JPS58147023A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサの製造方法Info
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- JPS58147023A JPS58147023A JP57029862A JP2986282A JPS58147023A JP S58147023 A JPS58147023 A JP S58147023A JP 57029862 A JP57029862 A JP 57029862A JP 2986282 A JP2986282 A JP 2986282A JP S58147023 A JPS58147023 A JP S58147023A
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- capacitor element
- capacitor
- solution
- oxide layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は固体電解コンデンサの製造方法に関し、特にコ
ンデンサエレメントの表層部に厚膜の酸化層を形成する
方法の改良に関するものである。
ンデンサエレメントの表層部に厚膜の酸化層を形成する
方法の改良に関するものである。
一般にこの種固体電解コンデンサは例えば第１図〜第２
図に示すように、タンタル、ニオブ、アルミニウムなど
のように弁作用を有する金属粉末を円柱状に加圧成形し
焼結してなるコンデンサニレメン）Ａに予め弁作用を有
する金属線を陽極リードＢとして植立し、この陽極リー
ドＢの導出部分に第１の外部リード部材Ｃを溶接すると
共に、）第２の外部リード部材りを、コンデンサエレメ
ントＡの周面に酸化層Ｅ、半導体層Ｆ、グラファイト層
Ｇを介して形成された電極引出し層Ｈに半田−付ケシ、
かつコンデンサニレメン）Ａを含む主要部分を樹脂材Ｋ
にて被覆して構成されている。
図に示すように、タンタル、ニオブ、アルミニウムなど
のように弁作用を有する金属粉末を円柱状に加圧成形し
焼結してなるコンデンサニレメン）Ａに予め弁作用を有
する金属線を陽極リードＢとして植立し、この陽極リー
ドＢの導出部分に第１の外部リード部材Ｃを溶接すると
共に、）第２の外部リード部材りを、コンデンサエレメ
ントＡの周面に酸化層Ｅ、半導体層Ｆ、グラファイト層
Ｇを介して形成された電極引出し層Ｈに半田−付ケシ、
かつコンデンサニレメン）Ａを含む主要部分を樹脂材Ｋ
にて被覆して構成されている。
ところで、コンデンサエレメントＡの酸化層Ｅはコンデ
ンサニレメン）Ａを燐酸水溶液などの化成液に浸漬し、
コンデンサエレメントＡが正、化成液が負となるよう、
に所定の直流電圧を長時間に亘って印加することによっ
て形成される関係で、コンデンサニレメン）Ａの表層部
及び深層部には膜厚のほぼ均一な酸化層Ｅが形成される
。そして、酸化層上には半導体層Ｆが形成されるために
、それから酸化層Ｅへの酸素補給効果によって耐圧特性
の優れたコンデンサを得ることができる。
ンサニレメン）Ａを燐酸水溶液などの化成液に浸漬し、
コンデンサエレメントＡが正、化成液が負となるよう、
に所定の直流電圧を長時間に亘って印加することによっ
て形成される関係で、コンデンサニレメン）Ａの表層部
及び深層部には膜厚のほぼ均一な酸化層Ｅが形成される
。そして、酸化層上には半導体層Ｆが形成されるために
、それから酸化層Ｅへの酸素補給効果によって耐圧特性
の優れたコンデンサを得ることができる。
しかし乍ら、このコンデンサは等測的には例えば第８図
に示すように、酸化層Ｅによるコンデンサ分と半導体層
Ｆ、グラファイト層Ｇの抵抗分との直列回路として表わ
すことができるものであるが、コンデンサニレメン）Ａ
が極く微細々多孔質に構成されていることもあって、そ
れの深層部における酸化層Ｅによって構成されるコンデ
ンサの一方の電極としてのグラフ１イト層Ｇの電極引出
し層Ｈに至るまでの経路が長く、その分だけ直列抵抗弁
