KR930010616A - 감광성 내식막 조성물 및 에칭방법 - Google Patents
감광성 내식막 조성물 및 에칭방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 (a)알칼리 가용성 수지 또는 분자내에 항-알칼리 용해기를 갖는 수지 ; (b)감광성 화합물 ; 및 (c)수지의 중량을 기준하여 0.001-10중량%의 양의, 유기 인산 화합물 및 그의 에스테르로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 최소한 하나의 유기 화합물로 조성되는 우수한 분해능, 감도, 접착성 및 현상성을 갖는 정밀 가공용 포지티브형 또는 네거티브형 감광성 내식막 조성물에 관한 것이다. 이외에, 본 발명은 포지티브형 또는 네거티브형 감광성 내식막 조성물을 이용하는 에칭방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (21)
- (a)알칼리 가용성 수지 또는 분자내에 항-알킬리 용해기를 갖는 수지 ; (b)감광성 화합물 ; 및 (c)수지의 중량을 기준하여 0.001-10중량%의 양의 유기 인산 화합물 또는 그의 에스테르로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 최소한 하나의 유기 화합물로 조성되는 감광성 내식막 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 감광성 화합물은 1, 2-퀴논디아지드임을 특징으로 하는 감광성 내식막 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 감광성 화합물은 아지드 임을 특징으로 하는 감광성 내식막 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 감광성 화합물은 광산 발생 화합물 임을 특징으로 하는 감광성 내식막 조성물.
- 제4항에 있어서, 조성물은 광산 발생 화합물로부터 발생되는 산의 존재하에서 작용하는 항-알칼리 용해 화합물을 또한 포함함을 특징으로 하는 감광성 내식막 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 수지는 노볼락 수지, 아세톤-피로갈롤수지, 폴리하이드록시스티렌, 스티렌-말레인산 무수물 공중합체, 프리델-크라프트 반응에 의하여 알칼리 가용성 형태로 개질된 실세스퀴옥산, 및 카르복실기 함유 메타크릴레이트류 및 그 유도체로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 최소한 하나의 알칼리 가용성수지 임을 특징으로 하는 감광성 내식막 조성물.
- 제1항에 있어서, 분자내에 항-알칼리 용해기를 갖는 상기 수지는 t-부톡시카보닐옥시스티렌 중합체 및 t-부톡시카보닐옥시-α-메틸스티렌 중합체로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 최소한 하나의 수지임을 특징으로 하는 감광성 내식막 조성물.
- 제2항에 있어서, 상기 1, 2-퀴논디아지드의 양은 상기 수지 100중량부를 기준하여 5-100중량부 임을 특징으로 하는 감광성 내식막 조성물.
- 제3항에 있어서, 상기 아지드 화합물의 양은 상기 수지 100중량부를 기준하여 5-100중량부 임을 특징으로 하는 감광성 내식막 조성물.
- 제4항에 있어서, 상기 광산 발생 화합물의 양은 상기 수지 100중량부를 기준하여 5-100중량부 임을 특징으로 하는 감광성 내식막 조성물.
- 제5항에 있어서, 상기 항-용해 화합물의 양은 알칼리 가용성 수지 100중량부를 기준하여 0.5-40중량부임을 특징으로 하는 감광성 내식막 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 유기 화합물(c)의 양은 상기 수지 100중량부를 기준하여 0.005-7.0중량부 임을 특징으로 하는 감광성 내식막 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 유기 화합물(c)의 양은 상기 수지 100중량부를 기준하여 0.015-5.0중량부 임을 특징으로 하는 감광성 내식막 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 유기 이산 화합물은 유기 인산 화합물, 유기 아인산 화합물, 유기 포스폰산 화합물, 및 유기 포스핀산 화합물 임을 특징으로 하는 감광성 내식막 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 유기 화합물(c)은 하기 일반식(Ⅰ) 및 (Ⅱ)로 표시되는 화합물 및 그의 금속이나 암모늄의 염으로 구성되는 그룹으로부터 선택됨을 특징으로 하는 감광성 내식막 조성물.상기식중, n은 1 또는 2이고, R¹은 치환 또는 미치환 알킬기, 치환 또는 미치환 알콕시기, 치환 또는 미치환 아릴기, 치환 또는 미치환 아릴옥시기, 치환 또는 미치환 아실기, 또는 치환 또는 미치환 아실옥시기 이며, R² 및 R³는 각각 수소원자 또는 치환 미치환 알킬기, 치환 또는 미치환 아릴기, 또는 치환 또는 미치환 아실기이며, Y는 단일결합, 산소원자 또는 황원자이며, Z는 산소원자 또는 황원자이다.
