JP5197369B2 - 金属粒子を球状に造粒し塊成化する方法 - Google Patents

金属粒子を球状に造粒し塊成化する方法 Download PDF

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Description

本発明は、金属粒子を球状に造粒し塊成化する方法、これらの方法により調製される金属粒子、これらの金属粒子から製造されるアノードに関し、特に、金属タンタル及び/又はニオブの粒子を球状に造粒し塊成化する方法、これらの方法によって調製される、性質が改善されたタンタル及び/又はニオブの金属粒子、これらの金属タンタル及び/又はニオブの粒子から製造される電解コンデンサー用アノードに関する。
高性能で小型化された電子部品を必要とするエレクトロニクス産業の発展に伴い、焼結タンタル及び/又はニオブの電解コンデンサーは、粉末の単位容積及び単位重量当たり高容量(CV)を有していなければならない。これには、一次粒子が細かい、高BET(Brurauer−Emmet−Teller)表面積のタンタル及び/又はニオブの粉末を用いて、コンデンサーのアノードを製造することを必要とするであろう。
タンタル、ニオブの金属粉末は、通常、タンタル又はニオブの化合物の還元剤による化学的還元によって、或いは、タンタル又はニオブの金属インゴットを水素化し、水素化されたインゴットを粉末にすることによって製造される。前者の方法によって調製されたタンタル、ニオブの金属粉末は、多くの一次粒子からなる、高BET表面積を有する多孔質基本塊成体(basic agglomerate)であり、後者の方法は、一般に、高純度であるが低表面積の粉末を生成する。
金属粒子の大きさを特徴付けるパラメータには、吸着される液体窒素によって測定されるBET表面積(m/g)、フイッシャーサブシーブ粒径(Fisher sub−sieve particle size、FSSS/μm)、レーザー粒径分布アナライザーにより測定される粉末粒径分布、並びに、走査電子顕微鏡及び透過電子顕微鏡により測定される粒径及びモルホロジーが含まれる。BET表面積は粒径と関連している。一次粒子が細かいほど、BET表面積は大きく、一般に、粉末の容量は大きい。FSSSは、粉末で満たされた金属管を通る空気の速度を測定することによって導かれ、粉末のFSSS値は粒径と関連しており、同時に、それは塊成体の強度に関連する。同じナトリウム還元法によって還元されただけの粉末では、粉末のFSSS値が小さいほど、表面積は大きいが、塊成化した粉末では、異なる表面積を有する粉末が類似のFSSS値を有し得る。同じ容量のグレードの粉末では、大きな塊成化度を有する粒子は、より大きなFSSS値を有する。レーザー粒径分布の結果は、レーザーが試料粒子によって回折及び散乱され、粒径(すなわち、多孔質又は中実の粒子の輪郭)に応じて光強度分布パターンを形成するということから導かれ、D10、D25、D50、D75及びD90値が与えられる。D10、D25、D50、D75及びD90に対応する値は、それぞれ、最小の粒子から、全体の10wt%、25wt%、50wt%、75wt%及び90wt%まで積算された粒子の最大粒径を表す。D50(中央値)は、粉末のおおよその粒径の目安である。走査電子顕微鏡はマイクロメートルからミリメートルの粒径を観察するために使用され、透過電子顕微鏡はナノメートルの粒子を観察するために使用できる。
TaFをナトリウムで還元して製造された、還元されただけのタンタル粉末のBET表面積は0.2〜6.0m/gの範囲にある。100000μF・V/gのグレードのタンタル粉末の一次粒子の平均直径は、約0.1μm(SEMによる観察)であり、この粉末のスコット嵩密度は約0.4g/cmから約0.6g/cmである。Taを還元することによって調製されたタンタル粉末のBET表面積は、約1から約20m/gの範囲にある。Nbを還元することによって調製されたニオブ粉末のBET表面積は、約1から約30m/gの範囲にある。この粉末の一次粒子の直径は約10から約350nmの範囲にあり、この粉末のスコット嵩密度は0.4g/cmから0.7g/cmの範囲にある。
電解コンデンサーを製造するためのタンタル又はニオブの粉末は、良好な物理的性質(例えば、適切なスコット嵩密度及び良好な流動性)を有していなければならない。流動性のない粉末は、プレスしてペレットにするのが難しく、流動性が良好でない金属粉末から成形されたペレットは、重量が不揃いで、結果的に、いくつかの問題(例えば、コンデンサーの容量の大きな変動、ペレットの不均一な密度、並びに電解質及びカソード材料により被覆され難い等の問題)を生じるので、タンタル粉末は2.0g/秒を超える流量(flow rate)を有することが期待され、ニオブ粉末は1.0g/秒を超える流量を有することが期待される。
しかし、粉末が細かくなるほど、流動性は悪くなるので、ナトリウム還元法によって調製された細かい粒子は、適当なスコット嵩密度及び良好な流動性を有する多孔質粒子へと塊成化されなければならない。
さらに、タンタル又はニオブの粉末からプレスされたグリーンペレットは、十分な強度を有していなければならない。固体電解コンデンサーの容量を増すために熱分解二酸化マンガンが酸化タンタル誘電体膜を完全に被覆できるように、ペレットから焼結される電解コンデンサー用アノードは、硝酸マンガンの溶液を十分に含侵させるのに効果的な、大きな細孔及び適切な細孔分布を有していることが期待されるが、大きすぎる細孔は等価直列抵抗(ESR)を小さくするのに不利である。
タンタル粉末及びニオブ粉末の物理的性質を改善しようとする努力が常になされている。WO 99/61184は、金属粒子の塊成化方法、及び性質が改善された金属粒子を開示し、この方法は、揮発性又は蒸発性の液体と粒子とを一緒にして、湿潤粒子を形成させること;この湿潤粒子を成形すること(compact);成形した湿潤粒子を乾燥してケーキを形成させること;このケーキを熱処理して塊成化粒子を形成させること;を含む。残念ながら、塊成化粒子には角があるので、この方法によって製造された80,000μFV/gを超えるCVを有するタンタル又はニオブの粉末は流動性に乏しい。
さらに、湿潤フレーク状粒子(一次粒子はフレーク状であり、1〜60のアスペクト比(直径/厚さ)を有する)に振動を与える時、重なり合ったフレーク状粒子の表面の間で密接な接触を生じる傾向があるので、粉末から形成されたペレットの多孔度が低下し、破壊強度が低下する。
中国特許出願第1238251Aは、塊成化タンタル粉末の製造方法を開示したが、50μmを超えるD50を有する塊成化粒子を含む粉末では、塊成化粉末の流動性は乏しく、これらの粉末は高性能電解コンデンサーを製造する必要条件を満たすことができない。
これらの問題を解決するために、本発明者等は非常に集中して研究を行い、塊成体が細かいほど、塊成化粒子の真球度はより高く、粉末の流動性はより良好であることを見出した。
上の問題を克服するために、本発明者等は、金属粒子を球状に造粒し塊成化する方法を提供する。この方法は、粒子を細かく砕いて、50μm未満のD50を有する細かい粒子を形成させるステップ、次いで、これらの粒子を球状に造粒し、熱により塊成化して、良好な流動性を有する塊成化金属粒子を得るステップを含む。
本発明の金属粒子を塊成化する方法の実施形態として、第1の態様において、本発明の方法は
