JP3145081B2 - 非接触データキャリアの製造方法 - Google Patents
非接触データキャリアの製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は非接触データキャリ
アの製造方法に関する。具体的には、ＩＣチップを主な
内部部品として持ち、非接触で外部装置との間で信号を
送受信する非接触データキャリアの製造方法に関する。
アの製造方法に関する。具体的には、ＩＣチップを主な
内部部品として持ち、非接触で外部装置との間で信号を
送受信する非接触データキャリアの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】 非接触データキャリアシステムは、非
接触データキャリアと呼ばれる応答器と、ホスト側に接
続される質問器とで構成され、これら応答器と質問器と
の間で、磁気、誘導電磁界、マイクロ波（電波）などの
伝送媒体を介して非接触で交信を行う点を特徴としてい
る。
接触データキャリアと呼ばれる応答器と、ホスト側に接
続される質問器とで構成され、これら応答器と質問器と
の間で、磁気、誘導電磁界、マイクロ波（電波）などの
伝送媒体を介して非接触で交信を行う点を特徴としてい
る。
【０００３】このシステムは、応答器をさまざまな個体
（物品）に取付け、その個体に関する情報を質問器によ
り遠隔的に読み取ってホストに提供し、個体に関する情
報処理を実現するものである。
（物品）に取付け、その個体に関する情報を質問器によ
り遠隔的に読み取ってホストに提供し、個体に関する情
報処理を実現するものである。
【０００４】図４はこのような非接触データキャリアの
一例を示す図であって、同図（ａ）は当該非接触データ
キャリアの平面構成図、同図（ｂ）はそのＩＣ実装部の
断面構成図である。応答器( 非接触データキャリア)
は、質問器との間で信号を送受信するためのアンテナコ
イル１と、ホスト側と交信をなうためのＩＣチップ（回
路部品）を主体として構成され、耐久性・耐環境性を考
慮して、通常、アンテナコイル１やＩＣチップ１０など
の内部部品を２枚の樹脂シート２に挟み込むことによっ
て気密に封止した構造を有している。
一例を示す図であって、同図（ａ）は当該非接触データ
キャリアの平面構成図、同図（ｂ）はそのＩＣ実装部の
断面構成図である。応答器( 非接触データキャリア)
は、質問器との間で信号を送受信するためのアンテナコ
イル１と、ホスト側と交信をなうためのＩＣチップ（回
路部品）を主体として構成され、耐久性・耐環境性を考
慮して、通常、アンテナコイル１やＩＣチップ１０など
の内部部品を２枚の樹脂シート２に挟み込むことによっ
て気密に封止した構造を有している。
【０００５】当該非接触データキャリアは、種々な個体
に取り付けられることなどから、近年薄型化が要求され
ており、アンテナコイル１として樹脂シート２上の形成
された金属薄膜から作製されたものが用いられている。
また、当該アンテナコイル１上にはＩＣチップ１０が、
金製のバンプ１１を介して当該アンテナコイル１上に実
装される。
に取り付けられることなどから、近年薄型化が要求され
ており、アンテナコイル１として樹脂シート２上の形成
された金属薄膜から作製されたものが用いられている。
また、当該アンテナコイル１上にはＩＣチップ１０が、
金製のバンプ１１を介して当該アンテナコイル１上に実
装される。
【０００６】この非接触データキャリアにおいては、よ
り薄型化を実現するために、薄型のＩＣチップ１０、例
えば、概ね３０〜２５０μｍ以下の厚さのものが用いら
れる。この非接触データキャリアを得るには、その最終
厚みに応じてＩＣチップ１０の裏面を研磨して薄くし、
フリップチップ法によってアンテナコイル１の接続パッ
ド面と接合する方法が採用されるのが一般的である。こ
のフリップチップ法としては、異方性導電ペーストや異
