DE19808990C2 - Dünnschichttransistor und Herstellungsverfahren dafür - Google Patents
Dünnschichttransistor und Herstellungsverfahren dafürInfo
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Description
Die Erfindung betrifft einen Dünnschichttransistor für eine
Flüssigkristallanzeige (LCD: Liquid Crystal Display) und
insbesondere einen Dünnschichttransistor mit einem eine
zweischichtige Metallstruktur aufweisenden Gate und ein
Herstellungsverfahren dafür.
Eine LCD weist Schaltvorrichtungen als Antriebselemente und in
Matrixform angeordnete Pixel auf, die als Basiseinheiten
transparente oder lichtreflektierende Pixel-Elektroden
aufweisen. Die Schaltvorrichtung ist ein Dünnschichttransistor,
der ein Gate sowie einen Source-Bereich und einen Drain-Bereich
aufweist.
Das Gate eines Dünnschichttransistors ist im allgemeinen aus
Aluminium, um einen geringen Anschlußwiderstand zu
gewährleisten. Bei einem Gate aus Aluminium können jedoch
Defekte, wie Aufwerfungen (hillocks) auftreten.
Eine Alternative zur Verwendung reinen Aluminiums zur
Herstellung eines Gates liegt in der Verwendung einer
Aluminiumlegierung, um auf diese Weise die Probleme mit den
Aufwerfungen zu vermeiden. Die Verwendung einer
Aluminiumlegierung, wie AlTa, bei der die Diffusion von
Aluminiumatomen durch das Hinzufügen einer geringen Menge eines
hitzebeständigen Metalls, wie Tantal, verhindert wird, führt jedoch
dazu, daß das Gate elektrisch und chemisch instabil ist.
Eine andere Möglichkeit um das Problem der Aufwerfungen zu vermeiden liegt darin, ein Gate mit einer
zweischichtigen Metallschicht auszubilden, d. h. beispielsweise
ein Gate aus Aluminium mit einer Beschichtung aus Molybdän.
Ein Dünnschichttransistor mit einem zweischichtigen Metall-Gate gemäß
dem Stand der Technik ist beispielsweise aus US 5 036 370 bekannt und wird
in den Fig. 1, 2A-2F und 3 dargestellt.
Aus Fig. 1 ist eine
Draufsicht auf einen Dünnschichttransistor gemäß dem Stand der
Technik ersichtlich, und aus den Fig. 2A-2F sind Schnitte
entlang der Linie X-X aus Fig. 1 ersichtlich.
Um ein zweischichtiges Gate herzustellen, werden Metalle, wie
Aluminium und Molybdän, nacheinander auf ein Substrat
aufgebracht. Danach wird ein Strukturierungsverfahren mittels
Fotolitographie durchgeführt, um Metallschichten auszubilden,
die die gleiche Breite aufweisen. Auch wenn mit dem
zweischichtigen Gate die Probleme der Aufwerfungen vermieden
werden können, besteht weiterhin ein Problem derart, daß die
das zweischichtige Metall-Gate bildende Metallschichten so dick
sind, daß aufgrund der Höhendifferenz zwischen den
Metallschichten und dem Substrat eine große Stufe gebildet
wird, so daß die Bedeckung der Stufe mit einer später zu
bildenden Gate-Oxidschicht schlecht ist. Der auf der Gate-
Oxidschicht gebildete Source-Bereich und der auf der Gate-
Oxidschicht gebildete Drain-Bereich können deshalb jeweils
Unterbrechungen zwischen ihren das Gate überlappenden bzw.
nicht überlappenden Bereichen sowie elektrische Kurzschlüsse
aufgrund eines Kontaktes mit dem Gate aufweisen.
Bei dem oben beschriebenen Herstellungsverfahren für das Gate
bilden die Al-Schicht und die Mo-Schicht gemeinsame ein
plattierte Struktur, wie aus den Fig. 2A-2F ersichtlich.
Aus den Fig. 2A bis 2F sind schematisch aufeinanderfolgende
Herstellungsschritte eines Herstellungsverfahrens für den aus
Fig. 1 ersichtlichen Dünnschichttransistor ersichtlich. Wie
aus Fig. 2A ersichtlich, wird Aluminium auf ein Substrat 11
aufgebracht, um eine erste Metallschicht 13 zu bilden. Dann
wird eine zweite Metallschicht 15 durch Aufbringen von Mo auf
das Substrat 11 und auf die erste Metallschicht 13 derart
ausgebildet, daß die zweite Metallschicht 15 die erste
Metallschicht 13 vollständig bedeckt, womit eine plattierte
Struktur gebildet wird, wie aus Fig. 2B ersichtlich.
Somit bilden die erste Metallschicht 13 und die zweite
Metallschicht 15 zusammen ein Gate mit einer zweischichtigen
Metallstruktur in Form einer plattierten Anordnung. Die
plattierte Anordnung bildet eine Stufe zwischen dem Gate und
dem Substrat 11.
Danach wird eine Gate-Isolierungsschicht 17 auf dem Substrat 11
und auf dem von der ersten Metallschicht 13 und der zweiten
Metallschicht 15 gebildeten plattierten Anordnung ausgebildet.
Eine Halbleiterschicht 19 wird dann durch Aufbringen eines
Halbleitermaterials auf die Gate-Elektroden-Isolierungsschicht
17 ausgebildet, und derart selektiv abgeätzt, daß die
Seitenbereiche der Gate-Elektroden-Isolierungsschicht 17
freiliegen. Danach wird eine Kontaktschicht 21 derart
ausgebildet, daß sie die Halbleiterschicht 19, wie aus Fig. 2C
ersichtlich, bedeckt.
