JP2000242745A - 非接触データキャリア及び非接触データキャリアの製造方法 - Google Patents
非接触データキャリア及び非接触データキャリアの製造方法Info
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- JP2000242745A JP2000242745A JP11041586A JP4158699A JP2000242745A JP 2000242745 A JP2000242745 A JP 2000242745A JP 11041586 A JP11041586 A JP 11041586A JP 4158699 A JP4158699 A JP 4158699A JP 2000242745 A JP2000242745 A JP 2000242745A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 フリップチップ法によって薄型のＩＣチップ
が実装された非接触データキャリアにおいて、該ＩＣチ
ップ裏面の保護強化を安価に施し、ＩＣチップの不良発
生を少なくする。 【解決手段】 回路パターンが形成されたシリコンウエ
ハ２０の裏面及び側面に、エポキシ系樹脂などの熱硬化
性樹脂によって封止樹脂膜２１を形成するか、ポリエー
テルサルファンなどの樹脂薄板、アルミニウムなどの金
属薄板２３をエポキシ樹脂系などの接着剤２４によって
貼り合わせる。次に当該シリコンウエハ２０をダイシン
グして、裏面に裏面保護層１２が形成されたＩＣチップ
１０を得る。その後、樹脂シート２上に形成された薄膜
状のアンテナコイル１上にフリップチップ法によってＩ
Ｃチップ１０を実装する。当該樹脂シート２上に別な樹
脂シート２を貼り合わせ、樹脂シート２及び接着剤層４
によって封止して、本発明の非接触データキャリアを得
る。
が実装された非接触データキャリアにおいて、該ＩＣチ
ップ裏面の保護強化を安価に施し、ＩＣチップの不良発
生を少なくする。 【解決手段】 回路パターンが形成されたシリコンウエ
ハ２０の裏面及び側面に、エポキシ系樹脂などの熱硬化
性樹脂によって封止樹脂膜２１を形成するか、ポリエー
テルサルファンなどの樹脂薄板、アルミニウムなどの金
属薄板２３をエポキシ樹脂系などの接着剤２４によって
貼り合わせる。次に当該シリコンウエハ２０をダイシン
グして、裏面に裏面保護層１２が形成されたＩＣチップ
１０を得る。その後、樹脂シート２上に形成された薄膜
状のアンテナコイル１上にフリップチップ法によってＩ
Ｃチップ１０を実装する。当該樹脂シート２上に別な樹
脂シート２を貼り合わせ、樹脂シート２及び接着剤層４
によって封止して、本発明の非接触データキャリアを得
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は非接触データキャリ
アに関する。具体的には、ＩＣチップを主な内部部品と
して持ち、非接触で外部装置との間で信号を送受信する
非接触データキャリアに関する。
アに関する。具体的には、ＩＣチップを主な内部部品と
して持ち、非接触で外部装置との間で信号を送受信する
非接触データキャリアに関する。
【０００２】
【従来の技術】非接触データキャリアシステムは、所持
して非接触データキャリアと呼ばれる応答器と、ホスト
側に接続される質問器とで構成され、これら応答器と質
問器との間で、磁気、誘導電磁界、マイクロ波( 電波)
などの伝送媒体を介して非接触で交信を行う点を特徴と
している。
して非接触データキャリアと呼ばれる応答器と、ホスト
側に接続される質問器とで構成され、これら応答器と質
問器との間で、磁気、誘導電磁界、マイクロ波( 電波)
などの伝送媒体を介して非接触で交信を行う点を特徴と
している。
【０００３】このシステムは、応答器をさまざまな個体
（物品）に取付け、その個体に関する情報を質問器によ
り遠隔的に読み取ってホストに提供し、個体に関する情
報処理を実現するものである。
（物品）に取付け、その個体に関する情報を質問器によ
り遠隔的に読み取ってホストに提供し、個体に関する情
報処理を実現するものである。
【０００４】図４はこのような非接触データキャリアの
