ohutkalvojen valmistamiseksi
US6551399B1 (en) 2000-01-10 2003-04-22 Genus Inc. Fully integrated process for MIM capacitors using atomic layer deposition
FI117979B (fi) 2000-04-14 2007-05-15 Asm Int Menetelmä oksidiohutkalvojen valmistamiseksi
US6679951B2 (en) 2000-05-15 2004-01-20 Asm Intenational N.V. Metal anneal with oxidation prevention
US6482733B2 (en) 2000-05-15 2002-11-19 Asm Microchemistry Oy Protective layers prior to alternating layer deposition
KR100775159B1 (ko) * 2000-05-15 2007-11-12 에이에스엠 인터내셔널 엔.붸. 집적회로의 생산 공정
US7494927B2 (en) * 2000-05-15 2009-02-24 Asm International N.V. Method of growing electrical conductors
US6878628B2 (en) 2000-05-15 2005-04-12 Asm International Nv In situ reduction of copper oxide prior to silicon carbide deposition
US6759325B2 (en) 2000-05-15 2004-07-06 Asm Microchemistry Oy Sealing porous structures
EP1292970B1 (en) * 2000-06-08 2011-09-28 Genitech Inc. Thin film forming method
US6620723B1 (en) * 2000-06-27 2003-09-16 Applied Materials, Inc. Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques
US7101795B1 (en) * 2000-06-28 2006-09-05 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for depositing refractory metal layers employing sequential deposition techniques to form a nucleation layer
US7964505B2 (en) * 2005-01-19 2011-06-21 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of tungsten materials
US7405158B2 (en) 2000-06-28 2008-07-29 Applied Materials, Inc. Methods for depositing tungsten layers employing atomic layer deposition techniques
US6551929B1 (en) * 2000-06-28 2003-04-22 Applied Materials, Inc. Bifurcated deposition process for depositing refractory metal layers employing atomic layer deposition and chemical vapor deposition techniques
US7732327B2 (en) 2000-06-28 2010-06-08 Applied Materials, Inc. Vapor deposition of tungsten materials
US6936538B2 (en) * 2001-07-16 2005-08-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for depositing tungsten after surface treatment to improve film characteristics
US6592942B1 (en) 2000-07-07 2003-07-15 Asm International N.V. Method for vapour deposition of a film onto a substrate
US6585823B1 (en) * 2000-07-07 2003-07-01 Asm International, N.V. Atomic layer deposition
US6617173B1 (en) 2000-10-11 2003-09-09 Genus, Inc. Integration of ferromagnetic films with ultrathin insulating film using atomic layer deposition
US20030190424A1 (en) * 2000-10-20 2003-10-09 Ofer Sneh Process for tungsten silicide atomic layer deposition
US9255329B2 (en) 2000-12-06 2016-02-09 Novellus Systems, Inc. Modulated ion-induced atomic layer deposition (MII-ALD)
US6905547B1 (en) * 2000-12-21 2005-06-14 Genus, Inc. Method and apparatus for flexible atomic layer deposition
US20020083897A1 (en) * 2000-12-29 2002-07-04 Applied Materials, Inc. Full glass substrate deposition in plasma enhanced chemical vapor deposition
US6765178B2 (en) 2000-12-29 2004-07-20 Applied Materials, Inc. Chamber for uniform substrate heating
US6825447B2 (en) 2000-12-29 2004-11-30 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for uniform substrate heating and contaminate collection
US6998579B2 (en) 2000-12-29 2006-02-14 Applied Materials, Inc. Chamber for uniform substrate heating
US6811814B2 (en) 2001-01-16 2004-11-02 Applied Materials, Inc. Method for growing thin films by catalytic enhancement
US20020127336A1 (en) * 2001-01-16 2002-09-12 Applied Materials, Inc. Method for growing thin films by catalytic enhancement
EP1229356A3 (en) * 2001-01-31 2004-01-21 Planar Systems, Inc. Methods and apparatus for the production of optical filters
US6951804B2 (en) * 2001-02-02 2005-10-04 Applied Materials, Inc. Formation of a tantalum-nitride layer
EP1421607A2 (en) * 2001-02-12 2004-05-26 ASM America, Inc. Improved process for deposition of semiconductor films
US6660126B2 (en) 2001-03-02 2003-12-09 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
US6878206B2 (en) * 2001-07-16 2005-04-12 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
US9139906B2 (en) * 2001-03-06 2015-09-22 Asm America, Inc. Doping with ALD technology
US7563715B2 (en) 2005-12-05 2009-07-21 Asm International N.V. Method of producing thin films
US7491634B2 (en) * 2006-04-28 2009-02-17 Asm International N.V. Methods for forming roughened surfaces and applications thereof
US6939579B2 (en) * 2001-03-07 2005-09-06 Asm International N.V. ALD reactor and method with controlled wall temperature