Dann wird eine Elektrodenschicht 23 auf der Kontaktschicht 21
ausgebildet. Die Elektrodenschicht 23 und die Kontaktschicht 21
werden dann derart selektiv abgeätzt, daß ein Kanalbereich
gebildet wird, der die Kontaktschicht 21 und die
Elektrodenschicht 23 in zwei separate Elektroden trennt, wie
aus Fig. 2D ersichtlich.
Dann wird eine Elektroden-Isolierungsschicht 25 auf die
Elektrodenschicht 23 und auf den Bereich zwischen den beiden
separaten Elektroden aufgebracht. Die Elektroden-
Isolierungsschicht 25 wird derart selektiv abgeätzt, daß in
ihr, wie aus Fig. 2E ersichtlich, ein Kontaktloch 27 gebildet
wird.
Schließlich wird eine transparente Elektrode, wie eine Pixel-
Elektrode 29, auf der Elektroden-Isolierungsschicht 25 derart
ausgebildet, daß auch das Loch 27 gefüllt wird, so daß die
Pixel-Elektrode 29 mit der Source-Elektrode oder mit der Drain-
Elektrode durch das Kontaktloch 27 hindurch elektrisch leitend
verbunden ist.
Die plattierte Struktur der Gate-Elektrode aus der ersten
Metallschicht 13 und der zweiten Metallschicht 15 führt zu
verschiedenen Problemen. Bei der aus den Fig. 2A-2F
ersichtlichen, plattierten Struktur können Aufwerfungen auf
beiden Seiten der ersten Metallschicht 13 auftreten. Zusätzlich
ist die Bedeckbarkeit der Stufe mit später zu bildenden
Schichten schlecht, und der Source-Bereich sowie der Drain-
Bereich auf der Gate-Oxidschicht können Unterbrechungen
zwischen ihren jeweiligen das Gate überlappenden bzw. nicht
überlappenden Bereichen oder einen elektrischen Kurzschluß
aufgrund eines Kontaktes mit dem Gate aufweisen.
Bei einem anderen, aus Fig. 3 ersichtlichen herkömmlichen
Dünnschichttransistor ist auf einem Substrat 31 eine innere
Gate-Elektrode 34 ausgebildet, die eine erste Al aufweisende
Metallschicht 34a und eine zweite Mo aufweisende Metallschicht
34b aufweist. Die erste Metallschicht 34a und die zweite
Metallschicht 34b werden derart ausgebildet, daß zwischen der
Gate-Elektrode 34 und dem Substrat 31 aufgrund der beiden
Schichten der Gate-Elektrode, die im wesentlichen die gleiche
Breite aufweisen, nur eine Einzelstufe besteht. Eine äußere
Gate-Elektrode 35 ist auf der inneren Gate-Elektrode 34 derart
ausgebildet, daß die äußere Gate-Elektrode 35 die erste
Metallschicht 34a und die zweite Metallschicht 34b vollständig
bedeckt. Die äußere Gate-Elektrode 35 und die innere Gate-
Elektrode 34 bilden zusammen eine Gate-Elektrode 32.
Die Gate-Elektrode 32 ist von einer ersten Gate-
Isolierungsschicht 36 bedeckt, um die Gate-Elektrode 32 zu
schützen. Darüber ist eine zweite Gate-Isolierungsschicht 37
derart ausgebildet, daß sie die Gate-Isolierungsschicht 36
bedeckt. Die zweite Gate-Isolierungsschicht 37 weist eine auf
ihr ausgebildete Halbleiterschicht 38 auf. Eine
Isolierungsschicht 39 ist in einem Kanalbereich zwischen einer
später zu bildenden Source-Elektrode und einer später zu
bildenden Drain-Elektrode angeordnet, wobei die beiden
Elektroden jeweils eine Kontaktschicht 40 und eine
Elektrodenschicht 41 aufweisen. Die Kontaktschicht 40 und die
Elektrodenschicht 41 bilden die Source-Elektrode und die Drain-
Elektrode 43. Auf der zweiten Gate-Isolierungsschicht 37 ist
seitlich neben der Drain-Elektrode eine Pixel-Elektrode 44
ausgebildet, die mit der Drain-Elektrode 43 elektrisch leitend
verbunden ist.
Ähnlich zu der herkömmlichen, aus Fig. 1 und den Fig. 2A-2F
ersichtlichen Vorrichtung, weist der aus Fig. 3 ersichtliche
herkömmliche Dünnschichttransistor eine Stufe zwischen der
Gate-Elektrode 34 und dem Substrat 31 auf, die zu den schon im
Zusammenhang mit den aus den Fig. 1 und 2 ersichtlichen
Vorrichtungen erwähnten Problemen führt, wie Aufwerfungen auf
beiden Seiten der ersten Metallschicht 34a. Um das Problem der
Aufwerfungen auf beiden Seiten der Metallschicht 34a zu
vermeiden, muß die aus Fig. 3 ersichtliche Vorrichtung eine
zweischichtige innere Gate-Elektrode 34, eine äußere Gate-
Elektrode 35 und eine Oxidschicht 36 aufweisen. Ohne die äußere
Gate-Elektrode 35 und die Oxidschicht 36 würde die Struktur der
aus den Fig. 1 und 2 ersichtlichen Struktur entsprechen und
somit zu den gleichen Problemen führen.
Obwohl mit der aus Fig. 3 ersichtlichen Struktur das Problem
der Aufwerfungen vermieden werden kann, weist sie ein
derartiges Problem auf, daß bei diesem Herstellungsverfahren
wesentlich mehr Herstellungsschritte erforderlich sind, wodurch
die Herstellungszeit und die Herstellungskosten für den
Dünnschichttransistor hoch sind.
Gemäß eines anderen herkömmlichen Verfahrens zum Herstellen des
Gates bilden die Metallschicht aus Al und die Metallschicht aus
Mo jeweils eine Doppelstufe mit dem Substrat, so daß die
Bedeckung der Stufe mit der Gate-Oxidschicht besser ist.
