KR100415700B1 - 박막트랜지스터용 액정표시장치의 소스 및 드레인 전극용식각액 조성물 - Google Patents

박막트랜지스터용 액정표시장치의 소스 및 드레인 전극용식각액 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR100415700B1
KR100415700B1 KR10-2001-0018354A KR20010018354A KR100415700B1 KR 100415700 B1 KR100415700 B1 KR 100415700B1 KR 20010018354 A KR20010018354 A KR 20010018354A KR 100415700 B1 KR100415700 B1 KR 100415700B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
etching
film
drain electrode
tft
etchant
Prior art date
Application number
KR10-2001-0018354A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20020078583A (ko
Inventor
정지연
백귀종
이태형
Original Assignee
테크노세미켐 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 테크노세미켐 주식회사 filed Critical 테크노세미켐 주식회사
Priority to KR10-2001-0018354A priority Critical patent/KR100415700B1/ko
Publication of KR20020078583A publication Critical patent/KR20020078583A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100415700B1 publication Critical patent/KR100415700B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/16—Acidic compositions
    • C23F1/26—Acidic compositions for etching refractory metals
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G02F1/136295—Materials; Compositions; Manufacture processes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

본 발명은 박막트랜지스터 액정표시장치의 TFT(Thin Film Transistor)를 구성하는 소스(Source) 및 드레인(Drain) 전극용 금속배선재인 몰리브덴막(Mo) 또는 몰리브덴·텅스텐(Mo·W) 합금막의 포토레지스터(Photoresist)를 도포 노광한 후 식각하여 원하는 패턴(Pattern)을 얻을수 있도록 하는 식각액 조성물에 관한 것이다.
이러한 본 발명은 인산(30-80wt%) + 질산(1.0-25 wt%) + 초산(2.0-20wt%) + 산화조정제(0.1~10wt%) + 물(H2O)의 조성비율로 이루어지고, 상기의 산화 조정제는 HClO4또는 HIO4가 바람직하며, Mo막 또는 Mo·W 합금막의 테이퍼식각(Taper Etching)과 균일한 식각이 가능하여 수율향상을 이룩할 수 있는 것이다.