US6734020B2 (en) 2001-03-07 2004-05-11 Applied Materials, Inc. Valve control system for atomic layer deposition chamber
FI109770B (fi) 2001-03-16 2002-10-15 Asm Microchemistry Oy Menetelmä metallinitridiohutkalvojen valmistamiseksi
US6627268B1 (en) 2001-05-03 2003-09-30 Novellus Systems, Inc. Sequential ion, UV, and electron induced chemical vapor deposition
US6596643B2 (en) * 2001-05-07 2003-07-22 Applied Materials, Inc. CVD TiSiN barrier for copper integration
US6759081B2 (en) * 2001-05-11 2004-07-06 Asm International, N.V. Method of depositing thin films for magnetic heads
US7037574B2 (en) 2001-05-23 2006-05-02 Veeco Instruments, Inc. Atomic layer deposition for fabricating thin films
US6849545B2 (en) 2001-06-20 2005-02-01 Applied Materials, Inc. System and method to form a composite film stack utilizing sequential deposition techniques
US20070009658A1 (en) * 2001-07-13 2007-01-11 Yoo Jong H Pulse nucleation enhanced nucleation technique for improved step coverage and better gap fill for WCVD process
US7211144B2 (en) * 2001-07-13 2007-05-01 Applied Materials, Inc. Pulsed nucleation deposition of tungsten layers
US20030198754A1 (en) * 2001-07-16 2003-10-23 Ming Xi Aluminum oxide chamber and process
US8110489B2 (en) * 2001-07-25 2012-02-07 Applied Materials, Inc. Process for forming cobalt-containing materials
US20030029715A1 (en) * 2001-07-25 2003-02-13 Applied Materials, Inc. An Apparatus For Annealing Substrates In Physical Vapor Deposition Systems
JP2005504885A (ja) * 2001-07-25 2005-02-17 アプライド　マテリアルズ　インコーポレイテッド 新規なスパッタ堆積方法を使用したバリア形成
US20090004850A1 (en) * 2001-07-25 2009-01-01 Seshadri Ganguli Process for forming cobalt and cobalt silicide materials in tungsten contact applications
US9051641B2 (en) 2001-07-25 2015-06-09 Applied Materials, Inc. Cobalt deposition on barrier surfaces
US20080268635A1 (en) * 2001-07-25 2008-10-30 Sang-Ho Yu Process for forming cobalt and cobalt silicide materials in copper contact applications
US7085616B2 (en) * 2001-07-27 2006-08-01 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition apparatus
JP4921652B2 (ja) * 2001-08-03 2012-04-25 エイエスエム インターナショナル エヌ．ヴェー． イットリウム酸化物およびランタン酸化物薄膜を堆積する方法
US7138336B2 (en) * 2001-08-06 2006-11-21 Asm Genitech Korea Ltd. Plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) equipment and method of forming a conducting thin film using the same thereof
US6718126B2 (en) 2001-09-14 2004-04-06 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for vaporizing solid precursor for CVD or atomic layer deposition
KR101013231B1 (ko) * 2001-09-14 2011-02-10 에이에스엠 인터내셔널 엔.브이. 환원펄스를 이용한 원자층증착에 의한 질화금속증착
US6936906B2 (en) * 2001-09-26 2005-08-30 Applied Materials, Inc. Integration of barrier layer and seed layer
US20030059538A1 (en) * 2001-09-26 2003-03-27 Applied Materials, Inc. Integration of barrier layer and seed layer
US7049226B2 (en) * 2001-09-26 2006-05-23 Applied Materials, Inc. Integration of ALD tantalum nitride for copper metallization
US7204886B2 (en) 2002-11-14 2007-04-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for hybrid chemical processing
US6916398B2 (en) * 2001-10-26 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition
US7780785B2 (en) * 2001-10-26 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus for atomic layer deposition
WO2003038145A2 (en) * 2001-10-29 2003-05-08 Genus, Inc. Chemical vapor deposition system
KR100760291B1 (ko) * 2001-11-08 2007-09-19 에이에스엠지니텍코리아 주식회사 박막 형성 방법
US6773507B2 (en) * 2001-12-06 2004-08-10 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for fast-cycle atomic layer deposition
US7081271B2 (en) * 2001-12-07 2006-07-25 Applied Materials, Inc. Cyclical deposition of refractory metal silicon nitride
US6729824B2 (en) 2001-12-14 2004-05-04 Applied Materials, Inc. Dual robot processing system
JP4908738B2 (ja) * 2002-01-17 2012-04-04 サンデュー・テクノロジーズ・エルエルシー Ａｌｄ方法
US7175713B2 (en) * 2002-01-25 2007-02-13 Applied Materials, Inc. Apparatus for cyclical deposition of thin films
US6866746B2 (en) * 2002-01-26 2005-03-15 Applied Materials, Inc. Clamshell and small volume chamber with fixed substrate support
US6998014B2 (en) 2002-01-26 2006-02-14 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for plasma assisted deposition
US6911391B2 (en) 2002-01-26 2005-06-28 Applied Materials, Inc. Integration of titanium and titanium nitride layers
US6827978B2 (en) * 2002-02-11 2004-12-07 Applied Materials, Inc. Deposition of tungsten films
