JPS6386509A - タンタル多孔質焼結体 - Google Patents
タンタル多孔質焼結体Info
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- JPS6386509A JPS6386509A JP23164486A JP23164486A JPS6386509A JP S6386509 A JPS6386509 A JP S6386509A JP 23164486 A JP23164486 A JP 23164486A JP 23164486 A JP23164486 A JP 23164486A JP S6386509 A JPS6386509 A JP S6386509A
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- tantalum
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Landscapes
- Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は固体電解コンデンサ用のタンタル多孔質焼結体
に関するものである。
に関するものである。
従来の技術
タンタル固体電解コンデンサは、コンデンザ用の高CV
値タンタル粉末を加圧成形したのちタンタルリードを陽
極引出しとして植立し高温焼結する。この多孔質焼結体
を陽極とし、その後、誘電体皮膜、半導体層、カーボン
層、銀ペイント層を形成したものを、コンデンサ素子と
する。
値タンタル粉末を加圧成形したのちタンタルリードを陽
極引出しとして植立し高温焼結する。この多孔質焼結体
を陽極とし、その後、誘電体皮膜、半導体層、カーボン
層、銀ペイント層を形成したものを、コンデンサ素子と
する。
タンタル粉末の固体電解コンデンサへの使用に2 ・−
際して、酸素含有量は大変重要となっている。タンタル
多孔質焼結体の全酸素含有量が3000ppmより高い
場合には、このようなタンタル多孔質焼結体1を陽極酸
化して形成した誘電体皮膜2中には第4図に示すように
ボイド3が発生する。
多孔質焼結体の全酸素含有量が3000ppmより高い
場合には、このようなタンタル多孔質焼結体1を陽極酸
化して形成した誘電体皮膜2中には第4図に示すように
ボイド3が発生する。
また、誘電体皮膜形成電圧が100Vを越えると、この
ボイド3に過剰の電流が集中しボイド3が破れて欠陥部
4となるものであった。
ボイド3に過剰の電流が集中しボイド3が破れて欠陥部
4となるものであった。
発明が解決しようとする問題点
この欠陥部数と漏れ電流には第5図のような正の相関が
有り、欠陥部数が多いほど漏れ電流が多い。−i:た、
欠陥部数が多いほど寿命特性試験で悪い結果を示す。不
利なことにタンタル粉末は、酸素に対して大きい親和性
を有する。従って、加熱及び大気への暴露等の熱処理過
程は、酸素含有量の増大を導く。吸収される酸素量は、
暴露した表面積に比例するので高CV値粉末になるほど
人伝中酸素が吸着され、高い酸素濃度を示す。
有り、欠陥部数が多いほど漏れ電流が多い。−i:た、
欠陥部数が多いほど寿命特性試験で悪い結果を示す。不
利なことにタンタル粉末は、酸素に対して大きい親和性
を有する。従って、加熱及び大気への暴露等の熱処理過
程は、酸素含有量の増大を導く。吸収される酸素量は、
暴露した表面積に比例するので高CV値粉末になるほど
人伝中酸素が吸着され、高い酸素濃度を示す。
酸化物還元の手段として水素還元が一般的に利用されて
いる。つ寸り酸化タンタルを水、2−′l雰囲気3、− 加熱 中で加熱すると、TaOx+XH2,Ta+XH2O↑
の反応がおこり還元される。しかし、過剰な水素雰囲気
中でタンタル多孔質焼結体の水素還元を行うと、水素は
爆発性気体であり、作業の際危険が伴うなどの欠点があ
った。
いる。つ寸り酸化タンタルを水、2−′l雰囲気3、− 加熱 中で加熱すると、TaOx+XH2,Ta+XH2O↑
の反応がおこり還元される。しかし、過剰な水素雰囲気
中でタンタル多孔質焼結体の水素還元を行うと、水素は
爆発性気体であり、作業の際危険が伴うなどの欠点があ
った。
本発明は、タンタル多孔質焼結体中の酸素含有量を低減
させ誘電体皮膜中のボイド、欠陥点を減少させ漏れ電流
低減、寿命特性試験の際の信頼性を高めるものである。
させ誘電体皮膜中のボイド、欠陥点を減少させ漏れ電流
低減、寿命特性試験の際の信頼性を高めるものである。
問題点を解決するだめの手段
上記間頴点を解決するために本発明はアンモニアガス雰
囲気中にて、1100℃以上の温度で熱処理を施した構
成とするものである。
囲気中にて、1100℃以上の温度で熱処理を施した構
成とするものである。
作用
上記構成とすることにより、酸素含有量の少ないものと
することができ、特性面での著しい向上が図れることに
なる。
することができ、特性面での著しい向上が図れることに
なる。
実施例
以下、本発明の実施例を添付の図面を参照して説明する
。
。
ます、第1図において、タンタル陽極リード5を埋設す
るようにタンタル粉末6を円柱型に加用成型し、これを
真空中で焼結を行ってタンタル粉末焼結体とし、これを
アンモニアガス雰囲気中で1100′C以上の温度で熱
処理を施して脱酸素を行ってタンタル多孔質焼結体とす
る。
るようにタンタル粉末6を円柱型に加用成型し、これを
真空中で焼結を行ってタンタル粉末焼結体とし、これを
アンモニアガス雰囲気中で1100′C以上の温度で熱
処理を施して脱酸素を行ってタンタル多孔質焼結体とす
る。
