CZ296099A3 - Práškový tantal, způsob jeho výroby, jakož i z něj získatelné slinuté anody - Google Patents

Práškový tantal, způsob jeho výroby, jakož i z něj získatelné slinuté anody Download PDF

Info

Publication number
CZ296099A3
CZ296099A3 CZ19992960A CZ296099A CZ296099A3 CZ 296099 A3 CZ296099 A3 CZ 296099A3 CZ 19992960 A CZ19992960 A CZ 19992960A CZ 296099 A CZ296099 A CZ 296099A CZ 296099 A3 CZ296099 A3 CZ 296099A3
Authority
CZ
Czechia
Prior art keywords
tantalum
tantalum powder
powder
ppm
particle size
Prior art date
Application number
CZ19992960A
Other languages
English (en)
Other versions
CZ300529B6 (cs
Inventor
RüDIGER WOLF
Karlheinz Reichert
Heike Biermann
Josua Löffelholz
Detlef Breithaupt
Original Assignee
H. C. Starck Gmbh & Co. Kg
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=26034082&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=CZ296099(A3) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by H. C. Starck Gmbh & Co. Kg filed Critical H. C. Starck Gmbh & Co. Kg
Publication of CZ296099A3 publication Critical patent/CZ296099A3/cs
Publication of CZ300529B6 publication Critical patent/CZ300529B6/cs

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C1/00Making non-ferrous alloys
    • C22C1/04Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004Details
    • H01G9/04Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/048Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
    • H01G9/052Sintered electrodes
    • H01G9/0525Powder therefor
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/14Treatment of metallic powder
    • B22F1/148Agglomerating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22BPRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B34/00Obtaining refractory metals
    • C22B34/20Obtaining niobium, tantalum or vanadium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C1/00Making non-ferrous alloys
    • C22C1/04Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
    • C22C1/045Alloys based on refractory metals

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)

