TW544817B - Semiconductor device - Google Patents

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TW544817B
TW544817B TW091107361A TW91107361A TW544817B TW 544817 B TW544817 B TW 544817B TW 091107361 A TW091107361 A TW 091107361A TW 91107361 A TW91107361 A TW 91107361A TW 544817 B TW544817 B TW 544817B
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conductive layer
connection pad
pad
connection
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TW091107361A
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Inventor
Yutaka Aoki
Original Assignee
Casio Computer Co Ltd
Oki Electric Ind Co Ltd
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544817 五、發明說明（1) 祖關申請案對照 本申請書係根據和要求先前于2001年4月17日提出之 曰本專利申請書第200 1 - 1 1 8242號的優先權益，其全部的 內容將結合於此供參考。 發明背景 1 ·發明領域 本發明係關於一種具有CSP(晶粒尺寸封裝體）之半導體 裝置’其製造方法，及具有此半導體裝置之電子裝置。 2 ·祖關技術說明 具有在晶粒和封裝體尺寸上幾乎彼此相等之CSP結構 之光導體裝置，最近已被發表且被用以增加電路板之放置 密度。此結構之範例示於第1 6圖。第1 6圖爲半導體裝置 2〇之橫截面圖。該半導體裝置20具有一可以藉由切割成 晶粒而得到之所謂的晶圓級CSP結構，晶圓具有已經歷 包含保護膜形成步驟，導電層形成步驟，最終膜形成步驟 和樹脂封裝步驟之封裝製程。 半導體裝置20係由晶圓所形成的。提供電路組件之半 導體基板1的表面（電路表面側），具有許多由鋁電極或類 似材料所製成之連接墊2。在包含連接墊2的上表面之半 導體基板1的電路側之上，形成由氧化矽，氮化矽或類似 材*料所製成之鈍化膜（絕緣膜）3，然後使曝露各連接墊2 的中央。 在鈍化膜3的上表面之上，形成具有可以使曝露各連接 墊2的中央之開口之保護膜4。例如，保護膜4可以藉由 544817 五、發明說明（2 ) 將聚亞醯胺系樹脂應用到晶圓1的整個電路表面側之上， 固化樹脂，以蝕刻液執行光阻圖案製作和保護膜圖案製作 ’及去除光阻形成。 在以上述之方法所形成的保護膜4之上，形成電性連接 到連接墊2之導電層5。在導電層5之上的預定位置，形 成由圓柱狀電極所形成之焊接柱6。移除在各焊接柱6的 末端表面6a之上已自然形成的氧化物膜，然後施以金屬 化製程，如焊料印刷。焊接柱6係用以連接電路板上之端 點（未圖示）。桿接柱6的高度至少要5 0 # m，而典型約爲 100至150μ m。焊接柱6要形成直筒形，以吸收由於半 導體基板1和電路板之間熱膨脹係數差所產生之應力。 