CN1383206A - 半导体器件 - Google Patents

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Abstract

一种半导体器件,包括:半导体基衬(1),其上形成电路元件形成区和多个连接盘(2,2A,2B);第一柱状电极(6),形成于第一连接盘(2)上以便电连接到第一连接盘;第一导电层(5－1),形成于所述第二连接盘(2A)上以便电连接到第二连接盘;封装膜(7),至少围绕着所述第一柱状电极形成于半导体基衬和第一导电层上;和第二导电层(8),形成在封装膜(7)上以面对第一导电层。从所述第一和第二导电层(5－1,8)形成无源元件。

Description

半导体器件
技术领域
本发明涉及具有CSP(Chip Size Package，芯片尺寸包装)结构的半导体器件，其制造方法，和具有该半导体器件的电子器件。
背景技术
近来已知具有芯片和包装尺寸彼此几乎相等的CSP结构的半导体器件，并且其用于增加电路板上的安装密度。图16示出了这种结构的一个例子。图16是表示一个半导体器件20的截面图。半导体器件20具有通过将一个晶片切割成各芯片获得的所说的晶片级CSP结构，该晶片具有包括下列步骤的包装处理：保护膜形成步骤，导电层形成步骤，柱形成步骤，和树脂封装步骤。
从一个晶片形成半导体器件20。支撑一个电路元件或多个元件的半导体基衬1的表面(电路表面侧)具有从由铝电极等制成的多个连接盘2。在包括连接盘2的上表面的半导体基衬1的电路侧上形成由二氧化硅、氮化硅等制成的钝化膜(绝缘膜)3，以暴露每个连接盘2的中央。
在钝化膜3的上表面形成具有开口以暴露每个连接盘2的中央的保护膜4。保护膜4例如通过下列方式形成，在晶片1的整个电路表面侧施加聚酰亚胺基树脂，将树脂固化，用蚀刻溶液执行抗蚀图案和保护膜图案，并且去除抗蚀剂。
在以上述方式形成的保护膜4上形成电连接到连接盘2的导电层5。在导电层5上的预定部分形成由铝电极制成的柱6。在每个柱6的顶端面6a上已经自然形成的氧化膜被去除，并且进行涂敷金属处理诸如焊接印刷。柱6用于连接电路板上的一个端子(未示出)。柱6的高度至少是50微米，并且典型地约为100到150微米。柱6形成为直的形状，以吸收半导体基衬1和电路板之间热膨胀系数之差产生的压力。
在柱6之间的半导体基衬1的整个表面侧上形成由树脂诸如聚酰亚胺基树脂或环氧树脂制成的封装膜7。
由无源元件形成的滤波电路和天线单元需要通过使用具有上述晶片级CSP结构的半导体器件20，实现诸如蓝牙模块或GPS接收模块的RF射频电路。这些无源元件不能常规地安装在芯片内，并且作为分立元件安置在芯片外。这使得难以微型化模块。
在这种RF电路模块中，元件之间的布线长度影响频率特性，并且该长度难以进一步缩短。因此，频率特性难以进一步改善。
发明内容
本发明具有能够将无源元件诸如天线单元和容性元件或由它们构成的无源电路安装在一个芯片上、并且微型化半导体器件中的模块的优点，该半导体器件通过将一晶片切割成芯片而获得，并且具有其中芯片和封装尺寸几乎相等的CSP结构。本发明能够提供适合于具有天线单元被安装在一个芯片上的半导体器件的电子设备的安装结构。