Description

Práškový tantal, způsob jeho výroby, jakož i z něj získatelné slinuté anody
Oblast techniky
Vynález se týká práškového tantalu, lisovaných, nebo slinutých anod získatelných z práškového tantalu, jakož i způsobu výroby práškového tantalu.
Dosavadní stav techniky
Kovový práškový tantal se obvykle vyrábí redukcí ^TaFy sodíkem. Fyzikální vlastnosti práškových tantalů, jako je například velikost zrna nebo specifický povrch, se řídí přidáním inertních solí, jako je například KC1, NaCl, NaF. Se stoupajícím podílem inertních solí se výsledný práškový tantal zjemňuje, to znamená, že se tím zvětšuje výsledný povrch kovu. Výkonnost výroby kovového tantalu však se stoupající koncentrací inertních solí odpovídajícím způsobem klesá.
Po vymytí solí se práškový tantal suší a podrobí se dalšímu čištění zpracováním za vysoké teploty ve vakuu, nebo v atmosféře inertního plynu. Při této aglomeraci se specifický povrch výrazně zmenšuje a obsah kyslíku v prášku se značně zvyšuje. Ten se tepelným zpracováním pomocí redukčně působících kovů, zejména hořčíku, opět odbourá. Dalším důsledkem této redukující aglomerace je mírné zmenšení povrchu. Pro optimalizaci elektrických vlastností kondenzátorů, vyrobených z těchto práškových tantalů, se do práškového tantalu • · · přidávají dotační prostředky, obsahující fosfor, a/nebo bor.
Elektrické vlastnosti práškových tantalů, jako je specifický náboj, nebo svodový proud, se zkoušejí na lisované, slinované a pak anodicky oxidované, to znamená formované anodě. Specifický náboj, vyjádřený v gFV/g, je mírou kapacity, dosažitelné v kondenzátoru. Chová se přímo úměrně k povrchu kovu. Svodový proud, vyjádřený v nA/pFV, je indikátorem toho, jak dobře udrží kondenzátor svůj náboj.
Při obvykle technicky prováděné redukci K^TaFy sodíkem v solné tavenině se hospodárně vyrábějí kondenzátorové prášky se specifickými náboji od 18 000 do 70 000 pFV/g. Pro docílení práškového tantalu, potřebného pro kondenzátory s vysokou kapacitou, s malou velikostí primárních částic je potřebné, provádět redukci ř^TaFy sodíkem ve větším zředění (zřeďovací soli KC1, KF, NaCI), která vede k menším aglomerátům (velikost sekundárních částic 1 až 5 pm při velikosti primárních částic 0,3 pm). Malé rozměry aglomerátu vyvolávají potřebu tepelné aglomerace práškového tantalu (předslinování), při které se jednak odstraní nežádoucí nečistoty, jednak se ale dále sníží specifický povrch. Dosud známé získatelné práškové tantaly pro kondenzátory s nejvyšší kapacitou jsou popsány v DE 195 36 013 Al. U slinutých anod z nich vyrobených, se při zanedbání jinak obvyklého kroku tepelné aglomerace docílí specifické náboje až 91 810 pFV/g. Tyto práškové tantaly vykazují rušivé nečistoty, jako je například fluorid, v koncentracích >100 ppm. Část vysokého obsahu fluoridu se odbourá při slinování anod. Při tom uvolňované fluoridy vyvolávají ve slinovacích pecích tepelnou korozi. Tak práškový tantal, vyrobený podle příkladu 6 v DE 195 36 013 Al, vykazuje obsah 460 ppm fluoru a obsah 200 ppm hořčíku. Dalším nedostatkem jsou vysoké svodové proudy z něj vyrobených slinutých anod.
Svodové proudy se, jak známo, mohou u prášků pro střední nebo nízkou kapacitu se specifickými náboji <30 000 pFV/g zlepšit dotováním dusíkem, nebo kombinacemi dusíku s jiným prvky, jako je uhlík, nebo síra. To je popsáno v patentech US-A 3 427 132, US-A 3 825 802, US-A 3 984 208, US-A 4 154 609 a US-A 4 544 403.
Při tom se dotování dusíkem používá ke snížení obsahu kyslíku v prášku, ke zvýšení spolehlivosti, nebo ke zlepšení svodového proudu až o 30 %.
V US-A 187 598 se navíc popisuje postup, který vede po desoxidaci k nitridaci povrchu při teplotách pod 500° C s obsahy dusíku <1 000 ppm a se zlepšením svodového proudu o až 30 %. Tento způsob je však nevhodný pro dotování vyšších obsahů dusíku, protože při teplotě nad 500° C dochází k nekontrolovatelné přeměně práškového tantalu na nitrid tantalu.
V US-A 5 448 447 je popsán postup, při kterém se nitridace provádí plynným dusíkem, nebo nitridem hořčíku, který ale připouští též dotování vyššími obsahy. Tento postup má však nevýhodu v tom, že se musí pracovat s látkou citlivou na vzduch s kolísajícím obsahem dusíku, a že je proto jen těžko možné dosažení reprodukovatelně přesné hladiny dusíku. V JP-A 231 644 je uvedena nitridace čpavkem při teplotách 1 100° C.
Všechny tyto postupy se však omezují na prášky s kapacitami maximálně 30 000 gFV/g a s použitím pro vysoká pracovní napětí > 16 V (formovací napětí > 70 V). Nitridová··· ♦··· ···· ···· · ·· · · ··· • ··· · ···· ··· ··· • · · · · · · ······ ·· ·· ·* ·· né prášky s kapacitami > 30 000 gFV/g dosud nebyly nikde popsány.
Jeden důvod k tomu spočívá v tom, že popsané postupy vykazují nedostatek v tom, že těžko kontrolovatelnou exotermní reakcí dusíku nebo dusík obsahujícího plynu, jako je čpavek, se u jemných, povrchově aktivních práškových tantalů (BET >1,5 , kapacity > 30 000 gFV/g) nemohou homogenně použít vyšší obsahy dusíku než 500 ppm. Dochází k nekontrolovatelnému průběhu reakce, jak je popsáno v US-A 187 598. Navíc mají všechny tyto postupy nedostatek v tom, že k nitridaci je potřebný další krok postupu.
Velmi jemnozrnné prášky se získávají redukcí TaCl^ vodíkem v plynné fázi. Při tom se získají již netekoucí v podstatě diskrétní prášky. V důsledku technicky obtížného zpracování tyto prášky do technologie kondenzátorů nepronikly.
Úkolem vynálezu je poskytnout práškový tantal, který nemá uvedené nevýhody. Dalším úkolem tohoto vynálezu je poskytnout hospodárný způsob výroby práškového tantalu s nejvyššími kapacitami.
Při tom tento vynález dále sleduje již v DE-A 31 30 392 uvedenou šetrnou redukční aglomeraci, podle které se může šetrným tepelným zpracováním se spolupůsobením redukujících kovů docílit jak odbourání obsahu kyslíku, tak i aglomerace (předslinutí) bez podstatného zvětšení primárního zrna.
Podstata vynálezu
Nyní bylo zjištěno, že použitím vodíku, jako chemicky účinného činidla, se před nebo během redukující aglomerace mohou vyrobit již při nižší teplotě aglomeráty (slinuté agregáty), které jsou dostatečně stabilní a prosté kritických nečistot, jako je například fluor, a jsou proto vhodné pro výrobu kondenzátorů.
Předmětem předloženého vynálezu je tedy způsob výroby čistých aglomerováných práškových tantalů pro kondenzátory pomocí tepelné aglomerace výchozích tantalových prášků, při kterém se tepelná aglomerace provádí v přítomnosti vodíku při teplotách v rozmezí 600 °C až 1 000 °C , výhodně pod 950 °C .
Jako prášek tantalu se výhodně používá prášek, získaný redukcí heptafluortantalátu draselného kovovým sodíkem v ta venině alkalických halogenidů a následným vymytím solí. Výroba probíhá výhodně podle US-A 5 442 978 přidáváním sodíku v krocích k tavenině solí, udržované na teplotě asi 1000° C, která obsahuje pentafluorid tantalu. Při tom vznikající prášek tantalu je tvořen velmi jemnými primárními zrny o průměru od 100 do 400 nm (zjištěno vizuálním vyhodnocením snímků REM), které jsou slinuty do agregátů o průměru 1 až 5 pm. Specifický povrch, stanovený podle BET (Quantasorb 3-Punkt) činí okolo 1,4 až 3,5 m7/g. Pro předběžné charakterizování se dále často uvádí hodnota velikost částic od 0,3 pm do 0,4 pm (podle Fischer Sub Sieve Sizer).
Tento práškový tantal ještě obsahuje fluor v množství nad 500 ppm až do 1000 ppm.
• ·
Surový práškový tantal se nyní podle předloženého vynálezu podrobí chemicky aktivované aglomeraci za působení vodíku. Při tom dochází k částečnému slinutí prášku při sou časném odbourání obsahu nečistot, zejména fluoru.
Vodík se podle vynálezu přivádí ve formě inertní atmos féry s obsahem vodíku, výhodně ve formě čisté vodíkové atmosféry. Dále je podle vynálezu výhodné dodávat vodík za podmínek tepelné aglomerace ve formě bezkyslíkatých sloučenin, odštěpujících vodík. Výhodnými sloučeninami, které odštěpují vodík jsou amonné soli, zejména chlorid amonný, a hydridy kovů alkalických zemin, jako je hydrid vápenatý a hydrid hořečnatý.
Obzvláště výhodné jsou amonné soli, zejména chlorid amonný, protože se jím dosahují dva příznivé účinky, totiž poskytnutí vodíku, který aktivuje slinování, a dále poskytnutí dotujícího činidla dusíku, zlepšujícího svodový proud, který difunduje do kovového tantalu a v něm zůstává.
V případě použití sloučenin, odštěpujících vodík, může být teplota při tepelném zpracování výhodně pod 900 °C, obzvláště výhodně v rozmezí mezi 750 a 850 °C , zatímco při použití plynného vodíku je výhodnější vyšší oblast teplot mezi 900 a 950 °C .