a)金属粒子を細かく砕いて50μm未満のD50を有する細かい粒子を形成させるステップ;
b)揮発性液体を含む、前記の細かく砕いた金属粒子(例えば、揮発性液体を含む、タンタル及び/又はニオブの粒子)を造粒して湿潤球状粒子を形成させるステップ;
c)湿潤球状粒子を静置乾燥し、揮発性液体を除去して、嵩密度が増加した流動性予備塊成化粒子を形成させるステップ;
d)予備塊成化粒子を真空下に熱処理するステップ;
e)熱処理した粉末を篩にかけて、流動性塊成化粒子を得るステップ
を含む。
第2の態様において、本発明は、流動性で多孔質の塊成化金属粒子、特に、性質が改善されたタンタル及び/又はニオブの粒子を提供する。この塊成化タンタル粉末は、少なくとも約2.0g/秒の流量、約0.2から約6.0m/gのBET表面積、少なくとも1.0μmのFSSS、約1.2g/cmから約5.5g/cmのスコット嵩密度を有する。この塊成化ニオブ粉末は、少なくとも約1.0g/秒の流量、約0.5から約8.0m/gのBET表面積、少なくとも1.0μmのFSSS、約0.7g/cmから約3.5g/cmのスコット嵩密度を有する。これらのタンタル及び/又はニオブの金属粒子により、焼結アノードの細孔径分布が改善され、ペレットの破壊強度が増大する。
第3の態様において、本発明は、本発明によるタンタル及び/又はニオブの粒子から製造される、約5,000μFV/gから約300,000μFV/gの容量を有する、電解コンデンサーアノードを提供する。
本発明の実施形態は、
a)金属粒子を細かく砕いて50μm未満のD50を有する細かい粒子を形成させるステップ;
b)揮発性液体を含む、細かく砕いた金属粒子(例えば、揮発性液体を含むタンタル及び/又はニオブ粒子)を造粒して湿潤球状粒子を形成させるステップ;
c)湿潤球状粒子を静置乾燥し、揮発性液体を除去して、嵩密度が増加した流動性予備塊成化粒子を形成するステップ;
d)予備塊成化粒子を真空下に熱処理するステップ;
e)熱処理した粉末を篩にかけて、流動性塊成化粒子を得るステップ
を含む。
本発明の目的では、前記金属粒子はどのようなタイプの金属粒子(例えば、金属、合金、混合物などの粒子)であってもよい。金属粒子の例には、これらに限らないが、タンタル、ニオブ、鉄、コバルト、チタン、前述のいずれかを含む合金、及びこれらの混合物が含まれる。好ましくは、金属粒子は、タンタル及び/又はニオブの粉末、或いは主成分としてタンタル及び/又はニオブを含む金属粉末を含む。本明細書では、「タンタル及び/又はニオブの粉末」という用語に関しては、タンタル粉末、ニオブ粉末、タンタル及びニオブの混合物の粉末、タンタル及びニオブの合金の粉末などが含まれると想定されている。
本発明の方法によれば、出発金属粒子は、好ましくは、タンタル及び/又はニオブの粒子である。本発明の方法によって塊成化される出発タンタル粒子は、少なくとも約0.3m/g、好ましくは、約0.5m/gから約20m/gのBET表面積を有する。本発明の方法によって塊成化される出発ニオブ粒子は、少なくとも約0.6m/g、好ましくは、約1.0m/gから約30m/gのBET表面積を有する。これらの金属粒子は多孔質粒子である。金属粒子の形状は限定されず、どのような形状であってもよく、例えば、サンゴ状、ブドウ状塊成体、又は角のある形状、ノジュラー、フレーク状、或いはこれらの任意の組合せであってよい。
本発明の方法によれば、前記タンタル及び/又はニオブの粒子は、これらに限らないが、KTaF及び/又はKNbFをナトリウムで還元することにより、タンタル及び/又はニオブの酸化物を還元剤(例えば、マグネシウム、カルシウム、ナトリウム、水素化マグネシウム、水素化カルシウムなど)で還元することにより、或いは、タンタル及び/又はニオブのハロゲン化物を還元剤(例えば、水素、ナトリウム、カリウムなど)で還元することにより製造されたタンタル及び/又はニオブの金属粉末;密な金属(例えば、インゴット)を水素化し、水素化された金属を砕く、又はミル加工することによって調製されたタンタル及び/又はニオブの金属粉末であり得る。
本発明の方法によれば、前記の塊成化されるタンタル及び/又はニオブの粒子は、低電圧(20V未満)電解コンデンサーを製造するために使用される高CV粉末、又は、中、高電圧(20V〜100V)電解コンデンサーを製造するために使用されるフレーク状粉末、或いは、水素化プロセスによって得られたタンタル及び/又はニオブの粉末であり得る。
本発明の方法によれば、前記の金属粒子を細かく砕くステップは、塊成体の大きさを小さくするために、バフラー(baffler)を備える水タンク内で、高速(100rpm〜500rpm)撹拌によって、又は、超音波振動を与えることによって;或いは、細かい粒子を製造するために、水素化し砕くことによって、又は、ミル加工によって;実施できる。これらの細かく砕いた金属粒子は50μm未満、好ましくは、30μm未満の中央直径値(D50)を有する。
本発明の方法によれば、揮発性液体と一緒にされた、細かく砕いた金属粒子(例えば、タンタル及び/又はニオブの粒子)が、振動を与えられ、転がされ(tumbled)、押し出されて、湿潤球状粒子が形成する。揮発性液体は造粒に適するどのような液体であってもよい。揮発性液体の例は、これらに限らないが、水、水含有液体、アルコール、芳香族化合物含有液体及びこれらの混合物が含まれる。好ましい揮発性液体は脱イオン水(DI水)である。さらに、特定の目的を果たすために(例えば、焼結収縮を制御するために、高温での粉末の表面積の低下を少なくするために)、液体に所望の割合で添加剤(例えば、焼結遅延剤として、酸素、窒素、リン、又はホウ素を含む化学薬品)を加えてもよい。リン及びホウ素から選択される少なくとも1つを、金属に対して約1ppmから約500ppmの量で加えてもよい。
本発明の方法によれば、液体の表面張力により粒子間の凝集力が増大した、前記の揮発性液体を含む細かく砕いた金属粒子は造粒されて、均一な密度を有する粒子が形成する。金属粒子に含まれる液体の量は、金属粒子(例えば、タンタル及び/又はニオブの粒子)の重量の約2wt%から約50wt%、好ましくは、粒子の重量の約5wt%から約40wt%である。
本発明の方法によれば、前記の揮発性液体を含む細かく砕いた金属粒子は、還元生成物ケーキを砕き、次いで、得られたものに酸浸出(acid leaching)及び水洗浄を行うことによって得ることができる。例として、アルカリ金属による二重金属ハロゲン化物(KTaF、KNbF)の還元反応により、又は、アルカリ若しくはアルカリ土類金属によるタンタル、ニオブの酸化物の還元反応により得られた生成物を砕き、次いで、得られたものを細かく砕くことによって得られた、揮発性液体を含み、50μm未満のD50を有する細かい粒子を挙げることができる。
本発明の方法によれば、前記の揮発性液体を含む細かく砕いた金属粒子は、50μm未満のD50を有するように細かく砕いた乾燥粒子(本質的に水を含まない)に揮発性液体を加え、十分に滲み込むように、少なくとも5分間、好ましくは、約20分から約300分間染み込ませること、次に、粒子を混合して揮発性液体を含む均一な粒子を形成させること、を含む方法によって得ることができる。混合は、固体を液体と単純に混合する方法を含めて、どのようなやり方で行ってもよい。例えば、撹拌装置又はブレンダーによるような機械撹拌だけでなく手動による撹拌を用いてもよい。