一例を示す図であって、同図（ａ）は当該非接触データ
キャリアの平面構成図、同図（ｂ）はそのＩＣ実装部の
断面構成図である。応答器( 非接触データキャリア)
は、質問器との間で信号を送受信するためのアンテナコ
イル１と、ホスト側と交信をなうためのＩＣチップ（回
路部品）を主体として構成され、耐久性・耐環境性を考
慮して、通常、アンテナコイル１やＩＣチップ１０など
の内部部品を２枚の樹脂シート２に挟み込むことによっ
て気密に封止した構造を有している。
一例を示す図であって、同図（ａ）は当該非接触データ
キャリアの平面構成図、同図（ｂ）はそのＩＣ実装部の
断面構成図である。応答器( 非接触データキャリア)
は、質問器との間で信号を送受信するためのアンテナコ
イル１と、ホスト側と交信をなうためのＩＣチップ（回
路部品）を主体として構成され、耐久性・耐環境性を考
慮して、通常、アンテナコイル１やＩＣチップ１０など
の内部部品を２枚の樹脂シート２に挟み込むことによっ
て気密に封止した構造を有している。
【０００５】当該非接触データキャリアは、種々な個体
に取り付けられることなどから、近年薄型化が要求され
ており、アンテナコイル１として樹脂シート２上の形成
された金属薄膜から作製されたものが用いられている。
また、当該アンテナコイル１上にはＩＣチップ１０が、
金製のバンプ１１を介して当該アンテナコイル１上に実
装される。
に取り付けられることなどから、近年薄型化が要求され
ており、アンテナコイル１として樹脂シート２上の形成
された金属薄膜から作製されたものが用いられている。
また、当該アンテナコイル１上にはＩＣチップ１０が、
金製のバンプ１１を介して当該アンテナコイル１上に実
装される。
【０００６】この非接触データキャリアにおいては、よ
り薄型化を実現するために、薄型のＩＣチップ１０、例
えば、概ね３０〜２５０μｍ以下の厚さのものが用いら
れる。この非接触データキャリアを得るには、その最終
厚みに応じてＩＣチップ１０の裏面を研磨して薄くし、
フリップチップ法によってアンテナコイル１の接続パッ
ド面と接合する方法が採用されるのが一般的である。こ
のフリップチップ法としては、異方性導電ペーストや異
方性導電シートによる熱圧着法、はんだ接合後に接合面
に樹脂を充填する方法等を挙げることができる。こうし
て、ＩＣチップ１０の表面（接合面）側においては、ア
ンテナコイル１との接合面を保護する接合層３が形成さ
れる。
り薄型化を実現するために、薄型のＩＣチップ１０、例
えば、概ね３０〜２５０μｍ以下の厚さのものが用いら
れる。この非接触データキャリアを得るには、その最終
厚みに応じてＩＣチップ１０の裏面を研磨して薄くし、
フリップチップ法によってアンテナコイル１の接続パッ
ド面と接合する方法が採用されるのが一般的である。こ
のフリップチップ法としては、異方性導電ペーストや異
方性導電シートによる熱圧着法、はんだ接合後に接合面
に樹脂を充填する方法等を挙げることができる。こうし
て、ＩＣチップ１０の表面（接合面）側においては、ア
ンテナコイル１との接合面を保護する接合層３が形成さ
れる。
【０００７】ところで、通常ＩＣチップ１０の表面（接
合面）は前記接合層３によって保護されているが、ＩＣ
チップ１０の裏面は上記したように研磨が施されている
ためにシリコンウエハそのものが露出された状態になっ
ている。従って、上記非接触データキャリアにおいて
は、ＩＣチップ１０の裏面は、非接触データキャリアの
表層を構成する１枚の樹脂シート２及び当該樹脂シート
２とＩＣチップ１０を接着するフレキシビリティのある
接着剤層４とによってのみ保護されているだけである。
このために、点圧や点衝撃に対する耐性が極端に弱く、
ＩＣチップ１０が欠ける、割れるなどの不良が発生しや
すいという問題点があった。
合面）は前記接合層３によって保護されているが、ＩＣ
チップ１０の裏面は上記したように研磨が施されている
ためにシリコンウエハそのものが露出された状態になっ
ている。従って、上記非接触データキャリアにおいて
は、ＩＣチップ１０の裏面は、非接触データキャリアの
表層を構成する１枚の樹脂シート２及び当該樹脂シート
２とＩＣチップ１０を接着するフレキシビリティのある
接着剤層４とによってのみ保護されているだけである。