Description

박막트랜지스터용 액정표시장치의 소스 및 드레인 전극용 식각액 조성물{Etchant for manufacturing source and drain electrode in TFT-LCD}
본 발명은액정표시장치의 TFT(Thin Film Transistor)를 구성하는 소스(Source) 및 드레인(Drain)전극용 금속배선재인 Mo막 또는 Mo·W 합금막의 포토레지스트 (Photoresist)를 도포 노광한 후 습식 식각하여 원하는 패턴을 얻을 수 있도록 하는 식각액 조성물에 관한 것이다.
종래에는 인산 + 질산 + 초산 + 물로 이루어진 정규의 Al 단일막 식각액을 사용하거나 건식 식각을하여 패턴을 제조하였다.
정규 Al 단일막 식각액을 사용하는 Mo막 또는 Mo·W합금막의 식각방법은 원하는 완벽한 패턴을 형성하지 못하고 도 2 와 같이 표면이 매끄럽지 못하고 돌출되는 슐드(Shoulder) 현상이 자주 발생하여 수율을 저하시키는 문제점을 내재하고 있으며, 이러한 슐더 현상의 원인은 수용액 중에서 불균일한 계면반응에 의한 현상으로 해석된다.
건식 식각을 하는 경우는 고가의 진공장비에서 식각공정을 거친후 식각공정중 표면의 일부 경화된 포토레지스트를 제거하기 위해 산소 플라즈마에 의한 에싱 (Ashing)공정을 수행하고 그 후에 잔류 포토레지스트 제거를 위한 스트립(Strip) 공정과 별도의 세정공정을 수행하는 등 공정 단계가 복잡하므로 제조원가가 증가되는 문제점을 가지고 있다.
본 발명은 상기와 같은점을 감안하여 인산 + 질산 + 초산 + 물의 조성물로 이루어진 종래의 식각액에 추가의 산화조정제가 첨가된 식각액을 사용하여 박막트랜지스터 액정표시장치의 TFT를 구성하는 소스 및 드레인 전극의 Mo막 또는 Mo·W 합금막을 균일한 패턴으로 습식 식각 할 수 있도록 하는 것이다.
도 1 은 본 발명의 식각액에 의한 습식 식각 공정후의 소스 및 드레인 전극재인 Mo막 또는 Mo·W 합금막의 단면을 전자 현미경으로 관찰한 사진도
도 2 는 종래의 식각액에 의한 습식 식각 후의 소스 및 드레인 전극재인 Mo막 또는 Mo·W 합금막의 단면을 전자 현미경으로 관찰한 사진도
본 발명은 박막트랜지스터 액정표시장치의 소스 및 드레인 전극형성 공정에서 균일한 패턴을 갖는 Mo막 또는 Mo·W 합금막을 얻기 위하여 종래의 식각공정에 서 사용하던 기존의 식각액인 인산 + 질산 + 초산 + 물의 조성물에 추가의 산화 조정제를 첨가하여 Mo막 또는 Mo·W 합금막의 습식식각을 행하도록 한 것이다.
기존의 식각액에 산화조정제를 첨가하여 습식식각을 행하면 Mo막 또는 Mo·W합금막의 균일한 경사각을 갖는 테이퍼식각(Taper Etching)이 가능한 결과를 얻었다.
이러한 테이퍼식각이 가능한 것은 기존 식각액에 추가의 산화조정제를 첨가하여 산화 환원 반응에 의해 계면에서의 식각속도를 조절하여 불균일한 계면반응이 일어나는 것을 억제하여 주므로써 이루어 진다.
종래의 식각액에 첨가할수 있는 산화조정제로는 H2O2, K2Cr2O7, HClO4, HIO4등이 가능하나 HClO4또는 HIO4의 산화조정제가 바람직하다.
본 발명의 식각액의 조성비는 인산(30-80wt%) + 질산(1.0-25wt%) + 초산(2.0 -20wt%) + 산화조정제(0.1-10wt%)로 이루어지고 상기의 산화조정제는 HClO4또는 HIO4가 바람직하며, 산화조정제 조성비는 1-6wt%가 적합하고 식각액 조성의 잔여부분은 물(H2O)로 구성된다.
본 발명에 따른 박막트랜지스터 액정표시장치의 TFT를 구성하는 소스 및 드레인 전극으로 사용되는 Mo막 또는 Mo·W 합금막을 형성하는 공정에서 원하는 패턴으로 식각할수 있는 인산(30-80wt%)+ 질산(1.0-25wt%) + 초산(2.0-20wt%) + 산화조정제(0.1-10wt%) + 물의 조성을 갖는 Mo막 또는 Mo·W 합금막의 습식 식각액으로서 테이퍼식각(Taper Etching)과 균일한 식각이 가능하여 수율향상을 이룩할 수 있다.

Claims (2)

  1. 박막트랜지스터 액정표시장치의 TFT를 구성하는 소스 및 드레인 전극으로 사 용되는 Mo막 또는 Mo·W합금막을 습식 식각하는 식각액에 있어서,
    인산(30-80wt%) + 질산(1.0-25wt%) + 초산(2.0~20wt%) + 산화조정제(0.1-10wt%) + 물로 이루어진 박막트랜지스터 액정표시장치의 소스 및 드레인 전극용 식각액 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서, 산화조정제(0.1-10wt%)는 HClO4또는 HIO4인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정표시장치의 소스 및 드레인 전극용 식각액 조성물.
KR10-2001-0018354A 2001-04-06 2001-04-06 박막트랜지스터용 액정표시장치의 소스 및 드레인 전극용식각액 조성물 KR100415700B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2001-0018354A KR100415700B1 (ko) 2001-04-06 2001-04-06 박막트랜지스터용 액정표시장치의 소스 및 드레인 전극용식각액 조성물

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2001-0018354A KR100415700B1 (ko) 2001-04-06 2001-04-06 박막트랜지스터용 액정표시장치의 소스 및 드레인 전극용식각액 조성물

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020078583A KR20020078583A (ko) 2002-10-19
KR100415700B1 true KR100415700B1 (ko) 2004-01-24

Family

ID=27700109

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2001-0018354A KR100415700B1 (ko) 2001-04-06 2001-04-06 박막트랜지스터용 액정표시장치의 소스 및 드레인 전극용식각액 조성물

