JPS58135624A - アルミニウム固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
アルミニウム固体電解コンデンサの製造方法Info
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- JPS58135624A JPS58135624A JP1867582A JP1867582A JPS58135624A JP S58135624 A JPS58135624 A JP S58135624A JP 1867582 A JP1867582 A JP 1867582A JP 1867582 A JP1867582 A JP 1867582A JP S58135624 A JPS58135624 A JP S58135624A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（＆）発明の技術分野
本発明は電気的特性を向上したアルミニウム固体電解コ
ンデンサの製造方法に関する。
ンデンサの製造方法に関する。
（ｂ） 技術の背景
アルミニラふ固体電解コンデンサの陽極素子としては、
純［９９，９９−のアルミニウム（以下ＡＩ）の板、Ｉ
Ｉ或はＵ＠の焼結体などが用いられ、これに陽極リード
線としてハンダメッキ軟鋼線を溶接或はＡ１１ｌを挿入
し焼結することによりｘ子が作られている。
純［９９，９９−のアルミニウム（以下ＡＩ）の板、Ｉ
Ｉ或はＵ＠の焼結体などが用いられ、これに陽極リード
線としてハンダメッキ軟鋼線を溶接或はＡ１１ｌを挿入
し焼結することによりｘ子が作られている。
ここで、コンデンサの靜電容ｉｃと電極面積Ｓとの間に
は Ｃ−’ （ＰＦ） ３．６ ｔ ｄ 但し −・・・・・・誘電体の誘電率 Ｓ−・・・・・・電極面積（ｃｌＩ） ｄ−・・・・誘電体の厚さくｃｌＩ） の関係があり、電解コンデンサの誘電体はＭ陽極素子上
に形成された酸化皮膜であるので、ヒの陽極素子の表面
積を増すためにエツチング或は歓粉末の焼結と太う処理
方法がとられておシ、実効表面積を数１００倍にまで拡
大している。
は Ｃ−’ （ＰＦ） ３．６ ｔ ｄ 但し −・・・・・・誘電体の誘電率 Ｓ−・・・・・・電極面積（ｃｌＩ） ｄ−・・・・誘電体の厚さくｃｌＩ） の関係があり、電解コンデンサの誘電体はＭ陽極素子上
に形成された酸化皮膜であるので、ヒの陽極素子の表面
積を増すためにエツチング或は歓粉末の焼結と太う処理
方法がとられておシ、実効表面積を数１００倍にまで拡
大している。
かかる陽極素子１は弱酸の塩を溶質とする水溶液中で電
解翫化して表面のＭをコンデンサのｉ＊＊皮膜として作
用する酸化皮［２に変え、この上に二酸化！ンガン（Ｍ
ｎＯｌ）半導体層３を硝酸マンガン（Ｍｎ（ＮＯｓ）ｔ
）水溶液中に陽極素子１を會浸し、次にこれを熱分解す
る工程を繰返すことにより形成し、この上に陰極兼導体
層としてグラファイト層４と銀塗膜層５を設け、これに
陰極リードＩＩ６をハンダ付けしてコンデンサ素子が形
成されている。
解翫化して表面のＭをコンデンサのｉ＊＊皮膜として作
用する酸化皮［２に変え、この上に二酸化！ンガン（Ｍ
ｎＯｌ）半導体層３を硝酸マンガン（Ｍｎ（ＮＯｓ）ｔ
）水溶液中に陽極素子１を會浸し、次にこれを熱分解す
る工程を繰返すことにより形成し、この上に陰極兼導体
層としてグラファイト層４と銀塗膜層５を設け、これに
陰極リードＩＩ６をハンダ付けしてコンデンサ素子が形
成されている。
次に、かかるコンデンサ素子はこの上に樹脂塗装などの
外装が施されて固体電解コンデンサが完成する。
外装が施されて固体電解コンデンサが完成する。
ここで固体電解コンデンサの特性の良否は耐凪漏れ電流
値および誘電損失値の大小によｐ評価されるが、これは
コンデンサの誘電体として働らく酸化皮膜の良否によシ
決るものである。
値および誘電損失値の大小によｐ評価されるが、これは