このために、点圧や点衝撃に対する耐性が極端に弱く、
ＩＣチップ１０が欠ける、割れるなどの不良が発生しや
すいという問題点があった。
【０００８】かかる問題点を解決するためには、フリッ
プチップ実装後にＩＣチップ１０全体を樹脂封止して、
ＩＣチップ１０の裏面側を保護することが考えられる。
しかしながら、薄型のデータキャリアとするためには、
封止する樹脂層を薄くしなければならず、また、別な樹
脂シート２を接着するためには平滑性が要求される。こ
のため、真空中における印刷法などを利用しなければな
らず、非常に手間が掛かり、製造コストが上昇するとい
う問題があった。
プチップ実装後にＩＣチップ１０全体を樹脂封止して、
ＩＣチップ１０の裏面側を保護することが考えられる。
しかしながら、薄型のデータキャリアとするためには、
封止する樹脂層を薄くしなければならず、また、別な樹
脂シート２を接着するためには平滑性が要求される。こ
のため、真空中における印刷法などを利用しなければな
らず、非常に手間が掛かり、製造コストが上昇するとい
う問題があった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題点に
鑑みてなされたものであって、フリップチップ法によっ
て実装された薄型のＩＣチップ裏面の保護強化を安価に
施し、ＩＣチップの不良発生の少ない非接触データキャ
リアを安価に提供することを目的とする。
鑑みてなされたものであって、フリップチップ法によっ
て実装された薄型のＩＣチップ裏面の保護強化を安価に
施し、ＩＣチップの不良発生の少ない非接触データキャ
リアを安価に提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明に係る非接触デー
タキャリアは、３０〜２５０μｍ厚のＩＣチップをフリ
ップチップ実装方法によりアンテナコイル上に実装した
非接触データキャリアにおいて、前記ＩＣチップの裏面
に、封止樹脂膜又は金属薄板若しくは樹脂薄板からなる
裏面保護層が形成されたことを特徴とする。
タキャリアは、３０〜２５０μｍ厚のＩＣチップをフリ
ップチップ実装方法によりアンテナコイル上に実装した
非接触データキャリアにおいて、前記ＩＣチップの裏面
に、封止樹脂膜又は金属薄板若しくは樹脂薄板からなる
裏面保護層が形成されたことを特徴とする。
【００１１】ここにおいて、請求項２記載の非接触デー
タキャリアは、前記封止樹脂膜は、コンプレッション成
形、又は樹脂注型若しくはトランスファー成形により、
シリコンウエハ裏面を樹脂封止して形成されたことを特
徴とする。
タキャリアは、前記封止樹脂膜は、コンプレッション成
形、又は樹脂注型若しくはトランスファー成形により、
シリコンウエハ裏面を樹脂封止して形成されたことを特
徴とする。
【００１２】また、本発明に係る第１の非接触データキ
ャリアの製造方法は、裏面に裏面保護層が形成された３
０〜２５０μｍ厚のＩＣチップがフリップチップ実装方
法によりアンテナコイル上に実装された非接触データキ
ャリアの製造方法であって、上記厚み範囲内にあるシリ
コンウエハの裏面及び側面を樹脂封止し、当該樹脂封止
されたシリコンウエハをダイシングして封止樹脂膜によ
る裏面保護層が形成されたＩＣチップを得た後、当該Ｉ
Ｃチップをアンテナコイル上に実装することを特徴とす
る。
ャリアの製造方法は、裏面に裏面保護層が形成された３
０〜２５０μｍ厚のＩＣチップがフリップチップ実装方
法によりアンテナコイル上に実装された非接触データキ
ャリアの製造方法であって、上記厚み範囲内にあるシリ
コンウエハの裏面及び側面を樹脂封止し、当該樹脂封止
されたシリコンウエハをダイシングして封止樹脂膜によ
る裏面保護層が形成されたＩＣチップを得た後、当該Ｉ
Ｃチップをアンテナコイル上に実装することを特徴とす
る。
【００１３】さらに本発明に係る第２の非接触データキ
ャリアの製造方法は、裏面に裏面保護層が形成された３
０〜２５０μｍ厚のＩＣチップがフリップチップ実装方
法によりアンテナコイル上に実装された非接触データキ
ャリアの製造方法であって、上記厚み範囲内にあるシリ
コンウエハの裏面に樹脂薄板又は金属薄板を貼着し、当
該シリコンウエハをダイシングして樹脂薄板又は金属薄