アンモニアガスは、4NH,+302−÷2N2+6H
20の反応をおこす還元性の気体である。
20の反応をおこす還元性の気体である。
この作用を利用し、タンタル多孔質焼結体をアンモニア
ガス雰囲気中で熱処理することにより、タンタルの脱酸
素を行う。その結果酸素含有量の少い多孔質焼結体を得
ることができる。
ガス雰囲気中で熱処理することにより、タンタルの脱酸
素を行う。その結果酸素含有量の少い多孔質焼結体を得
ることができる。
アンモニアガスによる脱酸素は11oO′C以上で進行
する。アンモニアガス雰囲気中でのタンタル多孔質焼結
体の熱処理温度と、酸素含有量の関係を第2図に示す。
する。アンモニアガス雰囲気中でのタンタル多孔質焼結
体の熱処理温度と、酸素含有量の関係を第2図に示す。
第2図よりわかるように、1100°C以上の温度で熱
処理したタンタル多孔質焼結体で、酸素含有量が減少し
ている。
処理したタンタル多孔質焼結体で、酸素含有量が減少し
ている。
タンタル多孔質焼結体の酸素含有量を3000ppm以
下におさえることにより、誘電体皮膜形成時に過剰の酸
素を皮膜中に取り込むことが無くなり、ボイド、欠陥部
の少い誘電体皮膜が形成され、漏れ電流特性、各種寿命
試験特性が向上する。
下におさえることにより、誘電体皮膜形成時に過剰の酸
素を皮膜中に取り込むことが無くなり、ボイド、欠陥部
の少い誘電体皮膜が形成され、漏れ電流特性、各種寿命
試験特性が向上する。
壕だ、アンモニアガスは、爆発性の気体ではなく、作業
の際危険は併わないので、作業性が良い。
の際危険は併わないので、作業性が良い。
次に具体例について説明する。
タンタル粉末150ηを第1図のようにφ3.○胴×β
3.5咽の円柱型に加圧成形した。これにタンタル陽極
リード1を埋設したものをlX10””Torr真空中
1600℃30分間焼結を行った。
3.5咽の円柱型に加圧成形した。これにタンタル陽極
リード1を埋設したものをlX10””Torr真空中
1600℃30分間焼結を行った。
このタンタル多孔質焼結体を流量201 /winアン
モニアガス雰囲気中、1000℃30分間熱処理を行い
脱酸素を行った。これをタンタル固体電解コンデンサの
陽極体とする。その後、O−5vOIt% IJン酸氷
水溶液中120 V/Hrで昇圧し120Vで2時間保
持して陽極酸化し、誘電体皮膜を形成した。その後、1
0vOβ% IJン酸氷水溶液中84V印加て1分間充
電した後、漏れ電流特性を測定し、誘電体皮膜を電子顕
微鏡にて観察し、誘電体6、−7 皮膜中火陥部数を数えた。
モニアガス雰囲気中、1000℃30分間熱処理を行い
脱酸素を行った。これをタンタル固体電解コンデンサの
陽極体とする。その後、O−5vOIt% IJン酸氷
水溶液中120 V/Hrで昇圧し120Vで2時間保
持して陽極酸化し、誘電体皮膜を形成した。その後、1
0vOβ% IJン酸氷水溶液中84V印加て1分間充
電した後、漏れ電流特性を測定し、誘電体皮膜を電子顕
微鏡にて観察し、誘電体6、−7 皮膜中火陥部数を数えた。
寸だ、焼結体中の酸素含有量も測定した。結果を下表に
示す。
示す。
実験結果
結果は、従来の多孔質焼結体に比べて、本発明のアンモ
ニアガス還元多孔質焼結体は、酸素含有量が減少してお
り、液中漏れ電流特性、誘電体皮膜欠陥部数とも改善さ
れている。
ニアガス還元多孔質焼結体は、酸素含有量が減少してお
り、液中漏れ電流特性、誘電体皮膜欠陥部数とも改善さ
れている。
この後、誘電体表面に半導体層、カーボン層、銀ペイン
ト層を形成したのち、外部引出陰極リードを半田付し、
外部引出陽極リードをタンタル陽極リードに抵抗溶接し
たのち、外装樹脂を施し、7、− タンタル固体電解コンデンサとする。これを85’C4
e v印加の高温負荷試験に1000時間供した。その
結果を第3図に示す。
ト層を形成したのち、外部引出陰極リードを半田付し、
外部引出陽極リードをタンタル陽極リードに抵抗溶接し
たのち、外装樹脂を施し、7、− タンタル固体電解コンデンサとする。これを85’C4
e v印加の高温負荷試験に1000時間供した。その
結果を第3図に示す。
試験後、従来のタンタル多孔質焼結体使用のタンタル固
体電解コンデンサは漏れ電流特性が一桁増加しているが
、本発明のアンモニアガス還元焼結体使用のタンタル固
体電解コンデンサは漏れ電流特性劣化がほとんど無い。
体電解コンデンサは漏れ電流特性が一桁増加しているが
、本発明のアンモニアガス還元焼結体使用のタンタル固
体電解コンデンサは漏れ電流特性劣化がほとんど無い。
これより高温負荷寿命試験の信頼性は改善されることが
確認できた。
確認できた。
発明の効果
以上のように本発明のアンモニアガス雰囲気中にて熱処
理を行ったタンタル多孔質焼結体は、従来の焼結体に比
べて酸素含有量が減少しており、液中漏れ電流特性、誘
電体皮膜欠陥部数とも改善されている。また、実際の製
品として、高温負荷寿命試験に供した際の信頼性は、改
善されることが確認され、その実用的効果は非常に大き
い。
理を行ったタンタル多孔質焼結体は、従来の焼結体に比
べて酸素含有量が減少しており、液中漏れ電流特性、誘
電体皮膜欠陥部数とも改善されている。また、実際の製
品として、高温負荷寿命試験に供した際の信頼性は、改
善されることが確認され、その実用的効果は非常に大き
い。
第1図は本発明のタンタル多孔質焼結体の一実施例を示
す概略図、第2図は本発明におけるアンモニアガス雰囲
気中の熱処理温度と焼結体酸素含有惜の関係を示す特性
図、第3図は本発明のアンモニアガス還元焼結体使用と
、従来焼結体使用のタンタル固体電解コンデンサの高温
負荷試験を示す特性図、第4図は従来の誘電体皮膜中の