コンデンサの誘電体として働らく酸化皮膜の良否によシ
決るものである。
本発明は良質の酸化皮膜をもつ固体電解コンデンサの製
造方法に関するものである。
造方法に関するものである。
（Ｃ）従来技術と問題点
Ｍ固体電解コンデンサの陽極素子は先に記したようにエ
ツチング素子或は焼結素子の形で表面倍率を高めた構造
のものが用いられている。
ツチング素子或は焼結素子の形で表面倍率を高めた構造
のものが用いられている。
ここでは本発明に関係のあるエツチング素子を用いた固
体電解コンデンサの製造方法について説明する。
体電解コンデンサの製造方法について説明する。
Ｍ陽極素子の高倍率化のためのエツチングは塩酸（ＨＯ
２）を主成分とする液中にリード線部を除い九Ｍ！Ｉを
浸漬し、これを陽極として直流電圧或は脈流電圧を印加
し塩素イオン（ＣＬイオン）の侵蝕作用を利用してエツ
チングを行い、Ｍ面上に微細な鋸歯状凹凸を形成して表
面倍率を高めている。
２）を主成分とする液中にリード線部を除い九Ｍ！Ｉを
浸漬し、これを陽極として直流電圧或は脈流電圧を印加
し塩素イオン（ＣＬイオン）の侵蝕作用を利用してエツ
チングを行い、Ｍ面上に微細な鋸歯状凹凸を形成して表
面倍率を高めている。
これがエツチングである。
ここでＣｔイオンは腐蝕性のイオンであシ、このイオン
の残存紘以後の化成処理においては致命的な欠陥を形成
するので、エツチング処理後の陽極素子は充分に洗滌し
てＣｔイオンを除去することが必要である。然しＭは頗
る活性な金属であｐ１水洗洗滌中に容易に水酸化物（Ａ
ｉ（ＯＨ）ｓ ）を作シ易く、この存在は特性劣化につ
ながる。一方、エツチング孔に入シ込んだ洗滌水は容易
に除去で亀ないので、熱風吹つけ或は電気炉中を通過せ
しめることＫよ〉急速な陽極素子Ｏ乾燥を行うてい丸然
し乍ら電解コンデンサ工場内の相対ＩＬ＆はかなシ高く
、かかる条件では空気に触れることによシ生じた酸化皮
膜（ｒ’−ＡＩ、 Ｏ，）は容易に水加して水酸化物Ｃ
Ｍ（ＯＨ）ｍ ）Ｋ変質し易い。それ故にエツチング処
理後の陽極素子の保存は充分な注意が必要であるが、量
産工程においては充分な管理は難しく、成る程度の水酸
化物の生成は避けることができない。次に陽極素子は弱
酸或は強酸の塩、例えば硼酸アンモン（（ＮＨ４）ｓ
％Ｏｖ ）−燐酸２水素アンモン（１％ＨｓＰＯ４）な
どの水溶液中で陽極酸化して必要とする耐圧をもつ酸化
皮膜からなる化成皮膜が作られる。然し乍ら、との化成
皮膜は全部が均一な組成をもり酸化皮膜ではなく化成電
圧によシ異なるが金属側よシミ解液側に行くに従って不
完全な酸化皮膜に移行し、液Ｋｌ！する部分は水酸化物
で終っている。そこで、との化成皮膜の安定化のために
必要な場合は熱鶏運を行い、水酸化物を脱水して酸化物
に変え、また安定な結晶構造に変えることが行われてい
る。然し乍ら、大気中に放置しておく場合拡大気中の湿
度によ）化成皮膜の表面層が再び水酸化物に戻ｊ）ｌｉ
ｅ電皮腹皮膜性劣化を生ずる慣れが避けられなかりた。
の残存紘以後の化成処理においては致命的な欠陥を形成
するので、エツチング処理後の陽極素子は充分に洗滌し
てＣｔイオンを除去することが必要である。然しＭは頗
る活性な金属であｐ１水洗洗滌中に容易に水酸化物（Ａ
ｉ（ＯＨ）ｓ ）を作シ易く、この存在は特性劣化につ
ながる。一方、エツチング孔に入シ込んだ洗滌水は容易
に除去で亀ないので、熱風吹つけ或は電気炉中を通過せ
しめることＫよ〉急速な陽極素子Ｏ乾燥を行うてい丸然
し乍ら電解コンデンサ工場内の相対ＩＬ＆はかなシ高く
、かかる条件では空気に触れることによシ生じた酸化皮
膜（ｒ’−ＡＩ、 Ｏ，）は容易に水加して水酸化物Ｃ
Ｍ（ＯＨ）ｍ ）Ｋ変質し易い。それ故にエツチング処
理後の陽極素子の保存は充分な注意が必要であるが、量
産工程においては充分な管理は難しく、成る程度の水酸
化物の生成は避けることができない。次に陽極素子は弱