在焊接柱6之間之半導體基板1的整個表面側之上，形 成由樹脂，如聚亞醯胺或環氧樹脂，所製成之密封膜7。 由被動組件所形成之濾波器電路和天線組件，需要使用 具有上述晶圓級CPS結構之半導體裝置20實行RF收訊 電路模組，如藍芽模組成GPS接收模組。這些被動組件 並不能依傳統方式放置在晶片內部，及和離散零件一樣排 列在晶片外部。這使其很難以使模組更微小化。 在此RF電路模組中，零件間的導線長度會影響頻率特 性，且很難使其更短。因此，頻率特性很難再改善。 發明槪述 本發明具有一種優點，能夠在晶片上放置被動置件，如 天線組件和電容組件，或由它們所形成之被動電路，及微 小化在藉由將晶圓切成晶片而得到，且具有晶片和封裝體尺 544817 五、發明說明（3) 寸幾乎相同之c S P結構的半導體裝置之模組。本發明可 提供一種放置結構，其適合具有天線組件被放置在晶片上 之半導體裝置之電子裝置。 爲了達成上述之優點’根據本發明之半導體裝置包含： 第一圓柱狀電極，其至少電性連接位在半導體基板上之許 多連接墊當中的一個第一連接墊’其中半導體基板上有形 成電路組件形成區和許多連接墊；至少一個之第一導電層 ，其至少連接一個第二連接墊；密封膜’其至少繞著該第 一圓柱狀電極和在半導體基板上之該第一導電層形成；及 至少一個之第二導電層，其形成在該密封膜之上，以面對 該第一導電層。該面對面之第一和第二導電層，至少可以 形成一個被動組件，如電容組件。該半導體裝置還包含： 第二圓柱狀電極，其電性連接第二連接墊和連接第二導電 層；及第三圓柱狀電極，其至少電性連接一個第三連接墊 和連接第二導電層。藉由使用第二連接墊當作接地墊和第 三連接墊當作饋入墊，可以形成天線組件，如例F形天線 之被動組件。該半導體裝置進一步地包含：許多被動組件； 及第三導電層，其連接在被動組件之間且具有一薄膜被 動組件。被動組件和薄膜被動組件可以形成一被動電路， 如濾波器電路。 被動組件或電路可以形成在半導體基板的電路組件形成 區之上，且連接半導體基板的電路組件。使用此半導體元 件建構之模組可以被微小化。 在包含其上有依上述方式形成天線組件之半導體基板， 544817 五、發明說明（4) 和其上有放置半導體裝置和形成許多導線圖案之導線板的 電子裝置中，沒有在面對半導體裝置之第二導電層的導線 板區域中形成導線圖案，或是該區域係開口。以結構可以 抑制天線性能衰退，得到高輻射效率之無線電波。 爲了達成上述之優點，根據本發明之半導體裝置的製造 方法，在具有許多各自都有電路組件形成區之晶片形成區 和許多連接墊的半導體晶圓之各晶片形成區中，形成絕緣 膜。然後，第一圓柱狀電極至少電性連接在各晶片形成區 中的一個第一連接墊，且在該絕緣膜上形成第一導電層， 以至少連接一個第二連接墊。在於絕緣膜和第一導電層上 形成截封fl吴之後’在晶片形成區的密封膜之上’形成至少 有一個會面對第一導電層之第二導電層。在電路組件形成 區之上，形成被動組件，如天線組件或電容組件，或被動 電路，如濾波器電路。之後，將半導體晶圓基板切成個別 的晶片形成區。 此方法允許在電路組件形成區上，同時形成許多各自具 有被動組件或電路之半導體裝置。 圖式簡單說明 第1圖爲根據本發明的第一實施例之半導體裝置的結構 橫截面圖； 第2圖爲根據本發明的第一實施例，在半導體裝置的表 面側之結構的第一例平面圖； 第3圖爲根據本發明的第一實施例，在半導體裝置的表 面側之結構的第二例平面圖； 544817 五、發明說明（5) 第4圖至第9圖爲根據本發明的第一實施例，說明製造 步驟之橫截面圖； 第1 0圖爲根據本發明的第一實施例，將半導體裝置放 置在導線板上之結構的第一例橫截面圖； . 