JP2004240472A - 半導体モジュールおよびその製造方法 - Google Patents

半導体モジュールおよびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2004240472A
JP2004240472A JP2003025762A JP2003025762A JP2004240472A JP 2004240472 A JP2004240472 A JP 2004240472A JP 2003025762 A JP2003025762 A JP 2003025762A JP 2003025762 A JP2003025762 A JP 2003025762A JP 2004240472 A JP2004240472 A JP 2004240472A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
antenna coil
chip
semiconductor module
resin layer
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003025762A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideto Noguchi
秀人 野口
Tatsuya Ito
達也 伊藤
Masakazu Sato
正和 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujikura Ltd
Original Assignee
Fujikura Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujikura Ltd filed Critical Fujikura Ltd
Priority to JP2003025762A priority Critical patent/JP2004240472A/ja
Publication of JP2004240472A publication Critical patent/JP2004240472A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Details Of Aerials (AREA)

Abstract

【課題】製造が簡単で、品質と製造コストに優れたアンテナコイル搭載型ICチップを用いた半導体モジュールを提供する。
【解決手段】ICチップ1の上面に接続パッド2を配設した後、絶縁樹脂層4を介してICチップ1上に導電性材料からなるアンテナコイル3を1ターンのみ形成し、アンテナコイル3の両端部を前記接続パッド2に電気導通可能に接続して、これらの上面を保護用樹脂層5で覆うことにより、アンテナコイル3の製造が簡単化されるとともに、品質の安定した半導体モジュールが得られる。
【選択図】 図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ICチップ上に無線通信用アンテナコイルが一体成形された半導体モジュールとその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、無線通信用アンテナコイルをICチップ上に形成することによって小型化、微細化を図ったアンテナコイル搭載型ICチップが用いられているが、何れもアンテナコイルを複数ターン、通常は20ターン以上形成するため、製造が複雑であり、コストアップの要因となっていた(例えば、特許文献1参照)。この1例を図5に示す。図5では、ICチップ12上にアンテナコイル11が複数ターン形成され、アンテナコイル11の両端部にはICチップ12との接続用パッド13が形成されている。ICチップ12は小さいもので2.5mm角前後になり、この1面にアンテナコイル11を20ターン以上形成する場合には、アンテナコイル11の線幅が10μm前後、線間距離が数μm前後となり、高度な微細化技術が要求されるとともに製造歩留まり低下の要因となっていた。
【0003】
【特許文献1】
特開2001−325571号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、前記事情に鑑みてなされたもので、無線通信用アンテナコイルをICチップ上に1ターンのみ形成することによって製造を簡略化するとともに、製造歩留まり、製造品質を向上させたアンテナコイル搭載型ICチップからなる半導体モジュールを提供することを課題とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
かかる課題を解決するために、
請求項1にかかる発明は、ICチップ上に無線通信用アンテナコイルが1ターンのみ形成されていることを特徴とする半導体モジュールである。
【0006】
請求項2にかかる発明は、ICチップ上に絶縁層を形成し、この絶縁層の接続パッド上に位置する部分を除去して接続パッドを露出させた後、当該絶縁層上に無線通信用アンテナコイルを1ターンのみ形成することを特徴とする半導体モジュールの製造方法である。
【0007】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例にかかる半導体モジュールについて添付図面を参照して具体的に説明する。なお、本発明は下記実施の形態に限定されず、各種変更が可能である。
図1は、本発明の実施例にかかる半導体モジュールの断面図である。図2〜4は図1の半導体モジュールの製造方法を示す工程図である。
【0008】
図1において、ICチップ1上面には接続パッド2が2個設けられ、絶縁層3を介してアンテナコイル4が形成されている。該アンテナコイル4の両端末は接続パッド2に接続されることによってICチップ1と電気導通可能に形成され、これらは樹脂層5で被覆されて保護される。接続パッド2としては各種導電性材料が採用可能である。
【0009】
絶縁層3は、例えば、ポリイミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等からなり、その厚さは、例えば25〜50μmであり、回転塗布法(スピンコート)、印刷法、ラミネート法等により形成することができる。絶縁樹脂層3は、感光性ポリイミド等の感光性樹脂から形成されたシートあるいはフィルムの貼り付けによっても形成可能である。この場合も、フォトリソグラフィー技術により絶縁樹脂層3の接続パッド2上に位置にする部分を除去して開口部を形成することができる。
【0010】
アンテナコイル4としては各種導電材料が採用可能であるが、電気抵抗の観点からCuまたはAgが望ましく、特にはAgが望ましい。アンテナコイル4はスパッタ法、蒸着法、めっき法等の各種製法によって形成されるが、アンテナコイル4の寸法(線幅、線厚)は、ICチップの寸法によって適宜設計される。
【0011】
保護用の樹脂層5は、絶縁樹脂層3と同様に、例えば、ポリイミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等からなり、その厚さは、例えば50〜100μmであり、回転塗布法(スピンコート)、印刷法、ラミネート法等により形成することができる。
【0012】
本発明の半導体モジュールによれば、ICチップ1に一体成形された通信用アンテナコイル4のターン数は1ターンのみであるため、アンテナコイル4の形成が容易で、品質が安定し、製造歩留まりが良く、安価な半導体モジュールが得られる。
【0013】
次に、本願発明の半導体モジュールについて製造方法の一例を図2乃至図4に基づいて説明する。
まず、図2に示すように1辺が2.5mmの矩形状で、1面に接続パッド2が設けられたICチップ1を用意し、このICチップ1上に絶縁樹脂層3を形成する。絶縁樹脂層3は、感光性ポリイミド等の液状の感光性樹脂をスピンコートすることによってICチップ上を覆うように塗布し、厚さ30μm程度に形成する。
【0014】
絶縁樹脂層3の接続パッド2上に位置する部分を、図3に示すように、フォトリソグラフィー技術により除去してAlパッドを露出させた後、絶縁樹脂層3上にアンテナコイル4をフォトレジスト法により形成する。アンテナコイル4は、前記ICチップ1の上面に、図3および図4に示すように、1辺が約2mmの矩形で、線幅を約20μm、線厚さを約10μmとして、1ターンのみ形成する。アンテナコイル4の両端末は前記Alパッド2に接続するように形成する。当該アンテナコイル4を構成する導体はスパッタリングによって形成されたシード層(図示せず)上に銅をめっき法により前記線幅と厚さに形成する。
【0015】
次ぎに、アンテナコイル4が形成されたICチップ1の上面全体を覆うように保護用樹脂層5を形成する。保護用樹脂層5は、感光性ポリイミド等の液状の感光性樹脂をスピンコートすることによってアンテナコイル上と銅ポスト上を覆うように塗布し、厚さ50μm程度に形成する。
以上により、ICチップ1の上面に通信用アンテナコイル4が1ターンのみ形成された、安価で品質の良い半導体モジュールが得られる。
【0016】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の半導体モジュールは、ICチップ上に無線通信用アンテナコイルを1ターンのみ形成することにより、アンテナコイルの製造工程が簡略化され、品質が安定して、製造コストを安価にすることができる。
請求項2記載の半導体モジュールの製造方法では、ICチップ上に形成した絶縁層を除去して接続パッドを露出するとともにアンテナコイルを形成することにより製造工数が削減されて、製造コストが低減される。
【0017】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例に係る半導体体モジュールを示す断面図である。
【図2】図1の半導体モジュールの製造工程図であって、接続パッドが設けられたICチップ上に絶縁樹脂層を形成した状態を示す断面図
である。
【図3】図1の半導体モジュールの製造工程図であって、絶縁樹脂層上に
アンテナコイルを形成した状態を示す断面図である。
【図4】図1の半導体モジュールの製造工程図であって、絶縁樹脂層上に
アンテナコイルを形成した状態を示す平面図である。
【図5】従来のアンテナコイル搭載型ICチップを示す斜視図である。
【0018】
【符号の説明】
1・・・ICチップ、2・・・接続パッド、3・・・絶縁樹脂層、4・・・アンテナコイル、5・・・保護用樹脂層

