CN1416301A - 有机场致发光器件 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种有机场致发光器件，其包括第一电极、第二电极以及具有一种发红光材料的客体材料和至少两种主体材料的发光层，该发光层在第一电极和第二电极之间形成。所述主体材料之一是包括以下结构式的复合物见式，另外，所述主体材料之一可以是取代或未取代的喹啉衍生物。

Description

有机场致发光器件
本申请要求2001年10月30日提交的韩国申请P2001-67267的优先权，将该申请在此引入作为参考。
技术领域
本发明涉及一种有机场致发光器件，更具体地说，本发明涉及一种其发红光层的发光效率得到极大提高的有机场致发光器件。
背景技术
最近，相应于显示器屏幕的尺寸不断增大的趋势，更需要占据空间更小的平板显示器。其中一种平板显示器被称为有机发光二极管(OLED)或有机场致发光显示器。并且，关于有机场致发光显示器的技术发展迅速，因此市场上已出现了各种样机。
有机场致发光器件的发光方式是：将电荷注入空穴注入电极(阳极)与电子注入电极(阴极)间形成的有机层以形成电子空穴对，从而产生激发子，激发子从激发态回到基态而发光。
有机场致发光器件具有视角宽、响应快、对比度高等优异特性，因此可应用于图形显示器的象素、电视视频显示器、面光源的象素等。而且，有机场致发光器件可以在柔韧的透明基材(例如塑料基材)上形成，并且可以将其制得又薄又轻并显示出优异的色调。因此，这种有机场致发光器材适用于下一代的平板显示器(FPD)。
另外，有机场致发光器件能够显示包括绿色、蓝色和红色的三原色，其不需要众所周知的液晶显示器(LCD)的背光因而功耗较小，而且其色调极好。因此，关注的焦点是将有机场致发光器件作为下一代彩色显示器。
下面简要地说明制造传统有机场致发光器件的方法。
(1)首先，在透明基材上形成阳极。在这种情况下，将ITO(氧化铟锡)用作阳极材料。
(2)在阳极上形成空穴注入层(HIL)。主要用CuPC(铜酞菁)作为空穴注入层，形成的层厚10～30nm。
(3)形成空穴传递层(HTL)。空穴传递层由NPB{4，4’-二[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]-联苯基}形成，该层厚30～60nm。
(4)在空穴传递层上形成有机发光层。在这种情况下，如果必要，可向其中加入掺杂物。例如，如果发绿色光，就用Alq3{三(8-羟基-喹啉醇(guinolate))铝}作为有机发光层，形成的层厚30～60nm。并且，用MQD(N-甲基喹吖啶酮)作为掺杂物。
(5)在有机发光层上依次形成电子传递层(ETL)和电子注入层(EIL)，或者在其上形成电子注入传递层。
发绿色光时，用于有机发光层中的Alq3电子传递性能极好，因此可以不另外形成电子注入/传递层。
(6)最后，形成阴极，然后形成钝化层。
以这种结构，根据有机发光层形成方式的不同能够获得每种蓝色、绿色和红色的发光器件。然而，难以获得高效的红色光。
通常，用空穴注入能力和热稳定性极好的CuPC作为OELD(有机场致发光显示器)中的空穴注入层。
形成的CuPC越厚，空穴注入越多。然而，颜色会很强地转向蓝色。
因此，在彩色OELD的发光中红色波长被吸收，结果大大降低了红色的效率。
如果未能用CuPC作为空穴注入层，则空穴传递层的Tg(玻璃化转变温度)低，造成阳极与空穴传递层之间裂解，结果降低了器件的耐用性。
另外，当形成的CuPC厚10～60时，很难吸收红色波长，但是降低了空穴注入，结果大大降低了器件的效率。
发明内容
因此，本发明涉及一种有机场致发光器件，其基本上消除了由于相关技术的局限与缺点所产生的一种或多种问题。
本发明的目的是提供一种有机场致发光器件，其能够通过改进主系统来提高红色光的效率，该主系统能有效地将能量传递给发红光材料。