Chemicky aktivovaná aglomerace se výhodně provádí za současné přítomnosti redukčně působících kovových hoblin, zejména hoblin hořčíku.
Po tepelném zpracování se vysoce reaktivní prášek pasivuje pozvolným přiváděním vzduchu.
Ί
Před chemicky aktivovanou aglomerací a/nebo po ní se ještě provede jeden nebo více úkonů k dotování fosforem o sobě známým způsobem. K tomu se k prášku přidá roztok fosforečnanu a prášek se usuší. Další tepelné zpracování může probíhat o sobě známým způsobem redukčně v přítomností hořčíkových hoblin, takže se zabrání difúzi kyslíku do částic prášku během tohoto tepelného zpracování. Podle vynálezu se redukuj ící tepelné zpracování výhodně provádí při teplotách, nepřekračujících 870 °C , výhodně nepřekračujících 850 °C.
Ve zdokonalené formě provádění se surový primární práškový tantal podrobí před chemicky aktivovanou aglomerací zhutnění za mokra. To se provede takovým způsobem, že se primární prášek, ještě vlhký po praní, v misce nastaví na takový obsah vody, že se směs prášku s vodou vibrací přemění na tixotropní hmotu. Alternativně se již usušený prášek může znovu rozdělat vodou a vibrací převést do tixotropního stavu. K tomu potřebný obsah vody ve směsi prášku s vodou činí zpravidla asi 25 % hmotnostních. Hmota se usuší a získané kompaktní hroudy ze zhutněného primárního prášku se použijí tak kompaktní, jak jsou, nebo se použijí v jen hrubě rozdrcené formě, nebo se melou již na konečné zrnění vyráběného práškového tantalu pro kondenzátory (například < 400 pm) a aglomerují se za chemické aktivace. Další kroky postupu, jako je dotování a redukční aglomerace, zůstávají proti dříve popsané formě provedení nezměněny. Toto zdokonalené provedení má za následek hlavně zvýšení sypné hmotnosti a zlepšení schopnosti tečení. Zhutňování za mokra může proběhnout též pomocí vodného roztoku fosforečnanu amonného, pokud se předpokládá počáteční dotování fosforem, a nebo pomocí roztoku chloridu amonného pro dotování • · • · · ♦ · • · · · · ·· ··· ··· dusíkem.
Podle vynálezu se získává práškový tantal, který má mimořádně dobré vlastnosti co do zpracování na kondenzátory, jakož i co do dosažitelných elektrických vlastností z něj vyrobených kondenzátorů.
Schopnost tečení prášku činí obvykle mezi 0,3 a 1 g/s, měřeno při průchodu vibrující nálevkou s úhlem otevření 60 ° a výpustí o průměru 3,9 mm .
Obsah fluoru leží pod 200 ppm, výhodně pod 60 ppm, takže se koroze přístrojů při slinování kondenzátorových anod udržuje v mezích a zabraňuje se negativnímu vlivu na elektrické vlastnosti.
Pokud se týká jejich elektrických vlastností, vyznačují se prášky podle vynálezu tím, že po slisování na stupeň slisování 5 g/cm a po slinování po 10 minut při 1200 °C a formování napětím 16 Volt je možné získat anody se specifickým nábojem 80 000 až 120 000 gFV/g, výhodně nad 90 000 gFV/g, obzvláště výhodně nad 100 000 gFV/g, při svodovém proudu nižším než 5 nA/gFV, výhodně nižším než 3 nA/gFV/g, obzvláště výhodně nižším než 1,5 nA/gFV/g, zejména nižším než 1 nA/gFV/g. Takové prášky jsou podle vynálezu poskytnuty poprvé.
Podle předběžných výsledků se zdá, že nejnižší svodové proudy pod 1 nA/gFV/g se dosahují tehdy, když se při uvážení obsahu fluoru do 200 ppm chemicky aktivovaná aglomerace provede pomocí dusíkatých sloučenin odštěpujících vodík a provede se dotování dusíkem, takže prášky obsahující 2 000 až 12 000 ppm dusíku.
Co do jejich struktury jsou práškové tantaly podle vynálezu charakterizovány tím, že jsou chudé na fluor a alkálie, mají velikost částic, stanovenou podle FSSS, od 0,35 do 1 gm, výhodně od 0,4 do 0,65 gm, při specifickém povrchu BET od 1,4 do 3 m^/g.
Podle jiné charakteristiky vykazují práškové tantaly podle vynálezu, chudé na fluor a alkalie, velikost primárních částic, zjištěnou vizuálním hodnocením snímků REM, od 100 do 400 nm, které jsou slinuty na sekundární částice se střední velikostí 5 gm, zjištěnou jako hodnota D-50 Mastersizer (ASTM-B-288). Výhodně jsou velikosti sekundárních částic (D 50) slinutých primárních částic nad 7 gm, obzvláště výhodně mezi 8 a 13 gm.
Při tom se prášky před stanovením velikosti částic podle Mastersizer podrobí desaglomeračnímu působení ultrazvuku po dobu 5 minut, aby se rozdělily větší aglomeráty s nedostatečným slinutím.
Hodnoty Mastersizer D-50, změřené bez předchozího ošetření ultrazvuekm, ležely typicky mezi 40 a 180 gm, případně mezi 40 a 100 gm, podle toho, zdali byl prášek prosát sítem s velikostí ok 400 g, nebo 200 g.
Práškové tantaly podle vynálezu vykazuj i výhodně obsah fosforu od 50 do 1500 ppm, obzvláště výhodně do 300 ppm, nej výhodněji 100 až 200 ppm.
Výhodné práškové tantaly dále vykazují obsah dusíku od 300 do 15 000 ppm, obzvláště výhodně 1 000 až 12 000 ppm.
• · • · • · ·
Obsah kyslíku v prášku podle vynálezu leží v rozmezí od
000 pg/m^ povrchu, t.j. mezi 3 000 a 10 000 ppm, výhodně
000 až 6 000 ppm.
Obsah alkálií je pod 50 ppm, obsah alkalických zemin pod 200 ppm, výhodně pod 100 ppm, obsah uhlíku leží pod 100 ppm.
Příklady provedení vynálezu
Příklad 1
Primární práškový tantal se vyrobil ze směsi 25 kg K^TaFy, 75 kg KC1, 75 kg KF, 1 kg velmi jemného práškového tantalu a 140 g Na2S04 v retortě INCONEL postupným přidáváním sodíku při teplotě asi 900 °C, jak je popsáno v US-A 5 442 978. Primární práškový tantal se oddělil z vychladlé a rozdrcené reakční směsi vymytím slabě okyselenou vodou, přičemž se provedla ještě jedna čisticí operace pomocí promývacího roztoku, který obsahoval kyselinu fluorovodíkovou a peroxid vodíku. Takto získaný primární práškový tantal měl tyto parametry:
Průměrná velikost zrna pomocí Fisher Sub Sieve Sizer (FSSS) 0,35 pm
Specifický povrch podle BET (Quantasorb 3-Punkt) 2,42 m^/g Kyslík 7 230 ppm
Fluor 720 ppm
1.krok : chemicky aktivovaná aglomerace
180 g primárního práškového tantalu se vložilo do • · • ·
• · • · • · · · • · ocelové lodičky, vyložené tantalovým plechem. Výška vrstvy práškového tantalu činila 25 mm. Lodička se vložila do trubice ze žáruvzdorné oceli, která se pak proplachovala argonem, takže atmosféra v trubici a v pórech prášku byla prostá vzduchu a byla tvořena pouze inertním plynem. Pak se trubice s naplněnou lodičkou vložila při stálém proudu argonu do předehřáté trubkové pece a zahřála se na 950 °C. Pak se trubicí místo argonu proháněl přes prášek vodík. Rychlost proudění vodíku činila asi 1 cm/s , vztaženo na prázdnou a studenou trubici. Po uplynutí 1 hodiny se místo vodíku opět přes materiál vedl argon a vše se ochladilo. Pak se na koncích trubice otevřely malé vstupní otvory, tak aby v době asi 18 hodin pozvolna vnikl vzduch, a aby došlo k pasivaci materiálu.
Nejdůležitější údaje o odfluoridovaném primárním práškovém tantalu jsou:
Průměrná velikost zrna pomocí FSSS 0,44 pm
Specifický povrch podle BET (Quantasorb 3-Punkt) 2,3 m^/g Obsah kyslíku 11 000 ppm
Obsah fluoru 120 ppm
2. krok: Prvé dotování s 50 ppm fosforu
150 g materiálu z kroku 1 se smočilo 7,5 ml roztoku dihydrogenfosforečnanu amonného, který obsahoval 1 mg fosforu v 1 ml. Pak se směs usušila při 45 °C, prosála na velikost < 220 pm a homogenně promíchala.
3. krok: Redukující aglomerace
150 g primárního práškového tantalu, dotovaného 50 ppm • · ·« • · • · • · · · · »· · ·· » ·« · · ··· · · · • · · · ·
Ρ z kroku 2, se smísilo se 4,95 g hořčíkových hoblin (= dvojnásobek stechiometrického množství) a v zakrytém tantalovém kelímku se v retortě pod argonovou atmosférou zahřívalo po 2 hodiny na 850 °C, Po ochlazení se pomalým vpouštěním vzduchu dokončila pasivace.
4.krok: Kyselé loužení
Zbytky hořčíku se z materiálu vyloužily 0,6 1 kyseliny, která obsahovala 8 % hmotnostních H2SO4 a 1,8 % hmotnostních ^2θ2· P° miHUíách míchání prášku v této kyselině se prášek dekantací a filtrací na nuči vymyl od kyseliny pomocí demineralizované vody.
5.krok: Druhé dotování pro zvýšení obsahu P o 100 ppm na 150 ppm
Materiál ještě vlhký z nuče se smočil 15 ml roztoku dihydrogenfosforečnanu amonného s obsahem 1 mg P/ml a usušil se při 45 °C. Materiál se prosál na < 220 gm a homogenně promíchal. Zkoušel se jako prášek pro kondenzátory: tabulka
1.
Příklad 2 (pokračování příkladu 1)
100 g produktu, získaného v příkladu 1 (vzorek 1), se podrobilo nové redukující aglomeraci při 850 °C po 2 hodiny s dvojnásobným stechiometrickým množstvím hořčíku (=1,86 g hořčíku na 100 g materiálu). Loužení proběhlo s 0,22 1 kyseliny jako v příkladu 1. Promytý, kyseliny prostý materiál se sušil při 45 °C a pak prosál na < 220 gm a homogenně se promíchal. Zkoušel se jako prášek pro kondenzátory:
• * • · » ·
tabulka 1.
Příklad 3