- (a)알칼리 가요성 수지 또는 분자내에 항-알칼리 용해기를 갖는 수지 ; (b)감광성 화합물 ; 및 (c)수지의 중량을 기준하여 0.001-10중량%의 양의, 유기 인산 화합물 또는 그의 에스테르로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 최소한 하나의 유기 화합물로 조성되는 감광성 내식막 조성물이 표면에 피복된 기판으로 구성되는 감광성 내식막.
- 제16항에 있어서, 상기 기판의 표면을 형성하는 재료는 실리콘, 이산화 실리콘, 질화 실리콘, 알루미늄, 유리, ITO, 크롬, 탄탈, 무정형 실리콘, 텅스텐, 세라믹, 및 동으로 구성되는 그룹으로부터 선택됨을 특징으로 하는 감광성 내식막.
- (1)감광성 내식막을 기판의 표면에 피복하고 ; (2)상기 감광성 내식막을 패턴식 노출을 행한 후 현상하고 ; (3)내식막으로서 패턴을 갖는 상기 기판을 습식에칭을 행하는 단계로 구성되며, 상기 감광성 내식막은 (a)알칼리 가용성 수지 또는 분자내에 항-알칼리 용해기를 갖는 수지 ; (b)감광성 화합물 ; 및 (c)수지의 중량을 기준하여 0.001-10중량%의 양의 유기 인산화합물 및 그의 에스테르로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 최소한 하나의 유기화합물로 조성되는 감광성 내식막 조성물을 함유하는 에칭방법.
- 제18항에 있어서, 상기 현상은 무기 알칼리, 암모니아수, 제1, 제2 및 제3아민, 알칸올 아민, 제4암모늄염 및 환상 아민의 최소한 일종을 함유하는 알칼리 용액을 사용하여 행함을 특징으로 하는 에칭방법.
- 제18항에 있어서, 에칭은 제1성분으로서 감광성 내식막 조성물이 피복되는 기판 표면을 형성하는 재료에 대하여 산, 알칼리 또는 용매를 함유하는 부식제를 사용하여 수행함을 특징으로 하는 에칭방법.
- 제20항에 있어서, 상기 산은 염산, 질산, 인산 및 불화수소산으로 구성되는 그룹으로부터 선택됨을 특징으로 하는 에칭방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28789991 | 1991-11-01 | ||
| JP3-287899 | 1991-11-01 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930010616A true KR930010616A (ko) | 1993-06-22 |
Family
ID=67210890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920020304A KR930010616A (ko) | 1991-11-01 | 1992-10-31 | 감광성 내식막 조성물 및 에칭방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR930010616A (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100444345B1 (ko) * | 2002-03-28 | 2004-08-16 | 테크노세미켐 주식회사 | 평판디스플레이의 박막트랜지스터 형성을 위한 금속전극용식각액 조성물 |
| KR100563184B1 (ko) * | 1997-01-27 | 2006-05-25 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 포지형포토레지스트조성물 |
| KR101280478B1 (ko) * | 2005-10-26 | 2013-07-15 | 주식회사 동진쎄미켐 | 감광성 수지 조성물 |
-
1992
- 1992-10-31 KR KR1019920020304A patent/KR930010616A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100563184B1 (ko) * | 1997-01-27 | 2006-05-25 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 포지형포토레지스트조성물 |
| KR100444345B1 (ko) * | 2002-03-28 | 2004-08-16 | 테크노세미켐 주식회사 | 평판디스플레이의 박막트랜지스터 형성을 위한 금속전극용식각액 조성물 |
| KR101280478B1 (ko) * | 2005-10-26 | 2013-07-15 | 주식회사 동진쎄미켐 | 감광성 수지 조성물 |
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