第1 1圖爲根據本發明的第一實施例，將半導體裝置放 置在導線板上之結構的第二例橫截面圖； 第1 2圖爲根據本發明的第一實施例之半導體裝置的另 一結構之橫截面圖； 第13A圖爲根據本發明的第二實施例之半導體裝置的 結構橫截面圖； 第1 3B圖爲根據本發明的第二實施例，將半導體裝置 放置在導線板上之形成的橫截面圖； 第13C圖爲根據本發明的第二實施例，在示於第13B 圖的放置形式中所形成之被動組件的連接範例平面圖； 第1 4圖爲根據本發明的第二實施例之半導體裝置的另 一結構之橫截面圖； 第1 5 A圖爲根據本發明的第二實施例，將半導體裝置 放置在導線板上之形式的橫截面圖； 第15B圖爲第15A圖之半導體裝置的表面側之平面圖； 第1 5C圖爲藉由修正第1 5A圖所形成之被動電路的結 構平面圖；及 第1 6圖爲具有CSP結構之傳統半導體裝置的結構橫截 面圖。 發J月詳細說明 544817 五、發明說明（6) 下面將參考幾個附圖詳細說明根據較佳實施例之半導體 裝置及製造方法。 <第一實施例> 第1圖爲根據本發明的第一實施例之半導體裝置200的 結構板截面圖。第2圖和第3圖爲移除焊接球B之半導體 裝置200的表面（電路表面側）之不同範例的平面。在第！ 圖到第3圖中，和示於第1 6圖之習知技術相同的參考數 字表示相同的部分，而其說明將適度省略。 類似於示於第1 6圖之傳統半導體裝置20，示於第1， 第2和第3圖之半導體裝置200包含：在提供以整合方式 形成在電路組件形成區DA中之電路組件之半導體基板1 的表面上，所形成之許多的連接墊2;由氧化矽，氮化矽或 類似材料製成，且形成在半導體基板1的表面上，以曝露 各連接墊2的中央之鈍化膜3 ;及形成在鈍化膜3的上表面 上之保護膜4。 類似於傳統半導體裝置20，根據第一實施例之半導體 裝置200包含：形成在保護膜4之上且電性連接連接墊2( 第一連接墊）之導電層5;及形成在導電層5之上之焊接柱 6。半導體裝置2 00進一步地包含連接墊2,其中至少有 一個連接到接地電位之接地墊2A(第二連接墊），和至少有 一個連接到預定電路且接收預定電源之饋入墊2B(第三連 接墊）。半導體裝置200進一步地包含：由至少一個導電層 5-1(第一導電層）所形成之接地板GP，其中其連接到接地 墊2A且延伸在保護膜4上；及至少一個上導電層8(第二導電層） 544817 五、發明說明（7) ，其中其形成在密封膜7之上，因此如此之配置，所以可 以透過部分的膜7面對導電層5-1。半導體裝置200也具 有透過導電層5 ·1而電性連接到接地墊2 A ’且也連接到 上導電層8之焊接柱6A(第一圓柱狀電極），及透過導電層 5 - 1而電性連接到饋入墊2B，且也連接到上導電層8之焊 接柱6B(第二圓柱狀電極）。 $口第2圖所示，電性連接到接地墊2A之導電層5 -1， 和電性連接到接地墊2A和饋入墊2B之上導電層，它們 所配置之位置係經由密封膜7而彼此相互面對。導電層5-1係當作在接地電位之接地板GP，而對面之上導電層8 係當作饋入電極，因此形成一倒F形天線。連接墊電性連 接到形成在半導體基板上的電路組件形成區DA之中之電 路組件。 在第一實施例中，所形成之倒F形天線係當作天線組件 。但是，本發明並不侷限於此，本發明可以形成各種不同 的天線組件，如倒L形天線，嵌片式天線和微帶式天線。 在第1圖和第2圖中，在半導體基板上，形成一種天線 組件，但是本發明並不侷限於此。例如，許多的天線組件 可以配置在一個晶片上，構成一個相陣列式天線，而可以 得到想要的方向特性。或者，可以形成許多的天線，然後 可以改變它們的方向，以減少天線指向性。