Jako výchozí materiál se opět použil primární práškový tantal, který byl vyroben jak uvedeno v příkladu 1. Nejdůle žitější údaje o tomto materiálu jsou:
Průměrná velikost zrna pomocí Fisher Sub Sieve Sizer (FSSS)
0,34 μπι
Specifický povrch podle BET (Quantasorb 3-Punkt) 2,35 m^/g
Kyslík
Fluor
230 ppm 740 ppm
1. krok: Chemicky aktivovaná aglomerace
180 g primárního tantalového prášku se přístrojově zpracovalo jako v příklad 1 v ocelové lodičce v ocelové trubici při 950 °C vodíkem po 1 hodiny a pak se pozvolným přívodem vzduchu pasivovalo. Nejdůležitější údaje takto získaného materiálu jsou :
Obsah kyslíku 12 000 ppm
Obsah fluoru 181 ppm
2. krok: Prvé dotování se 100 ppm fosforu
150 g materiálu z kroku 1 se smočilo 15 ml roztoku dihydrogenfosforečnanu amonného, který obsahoval 1 mg fosforu v 1 ml. Pak se materiál sušil při 45 °C, prosál na <220 gm a homogenně promíchal.
* · • · ,φ · ·· · · ·· · • ··· · ·· · · *·· , ··· · · · · · ··· ··· • · · · · · · ······ * · · · · · ··
3. krok: Redukuj ící aglomerace
150 g primárnho práškového tantalu, dotovaného 100 ppm P, se smísilo s 5,4 g hořčíkových hoblin (dvojnásobek stechiometrického množství) a přístrojově se desoxidovalo jako v příkladu 1 po 2 hodiny při 800 °C a pak se pasivovalo pomalým přívodem vzduchu.
4. krok: Kyselé loužení
Zbytky hořčíku se z materiálu vyloužily 0,6 1 kyseliny, jak bylo popsáno v příkladu 1 a materiál se promytim zbavil kyseliny.
5. krok: Druhé dotování pro zvýšení obsahu P ze 100 ppm na
150 ppm
Materiál ještě vlhký z nuče se smočil 7,5 ml roztoku dihydrogenfosforečnanu amonného s obsahem 1 mg P/ml a usušil se při 45 °C, prosál se na < 220 μιη a homogenně promíchal. Obrázek 1 ukazuje snímek REM tohoto prášku ve dvou různých zvětšeních. Z nich rozeznatelná velikost primárních částic je pod 300 nm. Hodnota D-50 Mastersizer se stanovila jako 48 gm. Po 5 minutách desaglomerace ultrazvukem činila tato hodnota ještě 5,32 gm. Zkoušel se jako prášek pro kondenzátory: tabulka 2.
Příklad 4
Jako výchozí materiál se použil primární práškový tantak, který odpovídal prášku, použitému v příkladu 3. Při tom se konečné promývání provedlo pouze promývací vodou, obsahující peroxid vodíku. Nejdůležitějšími údaji o tomto • ···· ·· ·· *· * · · · · · * · · · ···· · ·· · · · · * • ··· · ···· ··· ··· • · · · · · · ·····« ·· ·« ·· ·· prášku j sou :
Průměrná velikost zrna pomocí Fisher Sub Sieve Sizer (FSSS) 0,35 pm
Specifický povrch podle BET (Quantasorb 3-Punkt) 2,42 m7/g Kyslík 8 000 ppm
Fluor 186 ppm
1. krok: Prvé dotování na 100 ppm P kg primárního práškového tantalu se smočilo 100 ml roztoku dihydrogenfosforečnanu amonného, který obsahoval 1 mg fosforu v 1 ml. Pak se materiál usušil při 45 °C, prosál na < 220 pm a homogenně promíchal.
2. krok: Chemicky aktivovaná aglomerace
Primární práškový tantal, dotovaný 100 ppm P se smísil s 24 g hořčíkových hoblin a v zakrytém tantalovém kelímku se v retortě udržoval 2 hodiny při teplotě 800 °C v argonové atmosféře. Po ochlazení se pomalým vpouštění vzduchu provedla pasivace.
3. krok: Kyselé loužení
Zbytky hořčíku se z materiálu vyloučily 3 1 kyseliny, jak bylo popsáno v příkladu 1, materiál se dekantoval, odsál na nuči a zbavil se kyseliny demineralizovanou vodou.
4. krok: Druhé dotování pro zvýšení obsahu P ze 100 ppm na
150 ppm
Materiál ještě vlhký z nuče se smočil 50 ml roztoku • · «· · · · · » ···· · ·· · • · · · ···· • · 4 · · ······ · · · · dihydrogenfosforečnanu amonného, takže se obsah P zvýšil o 50 ppm P/ml. Usušil se při 45 °C, prosál se na < 220 pm a homogenně promíchal. Materiál se zkoušel jako prášek na kondenzátory: tabulka 3.
Příklad 5
Jako výchozí materiál se použil primární práškový tantal, použitý v příkladu 1.
1. krok: Chemicky aktivovaná aglomerace
Postupovalo se jako v příkladu 1. Složení získaného materiálu bylo podobné (1,2 % 0 a 151 ppm F).
2. krok: Prvé dotování na 100 ppm fosforu
150 g materiálu z kroku 1 se smočilo 15 ml dihydrogenf osf orečnanu amonného, který obsahoval 1 mg fosforu na ml, a usušilo se při 45 °C, prosálo na < 220 pm a homogenně promíchalo.
3. krok: Redukční aglomerace
150 g materiálu z kroku 2, dotovaného 100 ppm P se smíchalo se 5,4 g Mg (= dvojnásobek stechiometrického množství) a desoxidovalo se v přístrojích jako v příkladu 1, avšak po 2 hodiny při 900 °C. Po ochlazení se pomalým přívodem vzduchu materiál pasivoval.
4. krok: Kyselé loužení
Zbytky hořčíku se rozpustily 0,65 1 kyseliny jako « ·
* · · · • · « » · · v příkladu 1 a materiál se zbavil kyseliny dekantací a promýváním na nuči demineralizovanou vodou.
5.krok; Druhé dotování pro zvýšení obsahu fosforu ze 100 na 150 ppm.
Materiál, ještě vlhký z nuče, se smočil 7,5 ml roztoku dihydrogenfosforečnanu amonného s 1 mg P/ml a usušil se při 45 °C. Materiál se prosál na < 220 pm a homogenně promíchal. Zkoušel se jako prášek na kondenzátory: tabulka 4.
Tabulka 1
Příkl. Fe Cr Ni Na K ppm Mg F P C N 0 % BET m2/g FSSS (pni) Sypná hmotn. dle Scotta (g/cm3) Pevnost anood v lomu* (kg) Elektrická zkouška**
Slinutá hustota (g/cm3) Specií. náboj (gFV/g) Svodový proud (nA/pFV)
1 19 5 13 4 17 nést. 28 130 65 170 6200 1,84 0,51 1 3,25 5,1 100241 4,7
2 24 5 8 3 16 4 12 130 46 159 5630 1,63 0,56 0,84 3,52 4,9 95828 4,05
a * pri stupni slisování 5,0 g/cm , hmotnost anod 0,5 g ** Elektrická zkouška: Hmotnost anod 0,05 g,
Doba slinování 10 minut
O
Stupeň slisování 5,0 g/cm Slinování 1200 °C Formovací napětí 16 V • · · · · · • · · · · · • » · · · · ··· « ··· · · ·
Tabulka 2
Přiki, r Mg H F N PP® O -____________ ... Sypná hmotn. dle Scotta (g/cffl3) FSSS= 0,50 jti# SET i β!2 í g i Pevnost anod v lomu* i kg) Elektrická zkouška1* Elektrická zkouška1**
Slinutá hustota í g/Liii31 Specií, náboj i jiFv/gi Svodový proud iné/iiFvi Slinuté hustota i 9 i C ii! 3 i Specií, náboj ipFv/gi Svodový proud inň/iiF-í i
3 39 7 240 130 207 0,730 0,95 2,37 4,45 4,3 110600 2,20 ~ T J -3 104S50 2,63
α * pri stupni slisování 5,0 g/cm , hmotnost anod 0,5 g ** Elektrická zkouška: Hmotnost anod 0,05 g,
Doba slinování 10 minut
O
Stupeň slisování 5,0 g/cm Slinování 1200 °C Formovací napětí 16 V *** Elektrická zkouška: Hmotnost anod 0,05 g,
Doba slinování 10 minut Stupeň slisování 5,0 g/cm Slinování 1250 °C Formovací napětí 16 V
Tabulka 3
Příkl. F Mg Η P N ppm 0 Sypná hmotn. dle Scotta (g/cm3) FSSS= 0,50 pm BET (ra2/g) Pevnost anood v lomu’ (kg) Elektrická zkouška”
Slinutá hustota (g/cm3) Specií. náboj (gFV/g) Svodový proud (nA/pFV)
4 67 7 405 140 184 0,745 0,91 2,17 2,44 5,1 109150 2,69
* při stupni slisování
5,0 g/cm3 hmotnost anod 0,5 g ** Elektrická zkouška: Hmotnost anod 0,05 g,
Doba slinování 10 minut
Stupeň slisování 5,0 g/cm Slinování 1200° C Formovací napětí 16 V
Tabulka 4
Přikl. F Hg Η P C PP® N 0 Ϊ FSSS= 0,58 {ím BET 1 a2 z‘g) Pevnost anood v ÍQ9U* i kg) Elektrická zkouška** Slinutá Specif. Svodový hustota náboj proud ig/ca3) íjíFv/gi inA/tFví Elektrická zkouška*** Slinuta Specií. Svodový hustota náboj proud ig/c«3i íjFv/g) ínA/jíFV)
Z J 35 h 145 120 48 252 0,503 1,48 3,03 4,78 51276 1,50 5,31 84485 3,01
* při stupni slisování 5,0 g/cm , hmotnost anod 0, ** Elektrická zkouška: Hmotnost anod 0,05 g,
Doba slinování 10 minut a
Stupeň slisování 5,0 g/cm Slinování 1200° C Formovací napětí 16 V *** Elektrická zkouška: Hmotnost anod 0,05 g,
Doba slinování 10 minut a
Stupeň slisování 5,0 g/cm Slinování 1250 °C Formovací napětí 16 V
Příklad 6
Použil se práškový tantal jako v příkladu 4 • ·
1. krok: Prvé dotování se 100 ppm P
300 g primárního práškového tantalu se smočilo 30 ml roztoku dihydrogenfosforečnanu amonného, který obsahoval 1 mg fosforu v 1 ml. Pak se materiál usušil při 45 °C, prosál na < 220 pm a homogenně promíchal.
2. krok: Chemicky aktivovaná aglomerace
300 g primárního práškového tantalu, dotovaného 100 ppm P, se smísilo s 6,5 g hořčíkových hoblin a v zakrytém tantalovém kelímku se v retortě udržovalo 2 hodiny při teplotě 850 °C v argonové atmosféře. Po ochlazení se pomalým vpouštěním vzduchu provedla pasivace.
3. krok: Kyselé loužení
Zbytky hořčíku se z materiálu vyloužily 0,8 1 kyseliny, obsahující 8 % hmotnostních H2SO4 a 1,8 % hmotnostníc H202. Po 10 minutách míchání v této kyselině se prášek dekantací a promýváním na nuči demineralizovanou vodou zbavil kyseliny .
4. krok: Druhé dotování pro zvýšení obsahu P o 50 ppm na
150 ppm
Materiál ještě vlhký z nuče se smočil 15 ml roztoku dihydrogenfosforečnanu amonného s 1 mg P/ml. Usušil se při 45 °C. Materiál se prosál na < 220 pm a homogenně promíchal. Tento materiál se zkoušel jako prášek na kondenzátory: tabulka 5
Příklad 7
