JP2002312747A - Ｉｃチップ実装体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＩＣチップ補強効果を高める。 【解決手段】 インレットシート２０にアンテナ２２が
形成されており、そのアンテナ２２にはチップサイズパ
ッケージされたＩＣチップ２のバンプ電極であるはんだ
ボール１６が接続されることにより、ＩＣチップ２がフ
ェースダウン方式でインレットシート２０に実装されて
いる。ＩＣチップ２は電極側がエポキシ樹脂などの封止
用樹脂１４で封止されて補強されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明のＩＣチップ実装体
は、銀行カード、ポイントカード等に使用される接触型
ＩＣカードと呼ばれるもの、乗車券、テレホンカード、
荷物タグ等に使用されデータの交信等を外部電波で行な
う非接触型ＩＣカードと呼ばれるもの、及び接触型と非
接触型の両方の機能を併せ持つコンビ型ＩＣカードと呼
ばれるもの等に関するものである。これらのＩＣ実装体
はデータキャリアとも呼ばれており、通称ＩＣカードと
呼ばれるが、必ずしもカード形態をとるものだけでな
く、物に貼り付けられるシート状のものや、容器に封入
されたタグや、腕時計型等の種々の形態のキャリアも含
んでいる。この明細書でもＩＣ実装体はＩＣカードやカ
ード状以外の形態のものも含むものとして使用してい
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、個人のセキュリティ管理、物流管
理、又は通勤通学等に使用される定期券等に新しい情報
記録媒体としてＩＣチップを搭載した小型電子機器が普
及しつつある。特に携帯用として便利なＩＣカードと称
されるカード型大容量可変情報記録媒体が大きく普及し
始めている。

【０００３】ＩＣカードは大きく分けて接触型、非接触
型の２種類に分けられる。接触型とはカード表面にデー
タ交換用の端子が設けられており、その端子を通じて外
部読み取り機とデータ交換を行なっているものである。
現在使い捨てタイプは欧州等でテレホンカードとして広
く流通している。また、情報の書き換え可能なタイプを
マネーカードとして使用する実験が各国で行なわれてお
り、金融関係で使用されるカードとして注目されてい
る。

【０００４】一方、非接触ＩＣカードはデータ交換を電
波で行なうため、たとえば従来の切符、定期券等、磁気
記録層が片面に設けられている乗車券に変わる記録媒体
として注目されている。特に、改札通過の際に、一々乗
車券を取り出す必要がなく、定期入れや鞄等の中からで
もデータ交換できるため、利便性が大きく向上するもの
と期待されている。物流分野においてもバーコードや磁
気記録に取って代わり、移動体とのデータ交換を電波に
て行なうＲＦＩＤ（Radio Frequency Identification：
無線自動識別）による管理が主流になりつつある。

【０００５】このような小型電子機器へのＩＣチップの
実装方法として、ワイヤーボンディング法が従来から広
く行なわれている。ワイヤーボンディング法は、ＩＣチ
ップのパッドと金属リードを数μｍの太さの金線にて接
続することで電気的導通を行なっている。しかし、接続
構造の特性上、金線がチップパッド上に大きな弧を形成
しており、この金線を保護するためにエポキシ等の樹脂
にて封止を行ない、さらにセラミックの媒体にてパッケ
ージング化されることが通常行なわれている。そのため
非常に嵩高い構造となり、小型電子機器のＩＣチップ実
装方法としては不向きであった。

【０００６】一方、パッドに金やはんだ等のバンプを設
けたＩＣチップによるフェースダウン方式では、バンプ
が回路基板に直接接続しているため配線用の金線を使用
する必要がなく実装体積を小さくできることから小型携
帯用電子機器のＩＣチップ実装方法として大きく注目さ
れている。

【０００７】その方式では、耐久性を向上させるために
ＩＣチップ上に補強部材を設けることが行なわれてい
る。そのために、ＩＣチップを回路基板にフェースダウ
ン方式にて接続固定した後、ＩＣチップ上にエポキシ等
の樹脂を塗布し、その上に補強部材を搭載し、紫外線等
によりエポキシ樹脂を硬化させて固定することが通常実
施されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな方法では、補強部材をチップ上に正確に載せ、固定
する等の工程が発生し、位置調整や接着する手間等が発
生する。さらに、ＩＣチップ上に補強部材を搭載したも
のを樹脂の硬化の前に移動した場合、補強部材がずれて
しまい作業に支障をきたすという問題が生じ、結局コス
ト高を招いている。