Claims (2)

  1. ICチップ上に無線通信用アンテナコイルが1ターンのみ形成されていることを特徴とする半導体モジュール。
  2. ICチップ上に絶縁層を形成し、この絶縁層の接続パッド上に位置する部分を除去して接続パッドを露出させた後、当該絶縁層上に無線通信用アンテナコイルを1ターンのみ形成することを特徴とする半導体モジュールの製造方法。
JP2003025762A 2003-02-03 2003-02-03 半導体モジュールおよびその製造方法 Pending JP2004240472A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003025762A JP2004240472A (ja) 2003-02-03 2003-02-03 半導体モジュールおよびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003025762A JP2004240472A (ja) 2003-02-03 2003-02-03 半導体モジュールおよびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2004240472A true JP2004240472A (ja) 2004-08-26

Family

ID=32953964

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003025762A Pending JP2004240472A (ja) 2003-02-03 2003-02-03 半導体モジュールおよびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2004240472A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008017421A (ja) * 2006-07-10 2008-01-24 Seiko Epson Corp 半導体装置
WO2017154601A1 (ja) * 2016-03-08 2017-09-14 株式会社フジクラ 光電変換装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008017421A (ja) * 2006-07-10 2008-01-24 Seiko Epson Corp 半導体装置
WO2017154601A1 (ja) * 2016-03-08 2017-09-14 株式会社フジクラ 光電変換装置
JP2017162938A (ja) * 2016-03-08 2017-09-14 株式会社フジクラ 光電変換装置
CN108431917A (zh) * 2016-03-08 2018-08-21 株式会社藤仓 光电转换装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7524753B2 (en) Semiconductor device having through electrode and method of manufacturing the same
JP4844045B2 (ja) 電子部品及びその製造方法
TW463272B (en) Resin-encapsulated semiconductor device
US7312521B2 (en) Semiconductor device with holding member
US7223652B2 (en) Capacitor and manufacturing method thereof, semiconductor device and substrate for a semiconductor device
KR100885352B1 (ko) 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
CN100583435C (zh) 半导体装置
US8035192B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP3639514B2 (ja) 回路装置の製造方法
US20090032914A1 (en) Three-dimensional package module, method of fabricating the same, and method of fabricating passive device applied to the three-dimensional package module
CN110600440B (zh) 一种埋入式封装结构及其制备方法、终端
JP2005045268A (ja) 再配線バンプ形成方法及びそれを利用した半導体チップと実装構造
US9153641B2 (en) Wafer level package having cylindrical capacitor and method of fabricating the same
KR100366173B1 (ko) Mosfet를 이용한 보호 회로 장치 및 그 제조 방법
EP1478021B1 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
US11769705B2 (en) Chip component and method of manufacturing the same
JP4644482B2 (ja) 抵抗体チップ及びその実装方法
JP2004240472A (ja) 半導体モジュールおよびその製造方法
TWI358249B (en) Padless substrate for surface mounted components
JP2008251974A (ja) 薄膜部品及び製造方法
JP2006066803A (ja) 半導体装置及びその製造方法
CN115841995B (zh) 一种封装结构及封装方法
WO2020166550A1 (ja) 電子部品モジュールの製造方法、及び電子部品モジュール
JP5171877B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2007123391A (ja) 電子部品