300 g dotovaného materiálu, jako v příkladu 4, krok 1, se smíchalo s dvojnásobkem stechiometrického množství hořčíku (vztaženo na obsah kyslíku) a s 1 % NH^Cl a 5 hodiny se při 850 °C desoxidovalo a nitridovalo.
Loužení proběhlo pomocí 0,8 1 kyseliny jako v příkladu
6. Promytý materiál, prostý kyseliny, se sušil při 45 °C a prosál na < 220 pm a homogenně promíchal. Zkoušel se jako prášek na kondenzátory: Tabulka 5.
Příklad 8
300 g dopovaného materiálu, jako v příkladu 4, krok 1, se podrobil chemicky aktivované aglomeraci pro docílení ještě vyššího obsahu dusíku. K tomu se práškový tantal smíchal s dvojnásobkem stechiometrického množství hořčíku a s 6 % NH^Cl a tepelně se zpracoval po dobu 2 hodin při 850 °C.
Loužení proběhlo pomocí 0,8 1 kyseliny jako v příkladu 6. Promytý materiál, prostý kyseliny, se sušil při 45 °C a pak prosál na < 220 pm a homogenně promíchal. Zkoušel se jako prášek na kondenzátory: Tabulka 5.
» · • ·
Tabulka 5
Slinování 1200°C Slinování 1250°C
Př. Obsah ppm Velikost zrna pra FSSS Sypná hmotnost g/cm3 Specif. povrch BET m2/g
Spec. náboj pFV/g Svod.proud nA/pFV Spec. náboj pFV/g Svod.proud nA/pFV
Na K N 0 P C F Hg
6 3 20 177 6160 130 53 51 7 0,44 0,94 1,82 101373 1,63 88197 1,70
7 2 19 2750 5300 130 33 135 90 0,56 0,95 1,54 100944 0,81 95067 0,64
8 3 20 11100 5450 120 40 190 61 0,55 0,87 2,01 108347 1,04 104531 0,85
α
Elektrická zkouška: Stupeň slisování 5,0 g/cm Hmotnost anod 0,05 g,
Doba slinování 10 minut Formovací napětí 16 V
Příklad 9
Jako výchozí materiál posloužil primární práškový tantal, který byl vyroben podle předpisu z příkladu 1 redukcí K^TaFy a který byl podroben promývání promývacím roztokem, obsahujícím kyselinu fluorovodíkovou a peroxid vodíku. Usušený reprezentativní vzorek získaného primárního prášku měl tyto parametry:
Průměrná velikost zrna pomocí Fisher Sub Sieve Sizer (FSSS) 0,36 pm
Specifický povrch podle BET (Quantasorb 3-Punkt) 2,19 m2/g
Sypná hmotnost 0,68 g/cm2
Kyslík 0,658 %
Fluor 596 ppm
l.krok: Zhutnění za vlhka, sušení a rozmělnění
K 240 g ještě vlhkého primárního prášku se v porcelánové misce za použití lžičky a vibrací na vibrační desce přidalo tolik vody, aby vznikla tixotropní konzistence hmoty. Aby se docílila stejnoměrnost tohoto stavu, byla miska s materiálem vystavena po 3 minuty vibracím. Pak se materiál na misce, na které se rozprostřel, šetrně usušil v sušárně s oběhem vzduchu při 45 °C. Zhutnělý a usušený primární prášek byl ve formě těžkých, relativně pevných hrubých hrudek. Ty se opatrně protlačily přes síto s oky 400 pm.
2.krok: Chemicky aktivovaná aglomerace
Zhutnělý primární prášek se zrnitostí < 400 pm se na ocelové lodičce, vyložené tantalovým plechem, ve vrstvě o výšce 25 mm vložil do trubky ze žáruvzdorné oceli a jako v příkladu 1 se vodíkem zbavil fluoru a vzduchem se pasivoval.
3.krok: Rozmělnění
Takto získaný primární prášek se přesál přes síto s oky 400 pm, přičemž se více zvětšené agregáty mohly snadno rozmačkat na zrnitost < 400 pm. Obsah kyslíku činil 1,1 %.
4.krok: Dotování
K dispozici bylo 180 g materiálu z kroku 3 se zrnitostí < 400 pm. Pro dotování tohoto materiálu na 150 ppm fosforu se prášek smočil 27 ml roztoku dihydrogenfosforečnanu amonného s obsahem 1 mg fosforu v ml. Pak se materiál usušil • · • · při 45 °C, prosál na < 400 μπι a homogenně promíchal.
5. krok: Redukční aglomerace
180 g dotovaného primárního prášku se smíchalo s 5,94 g hořčíkových hoblin (dvojnásobek stechiometrického množství) a v zakrytém tantalovém kelímku se v retortě udržovalo na 800 °C po 2 hodiny v argonové atmosféře. Po ochlazení se pomalým vpouštěním vzduchu provedla pasivace.
6. krok: Kyselé loužení
Zbytky hořčíku se z materiálu vyloužily 0,7 1 kyseliny, obsahující 8 % hmotnostních H2SO4 a 1,8 % hmotnostních ^2θ2' P° minutách míchání v této kyselině se prášek dekantací a promýváním demineralizovanou vodou na nuči zcela zbavil kyseliny. Materiál se nyní prosál na < 400 μιη a homogenně promíchal a zkoušel se jako prášek pro kondenzátory: tabulka 6.
Obrázek 2 ukazuje snímek REM prášku ve dvou zvětšeních. Hodnota D-50 dle Mastersizer činila 164 μπι. Po 5 minutách působení ultrazvuku činila hodnota D-50 ještě 11,3 μπι.
Příklad 10
Jako výchozí materiál opět posloužil primární práškový tantal, který byl vyroben podle předpisu z příkladu 1 redukcí ^TaFy. Konečné promývání se provedlo vodou, obsahující peroxid vodíku. Nejdůležitější údaje tohoto primárního prášku byly stanoveny na usušeném reprezentativním vzorku:
Průměrná velikost zrna pomocí Fisher Sub Sieve Sizer (FSSS) fr · « ·
Specifický povrch podle BET 0,36 pm (Quantasorb 3-Punkt) 2,45 m7/g
Sypná hmotnost 0,71 g/cm
Kyslík 0,794 %
Fluor 215 ppm
l.krok: Zhutnění za vlhka, sušení a rozmělnění
350 g ještě vlhkého primárního prášku se jako v příkladu 9 přeměnilo další vodou a vibracemi na hmotu s thixotropní konzistencí. Po šetrném sušení při 45 °C byl materiál ve formě těžkých, relativně pevných hrudek. Ty se nyní ručně rozdrobily na kousky o centimetrové velikosti.
2. krok: Chemicky aktivovaná aglomerace
Zhutnělý kouskový primární prášek se jako v příkladu 9 vodíkem zbavil fluoru a vzduchem pasivoval.
3. krok: Rozmělnění
Materál, získaný v kroku 2 se šetrně rozemlel laboratorním kladívkovým mlýnkem při nízkých otáčkách a pod argonem na zrnitost < 400 pm. Obsah kyslíku byl stanoven jako
1,4 %.
4. krok: Dotování
260 g materiálu, získaného v kroku 3 se zrnitostí < 400 pm se dotovalo na obsah fosforu 150 ppm tím, že se smočil 39 ml roztoku dihydrogenfosforečnanu amonného, který obsahoval 1 mg fosforu v ml. Pak se materiál usušil při 45 ° C, prosál na < 400 pm a homogenně promíchal • · • · · · · · · · • ·· · · * * ·
5. krok: Redukční aglomerace
260 g dopovaného primárního prášku se smíchalo s 10,9 g hořčíkových hoblin (dvojnásobek stechiometrického množství) a v zakrytém tantalovém kelímku se v retortě po 2 hodiny udržovalo na 800 °C v argonové atmosféře a po vychladnutí se pasivovalo pomalým vpouštěním vzduchu.
6. krok: Kyselé loužení
Zbytky hořčíku se z materiálu vyloužily 1,1 1 kyseliny, obsahuj ící 8 % hmotnostních H2SO4 a 1,8 % hmotnostních H2O2· Po 10 minutách míchání v této kyselině se prášek dekantací a promýváním demineralizovanou vodou na nuči zcela zbavil kyseliny. Materiál se prosál na < 400 gm a homogenně promíchal a zkoušel se jako prášek pro kondenzátory: tabulka 6.
Příklad 11
l.krok: Zhutnění za vlhka s dopováním, sušením a rozmělněním
Použilo se 200 g primárního prášku, použitého v příkladu 10 v usušené formě a dotovalo se 150 ppm fosforu tak, že se množství prášku na porcelánové misce smočilo 30 ml roztoku dihydrogenfosforečněnu amonného, obsahujícího 1 mg fosforu v ml. Pak se za míchání a vibrací přidávala další voda tak dlouho, až hmota získala thixotropní stav. Materiál se v misce, ve které byl rozmíchán, usušil při 45 °C a vzniklé relativně pevné hrudky se ručně rozdrobily na centimetrové kousky.
• · • ·
2. krok: Chemicky aktivovaná aglomerace
Dotované a zhutnělé kousky primárního prášku se zpracovaly vodíkem a pasivovaly vzduchem, jako v příkladu 9.
3. krok: Rozmělnění
Materiál, získaný v kroku 2, se jako v příkladu 9 rozemlel v laboratořím kladívkovém mlýnku na zrnitost < 400 pm. Materiál vykazoval následující údaje:
Sypná hmotnost
Specifický povrch podle BET
Kyslík
Fluor
1,71 g/cm2 (Quantasorb 3-Punkt) 2,27 m2/g 1,3 % ppm
4.krok: Redukční aglomerace
180 g materiálu, získaného v kroku 3, se zrnitostí < 400 pm se smíchalo s 7,02 g hořčíkových hoblin (dvojnásobek stechiometrického množství) a jako v příkladu 6 se po 2 hodiny desoxidovalo při 800 °C a pasivovalo.
5.krok: Kyselé loužení
Zbytky hořčíku se z materiálu vyloužily 1,1 1 kyseliny, obsahuj ící 8 % hmotnostních H2SO4 a 1,8 % hmotnostních H2O2, způsobem, popsaným v příkladu 6. Pak se materiál promyl do neutrální reakce. Prosál se na zrnitost < 400 pm a zkoušel se jako prášek pro kondenzátory: tabulka 6.
• · • ·
Tabulka 6
Sypna { Pevnost Els ktrické íkouška»**
hsoin. ί SPOD V Slinuti Spílíú SťQtíQVÝ
Fnki, F Mg H F C N 0 ale Scciis > SE’ ^Tekutost v ÍOiSU hustota náboj ΡΓϋϋΠ
PP® 3 še/CR·»} i i7 Q 7 í'1ESCi t kg t »g/cs3i ' FAg; <p4/uFV 7
9 24 r 3ďv Í4v ČJ 193 0,75 £7 £ --' 0,6 “ - •Jt £ 4,6 111795 1,01
10 29 D 47= HO 55 157 0,93 i 1,21 | 2,55 0,53 Z7Ó 120292 1,53
11 22 4 269 155 ύύ 205 0,74 1,66 i •i ; i.·, £0 0,96 i,i 5,5 - 109125 1,75
* pomocí vibrující nálevky s úhlem 60° a výpustí o průměru
3,9 mm v α ** pri stupni slisování 5,0 g/cm , hmotnost anody 0,5 g *** *** Elektrická zkouška: Hmotnost anod 0,05 g,
Doba slinování 10 minut α
Stupeň slisování 5,0 g/cm Slinování 1200° C Formovací napětí 16 V