も増加することになるし、特にグラファイト層Ｇが充分
に形成されていない場合にはさらに増加する。その反面
、表層部においてはグラファイト層Ｇの電極引出し層Ｈ
に至る経路がそれの膜厚程度ないしそれの近似する程度
となるために、グラファイト層Ｇによる直列抵抗弁は深
層部に比し格段に小さくなる。
に示すように、酸化層Ｅによるコンデンサ分と半導体層
Ｆ、グラファイト層Ｇの抵抗分との直列回路として表わ
すことができるものであるが、コンデンサニレメン）Ａ
が極く微細々多孔質に構成されていることもあって、そ
れの深層部における酸化層Ｅによって構成されるコンデ
ンサの一方の電極としてのグラフ１イト層Ｇの電極引出
し層Ｈに至るまでの経路が長く、その分だけ直列抵抗弁
も増加することになるし、特にグラファイト層Ｇが充分
に形成されていない場合にはさらに増加する。その反面
、表層部においてはグラファイト層Ｇの電極引出し層Ｈ
に至る経路がそれの膜厚程度ないしそれの近似する程度
となるために、グラファイト層Ｇによる直列抵抗弁は深
層部に比し格段に小さくなる。
従って、コンデンサエレメントＡに陽極リードＢ及び電
極引出し層Ｈを介して直流電圧を印加した場合、直列抵
抗弁の大きい深層部よりむしろ直列抵抗弁の小さい表層
部のコンデンサ部における電圧分担が大きくなると考え
られる。このために、コンデンサニレメン）Ａに欠陥部
が存在する場合には深層部よりむしろ電圧分担の大きい
表層部において劣化ないし破壊され易く、漏洩電流特性
。
極引出し層Ｈを介して直流電圧を印加した場合、直列抵
抗弁の大きい深層部よりむしろ直列抵抗弁の小さい表層
部のコンデンサ部における電圧分担が大きくなると考え
られる。このために、コンデンサニレメン）Ａに欠陥部
が存在する場合には深層部よりむしろ電圧分担の大きい
表層部において劣化ないし破壊され易く、漏洩電流特性
。
耐圧特性も損なわれ易い。
それ故に、本出願人は先にコンデンサエレメントを酸性
溶液にて化成処理した後、溶融状態のステアリン酸５浸
漬し、充分に含浸させた後、表層部のステアリン酸のみ
を除去し、再度化成処理することによシ、コンデンサエ
レメントの表層部に深層部に比し厚膜の酸化層を形成す
る方法を提案した。
溶液にて化成処理した後、溶融状態のステアリン酸５浸
漬し、充分に含浸させた後、表層部のステアリン酸のみ
を除去し、再度化成処理することによシ、コンデンサエ
レメントの表層部に深層部に比し厚膜の酸化層を形成す
る方法を提案した。
この方法によれば、コンデンサエレメントの表層部にの
み厚膜の酸化層が形成されるので、仮に表層部に欠陥部
が存在しても酸化層の厚膜化によって単位膜厚当シの電
圧分担を軽減できることによシ、劣化ないし破壊を効果
的に抑制でき、良好な漏洩電流特性、耐圧特性を得るこ
とができるものである。
み厚膜の酸化層が形成されるので、仮に表層部に欠陥部
が存在しても酸化層の厚膜化によって単位膜厚当シの電
圧分担を軽減できることによシ、劣化ないし破壊を効果
的に抑制でき、良好な漏洩電流特性、耐圧特性を得るこ
とができるものである。
しかし乍ら、コンデンサエレメントの表層部に厚膜の酸
化層を選択的に形成するための、深層部に含浸させたス
テアリン酸は所望の特性を得るために、化成処理後に一
除去しなければ々らないのであるが、これが除去に長時
間を要し、量産工程への適用が難しいという問題がある
。
化層を選択的に形成するための、深層部に含浸させたス
テアリン酸は所望の特性を得るために、化成処理後に一
除去しなければ々らないのであるが、これが除去に長時
間を要し、量産工程への適用が難しいという問題がある
。
このステアリン酸の除去を大雑把に行えば、量産工程へ
の適用も可能になるのであるが、深層部における酸化層
上に半導体層を確実に形成することができなくなる関係
で、酸化層のヒーリング作用が損なわれ、所望のコンデ
ンサ特性を期待できなくなるという重大な問題が発生す
る。
の適用も可能になるのであるが、深層部における酸化層
上に半導体層を確実に形成することができなくなる関係
で、酸化層のヒーリング作用が損なわれ、所望のコンデ