本発明の方法によれば、前記の球状に造粒することは、揮発性液体を含む粒子の密度を増加させ、球状の顆粒を形成できるどのような方法によって実施されてもよい。例えば、揮発性液体を含む金属粒子は、特に、造粒機の使用によって、容器に入れられ、振動を与えられ、転がされる、又は押し出されて、湿潤球状粒子が形成する。
さらに、フレーク状金属粒子は、2回以上、造粒されてもよい。
本発明の方法によれば、前記の湿潤球状顆粒を乾燥させる如何なる手段でも用いることができる。例えば、容器内の湿潤金属粒子は、湿潤金属粒子からどのような揮発性液体をも除去するために、十分な温度で十分な時間、静置される。好ましくは、雰囲気内での、又は空気の流れの下での乾燥は、約20℃から約100℃の温度で、少なくとも24時間実施され、また、真空乾燥は、真空乾燥機内で、約50℃〜300℃の間の温度で、少なくとも16時間実施され得る。
乾燥された金属粒子は、密度が増加した、流動性予備塊成化粒子である。この予備塊成化粒子の大きさは、1000μm未満、好ましくは、500μm未満である。
本発明の方法によれば、予備塊成化粒子と細かく粉砕されただけの粒子とのスコット嵩密度の比は、1より大きく、好ましくは1より大きく4以下であり、より好ましくは、1.5〜2.5の間である。
本発明の方法によれば、予備塊成化粒子はひとたび乾燥されれば、その材料は、好ましくは、熱処理される。熱処理の前に、リン、ホウ素を含む作用剤(例えば、NHPO、P、(NHHPO、NHPF、HPO、B、及びHBO)を予備塊成化粒子に添加してもよい。
前記熱処理は、金属粉末の他のどのような熱処理に似た仕方で実施されてもよい。例えば、予備塊成化粒子は、タンタル又はニオブのトレイに移し、次に、予備塊成化粒子の入ったトレイを真空熱処理炉に入れて熱処理を実施することができ、こうすることによって、各予備塊成化粒子内で隣接する粒子は、互いに焼結して、塊成化粒子を形成する。この熱処理は、好ましくは、主にタンタルを含む金属粒子では、約900℃から約1700℃の温度で20〜60分間であり、主にニオブを含む金属粒子では、約850℃から約1400℃の温度で20〜60分間である。
本発明の方法による塊成化粒子は、それ程焼結されないと推定され、僅かな結合だけが塊成化粒子間に形成する、すなわち、ケーキは形成されないであろう。本発明の方法に従って熱処理された塊成化粒子は、砕く必要がなく、直接篩にかけることができ、流動性塊成化金属粒子が得られる。塊成化粒子は通常、40メッシュ〜100メッシュの篩により篩にかけられる。
本発明の方法によれば、塊成化粒子が部分的に脱酸素されていることが望まれる場合、当業者によく知られているように、任意選択で、金属粒子は、5wt%未満の還元剤(例えば、Mg、Ca、Al)と混合され、約700℃から約1100℃の温度で真空又は不活性雰囲気内で加熱され、次いで、酸浸出及び水洗浄されてもよい。
本発明の方法によれば、塊成化粒子には、塊成化金属粒子(特にタンタル及び/又はニオブの粒子)に0.005%〜10wt%の窒素含量が生じるように、ナトリウムによる還元、熱処理又は脱酸素の過程の間に任意選択で窒素が加えられる。
性質の組合せが、本発明による金属粒子により実現できる。本発明の方法により得られる流動性で多孔質の球状に塊成化されたタンタル及び/又はニオブの粒子は、約60μmから200μmのD50を有する。特に、0.12wt%〜3wt%の酸素及び0.005wt%〜10wt%の窒素を含むタンタル粉末は、少なくとも2.0g/秒、好ましくは、約2.0g/秒から約6.0g/秒、より好ましくは、4.0g/秒から約6.0g/秒の流量;少なくとも1.0μmのFSSS;約0.2m/gから約6.0m/g、好ましくは、約0.8m/gから約3.5m/gのBET表面積;約1.2g/cmから約5.5g/cm、好ましくは、1.4g/cmから2.2g/cmのスコット嵩密度;を有し、0.3wt%〜14wt%の酸素及び0.01wt%〜10wt%の窒素を含むニオブ粉末は、少なくとも1.0g/秒、好ましくは、約1.0g/秒から約4.0g/秒、より好ましくは、2.5g/秒から約4.0g/秒の流量;少なくとも0.8μmのFSSS;約0.5m/gから約8.0m/g、好ましくは、約1.0m/gから約4.5m/gのBET表面積;約0.7g/cmから約3.5g/cm、好ましくは、1.0g/cmから1.6g/cmのスコット嵩密度;を有する。
本発明の塊成化金属粒子からプレスされたペレットは、従来の金属粒子によるものより大きなグリーンペレット破壊強度を有する。本発明の塊成化金属粒子から焼結されたアノードは、細孔径分布が改善されており、従来の金属粒子によるものより、0.2μm未満の細かい細孔はより少なく、0.2μm〜0.6μmの細孔はより多い。
本発明の方法によって製造されたタンタル及び/又はニオブの粉末は、粉末をペレットにプレスし、次いで、焼結体へと焼結し、次に、焼結体を電解質溶液内でアノード酸化して、焼結体の表面全体に酸化物皮膜を有する電解アノードを形成させることによって、電解コンデンサーアノードに製造できる。本発明の塊成化タンタル粉末から製造されるアノードは、約5,000μFV/gから約250,000μFV/gの容量を有し、本発明の塊成化ニオブ粉末から製造されるアノードは、約10,000μFV/gから約300,000μFV/gの容量を有する。
本明細書において開示されているデータは次の様にして測定された:金属粉末の流動性は、中国国家標準GB 1428−84に依って試験し、流量は、3回の繰返し試験(各試験では、50(g)の重量を、5mmの直径の孔を有する標準の漏斗を通して50gの金属粉末が流れる時間(分)で割った)の結果の平均値を取ることによって求めた。流動性なしは、粉末が漏斗を通して流れなかったことを示す;粉末のスコット嵩密度(SBD)は、中国国家標準GB 5060−85の方法に従って測定した。粉末のFSSSは、中国国家標準GB 3249−82の方法に従って測定した。粉末のBET表面積は、Micromerities Corporationが市販する表面積アナライザーASAP2021により、BET窒素吸着法に従って測定した。粉末の粒径中央値(D50)並びに粉末の粒径分布は、60秒間の超音波振動の後、BECKMAN COULTER Corporationが市販するLS−230レーザー粒径分布アナライザーにより測定した。篩分けの結果は、ASTM−B−214−86の方法に依って導いた。SEM写真は、JSM−5610LV走査電子顕微鏡を用いて取った;粉末の細孔径分布は、Micromerities Corporationが市販するAutopore IIIによって試験した。
例示としての好ましい実施形態の、添付図に関連させての以下の説明は、本発明の特徴と利点をさらに具体的に示すためにのみ記載されており、添付の特許請求の範囲を限定しないことが理解されるべきである。
(実施例1)
フッ化タンタルカリウムの液体ナトリウムによる還元プロセスにより得られた粉末を出発物質(材料1)として用いた。粉末のBET表面積、スコット嵩密度、FSSS及び粒径分布のデータを表1に列挙した。このタンタル粉末を、バフラーを備えた水タンク内で、約300rpmの回転によって細かく砕いて、細かく砕いた粒子を形成させた。この細かく砕いた粉末のBET表面積、スコット嵩密度、FSSS及び粒径分布のデータを表2に示し、粉末の顕微鏡写真を図1に示した。