板による裏面保護層が形成されたＩＣチップを得た後、
当該ＩＣチップをアンテナコイル上に実装することを特
徴とする。
ャリアの製造方法は、裏面に裏面保護層が形成された３
０〜２５０μｍ厚のＩＣチップがフリップチップ実装方
法によりアンテナコイル上に実装された非接触データキ
ャリアの製造方法であって、上記厚み範囲内にあるシリ
コンウエハの裏面に樹脂薄板又は金属薄板を貼着し、当
該シリコンウエハをダイシングして樹脂薄板又は金属薄
板による裏面保護層が形成されたＩＣチップを得た後、
当該ＩＣチップをアンテナコイル上に実装することを特
徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施の形態に係
る非接触データキャリアを示す断面構造図、図２は図１
に示す非接触データキャリアの製造方法を示す図であっ
て、裏面保護層が形成されたＩＣチップの製造工程を示
す説明図、図３は本発明に係る別な非接触データキャリ
アの製造方法を示す図であって、シリコンウエハ保護後
の模式的断面構造図である。以下各図に従って本発明に
ついて詳細に説明する。
る非接触データキャリアを示す断面構造図、図２は図１
に示す非接触データキャリアの製造方法を示す図であっ
て、裏面保護層が形成されたＩＣチップの製造工程を示
す説明図、図３は本発明に係る別な非接触データキャリ
アの製造方法を示す図であって、シリコンウエハ保護後
の模式的断面構造図である。以下各図に従って本発明に
ついて詳細に説明する。
【００１５】図１に示す非接触データキャリアは、図４
に示す非接触データキャリアとほぼ同様な構造をしてお
り、アンテナコイル１やＩＣチップ１０などの内部部品
を備えている。これらの内部部品は、２枚の樹脂シート
２によって挟み込まれ、接着剤層４によって２枚の樹脂
シート２を密着することによって内部部品が封止されて
いる。
に示す非接触データキャリアとほぼ同様な構造をしてお
り、アンテナコイル１やＩＣチップ１０などの内部部品
を備えている。これらの内部部品は、２枚の樹脂シート
２によって挟み込まれ、接着剤層４によって２枚の樹脂
シート２を密着することによって内部部品が封止されて
いる。
【００１６】樹脂シート２としては、特に限定されるも
のではないが、例えばポリエチレンやポリプロピレン、
ポリエチレンテレフタレートなどの熱可塑性樹脂やエポ
キシ樹脂などの熱硬化性樹脂を挙げることができる。ア
ンテナコイル１は導電性を有する例えば銅やアルミニウ
ム製の金属薄膜から作製されており、樹脂シート２上に
例えば所定形状に金属蒸着することにより、あるいはシ
ート上に形成された金属薄膜をエッチングなどすること
により作製される。
のではないが、例えばポリエチレンやポリプロピレン、
ポリエチレンテレフタレートなどの熱可塑性樹脂やエポ
キシ樹脂などの熱硬化性樹脂を挙げることができる。ア
ンテナコイル１は導電性を有する例えば銅やアルミニウ
ム製の金属薄膜から作製されており、樹脂シート２上に
例えば所定形状に金属蒸着することにより、あるいはシ
ート上に形成された金属薄膜をエッチングなどすること
により作製される。
【００１７】ＩＣチップ１０は、パット上に形成された
金バンプ１１をアンテナコイル１上に接合してフリップ
チップ実装される。また、当該ＩＣチップ１０の接合面
には、異方性導電ペーストや異方性導電シートなどから
形成された接合層３が形成されている。当該ＩＣチップ
１０の厚さとしては、薄型の非接触データキャリアとす
るために、その厚さとしては３０〜２５０μｍのものが
好ましく用いられる。
金バンプ１１をアンテナコイル１上に接合してフリップ
チップ実装される。また、当該ＩＣチップ１０の接合面
には、異方性導電ペーストや異方性導電シートなどから
形成された接合層３が形成されている。当該ＩＣチップ
１０の厚さとしては、薄型の非接触データキャリアとす
るために、その厚さとしては３０〜２５０μｍのものが
好ましく用いられる。
【００１８】当該ＩＣチップ１０の裏面側、すなわち実
装面と反対面には、裏面保護層１２が形成されている。
当該裏面保護層１２は、例えば、エポキシ系樹脂、シリ
コーン系樹脂、ウレタン系樹脂のような熱硬化性樹脂等
から樹脂封止によって形成された樹脂層、銅板やステン