第3圖圖示一 種元件範例，其中的兩個天線組件係由：組合當作接地板 GP之導電層5_1和對面的上導電層8-1之第一天線組件 ，和組合當作接地板G P之導電層5 - 2和對面的上導電層 544817 五、發明說明（8) 8-2之第二天線組件所形成的，而且這些天線組件的方向 相差90 ° 。 第4圖至第9圖爲根據本發明的第一實施例，說明半導 體裝置200之製造步驟的橫截面圖。製造步驟將參考第4 圖至第9圖說明。 如第4圖所示，在根據第一實施例的製造步驟中，由氧 化矽，氮化矽或類似材料所製成之鈍化膜3，係形成在許 多由鋁電極或類似材料所製成之連接墊2的上表面上，和 形成在晶圓（半導體基板）1的表面上。基板提供形成在電 路組件形成區中之電路組件，且具有許多晶片形成區。鈍 化膜3如此形成，所以可曝露各連接墊2的中央。許多的 連接墊包含至少一個接地墊2 A和至少一個饋入墊2 B。其 次，在鈍化膜3的上表面上，形成具有各自使曝露連接墊 2的中央之開□之保護膜4。保護膜4之形成，例如，係 藉由應用聚亞醯胺系樹脂到晶圓1上之鈍化膜3和連接墊 2的整個上表面之上，固化樹脂，以鈾刻溶液執行光阻圖 案製作和保護膜圖案製作，及去除光阻。 保護膜4之形成可以採用一種藉由旋佈應用聚亞醯胺系 樹脂之方法，使用橡膠滾軸之印刷法，或墨水排放塗佈法 。保護膜材料並不侷限於聚亞醯胺系樹脂，也可以是環氧 樹脂系樹脂，PBO(苯醯氧系樹脂）或類似之材料。 如第5圖所示，在部分透過形成在保護膜4和鈍化膜3 中之開口曝露之連接墊2和饋入墊2B上，形成導電層5 。在接地墊2 A之上，形成對應接地板GP之導電層5 ~ 1。 -10- 544817 五、發明說明（9 ) 導電層5和5-1之形成如下。在保護膜4的整個表面上 ’藉由濺鍍或類似之方法，沈積由銅（Cu) ’鈦（Ti)或類似 材料所製成之UBM(下撞擊金屬）層（未圖示）。將光阻應用 在UBM層之上，固化，然後藉由對應具有預定形狀之開 口之微影製程製作圖案。藉由光阻所形成之開口，使用 U B Μ層當作電流路徑經歷電鑛。 導電層5和5-1可藉由無電鍍形成。用於這些導電層之 材料範例有可以展現良好導電特性之銅，鋁和金，及其合 金。 如第6圖所示，在導電層5和5 -1上的預定位置，由圓 柱狀電極形成焊接柱6，6Α和6Β。 例如，焊接柱係藉由應用厚度約爲1 〇〇到1 50 /z m之焊 接柱形成光阻，固化光阻，形成曝露導電層5和5 -1預定 部分之開口，及藉由使用UBM層當作電流路徑，執行開 口內部之電鍍。每一個焊接柱都可藉由無電鍍或螺栓衝擊 法形成。 焊接柱材料之範例有可以展現良好導電特性之銅，焊料 ，金，和鎳。當使用焊料當作焊接柱形成材料時，也可以 藉由後續的重流製程形成球形電極。當使用焊料形成焊接 柱6時，除了上述之方法外，也可以採用印刷法。在形成 焊接柱6之後，蝕刻掉UBM層不需要的部分。 如第7圖所示，例如，藉由塑造具有樹脂，如聚亞醯胺 或環氧樹脂之晶圓的整個表面側’形成密封膜7，以覆蓋 焊接柱，保護膜和導電層。密封膜7宜由大致上含有和 -11- 544817 五、發明說明（1〇) 上述保護膜4相同主要成份之樹脂製成，以確保抵抗環境 變化之可靠度。除了上述之塑造法外，形成密封膜7之方 法還可以有印刷法，浸泡法，旋佈法或鑄模塗佈法。 在形成密封膜7之後，如第8圖所示，切割且硏磨密封 膜7的上表面，以曝露焊接柱6，6A和6B的端面6a，然 後法除在該部分的上表面上之氧化物膜。 藉由在膜7上之焊料印刷或類似之方法，製成金屬箔薄 片，如銅箔，然後再選擇性蝕刻，而形成電性連接到對應 接地墊2A之焊接柱6A和對應蝕入墊2B之焊接柱6B之 上導電層8。