ンサ特性を期待できなくなるという重大な問題が発生す
る。
従っ゛て、コンデンサエレメントの表層部に深層部に比
し厚膜の酸化層を、量産工程への適用性を損なうことな
く、能宰的に形成できれば、漏洩電流特性、゛耐圧特性
などを教養できる上、コンデンサの品位をも著しく高め
ることができ望ましいものである。
し厚膜の酸化層を、量産工程への適用性を損なうことな
く、能宰的に形成できれば、漏洩電流特性、゛耐圧特性
などを教養できる上、コンデンサの品位をも著しく高め
ることができ望ましいものである。
本楯明者らは化成液として塩基性溶液が酸化層の生成に
主要幸機能を呈する水酸イオン、（ＯＨ）に索むことに
着目して種々の塩基性溶液を化成液として用いた場合の
化成時間に対する酸化層の生成膜厚の関係について検討
した処、第４図に示す結果が得られた。尚、コンデンサ
エレメントにはタンタル粉末を８，５φＸ４ｍの円柱状
に加圧成形し焼結したものを、化成液には濃度が−０，
０１モルの炭酸アンモニウム溶液（（Ｎ Ｈａ）＊ ｃ
ｏｗ ・２ＨＩＯ＞’：硼酸アンモニウム溶液（（ＮＨ
４）！・０．５ Ｂ、Ｏ，・８ｎｔｏ）、アルミン酸ナ
トリウム溶液（Ｎａｈｔｏ＊ ） 、燐酸水溶液（参考
）をそれぞれ用い、電流密度を４０ｍ Ａ／ｆに設定し
た。
主要幸機能を呈する水酸イオン、（ＯＨ）に索むことに
着目して種々の塩基性溶液を化成液として用いた場合の
化成時間に対する酸化層の生成膜厚の関係について検討
した処、第４図に示す結果が得られた。尚、コンデンサ
エレメントにはタンタル粉末を８，５φＸ４ｍの円柱状
に加圧成形し焼結したものを、化成液には濃度が−０，
０１モルの炭酸アンモニウム溶液（（Ｎ Ｈａ）＊ ｃ
ｏｗ ・２ＨＩＯ＞’：硼酸アンモニウム溶液（（ＮＨ
４）！・０．５ Ｂ、Ｏ，・８ｎｔｏ）、アルミン酸ナ
トリウム溶液（Ｎａｈｔｏ＊ ） 、燐酸水溶液（参考
）をそれぞれ用い、電流密度を４０ｍ Ａ／ｆに設定し
た。
同図によれば、炭酸アンモニウム溶液、硼酸アンモニウ
ム溶液、アルミン酸ナトリウム溶液ｔ−化成液どじたも
のでは酸化層（Ｔ’ｘＯｓ）の化成時間に対する生成速
度が早く、１０〜２０分で１１５０ＩＮ程度に達してい
るのに対し、燐酸水溶液（酸性溶液）では同一の膜厚を
得るのに６０分もの化成時間が必要であることを示して
いる。そして、化成処理の完了したコンデンサエレメン
トを真二つに分断した処、それの表層部における化成色
はすべての化成液について同じであったが、深層部にお
いては塩基性溶液を用いたものでは殆んど化成色は認め
られなかったのに対し、燐酸水溶液では表層部、深層部
共に同じ化成色であった。
ム溶液、アルミン酸ナトリウム溶液ｔ−化成液どじたも
のでは酸化層（Ｔ’ｘＯｓ）の化成時間に対する生成速
度が早く、１０〜２０分で１１５０ＩＮ程度に達してい
るのに対し、燐酸水溶液（酸性溶液）では同一の膜厚を
得るのに６０分もの化成時間が必要であることを示して
いる。そして、化成処理の完了したコンデンサエレメン
トを真二つに分断した処、それの表層部における化成色
はすべての化成液について同じであったが、深層部にお
いては塩基性溶液を用いたものでは殆んど化成色は認め
られなかったのに対し、燐酸水溶液では表層部、深層部
共に同じ化成色であった。
又、塩基性溶液を用いた場合、化成時の電流密度、化成
電圧を高めることによってコンデンサエレメントの表層
部での酸化層の生成をよシ短時間で、かつ、集中的に行
わせうろこと・も確認した。
電圧を高めることによってコンデンサエレメントの表層
部での酸化層の生成をよシ短時間で、かつ、集中的に行
わせうろこと・も確認した。
このようなことから、塩基性溶液を化成液とすルコトに
よって、コンデンサエレメントの表層部から酸化層が生
成されることが理解できる。
よって、コンデンサエレメントの表層部から酸化層が生
成されることが理解できる。
かかる結果から、塩基性溶液を化成液とした場合、それ
のＰＨ値が酸化層の生成の際の重要な因子になることが
考えられる。従って、ＰＨ値が酸化層の生成に如何に寄
与しているかについて検討した処、第５図に示す結果が