【０００９】本発明の第１の目的は、ＩＣチップ補強効
果が高いことにより信頼性の高いＩＣチップ実装体を提
供することである。本発明の第２の目的は、従来の補強
部材を使用したＩＣチップ実装体に比べ、ＩＣチップ補
強効果が高いＩＣチップ実装体を安価に製造できる方法
を提供することである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明のＩＣチップ実装
体は、ＩＣチップを実装したインレットを使用したもの
であり、そのＩＣチップは、少なくとも電極の設けられ
ている側に封止樹脂層を有し、電極の設けられている側
の封止樹脂層上にバンプ部を備えてチップサイズパッケ
ージ（ＣＳＰ）されたＩＣチップである。そのＩＣチッ
プが少なくとも電極の設けられている側に封止樹脂層を
有してチップサイズパッケージされているので、ＩＣチ
ップ補強効果が高い。

【００１１】そのチップサイズパッケージの好ましい一
例は、電極の設けられている側に、電極部分以外の領域
を保護する保護膜と、電極部分に電気的に接続され電極
面に対し略垂直方向に形成された金属ポストと、前記保
護膜上に形成されて前記金属ポストの端面と略同一の高
さの表面を有する封止樹脂層と、前記金属ポスト上に形
成されたバンプ部とを備えたものである。

【００１２】さらに好ましくは、ＩＣチップは、電極の
設けられていない側にも封止樹脂層を備えている。電極
部分と金属ポストとの間に、それらを電気的に接続する
ための配線層がさらに設けられることがある。これによ
り、金属ポストを電極部分からずらした位置に配置する
ことができるようになる。封止樹脂層としては、ＩＣチ
ップの実装に一般的に使用されているエポキシ樹脂が好
ましい。

【００１３】このＩＣチップ実装体を製造する本発明の
方法は、以下の工程（Ａ）から（Ｃ）を備えている。 （Ａ）ウエハーの状態で少なくとも電極の設けられてい
る側に封止樹脂層を有し、電極の設けられている側の前
記封止樹脂層上にバンプ部を備えてチップサイズパッケ
ージされたＩＣチップを有するウエハーをＩＣチップご
とに切断する工程、（Ｂ）切断された個々のＩＣチップ
をインレットに実装する工程、（Ｃ）そのインレットを
用いてＩＣチップ実装体に組み立てる工程。好ましい一
例では、工程（Ａ）で使用するウエハーは、ＩＣチップ
の電極の設けられている側に、電極部分以外の領域を保
護する保護膜と、電極部分に電気的に接続され電極面に
対し略垂直方向に形成された金属ポストと、前記保護膜
上に形成されて前記金属ポストの端面と略同一の高さの
表面を有する封止樹脂層と、前記金属ポスト上に形成さ
れたバンプ部とを備えたものである。さらに好ましい一
例では、工程（Ａ）で使用するウエハーは、ＩＣチップ
で電極の設けられていない側にも封止樹脂層を備えたも
のである。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施形態を非接触
ＩＣカードを例として説明する。なお、図１は本発明の
非接触ＩＣカードの平面図を、インレットから上の部分
を透過した形で示したものである。図２は図１の非接触
ＩＣカードのＡ−Ａ’線位置での断面図である。この明
細書では、インレットシート２０にＩＣチップ２と通信
用アンテナ２２を備えたＩＣチップ実装体をインレット
と称している。インレット自体は、そのままでは、最終
一般ユーザの使用には適さないので、最終製品とはなり
難い。しかし、製造者間では流通することもあり、イン
レットも広義には本発明のＩＣチップ実装体に含まれ
る。

【００１５】インレットシート２０にアンテナ２２とそ
の他の必要な回路が形成されている。そのアンテナ２２
にはチップサイズパッケージされたＩＣチップ２のバン
プ電極であるはんだボール１６が接続されることによ
り、ＩＣチップ２がフェースダウン方式でインレットシ
ート２０に実装されている。