酸或は強酸の塩、例えば硼酸アンモン（（ＮＨ４）ｓ
％Ｏｖ ）−燐酸２水素アンモン（１％ＨｓＰＯ４）な
どの水溶液中で陽極酸化して必要とする耐圧をもつ酸化
皮膜からなる化成皮膜が作られる。然し乍ら、との化成
皮膜は全部が均一な組成をもり酸化皮膜ではなく化成電
圧によシ異なるが金属側よシミ解液側に行くに従って不
完全な酸化皮膜に移行し、液Ｋｌ！する部分は水酸化物
で終っている。そこで、との化成皮膜の安定化のために
必要な場合は熱鶏運を行い、水酸化物を脱水して酸化物
に変え、また安定な結晶構造に変えることが行われてい
る。然し乍ら、大気中に放置しておく場合拡大気中の湿
度によ）化成皮膜の表面層が再び水酸化物に戻ｊ）ｌｉ
ｅ電皮腹皮膜性劣化を生ずる慣れが避けられなかりた。
（ｄＪ 発Ｉｊｌｉの目的
本発明はＭ水酸化皮膜（ＡＩ（ＯＨ）ｌ ）の存在が固
体電解コンテ７重０＠性劣化を生じていることに着目し
、これを除去することＫよ）電気的特性を向上すること
を目的とするｔのである。
体電解コンテ７重０＠性劣化を生じていることに着目し
、これを除去することＫよ）電気的特性を向上すること
を目的とするｔのである。
（・）発明の構成
本発明は燐酸（ＨａＰ０４）・りＧｌ−！酸（Ｃｈｉｓ
）混液がＭ化成皮膜特に水酸化皮膜を溶解する性質を
利用して固体電解コンデンサ製造過程中に生ずる水酸化
皮膜を除去するものである。こＯＨＩＰＯ４Ｃｒ驚偽混
液処理は化成前および化成後の陽極素子に適用されるが
、この液組成、処理条件および効果を述べると次のよう
である。
）混液がＭ化成皮膜特に水酸化皮膜を溶解する性質を
利用して固体電解コンデンサ製造過程中に生ずる水酸化
皮膜を除去するものである。こＯＨＩＰＯ４Ｃｒ驚偽混
液処理は化成前および化成後の陽極素子に適用されるが
、この液組成、処理条件および効果を述べると次のよう
である。
ヒこで使用した混液Ｏ組成は
ＨａＰ０４ ＝”−３５＠＠／Ｌ
ＣｒｍＯｓ ’＝−” ２０ｊ ／ｚからなる公知
の液組成であシ、これを７５℃に加熱したものを用い九
。なお、この混液へ０陽ｍ累子の浸漬時間は３分間とし
九が厳重な必要条件ではなく、この値を中心に適宜変更
してよい。
の液組成であシ、これを７５℃に加熱したものを用い九
。なお、この混液へ０陽ｍ累子の浸漬時間は３分間とし
九が厳重な必要条件ではなく、この値を中心に適宜変更
してよい。
（・−１） 化成前の素子に対する影響素子寸法が６Ｘ
３Ｘ２＠１１１１り矩形なＭ陽極素子を電解エツチング
処理し充分に水洗洗滌し乾燥処理済みのものを試料とし
、これを温度２５℃、相対湿度６０−の大気中に２４時
間放置した。
３Ｘ２＠１１１１り矩形なＭ陽極素子を電解エツチング
処理し充分に水洗洗滌し乾燥処理済みのものを試料とし
、これを温度２５℃、相対湿度６０−の大気中に２４時
間放置した。
まず、放置した陽極累子群をムとＢＣ）２群に分ち、Ａ
群はその１１硼酸アンそン水１１を中ｆ１２５Ｖまで化
成し、充分に漏れ電流をＩＲり死後、水洗洗滌し８０℃
で３０分間乾燥し友。次にＢ群紘、Ｈａ Ｐ ０４・Ｃ
ｒＨＯ＠処理を行い水洗後Ａ群と同じ条件で化成し乾燥
した。
群はその１１硼酸アンそン水１１を中ｆ１２５Ｖまで化
成し、充分に漏れ電流をＩＲり死後、水洗洗滌し８０℃
で３０分間乾燥し友。次にＢ群紘、Ｈａ Ｐ ０４・Ｃ
ｒＨＯ＠処理を行い水洗後Ａ群と同じ条件で化成し乾燥
した。
ｊｇ２図はＡ、Ｂ２群の陽極素子について、素子当、９
１ ｍＡの電流密度で再化成を行った場合の化成電圧値
の変化を示すものである。
１ ｍＡの電流密度で再化成を行った場合の化成電圧値
の変化を示すものである。
すなわち従来の方法で化成したＡ群は破線で示すように
３０〜５ｏｖｔで急上昇し、その後緩かに・−圧が上昇
して１２５ＶＫ適するが、このことは化成皮膜の耐圧が
水洗乾燥処理中に１２５ｖより約５０ｖにまで低下して
いることを示している。一方Ｂ評は集線で示すように直