在随后的说明中对本发明其它优点、目的和特征的一部分进行了阐述，而另一部分对于本领域普通技术的人而言，在参阅以下内容后是显而易见的，或者可以从本发明的实践中获悉。由说明书和权利要求书以及附图中特别指出的结构，可以实现并获得本发明的各种目的和其它优点。
为了实现这些目的和其它优点并且达到本发明的目标，如这里的具体表达以及概括描述，本发明的有机场致发光器件包括第一电极、第二电极和发光层，该发光层具有发红光材料的客体(guest)材料和至少两种主体(host)材料，该发光层在第一电极和第二电极之间形成。
优选，发光层的组成包括0.01～30wt/％的客体材料和0.05～99.9wt/％的主体材料。
优选，客体材料选自DCM衍生物、尼罗红(Nile red)衍生物、香豆素(Coumarine)衍生物、若丹明衍生物、pyrromethene衍生物以及苯并噻吨(benzothioxanphene)衍生物。
优选，主体材料之一是包括以下结构式的复合物：
其中(m+n)是1-8的整数；
z是A1或-A2-Q-A3-，
A1选自取代或未取代的芳烃基、杂环基或脂族烃基，其中如果A1是芳烃基或杂环基则A1与氮(N)之间的键与脂族烃基或者酰胺或亚胺键相连。
A2和A3各自独立地是取代或未取代的芳烃基或杂环基，A2、A3与氮(N)的键能够与芳烃基或者酰胺或亚胺键相连。
Q是取代或未取代的芳烃基、杂环基或脂族烃基，或者是IIIB、IVB、VB和VIB族的元素，其中如果Q是取代或未取代的芳烃基或杂环基，则Q-A2、Q-A3或Q-A2-A3的键与脂族烃基，IIIB、IVB、VB和VIB族的元素，取代或未取代的脂族烃基，或者酰胺、酯、羰基、偶氮以及亚胺的键相连；并且
L1、L2、L3和L4分别选自取代或未取代的芳烃基、杂环基、脂族烃基、甲硅烷基和氢原子，其中L1、L2、L3和L4能够彼此化学键合，它们彼此相同或彼此不同。
优选，主体材料之一是取代或未取代的喹啉衍生物。
在本发明的另一个方面，有机场致发光器件包括第一电极、第二电极、发光层和空穴注入/传递层，该发光层具有发红光材料的客体材料和至少两种主体材料，其在第一电极和第二电极之间形成，该空穴注入/传递层在第一电极和发光层之间形成。
优选，最大PL发光峰值是至少550nm，第一主体材料和第二主体材料的最大PL发光峰值是500～600nm。
应当理解，对本发明的以上概述和以下详细说明都是用以示范和说明，并且是为了进一步解释本发明的权利要求。
附图说明
为了进一步理解本发明而加入了附图，其构成本申请的一部分，附图举例说明了本发明的实施方案，并用来与说明书一起阐明本发明的原理。图中：
图1A和图1B分别图示了用于本发明的NPB和CuPC的结构式；
图2A图示的曲线是其发光层仅包含第一主体的器件的EL峰值波长范围，以及其发光层仅包含第二主体的器件的EL波长范围；和
图2B图示的曲线是其发光层包含第一主体和第二主体混合物的器件的EL波长范围。
具体实施方式
现在详细地论及本发明的优选实施方案，其实施例在附图中有图示。只要有可能就在附图各处使用相同标引号来指相同的或类似的部分。
本发明的有机场致发光器件包括第一电极、第二电极和发光层，该发光层由发红光材料的客体材料和至少两种主体材料组成，其在第一电极和第二电极之间形成。
在这种情况下，发光层的组成包括0.01～30wt/％的客体材料和0.05～99.9wt/％的主体材料。
并且，客体材料选自DCM衍生物、尼罗红衍生物、香豆素衍生物、若丹明衍生物、pyrromethene衍生物以及苯并噻吨衍生物。
另外，主体材料之一是包含以下结构式的复合物。
Figure A0214812500221
其中(m+n)是1-8的整数；
z是A1或-A2-Q-A3-，
A1选自取代或未取代的芳烃基、杂环基或脂族烃基，其中如果A1是芳烃基或杂环基则A1与氮(N)之间的键与脂族烃基或者酰胺或亚胺键相连。
A2和A3各自独立地是取代或未取代的芳烃基或杂环基，A2、A3与氮(N)的键能够与芳烃基或者酰胺或亚胺键相连。