【００１６】ＩＣチップ２がコアシート２６に開けられ
た孔に収納された状態で、ＩＣチップ２とコアシート２
６が接着材層２４によりインレットシート２０に接合さ
れている。インレットシート２０の裏面（ＩＣチップ２
が実装されている側とは反対側の面）には接着材層３２
を介してオーバーレイ３４が接合されており、ＩＣチッ
プ２とコアシート２６の裏面（インレットシート２０の
ある側とは反対側の面）には接着材層２８を介してオー
バーレイ３０が接合されている。オーバーレイ３０，３
４の表面には必要に応じて印刷層３６，３８が形成され
る。

【００１７】アンテナ２２及び必要な回路を形成するた
めのインレットシート２０としては、ポリエチレン、ポ
リプロピレン、ポリブテン、ポリスチレン、ポリメチル
ペンテン、エチレン・プロピレン共重合体、エチレン・
ブチレン共重合体、プロピレン・ブテン共重合体等のポ
リオレフィン樹脂系ポリマー、ポリフッ化ビニリデン、
ポリテトラフルオロエチレン等のフッ素樹脂系ポリマ
ー、ポリウレタン、フェノール系ポリエーテル、酢酸セ
ルロース、アクリロニトリル系重合体、アミド系樹脂、
ポリエステル系樹脂、ガラスエポキシ樹脂、ポリカーボ
ネート、アクリルニトリルブタジエンスチレン、ポリエ
チレンナフタレート、ポリフェニルサルファイド、紙等
の単体あるいは混合物が例示できる。また、上記物質に
無機物を混入したものを使用しても良い。

【００１８】ＩＣチップ２のバンプ部１６と電気的に接
続するためのアンテナ２２をインレットシート２０上に
設けてインレットを得る方法としては、ワイヤにより形
成したアンテナをインレットシート上に配置する巻き線
法、インレットシート上に配置した銅箔又はアルミニウ
ム箔をエッチングにより回路とアンテナ形状に形成する
エッチング法、銀粒子を含んだペーストを用いてインレ
ットシート上にスクリーン印刷により回路とアンテナを
形成するスクリーン印刷法等が挙げられる。このうち、
特にエッチング法とスクリーン印刷法が製法上大量生産
に適していることより、本発明の回路及びアンテナの形
成方法としてより好ましい。

【００１９】ＩＣチップ下に設けられ、ＩＣチップ２を
インレットシート２０接続固定するための接着材層２４
としては、熱硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂、湿度硬化
性樹脂等が例示できる。熱硬化性樹脂は短時間での硬化
が可能であり、さらに常温下での取扱いが容易なため本
発明の接着材層として特に好ましい。さらに、硬化性樹
脂をフィルム状態にした樹脂フィルムを使用することも
可能である。硬化性樹脂をフィルム状にすることでより
取扱いが容易となり好ましい。さらに、金、銀、銅、ア
ルミニウム、ニッケル等の金属粒子または、スチレンや
アクリル等のプラスチック粒子にニッケルや金等の金属
をコーティングした樹脂粒子等を硬化性樹脂内に含有し
た異方性導電樹脂を使用しても良い。

【００２０】次にチップサイズパッケージされたＩＣチ
ップ２について説明する。ＩＣチップ２はウエハーと呼
ぶシリコン基板上に種々の工程を経て半導体回路が形成
され、その電極側は電極（通常はアルミ電極）４と電極
以外のシリコン層を覆うパッシベーション層６が形成さ
れる。電極４の無い側はシリコン基板の状態となってい
る。このように電極４、パッシベーション層６が形成さ
れ多数のチップ２を搭載したウエハー状態のまま次に説
明するように保護膜８、銅ポスト１２、封止樹脂層１
４、バンプ電極１６形成等の工程を行なう。この各要素
の形成工程を一つのＩＣチップを対象にして図３に示し
た。

【００２１】保護膜の形成 パッシベーション層６が形成され多数のＩＣチップ２を
搭載したウエハー状態のまま、電極４の設けられている
側に、電極部分以外の領域を保護する保護膜８としてポ
リイミド膜を３〜５μｍの厚さに形成する。

【００２２】銅ポストの形成 ウエハーの電極側に、フォトリソグラフィー技術によ
り、銅ポスト形成用の開口をもつレジスト膜を形成し、
その開口部に銅メッキにより厚さが１２０〜１３０μｍ
の銅ポスト１２を形成する。銅ポスト形成後レジスト膜
を除去する。