得られた。尚、コンデンサエレメント及び電流密度は上
述と同一にした。
のＰＨ値が酸化層の生成の際の重要な因子になることが
考えられる。従って、ＰＨ値が酸化層の生成に如何に寄
与しているかについて検討した処、第５図に示す結果が
得られた。尚、コンデンサエレメント及び電流密度は上
述と同一にした。
同図によれば、ＰＨ値が８以上において酸化層（’ｒ’
＊ｏｓ）の生成速度が早くなシ、それ未満では遅いこと
を示している。従って、このことから、ＰＨ値が８以上
の塩基性溶液を用いることによって短時間でコンデンサ
エレメントの表層部に厚膜の酸化層を形成できることが
理解できる。
＊ｏｓ）の生成速度が早くなシ、それ未満では遅いこと
を示している。従って、このことから、ＰＨ値が８以上
の塩基性溶液を用いることによって短時間でコンデンサ
エレメントの表層部に厚膜の酸化層を形成できることが
理解できる。
本発明はこのような事実に基いて具体化されたもので、
弁作用を有する金属粉末を所望形状に加圧成形し焼結し
てなるコンデンサエレメントを酸性溶液及びＰＨ８以上
の塩基性溶液を用いてそれぞれに化成処理することによ
り、コンデンサエレメントの表層部に深層部に比し厚膜
の酸化層を形成することを特徴とするものである。
弁作用を有する金属粉末を所望形状に加圧成形し焼結し
てなるコンデンサエレメントを酸性溶液及びＰＨ８以上
の塩基性溶液を用いてそれぞれに化成処理することによ
り、コンデンサエレメントの表層部に深層部に比し厚膜
の酸化層を形成することを特徴とするものである。
さらに詳しくはＰＨ８以上の塩基性溶液にて化成処理す
る場合には化成電圧を酸性溶液による場合に比し充分に
高く設定することによって、コンデンサエレメントの表
層部にのみ厚膜の酸化層を短時間で形成することができ
る。
る場合には化成電圧を酸性溶液による場合に比し充分に
高く設定することによって、コンデンサエレメントの表
層部にのみ厚膜の酸化層を短時間で形成することができ
る。
この発明によれば、コンデンサエレメントの表層部には
深層部に比し厚膜の酸化層が形成されるので、仮に電圧
分担の大きい表層部に欠陥部が存在していても、酸４１
層の厚膜化による単位膜厚当りの分担電圧の減少によっ
て劣化ないし破壊を効果的に改善でき、優れた漏洩電流
特性、耐圧特性を得ることができる。
深層部に比し厚膜の酸化層が形成されるので、仮に電圧
分担の大きい表層部に欠陥部が存在していても、酸４１
層の厚膜化による単位膜厚当りの分担電圧の減少によっ
て劣化ないし破壊を効果的に改善でき、優れた漏洩電流
特性、耐圧特性を得ることができる。
しかも、コンデンサエレメントの膜厚の異なる酸化層の
形成には本出願人が先に提案したようにステアリン酸な
どの部材をコンデンサエレメントに含浸させる必要がな
く、単に化成液の種類を変更するだけでよいので、一連
の化成作業を能率的に遂行することができる上、量産工
程へも容易に適用できる。
形成には本出願人が先に提案したようにステアリン酸な
どの部材をコンデンサエレメントに含浸させる必要がな
く、単に化成液の種類を変更するだけでよいので、一連
の化成作業を能率的に遂行することができる上、量産工
程へも容易に適用できる。
又、コンデンサの漏洩電流特性などの劣化要因がコンデ
ンサエレメントの表層部にほぼ集中スルことから、深層
部の酸化層の膜厚を一層薄くできる、このために、峡電
容量を増加させることができる。例え・ば、静電容量を
一定にすれば、静電容量の増加分に見合う分だけ金属粉
末の使用量を減少でき、コンデンサエレメントも小形化
できるし、コストをも低減できる。
ンサエレメントの表層部にほぼ集中スルことから、深層
部の酸化層の膜厚を一層薄くできる、このために、峡電
容量を増加させることができる。例え・ば、静電容量を
一定にすれば、静電容量の増加分に見合う分だけ金属粉
末の使用量を減少でき、コンデンサエレメントも小形化
できるし、コストをも低減できる。
次に具体的実施例について説明する。
実施例１
まず、第６図に示すように、タンタル粉末を８．５φＸ
４ｍの円柱状に加圧成形し焼結してなるコンデンサエレ