前記の細かく砕いたタンタル粉末の10キログラムの量を、工業用鍋(pan)に入れ、溶かした2.1グラムのNHPOを含む3500mlのDI水溶液を振りかけ、10分間染み込ませた。染み込ませたタンタル粉末を手動で撹拌して、タンタル粒子の細孔に液体が一様に吸収されるようにし、次いで、造粒機で球状に造粒した。造粒した湿潤粒子を真空乾燥機内で、約90℃で約24時間乾燥して、1000μm未満の大きさの流動性予備塊成化粒子を形成させた。予備塊成化粒子の顕微鏡写真を図2に示した。この粒子のSBD及び流量を表3に示した。
次いで、乾燥した予備塊成化タンタル粒子をタンタルのトレイに移し、粒子の入ったトレイを真空熱処理炉に入れて、1.33Pa未満の真空レベルで、約1200℃で30分間加熱した。熱処理の後、緩く塊成化した粒子を80メッシュの篩で篩にかけた。塊成化粒子の−80メッシュ部分をマグネシウムにより脱酸素し、酸浸出し、乾燥し、篩にかけて、塊成化タンタル粒子を得た。塊成化タンタル粒子の顕微鏡写真を図3に示した。塊成化タンタル粒子の流量、FSSS、スコット嵩密度、BET表面積、粒径分布、篩分析(screnn analysis)、及びO、Nの含量のデータを表4に列挙した。
上のタンタル粉末をプレスしてペレット(各ペレットは約170mgの粉末の重量、4.7mm×3.3mm×2.2mmの大きさ、及び5.0g/cmの密度を有していた)とした。これらのペレットを真空炉内で、約1300℃で20分間焼結して、焼結ペレットを形成させた。これらの焼結ペレットのSEM写真を図5に示した。焼結ペレットの細孔径分布を図12に示した。
上の焼結ペレットを、0.1vol%のリン酸溶液中、約85℃で30Vに約2時間保ってアノード酸化して、電解コンデンサーのアノードを形成させた。電解コンデンサーアノードの容量及びDC漏れ電流のデータを試験により求め、表4に列挙した。
(比較例1)
試料1に用いた細かく砕いたタンタル粉末材料1の10キログラムの量を工業用鍋に入れ、溶かした2.1グラムのNHPOを含む3500mlのDI水溶液を振りかけ、2時間染み込ませた。染み込ませたタンタル粉末をタンタルトレイに移し、次いで、さらに300mlのDI水を加え、テーブルに固定したトレイに振動を与えて、湿潤粒子を密集させた。次に、これらの湿潤粒子を真空乾燥機内で、約90℃で約24時間乾燥して、ケーキを形成させた。このケーキの見掛け密度は2.3g/ccであった。次いで、乾燥したタンタルケーキが入ったタンタルトレイを、真空熱処理炉に移して、試料1において記載したように加熱した。熱処理したケーキを砕き、粉末にして細かい粉末を形成させた。この粉末を試料1において記載したように脱酸素し、その粉末の流量、FSSS、スコット嵩密度、BET表面積、粒径分布、篩分析、及びO、N含量のデータを表4に示した。この粉末の顕微鏡写真を図4に示した。
上のタンタル粉末を、実施例1に記載したように焼結ペレットに加工した。この焼結ペレットのSEM写真を図6に示した。焼結ペレットの細孔径分布を図12に示した。
前記の焼結ペレットを、試料1に記載されているようにアノード酸化した。CV及びDC漏れ電流のデータを表4に示した。
図3と図4を比較すると、本発明の方法による塊成化粒子(図3)は、ほぼ球状の粒子を含んでいたが、比較例1の粒子(図4)は多角形であったことが分かるであろう。図5と図6を比較すると、本発明の方法による焼結ペレット(図5)は、均一な細孔を有し、球状粒子の間の大きな細孔は硝酸マンガン溶液の含侵に好都合であった。また、比較例1の粉末から製造された焼結ペレット(図6)は、縁及び角を欠いており、いくつかの細孔は塞がれていたことが分かるであろう。表4のデータは、本発明の方法による実施例1の粒径分布は、比較例1より利点があり、+80メッシュの粗い粒子がより少なく、−325メッシュの細かい粒子はより少なく、実施例1の粒子の流動性は比較例1より良好であるということを示した。
図12から、本発明の方法による粉末から製造されたタンタル焼結アノード(実施例1)の細孔径分布は、比較例1より、0.2〜0.6μmの細孔により集中しており、0.2μm未満及び1.0μmより大きい細孔はより少なく、このことは、電解質及びカソード材料の含侵に有利であり、ESRを小さくするのに有利であることが分かるであろう。
(実施例2)
フッ化タンタルカリウムの液体ナトリウムによる還元プロセスにより得られたタンタル粉末を出発物質(材料2)として用いた。材料2のBET表面積、スコット嵩密度、FSSS及び粒径分布のデータを表1に列挙した。材料2のタンタル粉末の粒径分布を図13に曲線1として示した。タンタル粉末を、バフラーを備えた水タンク内で、約300rpmの回転によって細かく砕いて、細かく砕いた粒子を形成させた。この細かく砕いた粉末のBET表面積、スコット嵩密度、FSSS及び粒径分布を表2に示した。細かく砕いた粉末の粒径分布を図13に曲線2として示した。
前記の細かく砕いたタンタル粉末の10キログラムの量を工業用鍋に入れ、溶かした5.3グラムのNHPOを含む3500mlのDI水溶液を振りかけ、60分間染み込ませた。染み込ませたタンタル粉末を実施例1のように造粒した。造粒した湿潤粒子を真空乾燥機内で、約80℃で約24時間乾燥して、1000μm未満の大きさの流動性予備塊成化粒子を形成させた。この予備塊成化粒子のSBD及び流量を表3に示した。
次いで、乾燥した予備塊成化タンタル粒子をタンタルトレイに移した。粒子の入ったトレイを真空熱処理炉に入れて、1.33Pa未満の真空レベルで、約1050℃で30分間加熱して塊成化粒子を形成させた。塊成化粉末の脱酸素を、試料1において記載したように実施した。塊成化タンタル粒子の流量、FSSS、スコット嵩密度、BET表面積、粒径分布、篩分析、及びO、Nの含量のデータを表4に列挙した。塊成化タンタル粒子の異なる倍率の顕微鏡写真を図7a及び7bに示した。塊成化タンタル粒子の粒径分布を図13に曲線3として示した。
上のタンタル粉末をプレスしてペレット(各ペレットは約100mgの粉末の重量、直径が約3.00mmで長さが約2.83mmの大きさ、5.0g/cmの密度を有していた)とした。これらのペレットを真空炉内で、約1200℃で20分間焼成して、焼成ペレットを形成させた。これらの焼結ペレットを、0.1vol%のリン酸溶液中、約80℃で20Vに約2時間保ってアノード酸化して、電解コンデンサーのアノードを形成させた。電解コンデンサーアノードの容量及びDC漏れ電流のデータを試験により求め、表4に列挙した。
(比較例2)
出発材料として用いられた、実施例2のタンタル粉末(材料2)の性質は表1に列挙した。細かく砕かれてない状態の、この出発タンタル粉末の10キログラムの量を、造粒して、予備塊成化粒子を形成させた。これらの予備塊成化粒子には流動性がなかった。粒子のSBDを表3に示した。予備塊成化粒子を、実施例2において記載されているように熱処理し、脱酸素した。このようにして得たタンタル粉末の流量、FSSS、スコット嵩密度、BET表面積、粒径分布、篩分析、及びO、Nの含量のデータを表4に列挙した。
上のタンタル粉末から、実施例2に記載されているように、電解コンデンサーアノードを調製し、粉末のCV及びDC漏れ電流のデータを表4に示した。
