KR100444345B1 - 평판디스플레이의 박막트랜지스터 형성을 위한 금속전극용식각액 조성물 - Google Patents
평판디스플레이의 박막트랜지스터 형성을 위한 금속전극용식각액 조성물 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 박막트랜지스터 액정 표시장치를 포함한 평판디스플레이의 TFT (Thin Film Transistor)를 구성하는 게이트(Gate)전극 및 데이터(Data)전극인 소스(Source)전극과 드레인(Drain)전극용 금속배선재인 Mo/Al-Nd과 Mo-W/Al-Nd의 이중막과 Mo/Al-Nd/Mo과 Mo-W/Al-Nd/Mo-W의 삼중막과 Mo와 Mo-W의 단일막에 대한 원하는 패턴형성용 일괄 식각액의 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 식각액의 조성비는 인산(45-70wt%) + 질산(3-15wt%) + 초산(5-30wt%) + 몰리브덴식각억제제(1-7wt%)로 이루어지고 상기의 몰리브덴식각억제제는 암모늄염을 사용하는 것을 특징으로 하며, 본 발명의 식각액 조성물의 잔여 부분은 물(H2O)로 구성된다.
Description
본 발명은 박막트랜지스터 액정표시장치를 포함한 평판디스플레이의 TFT(Thin Film Transistor)를 구성하는 금속 전극인 게이트, 소스 및 드레인 전극을 형성하기 위하여 수행되는 식각 공정에 사용되는 식각액 조성물에 관한 것이다.
종래에는 혼합가스를 이용한 건식식각 방법을 적용하거나 또는 습식식각 후 다시 건식 식각하는 혼합식 식각방법을 적용하여 원하는 TFT를 구성하는 전극 패턴을 형성하였다.
이러한 종래의 건식식각 방법과 혼합식 식각방법은 고가의 진공장비를 사용하여야하는 단점과 식각 공정이 복잡하여 제조원가가 상승하며 생산성도 저하되는 단점을 내재하고 있다.
본 발명이 속하는 기술적 메카니즘은 종래의 접근기술과는 달리 몰리브덴 식각 억제제를 첨가제로 사용함으로써 몰리브덴 또는 몰리브덴ㆍ텅스텐합금의 식각속도를 억제시켜 몰리브덴과 몰리브덴ㆍ텅스텐합금의 단일막의 경우는 식각공정의 식각시간을 연장시켜 식각공정 마진을 갖도록 함으로써 원하는 패턴과 패턴균일성을 만족시키도록 하며, 몰리브덴/알루미늄ㆍ네오디늄합금의 이중막 또는 몰리브덴ㆍ텅스텐/알루미늄ㆍ네오디늄합금의 이중막 또는 몰리브덴/알루미늄ㆍ네오디늄합금/몰리브덴의 삼중막 또는 몰리브덴ㆍ텅스텐합금/알루미늄ㆍ네오디늄합금/몰리브덴ㆍ 텅스텐합금의 삼중막의 경우는 몰리브덴과 몰리브덴ㆍ텅스텐합금막의 식각속도를 억제시켜 알루미늄ㆍ네오디늄합금막의 식각속도와 조화를 이루게 함으로써 원하는 패턴을 얻도록 한 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 인산 + 질산 + 초산 + 몰리브덴식각억제제(암모늄염) + 물의 조성물로 이루어진 식각액을 사용하여 박막트랜지스터 액정표시장치를 포함한 평판디스플레이의 박막트랜지스터(TFT)를 구성하는 게이트, 소스 및 드레인 전극을 형성하기 위하여 균일한 패턴으로 일괄 습식식각 할 수 있도록 하는 것이다.
도 1 은 본 발명의 식각액 조성물에 의한 습식식각 공정후의 포토레지스트와 소스 및 드레인 전극재인 몰리브덴(Mo)의 단일막의 단면을 전자현미경으로 관찰한 사진
도 2 는 본 발명의 식각액 조성물에 의한 습식식각 공정후의 포토레지스트와 소스 및 드레인 전극재인 몰리브덴ㆍ텅스텐합금(Mo-W)의 단일막의 단면을 전자현미경으로 관찰한 사진
도 3 은 본 발명의 식각액 조성물에 의한 습슥식각 공정후의 포토레지스트와 소스 및 드레인 전극재인 몰리브덴(Mo)/알루미늄ㆍ네오디늄합금(Al-Nd)/몰리브덴 (Mo)의 삼중막의 단면을 전자현미경으로 관찰한 사진
도 4 는 본 발명의 식각액 조성물에 의한 습식식각 공정후의 포토레지스트와 소스 및 드레인 전극재인 몰리브덴ㆍ텅스텐합금(Mo-W)/알루미늄ㆍ네오디늄합금(Al-Nd)/몰리브덴ㆍ텅스텐합금(Mo-W)의 삼중막의 단면을 전자현미경으로 관찰한 사진
도 5 는 본 발명의 식각액 조성물에 의한 습식식각 공정후의 포토레지스트와 게이트 전극재인 몰리브덴(Mo)/알루미늄ㆍ네오디늄합금(Al-Nd)의 이중막의 단면을 전자현미경으로 관찰한 사진
도 6 은 본 발명의 식각액 조성물에 의한 습식식각 공정후의 포토레지스트와 게이트 전극재인 몰리브덴ㆍ텅스텐합금(Mo-W)/알루미늄ㆍ네오디늄합금(Al-Nd)의 이중막의 단면을 전자현미경으로 관찰한 사진
본 발명은 박막트랜지스터 액정표시장치를 포함한 평판디스플레이의 게이트,소스 및 드레인 전극의 단일막 또는 이중막 또는 삼중막의 형성공정에서 사용되는 습식 식각액의 조성물에 관한 것으로서, 종래의 습식 식각공정에서 사용하던 종래 식각액인 인산 + 질산 + 초산 + 물의 조성물에 추가의 몰리브덴식각억제제를 첨가함으로써 일괄 습식 식각과 원하는 테이퍼 패턴을 가능하게 한 식각액 조성물인 것이다.