レス板などの金属薄板、さらにはポリエーテルサルファ
ン、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンアルファイド
等から射出成形、押出し成形、キャステイング成形等に
より作製した樹脂薄板を挙げることができる。これらの
うち、金属薄板や樹脂薄板については、図３に示すよう
に、例えばエポキシ樹脂系接着剤やシリコーン樹脂系接
着剤、ウレタン樹脂系接着剤などの各種接着剤１３によ
って、ＩＣチップ１０裏面に貼り合わせられる。
装面と反対面には、裏面保護層１２が形成されている。
当該裏面保護層１２は、例えば、エポキシ系樹脂、シリ
コーン系樹脂、ウレタン系樹脂のような熱硬化性樹脂等
から樹脂封止によって形成された樹脂層、銅板やステン
レス板などの金属薄板、さらにはポリエーテルサルファ
ン、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンアルファイド
等から射出成形、押出し成形、キャステイング成形等に
より作製した樹脂薄板を挙げることができる。これらの
うち、金属薄板や樹脂薄板については、図３に示すよう
に、例えばエポキシ樹脂系接着剤やシリコーン樹脂系接
着剤、ウレタン樹脂系接着剤などの各種接着剤１３によ
って、ＩＣチップ１０裏面に貼り合わせられる。
【００１９】これらの裏面保護層１２の厚さは特に限定
されるものではなく、薄ければ薄い程好ましいものであ
りる。また、その材質によっても異なるが、充分な強度
を得るためには、通常、５０〜１，０００μｍに設定さ
れる。
されるものではなく、薄ければ薄い程好ましいものであ
りる。また、その材質によっても異なるが、充分な強度
を得るためには、通常、５０〜１，０００μｍに設定さ
れる。
【００２０】次に当該非接触データキャリアの製造方法
について、図２及び図３に基づいて説明する。まず、Ｉ
Ｃチップ１０の裏面に裏面保護層１２を形成する。図２
に示す方法は、樹脂封止によって裏面保護層１２を形成
する方法を示すものであって、一枚のシリコンウエハ２
０をダイシングすることによって、ＩＣチップ１０を作
製する方法を示す。
について、図２及び図３に基づいて説明する。まず、Ｉ
Ｃチップ１０の裏面に裏面保護層１２を形成する。図２
に示す方法は、樹脂封止によって裏面保護層１２を形成
する方法を示すものであって、一枚のシリコンウエハ２
０をダイシングすることによって、ＩＣチップ１０を作
製する方法を示す。
【００２１】図２に示すように、同一の所定回路パター
ンが複数形成されたシリコンウエハ２０の回路形成面
（表面）に、シリコンウエハ保護シート２２を仮着す
る。次に、シリコンウエハ２０の裏面から側面に掛け
て、上記エポキシ系樹脂やシリコーン系樹脂、ウレタン
系樹脂などの熱硬化性樹脂によって封止し、封止樹脂膜
２１を形成する。このとき、樹脂封止する方法としては
特に限定されるものではないが、例えばコンプレッショ
ン成形、又は注型法やトランスファー成形法を挙げるこ
とができる。次に当該封止樹脂膜２１が形成されたシリ
コンウエハ２０の所定位置に、接合用のバンプ１１を形
成した後シリコンウエハ２０をダイシングして、裏面保
護層１２が形成された１個１個のＩＣチップ１０に切り
出す。
ンが複数形成されたシリコンウエハ２０の回路形成面
（表面）に、シリコンウエハ保護シート２２を仮着す
る。次に、シリコンウエハ２０の裏面から側面に掛け
て、上記エポキシ系樹脂やシリコーン系樹脂、ウレタン
系樹脂などの熱硬化性樹脂によって封止し、封止樹脂膜
２１を形成する。このとき、樹脂封止する方法としては
特に限定されるものではないが、例えばコンプレッショ
ン成形、又は注型法やトランスファー成形法を挙げるこ
とができる。次に当該封止樹脂膜２１が形成されたシリ
コンウエハ２０の所定位置に、接合用のバンプ１１を形
成した後シリコンウエハ２０をダイシングして、裏面保
護層１２が形成された１個１個のＩＣチップ１０に切り
出す。
【００２２】これとは別に、樹脂シート２上に金属薄膜
からなるアンテナコイル１を、金属蒸着やエッチング法
などにより形成しておく。
からなるアンテナコイル１を、金属蒸着やエッチング法
などにより形成しておく。