Ein Beispiel für dieses Verfahren zum Ausbilden einer
zweischichtigen Gate-Struktur ist in "Low Cost, High Quality
TFT-LCD Process", SOCIETY FOR INFORMATION DISPLAY EURO DISPLAY
96, Proceedings of the 16th International Display Research
Conference, Birmingham, England, 1. Oktober 1996, Seiten 591-
594, beschrieben. Auf Seite 592 dieser Veröffentlichung ist ein
Verfahren zum Herstellen einer zweischichtigen Metall-Gate-
Struktur beschrieben, bei dem zuerst zwei Metallschichten auf
das Substrat aufgebracht werden, die danach strukturiert
werden, wodurch ein zusätzlicher Schritt, in dem eine
Fotolackschicht aufgebracht wird, nicht erforderlich ist. Die
erste Metallschicht weist eine Aluminiumlegierung auf, und die
zweite Metallschicht weist Cr auf. Bei diesem Verfahren führen
jedoch Schwierigkeiten beim Ausbilden des zweischichtigen
Metallschicht-Gates dazu, daß die obere Schicht breiter als die
untere Schicht ist, so daß die obere Schicht relativ zur
unteren Schicht einen. Überhang bildet. Dies führt ferner dazu,
daß die derart gebildete Stufe schlecht bedeckbar ist, was zu
Unterbrechungen führen kann. Dieses Problem wurde mithilfe
eines dreistufigen Ätzverfahrens gelöst, bei dem die
Fotolackschicht vor jedem Ätzschritt ausgeheizt werden muß, um
zu vermeiden, daß sich die Fotolackschicht während des Ätzens
ablöst. Dieses dreistufige Ätzverfahren und das dafür
erforderliche Ausheizen der Fotolackschicht führen zu einem
deutlich aufwendigerem Verfahren mit einer größeren Anzahl von
Verfahrensschritten zum Herstellen des Gates.
Es ist die Aufgabe der Erfindung, einen Dünnschichttransistor
bereitzustellen, bei dem Aufwerfungen sowie eine schlechte
Bedeckung der vom Gate gebildeten Stufe mit einer später zu
bildenden Gate-Oxidschicht vermieden werden sowie, ein einfaches
Herstellungsverfahren für einen Dünnschichttransistor
bereitzustellen, mit dem die mit Verfahren gemäß dem Stand der
Technik verbundenen Probleme vermieden werden.
Um dies zu erreichen, weist der erfindungsgemäße
Dünnschichttransistor auf: ein Substrat und ein auf das
Substrat aufgebrachtes Gate mit einer zweischichtigen Struktur
aus einer ersten Metallschicht und einer zweiten Metallschicht,
wobei die erste Metallschicht ein zu Aufwerfungen neigendes
Material aufweist, und die zweite Metallschicht ein eine hohe
Druckfestigkeit aufweisendes Material aufweist, wobei ferner die
erste Metallschicht breiter als die zweite Metallschicht ist,
so daß zwischen der Gate-Elektrode und dem Substrat eine
Doppelstufe gebildet wird.
Gemäß einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung weist die
erste Metallschicht Al auf, und die zweite Metallschicht weist
Mo auf.
Die zweite Metallschicht kann eine Mo-Legierung, MoW, MoTa,
MoNb oder ein anderes geeignetes Material aufweisen.
Gemäß einer anderen bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung
weist der Dünnschichttransistor ein Substrat und ein auf das
Substrat aufgebrachtes Gate mit einer zweischichtigen Struktur
aus einer ersten Metallschicht und einer zweiten Metallschicht
auf, wobei die erste Metallschicht ein zu Aufwerfungen neigendes
Material aufweist, und die zweite Metallschicht
ein eine hohe Druckfestigkeit aufweisendes Material aufweist,
wobei ferner die erste Metallschicht um etwa 1 bis 4 µm breiter
als die zweite Metallschicht ist.
Das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren für einen
Dünnschichttransistor weist folgende Schritte auf: Aufbringen
einer ersten Metallschicht, die ein zu Aufwerfungen neigendes
Material aufweist, auf ein Substrat, Aufbringen einer zweiten
Metallschicht, die ein eine hohe Druckfestigkeit aufweisendes
Material aufweist, auf die erste Metallschicht; und
Strukturieren der zweiten Metallschicht und der ersten
Metallschicht derart, daß die erste Metallschicht breiter als
die zweite Metallschicht ist.
Aus der Zeichnung, die zusammen mit der folgenden Beschreibung
zur detaillierten Erläuterung der Prinzipien der Erfindung
dient, sind bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung
ersichtlich. In der Zeichnung zeigen:
Fig. 1 eine Draufsicht auf einen Dünnschichttransistor gemäß
dem Stand der Technik;
Fig. 2A-2F Schnitte entlang der Linie X-X aus Fig. 1;
Fig. 3 ein Schnitt eines anderen Dünnschichttransistors gemäß
dem Stand der Technik;
Fig. 4 eine Draufsicht auf einen Dünnschichttransistor gemäß
einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 5A bis 5F schematisch aufeinanderfolgende
Herstellungsschritte eines Herstellungsverfahrens für einen
Dünnschichttransistor gemäß einer bevorzugten Ausführungsform
der Erfindung, wobei ein Maskierungsschritt und zwei
Ätzschritte verwendet werden;
Fig. 6A-6E schematisch aufeinanderfolgende
Herstellungsschritte eines Herstellungsverfahrens für einen
Dünnschichttransistor gemäß einer anderen bevorzugten
Ausführungsform der Erfindung, wobei ein Maskierungsschritt und
ein Ätzschritt verwendet werden.
Im folgenden wird detailliert auf die bevorzugten
Ausführungsformen der Erfindung eingegangen, die aus der
Zeichnung ersichtlich sind.