이러한 균일하고 우수한 테이퍼 식각이 가능한 것은 종래의 식각액 조성물인 인산 + 질산 + 초산 + 물에 추가의 몰리브덴식각억제제를 첨가함으로써 몰리브덴막또는 몰리브덴ㆍ텅스텐합금막의 식각속도를 억제하여 식각속도의 조절이 가능하게 됨으로써 원하는 테이퍼 패턴을 형성할 수 있는 것이다.
알루미늄ㆍ네오디늄합금막과 몰리브덴 또는 몰리브덴ㆍ텅스텐합금막과의 이중막 또는 삼중막의 경우도 마찬가지로 몰리브덴막 또는 몰리브덴ㆍ텅스텐합금막의 식각속도를 조절하는 것이 가능하게 됨으로써 알루미늄ㆍ네오디늄합금막의 식각속도와 조화를 이루게 할 수 있게 되어 원하는 테이퍼 패턴과 균일한 패턴을 얻을 수 있는 것이다.
본 발명의 식각액 조성물의 조성비는 인산(45-70wt%) + 질산(3-15wt%) + 초산(5-30wt%) + 몰리브덴식각억제제(1-7wt%)로 이루어지고 상기의 몰리브덴식각억제제는 암모늄염을 사용하는 것을 특징으로 하며 본 발명의 식각액조성물의 잔여부분은 물(H2O)로 구성된다.
본 발명에 따른 박막트랜지스터 액정표시장치를 포함한 평판디스플레이의 TFT를 구성하는 게이트, 소스 및 드레인 전극인 Mo 또는 Mo-W 또는 Mo/Al-Nd 또는 Mo-W/Al-Nd 또는 Mo/Al-Nd/Mo 또는 Mo-W/Al-Nd/Mo-W의 단일막 또는 이중막 또는 삼중막을 적당한 경사각을 가지는 균일한 패턴으로 일괄식각할 수 있는 인산(45-70wt%) + 질산(3-15wt%) + 초산(5-30wt%) + 몰리브덴식각억제제(1-7wt%) + 물의 조성비를 갖는 식각액을 사용하여 식각공정을 수행할 경우 종래의 식각액 사용시 보다 수율향상, 제조원가감소, 생산성향상 및 디스플레이의 화질개선을 이룩할 수 있는 것이다.
Claims (2)
- 박막트랜지스터 액정표시장치를 포함한 평판디스플레이의 박막트랜지스터(TFT)를 구성하는 게이트전극, 소스전극 및 드레인 전극으로 사용되는 Mo 또는 Mo-W 또는 Mo/Al-Nd 또는 Mo-W/Al-Nd 또는 Mo/Al-Nd/Mo 또는 Mo-W/Al-Nd/Mo-W의 단일막 또는 이중막 또는 삼중막을 습식식각하는 식각액에 있어서,인산(45-70wt%) + 질산(3-15wt%) + 초산(5-30wt%) + 몰리브덴식각억제제(1- 7wt%) + 물로 이루어진 평판디스플레이의 박막트랜지스터 형성을 위한 금속전극용 식각액 조성물.
- 제1항에 있어서, 몰리브덴식각억제제는 암모늄염인 것을 특징으로 하는 평판디스플레이의 박막트랜지스터 형성을 위한 금속전극용 식각액 조성물.
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| KR100955200B1 (ko) | 2003-11-14 | 2010-04-29 | 동우 화인켐 주식회사 | 알루미늄 또는 알루미늄 합금, 및/또는 몰리브덴 또는몰리브덴 합금으로 이루어진 단일막 및 다층막 식각액조성물 |
| KR101057360B1 (ko) | 2003-11-14 | 2011-08-17 | 동우 화인켐 주식회사 | 알루미늄 또는 알루미늄 합금, 및/또는 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금으로 이루어진 단일막 및 다층막 식각액 조성물 |
| US7635436B2 (en) | 2005-02-15 | 2009-12-22 | Samsung Elctronics Co., Ltd. | Etchant composition and manufacturing method for thin film transistor array panel |
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