方性導電シートによる熱圧着法、はんだ接合後に接合面
に樹脂を充填する方法等を挙げることができる。こうし
て、ＩＣチップ１０の表面（接合面）側においては、ア
ンテナコイル１との接合面を保護する接合層３が形成さ
れる。
り薄型化を実現するために、薄型のＩＣチップ１０、例
えば、概ね３０〜２５０μｍ以下の厚さのものが用いら
れる。この非接触データキャリアを得るには、その最終
厚みに応じてＩＣチップ１０の裏面を研磨して薄くし、
フリップチップ法によってアンテナコイル１の接続パッ
ド面と接合する方法が採用されるのが一般的である。こ
のフリップチップ法としては、異方性導電ペーストや異
方性導電シートによる熱圧着法、はんだ接合後に接合面
に樹脂を充填する方法等を挙げることができる。こうし
て、ＩＣチップ１０の表面（接合面）側においては、ア
ンテナコイル１との接合面を保護する接合層３が形成さ
れる。
【０００７】ところで、通常ＩＣチップ１０の表面（接
合面）は前記接合層３によって保護されているが、ＩＣ
チップ１０の裏面は上記したように研磨が施されている
ためにシリコンウエハそのものが露出された状態になっ
ている。従って、上記非接触データキャリアにおいて
は、ＩＣチップ１０の裏面は、非接触データキャリアの
表層を構成する１枚の樹脂シート２及び当該樹脂シート
２とＩＣチップ１０を接着するフレキシビリティのある
接着剤層４とによってのみ保護されているだけである。
このために、点圧や点衝撃に対する耐性が極端に弱く、
ＩＣチップ１０が欠ける、割れるなどの不良が発生しや
すいという問題点があった。
合面）は前記接合層３によって保護されているが、ＩＣ
チップ１０の裏面は上記したように研磨が施されている
ためにシリコンウエハそのものが露出された状態になっ
ている。従って、上記非接触データキャリアにおいて
は、ＩＣチップ１０の裏面は、非接触データキャリアの
表層を構成する１枚の樹脂シート２及び当該樹脂シート
２とＩＣチップ１０を接着するフレキシビリティのある
接着剤層４とによってのみ保護されているだけである。
このために、点圧や点衝撃に対する耐性が極端に弱く、
ＩＣチップ１０が欠ける、割れるなどの不良が発生しや
すいという問題点があった。
【０００８】かかる問題点を解決するためには、フリッ
プチップ実装後にＩＣチップ１０全体を樹脂封止して、
ＩＣチップ１０の裏面側を保護することが考えられる。
しかしながら、薄型のデータキャリアとするためには、
封止する樹脂層を薄くしなければならず、また、別な樹
脂シート２を接着するためには平滑性が要求される。こ
のため、真空中における印刷法などを利用しなければな
らず、非常に手間が掛かり、製造コストが上昇するとい
う問題があった。
プチップ実装後にＩＣチップ１０全体を樹脂封止して、
ＩＣチップ１０の裏面側を保護することが考えられる。
しかしながら、薄型のデータキャリアとするためには、
封止する樹脂層を薄くしなければならず、また、別な樹
脂シート２を接着するためには平滑性が要求される。こ
のため、真空中における印刷法などを利用しなければな
らず、非常に手間が掛かり、製造コストが上昇するとい
う問題があった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題点に
鑑みてなされたものであって、フリップチップ法によっ
て実装された薄型のＩＣチップ裏面が保護強化されＩＣ
チップの不良発生の少ない非接触データキャリアを、安
価に提供する非接触データキャリアの製造方法を提供す
ることを目的とする。
鑑みてなされたものであって、フリップチップ法によっ
て実装された薄型のＩＣチップ裏面が保護強化されＩＣ
チップの不良発生の少ない非接触データキャリアを、安
価に提供する非接触データキャリアの製造方法を提供す
ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明に係る非接触デー