Q是取代或未取代的芳烃基、杂环基或脂族烃基，或者是IIIB、IVB、VB和VIB族的元素，其中如果Q是取代或未取代的芳烃基或杂环基，则Q-A2、Q-A3或Q-A2-A3的键与脂族烃基，IIIB、IVB、VB和VIB族的元素，取代或未取代的脂族烃基，或者酰胺、酯、羰基、偶氮以及亚胺的键相连；并且
L1、L2、L3和L4分别选自取代或未取代的芳烃基、杂环基、脂族烃基、甲硅烷基和氢原子，其中L1、L2、L3和L4能够彼此化学键合，它们彼此相同或彼此不同。
而且，主体材料之一可能是取代或未取代的喹啉衍生物。
根据本发明的另一个实施方案，有机场致发光器件包括第一电极、第二电极、发光层和空穴注入/传递层，该发光层由发红光材料的客体材料和至少两种主体材料组成，其在第一电极和第二电极之间形成，而空穴注入/传递层在第一电极和发光层之间形成，其中电子注入/传递层可以在第二电极和发光层之间形成。
在这种情况下，最大PL发光峰值是至少550nm，而第一主体材料和第二主体材料的最大PL发光峰值是500～600nm。
“PL(光致发光)峰值”是溶解在THF(四氢呋喃)、氯仿、乙酸乙酯等溶剂中之后液态的峰值。
本发明的发光层的组成为0.01-30wt/％的客体，0.05-99.9wt/％的第一主体，以及0.05～99.9wt/％的第二主体。
用于本发明的第一主体是具有以下结构式的化合物。
Figure A0214812500231
其中(m+n)是1-8的整数；
z是A1或-A2-Q-A3-，
A1选自取代或未取代的芳烃基、杂环基或脂族烃基，其中如果A1是芳烃基或杂环基则A1与氮(N)之间的键与脂族烃基或者酰胺或亚胺键相连。
A2和A3各自独立地是取代或未取代的芳烃基或杂环基，A2、A3与氮(N)的键能够与芳烃基或者酰胺或亚胺键相连。
Q是取代或未取代的芳烃基、杂环基或脂族烃基，或者是IIIB、IVB、VB和VIB族的元素，其中如果Q是取代或未取代的芳烃基或杂环基，则Q-A2、Q-A3或Q-A2-A3的键与脂族烃基，IIIB、IVB、VB和VIB族的元素，取代或未取代的脂族烃基，或者酰胺、酯、羰基、偶氮以及亚胺的键相连；并且
L1、L2、L3和L4分别选自取代或未取代的芳烃基、杂环基、脂族烃基、甲硅烷基和氢原子，其中L1、L2、L3和L4能够彼此化学键合，它们彼此相同或彼此不同。
优选，该IIIB、IVB、VB和VIB族的元素选自B、C、Si、N、O、S和Se。
每个连接A1/A2/A3/N、A2/Q以及A3/Q的脂族烃基都分别具有1-12个碳原子。优选，该脂族烃基选自亚甲基、亚乙基、1，3-亚丙基、亚环己基、二价金刚烷基(adamanthanediyl)以及亚乙烯基。
A1、A2、A3或Q的取代基选自芳氧基、芳基羰基、芳氧基羰基、芳基羧基、芳烷基、芳基氨基羰基、芳基羰基氨基、芳基甲硅烷基、烷基、烷氧基、烷氧羰基、酰基、酰氧基、酰氨基、烷氨基、烷氨基羰基、烷基硫烷基、烷基甲硅烷基、氨基甲酰基、羟基、氨基、氰基、硝基以及硫醇基和卤素原子。更优选，该取代基选自苯氧基、萘氧基、苯基羰基、萘氧基羰基、苯基羧基、苄基、苯乙烯基、乙烯基、苯胺基羰基、苯甲酰氨基、三苯基甲硅烷基、甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基、环己基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、甲酯基、乙酯基、甲酰基、丙酰基、乙酰氧基、丙酰氨基、二甲氨基、二异丙基氨基、乙基硫烷基以及三甲基甲硅烷基、F和Cl。
每一个A1、A2、A3和Q都能够具有至少两个这样的取代基。在这种情况下，至少两个这样的取代基彼此键合从而可形成饱和或不饱和的环。
A1或Q的脂族烃基选自亚甲基、亚乙基、亚环己基以及二价金刚烷基。而且，每一个A1、A2、A3和Q的芳烃基或杂环基都选自具有以下结构式的化合物。