メント１を濃度が０．１容量チでかつＰＨが２，４８の
燐酸水溶液２に浸漬し、コンデンサエレメント１よシ導
出した０、６φ■のタンタル線よシなる陽極リード８が
正、燐酸水溶液２が負となるように１０５Ｖの直流電圧
を印加する。尚、電流密度はコンデンサエレメントの単
位重量（ｌｔ）当ｆｉ ８０ ｍＡに設定する。そして
、８時間化成処理した処、第７図に示すように深層部１
ａ。
４ｍの円柱状に加圧成形し焼結してなるコンデンサエレ
メント１を濃度が０．１容量チでかつＰＨが２，４８の
燐酸水溶液２に浸漬し、コンデンサエレメント１よシ導
出した０、６φ■のタンタル線よシなる陽極リード８が
正、燐酸水溶液２が負となるように１０５Ｖの直流電圧
を印加する。尚、電流密度はコンデンサエレメントの単
位重量（ｌｔ）当ｆｉ ８０ ｍＡに設定する。そして
、８時間化成処理した処、第７図に示すように深層部１
ａ。
表層部１ｂには膜厚がほぼ１６０（ｉＪｔの酸化層（Ｔ
ａ。
ａ。
ｏ、）４が形成された。次に、このコンデンサニレメン
）１を煮沸洗浄し乾燥した後、第“８図に示すように、
濃度が０，１容量チでかつＰＨが８．４５の硼酸アンモ
ニウム溶液５に浸漬し、陽極リード８が正、硼酸アンモ
ニウム溶液５が負となるように２１０ｖの直流電圧を印
加する。尚、電流密度はｓｏｍＡに設定した。そして、
コンデンサエレメント１の端子電圧が２１０Ｖに到達後
、さらに５分間化成処理゛した処、第９図に示すように
コンデンサエレメント１の表層部ｌｂにのみ！１８００
Ａ つ酸化層６が形成された。尚、全体の化成処−理時
間は１５分間に設定した。以下、通常の方法にてタンタ
ル固体電解コンデンサを製作する。
）１を煮沸洗浄し乾燥した後、第“８図に示すように、
濃度が０，１容量チでかつＰＨが８．４５の硼酸アンモ
ニウム溶液５に浸漬し、陽極リード８が正、硼酸アンモ
ニウム溶液５が負となるように２１０ｖの直流電圧を印
加する。尚、電流密度はｓｏｍＡに設定した。そして、
コンデンサエレメント１の端子電圧が２１０Ｖに到達後
、さらに５分間化成処理゛した処、第９図に示すように
コンデンサエレメント１の表層部ｌｂにのみ！１８００
Ａ つ酸化層６が形成された。尚、全体の化成処−理時
間は１５分間に設定した。以下、通常の方法にてタンタ
ル固体電解コンデンサを製作する。
次に、このコンデンサを温度が６５℃、相対湿度が９５
％の雰囲気に無負荷状態で放置し、５００時間、ｔｏｏ
ｏ時間経過後に４６Ｖで８分間充電し。
％の雰囲気に無負荷状態で放置し、５００時間、ｔｏｏ
ｏ時間経過後に４６Ｖで８分間充電し。
漏洩電流、静電容量を測定した処、下表に示す結果が得
られた。
られた。
尚、従来品は濃度が０，１容量チでかつＰＨが２゜４８
の燐酸水溶液にコンデンサエレメントを浸漬し、１４０
ｖの直流電圧を印加して化成処理したものであり、漏洩
電流は初期値を示す。
の燐酸水溶液にコンデンサエレメントを浸漬し、１４０
ｖの直流電圧を印加して化成処理したものであり、漏洩
電流は初期値を示す。
上表より明らかなように、本発明品はコンデンサエレメ
ントの表層部に厚膜の酸化層を形成しない従来品に比し
、漏洩電流及び無負荷耐湿時の漏洩電流不良率を格段に
改善できる。
ントの表層部に厚膜の酸化層を形成しない従来品に比し
、漏洩電流及び無負荷耐湿時の漏洩電流不良率を格段に
改善できる。
父、これらのコンデンサに定格電圧（３５Ｖ）を印加し
、雰囲気温度を１２５°Ｃに維持して５００時間経過後
における漏洩電流の不良発生率を測定した処、従来品は
５％であったが、本発明品は０％であった。
、雰囲気温度を１２５°Ｃに維持して５００時間経過後
における漏洩電流の不良発生率を測定した処、従来品は
５％であったが、本発明品は０％であった。
実施例２
実施例１において、硼酸アンモニウム溶液に代−え、濃
度が０．１容量％で、かＤＰＨが１１．０５のアルミン
酸ナトリウム溶液を用い、コンデンサニレメン）ｌの端
子電圧が２１０Ｖに到達後、さらに１２分間化成処理し
た処、実施例１と同様の効果が得られた。
度が０．１容量％で、かＤＰＨが１１．０５のアルミン