タキャリアの製造方法は、裏面に保護層が形成された３
０〜２５０μｍ厚のＩＣチップがフリップチップ実装方
法によりアンテナコイル上に実装された非接触データキ
ャリアの製造方法であって、複数のＩＣチップに対応す
る回路パターンの形成されたシリコンウエハの裏面に樹
脂保護層を形成する工程と、前記シリコンウエハの所定
位置にバンプを形成する工程と、前記シリコンウエハを
ダイシングして裏面に樹脂保護層が形成されたＩＣチッ
プを得る工程と、前記ＩＣチップをアンテナコイル上に
フェイスダウンでマウントして実装する工程とを具備す
ることを特徴とする。
タキャリアの製造方法は、裏面に保護層が形成された３
０〜２５０μｍ厚のＩＣチップがフリップチップ実装方
法によりアンテナコイル上に実装された非接触データキ
ャリアの製造方法であって、複数のＩＣチップに対応す
る回路パターンの形成されたシリコンウエハの裏面に樹
脂保護層を形成する工程と、前記シリコンウエハの所定
位置にバンプを形成する工程と、前記シリコンウエハを
ダイシングして裏面に樹脂保護層が形成されたＩＣチッ
プを得る工程と、前記ＩＣチップをアンテナコイル上に
フェイスダウンでマウントして実装する工程とを具備す
ることを特徴とする。
【００１１】請求項２記載の非接触データキャリアの製
造方法は、裏面に保護層が形成された３０〜２５０μｍ
厚のＩＣチップがフリップチップ実装方法によりアンテ
ナコイル上に実装された非接触データキャリアの製造方
法であって、複数のＩＣチップに対応する回路パターン
の形成されたシリコンウエハの裏面を上記厚み範囲まで
研磨する工程と、前記シリコンウエハの裏面に樹脂保護
層を形成する工程と、前記シリコンウエハの所定位置に
バンプを形成する工程と、前記シリコンウエハをダイシ
ングして樹脂護層が形成されたＩＣチップを得る工程
と、前記ＩＣチップを第１の樹脂シート上に形成された
アンテナコイル上にフェイスダウンでマウントして実装
する工程と、前記保護層上に前記アンテナコイルの形成
された第１の樹脂シートと対応する第２の樹脂シートを
載置し貼着する工程とを具備することを特徴とする。
造方法は、裏面に保護層が形成された３０〜２５０μｍ
厚のＩＣチップがフリップチップ実装方法によりアンテ
ナコイル上に実装された非接触データキャリアの製造方
法であって、複数のＩＣチップに対応する回路パターン
の形成されたシリコンウエハの裏面を上記厚み範囲まで
研磨する工程と、前記シリコンウエハの裏面に樹脂保護
層を形成する工程と、前記シリコンウエハの所定位置に
バンプを形成する工程と、前記シリコンウエハをダイシ
ングして樹脂護層が形成されたＩＣチップを得る工程
と、前記ＩＣチップを第１の樹脂シート上に形成された
アンテナコイル上にフェイスダウンでマウントして実装
する工程と、前記保護層上に前記アンテナコイルの形成
された第１の樹脂シートと対応する第２の樹脂シートを
載置し貼着する工程とを具備することを特徴とする。
【００１２】前記保護層は、コンプレッション成形、又
は樹脂注型若しくはトランスファー成形により、シリコ
ンウエハの回路パターン形成面の裏面及び側面に形成さ
れた封止樹脂膜とすることができる。
は樹脂注型若しくはトランスファー成形により、シリコ
ンウエハの回路パターン形成面の裏面及び側面に形成さ
れた封止樹脂膜とすることができる。
【００１３】また、前記保護層は、シリコンウエハの回
路パターン形成面の裏面に貼着された樹脂薄板とするこ
とができる。
路パターン形成面の裏面に貼着された樹脂薄板とするこ
とができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１は本発明により得られた非接
触データキャリアを示す断面構造図、図２は本発明のデ
ータキャリアの製造方法の一例を説明するための図、図
３は本発明の非接触データキャリアの製造方法の他の例