【００２３】次に、裏面保護層１２が形成されたＩＣチ
ップ１０をフリップチップ実装する。すなわち、当該Ｉ
Ｃチップ１０をアンテナコイル１上に載置し、異方性導
電ペーストや異方性導電シートを用いて実装すると共
に、ＩＣチップ１０の接合面を保護するための接合層３
を形成する。このとき、ＩＣチップ１０をアンテナコイ
ル１上に実装した後に、エポキシ系樹脂やシリコーン系
樹脂などの熱硬化性樹脂によって、接合層３を形成する
こともできる。
ップ１０をフリップチップ実装する。すなわち、当該Ｉ
Ｃチップ１０をアンテナコイル１上に載置し、異方性導
電ペーストや異方性導電シートを用いて実装すると共
に、ＩＣチップ１０の接合面を保護するための接合層３
を形成する。このとき、ＩＣチップ１０をアンテナコイ
ル１上に実装した後に、エポキシ系樹脂やシリコーン系
樹脂などの熱硬化性樹脂によって、接合層３を形成する
こともできる。
【００２４】その後、内部部品が載置された樹脂シート
２上に接着剤を塗布し、別な樹脂シート２を貼り合わせ
ることによって内部部品を２枚の樹脂シート２及び接着
剤層４によって封止して、非接触データキャリアを作製
できる。
２上に接着剤を塗布し、別な樹脂シート２を貼り合わせ
ることによって内部部品を２枚の樹脂シート２及び接着
剤層４によって封止して、非接触データキャリアを作製
できる。
【００２５】また、本発明にあっては、金属薄板や樹脂
薄板などを用いて裏面保護層１２を形成することもでき
る。図３は当該金属薄板又は樹脂薄板を用いて裏面保護
層１２を形成する場合を示す方法であって、図３では、
所定の回路パターンが形成されたシリコンウエハ２０上
に、エポキシ系樹脂など接着剤２４を用いて金属薄板２
３を貼り合わせられている。このシリコンウエハ２０に
バンプ１１を形成した後ダイシングすることによって、
裏面保護層１２が形成されたＩＣチップ１０を得ること
ができる。
薄板などを用いて裏面保護層１２を形成することもでき
る。図３は当該金属薄板又は樹脂薄板を用いて裏面保護
層１２を形成する場合を示す方法であって、図３では、
所定の回路パターンが形成されたシリコンウエハ２０上
に、エポキシ系樹脂など接着剤２４を用いて金属薄板２
３を貼り合わせられている。このシリコンウエハ２０に
バンプ１１を形成した後ダイシングすることによって、
裏面保護層１２が形成されたＩＣチップ１０を得ること
ができる。
【００２６】このように容易にしてＩＣチップ１０の裏
面に裏面保護層１２を形成することができる。この結
果、裏面側からの点圧や点衝撃に対する耐性が向上し、
ＩＣチップ１０の欠けや割れなどの不良の発生を抑える
ことができる。
面に裏面保護層１２を形成することができる。この結
果、裏面側からの点圧や点衝撃に対する耐性が向上し、
ＩＣチップ１０の欠けや割れなどの不良の発生を抑える
ことができる。
【００２７】特にこの方法によれば、１個１個のＩＣチ
ップ１０に裏面保護層１２を形成する必要がなく、簡単
な方法で薄膜状の裏面保護層１２を形成できる。従っ
て、製造コストを大幅に向上させることなく、耐衝撃性
に優れた非接触データキャリアを提供できる。
ップ１０に裏面保護層１２を形成する必要がなく、簡単
な方法で薄膜状の裏面保護層１２を形成できる。従っ
て、製造コストを大幅に向上させることなく、耐衝撃性
に優れた非接触データキャリアを提供できる。
【００２８】
【実施例】次に本発明の実施例である非接触データキャ
リアについて説明する。
リアについて説明する。
【００２９】まず、５インチシリコンウエハの回路パタ
ーン形成面に保護シートを貼り付け、１００μｍ厚に研
磨して金型にセットし、その裏面及び側面をエポキシ樹
脂を用いたコンプレッション成形法によって樹脂封止
し、厚さ１００μｍの封止樹脂膜を形成した。
ーン形成面に保護シートを貼り付け、１００μｍ厚に研
磨して金型にセットし、その裏面及び側面をエポキシ樹
脂を用いたコンプレッション成形法によって樹脂封止
し、厚さ１００μｍの封止樹脂膜を形成した。
【００３０】次に、シリコンウエハ対応ボールボンダー
を用いて、所定位置に金ワイヤーによるバンプを形成し
た後、ダイヤモンドカッターによってダイシングし、裏
面保護層が形成されたＩＣチップを得た。