ちＫｍ圧が急上昇しオーパージ瓢−ト後元の化成電圧値
である１２８Ｖに達し、その後緩かに電圧が上昇するが
、このことは化成皮ｌＩの耐圧がそのまま維持されてい
たことを示している。
３０〜５ｏｖｔで急上昇し、その後緩かに・−圧が上昇
して１２５ＶＫ適するが、このことは化成皮膜の耐圧が
水洗乾燥処理中に１２５ｖより約５０ｖにまで低下して
いることを示している。一方Ｂ評は集線で示すように直
ちＫｍ圧が急上昇しオーパージ瓢−ト後元の化成電圧値
である１２８Ｖに達し、その後緩かに電圧が上昇するが
、このことは化成皮ｌＩの耐圧がそのまま維持されてい
たことを示している。
以上のことはエツチング処還後の水洗洗滌および乾燥処
１１において生じた水酸化皮膜Ａｔ（ＯＨ）ｍは化成に
際して一応耐圧のある酸化物！ｌＩ似Ｏ状Ｉ！になるが
、本質的に構造変化を生ずるものではないこと、またヒ
０ＡＩ（ＯＨ）ａが存在すると耐圧のある化成皮膜の成
長が着しく阻害されていることを示している。を九、３
群の化成特性から陽極素子上に存在するｎ（ｏＨ）ａを
除去して後化成することにより耐圧のある化成皮膜を生
ずることを示しているＯ Ｈａ図はかかるＡ群および３群の陽極素子をそのｔま用
いて製作した固体電解コンデンサの特性で、第３図（４
）は誘電正接値をｔ九同図ＣＢ）は漏れ電流値について
両者の違を示している。
１１において生じた水酸化皮膜Ａｔ（ＯＨ）ｍは化成に
際して一応耐圧のある酸化物！ｌＩ似Ｏ状Ｉ！になるが
、本質的に構造変化を生ずるものではないこと、またヒ
０ＡＩ（ＯＨ）ａが存在すると耐圧のある化成皮膜の成
長が着しく阻害されていることを示している。を九、３
群の化成特性から陽極素子上に存在するｎ（ｏＨ）ａを
除去して後化成することにより耐圧のある化成皮膜を生
ずることを示しているＯ Ｈａ図はかかるＡ群および３群の陽極素子をそのｔま用
いて製作した固体電解コンデンサの特性で、第３図（４
）は誘電正接値をｔ九同図ＣＢ）は漏れ電流値について
両者の違を示している。
すなわち耐圧の減少はＭ（ＯＨ）ｓの存在によるもので
あ夛、その影響はコンデンサの損失の増大と漏洩電流の
増加となって構われることが判る。
あ夛、その影響はコンデンサの損失の増大と漏洩電流の
増加となって構われることが判る。
これらのことからエッチングエ楊の後洗滌と乾燥工程で
生ずる水酸化物ＡＩ（ＯＨ）ｍについては除去すること
が必要で、仮冷生じた場合もこれをｆＩ！−解除去して
おくことが必要なことが判る。
生ずる水酸化物ＡＩ（ＯＨ）ｍについては除去すること
が必要で、仮冷生じた場合もこれをｆＩ！−解除去して
おくことが必要なことが判る。
（・−２） 化成後の素子に対する影響光に配し九よう
にＭ陽４Ｍ素子を化成して生じた化成皮膜は化成電圧に
依存して結晶構造を異にするが化成液に接する部分はＡ
Ｌ（ＯＨ）ｓよシなっており、また化成皮膜には化成液
の溶質イオンがトラップされている。それ故に化成皮膜
の耐蝕性は使用した化成液により左右され、ま九化成後
の熱処理は化成ＦＬ膜の耐圧の同上に貢献する。
にＭ陽４Ｍ素子を化成して生じた化成皮膜は化成電圧に
依存して結晶構造を異にするが化成液に接する部分はＡ
Ｌ（ＯＨ）ｓよシなっており、また化成皮膜には化成液
の溶質イオンがトラップされている。それ故に化成皮膜
の耐蝕性は使用した化成液により左右され、ま九化成後
の熱処理は化成ＦＬ膜の耐圧の同上に貢献する。
すなわち加熱によりＡｌ（ＯＨ）ｓは脱水されてｒ’Ｍ
４０ Ｂへと変化する。
４０ Ｂへと変化する。
２Ａｌ（ＯＨ）ｍ −３ＨｔＯ→Ａｋ Ｏｓそれ故に加
熱により化成皮膜の耐圧は増加する筈である。
熱により化成皮膜の耐圧は増加する筈である。
第４ｗＪはこの関係を示すもので、素子寸法が６Ｘ３Ｘ
２１１１１のものについて第２図のＡ群素子と同じ素子
を１００〜４５０℃の温度で２０分に亘りて熱処理して
耐圧向上の状態を調べたものでわシ、測定方法社第２図