を説明するための図である。以下、各図に従って本発明
について詳細に説明する。
触データキャリアを示す断面構造図、図２は本発明のデ
ータキャリアの製造方法の一例を説明するための図、図
３は本発明の非接触データキャリアの製造方法の他の例
を説明するための図である。以下、各図に従って本発明
について詳細に説明する。
【００１５】図１に示す非接触データキャリアは、図４
に示す非接触データキャリアとほぼ同様な構造をしてお
り、アンテナコイル１やＩＣチップ１０などの内部部品
を備えている。これらの内部部品は、２枚の樹脂シート
２によって挟み込まれ、接着剤層４によって２枚の樹脂
シート２を密着することによって内部部品が封止されて
いる。
に示す非接触データキャリアとほぼ同様な構造をしてお
り、アンテナコイル１やＩＣチップ１０などの内部部品
を備えている。これらの内部部品は、２枚の樹脂シート
２によって挟み込まれ、接着剤層４によって２枚の樹脂
シート２を密着することによって内部部品が封止されて
いる。
【００１６】樹脂シート２としては、特に限定されるも
のではないが、例えばポリエチレンやポリプロピレン、
ポリエチレンテレフタレートなどの熱可塑性樹脂やエポ
キシ樹脂などの熱硬化性樹脂を挙げることができる。ア
ンテナコイル１は導電性を有する例えば銅やアルミニウ
ム製の金属薄膜から作製されており、樹脂シート２上に
例えば所定形状に金属蒸着することにより、あるいはシ
ート上に形成された金属薄膜をエッチングなどすること
により作製される。
のではないが、例えばポリエチレンやポリプロピレン、
ポリエチレンテレフタレートなどの熱可塑性樹脂やエポ
キシ樹脂などの熱硬化性樹脂を挙げることができる。ア
ンテナコイル１は導電性を有する例えば銅やアルミニウ
ム製の金属薄膜から作製されており、樹脂シート２上に
例えば所定形状に金属蒸着することにより、あるいはシ
ート上に形成された金属薄膜をエッチングなどすること
により作製される。
【００１７】ＩＣチップ１０は、パット上に形成された
金バンプ１１をアンテナコイル１上に接合してフリップ
チップ実装される。また、当該ＩＣチップ１０の接合面
には、異方性導電ペーストや異方性導電シートなどから
形成された接合層３が形成されている。当該ＩＣチップ
１０の厚さとしては、薄型の非接触データキャリアとす
るために、その厚さとしては３０〜２５０μｍのものが
好ましく用いられる。
金バンプ１１をアンテナコイル１上に接合してフリップ
チップ実装される。また、当該ＩＣチップ１０の接合面
には、異方性導電ペーストや異方性導電シートなどから
形成された接合層３が形成されている。当該ＩＣチップ
１０の厚さとしては、薄型の非接触データキャリアとす
るために、その厚さとしては３０〜２５０μｍのものが
好ましく用いられる。
【００１８】当該ＩＣチップ１０の裏面側、すなわち実
装面と反対面には、裏面保護層１２が形成されている。
当該裏面保護層１２は、例えば、エポキシ系樹脂、シリ
コーン系樹脂、ウレタン系樹脂のような熱硬化性樹脂等
から樹脂封止によって形成された樹脂層、さらにはポリ
エーテルサルファン、ポリエーテルイミド、ポリフェニ
レンサルファイド等から射出成形、押出し成形、キャス
テイング成形等により作製した樹脂薄板を挙げることが
できる。これらのうち、樹脂薄板については、図３に示
すように、例えばエポキシ樹脂系接着剤やシリコーン樹
脂系接着剤、ウレタン樹脂系接着剤などの各種接着剤１
３によって、ＩＣチップ１０裏面に貼り合わせられる。
装面と反対面には、裏面保護層１２が形成されている。
当該裏面保護層１２は、例えば、エポキシ系樹脂、シリ
コーン系樹脂、ウレタン系樹脂のような熱硬化性樹脂等
から樹脂封止によって形成された樹脂層、さらにはポリ
エーテルサルファン、ポリエーテルイミド、ポリフェニ
レンサルファイド等から射出成形、押出し成形、キャス
テイング成形等により作製した樹脂薄板を挙げることが