US6833161B2 (en) * 2002-02-26 2004-12-21 Applied Materials, Inc. Cyclical deposition of tungsten nitride for metal oxide gate electrode
US6972267B2 (en) * 2002-03-04 2005-12-06 Applied Materials, Inc. Sequential deposition of tantalum nitride using a tantalum-containing precursor and a nitrogen-containing precursor
EP1485513A2 (en) * 2002-03-08 2004-12-15 Sundew Technologies, LLC Ald method and apparatus
US7104578B2 (en) * 2002-03-15 2006-09-12 Asm International N.V. Two level end effector
JP4873820B2 (ja) * 2002-04-01 2012-02-08 株式会社エフティーエル 半導体装置の製造装置
US7439191B2 (en) * 2002-04-05 2008-10-21 Applied Materials, Inc. Deposition of silicon layers for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications
US6846516B2 (en) * 2002-04-08 2005-01-25 Applied Materials, Inc. Multiple precursor cyclical deposition system
US6720027B2 (en) 2002-04-08 2004-04-13 Applied Materials, Inc. Cyclical deposition of a variable content titanium silicon nitride layer
US20030194825A1 (en) * 2002-04-10 2003-10-16 Kam Law Deposition of gate metallization for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications
US6875271B2 (en) 2002-04-09 2005-04-05 Applied Materials, Inc. Simultaneous cyclical deposition in different processing regions
US6869838B2 (en) * 2002-04-09 2005-03-22 Applied Materials, Inc. Deposition of passivation layers for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications
US7279432B2 (en) * 2002-04-16 2007-10-09 Applied Materials, Inc. System and method for forming an integrated barrier layer
US7041335B2 (en) * 2002-06-04 2006-05-09 Applied Materials, Inc. Titanium tantalum nitride silicide layer
US6838125B2 (en) * 2002-07-10 2005-01-04 Applied Materials, Inc. Method of film deposition using activated precursor gases
US20040013803A1 (en) * 2002-07-16 2004-01-22 Applied Materials, Inc. Formation of titanium nitride films using a cyclical deposition process
US6955211B2 (en) 2002-07-17 2005-10-18 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for gas temperature control in a semiconductor processing system
US7186385B2 (en) * 2002-07-17 2007-03-06 Applied Materials, Inc. Apparatus for providing gas to a processing chamber
US7066194B2 (en) * 2002-07-19 2006-06-27 Applied Materials, Inc. Valve design and configuration for fast delivery system
US6772072B2 (en) 2002-07-22 2004-08-03 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for monitoring solid precursor delivery
US6915592B2 (en) 2002-07-29 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for generating gas to a processing chamber
US7186630B2 (en) * 2002-08-14 2007-03-06 Asm America, Inc. Deposition of amorphous silicon-containing films
US20040071878A1 (en) * 2002-08-15 2004-04-15 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec Vzw) Surface preparation using plasma for ALD Films
US20040065255A1 (en) * 2002-10-02 2004-04-08 Applied Materials, Inc. Cyclical layer deposition system
US6821563B2 (en) 2002-10-02 2004-11-23 Applied Materials, Inc. Gas distribution system for cyclical layer deposition
US20040069227A1 (en) * 2002-10-09 2004-04-15 Applied Materials, Inc. Processing chamber configured for uniform gas flow
US6905737B2 (en) * 2002-10-11 2005-06-14 Applied Materials, Inc. Method of delivering activated species for rapid cyclical deposition
US20040142558A1 (en) * 2002-12-05 2004-07-22 Granneman Ernst H. A. Apparatus and method for atomic layer deposition on substrates
WO2004064147A2 (en) * 2003-01-07 2004-07-29 Applied Materials, Inc. Integration of ald/cvd barriers with porous low k materials
US7262133B2 (en) 2003-01-07 2007-08-28 Applied Materials, Inc. Enhancement of copper line reliability using thin ALD tan film to cap the copper line
US6994319B2 (en) * 2003-01-29 2006-02-07 Applied Materials, Inc. Membrane gas valve for pulsing a gas
US6868859B2 (en) * 2003-01-29 2005-03-22 Applied Materials, Inc. Rotary gas valve for pulsing a gas
US20040177813A1 (en) 2003-03-12 2004-09-16 Applied Materials, Inc. Substrate support lift mechanism
US7342984B1 (en) 2003-04-03 2008-03-11 Zilog, Inc. Counting clock cycles over the duration of a first character and using a remainder value to determine when to sample a bit of a second character
US20040198069A1 (en) 2003-04-04 2004-10-07 Applied Materials, Inc. Method for hafnium nitride deposition
US7601223B2 (en) * 2003-04-29 2009-10-13 Asm International N.V. Showerhead assembly and ALD methods
US7537662B2 (en) 2003-04-29 2009-05-26 Asm International N.V. Method and apparatus for depositing thin films on a surface