【００２３】以上この説明では電極４上に直接銅ポスト
１２を形成す例を説明したが、バンプの位置を電極４か
らずれた所望の場所に形成する場合には銅ポスト１２に
先立って銅再配線１０をメッキ等により形成することも
ある。この場合はその銅再配線１０の電極部上に銅ポス
ト１２を形成することになる。

【００２４】封止樹脂層の形成 塗布機を使用して、ウエハーの電極側に封止用樹脂１４
を塗布する。樹脂１４は、熱硬化型のエポキシ樹脂など
が使用される。塗布は、ウエハーを回転台上に固定し、
回転台の上部に設けたノズルより液体状の封止樹脂を滴
下し、ウエハーを高速で回転させてウエハー上に樹脂を
均一にコーティングする。樹脂１４の厚みは、１０〜３
００μｍが望ましく、樹脂を塗布後、オーブン内で５０
〜１５０℃の温度で３０分〜３時間程度の時間で樹脂を
硬化させる。

【００２５】封止樹脂の研削 銅ポスト１２の先端面が露出するまで、封止樹脂１４を
研削する。 バンプ電極の形成 封止樹脂１４から露出した銅ポスト１２の先端面にバン
プ電極１６を形成する。バンプ電極１６は金、はんだ等
の金属系或いは導電性ペーストによって構成されている
ことが好ましい。バンプ電極１６を金バンプとして形成
する場合は、ワイヤーボンダーの技術を応用した方法、
メッキ法、スパッタ法がある。金バンプは製法によって
形状に特徴がある。メッキ、スパッタ法では丸又は円柱
状であり、ワイヤーボンダーで製造したバンプの形状は
ワイヤを途中で切るため、独特の形をしている。またバ
ンプ電極１６を導電性ペーストによる樹脂バンプとして
形成する場合は、スクリーン印刷、ディスペンサー等に
より形成される。

【００２６】ウエハー研磨 研摩は、通常、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishin
g：化学的機械研磨）により行なわれる。この方法によ
る研摩は、ウエハーをスピンドルに貼り付け、シリカや
アルミナなどの硬質の粒子をスラリー化して研摩面上に
連続的に流し、研摩パッドに接触させて研磨することに
より行なわれる。研摩量は、ウエハーの最終的な厚み、
樹脂の強度が保持できる厚みにより調整して行なう。

【００２７】ダイシング ウエハーは、ＩＣパターンがひとつひとつ個別に形成さ
れたダイから構成されている。各ダイには、ＩＣ回路を
構成するパターンとＩＣチップを個別に分離するための
カッティング部分（スクライブ線）を設けておく。この
スクライブ線（５０〜２００μｍの幅を有する）に沿っ
てダイシングソーを使用してウエハーをＩＣチップごと
に個別にカッティングしていく。カッティング時には、
ＩＣチップがばらばらにならないようにウエハーをＵＶ
テープ等で固定しておくなどの処置をほどこすことが行
なわれる。また、ダイシング後、ＩＣチップを個別に検
査することも行なわれ、不良チップにマーキング等を行
ない、良品と区別できるようにしておくと、不良品を選
別することができる。

【００２８】以上の工程を経てダイシングにより一つ一
つに切り離されたＩＣチップ２が得られる。このように
して得られたＩＣチップ２がインレットシート２０に実
装されてインレットとなる。

【００２９】以上の説明で得られるＩＣチップ２はその
電極４が形成される側にのみ封止樹脂層１４が形成され
たチップサイズパッケージのＩＣチップである。一方、
以上説明した工程中での工程後に更に別の封止樹脂層
形成の工程を追加することができる。この工程は以下の
ような工程である。

【００３０】ａ別の封止樹脂層の形成 ウエハーの電極４が形成されていない側の面に前述の
の工程と同様にして別の封止樹脂層を設ける。この封止
樹脂層を第２の封止樹脂層といい、の工程で設けられ
た封止樹脂層を第１の封止樹脂層と呼ぶ。この第１及び
第２の封止樹脂層の樹脂としては、エポキシ樹脂、ウレ
タン樹脂、アクリル樹脂等を使用することができるが、
チップの補強を目的とする上ではエポキシ樹脂が好まし
い。第２の封止樹脂層の厚みは１０〜２００μｍ程度に
することができるが、５０〜１５０μｍ程度が強度を確
保する上で好ましい。このようにａの工程を付加し第
１及び第２の両封止樹脂層を備えたＩＣチップも同様に
インレットシートに実装される。