の場合と同様である。この図から判るように熱処理温度
が高い程酸化皮膜の耐圧は向上し、４５０℃、２０分間
の熱処理によって耐圧は約５０Ｖより約１３０Ｖｔで向
上させることができ、それ故に熱処理は固体電解コンデ
ンサの製造？ｃ１！に用いられている。然し一方では熱
処理によｐ酸化皮膜が撥水性を帯びこれ以降性われるＭ
ｎ（ＮＯｓ）ｍへの浸漬処理で濡れ性を悪くすると云う
欠点がある。
２１１１１のものについて第２図のＡ群素子と同じ素子
を１００〜４５０℃の温度で２０分に亘りて熱処理して
耐圧向上の状態を調べたものでわシ、測定方法社第２図
の場合と同様である。この図から判るように熱処理温度
が高い程酸化皮膜の耐圧は向上し、４５０℃、２０分間
の熱処理によって耐圧は約５０Ｖより約１３０Ｖｔで向
上させることができ、それ故に熱処理は固体電解コンデ
ンサの製造？ｃ１！に用いられている。然し一方では熱
処理によｐ酸化皮膜が撥水性を帯びこれ以降性われるＭ
ｎ（ＮＯｓ）ｍへの浸漬処理で濡れ性を悪くすると云う
欠点がある。
本発明は加熱処進後の化成素子をＨ，ＰＯ４・Ｃｒ＠Ｏ
＠温液の中に７５℃で約３分間浸漬することによ１値（
ｏＨ）ｉｏ形で残存している酸化皮膜を除くと共に撥水
性をも無くするものである。
＠温液の中に７５℃で約３分間浸漬することによ１値（
ｏＨ）ｉｏ形で残存している酸化皮膜を除くと共に撥水
性をも無くするものである。
第５図は本発明の効果を示すもので、横軸には処理方法
を変えて作りた固体電解コンデンサの素子Ｏｆｓ別を、
ｔた縦軸にはコンデンサの４１性をとりである。ここで
種類Ａは従来のよ５１４ｃエツチング素子を水洗洗滌後
乾燥し化成後Ｍｎ（ＮＯｓ）＊処理を行ったもの、種類
Ｃはエツチング素子を水洗洗滌後乾燥し化成後熱処理を
行ったもの、また種類りは種類Ｃｃ１素子群を熱処理後
Ｈａ Ｐ ０４・Ｃｒ鵞Ｑ、混液中で７５℃で３分間浸
漬し、その後再化成したものである。
を変えて作りた固体電解コンデンサの素子Ｏｆｓ別を、
ｔた縦軸にはコンデンサの４１性をとりである。ここで
種類Ａは従来のよ５１４ｃエツチング素子を水洗洗滌後
乾燥し化成後Ｍｎ（ＮＯｓ）＊処理を行ったもの、種類
Ｃはエツチング素子を水洗洗滌後乾燥し化成後熱処理を
行ったもの、また種類りは種類Ｃｃ１素子群を熱処理後
Ｈａ Ｐ ０４・Ｃｒ鵞Ｑ、混液中で７５℃で３分間浸
漬し、その後再化成したものである。
第５図から明らかなように、Ｈ＠ＰＯ４・Ｃｒ装０＠処
理によシ固体電解コンデンサの特性が向上すると共に撥
水性も改醤することができる。
理によシ固体電解コンデンサの特性が向上すると共に撥
水性も改醤することができる。
（ｆ） 発明の効果
本発明はエツチング後の洗滌乾燥および化成後に陽１Ｉ
ｉｉｘ子上に生ずるｍ （ＯＨ） ｓが同体電解コンデ
ンサの耐圧劣化および特性劣化の原因であることを見出
し、これをＨｓ Ｐ ０４・Ｃｒ＊０ｓｌｌ＋液に浸漬
することによル溶解除去することを本旨とするものであ
り、エツチング工程後および化成後に行われる熱処理工
程彼にＨ＠ＰＯ４・Ｃｒ１Ｏ１処理を行って不要の水酸
化皮層を除くことによシ耐圧および特性が凌れ、且つ経
時変化の少いＭ固体電解コンデンサ
ｉｉｘ子上に生ずるｍ （ＯＨ） ｓが同体電解コンデ
ンサの耐圧劣化および特性劣化の原因であることを見出
し、これをＨｓ Ｐ ０４・Ｃｒ＊０ｓｌｌ＋液に浸漬
することによル溶解除去することを本旨とするものであ
り、エツチング工程後および化成後に行われる熱処理工
程彼にＨ＠ＰＯ４・Ｃｒ１Ｏ１処理を行って不要の水酸
化皮層を除くことによシ耐圧および特性が凌れ、且つ経
時変化の少いＭ固体電解コンデンサ
第１図はＭ固体電解コンデンサの構成図、第２図はエツ
チング素子に対するＨｓ ＰＯ４・Ｃｒ麓Ｏｓ 混液浸
漬処理の効果、第３図囚、＠は固体電解コンデンサの特
性比較、＠４図は化成した酸化皮膜に対する熱処理効果
、また嬉５図（２）、＠は固体電解コンデンサの特性比