できる。これらのうち、樹脂薄板については、図３に示
すように、例えばエポキシ樹脂系接着剤やシリコーン樹
脂系接着剤、ウレタン樹脂系接着剤などの各種接着剤１
３によって、ＩＣチップ１０裏面に貼り合わせられる。
【００１９】これらの裏面保護層１２の厚さは特に限定
されるものではなく、薄ければ薄い程好ましいものであ
りる。また、その材質によっても異なるが、充分な強度
を得るためには、通常、５０〜１，０００μｍに設定さ
れる。
されるものではなく、薄ければ薄い程好ましいものであ
りる。また、その材質によっても異なるが、充分な強度
を得るためには、通常、５０〜１，０００μｍに設定さ
れる。
【００２０】次に当該非接触データキャリアの製造方法
について、図２及び図３に基づいて説明する。まず、Ｉ
Ｃチップ１０の裏面に裏面保護層１２を形成する。図２
に示す方法は、樹脂封止によって裏面保護層１２を形成
する方法を示すものであって、一枚のシリコンウエハ２
０をダイシングすることによって、ＩＣチップ１０を作
製する方法を示す。
について、図２及び図３に基づいて説明する。まず、Ｉ
Ｃチップ１０の裏面に裏面保護層１２を形成する。図２
に示す方法は、樹脂封止によって裏面保護層１２を形成
する方法を示すものであって、一枚のシリコンウエハ２
０をダイシングすることによって、ＩＣチップ１０を作
製する方法を示す。
【００２１】図２に示すように、同一の所定回路パター
ンが複数形成されたシリコンウエハ２０の回路形成面
（表面）に、シリコンウエハ保護シート２２を仮着す
る。次に、シリコンウエハ２０の裏面から側面に掛け
て、上記エポキシ系樹脂やシリコーン系樹脂、ウレタン
系樹脂などの熱硬化性樹脂によって封止し、封止樹脂膜
２１を形成する。このとき、樹脂封止する方法としては
特に限定されるものではないが、例えばコンプレッショ
ン成形、又は注型法やトランスファー成形法を挙げるこ
とができる。次に当該封止樹脂膜２１が形成されたシリ
コンウエハ２０の所定位置に、接合用のバンプ１１を形
成した後シリコンウエハ２０をダイシングして、裏面保
護層１２が形成された１個１個のＩＣチップ１０に切り
出す。
ンが複数形成されたシリコンウエハ２０の回路形成面
（表面）に、シリコンウエハ保護シート２２を仮着す
る。次に、シリコンウエハ２０の裏面から側面に掛け
て、上記エポキシ系樹脂やシリコーン系樹脂、ウレタン
系樹脂などの熱硬化性樹脂によって封止し、封止樹脂膜
２１を形成する。このとき、樹脂封止する方法としては
特に限定されるものではないが、例えばコンプレッショ
ン成形、又は注型法やトランスファー成形法を挙げるこ
とができる。次に当該封止樹脂膜２１が形成されたシリ
コンウエハ２０の所定位置に、接合用のバンプ１１を形
成した後シリコンウエハ２０をダイシングして、裏面保
護層１２が形成された１個１個のＩＣチップ１０に切り
出す。
【００２２】これとは別に、樹脂シート２上に金属薄膜
からなるアンテナコイル１を、金属蒸着やエッチング法
などにより形成しておく。
からなるアンテナコイル１を、金属蒸着やエッチング法
などにより形成しておく。
【００２３】次に、裏面保護層１２が形成されたＩＣチ
ップ１０をフリップチップ実装する。すなわち、当該Ｉ
Ｃチップ１０をアンテナコイル１上に載置し、異方性導
電ペーストや異方性導電シートを用いて実装すると共
に、ＩＣチップ１０の接合面を保護するための接合層３
を形成する。このとき、ＩＣチップ１０をアンテナコイ
ル１上に実装した後に、エポキシ系樹脂やシリコーン系
樹脂などの熱硬化性樹脂によって、接合層３を形成する
こともできる。
ップ１０をフリップチップ実装する。すなわち、当該Ｉ
Ｃチップ１０をアンテナコイル１上に載置し、異方性導
電ペーストや異方性導電シートを用いて実装すると共
に、ＩＣチップ１０の接合面を保護するための接合層３
を形成する。このとき、ＩＣチップ１０をアンテナコイ