【００３１】次に図２および図４を用いて非接触型ＩＣ
カードの成型方法について説明する。図４は本発明のＩ
Ｃチップ実装体の一実施形態である非接触型ＩＣカード
の一例について、その製造組立てを説明するための断面
図である。上記操作によりＩＣチップ２がインレットシ
ート２０に実装されたインレットを使用する。図に示す
ようにそのインレットのインレットシート２０でチップ
２の無い側に接着材層３２を挟んでオーバーレイ３４を
配置し、インレットシート２０のチップ２のある側には
接着材層２４を介して、チップ２の形状に合わせた孔を
開けたコアシート２６を配置し、さらにコアシート２６
の外側に接着材層２８を介してオーバーレイ３０を配置
する。これらを積層して加熱板４０，４０間に挟み、圧
着して１２０℃程度まで加熱した後、冷却して貼り付け
る。その後、カード型に打ち抜くことにより非接触型Ｉ
Ｃカードを得ることができる。

【００３２】また、インレットのＩＣチップを有する面
にのみ接着材層を用いてオーバーレイを貼り付けた後、
カード型に打ち抜くことにより非接触ＩＣカードを得る
こともできる。

【００３３】接着材層としては、ポリエステル樹脂、Ａ
ＢＳ（アクリルニトリル−ブタジエン−スチレン）樹
脂、アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂等の一般に使用さ
れているドライラミネート用接着材を使用することがで
きるが、熱可塑性樹脂が好ましい。熱可塑性樹脂として
は、変性ポリエステル樹脂、オレフィン系樹脂、アイオ
ノマー、塩化ビニル樹脂、ＡＢＳ樹脂、ＡＳ（アクリル
ニトリル−スチレン）樹脂、ポリスチレン、アクリル樹
脂、メタクリル樹脂、ポリビニルアセテート、ビニルブ
チラール樹脂、ＥＶＡ（エチレン−酢酸ビニル共重合
体）、セルロース誘導体系樹脂、ウレタン樹脂、ポリエ
ステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ナイロン、ポリアセ
タール、ポリカーボネート、フッ素樹脂、ポリエステル
系樹脂、ポリエーテルイミド、ポリイミド等の単独、混
合体、共重合体、等がある。また熱硬化型樹脂、吸湿硬
化型樹脂、及び線硬化樹脂等やそれらのフィルムも使用
することができる。

【００３４】オーバーレイ３０，３４に使用する材料と
しては、変性ポリエステル樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化
ビニル樹脂、アクリル樹脂、オレフィン系樹脂、ジエン
系樹脂、天然ゴム、ゼラチン、ニカワ、アビエチン系樹
脂、セルロース誘導体系樹脂、ポリエステル系樹脂、エ
ポキシ樹脂、ビニルブチラール樹脂、ウレタン樹脂、ポ
リアミド系樹脂、アルキッド樹脂、メラミン系樹脂、尿
素系樹脂、フェノールホルマリン系樹脂、石油樹脂、マ
レイン酸共重合体、等の単独、混合体、共重合体等の
他、紙、合成紙等やそれらの複合体が例示できる。コア
シート２６としてもオーバーレイ３０，３４や接着材層
２４，２８，３２と同様の材料が使用できる。

【００３５】

【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をより具体的に
説明するが、勿論本発明はこれによって限定されるもの
ではない。 （実施例１）所定のＩＣ回路を設けた厚み６２５μｍの
ＩＣウエハーを作成し、パッド部分４以外に保護膜８を
形成させる。回路面のアンテナと接続するパッド部分４
に銅メッキで厚み約１２０μｍの銅ポスト１２を形成さ
せる。その後、銅ポスト１２が形成されている面に厚み
約１３０μｍのエポキシ樹脂をスピンコーティングし、
１５０℃で熱硬化させた後、樹脂表面を研削して銅ポス
ト１２の先端面を露出させる。このときの銅ポストを含
む樹脂の厚みは約１００μｍであった。その後、銅ポス
ト１２の先端面にスクリーン印刷方法により直径が約５
０μｍのはんだバンプを形成させる。その後、回路面と
反対側のシリコン層を研削し、全厚みを３００μｍとし
た。その後、チップ単位にダイシングした。