WO2004113585A2 (en) 2003-06-18 2004-12-29 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of barrier materials
EP1649076B1 (en) * 2003-06-27 2010-05-19 Sundew Technologies, LLC Apparatus and method for chemical source vapor pressure control
US20100129548A1 (en) * 2003-06-27 2010-05-27 Sundew Technologies, Llc Ald apparatus and method
US7067407B2 (en) * 2003-08-04 2006-06-27 Asm International, N.V. Method of growing electrical conductors
US7181132B2 (en) 2003-08-20 2007-02-20 Asm International N.V. Method and system for loading substrate supports into a substrate holder
US6818517B1 (en) 2003-08-29 2004-11-16 Asm International N.V. Methods of depositing two or more layers on a substrate in situ
US20050067103A1 (en) * 2003-09-26 2005-03-31 Applied Materials, Inc. Interferometer endpoint monitoring device
JP2007511902A (ja) * 2003-10-29 2007-05-10 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド 薄膜成長用反応装置
US20050095859A1 (en) * 2003-11-03 2005-05-05 Applied Materials, Inc. Precursor delivery system with rate control
US7071118B2 (en) * 2003-11-12 2006-07-04 Veeco Instruments, Inc. Method and apparatus for fabricating a conformal thin film on a substrate
KR100527108B1 (ko) * 2003-11-28 2005-11-09 한국전자통신연구원 반도체 광소자의 제작 방법
US20050210455A1 (en) * 2004-03-18 2005-09-22 International Business Machines Corporation Method for generating an executable workflow code from an unstructured cyclic process model
US7405143B2 (en) * 2004-03-25 2008-07-29 Asm International N.V. Method for fabricating a seed layer
US20050252449A1 (en) 2004-05-12 2005-11-17 Nguyen Son T Control of gas flow and delivery to suppress the formation of particles in an MOCVD/ALD system
US20060153995A1 (en) * 2004-05-21 2006-07-13 Applied Materials, Inc. Method for fabricating a dielectric stack
US20060062917A1 (en) * 2004-05-21 2006-03-23 Shankar Muthukrishnan Vapor deposition of hafnium silicate materials with tris(dimethylamino)silane
US8119210B2 (en) * 2004-05-21 2012-02-21 Applied Materials, Inc. Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material
US8323754B2 (en) * 2004-05-21 2012-12-04 Applied Materials, Inc. Stabilization of high-k dielectric materials
US20060019033A1 (en) * 2004-05-21 2006-01-26 Applied Materials, Inc. Plasma treatment of hafnium-containing materials
ATE444380T1 (de) * 2004-06-28 2009-10-15 Cambridge Nanotech Inc Atomlagenabscheidungssystem und -verfahren
US7845309B2 (en) * 2004-07-13 2010-12-07 Nordson Corporation Ultra high speed uniform plasma processing system
US20060019493A1 (en) * 2004-07-15 2006-01-26 Li Wei M Methods of metallization for microelectronic devices utilizing metal oxide
US7429402B2 (en) * 2004-12-10 2008-09-30 Applied Materials, Inc. Ruthenium as an underlayer for tungsten film deposition
JP2006176826A (ja) * 2004-12-22 2006-07-06 Canon Anelva Corp 薄膜処理装置
US7687383B2 (en) * 2005-02-04 2010-03-30 Asm America, Inc. Methods of depositing electrically active doped crystalline Si-containing films
US20060177601A1 (en) * 2005-02-10 2006-08-10 Hyung-Sang Park Method of forming a ruthenium thin film using a plasma enhanced atomic layer deposition apparatus and the method thereof
US7666773B2 (en) 2005-03-15 2010-02-23 Asm International N.V. Selective deposition of noble metal thin films
US7608549B2 (en) * 2005-03-15 2009-10-27 Asm America, Inc. Method of forming non-conformal layers
US8025922B2 (en) * 2005-03-15 2011-09-27 Asm International N.V. Enhanced deposition of noble metals
WO2006106764A1 (ja) * 2005-03-30 2006-10-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 伝送線路
KR101272321B1 (ko) * 2005-05-09 2013-06-07 한국에이에스엠지니텍 주식회사 복수의 기체 유입구를 가지는 원자층 증착 장치의 반응기
US20060272577A1 (en) * 2005-06-03 2006-12-07 Ming Mao Method and apparatus for decreasing deposition time of a thin film
US20070014919A1 (en) * 2005-07-15 2007-01-18 Jani Hamalainen Atomic layer deposition of noble metal oxides
US20070020890A1 (en) * 2005-07-19 2007-01-25 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for semiconductor processing
US20070049043A1 (en) * 2005-08-23 2007-03-01 Applied Materials, Inc. Nitrogen profile engineering in HI-K nitridation for device performance enhancement and reliability improvement
US7402534B2 (en) * 2005-08-26 2008-07-22 Applied Materials, Inc. Pretreatment processes within a batch ALD reactor
US20070054048A1 (en) * 2005-09-07 2007-03-08 Suvi Haukka Extended deposition range by hot spots