ル１上に実装した後に、エポキシ系樹脂やシリコーン系
樹脂などの熱硬化性樹脂によって、接合層３を形成する
こともできる。
【００２４】その後、内部部品が載置された樹脂シート
２上に接着剤を塗布し、別な樹脂シート２を貼り合わせ
ることによって内部部品を２枚の樹脂シート２及び接着
剤層４によって封止して、非接触データキャリアを作製
できる。
２上に接着剤を塗布し、別な樹脂シート２を貼り合わせ
ることによって内部部品を２枚の樹脂シート２及び接着
剤層４によって封止して、非接触データキャリアを作製
できる。
【００２５】また、本発明にあっては、樹脂薄板などを
用いて裏面保護層１２を形成することもできる。図３は
当該樹脂薄板を用いて裏面保護層１２を形成する場合を
示す方法であって、図３では、所定の回路パターンが形
成されたシリコンウエハ２０上に、エポキシ系樹脂など
接着剤２４を用いて樹脂薄板２３を貼り合わせられてい
る。このシリコンウエハ２０にバンプ１１を形成した後
ダイシングすることによって、裏面保護層１２が形成さ
れたＩＣチップ１０を得ることができる。
用いて裏面保護層１２を形成することもできる。図３は
当該樹脂薄板を用いて裏面保護層１２を形成する場合を
示す方法であって、図３では、所定の回路パターンが形
成されたシリコンウエハ２０上に、エポキシ系樹脂など
接着剤２４を用いて樹脂薄板２３を貼り合わせられてい
る。このシリコンウエハ２０にバンプ１１を形成した後
ダイシングすることによって、裏面保護層１２が形成さ
れたＩＣチップ１０を得ることができる。
【００２６】このように容易にしてＩＣチップ１０の裏
面に裏面保護層１２を形成することができる。この結
果、裏面側からの点圧や点衝撃に対する耐性が向上し、
ＩＣチップ１０の欠けや割れなどの不良の発生を抑える
ことができる。
面に裏面保護層１２を形成することができる。この結
果、裏面側からの点圧や点衝撃に対する耐性が向上し、
ＩＣチップ１０の欠けや割れなどの不良の発生を抑える
ことができる。
【００２７】特にこの方法によれば、１個１個のＩＣチ
ップ１０に裏面保護層１２を形成する必要がなく、簡単
な方法で薄膜状の裏面保護層１２を形成できる。従っ
て、製造コストを大幅に向上させることなく、耐衝撃性
に優れた非接触データキャリアを提供できる。
ップ１０に裏面保護層１２を形成する必要がなく、簡単
な方法で薄膜状の裏面保護層１２を形成できる。従っ
て、製造コストを大幅に向上させることなく、耐衝撃性
に優れた非接触データキャリアを提供できる。
【００２８】
【実施例】次に本発明の実施例である非接触データキャ
リアについて説明する。
リアについて説明する。
【００２９】まず、５インチシリコンウエハの回路パタ
ーン形成面に保護シートを貼り付け、１００μｍ厚に研
磨して金型にセットし、その裏面及び側面をエポキシ樹
脂を用いたコンプレッション成形法によって樹脂封止
し、厚さ１００μｍの封止樹脂膜による裏面保護層を形
成した。
ーン形成面に保護シートを貼り付け、１００μｍ厚に研
磨して金型にセットし、その裏面及び側面をエポキシ樹
脂を用いたコンプレッション成形法によって樹脂封止
し、厚さ１００μｍの封止樹脂膜による裏面保護層を形
成した。
【００３０】次に、シリコンウエハの保護シートを除去
しシリコンウエハ対応ボールボンダーを用いて、所定位
置に金ワイヤーによるバンプを形成した後、ダイヤモン
ドカッターによってダイシングし、回路パターン形成面
の所定一にバンプが形成されるとともに裏面保護層が形
成されたＩＣチップを得た。
しシリコンウエハ対応ボールボンダーを用いて、所定位
置に金ワイヤーによるバンプを形成した後、ダイヤモン
ドカッターによってダイシングし、回路パターン形成面
の所定一にバンプが形成されるとともに裏面保護層が形
成されたＩＣチップを得た。
【００３１】これとは別に、アルミニウム薄膜からエッ