を用いて、所定位置に金ワイヤーによるバンプを形成し
た後、ダイヤモンドカッターによってダイシングし、裏
面保護層が形成されたＩＣチップを得た。
【００３１】これとは別に、アルミニウム薄膜からエッ
チング法によりアンテナコイルが形成されたポリエチレ
ンテレフタレート製の樹脂シート上に、異方性導電ペー
ストをディスペンスし、フリップボンダーを用いて、上
記裏面保護層を形成したＩＣチップをフェイスダウンで
マウントして、熱圧着した。その後、当該樹脂シート上
に接着剤を塗布した後、別なポリエチレンテレフタレー
ト製の樹脂シートを重ねてラミネートし、本発明の非接
触データキャリアを得た。
チング法によりアンテナコイルが形成されたポリエチレ
ンテレフタレート製の樹脂シート上に、異方性導電ペー
ストをディスペンスし、フリップボンダーを用いて、上
記裏面保護層を形成したＩＣチップをフェイスダウンで
マウントして、熱圧着した。その後、当該樹脂シート上
に接着剤を塗布した後、別なポリエチレンテレフタレー
ト製の樹脂シートを重ねてラミネートし、本発明の非接
触データキャリアを得た。
【００３２】
【発明の効果】本発明の非接触データキャリアは、フリ
ップチップ実装された薄型のＩＣチップ裏面に、封止樹
脂や樹脂薄板あるいは金属薄板からなる裏面保護層が設
けられているので、裏面側からの点圧や点衝撃に対する
耐性が向上する。この結果、ＩＣチップ１０の欠損が少
なくなり、信頼性の高い非接触データキャリアを提供で
きる。
ップチップ実装された薄型のＩＣチップ裏面に、封止樹
脂や樹脂薄板あるいは金属薄板からなる裏面保護層が設
けられているので、裏面側からの点圧や点衝撃に対する
耐性が向上する。この結果、ＩＣチップ１０の欠損が少
なくなり、信頼性の高い非接触データキャリアを提供で
きる。
【００３３】また、本発明の非接触データキャリアの製
造方法によれば、シリコンウエハの裏面及び側面を樹脂
封止する、あるいは樹脂薄板若しくは金属薄板を貼り合
わせた後にダイシングすることにより、ＩＣチップを得
ることにしているので、安価にしかも厚みを増すことな
く薄膜状の裏面保護層を形成できる。この結果、耐衝撃
性を向上させた非接触データキャリアを安価にしかも簡
単な方法で作製できる。
造方法によれば、シリコンウエハの裏面及び側面を樹脂
封止する、あるいは樹脂薄板若しくは金属薄板を貼り合
わせた後にダイシングすることにより、ＩＣチップを得
ることにしているので、安価にしかも厚みを増すことな
く薄膜状の裏面保護層を形成できる。この結果、耐衝撃
性を向上させた非接触データキャリアを安価にしかも簡
単な方法で作製できる。
【図１】本発明の一実施の形態に係る非接触データキャ
リアを示す断面構造図
リアを示す断面構造図
【図２】図１に示す非接触データキャリアの製造方法を
示す図であって、裏面保護層が形成されたＩＣチップの
製造工程を示す説明図
示す図であって、裏面保護層が形成されたＩＣチップの
製造工程を示す説明図
【図３】本発明に係る別な非接触データキャリアの製造
方法を示す図であって、シリコンウエハ保護後の模式的
断面構造図
方法を示す図であって、シリコンウエハ保護後の模式的
断面構造図
【図４】非接触データキャリアの一例を示す図であっ
て、同図（ａ）は当該非接触データキャリアの平面構成
図、同図（ｂ）はその断面構成図
て、同図（ａ）は当該非接触データキャリアの平面構成
図、同図（ｂ）はその断面構成図
１……アンテナコイル ２……樹脂シート ３……接合層 ４……接着剤層 １０……ＩＣチップ １１……バンプ １２……裏面保護層 ２０……シリコンウ
エハ ２１……封止樹脂膜 ２２……シリコンウ
エハ保護シート ２３……金属薄板 ２４……接着剤
エハ ２１……封止樹脂膜 ２２……シリコンウ
エハ保護シート ２３……金属薄板 ２４……接着剤
Claims (4)
- 【請求項１】 ３０〜２５０μｍ厚のＩＣチップをフリ
ップチップ実装方法によりアンテナコイル上に実装した
非接触データキャリアにおいて、 前記ＩＣチップの裏面に、封止樹脂膜又は金属薄板若し
くは樹脂薄板からなる裏面保護層が形成されたことを特
徴とする非接触データキャリア。 - 【請求項２】 前記封止樹脂膜は、コンプレッション成
形、又は樹脂注型若しくはトランスファー成形により、