或者，當作上導電層8之導電板，可以用導 電黏著物固定到對應接地墊2A和饋入墊2B之焊接柱6A 和 6 B 〇 若有必要，如第9圖所示，焊球B排列在沒有被上導 電層8覆蓋之焊接柱6之上。 沿著預定切割線CL，將晶圓1切成晶片形成區。結果 ，形成具有示於第1圖之結構之半導體裝置200。 換言之，被製造之半導體元件200具有示於第1圖之結 構，即，由形成自導電層5-1之接地板GP，和形成在對 應接地墊2A和饋入墊2B之焊接柱6A和6B上’以電性 連接到焊接柱6A和6B之上導電層8所構成之倒F形天 線。 第10圖和第π圖爲具有此結構之半導體裝置200放置 在提供預定導線圖案之導線板上時，適當之放置結構。 在示於第1 〇圖的結構中，提供許多導線圖案之導線板 -12- 544817 五、發明說明（11) 3〇係被放置在電子裝置框架40之中。半導體裝置200藉 由連接形成在導線板3 0上之預定的導線圖案3 1，經由形 成在焊接柱6上之焊球B，裝載在導線板3 0之上。當作 半導體裝置200的天線用之上導電層8會面對著導線板 30 ° 若導線圖案存在在面對導線板3 0的上導電層8之區域 3 2中，則由上導電層8輻射之無線電波的輻射效率會減 少，或輻射圖案會擾動，而使天線的性能退化。爲了防止 此種現象，在面對導線板30的上導電層8之區域32中， 並不形成導線圖案。因此，可以抑制天線性能退化。 在示於第1 1圖之結構中，面對導線板30的上導電層8 之區域32係開口。在此情形中，幾乎沒有構件會受到由 上導電層8輻射之無線電波的干擾。無線電波之輻射效率 的減少和天線性能的退化可以最小化，而可以得到很好的 性能。 如上所述，第一實施例藉由形成導電層5 -1當作接地板 G P，和形成上導電層8在電性連接接地墊2A和饋入墊 2 B之焊接柱6 A和6 B上，建構一倒F形天線。天線可以 放置在晶片內部’所以可以微小化具有使用此晶片建構的 天線之模組。 因爲天線係放置在晶片內部’所以與天線位在晶片外部 之結構相較，從晶片上之電路到天線之導線長度可以大幅 地縮短。建構天線之電極的饋入線損失可以最小化。此有 肋於改善傳輸通道特性和提供高性能的天線。 - 13- 544817 五、發明說明（12) 在上述的實施例中，密封膜7係插在接地板GP和上導 電層8之間。換言之，如第12圖所示，可在接地板GP 和上導電層8之間插入高介電質構件1 1。在此情形下， 在形成焊接柱6，6 A和6 B之後，將介電質構件1 1固定 到具有黏著物或類似材料之接地板GP(導電層5-1)上。然 後，透過上述之封裝步驟陳列上導電層8。 藉由在接地板GP和上導電層8之間插入由鈦化鋇或類 似材料所製成之高介電質構件，可以調整天線組件之電氣 長度。換言之，不用改變上導電層8的圖案尺寸，就可以 吹變天線組件之共振頻率。當天線組件的共振頻率保持固 定時，藉由組合高介電質構件，可以減少接地板GP和上 霉電層8之面積。 <第二實施例> 第ΠΑ圖爲根據本發明的第二實施例之半導體裝置200 的結構橫截面圖。在第1 3 A圖中，和第一實施例相同之參 %數字表示相同的部份，而且將適度省略其說明。 根據第二實施例之半導體裝置200包含連接預定連接墊 2C (第二連接墊）之導電層5_2 (第一導電層），及形成在密 針膜7上之上導電層12 (第二導電層）。如第13A圖所示， _電層5-2和上導電層12係經由部分的密封膜7，形成在 趣此相互面對之位置。在上導電層12之上，藉由金屬化 製程，如焊料印刷，形成焊料層B，。 