Aus Fig. 4 ist eine Draufsicht auf einen Dünnschichttransistor
gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung
ersichtlich. Aus den Fig. 5A bis 5F sind schematisch
aufeinanderfolgende Herstellungsschritte eines
Herstellungsverfahrens für einen Dünnschichttransistor gemäß
einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ersichtlich,
wobei ein Maskierungsschritt und zwei Ätzschritte verwendet
werden.
Der aus Fig. 5F ersichtliche Dünnschichttransistor weist ein
Gate 149, das eine auf ein Substrat 141 aufgebrachte
zweischichtige Struktur aus einer ersten Metallschicht 143 und
einer zweiten Metallschicht 145 aufweist, eine erste
Isolierungsschicht 151, eine Halbleiterschicht 153, eine
ohmsche Kontaktschicht 155, eine Source-Elektrode 157, eine
Drain-Elektrode 159, eine zweite Isolierungsschicht 161 und
eine Pixel-Elektrode 165 auf.
Die erste Metallschicht 143 ist bevorzugt aus einem
leitfähigem, zu Aufwerfungen neigenden Metall, wie Al, Cu oder
Au, mit einer Breite w1 ausgebildet. Die zweite Metallschicht
145 ist bevorzugt aus einem eine hohe Druckfestigkeit
aufweisenden Metall, wie Mo, einer Mo-Legierung, MoW, MoTa,
MoNb usw., mit einer Breite w2 ausgebildet.
Wenn die erste leitfähige Metallschicht 143 zusammen mit der
zweiten, eine hohe Druckfestigkeit aufweisenden, leitfähigen
Schicht 145 verwendet wird, führt die Kombination der zu
Aufwerfungen neigenden Metallschicht 143 mit der eine hohe
Druckfestigkeit aufweisenden Metallschicht 145 zur Vermeidung
von Aufwerfungen. Genauer gesagt, minimiert die Druckfestigkeit
der zweiten Metallschicht 145 den Aufwertungseffekt der ersten
Metallschicht 143, so daß auch zwischen der ersten
Metallschicht 143 und dem Substrat 141 keine Aufwerfungen
auftreten können.
Die Kombination der zu Aufwerfungen neigenden Schicht 145 mit
der eine hohe Druckfestigkeit aufweisenden Schicht 143 ist
besonders effektiv bei der Vermeidung von Aufwerfungen, wenn
eine neu gefundene Beziehung zwischen der Breite der ersten
Metallschicht und der Breite der zweiten Metallschicht
verwendet wird. Die Kombination der eine hohe Druckfestigkeit
aufweisenden zweiten Metallschicht mit der zu Aufwerfungen
neigenden ersten Metallschicht und das Verhältnis der Breite
der ersten Metallschicht zu der Breite der zweiten
Metallschicht ist wesentlich für die Verhinderung von
Aufwerfungen und für eine gute Bedeckung der Stufe mit einer
später zu bildenden Gate-Oxidschicht. Zur Vermeidung von
Aufwerfungen hat sich eine Struktur als besonders geeignet
herausgestellt, bei der die erste, zu Aufwertung neigende
Metallschicht 143 um etwa 1 bis 4 µm breiter ausgebildet ist,
als die zweite, eine hohe Druckfestigkeit aufweisende
Metallschicht. Ferner führt die Beziehung 1 µm < w1 - w2 < 4 µm
bei der oben beschriebenen Struktur zur besten Bedeckung der
Stufe mit einer später zu bildenden Gate-Oxidschicht.
Um die besten Ergebnisse zu erzielen, wird die zweite
Metallschicht 155 bevorzugt im wesentlichen in der Mitte der
ersten Metallschicht 143 ausgebildet, so daß die beiden
Seitenbereiche der Metallschicht 143, die nicht mit der zweiten
Metallschicht 145 bedeckt sind, im wesentlichen die gleiche
Breite aufweisen. Die Breite dieser Seitenbereiche beträgt
bevorzugt zwischen etwa 0,5 µm und etwa 2 µm.
Die erste Isolierungsschicht 151 wird bevorzugt durch
Aufbringen einer Einzelschicht aus Siliziumoxid SiO2 oder
Siliziumnitrid Si3N4 auf das das Gate 149 aufweisende Substrat
ausgebildet.
Die Halbleiterschicht 153 und die ohmsche Kontaktschicht 155
werden auf dem dem Gate 149 entsprechenden Bereich der ersten
Isolierungsschicht 151 durch aufeinanderfolgendes Aufbringen
von undotiertem, amorphem Silizium und hochdotiertem, amorphem
Silizium und nachfolgendes Strukturieren der beiden
Siliziumschichten ausgebildet. Die Halbleiterschicht 143 wird,
als aktiver Bereich des Schaltelementes verwendet, d. h. durch
Anlegen einer Spannung an das Gate 149 wird ein Kanal gebildet.
Die ohmsche Kontaktschicht 155 stellt einen ohmschen Kontakt
zwischen der Halbleiterschicht 153 und der Source-Elektrode 157
sowie der Drain-Elektrode 159 her. Die ohmsche Kontaktschicht
155 wird nicht in dem Bereich ausgebildet, der zum Kanal der
Halbleiterschicht 153 wird.
Die Source-Elektrode 157 und die Drain-Elektrode 159 stehen mit
der ohmschen Kontaktschicht 155 in Kontakt und erstrecken sich
beide bis zu einem vorbestimmten Bereich der ersten
Isolierungsschicht 151.