Claims (11)

1. Práškový tantal, chudý na alkálie a fluor, s velikostí částic, stanovenou podle FSSS od 0,35 do 1 pm a se specifica kým povrchem dle BET od 1,4 do 3 m /g.
2. Práškový tantal, chudý na alkálie a fluor, s velikostí primárních částic, stanovenou vizuálně ze snímků REM od 100 do 400 nm a s velikostí sekundárních částic, definovaných slinutím primárních částic, nad 5 pm, stanovenou jako hodnota D-50 dle Mastersizera.
3. Práškový tantal, vyznačující se tím, že z něj jsou po slinutí při 1200 °C po dobu 10 minut a po formování při 16 V získatelné kondenzátory se specifickým nábojem od 80 000 do 120 000 pFV/g při svodovém proudu nižším než 5 nA/pFV.
4. Práškový tantal podle některého z nároků 1 až 3, s obsahem fosforu od 50 do 500 ppm.
5. Práškový tantal podle některého z nároků 1 až 4, s obsahem dusíku od 30 do 15 000 ppm.
6. Způsob výroby práškových tantalů podle některého z nároků 1 až 5 ze surových práškových tantalů, získaných redukcí heptafluortantalátu draselného sodíkem v tavenině inertních solí, s velikostí primárních částic od 100 do
400 nm, vyznačující se tím, že surový práškový tantal se v přítomnosti vodíku při teplotě od 600 do 900 °C • · • · redukčně aglomeruj e.
7. Způsob podle nároku 6, vyznačující se tím, že se vodík dodává jako vodíková atmosféra, nebo ve formě sloučenin, odštěpujících vodík.
8. Způsob podle nároku 6 nebo 7, vyznačující se tím, že se k práškovému tantalu v jednom nebo ve více stupních, výhodně ve dvou stupních, přidává fosfor nebo sloučeniny fosforu, a pak se při teplotách od 800 do 870 °C desoxiduje v přítomnosti hořčíkových hoblin.
9. Způsob podle některého z nároků 6 až 8, vyznačující se tím, že se surový práškový tantal před redukční aglomerací rozmícháním ve vodě nebo v roztoku soli fosforu za mokra zhutní a pak usuší.
10. Tantalové anody pro kondenzátory, vyrobené z práškového tantalu podle některého z nároků 1 až 3.
11. Kondenzátory, obsahující tantalové anody podle nároku 10.
CZ0296099A 1997-02-19 1998-02-09 Práškový tantal, zpusob jeho výroby a z nej vyrobené anody a kondezátory CZ300529B6 (cs)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19706414 1997-02-19
DE19706415 1997-02-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CZ296099A3 true CZ296099A3 (cs) 2000-08-16
CZ300529B6 CZ300529B6 (cs) 2009-06-10