【００３６】このチップを、銅アンテナパターンを有す
るＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）材からなるイ
ンレットシート２０にフリップチップボンダーでアンテ
ナ２２とＩＣチップ２を接続した。これをインレットと
する。このインレットの両側を厚み約２５０μｍの変性
ポリエステル樹脂で挟み、その間に厚み約８０μｍのホ
ットメルトのり〔融点１００℃〕を挿入した状態で、１
２０℃で４０分間、十分シートが密着するまで圧力をか
けた後、カード状に打ち抜いてＩＣカードを作成した。
ここで、変性ポリエステル樹脂について述べておくと、
ＩＣ変性ポリエステル樹脂カードのカード基材等とし
て、熱可塑性樹脂の一種である非結晶変性ポリエステル
樹脂がＰＥＴＧの名称で市場に流通し、その樹脂製プラ
スチックシートが注目され使用されている。この樹脂は
正式には少なくともエチレングリコール、テレフタル酸
及び１，４−シクロヘキサンジメタノールの３成分を重
合した変性ポリエステル樹脂であるが、上の変性ポリエ
ステル樹脂はこれを指す。

【００３７】このＩＣカードの破壊強度を測定したとこ
ろ、チップが破損するときの力は、チップ上をチップト
インレットシートとの接合部側から押し付けた場合３０
Ｎ、接合部と反対側から押し付けた場合１１０Ｎであ
り、チップの補強効果が顕著に認められた。

【００３８】（実施例２）実施例１と同様にしてパッド
側に樹脂コーティングし、研削したあと、反対面のシリ
コン部分を研削してウエハーの厚みを約１００μｍに
し、その面にスピンコーティングによりエポキシ樹脂を
厚み約１００μｍコーティングした。その後、銅ポスト
部分にスクリーン印刷方により直径が約５０μｍのはん
だバンプを形成させ、実施例１と同様にしてダイシング
し、インレットに実装後、カード化した。このときカー
ドの状態でチップが破壊するときの力は、接合部側に対
しては実施例１の場合より大きい５０Ｎ、接合部と反対
側からについては実施例１と同じ１１０Ｎで、チップの
補強効果がカード両面からの外力に対して顕著にみとめ
られた。

【００３９】（比較例１）ウエハーの状態でエポキシ樹
脂コーティングを実施しないほかは、実施例１と同様に
してＩＣカードを作成した。このときのチップ破壊強度
はどちら側からの力に対しても１５Ｎであり、チップ状
態での破壊強度と同程度で、破損しやすいＩＣカードと
なった。

【００４０】（比較例２）ウエハーのパッド部分にスク
リーン印刷方式で直径が約５０μｍのはんだバンプを形
成させ、バンプと反対側のシリコン面を研削しウエハー
の厚みを約１００μｍとした。その後、５ｍｍ角のチッ
プ形状にダイシングした。フリップチップボンダーによ
り、そのＩＣチップのバンプをインレットのアンテナ部
分と接合させた。このチップのまわりにスクリーン印刷
方式によりエポキシ樹脂を塗布して被覆し、さらにその
上に厚み約３０μｍで直径が９ｍｍのステンレス板をの
せ、インレットの両面を厚み約１００μｍのホットメル
トのり（融点１１０℃）で挟み込み、さらに、厚み約２
５０μｍのＰＥＴシートを両面に設け、１２０℃で成型
し、その後カード状に打ち抜いた。このカードのチップ
部分を破壊するときの力は、チップ接合面側に対しては
２５Ｎ、チップ接合面と反対側からに対しては２０Ｎで
あり、外力に対してチップが破損しやすかった。

【００４１】

【発明の効果】本発明のＩＣチップ実装体は、実装する
ＩＣチップとして少なくとも電極の設けられている側に
封止樹脂層を有し、電極の設けられている側の封止樹脂
層上にバンプ部を備えてチップサイズパッケージされた
ＩＣチップを使用したので、従来の補強部材を使用した
ＩＣチップ実装体に比べ、チップの補強効果が高くて信
頼性の高いＩＣチップ実装体を得ることができる。ＩＣ
チップには電極の設けられていない側にも封止樹脂層を
備えるようにすれば、さらに補強効果を高めることがで
きる。本発明の製造方法では、ウエハーの状態でチップ
サイズパッケージされたＩＣチップを形成し、ＩＣチッ
プごとに切断してインレットに実装し、そのインレット
を用いてＩＣチップ実装体に組み立てるようにしたの
で、チップの補強効果の高いＩＣチップ実装体を安価に
得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の非接触ＩＣカードの内部を透視して示
す平面図である。