Die zweite Isolierungsschicht 161 wird durch Aufbringen eines
isolierenden Materials, wie Siliziumoxid SiO2 oder
Siliziumnitrid Si3N4, auf die Source-Elektrode 157, die Drain-
Elektrode 159 und die erste Isolierungsschicht 151 derart ausgebildet, daß
diese vollständig bedeckt sind. Die zweite
Isolierungsschicht 161 auf der Drain-Elektrode 149 wird
teilweise entfernt, so daß ein Kontaktloch 163 ausgebildet
wird. Die Pixel-Elektrode 165 wird aus transparentem,
leitfähigem Material, wie ITO (Indium Tin Oxide,
Indiumzinnoxid) oder Zinnoxid SnO2 derart ausgebildet, daß die
Pixel-Elektrode 165 mit der Drain-Elektrode 159 durch das
Kontaktloch 163 hindurch elektrisch leitend verbunden ist.
Bei der ersten Metallschicht 143 und der zweiten Metallschicht
145, die gemeinsam das Gate 149 bilden, ist jeder Seitenbereich
der ersten Metallschicht 143, der nicht von der zweiten
Metallschicht 145 bedeckt ist, bevorzugt zwischen etwa 0,5 µm
und etwa 2 µm breit. Da die erste Metallschicht 143 um etwa 1,0 µm
bis 4 µm breiter als die zweite Metallschicht 145 ist, wird
zwischen dem Substrat 141 und dem Gate 149 eine entsprechende
Doppelstufe gebildet. Diese Doppelstufe ermöglicht
erfindungsgemäß eine gute Bedeckung mit der ersten
Isolierungsschicht 151, so daß die bei Vorrichtungen gemäß dem
Stand der Technik auftretenden Unterbrechungen vermieden werden
können. Ferner sind die auf der ersten Metallschicht 143
auftretenden Aufwerfungen aufgrund der Druckfestigkeit der
zweiten Metallschicht 145 und des zwischen etwa 1 µm bis etwa 4 µm
betragenden Unterschieds zwischen der Breite der ersten
Metallschicht 143 und der Breite der zweiten Metallschicht 145
vermeidbar.
Aus den Fig. 5A bis 5F sind schematisch aufeinanderfolgende
Herstellungsschritte des Verfahrens zur Herstellung eines
Dünnschichttransistor gemäß einer bevorzugten Ausführungsform
der Erfindung ersichtlich.
Wie aus Fig. 5A ersichtlich, wird eine Metallschicht wie Al, Cu oder Au aus einem
Material, das zu Aufwerfungen neigt, auf
ein Substrat 141 aufgebracht, so daß eine erste Metallschicht
143 gebildet wird. Eine zweite Metallschicht 145 aus einem eine
hohe Druckfestigkeit aufweisenden Material, wie Mo, einer Mo-
Legierung, MoW, MoTa oder MoNb, wird auf die erste
Metallschicht 143 aufgebracht, ohne daß zwischen dem Schritt
des Aufbringens der ersten Metallschicht und dem Schritt des
Aufbringens der zweiten Metallschicht ein Maskierungsschritt
zwischengeschaltet ist. Die erste Metallschicht 143 und die
zweite Metallschicht 145 werden nacheinander im Vakuum mittels
eines jeweiligen Sputter-Verfahrens
(Kathodenzerstäubungsverfahren) oder einer jeweiligen
chemischen Abscheidung aus der Gasphase (CVD: Chemical Vapor
Deposition) derart aufgebracht, daß sie eine Dicke von etwa
50-400 nm bzw. 50-200 nm aufweisen. Daher ist der
Kontaktwiderstand zwischen der ersten Metallschicht 143 und der
zweiten Metallschicht 145 gering.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird ein
einziger Maskierungsschritt verwendet, um sowohl die erste
Metallschicht 143 als auch die zweite Metallschicht 145
gleichzeitig oder in zwei getrennten Schritten zu
strukturieren. Dabei wird ein Fotolack 147 auf die zweite
Metallschicht 145 aufgebracht und dann mittels Belichtung und
Entwicklung derart strukturiert, daß der Fotolack auf einem
vorbestimmten Bereich der zweiten Metallschicht 145 eine Breite
w1 aufweist.
Wie aus Fig. 5A ersichtlich, wird die zweite Metallschicht 145
mit einer Ätzlösung, die bevorzugt eine Mischung aus
Phosphorsäure H3PO4, Essigsäure CH3COOH und Salpetersäure HNO3
aufweist, mittels eines Naßätzverfahrens unter Verwendung der
Fotolackschicht 147 als Maske strukturiert. Da der mit der
Fotolackschicht 147 beschichtete Bereich der zweiten
Metallschicht 145 und die freiliegenden Bereiche der zweiten
Metallschicht 145 isotrop abgeätzt werden, wird die zweite
Metallschicht 145 derart strukturiert, daß sie eine Breite w2
aufweist, die geringer als die Breite w1 der Fotolackschicht
147 ist, die der Breite w1 der ersten Metallschicht 43
entspricht, d. h. 1 µm < w1 - w2 < 4 µm. Jeder Seitenbereich der
zweiten Metallschicht 145 weist bevorzugt eine Breite auf, die
zwischen etwa 0,5 µm und etwa 2 µm liegt. Die beiden
Seitenflächen der zweiten Metallschicht 145 werden bevorzugt
derart selektiv abgeätzt, daß sie im wesentlichen senkrecht zur
Substratebene oder leicht nach innen geneigt verlaufen.