Family

ID=26034082

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CZ0296099A CZ300529B6 (cs) 1997-02-19 1998-02-09 Práškový tantal, zpusob jeho výroby a z nej vyrobené anody a kondezátory
CZ20090017A CZ302792B6 (cs) 1997-02-19 1998-02-09 Práškový tantal, zpusob jeho výroby a z nej získatelné anody a kondenzátory

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CZ20090017A CZ302792B6 (cs) 1997-02-19 1998-02-09 Práškový tantal, zpusob jeho výroby a z nej získatelné anody a kondenzátory

Country Status (13)

Country Link
US (1) US6238456B1 (cs)
EP (1) EP0964937B1 (cs)
JP (4) JP3794713B2 (cs)
KR (1) KR100522066B1 (cs)
CN (1) CN1088761C (cs)
AU (1) AU6495398A (cs)
BR (1) BR9807845B1 (cs)
CZ (2) CZ300529B6 (cs)
DE (1) DE59801636D1 (cs)
HK (1) HK1026458A1 (cs)
IL (1) IL131291A (cs)
PT (1) PT964937E (cs)
WO (1) WO1998037249A1 (cs)

Families Citing this family (103)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030061907A1 (en) * 1994-08-01 2003-04-03 Kroftt-Brakston International, Inc. Gel of elemental material or alloy and liquid metal and salt
US20030145682A1 (en) * 1994-08-01 2003-08-07 Kroftt-Brakston International, Inc. Gel of elemental material or alloy and liquid metal and salt
JP3391461B2 (ja) * 1994-08-01 2003-03-31 インターナショナル・タイテイニアム・パウダー・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー 元素材料の製造方法
US7445658B2 (en) 1994-08-01 2008-11-04 Uchicago Argonne, Llc Titanium and titanium alloys
US7435282B2 (en) 1994-08-01 2008-10-14 International Titanium Powder, Llc Elemental material and alloy
PT2055412E (pt) 1998-05-06 2012-09-26 Starck H C Gmbh Pós de metal produzidos por redução dos óxidos com magnésio gasoso
US6576038B1 (en) * 1998-05-22 2003-06-10 Cabot Corporation Method to agglomerate metal particles and metal particles having improved properties
JP3871824B2 (ja) * 1999-02-03 2007-01-24 キャボットスーパーメタル株式会社 高容量コンデンサー用タンタル粉末
JP2000306781A (ja) * 1999-04-21 2000-11-02 Showa Kyabotto Super Metal Kk 電解コンデンサ用金属粉末ならびにこれを用いた電解コンデンサ用陽極体および電解コンデンサ
JP3585791B2 (ja) * 1999-11-04 2004-11-04 Necトーキン株式会社 固体電解コンデンサ用陽極体の製造方法及びその製造方法に用いられる連続焼結装置
US6432161B1 (en) * 2000-02-08 2002-08-13 Cabot Supermetals K.K. Nitrogen-containing metal powder, production process thereof, and porous sintered body and solid electrolytic capacitor using the metal powder
AU2001239946B2 (en) 2000-03-01 2004-12-16 Cabot Corporation Nitrided valve metals and processes for making the same
JP3718412B2 (ja) * 2000-06-01 2005-11-24 キャボットスーパーメタル株式会社 ニオブまたはタンタル粉末およびその製造方法
US20030002043A1 (en) * 2001-04-10 2003-01-02 Kla-Tencor Corporation Periodic patterns and technique to control misalignment
JP4187953B2 (ja) * 2001-08-15 2008-11-26 キャボットスーパーメタル株式会社 窒素含有金属粉末の製造方法
US7442227B2 (en) * 2001-10-09 2008-10-28 Washington Unniversity Tightly agglomerated non-oxide particles and method for producing the same
JP3610942B2 (ja) * 2001-10-12 2005-01-19 住友金属鉱山株式会社 ニオブおよび/またはタンタルの粉末の製造法
DE10307716B4 (de) * 2002-03-12 2021-11-18 Taniobis Gmbh Ventilmetall-Pulver und Verfahren zu deren Herstellung
GB2410251B8 (en) * 2002-03-12 2018-07-25 Starck H C Gmbh Valve metal powders and process for producing them
US7632333B2 (en) * 2002-09-07 2009-12-15 Cristal Us, Inc. Process for separating TI from a TI slurry
UA79310C2 (en) * 2002-09-07 2007-06-11 Int Titanium Powder Llc Methods for production of alloys or ceramics with the use of armstrong method and device for their realization
AU2003298572A1 (en) * 2002-09-07 2004-04-19 International Titanium Powder, Llc. Filter cake treatment method
WO2004033737A1 (en) * 2002-10-07 2004-04-22 International Titanium Powder, Llc. System and method of producing metals and alloys
AU2003263082A1 (en) * 2002-10-07 2004-05-04 International Titanium Powder, Llc. System and method of producing metals and alloys
CN1813323B (zh) * 2003-04-28 2011-09-14 昭和电工株式会社 起阀作用的金属的烧结体、其制造方法和固体电解电容器
JP4727160B2 (ja) * 2003-04-28 2011-07-20 昭和電工株式会社 弁作用金属焼結体、その製造方法及び固体電解コンデンサ
JP2007511667A (ja) * 2003-06-10 2007-05-10 キャボット コーポレイション タンタル粉末およびその製造方法
US20070180951A1 (en) * 2003-09-03 2007-08-09 Armstrong Donn R Separation system, method and apparatus
GB0400290D0 (en) 2004-01-08 2004-02-11 Medivir Ab dUTPase inhibitors
US7729104B2 (en) 2004-04-15 2010-06-01 Jfe Mineral Company, Ltd. Tantalum powder and solid electrolyte capacitor including the same
DE102004020052B4 (de) * 2004-04-23 2008-03-06 H.C. Starck Gmbh Verfahren zur Herstellung von Niob- und Tantalpulver
CA2589548A1 (en) * 2004-06-24 2006-02-02 H.C. Starck, Inc. Production of valve metal powders with improved physical and electrical properties
JP2008504692A (ja) * 2004-06-28 2008-02-14 キャボット コーポレイション 高キャパシタンスのタンタルフレークス及びその生産方法
DE102004049040B4 (de) * 2004-10-08 2008-11-27 H.C. Starck Gmbh Verfahren zur Herstellung von Festelektrolytkondensatoren
BRPI0611539B1 (pt) * 2005-05-05 2017-04-04 Starck H C Gmbh método de aplicar um revestimento a uma superfície, camada de aspersão a frio e objeto revestido
CN101368262B (zh) * 2005-05-05 2012-06-06 H.C.施塔克有限公司 向表面施加涂层的方法
CN1311091C (zh) * 2005-05-24 2007-04-18 长沙南方钽铌有限责任公司 从钽粉-硝酸钇液-固掺杂体制造钽材的方法
US20070017319A1 (en) 2005-07-21 2007-01-25 International Titanium Powder, Llc. Titanium alloy
CN100339172C (zh) * 2005-09-29 2007-09-26 宁夏东方钽业股份有限公司 球化造粒凝聚金属粉末的方法,金属粉末和电解电容器阳极
EP1945394A2 (en) 2005-10-06 2008-07-23 International Titanium Powder, LLC. Titanium boride
US20080031766A1 (en) * 2006-06-16 2008-02-07 International Titanium Powder, Llc Attrited titanium powder
US20080078268A1 (en) * 2006-10-03 2008-04-03 H.C. Starck Inc. Process for preparing metal powders having low oxygen content, powders so-produced and uses thereof
RU2469126C2 (ru) * 2006-11-07 2012-12-10 Х.К. Штарк Гмбх Способ нанесения покрытия на поверхность субстрата и продукт с покрытием
GB0622463D0 (en) * 2006-11-10 2006-12-20 Avx Ltd Powder modification in the manufacture of solid state capacitor anodes
US20080145688A1 (en) * 2006-12-13 2008-06-19 H.C. Starck Inc. Method of joining tantalum clade steel structures
US7753989B2 (en) * 2006-12-22 2010-07-13 Cristal Us, Inc. Direct passivation of metal powder
JP5546105B2 (ja) 2007-01-19 2014-07-09 富士フイルム株式会社 ペロブスカイト型酸化物とその製造方法、圧電体膜、圧電素子、液体吐出装置
US9127333B2 (en) * 2007-04-25 2015-09-08 Lance Jacobsen Liquid injection of VCL4 into superheated TiCL4 for the production of Ti-V alloy powder
US7786656B2 (en) 2007-04-26 2010-08-31 Fujifilm Corporation Piezoelectric body, piezoelectric device, and liquid discharge apparatus
US8197894B2 (en) 2007-05-04 2012-06-12 H.C. Starck Gmbh Methods of forming sputtering targets
US7837743B2 (en) * 2007-09-24 2010-11-23 Medtronic, Inc. Tantalum anodes for high voltage capacitors employed by implantable medical devices and fabrication thereof
US7981191B2 (en) * 2007-10-15 2011-07-19 Hi-Temp Specialty Metals, Inc. Method for the production of tantalum powder using reclaimed scrap as source material
CA2661469A1 (en) * 2008-04-11 2009-10-11 Andre Foucault Leg rehabilitation apparatus
US8246903B2 (en) 2008-09-09 2012-08-21 H.C. Starck Inc. Dynamic dehydriding of refractory metal powders
DE102008048614A1 (de) 2008-09-23 2010-04-01 H.C. Starck Gmbh Ventilmetall-und Ventilmetalloxid-Agglomeratpulver und Verfahren zu deren Herstellung
US20100085685A1 (en) 2008-10-06 2010-04-08 Avx Corporation Capacitor Anode Formed From a Powder Containing Coarse Agglomerates and Fine Agglomerates
US8043655B2 (en) * 2008-10-06 2011-10-25 H.C. Starck, Inc. Low-energy method of manufacturing bulk metallic structures with submicron grain sizes
JP5654213B2 (ja) * 2008-11-27 2015-01-14 グローバルアドバンストメタルジャパン株式会社 タンタル凝集粒子の製造方法、タンタルペレットおよびキャパシタ
JP2010265520A (ja) * 2009-05-15 2010-11-25 Cabot Supermetal Kk タンタル混合粉末及びその製造方法、並びにタンタルペレット及びその製造方法。
JP2009275289A (ja) * 2009-07-10 2009-11-26 Cabot Supermetal Kk 窒素含有金属粉末の製造方法
JPWO2011089941A1 (ja) * 2010-01-20 2013-05-23 住友電気工業株式会社 リアクトル
US8512422B2 (en) 2010-06-23 2013-08-20 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing an improved manganese oxide electrolyte
US8619410B2 (en) 2010-06-23 2013-12-31 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor for use in high voltage applications
JP5697940B2 (ja) * 2010-10-20 2015-04-08 グローバルアドバンストメタルジャパン株式会社 タンタル粉体、その製造方法および脱酸素方法
US8477479B2 (en) 2011-01-12 2013-07-02 Avx Corporation Leadwire configuration for a planar anode of a wet electrolytic capacitor
US8687347B2 (en) 2011-01-12 2014-04-01 Avx Corporation Planar anode for use in a wet electrolytic capacitor
CN102181818B (zh) * 2011-04-19 2012-10-17 潘伦桃 钽金属表面钝化方法及装置
WO2013006600A1 (en) * 2011-07-05 2013-01-10 Orchard Material Technology, Llc Retrieval of high value refractory metals from alloys and mixtures
US8734896B2 (en) 2011-09-29 2014-05-27 H.C. Starck Inc. Methods of manufacturing high-strength large-area sputtering targets
US9105401B2 (en) 2011-12-02 2015-08-11 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor containing a gelled working electrolyte
CN102513538B (zh) * 2011-12-23 2014-04-09 泰克科技(苏州)有限公司 一种钽电容阳极块的烧结方法
JP2013159815A (ja) * 2012-02-03 2013-08-19 Global Advanced Metals Japan Kk タンタル粒子及びその製造方法
CN102779656A (zh) * 2012-07-10 2012-11-14 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司 一种降低钽电容器漏电流值的烧结方法
CN102773486B (zh) * 2012-07-10 2014-07-16 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司 一种提高钽丝机械强度的烧结方法
DE102013213723A1 (de) * 2012-07-19 2014-01-23 Avx Corporation Festelektrolytkondensator mit erhöhter Feucht-zu-Trocken-Kapazität
JP5933397B2 (ja) 2012-08-30 2016-06-08 エイヴィーエックス コーポレイション 固体電解コンデンサの製造方法および固体電解コンデンサ
JP2013136841A (ja) * 2013-01-30 2013-07-11 Cabot Supermetal Kk 窒素含有金属粉末の製造方法
GB2512486B (en) 2013-03-15 2018-07-18 Avx Corp Wet electrolytic capacitor
GB2512481B (en) 2013-03-15 2018-05-30 Avx Corp Wet electrolytic capacitor for use at high temperatures
US9892862B2 (en) 2013-05-13 2018-02-13 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing a pre-coat layer
GB2517019B (en) 2013-05-13 2018-08-29 Avx Corp Solid electrolytic capacitor containing conductive polymer particles
US9472350B2 (en) 2013-05-13 2016-10-18 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing a multi-layered adhesion coating
JP6141318B2 (ja) 2013-06-13 2017-06-07 石原ケミカル株式会社 Ta粉末の製造方法およびTa造粒粉の製造方法
US10403444B2 (en) 2013-09-16 2019-09-03 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor containing a composite coating
US9165718B2 (en) 2013-09-16 2015-10-20 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor containing a hydrogen protection layer
US9183991B2 (en) 2013-09-16 2015-11-10 Avx Corporation Electro-polymerized coating for a wet electrolytic capacitor
US9236193B2 (en) 2013-10-02 2016-01-12 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor for use under high temperature and humidity conditions
CN104884195B (zh) * 2013-12-04 2017-10-27 宁夏东方钽业股份有限公司 一种超高比容钽粉末的团化方法及由该方法制备的钽粉
JP6367356B2 (ja) * 2013-12-10 2018-08-01 ニンシア オリエント タンタル インダストリー カンパニー、 リミテッド 高窒素含有量を有するコンデンサグレードのタンタル粉末の調製方法、その方法により調製したコンデンサグレードのタンタル粉末、並びにタンタル粉末から調製したアノード及びコンデンサ
JP2014218748A (ja) * 2014-06-18 2014-11-20 キャボットスーパーメタル株式会社 窒素含有金属粉末の製造方法
US10737322B2 (en) 2014-08-20 2020-08-11 Ningzia Orient Tanatum Industry Co., Ltd. Composite tantalum powder and process for preparing the same and capacitor anode prepared from the tantalum powder
EP3192595B1 (en) 2014-09-11 2019-04-17 Ishihara Chemical Co., Ltd. Ta-nb alloy powder and anode element for solid electrolytic capacitor
CZ309286B6 (cs) * 2014-11-03 2022-07-20 Ningxia Orient Tantalum Industry Co., Ltd Způsob výroby tantalového prášku
US10290430B2 (en) 2014-11-24 2019-05-14 Avx Corporation Wet Electrolytic Capacitor for an Implantable Medical Device
US9754730B2 (en) 2015-03-13 2017-09-05 Avx Corporation Low profile multi-anode assembly in cylindrical housing
US10014108B2 (en) 2015-03-13 2018-07-03 Avx Corporation Low profile multi-anode assembly
US9928963B2 (en) 2015-03-13 2018-03-27 Avx Corporation Thermally conductive encapsulant material for a capacitor assembly
JP2016166422A (ja) * 2016-04-12 2016-09-15 グローバルアドバンストメタルジャパン株式会社 窒素含有金属粉末の製造方法
US9870868B1 (en) 2016-06-28 2018-01-16 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor for use in a subcutaneous implantable cardioverter-defibrillator
US9870869B1 (en) 2016-06-28 2018-01-16 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor
US20180144874A1 (en) * 2016-10-21 2018-05-24 Global Advanced Metals, Usa, Inc. Tantalum Powder, Anode, And Capacitor Including Same, And Manufacturing Methods Thereof
US11534830B2 (en) * 2017-12-28 2022-12-27 Ningxia Orient Tantalum Industry Co., Ltd Tantalum powder and preparation method therefor
CN110261459A (zh) * 2019-06-17 2019-09-20 北京科技大学 一种用于控制气氛中极低氧含量并测量其氧分压的装置