第圖爲將示於第ΠΑ圖之半導體裝置200放置在導 +泉板3 0上之狀態的橫截面圖。在此情形下，上導電層1 2經 -14- 544817 五、發明說明C 13) 由焊料層B，，連接形成在導線板3 0上之連接墊3 3。上導電 層1 2，密封膜7和導電層5 -2形成電容組件Cp。 經由導電層5電性連接到連接墊2之焊接柱6，係經由 焊球B連接到導線板3 0之導線圖案3 1。 電容組件Cp可以形成在導線板3 0上之連接墊3 3和晶 片內部之導電層5-2之間，而可以建構成示於第13C圖之 等效電路。在第13C圖之中，參考數字2 00a表示事先形 成在半導體裝置200的半導體基板1上之電路部分，如第 13A圖所示。電容組件Cp可連接到該電路部分200a。 根據第二實施例，可以整合電容組件和晶片，當具有電 容組件之模組使用此晶片建構時，與電容組件放在晶片外 部之傳統結構相較，可以微小化該模組。 在上述之實施例中，密封膜7插在部分的上導電層1 2 和導電層5-2之間，而形成電容組件。換言之，如第1 4 圖所示，介電質層13可插在上導電層12和電層5-2之間 ，而形成電容組件Cp。 在此結構中，電容組件之電容係由插在上導電層1 2和 導電層5 -2之間之介電質層1 3的相對介電質常數，厚度 ，和面積決定。 使用高相對介電質常數之介電質，不用改變上導電層 1 2和導電層5 - 2的面積，就可以增加電容値。當電容値保 持固定時，可以減少各導電層之面積。形成介電質層1 3 之高相對介電質常數之介電質材料係像鈦化鋇或鈦化鉅之 高介電質材料。 -15- 544817 五、發明說明（14 ) 第15A圖至第15C圖爲第二實施例之修正例。第15A 圖爲半導體裝置2 0 0之修正例和放置在導線板3 0上之半 導體裝置200之狀態的橫截面圖。第15B圖爲省略密封膜 7之半導體裝置20 0的表面平面圖。 如第1 5A圖所示，該修正例包含電性連接到導電層5-3 和10(第一導電層）之連接墊2D(第二連接墊）。再者，該 修正例還包含透過介電質層1 3，形成在使它們面對導電 層5-3和10之位置之上導電層12-1和12-2(第二導電層）。 在導電層1 〇之上，形成圓柱狀電極6，然後在圓柱狀 電極6之上，形成焊球B。圓柱狀電極6經由焊球B，連 接到形成在導線板3 0上之連接墊3 6。藉由金屬化製程， 女口焊料印刷，在上導電層12-1和12-2之上，形成焊料層 B’。上導電層12-1和12-2經由焊球B’，連接到形成在導 線板30上之連接墊35。 對於此種配置，兩個在結構上與電容組件Cp完全相同 之電容組件C 1和C2，分別形成在上導電層1 2_ 1和導電 層5-3之間，與上導電層12-2和導電層10之間。 如第1 5 B圖所示，將導電層1 0製作成正方螺旋圖形， 以形成電感組件L。 藉由組合電容組件C 1和C2及電感組件L，可以建構各 手重不同的被動電路。例如，可以形成示於第1 5C圖，且連 接到形成在半導體基板1上的電路部分200a之π低通濾 波器。由被動組件所形成之濾波器電路可以放置在晶片內 咅[3，所以可以微小化具有使用此晶片建構的濾波器電路之 -1 6 - 544817 五、發明說明（15) 模組。 在此修正例中，濾波器電路係藉由組件兩個電容組件和 一'個電感組件所完成的。但是本發明並不侷限於此，而各 種不同的被動電路可以藉由組合許多的電容組件，電感組 件和導電層而建構。