チング法によりアンテナコイルが形成されたポリエチレ
ンテレフタレート製の樹脂シート上に、異方性導電ペー
ストをディスペンスし、フリップボンダーを用いて、上
記裏面保護層を形成したＩＣチップをフェイスダウンで
マウントして、熱圧着した。その後、当該樹脂シート上
に接着剤を塗布した後、別なポリエチレンテレフタレー
ト製の樹脂シートを重ねてラミネートし、非接触データ
キャリアを得た。
チング法によりアンテナコイルが形成されたポリエチレ
ンテレフタレート製の樹脂シート上に、異方性導電ペー
ストをディスペンスし、フリップボンダーを用いて、上
記裏面保護層を形成したＩＣチップをフェイスダウンで
マウントして、熱圧着した。その後、当該樹脂シート上
に接着剤を塗布した後、別なポリエチレンテレフタレー
ト製の樹脂シートを重ねてラミネートし、非接触データ
キャリアを得た。
【００３２】
【発明の効果】本発明により得られた非接触データキャ
リアは、フリップチップ実装された薄型のＩＣチップ裏
面に、封止樹脂や樹脂薄板からなる裏面保護層が設けら
れているので、裏面側からの点圧や点衝撃に対する耐性
が向上する。この結果、ＩＣチップ１０の欠損が少なく
なり、信頼性の高い非接触データキャリアを提供でき
る。
リアは、フリップチップ実装された薄型のＩＣチップ裏
面に、封止樹脂や樹脂薄板からなる裏面保護層が設けら
れているので、裏面側からの点圧や点衝撃に対する耐性
が向上する。この結果、ＩＣチップ１０の欠損が少なく
なり、信頼性の高い非接触データキャリアを提供でき
る。
【００３３】そして、本発明の非接触データキャリアの
製造方法によれば、シリコンウエハの裏面及び側面を樹
脂封止する、あるいは樹脂薄板を貼り合わせた後にダイ
シングすることにより、ＩＣチップを得ることにしてい
るので、安価にしかも厚みを増すことなく薄膜状の裏面
保護層を形成できる。この結果、耐衝撃性を向上させた
非接触データキャリアを安価にしかも簡単な方法で作製
できる。
製造方法によれば、シリコンウエハの裏面及び側面を樹
脂封止する、あるいは樹脂薄板を貼り合わせた後にダイ
シングすることにより、ＩＣチップを得ることにしてい
るので、安価にしかも厚みを増すことなく薄膜状の裏面
保護層を形成できる。この結果、耐衝撃性を向上させた
非接触データキャリアを安価にしかも簡単な方法で作製
できる。
【図１】本発明の一実施の形態により得られた非接触デ
ータキャリアを示す断面構造図
ータキャリアを示す断面構造図
【図２】本発明の非接触データキャリアの製造方法を説
明するための図
明するための図
【図３】本発明の他の非接触データキャリアの製造方法
を説明するための図
を説明するための図
【図４】非接触データキャリアの一例を示す図であっ
て、同図（ａ）は当該非接触データキャリアの平面構成
図、同図（ｂ）はその断面構成図
て、同図（ａ）は当該非接触データキャリアの平面構成
図、同図（ｂ）はその断面構成図
１……アンテナコイル ２……樹脂シート ３……接合層 ４……接着剤層 １０……ＩＣチップ １１……バンプ １２……裏面保護層 ２０……シリコンウエハ ２１……封止樹脂膜 ２２……シリコンウエハ保護シー
ト ２３……樹脂薄板 ２４……接着剤
ト ２３……樹脂薄板 ２４……接着剤
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G06K 19/07 - 19/077 H01L 21/02 - 21/60
Claims (4)
- 【請求項１】 裏面に保護層が形成された３０〜２５０
μｍ厚のＩＣチップがフリップチップ実装方法によりア
ンテナコイル上に実装された非接触データキャリアの製
造方法であって、複数のＩＣチップに対応する回路パターンの形成された
シリコンウエハの裏面に樹脂保護層を形成する工程と、 前記シリコンウエハの所定位置にバンプを形成する工程
と、 前記シリコンウエハをダイシングして裏面に樹脂保護層