Wie aus Fig. 5B ersichtlich, wird die erste Metallschicht 143
mittels eines Trockenätzverfahrens, das eine anisotrope
Ätzcharakteristik aufweist, wie reaktives Ionenätzen (RIE,
Reactive Ion Etching), unter Verwendung der Fotolackschicht 147
als Maske strukturiert. Wenn die erste Metallschicht 143 in dem
nicht mit der Fotolackschicht 147 bedeckten Bereichen abgeätzt
ist, weist sie die gleiche Breite wie die Fotolackschicht 147
auf. Somit sind für das Strukturieren der ersten Metallschicht
143 bzw. der zweiten Metallschicht 145 nur zwei Ätzschritte
erforderlich, und die Fotolackschicht muß nicht vor jedem
Ätzschritt ausgeheizt werden. Die mit dem Maskierungsschritt,
wie oben beschrieben, erzielte erste Metallschicht 143 und die
erzielte zweite Metallschicht 145 bilden zusammen ein Gate 149,
das eine zweischichtige Metallstruktur aufweist. Bei dem Gate
149 ist die zweite Metallschicht 145 im wesentlichen in der
Mitte der ersten Metallschicht 143 angeordnet, so daß die nicht
mit der zweiten Metallschicht 145 beschichteten Seitenbereiche
der ersten Metallschicht 143 breiter als etwa 0,5 µm und
schmaler als etwa 2 µm sind. Nach dem selektiven Abätzen wird
der auf der zweiten Metallschicht 145 verbleibende Fotolack 147
entfernt.
Wie aus Fig. 5C ersichtlich, wird eine erste
Isolierungsschicht 145 durch Aufbringen einer Einzelschicht
oder einer Doppelschicht aus Siliziumoxid SiO2 oder
Siliziumnitrid Si3N4 auf das Gate 149 und auf das Substrat 141
mittels eines CVD-Verfahrens ausgebildet. Da die nicht mit der
zweiten Metallschicht 145 beschichteten Seitenbereiche der
ersten Metallschicht 143 breiter als etwa 0,5 µm sind, wird
eine Doppelstufe zwischen dem Substrat und dem Gate erzeugt,
wodurch die Bedeckung mit der ersten Isolierungsschicht 151 im
Gegensatz zum Stand der Technik verbessert ist. Ferner wird das
Auftreten von Aufwerfungen in der ersten Metallschicht 143
vermieden, da die eine hohe Druckfestigkeit aufweisende zweite
Metallschicht 145 keine Aufwerfungen der ersten Metallschicht
143 zuläßt und die Breiten der Seitenbereiche der ersten
Metallschicht 143, die nicht mit der zweiten Metallschicht 145
bedeckt sind, jeweils geringer als 2 µm sind.
Dann werden amorphes, undotiertes Silizium und hochdotiertes,
amorphes Silizium nacheinander auf die erste Isolierungsschicht
151 mittels eines CVD-Verfahrens aufgebracht, wodurch eine
Halbleiterschicht 153 und eine ohmsche Kontaktschicht 155
gebildet werden. Die beiden Schichten werden mithilfe eines
Fotolitographieverfahrens derart strukturiert, daß die erste
Isolierungsschicht in ihren nicht das Gate 149 bedeckenden
Bereichen frei gelegt wird.
Wie aus Fig. 5E ersichtlich, wird leitfähiges Metall, wie Al
oder Cr, auf die Isolierungsschicht 151 und die ohmsche
Kontaktschicht 155 aufgebracht und mittels eines
Fotolitographieverfahrens derart strukturiert, daß eine Source-
Elektrode 157 und eine Drain-Elektrode 159 gebildet werden. Die
zwischen der Source-Elektrode 157 und der Drain-Elektrode 159
freiligenden Bereiche der ohmschen Kontaktschicht 145 werden
unter Verwendung der Source-Elektrode 157 und der Drain-
Elektrode 159 als Maske selektiv abgeätzt.
Wie aus Fig. 5F ersichtlich, wird eine zweite
Isolierungsschicht 161 durch Aufbringen eines isolierenden
Materials, wie Siliziumoxid oder Siliziumnitrid, mittels eines
CVD-Verfahrens auf der gesamten Oberfläche der oben
beschriebenen Struktur ausgebildet. Die zweite
Isolierungsschicht wird mithilfe eines
Fotolitographieverfahrens entfernt, so daß ein vorbestimmter
Bereich der Drain-Elektrode 159 freigelegt wird und somit ein
Kontaktloch 163 gebildet wird. Durch Aufbringen eines
transparenten leitfähigen Materials, wie ITO oder Zinnoxid
SnO2, auf die zweite Isolierungsschicht 161 mittels eines
Sputter-Verfahrens und durch Strukturieren der Schicht aus
transparentem leitfähigem Material mittels eines
Fotolitographieverfahrens wird eine Pixel-Elektrode 150
ausgebildet, die mit der Drain-Elektrode 159 durch das
Kontaktloch 163 hindurch elektrisch leitend verbunden ist.
Gemäß einer anderen bevorzugten Ausführungsform der Erfindung
werden die erste Metallschicht 153 und die zweite Metallschicht
145 zuerst mithilfe eines Trockenätzverfahrens mit anisotroper
Ätzcharaktersitik, wie RIE, unter Verwendung der
Fotolackschicht 147 als Maske selektiv abgeätzt. Das Gate 149
wird durch selektives Abätzen der zweiten Metallschicht 145
unter der Fotolackschicht 147 mit einer Ätzlösung ausgebildet,
die eine Mischung aus Phosphorsäure H3PO4, Essigsäure CH3COOH
und Salpetersäure HNO3 aufweist.
Gemäß einer anderen, aus den Fig. 6A bis 6E ersichtlichen
bevorzugten Ausführungsform der Erfindung, wird das Gate 149
mittels eines einzigen Ätzschrittes ausgebildet, in dem die
erste Metallschicht 143 und die zweite Metallschicht 145
gleichzeitig selektiv abgeätzt werden, wobei die zweite
Metallschicht 145 schneller als die erste Metallschicht 143
abgeätzt wird, da eine Ätzlösung verwendet wird, die eine
Mischung aus Phosphorsäure H3PO4, Essigsäure CH3COOH und
Salpetersäure HNO3 aufweist. Aufgrund der Ätzmaterialien und
der für die erste Metallschicht bzw. für die zweite
Metallschicht des Gates verwendeten Metalle ist nur ein
einziger Ätzschritt erforderlich. Trotz der Tatsache, daß nur
ein einziger Ätzschritt verwendet wird, ist es möglich, den
oben beschriebenen Breitenunterschied der Breiten w1 und w2 der
ersten Metallschicht bzw. der zweiten Metallschicht zu
erzielen. Bei diesem Verfahren werden die erste Metallschicht
und die zweite Metallschicht, die zusammen das Gate 149 bilden,
wie oben beschrieben, mithilfe eines einzigen
Maskierungsschrittes und eines einzigen Ätzschrittes gebildet.