【図２】図１のＡ−Ａ’線位置での断面図である。

【図３】本発明におけるＩＣチップのチップサイズパッ
ケージ実装方法を示す工程断面図である。

【図４】一実施例のＩＣカードを示す分解正面断面図で
ある。

【符号の説明】

２ ＩＣチップ ４ 電極 ６ パッシベーション層 ８ 保護膜 １０ 銅再配線 １２ 銅ポスト １４ 封止樹脂層 １６ バンプ電極 ２０ インレットシート ２２ アンテナ ２４，２８，３２ 接着材層 ２６ コアシート ３０，３４ オーバーレイ

フロントページの続き (72)発明者 下西 利幸 徳島県阿南市辰巳町１丁目２番 王子製紙 株式会社カードメディア事業所内 Ｆターム(参考） 2C005 MA10 NA09 NA16 NA31 NB37 PA03 PA18 PA19 PA29 RA22 5B035 AA04 AA08 BA05 BB09 CA03

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ＩＣチップを実装したインレットを使用
   したＩＣチップ実装体において、 前記ＩＣチップは、少なくとも電極の設けられている側
   に封止樹脂層を有し、電極の設けられている側の前記封
   止樹脂層上にバンプ部を備えてチップサイズパッケージ
   されたＩＣチップであることを特徴とするＩＣチップ実
   装体。
2. 【請求項２】 前記ＩＣチップは、電極の設けられてい
   る側に、電極部分以外の領域を保護する保護膜と、電極
   部分に電気的に接続され電極面に対し略垂直方向に形成
   された金属ポストと、前記保護膜上に形成されて前記金
   属ポストの端面と略同一の高さの表面を有する封止樹脂
   層と、前記金属ポスト上に形成されたバンプ部とを備え
   ている請求項１に記載のＩＣチップ実装体。
3. 【請求項３】 前記ＩＣチップは、電極の設けられてい
   ない側にも封止樹脂層を備えている請求項１又は２に記
   載のＩＣチップ実装体。
4. 【請求項４】 前記電極部分と前記金属ポストとの間に
   は、それらを電気的に接続するための配線層がさらに設
   けられている請求項２又は３に記載のＩＣチップ実装
   体。
5. 【請求項５】 電極の設けられている側に設けられた前
   記封止樹脂層はエポキシ樹脂である請求項１から４のい
   ずれかに記載のＩＣチップ実装体。
6. 【請求項６】 電極の設けられていない側に設けられた
   前記封止樹脂層はエポキシ樹脂である請求項３から５の
   いずれかに記載のＩＣチップ実装体。
7. 【請求項７】 以下の工程（Ａ）から（Ｃ）を備えたＩ
   Ｃチップ実装体の製造方法。 （Ａ）ウエハーの状態で少なくとも電極の設けられてい
   る側に封止樹脂層を有し、電極の設けられている側の前
   記封止樹脂層上にバンプ部を備えてチップサイズパッケ
   ージされたＩＣチップを有するウエハーをＩＣチップご
   とに切断する工程、 （Ｂ）切断された個々のＩＣチップをインレットに実装
   する工程、 （Ｃ）そのインレットを用いてＩＣチップ実装体に組み
   立てる工程。
8. 【請求項８】 前記工程（Ａ）で使用するウエハーは、
   ＩＣチップの電極の設けられている側に、電極部分以外
   の領域を保護する保護膜と、電極部分に電気的に接続さ
   れ電極面に対し略垂直方向に形成された金属ポストと、
   前記保護膜上に形成されて前記金属ポストの端面と略同
   一の高さの表面を有する封止樹脂層と、前記金属ポスト
   上に形成されたバンプ部とを備えたものである請求項７
   に記載のＩＣチップ実装体の製造方法。
9. 【請求項９】 前記工程（Ａ）で使用するウエハーは、
   ＩＣチップで電極の設けられていない側にも封止樹脂層
   を備えたものである請求項７又は８に記載のＩＣチップ
   実装体の製造方法。