Figure A0214812500251
每一个L1、L2、L3和L4选自具有以下结构式的化合物。
Figure A0214812500271
Figure A0214812500281
同时，每一个L1、L2、L3和L4的取代基都选自芳氧基、芳基氨基、烷氧基、烷基、烷氨基、羟基、氨基、羰基、酰胺以及羧基和卤素原子。更优选，该取代基选自苯氧基、甲苯氧基、乙烯基、醛基、甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基、环己基、二苯氨基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、二甲基氨基以及羧酸基团、F和Cl。
本发明的第一主体可以选自具有以下结构的化合物。
Figure A0214812500291
Figure A0214812500301
用于本发明的第二主体可以是取代或未取代的喹啉衍生物。优选，该第二主体是8-羟基喹啉金属络合物，其含有的金属选自Al、Zn、Mg和Li，更优选具有以下结构式的三(8-喹啉醇化物)铝。
另外，本发明客体的最大PL发光峰值等于或大于550nm。并且，该客体选自DCM、尼罗红、香豆素、若丹明、pyrromethene以及苯并噻吨衍生物。
优选，该DCM衍生物具有以下结构式。
Figure A0214812500371
图2A和图2B是显示本发明特征的曲线图。图2A图示了其发光层仅包含第一主体的器件{NPB(600)/第一主体(200)/Alq3(300)/LiF/Al}的EL峰值1，以及其发光层仅包含第二主体的器件{NPB(600)/Alq3(200)/Alq3(300)/LiF/Al}的EL峰值2的曲线。图2A中的纵轴为归一化的EL强度。
并且，图2B图示了第一主体材料和第二主体材料相互混合用作发光层时的器件{NPB(600)/第一主体+Alq3(200)/Alq3(300)/LiF/Al}的EL峰值3的曲线。
参照图2B可见，一起使用第一主体材料和第二主体材料的器件的EL峰值位于仅使用第一主体材料的器件的EL峰值与仅使用第二主体的器件的另一峰值之间。
如图2B所示，本发明的EL(场致发光)峰值是520～600nm，因而在Alq3和第一主体之间。
此后，通过以下合成本发明主体材料的合成实施例以及举例说明使用本发明主体材料制造有机场致发光器件的实施方案来详细解释本发明。然而，对于本领域的技术人员显而易见的是，可对本发明进行各种修改和变化，只要这些修改和变化落入本发明权利要求及其等同方案的范围内。A.根据本发明合成主体材料合成实施例1：合成J-1化合物
1)合成3-溴苝
Figure A0214812500381
首先，在双口圆底烧瓶中将2g(0.008mol)苝溶于DMF(50ml)，然后在室温下将溶于DMF(40ml)的1.41g NBS(0.008mol)缓慢滴入该双口圆底烧瓶。
将溶液搅拌1小时，然后终止反应。
将反应物倒入甲醇进行沉淀，由此获得沉淀物。然后过滤沉淀物，萃取得到2g(75％)3-溴苝。
2)合成3-(N，N-二苯基氨基)-苝
Figure A0214812500382
将由上述合成方法1)获得的0.5g(0.00151mol)3-溴苝、0.51g(0.003mol)二苯胺、0.233g(0.0023mol)叔丁醇钠、0.046g BINAP{2，2’-二(二苯基膦基)-1，1’-二萘基}、0.016g醋酸铅(II)和50ml甲苯加入双口圆底烧瓶，回流24小时。
通过减压蒸馏从反应溶液中除去甲苯。用水洗涤反应溶液，再用甲醇洗涤并过滤。然后用THF/甲醇进行重结晶。
由此获得0.45g(71％)的3-(N，N-二苯氨基)-苝。合成实施例2：合成J-5化合物
1)合成(4-溴苯基)二苯基-胺
Figure A0214812500391