Wie ferner oben beschrieben, werden eine erste Metallschicht,
die zu Aufwerfungen neigt, und eine zweite ein hohe
Druckfestigkeit aufweisende Metallschicht nacheinander auf das
Substrat aufgebracht, ohne daß zwischen den beiden
Beschichtungsschritten ein Maskierungsschritt
zwischengeschaltet ist. Danach wird ein Fotolack auf einen
vorbestimmten Bereich der zweiten Metallschicht aufgebracht.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird die
zweite Metallschicht mithilfe eines Naßätzverfahrens unter
Verwendung der Fotolackschicht als Maske selektiv abgeätzt, die
erste Metallschicht wird jedoch unter Verwendung eines
Trockenätzverfahrens selektiv abgeätzt. Auf diese Weise wird
ein zweischichtiges Metall-Gate gebildet. Gemäß einer anderen
bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird ein einziger
Ätzschritt verwendet, um das zweischichtige Metall-Gate
auszubilden, wobei die erste Metallschicht und die zweite
Metallschicht beide mithilfe eines Naßätzverfahrens selektiv
abgeätzt werden, wobei der Unterschied der Ätzraten für die
erste Metallschicht bzw. die zweite Metallschicht jedoch zu
voneinander verschiedenen Ätzeffekten führen, die zu der
gewünschten Doppelstufenstruktur führen.
Claims (15)
1. Dünnschichttransistor mit
einem Substrat (141);
einem Gate (149) mit einer auf das Substrat (141) aufgebrachten zweischichtigen Struktur mit einer ersten Metallschicht (143) aus einem zu Aufwerfungen neigenden Material und einer zweiten, eine hohe Druckfestigkeit aufweisenden Metallschicht (145), wobei die erste Metallschicht (143) breiter als die zweite Metallschicht (145) ist.
einem Substrat (141);
einem Gate (149) mit einer auf das Substrat (141) aufgebrachten zweischichtigen Struktur mit einer ersten Metallschicht (143) aus einem zu Aufwerfungen neigenden Material und einer zweiten, eine hohe Druckfestigkeit aufweisenden Metallschicht (145), wobei die erste Metallschicht (143) breiter als die zweite Metallschicht (145) ist.
2. Dünnschichttransistor nach Anspruch 1, wobei die erste
Metallschicht (143) um etwa 1 bis 4 µm breiter als die zweite
Metallschicht (145) ist.
3. Dünnschichttransistor nach Anspruch 1 oder 2, wobei die
zweite Metallschicht (145) auf einem mittleren Bereich der
ersten Metallschicht (143) angeordnet ist, so daß die beiden
Seitenbereiche der ersten Metallschicht (143), die nicht mit
der zweiten Metallschicht (145) bedeckt sind, im wesentlichen
die gleiche Breite aufweisen.
4. Dünnschichttransistor nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
wobei die erste Metallschicht (143) wenigstens eines der
folgenden Materialien aufweist: Al, Cu und Au.
5. Dünnschichttransistor nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
wobei die zweite Metallschicht (145) wenigstens eines der
folgenden Materialien aufweist: Mo, eine Mo-Legierung, MoW,
MoTa und MoNb.
6. Dünnschichttransistor nach einem der Ansprüche 1 bis 5 der
aufweist:
eine erste Isolierungsschicht (151) auf dem das Gate (149) aufweisenden Substrat (141);
eine Halbleiterschicht (153) auf einem dem Gate (149) entsprechenden Bereich der ersten Isolierungsschicht (151);
eine ohmsche Kontaktschicht (145) auf beiden Seiten der Halbleiterschicht (153);
eine Source-Elektrode (157) und eine Drain-Elektrode (159) auf der ohmschen Kontaktschicht (145), wobei die Source- Elektrode (157) und die Drain-Elektrode (159) sich bis auf die erste Isolierungsschicht (151) hin erstrecken; und
eine zweite Isolierungsschicht (161), die die Halbleiterschicht (153), die Source-Elektrode (157), die Drain- Elektrode (159) und die erste Isolierungsschicht (151) bedeckt.
eine erste Isolierungsschicht (151) auf dem das Gate (149) aufweisenden Substrat (141);
eine Halbleiterschicht (153) auf einem dem Gate (149) entsprechenden Bereich der ersten Isolierungsschicht (151);
eine ohmsche Kontaktschicht (145) auf beiden Seiten der Halbleiterschicht (153);
eine Source-Elektrode (157) und eine Drain-Elektrode (159) auf der ohmschen Kontaktschicht (145), wobei die Source- Elektrode (157) und die Drain-Elektrode (159) sich bis auf die erste Isolierungsschicht (151) hin erstrecken; und
eine zweite Isolierungsschicht (161), die die Halbleiterschicht (153), die Source-Elektrode (157), die Drain- Elektrode (159) und die erste Isolierungsschicht (151) bedeckt.