が形成されたＩＣチップを得る工程と、 前記ＩＣチップをアンテナコイル上にフェイスダウンで
マウントして実装する工程と を具備することを特徴とす
る非接触データキャリアの製造方法。 - 【請求項２】 裏面に保護層が形成された３０〜２５０
μｍ厚のＩＣチップがフリップチップ実装方法によりア
ンテナコイル上に実装された非接触データキャリアの製
造方法であって、 複数のＩＣチップに対応する回路パターンの形成された
シリコンウエハの裏面を上記厚み範囲まで研磨する工程
と、 前記シリコンウエハの裏面に樹脂保護層を形成する工程
と、 前記シリコンウエハの所定位置にバンプを形成する工程
と、 前記シリコンウエハをダイシングして樹脂保護層が形成
されたＩＣチップを得る工程と、 前記ＩＣチップを第１の樹脂シート上に形成されたアン
テナコイル上にフェイスダウンでマウントして実装する
工程と 、前記保護層上に前記アンテナコイルの形成された第１の
樹脂シートと対応する第２の樹脂シートを載置し貼着す
る工程とを具備することを特徴とする非接触データキャ
リアの製造方法。 - 【請求項３】 前記保護層が、シリコンウエハの回路パ
ターン形成面の裏面及び側面に形成された封止樹脂膜で
あることを特徴とする請求項１又は２記載の非接触デー
タキャリアの製造方法。 - 【請求項４】 前記樹脂保護層が、シリコンウエハの回
路パターン形成面の裏面に貼着された樹脂薄板であるこ
とを特徴とする請求項１又は２記載の非接触データキャ
リアの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04158699A JP3145081B2 (ja) | 1999-02-19 | 1999-02-19 | 非接触データキャリアの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04158699A JP3145081B2 (ja) | 1999-02-19 | 1999-02-19 | 非接触データキャリアの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000242745A JP2000242745A (ja) | 2000-09-08 |
| JP3145081B2 true JP3145081B2 (ja) | 2001-03-12 |
Family
ID=12612546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04158699A Expired - Fee Related JP3145081B2 (ja) | 1999-02-19 | 1999-02-19 | 非接触データキャリアの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3145081B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003331242A (ja) * | 2002-05-10 | 2003-11-21 | Konica Minolta Holdings Inc | Ｉｃカード |
| JP2009134710A (ja) * | 2007-11-05 | 2009-06-18 | Toppan Printing Co Ltd | 薄型化ｉｃインレット及びこれを用いたｉｃカードとその製造方法 |
-
1999
- 1999-02-19 JP JP04158699A patent/JP3145081B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000242745A (ja) | 2000-09-08 |
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