将10g(0.058mol)对溴苯胺、15ml(0.133mol)碘苯、0.5g 1，10-菲咯啉、0.32g CuCl、25g(0.464mol)KOH和100ml甲苯加入250ml的三口圆底烧瓶，该三口烧瓶上安装了Dean-Stark分水器，回流12小时。
通过减压蒸馏从反应溶液中除去甲苯。用水洗涤反应溶液，然后用二氯甲烷/甲醇进行重结晶，由此获得15.3g(81％)的(4-溴苯基)二苯基-胺。
2)合成4-(二苯氨基)苯基硼酸
Figure A0214812500392
将3.4g(0.0105mol)(4-溴苯基)-二苯基胺加入充分干燥的三口圆底烧瓶中，然后用40ml干燥的二乙醚将其溶解。
然后，安装干冰浴(-78℃)，在干冰浴中将正丁基锂(1.6M，9.84mi，0.0156ml己烷)缓慢滴入。将反应温度升高到0℃，反应进行约2小时，用干冰浴(-78℃)冷却，然后缓慢滴入2ml(0.00178mol)三甲基硼酸酯。
一旦温度升至室温，就再搅拌约3小时。
将1M的HCl滴入搅拌过的溶液中，然后用乙醚萃取3次。
进行减压蒸馏，用少量石油醚洗涤，然后过滤，由此获得1.51g(60％)的化合物。
3)合成3-(4-二苯氨基-苯基)苝
Figure A0214812500401
首先，将0.3g(0.0009mol)3-溴苝、0.39g(0.00135mol)4-(二苯氨基)苯基硼酸、1g(0.0020mol)K2CO3溶入30ml甲苯和30ml H2O中。
通入氮气约30分钟，加入相当于5mol％的3-溴苝的PD(pph3)4，然后回流并搅拌24小时。
除去其中的水，然后用H2O洗涤2-3次。
通过减压蒸馏从反应溶液中除去甲苯后，将反应物溶入THF，由此从甲醇中获得沉淀物。
从而获得0.29g(63％)的化合物。在THF溶剂中，PL峰值λmax是520nm。合成实施例3：合成J-17化合物
将5g(0.149mol)9，10-二溴蒽、9.8g(0.0447mol)N-苯基-1-萘胺、5.37g(0.052mol)叔丁醇盐、0.46g BINAO以及0.1g醋酸铅(II)加入单口圆底烧瓶中，并加入130ml甲苯。然后，将溶液回流并搅拌30小时。
通过减压蒸馏除去甲苯，将无甲苯的反应溶液洗涤两次。
使用THF和甲醇进行重结晶。
由此得到3.6g(40％)的化合物。
在THF溶剂中，PL峰值λmax是520nm。合成实施例4：合成J-33化合物
Figure A0214812500412
将1.5g(0.0035mol)萘基磷酸酯和2.4g(0.0088mol)4-二苯氨基苯甲醛加入双口圆底烧瓶中并溶入80ml的THF。然后在反应溶液中加入1.96g(0.018mol)KOtBu，在室温下搅拌24小时。
反应后加入甲醇，得到沉淀物。然后将沉淀物过滤，从而得到1.26g(80％)的化合物。B.制造有机场致发光器件第一实施方案
在本发明的第一实施方案中，将两种主体材料与发红光材料一起沉积在有机发光层上，以用于制造有机EL器件。
首先，将ITO玻璃制成样品，其大小为3mm×3mm。然后将样品ITO玻璃清洗。
将基材放在基准压力设定为1×10-6乇的真空室上，将CuPC(60)、NPB(350)、发光层(第一主体：第二主体：发红光材料)(200)、Alq3(500)、LiF(5)以及Al(1,000)依次沉积在ITO上。
分别将J-5化合物、Alq3和dcjtb用作发光层的第一主体、第二主体和发红光材料。在这种情况下，第一主体、第二主体和发红光材料混合的比例为1∶1∶0.02。
实验结果是：在1mA处的亮度显示612cd/m2(9.4V)，因此CIEx＝0.610，y＝0.382。第二实施方案
除了使用J-17化合物以外，用与本发明第一实施方案相同的方法进行本发明的第二实施方案。
实验结果是：在1mA处的亮度显示700cd/m2(9.8V)，因此CIEx＝0.605，y＝0.384。对比实施例