7. Herstellungsverfahren für einen Dünnschichttransistor mit
folgenden Schritten:
Aufbringen einer ersten Metallschicht (143), die aus einem Metall ausgebildet wird, das zu Aufwerfungen neigt, auf ein Substrat (141);
Aufbringen einer zweiten Metallschicht (145), die aus einem eine hohe Druckfestigkeit aufweisenden Material ausgebildet wird, auf die erste Metallschicht (143) direkt nach dem Aufbringen derselben;
Ausbilden einer Fotolackschicht (147) auf einen vorbestimmten Bereich der zweiten Metallschicht (145);
Strukturieren der zweiten Metallschicht (145) unter Verwendung der Fotolackschicht (147) als Maske;
Strukturieren der ersten Metallschicht (143) unter Verwendung der Fotolackschicht (147) als Maske, wobei die erste Metallschicht (143) derart selektiv abgeätzt wird, daß sie eine Breite aufweist, die größer als die Breite der zweiten Metallschicht (145) ist, wodurch ein Gate (149) mit einer Schichtstruktur aus der ersten Metallschicht (143) und der zweiten Metallschicht (145) gebildet wird; und
Entfernen der Fotolackschicht (147); wobei
die Schritte des Strukturierens der zweiten Metallschicht (145) bzw. der ersten Metallschicht (143) jeweils einen Einzelätzschritt aufweisen.
Aufbringen einer ersten Metallschicht (143), die aus einem Metall ausgebildet wird, das zu Aufwerfungen neigt, auf ein Substrat (141);
Aufbringen einer zweiten Metallschicht (145), die aus einem eine hohe Druckfestigkeit aufweisenden Material ausgebildet wird, auf die erste Metallschicht (143) direkt nach dem Aufbringen derselben;
Ausbilden einer Fotolackschicht (147) auf einen vorbestimmten Bereich der zweiten Metallschicht (145);
Strukturieren der zweiten Metallschicht (145) unter Verwendung der Fotolackschicht (147) als Maske;
Strukturieren der ersten Metallschicht (143) unter Verwendung der Fotolackschicht (147) als Maske, wobei die erste Metallschicht (143) derart selektiv abgeätzt wird, daß sie eine Breite aufweist, die größer als die Breite der zweiten Metallschicht (145) ist, wodurch ein Gate (149) mit einer Schichtstruktur aus der ersten Metallschicht (143) und der zweiten Metallschicht (145) gebildet wird; und
Entfernen der Fotolackschicht (147); wobei
die Schritte des Strukturierens der zweiten Metallschicht (145) bzw. der ersten Metallschicht (143) jeweils einen Einzelätzschritt aufweisen.
8. Verfahren nach Anspruch 7, wobei der Schritt des
Strukturierens der zweiten Metallschicht (145) einen Schritt
aufweist, in dem diese unter Verwendung der Fotolackschicht
(147) isotrop abgeätzt wird, und der Schritt des Strukturierens
der ersten Metallschicht (143) einen Schritt aufweist, in dem
diese unter Verwendung der Fotolackschicht (147) als Maske
anisotrop abgeätzt wird, wobei die zweite Metallschicht (145)
derart selektiv abgeätzt wird, daß sie um etwa 1 bis 4 µm
breiter als die Fotolackschicht (147) ist.
9. Verfahren nach Anspruch 8, das folgende Schritte aufweist:
Ausbilden einer ersten Isolierungsschicht (151) auf dem das Gate (149) aufweisenden Substrat (141);
Ausbilden einer Halbleiterschicht (153) und einer ohmschen Kontaktschicht (145) auf einem dem Gate (149) entsprechenden Bereich der ersten Isolierungsschicht (151);
Ausbilden einer Source-Elektrode (157) und einer Drain- Elektrode (159), die sich bis auf die erste Isolierungsschicht (151) auf den beiden Seiten der ohmschen Kontaktschicht (145) hin erstrecken, und Entfernen des zwischen der Source-Elektrode (157) und der Drain-Elektrode (159) freiliegenden Bereichs der ohmschen Kontaktschicht (145); und
Ausbilden einer zweiten Isolierungsschicht (161), die die Halbleiterschicht (153), die Source-Elektrode (157), die Drain- Elektrode (159) und die erste Isolierungsschicht (151) bedeckt.
Ausbilden einer ersten Isolierungsschicht (151) auf dem das Gate (149) aufweisenden Substrat (141);
Ausbilden einer Halbleiterschicht (153) und einer ohmschen Kontaktschicht (145) auf einem dem Gate (149) entsprechenden Bereich der ersten Isolierungsschicht (151);
Ausbilden einer Source-Elektrode (157) und einer Drain- Elektrode (159), die sich bis auf die erste Isolierungsschicht (151) auf den beiden Seiten der ohmschen Kontaktschicht (145) hin erstrecken, und Entfernen des zwischen der Source-Elektrode (157) und der Drain-Elektrode (159) freiliegenden Bereichs der ohmschen Kontaktschicht (145); und
Ausbilden einer zweiten Isolierungsschicht (161), die die Halbleiterschicht (153), die Source-Elektrode (157), die Drain- Elektrode (159) und die erste Isolierungsschicht (151) bedeckt.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 9, wobei die erste
Metallschicht (143) und die zweite Metallschicht (145) im
Vakuum nacheinander mittels eines Sputter-Verfahrens oder
mittels chemischer Abscheidung aus der Gasphase aufgebracht
werden.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 10, wobei die
erste Metallschicht (143) aus wenigstens einem der folgenden
Materialien ausgebildet wird: Al, Cu und Au.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 11, wobei die
zweite Metallschicht (145) aus einem der folgenden Materialien
ausgebildet wird: Mo, einer Mo-Legierung, MoTa, MoW und MoNb.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 12, wobei die
zweite Metallschicht (145) mit einer Ätzlösung selektiv
abgeätzt wird, die eine Mischung aus Phosphorsäure H3PO4,
Essigsäure CH3COOH und Salpetersäure HNO3 aufweist.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 13, wobei die
erste Metallschicht (143) mittels eines Trockenätzverfahrens
selektiv abgeätzt wird.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 14, wobei die
beiden Seitenbereiche der ersten Metallschicht (143), die nicht
mit der zweiten Metallschicht (145) beschichtet werden, im
wesentlichen die gleiche Breite aufweisen.
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