較である。 図において、人は従来方法による素子特性、Ｂはエツチ
ング後Ｈａ Ｐ ０４・Ｃｒ＠ＯＨ混液処理した素子特
性、Ｃは従来方法による素子に化成後熱処理を施した素
子特性、ＤはＣ素子に更にｕｓ ＰＯ４・Ｃｒ２ Ｏ＠
混液処理をし九素子特性。 第１ｒ￥Ｊ 第１ １邦 蔓３図 第４図 処Ｒ通度 〔゛す
チング素子に対するＨｓ ＰＯ４・Ｃｒ麓Ｏｓ 混液浸
漬処理の効果、第３図囚、＠は固体電解コンデンサの特
性比較、＠４図は化成した酸化皮膜に対する熱処理効果
、また嬉５図（２）、＠は固体電解コンデンサの特性比
較である。 図において、人は従来方法による素子特性、Ｂはエツチ
ング後Ｈａ Ｐ ０４・Ｃｒ＠ＯＨ混液処理した素子特
性、Ｃは従来方法による素子に化成後熱処理を施した素
子特性、ＤはＣ素子に更にｕｓ ＰＯ４・Ｃｒ２ Ｏ＠
混液処理をし九素子特性。 第１ｒ￥Ｊ 第１ １邦 蔓３図 第４図 処Ｒ通度 〔゛す
Claims (1)
- 高純度のアルミニウム線或はアルミニウム板からなる陽
極素子に電解酸化処理を施してこの表面を該金属の酸化
物よシなる誘電層に変え、艶にこの上に酸化性半導体層
およびグラファイト層を形成し、該グラファイト層の上
に塗布された導電塗膜を通じて嬢砺リード線をと）出す
構成をとるアルミニウム固体電解コンデンサにおいて、
エツチング工程後および化成後に陽極素子を燐酸・クロ
ーム酸水溶液に浸漬して“不要の水酸化アルミニウムを
除去することを％＊とするアルミニウム固体電解コンデ
ンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1867582A JPS58135624A (ja) | 1982-02-08 | 1982-02-08 | アルミニウム固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1867582A JPS58135624A (ja) | 1982-02-08 | 1982-02-08 | アルミニウム固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58135624A true JPS58135624A (ja) | 1983-08-12 |
Family
ID=11978173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1867582A Pending JPS58135624A (ja) | 1982-02-08 | 1982-02-08 | アルミニウム固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58135624A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63146424A (ja) * | 1986-12-10 | 1988-06-18 | 松下電器産業株式会社 | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
| JPH0518438U (ja) * | 1991-08-14 | 1993-03-09 | 象印マホービン株式会社 | 魔法瓶 |
| JP2001332452A (ja) * | 2000-05-24 | 2001-11-30 | Showa Denko Kk | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
-
1982
- 1982-02-08 JP JP1867582A patent/JPS58135624A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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