首先，将ITO玻璃制成样品，其大小为3mm×3mm。然后将样品ITO玻璃清洗。将基材放在基准压力设定为1×10-6乇的真空室上，将CuPC(60)、NPB(350)、发光层(200)、Alq3(500)、LiF(5)以及Al(1,000)依次沉积在ITO上。在这种情况下，该发光层仅包括Alq3和发红光材料，其混合的比例为1∶0.01。
实验结果是：在1mA处的亮度显示500cd/m2(10.0V)，因此CIEx＝0.607，y＝0.386。
如以上描述中所作的解释，本发明的有机场致发光器件使用发红光材料有效地传递能量，因此能够提高发红光效率。
因此，本发明使用这种发光层，能够得到尽管激励电压低也具有高效率的发红光器件。
对于本领域的技术人员显而易见的是，可对本发明进行各种修改和变化。因此，本发明想要覆盖本发明的这些修改和变化，只要这些修改和变化落入本发明权利要求及其等同方案的范围内。

Claims (27)

1.一种有机场致发光器件，其包括：
第一电极；
第二电极；以及
具有发红光材料的客体材料和至少两种主体材料的发光层，该发光层在第一电极和第二电极之间形成。
2.权利要求1的有机场致发光器件，其中所述发光层的组成包括0.01～30wt/％的客体材料和0.05～99.9wt/％的主体材料。
3.权利要求1的有机场致发光器件，其中所述客体材料选自DCM衍生物、尼罗红衍生物、香豆素衍生物、若丹明衍生物、pyrromethene衍生物以及苯并噻吨衍生物。
4.权利要求1的有机场致发光器件，其中所述主体材料之一是包含以下结构式的复合物：
其中(m+n)是1-8的整数；
z是A1或-A2-Q-A3-，
A1选自取代或未取代的芳烃基、杂环基或脂族烃基，其中如果A1是芳烃基或杂环基则A1与氮(N)之间的键与脂族烃基或者酰胺或亚胺键相连，
A2和A3各自独立地是取代或未取代的芳烃基或杂环基，A2、A3与氮(N)的键能够与芳烃基或者酰胺或亚胺键相连，
Q是取代或未取代的芳烃基、杂环基或脂族烃基，或者是IIIB、IVB、VB和VIB族的元素，其中如果Q是取代或未取代的芳烃基或杂环基，则Q-A2、Q-A3或Q-A2-A3的键与脂族烃基、IIIB、IVB、VB和VIB族的元素、取代或未取代的脂族烃基，或者酰胺、酯、羰基、偶氮以及亚胺的键相连；并且
L1、L2、L3和L4分别选自取代或未取代的芳烃基、杂环基、脂族烃基、甲硅烷基和氢原子，其中L1、L2、L3和L4能够彼此化学键合，它们彼此相同或彼此不同。
5.权利要求1的有机场致发光器件，其中所述主体材料之一是取代或未取代的喹啉衍生物。
6.一种有机场致发光器件，其包括：
第一电极；
第二电极；
具有发红光材料的客体材料和至少两种主体材料的发光层，该发光层在第一电极和第二电极之间形成；和
空穴注入/传递层，其在第一电极和发光层之间形成。
7.权利要求6的有机场致发光器件，其中电子注入/传递层在第二电极和发光层之间形成。
8.权利要求6的有机场致发光器件，其中所述发光层的组成是0.01～30wt/％的客体，0.05～99.9wt/％的第一主体以及0.05～99.9wt/％的第二主体。
9.权利要求6的有机场致发光器件，其中第一主体是具有以下结构式的化合物：
Figure A0214812500031
其中(m+n)是1-8的整数；z是A1或-A2-Q-A3-；
A1选自取代或未取代的芳烃基、杂环基或脂族烃基，其中如果A1是芳烃基或杂环基则A1与氮(N)之间的键与脂族烃基或者酰胺或亚胺键相连；
A2和A3各自独立地是取代或未取代的芳烃基或杂环基，A2、A3与氮(N)的键能够与芳烃基或者酰胺或亚胺键相连；
Q是取代或未取代的芳烃基、杂环基或脂族烃基，或者是IIIB、IVB、VB和VIB族的元素，其中如果Q是取代或未取代的芳烃基或杂环基，则Q-A2、Q-A3或Q-A2-A3的键与脂族烃基，IIIB、IVB、VB和VIB族的元素，取代或未取代的脂族烃基，或者酰胺、酯、羰基、偶氮以及亚胺的键相连；并且