表2における実施例2の予備塊成化粒子及び比較例2の結果を比べると、前者には流動性があったが、後者には流動性がなかった。表4から分かるように、本発明による塊成化タンタル粉末の流動性は、比較例2により調製されたタンタル粉末より、良好であった。
(実施例3)
出発材料として、表1の材料粉末3を用いた。この粉末3を、ミル加工し、洗い、乾燥して、表2に列挙したBET表面積、SBD、FSSSの値及び粒径分布を有するフレーク状のタンタル粒子を得た。このフレーク状タンタル粉末の表面積はかなり増加したことが見出された。図8aは、8.6の平均薄片度(アスペクト比(D/T))を有するフレーク状粒子の横断面のSEM顕微鏡写真である。
ミル加工した粒子の10キログラムの量に600mlのDI水を30分間、染み込ませ、撹拌機で撹拌し、次いで、造粒機により球状に造粒した。この球状の湿潤粒子を真空乾燥機内で、約100℃で約24時間乾燥した。次いで、乾燥した予備塊成化タンタル粒子をタンタルトレイに移し、粒子の入ったタンタルトレイを、真空熱処理炉に入れ、1.33Pa未満の真空レベルで、約1300℃で30分間加熱した。この熱処理した材料を100メッシュの篩で篩にかけることによって、第1の塊成化したフレーク状タンタル粒子を得た。次いで、この塊成化粒子の−100メッシュの部分に、2200mlのDI水を30分間、染み込ませ、撹拌機で撹拌し、次に、再び、造粒機で造粒した。造粒した湿潤粒子を真空乾燥機内で、約100℃で約24時間乾燥して、1000μm未満の大きさの流動性予備塊成化粒子を形成させた。これらの粒子のSBD及び流量を表3に示した。
次いで、前記の乾燥した予備塊成化タンタル粒子をタンタルトレイに移し、粒子の入ったトレイを真空熱処理炉に入れて、1.33Pa未満の真空レベルで、約1460℃で40分間加熱した。熱処理後、緩く塊成化した粒子を80メッシュの篩で篩にかけた。この塊成化粒子の−80メッシュの部分をマグネシウムにより脱酸素し、酸浸出し、乾燥して、第2の塊成化したフレーク状タンタル粒子を得た。第2の塊成化したフレーク状タンタル粒子のSEM写真を異なる倍率で図8b及び8cに示した。第2の塊成化したフレーク状タンタル粒子の流量、FSSS、スコット嵩密度、BET表面積、粒径分布、篩分析、及びO、Nの含量のデータを表4に列挙した。
上の第2の塊成化したフレーク状タンタル粉末を、内径4.1mmの円柱モールドによりプレスして、5.0g/cm、5.5g/cm、6.0g/cm及び6.5g/cmの異なる密度を有するペレット(各ペレットの粉末の重量は約300mgであった)とした。これらのグリーンペレットを、RGD−05破壊強度加圧機により試験し(ペレットが破壊される時の力、ニュートンで表される)、試験結果を図14に示した。
上の第2の塊成化したフレーク状タンタル粉末をプレスしてペレット(各々が、150mgの重量、直径が約3mmで長さが約4.25mmの大きさ、5.0g/cmの密度を有していた)にした。これらのペレットを真空炉で、約1500℃の温度で30分間焼結して、焼結ペレットを形成させた。焼結ペレットを、0.1vol%のリン酸溶液中、80℃で140Vに2時間保ってアノード酸化して、電解コンデンサーアノードを形成させた。これらの電解コンデンサーアノードの容量及びDC漏れ電流のデータを測定し、表4に列挙した。
(比較例3)
実施例3の、ミル加工しただけのフレーク状タンタル粉末の10キログラムの量を、約1300℃で30分間熱処理してケーキを形成させた。この熱処理ケーキを砕き、100メッシュの篩で篩にかけて、第1熱処理タンタル粉末を得た。次いで、第1熱処理タンタル粉末をタンタルのトレイに入れ、3600mlのDI水を加え、6時間染み込ませ、次に、テーブルに固定したトレイに振動を与えて、湿潤粒子を密集させた。次いで、湿潤粒子を、真空乾燥機内で、約100℃で約24時間乾燥して、ケーキを形成させた。タンタル粒子のケーキの入ったトレイを、実施例3に記載したように熱処理した。熱処理したタンタルケーキを砕き、80メッシュで篩にかけて、−80メッシュの粉末を得て、実施例3に記載したように脱酸素した。こうして調製したタンタル粒子の顕微鏡写真を図9に示した。これらのタンタル粒子の流量、FSSS、スコット嵩密度、BET表面積、粒径分布、篩分析、及びO、Nの含量のデータを表4に列挙した。
前記タンタル粉末をプレスしたグリーンペレットの破壊強度を実施例3に記載したように試験した。結果を図14に示す。本発明に従って調製した塊成化粒子をプレスした、5.0g/cm〜6.5g/cmの密度範囲のペレットで、比較例3により得たペレットより、破壊強度は大きい。
粉末のCV及びDC漏れ電流の電気的性質を、実施例3に記載したように試験し、結果を表4に示す。
図8bと図9を比較すると、図8bの本発明による塊成化粒子は、図9の比較例3による粒子より、真球度が高く、均一性が高い粒子を含むことが分かるであろう。表4のデータから分かるように、本発明の方法により調製した塊成化粒子(実施例3)は、比較例3により調製された粉末より、+80メッシュの粗い粒子がより少なく、−325メッシュの細かい粒子はより少なく、流量はより大きかった。
(実施例4)
Nbのマグネシウムによる還元により得られたニオブ粉末(材料4)のBET表面積、スコット嵩密度、FSSS及び粒径分布のデータを表1に列挙した。このニオブ粉末を、バフラーを備える水タンク内で、約400rpmの撹拌によって細かく砕いた。この細かく砕いた粉末のBET表面積、スコット嵩密度、FSSS及び粒径分布のデータを表2に示した。
前記の細かく砕いたニオブ粒子の10キログラムの量を工業用鍋に移し、溶かした500mgのNHPOを含む3500mlのDI水溶液を振りかけ、30分間染み込ませた。染み込ませたニオブ粉末を、手動で撹拌して、ニオブ粒子の細孔に液体が一様に吸収されるようにし、次いで、造粒機で球状に造粒した。造粒した湿潤粒子を真空乾燥機内で、約90℃で約24時間乾燥して、1000μm未満の大きさの流動性予備塊成化粒子を形成させた。この予備塊成化粒子のSBD及び流量を表3に示した。
次いで、乾燥した予備塊成化ニオブ粒子をニオブのトレイに移し、粒子の入ったトレイを真空熱処理炉に入れて、1.33Pa未満の真空レベルで、約1040℃で30分間加熱した。熱処理の後、緩く塊成化した粒子を80メッシュの篩で篩にかけた。塊成化粒子の−80メッシュ部分をマグネシウムにより脱酸素し、酸浸出し、乾燥した。得られた塊成化ニオブ粒子の顕微鏡写真を図10に示した。得られた塊成化ニオブ粒子の流量、FSSS、スコット嵩密度、BET表面積、粒径分布、篩分析、及びO、Nの含量のデータを表4に列挙した。
上のニオブ粉末をプレスして、直径3.0mm、長さ3.8mmの大きさで、約3.0g/cmの密度のペレット(各々は、約80mgの重さであった)とした。これらのペレットを、真空炉内で、約1150℃で20分間焼結して、焼結ペレットを形成させた。
前記の焼結ペレットを、0.1vol%のリン酸溶液中、80℃で30Vに約4時間保ってアノード酸化して、電解質コンデンサーアノードを形成させた。この電解質コンデンサーアノードの容量及びDC漏れ電流のデータを測定し、表4に列挙した。
(実施例5)