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3427132A (en) 1967-04-12 1969-02-11 Nat Res Corp Tantalum nitride powder and method for its preparation
FR2218633B1 (cs) 1973-02-19 1977-07-22 Lignes Telegraph Telephon
US3825802A (en) 1973-03-12 1974-07-23 Western Electric Co Solid capacitor
DE2610224C2 (de) 1976-03-11 1983-01-05 Fa. Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin Verfahren zur Herstellung von porösen Anodenkörpern durch Pressen und Sintern von Pulvern aus Ventilmetallen
DE3130392C2 (de) 1981-07-31 1985-10-17 Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin Verfahren zur Herstellung reiner agglomerierter Ventilmetallpulver für Elektrolytkondensatoren, deren Verwendung und Verfahren zur Herstellung von Sinteranoden
DE3140248C2 (de) 1981-10-09 1986-06-19 Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin Verwendung von dotiertem Ventilmetallpulver für die Herstellung von Elektrolytkondensatoranoden
JPS60149706A (ja) * 1984-01-18 1985-08-07 Showa Kiyabotsuto Suupaa Metal Kk タンタル粉末の製造方法
US4544403A (en) 1984-11-30 1985-10-01 Fansteel Inc. High charge, low leakage tantalum powders
JPS61284501A (ja) * 1985-06-10 1986-12-15 Showa Kiyabotsuto Suupaa Metal Kk タンタル粉末の製造方法
JPS6386509A (ja) 1986-09-30 1988-04-16 松下電器産業株式会社 タンタル多孔質焼結体
US4740238A (en) * 1987-03-26 1988-04-26 Fansteel Inc. Platelet-containing tantalum powders
US5211741A (en) 1987-11-30 1993-05-18 Cabot Corporation Flaked tantalum powder
US5261942A (en) 1987-11-30 1993-11-16 Cabot Corporation Tantalum powder and method of making same
US4940490A (en) * 1987-11-30 1990-07-10 Cabot Corporation Tantalum powder
US5580367A (en) 1987-11-30 1996-12-03 Cabot Corporation Flaked tantalum powder and method of using same flaked tantalum powder
DE3820960A1 (de) 1988-06-22 1989-12-28 Starck Hermann C Fa Feinkoernige hochreine erdsaeuremetallpulver, verfahren zu ihrer herstellung sowie deren verwendung
JPH02310301A (ja) * 1989-05-24 1990-12-26 Showa Kiyabotsuto Suupaa Metal Kk タンタル粉末及びその製造法
US4968481A (en) * 1989-09-28 1990-11-06 V Tech Corporation Tantalum powder with improved capacitor anode processing characteristics
US5448447A (en) 1993-04-26 1995-09-05 Cabot Corporation Process for making an improved tantalum powder and high capacitance low leakage electrode made therefrom
EP0665302B1 (en) 1994-01-26 2000-05-03 H.C. Starck, INC. Nitriding tantalum powder
US5442978A (en) 1994-05-19 1995-08-22 H. C. Starck, Inc. Tantalum production via a reduction of K2TAF7, with diluent salt, with reducing agent provided in a fast series of slug additions
JPH0897096A (ja) * 1994-09-28 1996-04-12 Sutaruku Buitetsuku Kk タンタル粉末及びそれを用いた電解コンデンサ
JP3434041B2 (ja) 1994-09-28 2003-08-04 スタルクヴイテック株式会社 タンタル粉末及びそれを用いた電解コンデンサ
US5954856A (en) * 1996-04-25 1999-09-21 Cabot Corporation Method of making tantalum metal powder with controlled size distribution and products made therefrom

Also Published As

Publication number Publication date
BR9807845B1 (pt) 2009-05-05
CN1088761C (zh) 2002-08-07
EP0964937B1 (de) 2001-10-04
JP2001512531A (ja) 2001-08-21
JP4619385B2 (ja) 2011-01-26
HK1026458A1 (en) 2000-12-15
IL131291A0 (en) 2001-01-28
CZ300529B6 (cs) 2009-06-10
JP2006188765A (ja) 2006-07-20
WO1998037249A1 (de) 1998-08-27
AU6495398A (en) 1998-09-09
JP4077485B2 (ja) 2008-04-16
BR9807845A (pt) 2000-10-03
EP0964937A1 (de) 1999-12-22
PT964937E (pt) 2002-03-28
DE59801636D1 (de) 2001-11-08
JP4974798B2 (ja) 2012-07-11
KR100522066B1 (ko) 2005-10-18
US6238456B1 (en) 2001-05-29
JP3794713B2 (ja) 2006-07-12
IL131291A (en) 2003-01-12
KR20000071176A (ko) 2000-11-25
JP2007335883A (ja) 2007-12-27
CN1247576A (zh) 2000-03-15
CZ302792B6 (cs) 2011-11-09
JP2007332461A (ja) 2007-12-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CZ296099A3 (cs) Práškový tantal, způsob jeho výroby, jakož i z něj získatelné slinuté anody
JP3817742B2 (ja) タンタル粉体、その製造方法、及びそれから得ることができる焼結したアノード
US6171363B1 (en) Method for producing tantallum/niobium metal powders by the reduction of their oxides with gaseous magnesium
RU2431546C9 (ru) Способ восстановления
CZ2004547A3 (cs) Způsob výroby tantalových a/nebo niobových prášků s velkým specifickým povrchem
EP1144147B8 (en) METHOD FOR PRODUCING METAL POWDERS BY REDUCTION OF THE OXIDES, Nb AND Nb-Ta POWDERS AND CAPACITOR ANODE OBTAINED THEREWITH
JP6242814B2 (ja) ニオブコンデンサ陽極用化成体及びその製造方法
US20050175496A1 (en) Method of reclaiming contaminated metal
JP2688452B2 (ja) 高表面積、低金属不純物のタンタル粉末の製造方法
TW201446360A (zh) 鈮電容器陽極用化學合成體及其製造方法
JP2004360043A (ja) ニオブおよび/またはタンタル粉末の製造方法
JP2004339567A (ja) タンタルおよび/またはニオブの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PD00 Pending as of 2000-06-30 in czech republic
MK4A Patent expired

Effective date: 20180209