此外，本發明並不侷限於電容組件和電感組件，而形成 在半導體基板1上之導電層可以形成各種不同的薄膜電路 組件，如電阻器，薄膜變壓器，薄膜SAW(表面聲波）濾波 器，微帶線，和MMIC(微波單石積體電路）。或者，可以 組合這些構件，建構成各種不同的被動電路。 在此情形下，可以將各種不同的被動電路放置在晶片內 咅[3，所以可以微小化使用此晶片所建構之模組。相較於將 這：些被動電路配置在晶片外部之傳統結構，可以大幅地縮 矢豆從晶片上之電路到各動電路之導線長度。可以抑制天線 J員失，以改善頻率特性，尤其是RF電路。 辛守號說明
1 ...半導體基板 2 ...連接墊 2 Α...接地墊 2 Β...饋入墊 2 C...連接墊 3 ...鈍化月旲 4 ...保護膜 5，5-1,5-2.·.導電層 - 17- 544817 五、 發明說明（16) 5 - 3…導電層 6 ·· .焊接柱 6 A ...末端表面 6B ...焊接柱 7.. .密封膜 8,8-1，8-2…上導電層 10 ...導電層 12 ，:12-1，12-3…上導電層 13 ...介電質層 20 ...半導體裝置 3 0 ...導線板 3 1 ...導線圖案 3 2 ...區域 3 3 ...連接墊 3 5 ,3 6 ...焊接墊 200...半導體裝置 2 0 0 a ...電路部分 B . ..焊球 B， ...焊料層 -18-

Claims (1)

  1. 544817 六、申請專利範圍 1. 一種半導體裝置，包含： 半導體基板，其中有電路組件形成區，和許多至少包含 一個第一連接墊和一個第二連接墊之連接墊形成在其上； 第一圓柱狀電極，其形成在第一連接塾之_h，以電性連 接到第一連接墊； 至少一個之第一導電層，其形成在第二連接墊之上，以 電性連接到第二連接墊； 密封膜，其至少繞著該第一圓柱狀電極，在半導體基板 之上和在第一導電層之上形成； 第二導電層，其形成在密封膜之上，以面對第一導電層 ;及 至少一個之被動組件，其由第一和第二導電層形成。 2. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中許多連接墊至少包含 一個第三連接墊，而且 其進一步地包含第二圓柱狀電極，其電性連接到第二連 接墊和連接到第二導電層’ 及第三圓柱狀電極，其電性連接到第三連接墊和連接到 第二導電層。 3 .如申請專利範圍第2項之裝置’其中 第二連接墊構成接地墊’ 第三連接墊構成饋入墊’及 被動組件包含天線組件。 4.如申請專利範圍第3項之裝置’其中天線組件包含倒F形 天線。 5 •如申請專利範圍第1項之裝置，其中被動組件包含電容組 -19- 544817 六、申請專利範圍 件’而且其在第二導電層上進一步地包含連接到導線板之 連接區。 6 ·如申請專利範圍第丨項之裝置，進一步地包含： 許多被動組件；及 連接該被動組件之第三導電層。 7 ·如申請專利範圍第6項之裝置，其中 第三導電層至少構成一個薄膜被動組件，及 許多的被動組件和薄膜被動組件形成被動電路。 8 ·如申請專利範圍第7項之裝置，其中 許多的被動組件至少包含兩個電容組件， 薄膜被動組件包含藉由製作第三導電層圖案，以產生電 感構件之電感組件，及 被動電路包含濾波器電路。 9 ·如申請專利範圍第1項之裝置，其中密封膜具有位在第一 和第二導電層之間之介電質部分。 10·—種電子裝置，包含： 具有半導體基板之半導體裝置，其中在半導體基板上有 電路組件形成區和許多至少包含一個第一連接墊和一個 第二連接墊之連接墊形成， 圓柱狀電極，其電性連接到第一連接墊， 第一導電層，其連接到第二連接墊， 密封膜，其至少繞著該圓柱狀電極，在半導體基板上和 在第一導電層之上形成， 第二導電層，其形成在密封膜之上，以面對第一導電層 ，及 -20- 申請專利範圍 由第一和第二導電層所形成之天線組件；及 有許多導線圖案形成在其上之導線板， 具有經由圓柱狀電極而電性連接到導線板上之導線圖 案結構之半導體裝置， 其中在面對半導體元件的第二導電層之導線板區域中， 沒有形成導線圖案。 