ナトリウム及びCaClによるTaの還元により製造されたタンタル粉末(材料5)のBET表面積、スコット嵩密度、FSSS及び粒径分布を表1に列挙した。タンタル粉末を、バフラーを備える水タンク内で、約200rpmの撹拌によって細かく砕き、このタンタル含有スラリーにエタノールを加えた(エタノールと水の比は約1:1(w/w)である)。このスラリーを遠心機で濾過して、溶液(エタノール−水)を含むケーキ(最終的に、タンタル粒子と溶液(エタノール−水)との比(重量で)は約1:0.10〜0.25であった(時間のかからない水含量試験機により測定、測定試料は表2に示す性質を示した))を形成させ、次いで、このケーキを造粒機に移し、造粒して、湿潤塊成化粒子を形成させた。湿潤塊成化粒子を、真空乾燥機内で、約60℃で約24時間乾燥して、1000μm未満の大きさの流動性予備塊成化粒子を形成させた。予備塊成化粒子のスコット嵩密度及び流量のデータを表3に示した。
次いで、乾燥した予備塊成化粉末に、粉末のリン含量が重量で約120ppmとなるように、リン源としてヘキサフルオロリン酸アンモニウム(NHPF)用いてドープした。ドープした粉末をタンタルのトレイに移した。粒子の入ったトレイを、真空熱処理炉に入れて、1.33Pa未満の真空レベルで、約1060℃で30分間加熱した。熱処理の後、緩く塊成化した粒子を80メッシュの篩により篩にかけた。塊成化粒子の−80メッシュ部分を、マグネシウムにより脱酸素し、酸浸出し、乾燥し、この塊成化タンタル粒子の流量、FSSS、スコット嵩密度、BET表面積、粒径分布、篩分析、及びO、Nの含量のデータを測定し、表4に列挙した。この塊成化タンタル粒子のSEM写真を図11に示した。
上のタンタル粉末をプレスして、矩形のペレット(各々は、約40mgの粉末重量、2.62mm×2.22mm×1.45mmの大きさ、及び4.74g/cmの密度を有していた)とした。これらのペレットを、真空炉内で、約1200℃で20分間焼成して、焼結ペレットを形成させた。この焼結ペレットを、0.01vol%のリン酸溶液中、約60℃で16Vに約2時間保ってアノード酸化して、電解質コンデンサーアノードを形成させた。この電解質コンデンサーアノードの容量及びDC漏れ電流のデータを測定し、表4に列挙した。
(実施例6)
液体ナトリウムによるフッ化タンタルカリウムの還元により得られたタンタル粉末(材料6)のBET表面積、スコット嵩密度、FSSS及び粒径分布のデータを表1に列挙した。このタンタル粉末を、水タンク中で、超音波衝撃によって細かく砕き、次いで、濾過し、乾燥した。細かく砕いた粉末のBET表面積、スコット嵩密度、FSSS及び粒径分布のデータを表2に列挙した。細かく砕いたタンタル粒子の500グラムの試料を工業用鍋に移し、溶かした350mgのNHPOを含む180mlのDI水溶液を加え、60分間染み込ませ、手動で撹拌し、次いで、造粒機で造粒して、湿潤塊成化粒子を形成させた。湿潤塊成化粒子を、真空乾燥機内で、約60℃で約24時間乾燥して、1000μm未満の大きさの流動性予備塊成化粒子を形成させ、これらの粒子のSBD及び流量を表3に示した。
次いで、乾燥した予備塊成化タンタル粒子をタンタルトレイに移した。粒子が入ったトレイを真空熱処理炉に入れて、1.33Pa未満の真空レベルで、約1050℃で30分間加熱して、塊成化粒子を形成させた。この熱処理した粉末を100メッシュの篩で篩にかけた。−100メッシュの粉末をマグネシウムにより脱酸素し、窒素をドープし、その後、酸浸出し、乾燥して、結果として生じた粉末を得た。この結果として生じた粉末の流量、FSSS、スコット嵩密度、BET表面積、粒径分布、篩分析、及びO、Nの含量のデータを表4に列挙した。
上のタンタル粉末をプレスしてペレット(各々は、約100mgの重さ、直径が約3.00mmで長さが約2.83mmの大きさ、約5.0g/cmの密度を有していた)とした。これらのペレットを、真空炉内で、約1250℃で20分間焼成して、焼結ペレットを形成させた。これらの焼結ペレットを、0.1vol%のリン酸溶液中、80℃で10Vに約2時間保ってアノード酸化して、電解コンデンサーアノードを形成させた。この電解コンデンサーアノードの容量及びDC漏れ電流のデータを測定して、表4に列挙した。
Figure 0005197369

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上で記載したように、本発明の方法による流動性塊成化タンタル及び/又はニオブの粒子は、ほぼ球状の形態、適切なスコット嵩密度、従来の粉末より少ない+80メッシュの粗い粒子及び少ない−325メッシュの細かい粒子、より大きな流量及びより大きなグリーンペレット破壊強度によって特徴付けられる。本発明の方法によって製造された粉末から焼結されたアノードは、従来の粉末で得られた生成物より、0.2μm〜0.6μmの範囲でより中央に集まった細孔径分布を有し、0.2μm未満の細孔はより少なく、1.0μmより大きい細孔はより少ない。本発明の方法による流動性塊成化タンタル及び/又はニオブの粒子は、電解質及びカソード材料を含侵させ、また固体電解質コンデンサーのESRを低下させるのに有利である。本発明の方法によって生成した粉末から製造した電解質コンデンサーアノードは、大きなCV及び小さいDC漏れ電流を有する。
本発明の他の実施形態は、本明細書において開示された本発明の細目及び実施を考慮することにより、当業者には明らかであろう。細目及び実施例は単なる例示と考えられており、本発明の真の範囲及び精神は特許請求の範囲に示されていると想定されている。
本発明の実施例1により調製された、細かく砕かれただけの粉末の走査電子顕微鏡(SEM)写真である。 本発明の実施例1による、独立した球状の予備塊成化粒子のSEM写真である。 本発明の実施例1による、熱処理及び脱酸素された粒子のSEM写真である。 比較例1のタンタル粉末のSEM写真である。 本発明の実施例1によるタンタル粉末から焼結されたアノードの表面のSEM写真である。 比較例1のタンタル粉末から焼結されたアノードの表面のSEM写真である。 本発明の実施例2による、熱処理及び脱酸素された粒子の異なる倍率でのSEM写真である。 本発明の実施例2による、熱処理及び脱酸素された粒子の異なる倍率でのSEM写真である。 フレーク状タンタル粉末の横断面のSEM写真である。 本発明の実施例3による、熱処理及び脱酸素された粒子のSEM写真である。 本発明の実施例3による、熱処理及び脱酸素された粒子のSEM写真である。 比較例3のタンタル粉末のSEM写真である。 本発明の実施例4によるニオブ粉末のSEM写真である。 本発明の実施例5による塊成化粒子のSEM写真である。 実施例1及び比較例1の細孔径分布を示す。 本発明の実施例2による、出発粉末(曲線1)、細かく砕かれただけの粉末(曲線2)及び塊成化粉末(曲線3)の粒径分布を示す。 本発明の実施例3及び比較例3によるグリーンペレットの破壊強度を示す。

Claims (13)

  1. a)金属粒子を細かく砕いて50μm未満のD50を有する細かい粒子を形成させるステップであって、前記金属粒子がタンタル及び/又はニオブの粒子を含むものと、
    b)その細かく砕いた金属粒子を揮発性液体と結合させるステップと、
    c)その揮発性液体と結合してなる細かく砕いた金属粒子を、造粒機で造粒して湿潤粒子を形成させるステップと、