L1、L2、L3和L4分别选自取代或未取代的芳烃基、杂环基、脂族烃基、甲硅烷基和氢原子，其中L1、L2、L3和L4能够彼此化学键合，它们彼此相同或彼此不同。
10.权利要求9的有机场致发光器件，其中所述IIIB、IVB、VB和VIB族的元素选自B、C、Si、N、O、S和Se。
11.权利要求9的有机场致发光器件，其中每一个连接A1/A2/A3/N、A2/Q以及A3/Q的脂族烃基都分别具有1-12个碳原子。
12.权利要求11的有机场致发光器件，其中所述脂族烃基选自亚甲基、亚乙基、1，3-亚丙基、亚环己基、二价金刚烷基以及亚乙烯基。
13.权利要求9的有机场致发光器件，其中A1、A2、A3或Q的取代基选自芳氧基、芳基羰基、芳氧基羰基、芳基羧基、芳烷基、芳基氨基羰基、芳基羰基氨基、芳基甲硅烷基、烷基、烷氧基、烷氧羰基、酰基、酰氧基、酰氨基、烷氨基、烷氨基羰基、烷基硫烷基、烷基甲硅烷基、氨基甲酰基、羟基、氨基、氰基、硝基以及硫醇基和卤素原子。
14.权利要求13的有机场致发光器件，其中所述取代基选自苯氧基、萘氧基、苯基羰基、萘氧基羰基、苯基羧基、苄基、苯乙烯基、乙烯基、苯胺基羰基、苯甲酰氨基、三苯基甲硅烷基、甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基、环己基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、甲酯基、乙酯基、甲酰基、丙酰基、乙酰氧基、丙酰氨基、二甲基氨基、二异丙基氨基、乙基硫烷基以及三甲基甲硅烷基、F和Cl。
15.权利要求9的有机场致发光器件，其中每个A1、A2、A3和Q具有至少两个所述取代基，以及其中至少两个取代基彼此键合从而形成饱和或不饱和的环。
16.权利要求9的有机场致发光器件，其中A1或Q的脂族烃基选自亚甲基、亚乙基、亚环己基以及二价金刚烷基，以及其中每个A1、A2、A3和Q的芳烃基或杂环基选自具有以下结构式的化合物：
Figure A0214812500061
17.权利要求9的有机场致发光器件，其中每个L1、L2、L3和L4独立地选自具有以下结构式的化合物：
Figure A0214812500081
18.权利要求9的有机场致发光器件，其中每个L1、L2、L3和L4的取代基选自芳氧基、芳氨基、烷氧基、烷基、烷氨基、羟基、氨基、羰基、酰胺以及羧基和卤素原子。
19.权利要求18的有机场致发光器件，其中所述取代基选自苯氧基、甲苯氧基、乙烯基、醛基、甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基、环己基、二苯基氨基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、二甲基氨基以及羧酸基团、F和Cl。
20.权利要求6的有机场致发光器件，其中第一主体选自具有以下结构的化合物：
Figure A0214812500121
Figure A0214812500151
21.权利要求6的有机场致发光器件，其中第二主体是取代或未取代的喹啉衍生物。
22.权利要求21的有机场致发光器件，其中第二主体是8-羟基喹啉金属络合物，其包含的金属选自Al、Zn、Mg和Li。
23.权利要求22的有机场致发光器件，其中第二主体是三(8-喹啉醇化物)铝。
24.权利要求6的有机场致发光器件，其中所述客体的最大PL发光峰值等于或大于550nm。
25.权利要求24的有机场致发光器件，其中所述客体选自DCM、尼罗红、香豆素、若丹明、pyrromethene以及苯并噻吨衍生物。
26.权利要求25的有机场致发光器件，其中所述DCM衍生物具有以下结构式：
Figure A0214812500161
27.权利要求6的有机场致发光器件，其中第一主体材料和第二主体材料的最大PL发光峰值分别为500～600nm。
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