CN111989425B - 表面处理铜箔、覆铜积层板及印刷配线板 - Google Patents

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Abstract

本发明是一种表面处理铜箔1,其具有:铜箔2及形成于铜箔2的一面的第一表面处理层3。该表面处理铜箔1的第一表面处理层3于XPS的纵深分析中,以溅镀速率2.5nm/分钟(SiO2换算)进行1分钟溅镀时,相对于C、N、O、Zn、Cr、Ni、Co、Si及Cu的元素的合计量的Ni浓度为0.1~15.0atm%。另外,覆铜积层板10具备表面处理铜箔1及附着于表面处理铜箔1的第一表面处理层3的绝缘基材11。

Description

表面处理铜箔、覆铜积层板及印刷配线板
技术领域
本发明涉及一种表面处理铜箔、覆铜积层板及印刷配线板。
背景技术
近年来,随着电子机器的小型化、高性能化等需求的增多,对搭载于电子机器的印刷配线板要求电路图案(也称为“导体图案”)的微间距化(微细化)。
作为印刷配线板的制造方法,已知有减成法、半加成法等各种方法。其中,于减成法中,在使绝缘基材附着于铜箔而形成覆铜积层板后,于铜箔表面涂布抗蚀剂并进行曝光而形成特定的抗蚀剂图案,利用蚀刻去除未形成抗蚀剂图案的部分(无用部),由此形成电路图案。
针对上述微间距化的要求,例如专利文献1中记载有于对铜箔的表面进行利用铜-钴-镍合金镀覆的粗化处理后,形成钴-镍合金镀层,进而形成锌-镍合金镀层,由此可获得能够实现电路图案的微间距化的表面处理铜箔。
背景技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利第2849059号公报。
发明内容
[发明所欲解决的课题]
然而,现有的表面处理铜箔由于表面处理层(镀层)的蚀刻速度慢于铜箔的蚀刻速度,故而被蚀刻为自铜箔表面(顶部)朝向绝缘基材(底部)侧逐渐扩展,电路图案的蚀刻因数降低。而且,若电路图案的蚀刻因数较低,则必须扩大邻接的电路间的间隙,因此变得难以实现电路图案的微间距化。如此,现有的表面处理铜箔存在电路形成性不充分的问题。
本发明的实施方案是为了解决如上所述的问题而完成的,其目的在于:提供一种电路形成性优异的表面处理铜箔及覆铜积层板。
另外,本发明的实施方案的目的在于:提供一种具有经微间距化的电路图案的印刷配线板。
[解决课题的技术手段]
本发明人等为了解决上述问题而进行潜心研究,结果发现,通过在形成于铜箔的一面的表面处理层中,将由XPS的纵深分析所获得的Ni浓度控制为特定的范围,可提高电路形成性,从而达成本发明的实施方案。
也就是说,本发明的实施方案涉及一种表面处理铜箔,其具有:铜箔、及形成于上述铜箔的一面的第一表面处理层,且上述第一表面处理层于XPS的纵深分析中,以溅镀速率2.5nm/分钟(SiO2换算)进行1分钟溅镀时,相对于C、N、O、Zn、Cr、Ni、Co、Si及Cu的元素的合计量的Ni浓度为0.1~15.0atm%。
另外,本发明的实施方案涉及一种覆铜积层板,其具备:上述表面处理铜箔、及附着于上述表面处理铜箔的第一表面处理层的绝缘基材。
进而,本发明的实施方案涉及一种印刷配线板,其具备对上述覆铜积层板的上述表面处理铜箔进行蚀刻而形成的电路图案。
[发明的效果]
根据本发明的实施方案,可提供一种电路形成性优异的表面处理铜箔及覆铜积层板。
另外,根据本发明的实施方案,可提供一种具有经微间距化的电路图案的印刷配线板。
附图说明
图1是使用本发明的实施方案的表面处理铜箔的覆铜积层板的截面图。
图2是用以说明蚀刻残渣的电路图案的SEM图像。
图3是使用进而具有第二表面处理层的本发明的实施方案的表面处理铜箔的覆铜积层板的截面图。
图4是用以说明利用减成法的印刷配线板的制造方法的截面图。
图5是用以说明Ni浓度的积分值的算出方法的概略图。
具体实施方式
以下,对本发明的较佳的实施方案进行具体说明,但本发明不应限定于这些而解释,可于不脱离本发明主旨的范围内,基于本领域技术人员的知识进行各种变更、改良等。该实施方案所揭示的多个构成要素可通过适当的组合而形成各种发明。例如,可自该实施方案所揭示的全部构成要素中删除若干构成要素,也可将不同的实施方案的构成要素适当组合。
图1是使用本发明的实施方案的表面处理铜箔的覆铜积层板的截面图。