    d)湿潤粒子を乾燥し、該揮発性液体を除去して、嵩密度が増加した流動性予備塊成化粒子を形成させるステップであって、該流動性予備塊成化粒子が、1000μm未満の大きさで、2.0g/秒以上の流量を有する、ステップと、
    e)その予備塊成化粒子を熱処理するステップと、
    f)熱処理した粒子を篩にかけて、球状の流動性塊成化粒子を得るステップと
    を含む、金属粒子を球状に造粒し塊成化する方法。
  2. ステップ(d)における流動性予備塊成化粒子が、500μm未満の大きさである、請求項1に記載の方法。
  3. ステップ(b)における揮発性液体が脱イオン水又は水溶液である、請求項1に記載の方法。
  4. ステップ(c)の揮発性液体と結合した細かく砕いた金属粒子が、その細かく砕いた金属粒子の2wt%から50wt%である、請求項1に記載の方法。
  5. ステップ(d)での湿潤粒子の乾燥が、乾燥機中で、少なくとも16時間、50〜200℃の温度で加熱することによって実施される、請求項1に記載の方法。
  6. 細かく砕いた粒子の嵩密度に対する流動性塊成化粒子のスコット嵩密度の比率が1を超える、請求項1に記載の方法。
  7. ステップ(e)が、20〜60分間、850〜1700℃の温度の真空下で、タンタル及び/又はニオブの粒子を熱処理することを含む、請求項1に記載の方法。
  8. 前記流動性塊成化粒子がタンタル粒子である、請求項1に記載の方法。
  9. 前記流動性塊成化粒子がニオブ粒子である、請求項1に記載の方法。
  10. 前記流動性塊成化粒子の流量が2.5g/秒以上である、請求項8に記載の方法。
  11. 前記流動性塊成化粒子の流量が4g/秒以上である、請求項10に記載の方法。
  12. 前記流動性塊成化粒子の流量が2.5g/秒以上である、請求項9に記載の方法。
  13. 前記流動性塊成化粒子の流量が2.7g/秒以上である、請求項12に記載の方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3711992B2 (ja) * 2003-10-15 2005-11-02 住友電気工業株式会社 顆粒状の金属粉末
JP4872663B2 (ja) * 2006-12-28 2012-02-08 株式会社日立製作所 接合用材料及び接合方法
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US7760487B2 (en) * 2007-10-22 2010-07-20 Avx Corporation Doped ceramic powder for use in forming capacitor anodes
JP4868601B2 (ja) * 2007-12-05 2012-02-01 Necトーキン株式会社 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JP2009164412A (ja) * 2008-01-08 2009-07-23 Kobe Steel Ltd 多孔質金属薄膜およびその製造方法、ならびにコンデンサ
CN100528418C (zh) * 2008-01-11 2009-08-19 宁夏东方钽业股份有限公司 含氮均匀的阀金属粉末及其制造方法,阀金属坯块和阀金属烧结体以及电解电容器的阳极
JP5654213B2 (ja) * 2008-11-27 2015-01-14 グローバルアドバンストメタルジャパン株式会社 タンタル凝集粒子の製造方法、タンタルペレットおよびキャパシタ
US8203827B2 (en) * 2009-02-20 2012-06-19 Avx Corporation Anode for a solid electrolytic capacitor containing a non-metallic surface treatment
CN101491834B (zh) * 2009-03-05 2012-06-20 宁夏东方钽业股份有限公司 钽粉的制备方法
JP2010265520A (ja) * 2009-05-15 2010-11-25 Cabot Supermetal Kk タンタル混合粉末及びその製造方法、並びにタンタルペレット及びその製造方法。
US8687347B2 (en) * 2011-01-12 2014-04-01 Avx Corporation Planar anode for use in a wet electrolytic capacitor
US8477479B2 (en) 2011-01-12 2013-07-02 Avx Corporation Leadwire configuration for a planar anode of a wet electrolytic capacitor
KR101811305B1 (ko) 2011-07-04 2017-12-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
US9555473B2 (en) 2011-10-08 2017-01-31 The Boeing Company System and method for increasing the bulk density of metal powder
JP6077274B2 (ja) * 2012-11-15 2017-02-08 グローバルアドバンストメタルジャパン株式会社 窒素含有タンタル粉末およびその製造方法
US10207327B2 (en) * 2013-08-20 2019-02-19 The Trustees Of Princeton University Density enhancement methods and compositions
US9312075B1 (en) 2013-09-06 2016-04-12 Greatbatch Ltd. High voltage tantalum anode and method of manufacture
US9633796B2 (en) 2013-09-06 2017-04-25 Greatbatch Ltd. High voltage tantalum anode and method of manufacture
USRE48439E1 (en) 2013-09-06 2021-02-16 Greatbatch Ltd. High voltage tantalum anode and method of manufacture
CN104858436B (zh) * 2014-02-21 2018-01-16 宁夏东方钽业股份有限公司 高可靠高比容电解电容器用钽粉的制备方法
CA2972974C (en) * 2014-05-13 2021-07-13 University Of Utah Research Foundation Production of substantially spherical metal powders
US10737322B2 (en) 2014-08-20 2020-08-11 Ningzia Orient Tanatum Industry Co., Ltd. Composite tantalum powder and process for preparing the same and capacitor anode prepared from the tantalum powder