ボイド及び欠陥部の説明図、第5図は従来の誘電体皮膜
中の欠陥部数と漏れ電流特性の関係を示す特性図である
。 5・・・・・・タンタル陽極リード、6・・・・タンタ
ル粉末。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第2図 1000 1100 l5(40
煕処惺−A及(″り 第3図 初期 1000 Hγ
す概略図、第2図は本発明におけるアンモニアガス雰囲
気中の熱処理温度と焼結体酸素含有惜の関係を示す特性
図、第3図は本発明のアンモニアガス還元焼結体使用と
、従来焼結体使用のタンタル固体電解コンデンサの高温
負荷試験を示す特性図、第4図は従来の誘電体皮膜中の
ボイド及び欠陥部の説明図、第5図は従来の誘電体皮膜
中の欠陥部数と漏れ電流特性の関係を示す特性図である
。 5・・・・・・タンタル陽極リード、6・・・・タンタ
ル粉末。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第2図 1000 1100 l5(40
煕処惺−A及(″り 第3図 初期 1000 Hγ
Claims (2)
- (1)アンモニアガス雰囲気中で脱酸素の熱処理を施し
たタンタル多孔質焼結体。 の - (2)1100℃以上で熱処理した特許請求の範囲第1
項記載のタンタル多孔質焼結体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23164486A JPS6386509A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | タンタル多孔質焼結体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23164486A JPS6386509A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | タンタル多孔質焼結体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6386509A true JPS6386509A (ja) | 1988-04-16 |
Family
ID=16926729
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23164486A Pending JPS6386509A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | タンタル多孔質焼結体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6386509A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1994025971A1 (en) * | 1993-04-26 | 1994-11-10 | Cabot Corporation | A process for making an improved tantalum powder and high capacitance low leakage electrode made therefrom |
US6238456B1 (en) | 1997-02-19 | 2001-05-29 | H. C. Starck Gmbh & Co. Kg | Tantalum powder, method for producing same powder and sintered anodes obtained from it |
-
1986
- 1986-09-30 JP JP23164486A patent/JPS6386509A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1994025971A1 (en) * | 1993-04-26 | 1994-11-10 | Cabot Corporation | A process for making an improved tantalum powder and high capacitance low leakage electrode made therefrom |
EP0647349A1 (en) * | 1993-04-26 | 1995-04-12 | Cabot Corp | MANUFACTURING METHOD FOR AN IMPROVED TANTALUM POWDER AND ELECTRODE MADE THEREOF WITH HIGH CAPACITY AND LOW LEAKAGE CURRENT. |
US5448447A (en) * | 1993-04-26 | 1995-09-05 | Cabot Corporation | Process for making an improved tantalum powder and high capacitance low leakage electrode made therefrom |
US6238456B1 (en) | 1997-02-19 | 2001-05-29 | H. C. Starck Gmbh & Co. Kg | Tantalum powder, method for producing same powder and sintered anodes obtained from it |
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