US20070065578A1 (en) * 2005-09-21 2007-03-22 Applied Materials, Inc. Treatment processes for a batch ALD reactor
US7464917B2 (en) * 2005-10-07 2008-12-16 Appiled Materials, Inc. Ampoule splash guard apparatus
US8993055B2 (en) * 2005-10-27 2015-03-31 Asm International N.V. Enhanced thin film deposition
US20070099422A1 (en) * 2005-10-28 2007-05-03 Kapila Wijekoon Process for electroless copper deposition
CN101448977B (zh) * 2005-11-04 2010-12-15 应用材料股份有限公司 用于等离子体增强的原子层沉积的设备和工艺
US20070264427A1 (en) * 2005-12-21 2007-11-15 Asm Japan K.K. Thin film formation by atomic layer growth and chemical vapor deposition
WO2007078802A2 (en) * 2005-12-22 2007-07-12 Asm America, Inc. Epitaxial deposition of doped semiconductor materials
US7713584B2 (en) * 2005-12-22 2010-05-11 Asm International N.V. Process for producing oxide films
KR101379015B1 (ko) 2006-02-15 2014-03-28 한국에이에스엠지니텍 주식회사 플라즈마 원자층 증착법을 이용한 루테늄 막 증착 방법 및고밀도 루테늄 층
EP1840940B8 (de) 2006-03-28 2014-11-26 Thallner, Erich, Dipl.-Ing. Vorrichtung und Verfahren zum Beschichten eines mikro- und/oder nanostrukturierten Struktursubstrats
US20070252299A1 (en) * 2006-04-27 2007-11-01 Applied Materials, Inc. Synchronization of precursor pulsing and wafer rotation
US7798096B2 (en) * 2006-05-05 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Plasma, UV and ion/neutral assisted ALD or CVD in a batch tool
US20070259111A1 (en) * 2006-05-05 2007-11-08 Singh Kaushal K Method and apparatus for photo-excitation of chemicals for atomic layer deposition of dielectric film
US8278176B2 (en) * 2006-06-07 2012-10-02 Asm America, Inc. Selective epitaxial formation of semiconductor films
US7795160B2 (en) * 2006-07-21 2010-09-14 Asm America Inc. ALD of metal silicate films
US7435484B2 (en) * 2006-09-01 2008-10-14 Asm Japan K.K. Ruthenium thin film-formed structure
US8053372B1 (en) 2006-09-12 2011-11-08 Novellus Systems, Inc. Method of reducing plasma stabilization time in a cyclic deposition process
US7871678B1 (en) 2006-09-12 2011-01-18 Novellus Systems, Inc. Method of increasing the reactivity of a precursor in a cyclic deposition process
US7976898B2 (en) * 2006-09-20 2011-07-12 Asm Genitech Korea Ltd. Atomic layer deposition apparatus
JP2010506408A (ja) 2006-10-05 2010-02-25 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド 金属シリケート膜のａｌｄ
US7521379B2 (en) * 2006-10-09 2009-04-21 Applied Materials, Inc. Deposition and densification process for titanium nitride barrier layers
US8268409B2 (en) * 2006-10-25 2012-09-18 Asm America, Inc. Plasma-enhanced deposition of metal carbide films
US8795771B2 (en) 2006-10-27 2014-08-05 Sean T. Barry ALD of metal-containing films using cyclopentadienyl compounds
US8158526B2 (en) 2006-10-30 2012-04-17 Applied Materials, Inc. Endpoint detection for photomask etching
US20080099436A1 (en) * 2006-10-30 2008-05-01 Michael Grimbergen Endpoint detection for photomask etching
US7775508B2 (en) * 2006-10-31 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Ampoule for liquid draw and vapor draw with a continuous level sensor
US7611751B2 (en) * 2006-11-01 2009-11-03 Asm America, Inc. Vapor deposition of metal carbide films
US7727864B2 (en) * 2006-11-01 2010-06-01 Asm America, Inc. Controlled composition using plasma-enhanced atomic layer deposition
US20080124484A1 (en) * 2006-11-08 2008-05-29 Asm Japan K.K. Method of forming ru film and metal wiring structure
KR101355638B1 (ko) * 2006-11-09 2014-01-29 한국에이에스엠지니텍 주식회사 원자층 증착 장치
US7598170B2 (en) 2007-01-26 2009-10-06 Asm America, Inc. Plasma-enhanced ALD of tantalum nitride films
US7595270B2 (en) * 2007-01-26 2009-09-29 Asm America, Inc. Passivated stoichiometric metal nitride films
US20080206987A1 (en) * 2007-01-29 2008-08-28 Gelatos Avgerinos V Process for tungsten nitride deposition by a temperature controlled lid assembly
JP5474278B2 (ja) * 2007-02-22 2014-04-16 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル 超臨界プロセス用バッチ式成膜装置及び半導体装置の製造方法
US20080241384A1 (en) * 2007-04-02 2008-10-02 Asm Genitech Korea Ltd. Lateral flow deposition apparatus and method of depositing film by using the apparatus
US7713874B2 (en) * 2007-05-02 2010-05-11 Asm America, Inc. Periodic plasma annealing in an ALD-type process
US7638170B2 (en) 2007-06-21 2009-12-29 Asm International N.V. Low resistivity metal carbonitride thin film deposition by atomic layer deposition
US8017182B2 (en) * 2007-06-21 2011-09-13 Asm International N.V. Method for depositing thin films by mixed pulsed CVD and ALD