GB2538211B (en) 2014-11-03 2018-09-26 Ningxia Orient Tantalum Ind Co Ltd Tantalum powder and process for preparing the same, and sintered anode prepared from the tantalum powder
WO2016088947A1 (ko) * 2014-12-05 2016-06-09 한양대학교에리카산학협력단 금속 분말, 피드스톡, 및 그들의 제조 방법
KR20160069447A (ko) 2014-12-05 2016-06-16 한양대학교 에리카산학협력단 금속 분말, 그 제조 방법, 및 이를 이용한 성형품의 제조 방법
WO2016141339A1 (en) * 2015-03-04 2016-09-09 Aramco Services Company Adaptive optics for imaging through highly scattering media in oil reservoir applications
US10074487B2 (en) * 2015-05-18 2018-09-11 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor having a high capacitance
JP6716386B2 (ja) * 2016-08-03 2020-07-01 太平洋セメント株式会社 金属タンタル粒子の製造法
WO2018031943A1 (en) 2016-08-12 2018-02-15 Composite Materials Technology, Inc. Electrolytic capacitor and method for improved electrolytic capacitor anodes
WO2018045339A1 (en) 2016-09-01 2018-03-08 Composite Materials Technology, Inc. Nano-scale/nanostructured si coating on valve metal substrate for lib anodes
JP6844225B2 (ja) * 2016-11-30 2021-03-17 セイコーエプソン株式会社 焼結用粉末および焼結体の製造方法
US11534830B2 (en) * 2017-12-28 2022-12-27 Ningxia Orient Tantalum Industry Co., Ltd Tantalum powder and preparation method therefor
WO2019173087A1 (en) * 2018-03-05 2019-09-12 Global Advanced Metals Usa, Inc. Anodes containing spherical powder and capacitors
JP6824320B2 (ja) * 2019-04-15 2021-02-03 ニンシア オリエント タンタル インダストリー カンパニー、 リミテッド タンタル粉末及びその製造方法並びにタンタル粉末から製造される焼結アノード
US20220080502A1 (en) * 2020-09-14 2022-03-17 Kemet Electronics Corporation Freeze Drying and Tumble Drying of Flake Powder
CN112620636B (zh) * 2020-12-15 2021-09-03 江门富祥电子材料有限公司 一种耐高压片形钽粉的生产方法
CN114472883B (zh) * 2022-01-27 2024-01-30 长沙南方钽铌有限责任公司 一种钽颗粒的制造工艺

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL247542A (ja) * 1959-01-20
US3934179A (en) * 1972-09-20 1976-01-20 Fansteel Inc. Tantalum anode for electrolytic devices
US3881911A (en) * 1973-11-01 1975-05-06 Gte Sylvania Inc Free flowing, sintered, refractory agglomerates
US4017302A (en) * 1976-02-04 1977-04-12 Fansteel Inc. Tantalum metal powder
US4141719A (en) * 1977-05-31 1979-02-27 Fansteel Inc. Tantalum metal powder
US5082491A (en) * 1989-09-28 1992-01-21 V Tech Corporation Tantalum powder with improved capacitor anode processing characteristics
JP3105294B2 (ja) 1991-04-30 2000-10-30 昭和キャボットスーパーメタル株式会社 タンタル粉末の造粒方法
JPH086122B2 (ja) * 1991-06-06 1996-01-24 昭和キャボットスーパーメタル株式会社 タンタル粉末の造粒方法
US5954856A (en) * 1996-04-25 1999-09-21 Cabot Corporation Method of making tantalum metal powder with controlled size distribution and products made therefrom
CN1068809C (zh) 1997-04-29 2001-07-25 宁夏有色金属冶炼厂 团化钽粉的生产方法
CN1073480C (zh) * 1998-05-08 2001-10-24 宁夏有色金属冶炼厂 团化钽粉的生产方法
US6576038B1 (en) 1998-05-22 2003-06-10 Cabot Corporation Method to agglomerate metal particles and metal particles having improved properties
JP3871824B2 (ja) * 1999-02-03 2007-01-24 キャボットスーパーメタル株式会社 高容量コンデンサー用タンタル粉末
CN1169643C (zh) * 2001-09-29 2004-10-06 宁夏东方钽业股份有限公司 高比表面积钽粉和/或铌粉的制备方法
WO2004103906A2 (en) * 2003-05-19 2004-12-02 Cabot Corporation Methods of making a niobium metal oxide and oxygen reduced niobium oxides

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