JP2008017421A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置1は、半導体チップ2と、半導体チップの一方の面2A側に形成された第1の比誘電率を有する第1材料層3と、第1材料層の一方の面側に形成されたアンテナ4と、第1材料層の一方の面側で、半導体チップに対して第1材料層よりも離れた位置で、アンテナと接続するように形成された第1の比誘電率よりも高い第2の比誘電率を有する第2材料層5とを備えている。
【選択図】図1
Description
第1実施形態について説明する。図1は、第1実施形態に係る半導体装置1を示す模式図である。図1において、半導体装置1は、第1面2A及び第2面2Bを有する半導体チップ2と、半導体チップ2の第1面2A側に形成された第1材料層3と、第1材料層3の第1面2A側に形成されたアンテナ4と、第1材料層3の第1面2A側で、半導体チップ2に対して第1材料層3よりも離れた位置で、アンテナ4と接続するように形成された第2材料層5とを備えている。
次に、第2実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
次に、第3実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
次に、第4実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
次に、第5実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
次に、第6実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
Claims (8)
- 半導体チップと、
前記半導体チップの一方の面側に形成された第1の比誘電率を有する第1材料層と、
前記第1材料層の前記一方の面側に形成されたアンテナと、
前記第1材料層の前記一方の面側で、前記半導体チップに対して前記第1材料層よりも離れた位置で、前記アンテナと接続するように形成された前記第1の比誘電率よりも高い第2の比誘電率を有する第2材料層と、を備えたことを特徴とする半導体装置。 - 前記第2材料層は、前記第1材料層と前記アンテナとの間に形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記第2材料層は、前記アンテナに対して前記第1材料層の反対側に形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記第2材料層は、前記第1材料層の前記一方の面側で、前記アンテナを包囲するように形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記第1材料層の前記一方の面側で、前記アンテナを覆うように形成された保護層を有することを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記保護層は、前記第1の比誘電率を有することを特徴とする請求項5記載の半導体装置。
- 前記保護層は、前記第2の比誘電率を有することを特徴とする請求項5記載の半導体装置。
- 前記第1材料層は、ポリイミドを含み、前記第2材料層は、ポリイミド及びチタン酸バリウムを含むことを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項記載の半導体装置。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102569291A (zh) * | 2010-12-22 | 2012-07-11 | 美国亚德诺半导体公司 | 垂直集成系统 |
CN102623443A (zh) * | 2012-04-20 | 2012-08-01 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 半导体封装件 |
WO2018101767A1 (ko) * | 2016-12-01 | 2018-06-07 | 주식회사 네패스 | Ems 안테나 모듈 및 그 제조방법과 이를 포함하는 반도체 패키지 |
US10730743B2 (en) | 2017-11-06 | 2020-08-04 | Analog Devices Global Unlimited Company | Gas sensor packages |
US11587839B2 (en) | 2019-06-27 | 2023-02-21 | Analog Devices, Inc. | Device with chemical reaction chamber |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002076278A (ja) * | 2000-08-29 | 2002-03-15 | Sanyo Electric Co Ltd | アンテナ部材を有する半導体装置 |
JP2002314028A (ja) * | 2001-04-17 | 2002-10-25 | Iep Technologies:Kk | 半導体装置並びにその製造方法および実装構造 |
JP2004153607A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Sony Chem Corp | チップ状アンテナ素子及びアンテナ実装プリント配線基板 |
JP2004206736A (ja) * | 2004-03-19 | 2004-07-22 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2004240472A (ja) * | 2003-02-03 | 2004-08-26 | Fujikura Ltd | 半導体モジュールおよびその製造方法 |
JP2006101494A (ja) * | 2004-09-01 | 2006-04-13 | Sanyo Electric Co Ltd | アンテナ一体型回路装置 |
-
2006
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002076278A (ja) * | 2000-08-29 | 2002-03-15 | Sanyo Electric Co Ltd | アンテナ部材を有する半導体装置 |
JP2002314028A (ja) * | 2001-04-17 | 2002-10-25 | Iep Technologies:Kk | 半導体装置並びにその製造方法および実装構造 |
JP2004153607A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Sony Chem Corp | チップ状アンテナ素子及びアンテナ実装プリント配線基板 |
JP2004240472A (ja) * | 2003-02-03 | 2004-08-26 | Fujikura Ltd | 半導体モジュールおよびその製造方法 |
JP2004206736A (ja) * | 2004-03-19 | 2004-07-22 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2006101494A (ja) * | 2004-09-01 | 2006-04-13 | Sanyo Electric Co Ltd | アンテナ一体型回路装置 |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8890285B2 (en) | 2010-12-22 | 2014-11-18 | Analog Devices, Inc. | Vertically integrated systems |
US8957497B2 (en) | 2010-12-22 | 2015-02-17 | Analog Devices, Inc. | Vertically integrated systems |
JP2012164970A (ja) * | 2010-12-22 | 2012-08-30 | Analog Devices Inc | 垂直集積システム |
US8569861B2 (en) | 2010-12-22 | 2013-10-29 | Analog Devices, Inc. | Vertically integrated systems |
US8853799B2 (en) | 2010-12-22 | 2014-10-07 | Analog Devices, Inc. | Vertically integrated systems |
CN102569291B (zh) * | 2010-12-22 | 2014-10-15 | 美国亚德诺半导体公司 | 垂直集成系统 |
US9513246B2 (en) | 2010-12-22 | 2016-12-06 | Analog Devices, Inc. | Vertically integrated systems |
US8890286B2 (en) | 2010-12-22 | 2014-11-18 | Analog Devices, Inc. | Vertically integrated systems |
CN102569291A (zh) * | 2010-12-22 | 2012-07-11 | 美国亚德诺半导体公司 | 垂直集成系统 |
US9041150B2 (en) | 2010-12-22 | 2015-05-26 | Analog Devices, Inc. | Vertically integrated systems |
US9267915B2 (en) | 2010-12-22 | 2016-02-23 | Analog Devices, Inc. | Vertically integrated systems |
CN102623443A (zh) * | 2012-04-20 | 2012-08-01 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 半导体封装件 |
WO2018101767A1 (ko) * | 2016-12-01 | 2018-06-07 | 주식회사 네패스 | Ems 안테나 모듈 및 그 제조방법과 이를 포함하는 반도체 패키지 |
US10730743B2 (en) | 2017-11-06 | 2020-08-04 | Analog Devices Global Unlimited Company | Gas sensor packages |
US11587839B2 (en) | 2019-06-27 | 2023-02-21 | Analog Devices, Inc. | Device with chemical reaction chamber |
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