US20090035946A1 (en) * 2007-07-31 2009-02-05 Asm International N.V. In situ deposition of different metal-containing films using cyclopentadienyl metal precursors
KR20090018290A (ko) * 2007-08-17 2009-02-20 에이에스엠지니텍코리아 주식회사 증착 장치
US7759199B2 (en) * 2007-09-19 2010-07-20 Asm America, Inc. Stressor for engineered strain on channel
US20090087339A1 (en) * 2007-09-28 2009-04-02 Asm Japan K.K. METHOD FOR FORMING RUTHENIUM COMPLEX FILM USING Beta-DIKETONE-COORDINATED RUTHENIUM PRECURSOR
KR101544198B1 (ko) 2007-10-17 2015-08-12 한국에이에스엠지니텍 주식회사 루테늄 막 형성 방법
US7939447B2 (en) * 2007-10-26 2011-05-10 Asm America, Inc. Inhibitors for selective deposition of silicon containing films
US8282735B2 (en) 2007-11-27 2012-10-09 Asm Genitech Korea Ltd. Atomic layer deposition apparatus
US7655564B2 (en) * 2007-12-12 2010-02-02 Asm Japan, K.K. Method for forming Ta-Ru liner layer for Cu wiring
US7655543B2 (en) * 2007-12-21 2010-02-02 Asm America, Inc. Separate injection of reactive species in selective formation of films
KR20090067505A (ko) * 2007-12-21 2009-06-25 에이에스엠지니텍코리아 주식회사 루테늄막 증착 방법
US7799674B2 (en) * 2008-02-19 2010-09-21 Asm Japan K.K. Ruthenium alloy film for copper interconnects
US8545936B2 (en) 2008-03-28 2013-10-01 Asm International N.V. Methods for forming carbon nanotubes
KR101540077B1 (ko) * 2008-04-16 2015-07-28 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 알루미늄 탄화수소 화합물들을 이용한 금속 카바이드 막들의 원자층 증착법
US8383525B2 (en) * 2008-04-25 2013-02-26 Asm America, Inc. Plasma-enhanced deposition process for forming a metal oxide thin film and related structures
KR101436564B1 (ko) * 2008-05-07 2014-09-02 한국에이에스엠지니텍 주식회사 비정질 실리콘 박막 형성 방법
US7666474B2 (en) 2008-05-07 2010-02-23 Asm America, Inc. Plasma-enhanced pulsed deposition of metal carbide films
US8084104B2 (en) * 2008-08-29 2011-12-27 Asm Japan K.K. Atomic composition controlled ruthenium alloy film formed by plasma-enhanced atomic layer deposition
US20100062149A1 (en) 2008-09-08 2010-03-11 Applied Materials, Inc. Method for tuning a deposition rate during an atomic layer deposition process
US8491967B2 (en) * 2008-09-08 2013-07-23 Applied Materials, Inc. In-situ chamber treatment and deposition process
US8133555B2 (en) 2008-10-14 2012-03-13 Asm Japan K.K. Method for forming metal film by ALD using beta-diketone metal complex
US20100098851A1 (en) * 2008-10-20 2010-04-22 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Techniques for atomic layer deposition
US8146896B2 (en) * 2008-10-31 2012-04-03 Applied Materials, Inc. Chemical precursor ampoule for vapor deposition processes
US9328417B2 (en) * 2008-11-01 2016-05-03 Ultratech, Inc. System and method for thin film deposition
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US20100136313A1 (en) * 2008-12-01 2010-06-03 Asm Japan K.K. Process for forming high resistivity thin metallic film
US9379011B2 (en) 2008-12-19 2016-06-28 Asm International N.V. Methods for depositing nickel films and for making nickel silicide and nickel germanide
US7927942B2 (en) 2008-12-19 2011-04-19 Asm International N.V. Selective silicide process
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8486191B2 (en) * 2009-04-07 2013-07-16 Asm America, Inc. Substrate reactor with adjustable injectors for mixing gases within reaction chamber
US20110020546A1 (en) * 2009-05-15 2011-01-27 Asm International N.V. Low Temperature ALD of Noble Metals
KR101536257B1 (ko) * 2009-07-22 2015-07-13 한국에이에스엠지니텍 주식회사 수평 흐름 증착 장치 및 이를 이용한 증착 방법
US8329569B2 (en) * 2009-07-31 2012-12-11 Asm America, Inc. Deposition of ruthenium or ruthenium dioxide
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
JP5809152B2 (ja) 2009-10-20 2015-11-10 エーエスエム インターナショナル エヌ．ヴェー．Ａｓｍ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｎ．Ｖ． 誘電体膜をパッシベーションする方法
US8367528B2 (en) * 2009-11-17 2013-02-05 Asm America, Inc. Cyclical epitaxial deposition and etch
US20110293830A1 (en) 2010-02-25 2011-12-01 Timo Hatanpaa Precursors and methods for atomic layer deposition of transition metal oxides
CN103025915B (zh) 2010-06-08 2015-08-05 哈佛大学校长及研究员协会 低温合成二氧化硅
US8778204B2 (en) 2010-10-29 2014-07-15 Applied Materials, Inc. Methods for reducing photoresist interference when monitoring a target layer in a plasma process
WO2012060940A1 (en) 2010-11-04 2012-05-10 Novellus Systems, Inc. Ion-induced atomic layer deposition of tantalum
US8871617B2 (en) 2011-04-22 2014-10-28 Asm Ip Holding B.V. Deposition and reduction of mixed metal oxide thin films