1 1 .如申請專利範圍第1 〇項之裝置，其中面對半導體裝置的 第二導電層之導線板區域包含開口。 12.—種半導體裝置之製造方法，包含： 在形成電路組件形成區和許多連接墊的上表面之上，製 備一半導體基板； 電性連接第一圓柱狀電極到許多連接墊中的至少一個 第一連接墊； 至少連接一個第一導電層到許多連接墊中的至少一個 第二連接墊； 至少繞著第一圓柱狀電極，在半導體基板之上和在第一 導電層之上形成密封膜；及 在密封膜之上至少形成一個第二導電層，以面對第一導 電層。 1 3 ·如申請專利範圍第1 2項之方法，還包括： 形成電性連接到第二連接墊，且連接到第二導電層之第 二圓柱狀電極；及 形成電性連接到許多連接墊中的至少一個第三連接墊 ，且連接到第二導電層之第三圓柱狀電極。 14.如申請專利範圍第13項之方法，其中 -21 - 544817 、申請專利範圍 第二連接墊構成接地墊， 第三連接墊構成饋入墊，及 第一和第二導電層形成天線組件。 15. 如申請專利範圍第12項之方法，進一步地包含： 由第一和第二導電層形成電容組件；及 在第二導電層之上，形成可以連接到導線板之連接結構。 16. 如申請專利範圍第15項之方法，進一步地包含： 形成許多電容組件；及 形成至少連接在兩個電容組件之間，且將其製作圖案， 使產生電感構件之第三導電層，因此形成電感組件。 I7·如申請專利第12項之方法，進一步地包含將介電質 1 T it 材料配置在和第二導電層之間。 18·—種半導體造方法，包含： m 製備具有旨晶片形成區之半導體晶圓，其中該許多的 Τ； Λ'^' 晶片形成區各自具有電路組件形成區和許多連接墊； 在各晶片形成區之中，形成絕緣膜； 在晶片形成區之中，將第一圓柱狀電極電性連接到許多 連接墊中的至少一個第一連接墊； 在晶片形成區之中，至少形成一個第一導電層在絕緣膜 之上，而且將該第一導電層連接到許多連接墊中的至少一 個第三連接墊； 至少繞著第一圓柱狀電極和在絕緣膜上的第一導電層 之上’形成密封膜； 在晶片形成區之中，至少形成一個第二導電層在密封膜 之上’以面對第一導電層；及 -22- 544817 六、申請專利範圍 將半導體晶圓切割成個別的晶片形成區，因此可以形成 許多半導體裝置。 1 9.如申請專利範圍第1 8項之方法，進一步地包含： 形成電性連接到晶片形成區中的第二連接墊，且連接到 第二導電層之第二圓柱狀電極；及 形成連接到晶片形成區中許多連接墊中的至少一個第 三連接墊， 且連接到第二導電層之第三圓柱狀電極。 2 0.如申請專利範圍第19項之方法，其中 第一連接墊構成接地墊， 第二連接墊構成饋入墊，及 第一和第二導電層形成天線組件。 2 1.如申請專利範圍第1 8項之方法，進一步地包含·· 由第一和第二導電層形成電容組件；及 在第二導電層之上，形成可以連接到導線板之連接結構。 22. 如申請專利範圍第21項之方法，進一步地包含： 形成許多電容組件；及 形成至少連接到兩個電容組件之間’且將其製作圖案’ 使產生電感構件之第三導電層，因此形成電感組件。 23. 如申請專利範圍第18項之方法，進一步地包含將介電質 材料配置在第一和第二導電層之間。 -23-
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