酸ナトリウム溶液を用い、コンデンサニレメン）ｌの端
子電圧が２１０Ｖに到達後、さらに１２分間化成処理し
た処、実施例１と同様の効果が得られた。
実施例３
実施例１において、釦酸アンモニウム溶ｆｉ Ｋ 代え
、濃度が０．１容量％でかつＰＨが９．１７の炭酸アン
モニウム溶液を用い、コンデンサエレメント１の端子電
圧が２１０ＶＫ到達後、さらに１５分間化成処理した処
、実施例１と同様の効果が得ら ゛れた。
、濃度が０．１容量％でかつＰＨが９．１７の炭酸アン
モニウム溶液を用い、コンデンサエレメント１の端子電
圧が２１０ＶＫ到達後、さらに１５分間化成処理した処
、実施例１と同様の効果が得ら ゛れた。
実施例４
実施例１において、燐酸水溶液と硼酸アンモニウム溶液
による化成処理順序を前後させ、最初にコンデンサエレ
メントの表層部に厚膜の酸化層全形成した処、実施例１
と同様の効果が得られた。
による化成処理順序を前後させ、最初にコンデンサエレ
メントの表層部に厚膜の酸化層全形成した処、実施例１
と同様の効果が得られた。
尚、本発明において、酸性溶液は燐酸水溶液の他、硫酸
、塩酸など適宜の溶液を使用できるし、塩基性溶液も上
記実施例以外の苛性ソーダなども使用できる。又、塩基
性溶液の場合の化成電圧はさらには電流密度も適宜に変
更できる。
、塩酸など適宜の溶液を使用できるし、塩基性溶液も上
記実施例以外の苛性ソーダなども使用できる。又、塩基
性溶液の場合の化成電圧はさらには電流密度も適宜に変
更できる。
以上゛のように本発明によれば、化成液として酸性溶液
、塩基性溶液を用いることによりコンデンサエレメント
の表層部に深層部に比し厚膜の酸化層を簡単かつ敏速に
形成することができ、コンデンサ特性を著しく改善でき
志上、量産工程へも容易に適用することができる。
、塩基性溶液を用いることによりコンデンサエレメント
の表層部に深層部に比し厚膜の酸化層を簡単かつ敏速に
形成することができ、コンデンサ特性を著しく改善でき
志上、量産工程へも容易に適用することができる。
第１図は従来の固体電解コンデンサの側断面図、第２図
は第１図のＸ部拡大図、第８図は等価回路図、第４図は
化成時間に対する酸化層の生成膜厚の関係を示す図、第
５図はＰＨ値は対する酸化層の生成速度の関係を示す図
、第６図〜第９図は本発明方法の説明図であって、第６
図は第１の化成処理状態を示す側断面図、第７図はコン
デンサエレメントの要部拡大図、第８図は第２の化成処
理状態を示す側断面図、第９図は第２の化成処理終了後
におけるコンデンサエレメントの要部拡大図である。 第１ 図 第２図 Ｈ 第３図 一←□ 第７図 第９図 第６図 す 第８図 第４図 ｃｓ ００１１ＶＩ ＨｘＰＯ４ ・０．０１Ｍ （Ｎｌ−に’）２ＣＯｉ２Ｈ，０００，
０１Ｎ（Ｎ）４：ｌｒ０５１Ｍ）ｒ ８Ｈ，０（） ０
．ＯｌＭ ＮａＡｆｆｉＣｂ ９９− １、事件の表示 昭和５７年 特 許願第２９８６２号 ２、発明の名称 固体電解コンデンサの製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許 出願人 連絡先 〒５２０ 滋賀県大津市晴嵐２丁目９番１号
新日本電気株式会社 特 許 部 電話大津（ψ）０８７−２１ω番 東京連絡先電話東京（０３）藝←う１１１番屯補正命令
の日付 ６補正の内容 （１） 第１頁の特許請求の範囲を別紙のように訂正
する。 （２） 第１２頁第２０行〜第１３頁第４行の「実施
例４・・・・・・得られた。」を削除する０［特許請求
の範囲 弁作用を有する金４粉末を所望形状に加圧成形し焼結し
てなるコンデンサエレメントを酸性溶液１
は第１図のＸ部拡大図、第８図は等価回路図、第４図は
化成時間に対する酸化層の生成膜厚の関係を示す図、第
５図はＰＨ値は対する酸化層の生成速度の関係を示す図
、第６図〜第９図は本発明方法の説明図であって、第６
図は第１の化成処理状態を示す側断面図、第７図はコン
デンサエレメントの要部拡大図、第８図は第２の化成処
理状態を示す側断面図、第９図は第２の化成処理終了後