US8809170B2 (en) 2011-05-19 2014-08-19 Asm America Inc. High throughput cyclical epitaxial deposition and etch process
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
JP5878813B2 (ja) * 2011-06-21 2016-03-08 東京エレクトロン株式会社 バッチ式処理装置
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9062375B2 (en) 2011-08-17 2015-06-23 Asm Genitech Korea Ltd. Lateral flow atomic layer deposition apparatus and atomic layer deposition method using the same
US9062390B2 (en) 2011-09-12 2015-06-23 Asm International N.V. Crystalline strontium titanate and methods of forming the same
US8961804B2 (en) 2011-10-25 2015-02-24 Applied Materials, Inc. Etch rate detection for photomask etching
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US8808559B2 (en) 2011-11-22 2014-08-19 Applied Materials, Inc. Etch rate detection for reflective multi-material layers etching
US8900469B2 (en) 2011-12-19 2014-12-02 Applied Materials, Inc. Etch rate detection for anti-reflective coating layer and absorber layer etching
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9805939B2 (en) 2012-10-12 2017-10-31 Applied Materials, Inc. Dual endpoint detection for advanced phase shift and binary photomasks
US20140116336A1 (en) * 2012-10-26 2014-05-01 Applied Materials, Inc. Substrate process chamber exhaust
US8778574B2 (en) 2012-11-30 2014-07-15 Applied Materials, Inc. Method for etching EUV material layers utilized to form a photomask
US9175389B2 (en) * 2012-12-21 2015-11-03 Intermolecular, Inc. ALD process window combinatorial screening tool
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9412602B2 (en) 2013-03-13 2016-08-09 Asm Ip Holding B.V. Deposition of smooth metal nitride films
US8841182B1 (en) 2013-03-14 2014-09-23 Asm Ip Holding B.V. Silane and borane treatments for titanium carbide films
US8846550B1 (en) 2013-03-14 2014-09-30 Asm Ip Holding B.V. Silane or borane treatment of metal thin films
JP6134191B2 (ja) 2013-04-07 2017-05-24 村川 惠美 回転型セミバッチａｌｄ装置
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9394609B2 (en) 2014-02-13 2016-07-19 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of aluminum fluoride thin films
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10643925B2 (en) 2014-04-17 2020-05-05 Asm Ip Holding B.V. Fluorine-containing conductive films
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102216575B1 (ko) 2014-10-23 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 티타늄 알루미늄 및 탄탈륨 알루미늄 박막들
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
KR101760316B1 (ko) * 2015-09-11 2017-07-21 주식회사 유진테크 기판처리장치
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US9607842B1 (en) 2015-10-02 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming metal silicides
US9941425B2 (en) 2015-10-16 2018-04-10 Asm Ip Holdings B.V. Photoactive devices and materials
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US9786492B2 (en) 2015-11-12 2017-10-10 Asm Ip Holding B.V. Formation of SiOCN thin films
US9786491B2 (en) 2015-11-12 2017-10-10 Asm Ip Holding B.V. Formation of SiOCN thin films
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102378021B1 (ko) 2016-05-06 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 박막의 형성
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US10381226B2 (en) 2016-07-27 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of processing substrate
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
US10186420B2 (en) 2016-11-29 2019-01-22 Asm Ip Holding B.V. Formation of silicon-containing thin films
US10947640B1 (en) * 2016-12-02 2021-03-16 Svagos Technik, Inc. CVD reactor chamber with resistive heating for silicon carbide deposition
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10847529B2 (en) 2017-04-13 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method and device manufactured by the same
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10504901B2 (en) 2017-04-26 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method and device manufactured using the same
US11158500B2 (en) 2017-05-05 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Plasma enhanced deposition processes for controlled formation of oxygen containing thin films
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
KR102633318B1 (ko) 2017-11-27 2024-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 청정 소형 구역을 포함한 장치
WO2019103613A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