为了取得上述优点，按照本发明的半导体器件包括：第一柱状电极，电连接到在半导体基衬上的多个连接盘中的至少一个第一连接盘，在该半导体基衬上形成电路元件形成区和多个连接盘；至少一个第一导电层，电连接到至少一个第二连接盘；封装膜，至少形成在所述第一柱状电极周围和半导体基衬上的第一导电层上；和至少一个第二导电层，形成在封装膜上以面向所述第一导电层。所述相面对的第一和第二导电层能够形成至少一个无源元件例如容性元件。所述半导体器件还包括：第二柱状电极，电连接到所述第二连接盘并且连接到所述第二导电层，和第三柱状电极，电连接到至少一个第三连接盘，并且连接到第二导电层。通过使用所述第二连接盘作为一个接地盘和所述第三连接盘作为一个馈电盘，一天线单元例如倒F状天线能够作为一个无源元件被形成。该半导体器件进一步包括：多个无源元件，和第三导电层，连接在两个无源元件之间，并且具有一薄膜无源元件。无源元件和薄膜无源元件能够形成一无源电路，例如滤波电路。
在半导体基衬的电路元件形成区上形成一无源元件或电路，并且被连接到半导体基衬的电路元件。能够微型化使用该半导体器件构成的模块。
在包括在其上以上述方法形成天线单元的半导体基衬和在其上安装半导体器件和形成多个布线图的布线板的电子设备中，在面向半导体器件的第二导电层的布线板的区域中没有形成布线图，或该区域是开口。该结构能够抑制天线性能的劣化，获得无线波的高发射效率。
为了取得上述优点，按照本发明的半导体器件制造方法，在半导体晶片基衬的每个芯片形成区中形成绝缘膜，该半导体晶片基衬具有多个芯片形成区，每个区具有一个电路元件形成区和多个连接盘。然后，第一柱状电极电连接到每个芯片形成区中的至少一个第一连接盘，在绝缘膜上形成第一导电层以便连接到至少一个第二连接盘。在绝缘膜和第一导电层上形成封装膜，在芯片形成区中的所述封装膜上形成面向所述第一导电层的至少一个第二导电层。在电路元件形成区上形成诸如天线单元或容性元件的无源元件或诸如滤波电路的无源电路。然后，半导体晶片基衬被切割成各个芯片形成区。
该方法允许在电路元件形成区上同时形成多个半导体器件，每个器件具有一个无源元件或电路。
附图说明
图1是表示按照本发明第一实施例的半导体器件结构的截面图；
图2是表示按照本发明第一实施例的半导体器件表面侧上的第一示例结构的平面图；
图3是表示按照本发明第一实施例的半导体器件表面侧上的第二示例结构的平面图；
图4到图9是解释按照本发明第一实施例的制造步骤的截面图；
图10是表示按照本发明第一实施例、在布线板上的半导体器件安装结构第一示例的截面图；
图11是表示按照本发明第一实施例、在布线板上的半导体器件安装结构第二示例的截面图；
图12是表示按照本发明第一实施例的半导体器件另一结构的截面图；
图13A是表示按照本发明第二实施例的半导体器件的结构的截面图；
图13B是表示按照本发明第二实施例的在布线板上半导体器件安装形式的截面图；
图13C是表示在图13B所示的安装形式中、由本发明的第二实施例形成的无源元件的连接示例平面图；
图14是表示按照本发明的第二实施例的半导体器件另一结构的截面图；
图15A是表示按照本发明的第二实施例、在布线板上的半导体器件修改的安装形式截面图；
图15B是表示图15A中半导体器件的表面侧的截面图；
图15C是由图15A所示的修改形成的无源电路的结构截面图；和
图16是表示具有CSP结构的传统半导体器件的结构截面图。
具体实施方式
下面将参照附图详细描述按照优选实施例的半导体器件及其制造方法。
<第一实施例>
图1是表示按照本发明第一实施例的半导体器件200的结构的截面图。图2和3是表示半导体器件200的表面(电路表面侧，一个焊球B从此处被移去)的不同示例的平面图。在图1到3中，与图16所示的现有技术相同的标号表示相同的部件，并且将适当地略去对其描述。
类似于图16所示的传统半导体器件20，图1、2和3所示的半导体器件200包括：在支撑一个电路元件或在电路元件形成区A内以集成方式形成的元件的半导体基衬1上形成的多个连接盘2。由二氧化硅、氮化硅等制成、并形成在半导体基衬1的表面上，以暴露每个连接盘2的中央的钝化膜3，和在钝化膜3的上表面上形成的保护膜4。
与传统的半导体器件20类似，按照第一实施例的半导体器件200包括：形成于保护膜4上并且电连接到连接盘2(第一导电层5)的导电层5；形成于导电层5上的柱6。半导体器件200进一步包括：在连接盘2中，连接到地电位的至少一个接地盘2A(第二连接盘)，和连接到预定电路并且接收预定电源的至少一个馈电盘2B(第三连接盘)。半导体器件200进一步包括一个地平面GP，其从至少一个导电层5-1(第一导电层)和至少一个上导电层8(第二导电层)形成，所述至少一个导电层5-1连接到接地盘2A并且在保护膜4上延伸，所述至少一个上导电层8形成于封装膜7上并且这样安排使得通过膜7的部分面对导电层5-1。半导体器件200还具有：柱6A(第一柱状电极)，其通过导电层5-1电连接到接地盘2A，并且连接到上导电层8；柱6B(第二柱状电极)，其通过导电层5-1电连接到馈电盘2B，并且连接到上导电层8。
如图2所示，电连接到接地盘2A的导电层5-1和电连接到接地盘2A和馈电盘2B的上导电层8设置在它们通过封装膜7互相面对的位置。导电层5-1用作处于地电位的地平面GP，并且相对的上导电层8用作馈电电极，于是形成倒F形的天线。盘被电连接到在半导体基衬上的电路元件形成区DA中形成的电路元件。
在第一实施例中，倒F形天线形成为天线单元。然而，本发明不限于此，而是可以形成诸如倒L形天线、接插(patch)天线和微波传输带天线。
在图1和2中的半导体基衬1上形成一个天线单元，但是本发明不限于此。例如，在一个芯片上可以排列多个天线，一构造一个相控阵列天线，并且可以获得希望的方向特性。或者，可以形成多个天线单元，并且可以改变它们的方向，以减少天线的方向性。图3示出了一个器件的例子，其中，从第一天线单元和第二天线单元形成两个天线单元，并且这些天线单元的方向相差90度，所述第一天线单元由用作地平面GP的导电层5-1和相面对的上导电层8-1构成，所述第二天线单元由用作地平面GP的导电层5-2和相面对的上导电层8-2构成。
图4到9是用于解释按照本发明第一实施例的半导体器件200的制造步骤的截面图。将参照图4到9解释这些制造步骤。
在按照第一实施例的制造步骤中，如图4所示，由二氧化硅、氮化硅等制成的钝化膜3形成于由铝电极等制造的多个连接盘2的上表面上，并且形成于晶片(半导体基衬)1的表面上。基衬支撑在电路元件形成区形成的电路元件，并且具有多个芯片形成区。钝化膜3如此形成以便暴露每个连接盘2的中央。多个盘包括至少一个接地盘2A和至少一个馈电盘2B。然后，在钝化膜3的上表面上形成具有开口以便暴露连接盘2的中央的保护膜4。保护膜4例如通过下列方式形成，在晶片1上的钝化膜3和盘2的整个上表面施加聚酰亚胺基树脂，将树脂固化，用蚀刻溶液执行抗蚀图案和保护膜图案，并且移去抗蚀剂。
保护膜4的形成能够采用通过旋涂施加聚酰亚胺基树脂的方法，使用橡胶滚轴的印刷方法或喷墨涂层方法。保护膜材料不限于聚酰亚胺基树脂，并且可以是环氧基树脂，PBO(聚苯并  唑-基树脂)等。
如图5所示，通过在保护膜4和钝化膜3中形成的开口而暴露的连接盘2和馈电盘2B的部分上形成导电层5。在接地盘2A上形成对应于地平面GP的导电层5-1。
导电层5和5-1形成如下。由铜(Cu)、钛(Ti)等制造的UBM(Under Bump Metal)层(未示出)通过喷射等沉积在保护膜4的整个表面上。光致抗蚀剂施加到UBM层、固化、然后通过光刻蚀法相应于具有预定形状的开口形成图案。由抗蚀剂形成的开口通过使用UBM层作为电流路径，进行电镀。
导电层5和5-1可以通过无电电镀形成。用于这些导电层的材料的例子是呈现好的导电特性的铜、铝和金和它们的合金。
如图6所示，在导电层5和5-1上的预定位置处，从柱状电极形成柱6，6A和6B。
通过例如施加光致抗蚀剂约100到150微米、将光致抗蚀剂固化、形成暴露导电层5和5-1的预定部分的开口和通过使用UBM层作为电流路径执行用于开口内部的电镀形成所述柱。也可以通过无电电镀或间柱碰撞方法形成每个柱。
柱材料的例子是呈现好的导电特性的铜、焊锡、金和镍。当焊锡用作柱形成材料时，通过后面的回流处理还能形成一个球形电极。当使用焊锡形成柱6时，除了上述方法，还能采用印刷方法。在形成柱6之后，蚀刻掉UBM层的不需要部分。
如图7所示，例如通过用诸如聚酰亚胺或环氧树脂浇铸晶片1的整个表面侧，以覆盖柱、保护膜和导电层，形成封装膜7。封装膜7最好由基本包含与上述保护膜4相同的主要成分的树脂制成，以便确保对付环境变化的可靠性。除了上述浇铸方法，形成封装膜7的方法还可以是印刷方法、浸渍方法、旋涂或压铸。
在形成封装膜7之后，切割并打磨封装膜7的上表面，以暴露柱6、6A和6B的末端面6a，并且去除部件的上表面上的氧化膜，如图8所示。
诸如铜箔的金属箔通过在膜7上进行焊锡印刷等被碾压，并且被选择性地蚀刻，以此形成电连接到相应于接地盘2A的柱6A和相应于馈电盘2B的柱6B的上导电层8。或者，用作上导电层8的导电板可以用导电粘合剂固定到相应于接地盘2A和馈电盘2B的柱6A和6B。
如果需要，在没有用上导电层8覆盖的柱6上放置焊球B，于是形成终端部分，如图9所示。
沿着预定的切割线将晶片1切割成芯片形成区。结果，形成具有图1所示结构的半导体器件200。
即，制造具有图1所示结构的半导体器件200，即由从导电层5-1和上导电层8形成的地平面GP构成的倒F形天线，所述上导电层8形成于对应接地盘2A和馈电盘2B的柱6A和6B之上以便电连接到柱6A和6B。
图10和11示出当具有该结构的半导体器件200安装在支撑预定布线图的布线板时适合的安装结构。
在图10所示的结构中，支撑多个布线图的布线板30设置在电子设备壳体40内。半导体器件200通过经形成在柱6上的焊球B连接到形成在布线板30上的预定布线图31，被安装在布线板30上。起半导体器件200的天线作用的上导电层8面向布线板30。
如果在面向布线板30的上导电层8的区域32中存在布线图，通过上导电层8辐射的无线波的辐射效率减少或辐射图被干扰，降低了天线性能。为了防止这些，在面对布线板30的上导电层8的区域32中不形成布线图。相应地，能够抑制在天线性能方面的下降。
在图11所示的结构中，面对布线板30的上导电层8的区域32是一个开口。在该情况下，几乎没有部件干扰上导电层8辐射的无线波。能够最小化无线波的辐射效率和天线性能的下降，并且能够获得好的性能。
如上所述，通过形成导电层5-1作为地平面GP，并且在电连接到接地盘2A和馈电盘2B的柱6A和6B上形成上导电层8，第一实施例构成倒F形天线。天线可以安装在芯片内，并且能够微型化具有使用该芯片构成的天线的模块。
由于天线安装在芯片内部，从芯片上的电路到天线的布线长度与天线设置在芯片外的结构相比能够大大缩短。能够最小化构成天线的电极的馈线损耗。这有益于传输信道特性的改善并且提供高性能的天线。
在上述实施例中，在地平面GP和上导电层8之间插入封装膜7。作为替换，如图12所示，可以在地平面GP和上导电层8之间插入高介电部件11。在该情况下，在形成柱6、6A和6B之后，介电部件11用粘合剂等固定到地平面GP(导电层5-1)。然后，通过上述封装步骤设置上导电层8。
通过在地平面GP和上导电层8之间插入由钡钛等制成的高介电部件，能够调节天线单元的导电长度。换言之，不用改变上导电层8的图案尺寸就能够改变天线单元的谐振频率。当天线单元的谐振频率保持恒定时，通过安装高介电部件，能够减少地平面GP和上导电层8的区域。
<第二实施例>
图13A是按照本发明第二实施例的半导体器件200的截面图。在图13A中，与第一实施例相同的参考标号表示相同的部件，并且适当地略去对其的描述。
按照第二实施例的半导体器件200包括：连接到预定连接盘2C(第二连接盘)的导电层5-2(第一导电层)，和形成在封装膜7上的上导电层12(第二导电层)。如图13A所示，导电层5-2和上导电层12形成于它们经封装膜7的部分互相面对的位置。通过在上导电层12上进行涂覆金属处理诸如焊锡印刷，形成焊接层B’。
图13B是表示图13A所示的半导体器件200安装在布线板30上的状态的截面图。在该情况下，上导电层12通过焊接层B’连接到形成在布线板30上的盘33。上导电层12、封装膜7和导电层5-2形成容性元件Cp。
通过导电层5电连接到导电盘2的柱6经焊球B连接到布线板30的布线图31。
在布线板30上的盘33和芯片内的导电层5-2之间能够形成容性元件Cp，能够构成如图13C所示的等效电路。在图13C中，参考标号200a表示预先形成在半导体器件200的半导体基衬1上的电路部件，如图13A所示。容性元件Cp能够连接到电路部件200a。
按照第二实施例，能够集成容性元件和芯片。当使用该芯片构成具有容性元件的模块时，该模块与容性元件安排在芯片外的传统结构相比能够微型化。
在上述实施例中，在上导电层12的部件和导电层5-2之间插入封装膜7，以形成容性元件。作为替换，如图14所示，可以在上导电层12和导电层5-2之间插入介电层13，以形成容性元件Cp。在该结构中，由插在上导电层12和导电层5-2之间的介电层13的相对介电常数、厚度和面积确定容性元件的电容。使用高相对介电常数的电介质能够增加电容值，而不用改变上导电层12和导电层5-2的面积。当电容值保持恒定时，可以减少每个导电层的面积。形成介电层13的高相对介电常数电介质材料是诸如钡钛或钽钛。
图15A到15C示出了第二实施例的修改。图15A是示出修改的半导体器件200及半导体器件200安装在布线板30上的状态的截面图。图15B是示出封装膜7被略去的半导体器件200的表面的平面图。
如图15A所示，修改包括电连接到导电层5-3和10(第一导电层)的连接盘2D(第二连接盘)。此外，修改包括形成在通过介电层13它们面对导电层5-3和10的位置处的上导电层12-1和12-2(第二导电层)。
在导电层10上形成柱状电极6，并且在柱状电极6上形成焊球B。柱状电极6通过焊球B电连接到形成在布线板30上的盘36。通过进行涂覆金属处理诸如焊锡印刷在上导电层12-1和12-2上形成焊接层B’。上导电层12-1和12-2通过焊接层B’连接到形成在布线板30上的盘35。
用这种安排，在上导电层12-1和导电层5-3之间、及上导电层12-2和导电层10之间分别形成在结构上与容性元件Cp相等的两个容性元件C1和C2。
如图15B所示，导电层10具有方形线圈形状的图案以形成感性元件L。
通过组合容性元件C1和C2及感性元件L能够构成各种无源电路。例如，能够形成图15C所示的π低通滤波器，并且被连接到在半导体基衬1上形成的电路部件200a。从无源元件形成的滤波电路能够安装在芯片内，并且能够微型化带有使用该芯片构成的滤波电路的模块。
在该修改中，通过组合两个容性元件和一个感性元件实现滤波电路。本发明不限于此，通过组合多个容性元件、感性元件和导电层可用构成各种无源电路。
此外，本发明不限于容性元件和感性元件，在半导体基衬1上形成的导电层可以形成各种薄膜电路元件，诸如电阻、薄膜变压器、薄膜SAW(Surface Acoustic Wave，声表面波滤波器)、微带线和MMIC(Microwave Monolithic Integrated Circuit，微波单片集成电路)。或者，这些元件可用组合构成各种无源电路。
在该情况下，各种无源电路能够安装在芯片内，并且能够微型化使用该芯片构成的模块。与这些无源电路安装在芯片外的传统结构相比，能够大大缩短从芯片上的电路到每个无源电路的布线长度。能够抑制天线损耗，改善特别是RF电路中的频率特性。

Claims (23)

1.一种半导体器件，包括：
半导体基衬(1)，其上形成电路元件形成区和包括至少一个第一连接盘和至少一个第二连接盘的多个连接盘(2，2A，2B)，其特征在于，进一步包括：
第一柱状电极(6)，形成于第一连接盘(2)上以便电连接到第一连接盘；
至少一个第一导电层(5-1，5-2)，形成于所述第二连接盘(2A)上以便电连接到第二连接盘；
封装膜(7)，至少围绕着所述第一柱状电极形成于半导体基衬和第一导电层上；
第二导电层(8，12)，形成在封装膜(7)上以面对所述第一导电层；和
至少一个无源元件，从所述第一和第二导电层(5-1，5-2，8，12)形成。
2、如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述多个连接盘包括至少一个第三连接盘(2B)，
一第二柱状电极(6A)电连接到所述第二连接盘(2A)并且连接到所述第二导电层(8)，和
一第三柱状电极(6B)电连接到第三连接盘(2B)，并且连接到第二导电层。
3、如权利要求2所述的器件，其中，
所述第二连接盘(2A)构成一个接地盘(2A)，
所述第三连接盘(2B)构成一个馈电盘(2B)，和
所述无源器件包括一天线单元。
4、如权利要求3所述的器件，其中，所述天线单元包括倒F形天线。
5、如权利要求1所述的器件，其中，所述无源元件包括一容性元件，并且所述器件进一步包括位于第二导电层上的将连接到布线板(30)上的连接部分(B)。
6、如权利要求1所述的器件，还包括：
多个无源元件；和
连接无源元件的第三导电层(10)。
7、如权利要求6所述的器件，其中，
所述第三导电层(10)构成至少一个薄膜无源元件，和
所述多个无源元件和薄膜无源元件形成一无源电路。
8、如权利要求7所述的器件，其特征在于，
所述多个无源元件包括至少两个容性元件，
所述薄膜无源元件包括一感性元件，通过将第三导电层制模以便引入电感成分而形成，和
所述无源电路包括一滤波电路。
9、如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述封装膜具有设置在所述第一和第二导电层之间的介电部分(11，13)。
10、一种电子器件，包括：
半导体器件(200)，具有半导体基衬(1)，其上形成电路元件形成区和包括至少一个第一连接盘和至少一个第二连接盘的多个连接盘(2，2A，2B)，其特征在于，
该器件包括：第一柱状电极(6)，电连接到第一连接盘(2)；
第一导电层(5-1)，电连接到第二连接盘(2A)；
封装膜(7)，至少围绕着所述柱状电极形成于所述半导体基衬和所述第一导电层上；
第二导电层(8)，形成在所述封装膜上以面对所述第一导电层；和
天线单元，从所述第一和第二导电层(5-1，8)形成；和
布线板(30)，其上形成多个布线图(31)，
所述半导体器件具有一种结构，其中所述半导体器件通过所述柱状电极电连接到所述布线板上的布线图案，
其中，在面对所述半导体器件的第二导电层的布线板的区域中不形成布线图案。
11、如权利要求10所述的器件，其特征在于，面对所述半导体器件的第二导电层的布线板的区域包括一个开口(32)。
12、一种半导体器件制造方法，其特征在于包括：
制备一个半导体基衬(1)，在该基衬的上表面形成电路元件形成区和多个连接盘(2，2A，2B)；
电连接第一柱状电极(6)到所述多个连接盘中的至少一个第一连接盘(2)；
连接至少一个第一导电层(5-1，5-2)到所述多个连接盘中的至少一个第二连接盘(2A)；
至少围绕着所述第一柱状电极在所述半导体基衬和所述第一导电层上形成封装膜(7)；和
在所述封装膜上形成至少一个第二导电层(8，12)以面对所述第一导电层。
13、如权利要求12所述的方法，其特征在于还包括：
形成第二柱状电极(6A)，该电极电连接到所述第二连接盘(2A)并且连接到所述第二导电层(8)，和
形成第三柱状电极(6B)，该电极电连接到多个连接盘中的至少一个第三连接盘(2B)，并且连接到第二导电层。
14、如权利要求13所述的方法，其中，
所述第二连接盘(2A)构成一个接地盘，
所述第三连接盘(2B)构成一个馈电盘(2B)，和
所述第一和第二导电层(5-1，8)形成天线单元。
15、如权利要求12所述的方法，其特征在于还包括：
从所述第一和第二导电层(5-2，12)形成容性元件；和
在所述第二导电层(5-2)上形成要连接到布线板的连接结构。
16、如权利要求15所述的方法，还包括：
形成多个容性元件；和
形成第三导电层，该导电层连接在至少两个容性元件之间，并且制模以引入电感成分，由此形成感性元件。
17、如权利要求12所述的方法，其特征在于还包括：
在所述第一和第二导电层之间安排介电材料(11，13)。
18、一种半导体器件制造方法，其特征在于包括：
制备一个半导体晶片(1)，其具有多个芯片形成区，每个芯片形成区具有电路元件形成区和多个连接盘；
在每个芯片形成区中形成绝缘膜(3，4)；
电连接第一柱状电极(6)到在芯片形成区的所述多个连接盘中的至少一个第一连接盘(2)；
在所述绝缘膜上形成至少一个第一导电层(5-1，5-2)，并且连接所述第一导电层到在芯片形成区的所述多个连接盘中的至少一个第二连接盘(2A)；
至少绕着所述第一柱状电极并且在所述绝缘膜上的所述第一导电层上形成一个封装膜(7)；
在芯片形成区的所述封装膜上形成至少一个第二导电层(8，12)，以面对所述第一导电层；和
将所述半导体晶片切割成各个芯片形成区，从而形成多个半导体器件。
19、如权利要求18所述的方法，其特征在于包括：
形成第二柱状电极(6A)，该电极电连接到所述芯片形成区中的所述第二连接盘，并且连接到所述第二导电层；和
形成第三柱状电极(6B)，该电极电连接到芯片形成区的多个连接盘中的至少一个第三连接盘，并且连接到第二导电层。
20、如权利要求19所述的方法，其特征在于，
所述第一连接盘构成一个接地盘，
所述第二连接盘构成一个馈电盘，和
所述第一和第二导电层形成天线单元。
21、如权利要求18所述的方法，其特征在于还包括：
从所述第一和第二导电层形成容性元件；和
在所述第二导电层上形成要连接到布线板的连接结构。
22、如权利要求21所述的方法，其特征在于还包括：
形成多个容性元件；和
形成第三导电层，该导电层连接在至少两个容性元件之间，并且制模以引入电感成分，由此形成感性元件。
23、如权利要求18所述的方法，其特征在于还包括：
在所述第一和第二导电层之间安排介电材料。
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