におけるコンデンサエレメントの要部拡大図である。 第１ 図 第２図 Ｈ 第３図 一←□ 第７図 第９図 第６図 す 第８図 第４図 ｃｓ ００１１ＶＩ ＨｘＰＯ４ ・０．０１Ｍ （Ｎｌ−に’）２ＣＯｉ２Ｈ，０００，
０１Ｎ（Ｎ）４：ｌｒ０５１Ｍ）ｒ ８Ｈ，０（） ０
．ＯｌＭ ＮａＡｆｆｉＣｂ ９９− １、事件の表示 昭和５７年 特 許願第２９８６２号 ２、発明の名称 固体電解コンデンサの製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許 出願人 連絡先 〒５２０ 滋賀県大津市晴嵐２丁目９番１号
新日本電気株式会社 特 許 部 電話大津（ψ）０８７−２１ω番 東京連絡先電話東京（０３）藝←う１１１番屯補正命令
の日付 ６補正の内容 （１） 第１頁の特許請求の範囲を別紙のように訂正
する。 （２） 第１２頁第２０行〜第１３頁第４行の「実施
例４・・・・・・得られた。」を削除する０［特許請求
の範囲 弁作用を有する金４粉末を所望形状に加圧成形し焼結し
てなるコンデンサエレメントを酸性溶液１
Claims (1)
- 弁作用を有する金属粉末を所望形状に加圧成形し焼結し
てなるコンデンサエレメントを酸性溶液及びＰＨ８以上
の塩基性溶液を用いてそれぞれに化成処理することによ
り、コンデンサエレメントの表層部に深層部に比し厚膜
の酸化層を形成することを特徴とする固体電解コンデン
サの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57029862A JPS58147023A (ja) | 1982-02-25 | 1982-02-25 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57029862A JPS58147023A (ja) | 1982-02-25 | 1982-02-25 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58147023A true JPS58147023A (ja) | 1983-09-01 |
Family
ID=12287775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57029862A Pending JPS58147023A (ja) | 1982-02-25 | 1982-02-25 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58147023A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014022746A (ja) * | 2012-07-19 | 2014-02-03 | Avx Corp | 湿式対乾式キャパシタンスを強化した固体電解コンデンサ |
| US10121600B2 (en) | 2012-07-19 | 2018-11-06 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor with improved performance at high voltages |
| US10297392B2 (en) | 2012-07-19 | 2019-05-21 | Avx Corporation | Temperature stable solid electrolytic capacitor |
Citations (3)
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| JPS4839336A (ja) * | 1971-09-28 | 1973-06-09 | ||
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-
1982
- 1982-02-25 JP JP57029862A patent/JPS58147023A/ja active Pending
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