US10991573B2 (en) 2017-12-04 2021-04-27 Asm Ip Holding B.V. Uniform deposition of SiOC on dielectric and metal surfaces
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
KR20190096540A (ko) 2018-02-09 2019-08-20 (주)울텍 원자층 증착 시스템
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
EP3737779A1 (en) 2018-02-14 2020-11-18 ASM IP Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
TWI816783B (zh) 2018-05-11 2023-10-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
CN111593319B (zh) 2019-02-20 2023-05-30 Asm Ip私人控股有限公司 用于填充在衬底表面内形成的凹部的循环沉积方法和设备
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11976357B2 (en) 2019-09-09 2024-05-07 Applied Materials, Inc. Methods for forming a protective coating on processing chamber surfaces or components
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
US11551912B2 (en) 2020-01-20 2023-01-10 Asm Ip Holding B.V. Method of forming thin film and method of modifying surface of thin film
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
KR20220161819A (ko) 2021-05-31 2022-12-07 (주)울텍 원자층 증착 시스템
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1562855A (fi) * 1967-12-05 1969-04-11
SE393967B (sv) * 1974-11-29 1977-05-31 Sateko Oy Forfarande och for utforande av stroleggning mellan lagren i ett virkespaket
US4062318A (en) * 1976-11-19 1977-12-13 Rca Corporation Apparatus for chemical vapor deposition
FI57975C (fi) * 1979-02-28 1980-11-10 Lohja Ab Oy Foerfarande och anordning vid uppbyggande av tunna foereningshinnor
US4263872A (en) * 1980-01-31 1981-04-28 Rca Corporation Radiation heated reactor for chemical vapor deposition on substrates
US4389973A (en) * 1980-03-18 1983-06-28 Oy Lohja Ab Apparatus for performing growth of compound thin films
US4339645A (en) * 1980-07-03 1982-07-13 Rca Corporation RF Heating coil construction for stack of susceptors
US4421786A (en) * 1981-01-23 1983-12-20 Western Electric Co. Chemical vapor deposition reactor for silicon epitaxial processes
JPS59111997A (ja) * 1982-12-14 1984-06-28 Kyushu Denshi Kinzoku Kk エピタキシヤル成長装置
US4825806A (en) * 1984-02-17 1989-05-02 Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Film forming apparatus
JPS6126217A (ja) * 1984-07-16 1986-02-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 気相成長装置
JPS61289623A (ja) * 1985-06-18 1986-12-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 気相反応装置
JPS63112495A (ja) * 1986-10-29 1988-05-17 Nec Kyushu Ltd 気相成長装置
DE3707672A1 (de) * 1987-03-10 1988-09-22 Sitesa Sa Epitaxieanlage
DE3739528A1 (de) * 1987-11-21 1989-06-01 Bbc Brown Boveri & Cie Cvd-rohrofenreaktor
DE3743938C2 (de) * 1987-12-23 1995-08-31 Cs Halbleiter Solartech Verfahren zum Atomschicht-Epitaxie-Aufwachsen einer III/V-Verbindungshalbleiter-Dünnschicht
JPH02150040A (ja) * 1988-11-30 1990-06-08 Fujitsu Ltd 気相成長装置
DE3936016A1 (de) * 1989-10-28 1991-05-02 Philips Patentverwaltung Verfahren zur herstellung optischer schichten auf planaren substraten
US5091335A (en) * 1990-03-30 1992-02-25 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration MBE growth technology for high quality strained III-V layers
JP3131005B2 (ja) * 1992-03-06 2001-01-31 パイオニア株式会社 化合物半導体気相成長装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP3349156B2 (ja) 2002-11-20
US5711811A (en) 1998-01-27
JPH09508888A (ja) 1997-09-09
WO1996017969A3 (en) 1996-08-29
FI945612A0 (fi) 1994-11-28
KR100255431B1 (ko) 2000-05-01
WO1996017969A2 (en) 1996-06-13
KR970700788A (ko) 1997-02-12
FI97731C (fi) 1997-02-10
AU3985795A (en) 1996-06-26
FI945612A (fi) 1996-05-29
DE19581482T1 (de) 1997-01-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI97731B (fi) Menetelmä ja laite ohutkalvojen valmistamiseksi
KR100255430B1 (ko) 박막을 성장시키기 위한 방법 및 장치
US6630030B1 (en) Method and apparatus for growing thin films
US9783888B2 (en) Atomic layer deposition head
TWI417415B (zh) 化學氣相沉積流動入口元件及方法
US7020981B2 (en) Reaction system for growing a thin film
JP2007521633A (ja) 垂直流型回転ディスク式反応器用のアルキルプッシュ気流
KR20120073245A (ko) Ｃｖｄ 반응기 그리고 코팅을 증착시키는 방법
JPH0582475B2 (fi)
JP2009516077A (ja) Ａｌｄ反応容器
WO1989012703A1 (en) Gas injector apparatus for chemical vapor deposition reactors
CN115852343A (zh) 一种进气分配机构及具有其的cvd反应设备
KR101776401B1 (ko) 균일한 반응가스 플로우를 형성하는 원자층 박막 증착장치
TWI829985B (zh) 基材處理設備及方法
EP4384649A1 (en) An atomic layer deposition reaction chamber and an atomic layer deposition reactor
JPH04335521A (ja) 気相成長装置

Legal Events

Date Code Title Description
BB Publication of examined application
PC Transfer of assignment of patent

Owner name: NESTE OY

MM Patent lapsed