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100415700B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7635436B2 (en) 2005-02-15 2009-12-22 Samsung Elctronics Co., Ltd. Etchant composition and manufacturing method for thin film transistor array panel

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4478383B2 (ja) * 2002-11-26 2010-06-09 関東化学株式会社 銀を主成分とする金属薄膜のエッチング液組成物
KR20040029289A (ko) * 2003-11-14 2004-04-06 동우 화인켐 주식회사 알루미늄 또는 알루미늄 합금층을 함유한 다층막 및단일막 식각액 조성물
KR102190370B1 (ko) 2014-01-10 2020-12-11 삼성전자주식회사 도전 패턴의 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980044186A (ko) * 1996-12-06 1998-09-05 구자홍 박막트랜지스터 및 그의 제조방법
KR19980072296A (ko) * 1997-03-04 1998-11-05 구자홍 박막트랜지스터 및 그의 제조방법
KR19990017836A (ko) * 1997-08-26 1999-03-15 구자홍 박막트랜지스터 및 그의 제조방법
KR20000021735A (ko) * 1998-09-30 2000-04-25 김영환 박막트랜지스터의 제조방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980044186A (ko) * 1996-12-06 1998-09-05 구자홍 박막트랜지스터 및 그의 제조방법
KR19980072296A (ko) * 1997-03-04 1998-11-05 구자홍 박막트랜지스터 및 그의 제조방법
KR19990017836A (ko) * 1997-08-26 1999-03-15 구자홍 박막트랜지스터 및 그의 제조방법
KR20000021735A (ko) * 1998-09-30 2000-04-25 김영환 박막트랜지스터의 제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7635436B2 (en) 2005-02-15 2009-12-22 Samsung Elctronics Co., Ltd. Etchant composition and manufacturing method for thin film transistor array panel

Also Published As

Publication number Publication date
KR20020078583A (ko) 2002-10-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4926162B2 (ja) 薄膜トランジスタ液晶表示装置用金属配線形成のためのエッチング液組成物
US8148182B2 (en) Manufacturing method of electro line for liquid crystal display device
JP3574270B2 (ja) Ａｌテーパドライエッチング方法
KR101216651B1 (ko) 에칭 조성물
TWI431162B (zh) 供用於圖案化薄膜電晶體－液晶裝置中之電路的蝕刻組成物
JP4630420B2 (ja) パターン形成方法
KR100321227B1 (ko) 액정표시장치의전극용식각액
JP4864434B2 (ja) 薄膜トランジスタ液晶表示装置用エッチング組成物
KR100415700B1 (ko) 박막트랜지스터용 액정표시장치의 소스 및 드레인 전극용식각액 조성물
JPH10335452A (ja) コンタクトホールの形成方法
JPH07310191A (ja) エッチング材料およびエッチング方法
WO2020177145A1 (zh) 显示面板及其制作方法、蚀刻系统
CN106555187B (zh) 蚀刻剂组合物，铜基金属层的蚀刻方法，阵列基板制作方法及该方法制作的阵列基板
KR100315648B1 (ko) 액정표시장치의 게이트 전극용 식각액
KR100456657B1 (ko) 평판디스플레이의 박막트랜지스터 형성을 위한 금속전극용식각액 조성물
KR100444345B1 (ko) 평판디스플레이의 박막트랜지스터 형성을 위한 금속전극용식각액 조성물
JP5100997B2 (ja) 薄膜トランジスタ基板の製造方法
CN110016667B (zh) Mo-Nb合金薄膜蚀刻液组合物及利用其的显示装置用基板的制造方法
KR100579511B1 (ko) 금속배선 형성을 위한 에천트 및 이를 이용한 금속배선 형성방법
KR100762027B1 (ko) 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴 3층막 구조를 갖는 전극의식각방법
KR101329824B1 (ko) 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법
KR20080009865A (ko) 고 식각속도 인듐산화막 식각용액
KR20030041694A (ko) 박막트랜지스터용 액정표시장치의 게이트 전극용 식각액조성물
KR101456930B1 (ko) 식각액 조성물
KR20050075275A (ko) 크롬 금속막의 통합 에칭 용액

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20111228

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130107

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee