CN101930931B - 封装电路基板结构及其制造方法 - Google Patents

Abstract

一种封装电路基板结构及其制造方法。该方法包括：提供一基板，具有至少一图案化第一导电层于该基板上。形成一图案化的第一阻挡层于第一导电层上，定义出一电镀区域和一导电开口区域，其中电镀区域和导电开口区域露出该第一导电层。顺应性地形成一第二导电层于第一面上，覆盖第一阻挡层、电镀区域和导电开口区域。形成一第二阻挡层于第二导电层上。图案化第二阻挡层与第二导电层，显露出电镀区域。电镀一金属层于电镀区域中的第一导电层上，其中电镀步骤的一电流路径是经由该第二导电层与该导电开口区域中的该第一导电层，传导至电镀区域中的第一导电层，移除第二阻挡层与第二导电层。本发明可形成三面完整包覆电镀区域，以获得较佳的可靠度。

Description

封装电路基板结构及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种封装电路基板结构及其制造方法，特别涉及一种运用无导线电镀技术制造封装电路基板的方法及其结构。

背景技术

在新世代的电子产品中，不断地追求元件的轻薄短小，使得集成电路(Integrated Circuit，简称IC)元件朝高密度发展，因此，印刷电路板(PrintedCircuit Board，简称PCB)也随之对应进行微小化设计，使电性连接线路的配置更加地密集化。

目前常使用影像转移技术制作连接线路，即所谓的影像转移技术，经由上光致抗蚀剂、曝光、显影、电镀、去膜与蚀刻的一连串工艺，以图案化所需的线路，然而，使用影像转移技术时，工艺中的每一步骤皆需最佳化地控制，特别是关于微细线路的电镀工艺，更需精准地控制，才能得到所需的线路。因此，对于封装电路基板而言，电镀工艺是很重要的工艺步骤，特别是在欲电镀区域形成可靠度佳的电镀层，且在绿漆后制作背面导通，电路基板上无痕迹的连接线路。

发明内容

有鉴于此，本发明的一目的在于解决无导线设计之欲电镀区的电镀方法。

本发明另一目的在于解决在电镀镍金后，涂布绿漆所造成绿漆与镍金层因结合力不佳，而使绿漆容易脱落的问题。

本发明的实施例提供一种封装电路基板的制造方法，包括：提供一基板，具有至少一图案化第一导电层于该基板上；形成一图案化的第一阻挡层于该第一导电层上，定义出一电镀区域和一导电开口区域，其中该电镀区域和该导电开口区域露出该第一导电层；顺应性地形成一第二导电层于该基板上，覆盖该第一阻挡层、该电镀区域和该导电开口区域；形成一第二阻挡层于该第二导电层上；图案化该第二阻挡层与该第二导电层，显露出该电镀区域；电镀一金属层于该电镀区域中的该第一导电层上，其中该电镀步骤的一电流路径是经由该第二导电层与该导电开口区域中的该第一导电层，传导至该电镀区域中的该第一导电层；以及移除该第二阻挡层与该第二导电层。

本发明的实施例另提供一种封装电路基板的制造方法，包括：提供一基板，其具有一导通孔、一图案化第一上导电层于该基板的一第一面上、及一图案化第一下导电层于该基板的一第二面上；形成一第一上阻挡层于该第一面上且形成一第一下阻挡层于该第二面上；图案化该第一上阻挡层，以定义出一电镀区域和一第一导电开口区域，且图案化该第一下阻挡层，以定义出一第二导电开口区域，其中该电镀区域中的该第一上导电层通过该导通孔与该第二导电开口区域中的该第一下导电层构成一连续导体；顺应性地形成一第二上导电层于该第一面上，覆盖该第一上阻挡层、该电镀区域和该第一导电开口区域，且形成一第二下导电层于该第二面上，覆盖该第一下阻挡层和该第二导电开口区域；形成一第二上阻挡层于该第二上导电层上，及形成一第二下阻挡层于该第二下导电层上；图案化该第二上阻挡层与该第二上导电层，显露出该电镀区域；施以无导线电镀法，以形成一电镀层于该电镀区域中的该第一上导电层上，其中该无导线电镀步骤的一第一电镀电流路径是经由该第二上导电层与该第一导电开口区域中的该第一上导电层，传导至该电镀区域中的该第一上导电层，以及其中该无导线电镀步骤的一第二电镀电流路径是经由该第二下导电层与该第二导电开口区域中的该第一下导电层，通过该导通孔，传导至该电镀区域中的该第一上导电层；以及移除该第二上阻挡层与该第二上导电层及该第二下阻挡层与该第二下导电层。

本发明的实施例另提供一种封装电路基板的制造方法，包括：提供一基板结构，其具有一图案化第二上导电层于该基板结构的一第一面上、及一图案化第二下导电层于该基板结构的一第二面上；形成一图案化的第一上阻挡层于该第一面上，定义出一第一电镀区域、一第二电镀区域和一第一导电开口区域，及形成一图案化第一下阻挡层于该第二面上，定义出一第二导电开口区域；顺应性地形成一第三上导电层于该第一面上，覆盖该第一上阻挡层、该第一电镀区域、该第二电镀区域和该导电开口区域，并且形成一第三下导电层于该第二面上，覆盖该第一下阻挡层和该第二导电开口区域；形成一第二上阻挡层于该第三上导电层上，并且形成一第二下阻挡层于该第三下导电层上；图案化该第二上阻挡层与该第三上导电层，以显露出该第一电镀区域和该第二电镀区域；施以无导线电镀法，以形成一第一电镀层于该第一电镀区域与该第二电镀区域中的该第二上导电层上，其中该电镀步骤的一第一电镀电流路径是经由该第三上导电层与该第一导电开口区域中的该第二上导电层，传导至该第一电镀区域中的该第二上导电层，及其中该电镀步骤的一第二电镀电流路径是经由该第三下导电层与该第二导电开口区域中的该第二下导电层，通过该基板结构，传导至该第二电镀区域中的该第二上导电层；移除该第二上阻挡层及移除该第二下阻挡层；顺应性地形成一第四导电层于该第一面上，覆盖该第三上导电层、该第一电镀区域、该第二电镀区域和该第一导电开口区域；形成一第三上阻挡层于该第四导电层上，及形成一第三下阻挡层于该第三下导电层上；移除该第三下阻挡层与该第三下导电层；施以无导线电镀法，以形成一电镀层于该第二下导电层上；以及移除该第三上阻挡层、该第三上导电层与该第四导电层。

本发明的实施例又提供一种封装电路基板结构，包括：

一基板，具有一导通孔、一图案化第一上导电层于该基板的一第一面上、及一图案化第一下导电层于该基板的一第二面上；一图案化第一上阻挡层于该第一面上，定义出一电镀区域和一第一导电开口区域；一图案化第一下阻挡层于该第二面上，定义出一第二导电开口区域；一上电镀层于该电镀区域中的该第一上导电层上；以及一下电镀层于该第二导电开口区域中的该第一下导电层上。

本发明的实施例又再提供一种封装电路基板结构，包括：一基板结构，其具有一图案化第二上导电层于该基板结构的一第一面上、及一图案化第二下导电层于该基板结构的一第二面上；一图案化的第一上阻挡层于该第一面上，定义出一第一电镀区域、一第二电镀区域和一第一导电开口区域；一图案化第一下阻挡层于该第二面上，定义出一第二导电开口区域；一第一电镀层于该电镀区域中的该第二上导电层上；以及一第二电镀层于该第二导电开口区域的该第二下导电层上。

本发明的实施例可形成三面完整包覆电镀区域，以获得较佳的可靠度。并且，在完成绿漆步骤后，制作背面导通，电路基板上无痕迹。再者，辅以设置于电路板内的导通孔，将电镀电流由背面导通至正面欲电镀的区域，使得无导线电镀技术的电镀效果更佳。

为使本发明能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图，作详细说明如下。

附图说明

图1A～图1F是显示根据本发明的一实施例封装基板的制造方法各工艺步骤的剖面示意图；

图2A显示于图1F中电镀区域的电镀层150a的局部区域2的平面示意图；

图2B是显示于图2A中沿切割线2B-2B的剖面示意图；以及

图3A～图3J是显示根据本发明另一实施例封装电路基板的制造方法各工艺步骤的剖面示意图

上述附图中的附图标记说明如下：

110～基板；

113～导通孔；

115～第一导电层；

120a、120b～第一上、下阻挡层；

P～电镀区域；

121、122～导电开口区域；

125a、125b～欲电镀的第一导电层的表面；

130a、130b～第二上、下导电层；

140a、140b～第二上、下阻挡层；

150a、150b、150c～电镀层；

2～局部区域；

A、B～电镀电流路径；

200～电路基板结构；

201～基板；

204～导通孔；

205a、205b～上、下介电层；

206～导电盲孔；

207a、207b～第二上、下导电层；

209a、209b～第一上、下阻挡层；

211a、211b～第二上导电层的表面；

213a、213b～导电开口区域；

214a、214b～电镀区域；

215a、215b～第二上、下阻挡层；

220a、222a～电镀层；

220b、222b～电镀层；

225a～第四导电层；

230a、230b～第三上、下阻挡层；

235a、235b～欲电镀表面；

240、242～电镀层

具体实施方式

以下以各实施例详细说明并伴随着附图说明的范例，作为本发明的参考依据。在附图或说明书描述中，相似或相同的部分皆使用相同的图号。且在附图中，实施例的形状或是厚度可扩大，并以简化或是方便标示。再者，附图中各元件的部分将以分别描述说明之，值得注意的是，图中未绘示或描述的元件，为所属技术领域中具有通常知识者所知的形式，另外，特定的实施例仅为揭示本发明使用的特定方式，其并非用以限定本发明。

有鉴于此，本发明的实施例提供一种利用无导线电镀技术制造封装电路基板的方法。更明确地说，通过电路基板上互连的无电镀区，形成与欲电镀区相连的电性连接，以此为导电路径所形成的电镀层，其特性在于可形成三面完整包覆电镀区域，其可靠度较佳。再者，在完成绿漆步骤后，制作背面导通，在电路基板上无留下痕迹。例如，中国台湾专利第I240400号揭示一种封装基板的制造方法，通过设置于电路板内的导通孔，将电镀电流由背面导通至正面欲电镀的区域。

图1A～图1F是显示根据本发明的一实施例封装电路基板的制造方法各工艺步骤的剖面示意图。请参阅图1A，首先提供一基板110，其中基板110的材料可包括纸质酚醛树脂(paper phenolic resin)、复合环氧树脂(compositeepoxy)、聚酰亚胺树脂(polyimide resin)或玻璃纤维(glass fiber)。在基板110中，包含至少一导通孔(through hole)113，形成导通孔113的目的在于建立导通基板110上下两面的导电通路(例如图案化的第一导电层115)，构成电路基板结构，以利后续的双面增层线路。此处需注意的是，适用于本发明的电路基板的形式并非以此为限，另可为单面板、双面板或多层电路基板。

请参阅图1B，形成一第一阻挡层于电路基板的两面上，例如可依序形成一第一上阻挡层120a于电路基板的正面与形成一第一下阻挡层120b于电路基板的背面。接着，进行图案化该第一上阻挡层120a，以定义出一电镀区域P露出欲电镀的第一导电层的表面125a、125b，并同步定义出一导电开口区域121。接着，进行图案化第一下阻挡层120b，以定义出导电开口区域122。

请参阅图1C，顺应性地形成一第二上导电层130a于电路基板的正面上，覆盖该第一上阻挡层120a、电镀区域P和导电开口区域121。且形成一第二下导电层130b于电路基板的背面上，覆盖该第一下阻挡层120b和导电开口区域122。形成第二导电层130a、130b的方法包括溅镀法(sputtering)、电子枪蒸镀(E-gun evaporation)、化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)，或其他公知的镀膜法。第二导电层130a、130b的材料为可移除的金属，例如Cu、Al、Ni、Fe、Cr或其他金属材料。接着，分别形成第二上阻挡层140a于第二上导电层130a上，和形成第二下阻挡层140b于第二下导电层130b上。再施以图案化步骤，以定义第二上阻挡层140a和第二上导电层130a，露出电镀区域P，如图1D所示。

接着，请参阅图1E，施以无导线电镀工艺，以形成电镀层150a、150b(例如Au/Ni复合层)于欲电镀的第一导电层的表面125a、125b上。根据本发明另一实施例，电镀层150a、150b的材料包括Cu、Fe、Au、Ag、Ni、Sn、Cr或其他金属材料构成。形成电镀层150a的电镀电流路径依序为电源(未图示)、第二下导电层130b、第一导电层115、电路基板内导通孔、第一导电层的表面125a，如虚线路径A所示。电镀层150b的电镀电流路径依序为电源(未图示)、第二上导电层130a、第一导电层115、第一导电层的表面125b，如虚线路径B所示。

请参阅图1F，依序移除第二上阻挡层140a、第二下阻挡层140b与第二上导电层130a、第二下导电层130b。接着，进行后续的工艺步骤，以完成封装电路基板的制作。例如，施以无导线电镀法，以形成一电镀层150c于基板背面的第一导电层115上，详细的步骤可参考图3E～图3J的实施例。

图2A显示于图1F中电镀区域的电镀层150a的局部区域2的平面示意图，图2B显示于图2A中沿切割线2B-2B的剖面示意图。本发明实施例的无导线电镀技术的特点在于，通过电路基板上无电镀区与电镀区形成电性连接，以此为电镀电流路径所形成的电镀层，其特性在于可形成三面完整包覆电镀区域，如图2B所示，可靠度较佳。并且，在完成绿漆步骤后，制作背面导通，电路基板上无痕迹，如图2A所示。

图3A～图3J显示根据本发明另一实施例封装电路基板的制造方法各工艺步骤的剖面示意图。请参阅图3A，提供一电路基板结构200，其包括基板201、导通孔204形成于基板201中、图案化的第一导电层203构成的导电通路、上、下介电层205a和205b、及多个导电盲孔206于介电层205a和205b中。接着，形成一图案化第二上导电层207a于电路基板结构200的第一面(例如正面)上，且形成一图案化第二下导电层207b于电路基板结构200的第二面(例如背面)上。再形成一图案化的第一上阻挡层209a于电路基板结构200的第一面上，定义出第一电镀区域214a露出欲电镀的第二上导电层207a的表面211a、第二电镀区域214b露出欲电镀的第二上导电层207a的表面211b，并且定义出第一导电开口区域213a，以及形成一图案化第一下阻挡层209b于第二面上，定义出导电开口区域213b于该电路基板结构的第二面上。

接着，选择性地施以一表面预处理步骤处理该电路基板结构的第一面与第二面。表面预处理步骤处理可通过过硫酸钠(Sodium persulfate，简称SPS)、硫酸、双氧水等处理。

请参阅图3B，顺应性地形成一第三上导电层210a于该第一面上，覆盖第一上阻挡层209a、电镀区域214a和214b、以及导电开口区域213a。并且，形成一第三下导电层210b于该第二面上，覆盖第一下阻挡层209b和导电开口区域213b。形成第三导电层210a、210b的方法包括溅镀法(sputtering)、电子枪蒸镀(E-gun evaporation)、化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)，或其他公知的镀膜法。第三导电层210a、210b的材料为可移除的金属，例如Cu、Al、Ni、Fe、Cr或其他金属材料。

接着，形成一第二上阻挡层215a于第三上导电层210a上，及形成一第二下阻挡层215b于第三下导电层210b上。第二阻挡层215a、215b的材料可为干光致抗蚀剂膜或湿光致抗蚀剂膜。

接着，请参阅图3C，进行图案化该第二上阻挡层215a与第三上导电层210a，显露出电镀区域中欲电镀的表面211a、211b。施以无导线电镀步骤，形成电镀层于电镀区域中的欲电镀的表面211a、211b上。电镀层的材料可为Au/Ni复合镀层，或者由Cu、Fe、Au、Ag、Ni、Sn、Cr或其他金属材料构成。电镀层220a、222a的电镀电流路径依序为电源(未图示)、第三下导电层210b、第二下导电层207b、电路基板结构内的导电盲孔206和导通孔、第二上导电层207a的表面211a(虚线路径A)。电镀层220b、222b的电镀电流路径依序为电源(未图示)、第三上导电层210a、第二上导电层207a的表面211b(虚线路径B)，如图3D所示。

接着，请参阅图3E，移除第二上阻挡层215a及第二下阻挡层215b。接着，顺应性地形成一第四导电层225a，例如溅镀一铜金属层于电路基板结构的第一面上，覆盖第三上导电层、电镀区域和导电开口区域。接着，形成一第三上阻挡层230a于第四导电层225a上，并且形成一第三下阻挡层230b于该第三下导电层210b上，如图3F所示。根据本发明另一实施例，亦可选择不形成第三下阻挡层230b，直接移除第三下导电层210b后，进行后续的工艺。

接着，请参阅图3G，移除该第三下阻挡层230b与第三下导电层210b，露出欲电镀表面235a和235b。再施以无导线电镀步骤，形成电镀层240、242(例如Au/Ni复合层)于电镀区域中的第二下导电层207b上，如图3H所示。

接着，请参阅图3I，移除第三上阻挡层230a与第四导电层225a及第三上导电层210a。接着，进行后续的工艺步骤，以完成封装电路基板的制作，如图3J所示。

本发明的实施例利用无导线电镀技术形成电镀层于封装电路基板上，其特点在于，通过电路基板上无电镀区与电镀区形成电性连接，以此为电镀电流路径所形成的电镀层，其特性在于可形成三面完整包覆电镀区域，以获得较佳的可靠度。并且，在完成绿漆步骤后，制作背面导通，电路基板上无痕迹。再者，辅以设置于电路板内的导通孔，将电镀电流由背面导通至正面欲电镀的区域，可使得无导线电镀技术的电镀效果更佳。

本发明虽以优选实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明的范围，任何所属技术领域中的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可做些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当以所附的权利要求所界定的范围为准。

Claims (38)

1.一种封装电路基板的制造方法，包括：

提供一基板，具有至少一图案化第一导电层于该基板上；

形成一图案化的第一阻挡层于该第一导电层上，定义出一电镀区域和一导电开口区域，其中该电镀区域和该导电开口区域露出该第一导电层；

顺应性地形成一第二导电层于该基板上，覆盖该第一阻挡层、该电镀区域和该导电开口区域；

形成一第二阻挡层于该第二导电层上；

图案化该第二阻挡层与该第二导电层，显露出该电镀区域；

电镀一金属层于该电镀区域中的该第一导电层上，其中该金属层三面完整包覆该第一导电层，且电镀步骤的一电流路径是经由该第二导电层与该导电开口区域中的该第一导电层，传导至该电镀区域中的该第一导电层；以及

移除该第二阻挡层与该第二导电层。

2.如权利要求1所述的封装电路基板的制造方法，其中该基板的材料包括纸质酚醛树脂、复合环氧树脂、聚酰亚胺树脂或玻璃纤维。

3.如权利要求1所述的封装电路基板的制造方法，其中形成第二导电层的步骤包括溅镀法、电子枪蒸镀法、化学气相沉积法、或物理气相沉积法。

4.如权利要求1所述的封装电路基板的制造方法，其中该第二导电层的材料为可移除的金属，包括Cu、Al、Ni、Fe、或Cr。

5.如权利要求1所述的封装电路基板的制造方法，其中该电镀层的材料为Au/Ni复合层。

6.如权利要求1所述的封装电路基板的制造方法，其中该电镀层的材料包括Cu、Fe、Au、Ag、Ni、Sn、或Cr。

7.如权利要求1所述的封装电路基板的制造方法，其中该基板包括一单面板、一双面板、或一多层电路板。

8.一种封装电路基板的制造方法，包括：

提供一基板，其具有一导通孔、一图案化第一上导电层于该基板的一第一面上、及一图案化第一下导电层于该基板的一第二面上；

形成一第一上阻挡层于该第一面上且形成一第一下阻挡层于该第二面上；

图案化该第一上阻挡层，以定义出一电镀区域和一第一导电开口区域，且图案化该第一下阻挡层，以定义出一第二导电开口区域，其中该电镀区域中的该第一上导电层通过该导通孔与该第二导电开口区域中的该第一下导电层构成一连续导体；

顺应性地形成一第二上导电层于该第一面上，覆盖该第一上阻挡层、该电镀区域和该第一导电开口区域，且形成一第二下导电层于该第二面上，覆盖该第一下阻挡层和该第二导电开口区域；

形成一第二上阻挡层于该第二上导电层上，及形成一第二下阻挡层于该第二下导电层上；

图案化该第二上阻挡层与该第二上导电层，显露出该电镀区域；

施以无导线电镀法，以形成一电镀层于该电镀区域中的该第一上导电层上，其中该电镀层三面完整包覆该第一上导电层，且该无导线电镀步骤的一第一电镀电流路径是经由该第二上导电层与该第一导电开口区域中的该第一上导电层，传导至该电镀区域中的该第一上导电层，以及其中该无导线电镀步骤的一第二电镀电流路径是经由该第二下导电层与该第二导电开口区域中的该第一下导电层，通过该导通孔，传导至该电镀区域中的该第一上导电层；以及

移除该第二上阻挡层与该第二上导电层及该第二下阻挡层与该第二下导电层。

9.如权利要求8所述的封装电路基板的制造方法，其中该基板的材料包括纸质酚醛树脂、复合环氧树脂、聚酰亚胺树脂或玻璃纤维。

10.如权利要求8所述的封装电路基板的制造方法，其中形成第二上、下导电层的步骤包括溅镀法、电子枪蒸镀法、化学气相沉积法、或物理气相沉积法。

11.如权利要求8所述的封装电路基板的制造方法，其中该第二上、下导电层的材料为可移除的金属，包括Cu、Al、Ni、Fe、或Cr。

12.如权利要求8所述的封装电路基板的制造方法，其中该电镀层的材料为Au/Ni复合层。

13.如权利要求8所述的封装电路基板的制造方法，其中该电镀层的材料包括Cu、Fe、Au、Ag、Ni、Sn、或Cr。

14.如权利要求8所述的封装电路基板的制造方法，其中该基板包括一单面板、一双面板、或一多层电路板。

15.如权利要求8所述的封装电路基板的制造方法，于移除该第二下阻挡层与该第二下导电层后，更包括施以无导线电镀法，以形成一背面电镀层于该基板背面的该第一导电层上。

16.一种封装电路基板的制造方法，包括：

提供一基板结构，其具有一图案化第二上导电层于该基板结构的一第一面上、及一图案化第二下导电层于该基板结构的一第二面上；

形成一图案化的第一上阻挡层于该第一面上，定义出一第一电镀区域、一第二电镀区域和一第一导电开口区域，及形成一图案化第一下阻挡层于该第二面上，定义出一第二导电开口区域；

顺应性地形成一第三上导电层于该第一面上，覆盖该第一上阻挡层、该第一电镀区域、该第二电镀区域和该导电开口区域，并且形成一第三下导电层于该第二面上，覆盖该第一下阻挡层和该第二导电开口区域；

形成一第二上阻挡层于该第三上导电层上，并且形成一第二下阻挡层于该第三下导电层上；

图案化该第二上阻挡层与该第三上导电层，以显露出该第一电镀区域和该第二电镀区域；

施以无导线电镀法，以形成一第一电镀层于该电镀区域中的该第二上导电层上，其中该第一电镀层三面完整包覆该第二上导电层，且该电镀步骤的一第一电镀电流路径是经由该第三上导电层与该第一导电开口区域中的该第二上导电层，传导至该第一电镀区域中的该第二上导电层，及其中该电镀步骤的一第二电镀电流路径是经由该第三下导电层与该第二导电开口区域中的该第二下导电层，通过该基板结构，传导至该第二电镀区域中的该第二上导电层；以及

移除该第二上阻挡层及移除该第二下阻挡层。

17.如权利要求16所述的封装电路基板的制造方法，更包括：

顺应性地形成一第四导电层于该第一面上，覆盖该第三上导电层、该第一电镀区域、该第二电镀区域和该第一导电开口区域；

形成一第三上阻挡层于该第四导电层上，及形成一第三下阻挡层于该第三下导电层上；

移除该第三下阻挡层与该第三下导电层；

施以无导线电镀法，以形成一电镀层于该第二下导电层上；以及

移除该第三上阻挡层与该第四导电层。

18.如权利要求16所述的封装电路基板的制造方法，其中该基板结构包括一基板、一导通孔形成于该基板中、图案化的一第一导电层构成的导电通路、一介电层、及多个导电盲孔于介电层中。

19.如权利要求18所述的封装电路基板的制造方法，其中该基板的材料包括纸质酚醛树脂、复合环氧树脂、聚酰亚胺树脂或玻璃纤维。

20.如权利要求16所述的封装电路基板的制造方法，在形成一第三上、下导电层步骤之前，更包括施以一表面预处理步骤于该基板结构表面。

21.如权利要求16所述的封装电路基板的制造方法，其中形成第三上、下导电层的步骤包括溅镀法、电子枪蒸镀法、化学气相沉积法、或物理气相沉积法。

22.如权利要求16所述的封装电路基板的制造方法，其中该第三上、下导电层的材料为可移除的金属，包括Cu、Al、Ni、Fe、或Cr。

23.如权利要求16所述的封装电路基板的制造方法，其中该电镀层的材料为Au/Ni复合层。

24.如权利要求16所述的封装电路基板的制造方法，其中该电镀层的材料包括Cu、Fe、Au、Ag、Ni、Sn、或Cr。

25.如权利要求16所述的封装电路基板的制造方法，其中该基板包括一单面板、一双面板、或一多层电路板。

26.一种封装电路基板结构，包括：

一基板，具有一导通孔、一图案化第一上导电层于该基板的一第一面上、及一图案化第一下导电层于该基板的一第二面上；

一图案化第一上阻挡层于该第一面上，定义出一电镀区域和一第一导电开口区域；

一图案化第一下阻挡层于该第二面上，定义出一第二导电开口区域；

一上电镀层于该电镀区域中的该第一上导电层上，其中该上电镀层三面完整包覆该第一上导电层；以及

一下电镀层于该第二导电开口区域中的该第一下导电层上。

27.如权利要求26所述的封装电路基板结构，其中该基板的材料包括纸质酚醛树脂、复合环氧树脂、聚酰亚胺树脂或玻璃纤维。

28.如权利要求26所述的封装电路基板结构，该电镀层的材料为Au/Ni复合层。

29.如权利要求26所述的封装电路基板结构，其中该电镀层的材料包括Cu、Fe、Au、Ag、Ni、Sn、或Cr。

30.如权利要求26所述的封装电路基板结构，其中该基板包括一单面板、一双面板、或一多层电路板。

31.如权利要求26所述的封装电路基板结构，其中该图案化第一上阻挡层直接接触于该第一上导电层，且该图案化第一下阻挡层直接接触于该第一下导电层。

32.一种封装电路基板结构，包括：

一基板结构，其具有一图案化第二上导电层于该基板结构的一第一面上、及一图案化第二下导电层于该基板结构的一第二面上；

一图案化的第一上阻挡层于该第一面上，定义出一第一电镀区域、一第二电镀区域和一第一导电开口区域；

一图案化第一下阻挡层于该第二面上，定义出一第二导电开口区域；

一第一电镀层于该电镀区域中的该第二上导电层上，其中该第一电镀层三面完整包覆该第二上导电层；以及

一第二电镀层于该第二导电开口区域的该第二下导电层上。

33.如权利要求32所述的封装电路基板结构，其中该基板结构包括一基板、一导通孔形成于该基板中、图案化的一第一导电层构成的导电通路、一介电层、及多个导电盲孔于介电层中。

34.如权利要求32所述的封装电路基板结构，其中该基板的材料包括纸质酚醛树脂、复合环氧树脂、聚酰亚胺树脂或玻璃纤维。

35.如权利要求32所述的封装电路基板结构，其中该电镀层的材料为Au/Ni复合层。

36.如权利要求32所述的封装电路基板结构，其中该电镀层的材料包括Cu、Fe、Au、Ag、Ni、Sn、或Cr。

37.如权利要求32所述的封装电路基板结构，其中该基板包括一单面板、一双面板、或一多层电路板。

38.如权利要求32所述的封装电路基板结构，其中该图案化第一上阻挡层直接接触于该第二上导电层，且该图案化第一下阻挡层直接接触于该第二下导电层。

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