シリコンウエハ裏面を樹脂封止して形成されたことを特
徴とする請求項１記載の非接触データキャリア。 - 【請求項３】 裏面に裏面保護層が形成された３０〜２
５０μｍ厚のＩＣチップがフリップチップ実装方法によ
りアンテナコイル上に実装された非接触データキャリア
の製造方法であって、 上記厚み範囲内にあるシリコンウエハの裏面及び側面を
樹脂封止し、当該樹脂封止されたシリコンウエハをダイ
シングして封止樹脂膜による裏面保護層が形成されたＩ
Ｃチップを得た後、当該ＩＣチップをアンテナコイル上
に実装することを特徴とする非接触データキャリアの製
造方法。 - 【請求項４】 裏面に裏面保護層が形成された３０〜２
５０μｍ厚のＩＣチップがフリップチップ実装方法によ
りアンテナコイル上に実装された非接触データキャリア
の製造方法であって、 上記厚み範囲内にあるシリコン
ウエハの裏面に樹脂薄板又は金属薄板を貼着し、当該シ
リコンウエハをダイシングして樹脂薄板又は金属薄板に
よる裏面保護層が形成されたＩＣチップを得た後、当該
ＩＣチップをアンテナコイル上に実装することを特徴と
する非接触データキャリアの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04158699A JP3145081B2 (ja) | 1999-02-19 | 1999-02-19 | 非接触データキャリアの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04158699A JP3145081B2 (ja) | 1999-02-19 | 1999-02-19 | 非接触データキャリアの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000242745A true JP2000242745A (ja) | 2000-09-08 |
| JP3145081B2 JP3145081B2 (ja) | 2001-03-12 |
Family
ID=12612546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04158699A Expired - Fee Related JP3145081B2 (ja) | 1999-02-19 | 1999-02-19 | 非接触データキャリアの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3145081B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003331242A (ja) * | 2002-05-10 | 2003-11-21 | Konica Minolta Holdings Inc | Ｉｃカード |
| JP2009134710A (ja) * | 2007-11-05 | 2009-06-18 | Toppan Printing Co Ltd | 薄型化ｉｃインレット及びこれを用いたｉｃカードとその製造方法 |
-
1999
- 1999-02-19 JP JP04158699A patent/JP3145081B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003331242A (ja) * | 2002-05-10 | 2003-11-21 | Konica Minolta Holdings Inc | Ｉｃカード |
| JP2009134710A (ja) * | 2007-11-05 | 2009-06-18 | Toppan Printing Co Ltd | 薄型化ｉｃインレット及びこれを用いたｉｃカードとその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3145081B2 (ja) | 2001-03-12 |
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Legal Events
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