表面处理铜箔1具有:铜箔2、及形成于铜箔2的一面的第一表面处理层3。另外,覆铜积层板10具有:表面处理铜箔1、及附着于表面处理铜箔1的第一表面处理层3的绝缘基材11。
第一表面处理层3于XPS的纵深分析中,以溅镀速率2.5nm/分钟(SiO2换算)进行1分钟溅镀时,相对于C、N、O、Zn、Cr、Ni、Co、Si及Cu的元素的合计量的Ni浓度为0.1~15.0atm%。在此,本说明书中所谓“以溅镀速率2.5nm/分钟(SiO2换算)进行溅镀”,意指“于溅镀SiO2的情形时,于以溅镀速率2.5nm/分钟溅镀SiO2的条件下进行溅镀”。更具体而言,于本发明的实施方案中,意指对本发明的实施方案的表面处理铜箔1的第一表面处理层3于高真空下通过以3kV加速的Ar+进行溅镀。
该Ni浓度是距第一表面处理层3的表面的深度为2.5nm处的Ni浓度,成为第一表面处理层3的最表层附近的Ni的比率的指标。通过将该Ni浓度控制为15.0atm%以下,第一表面处理层3变得容易溶解于蚀刻液,能够提高电路图案的蚀刻因数。就稳定地提高蚀刻因数的观点而言,将该Ni浓度控制为优选10.0atm%以下、更优选5.0atm%以下、进而优选3.5atm%以下。另一方面,由于Ni为赋予耐热性等效果的成分,故而通过将该Ni浓度控制为0.1atm%以上,可确保耐热性等效果。就稳定地确保该效果的观点而言,将该Ni浓度控制为优选0.5atm%以上、更优选1.0atm%以上、进而优选1.5atm%以上。
第一表面处理层3于XPS的纵深分析中,以溅镀速率2.5nm/分钟(SiO2换算)进行1分钟溅镀时,相对于C、N、O、Zn、Cr、Ni、Co、Si及Cu的元素的合计量的Zn浓度优选为5.0~40.0atm%。
该Zn浓度是距第一表面处理层3的表面的深度为2.5nm处的Zn浓度,成为第一表面处理层3的最表层附近的Zn的比率的指标。通过将该Zn浓度控制为5.0atm%以上,第一表面处理层3变得容易溶解于蚀刻液,能够提高电路图案的蚀刻因数。就稳定地提高蚀刻因数的观点而言,将该Zn浓度控制为优选10.0atm%以上、更优选15.0atm%以上。另一方面,Zn是赋予耐热性、耐化学品性等效果的成分,但若浓度过高,则有该效果降低的忧虑。另外,由于Zn为相对较容易溶于盐酸的成分,故而有因作为盐酸系的氯化铜蚀刻液而渗入至电路底部(表面处理铜箔1的第一表面处理层3与绝缘基材11之间)的可能性。其结果为,有铜电路与绝缘基材11的密接性降低而产生电路剥离等不良情况的可能性。因此,就确保由Zn产生的耐热性、耐化学品性等效果并且防止电路剥离等的观点而言,将该Zn浓度控制为40.0atm%以下。就稳定地获得该效果的观点而言,将该Zn浓度控制为优选35atm%以下、更优选30atm%以下。
第一表面处理层3于XPS的纵深分析中,以溅镀速率2.5nm/分钟(SiO2换算)进行溅镀时,1分钟~2分钟间的相对于C、N、O、Zn、Cr、Ni、Co、Si及Cu的元素的合计量的Ni浓度的积分值优选为0.1~18.0atm%。
该Ni浓度的积分值是距第一表面处理层3的表面的深度为2.5~5.0nm处的Ni浓度的积分值,成为第一表面处理层3的最表层附近的Ni的比率的指标。通过将该Ni浓度的积分值控制为18.0atm%以下,第一表面处理层3变得容易溶解于蚀刻液,能够提高电路图案的蚀刻因数。就稳定地提高蚀刻因数的观点而言,将该Ni浓度的积分值控制为优选15.0atm%以下、更优选10.0atm%以下、进而优选8.0atm%以下。另一方面,通过将该Ni浓度的积分值控制为0.1atm%以上,可确保耐热性等效果。就稳定地确保该效果的观点而言,将该Ni浓度的积分值控制为优选0.5atm%以上、更优选1.0atm%以上、进而优选1.5atm%以上。
第一表面处理层3于XPS的纵深分析中,以溅镀速率2.5nm/分钟(SiO2换算)进行溅镀时,1分钟~2分钟间的相对于C、N、O、Zn、Cr、Ni、Co、Si及Cu的元素的合计量的Zn浓度的积分值优选为5.0~40.0atm%。
该Zn浓度的积分值是距第一表面处理层3的表面的深度为2.5~5.0nm处的Zn浓度的积分值,成为第一表面处理层3的最表层附近的Zn的比率的指标。通过将该Zn浓度的积分值控制为5.0atm%以上,第一表面处理层3变得容易溶解于蚀刻液,能够提高电路图案的蚀刻因数。就稳定地提高蚀刻因数的观点而言,将该Zn浓度的积分值控制为优选10.0atm%以上、更优选12.0atm%以上。另一方面,通过将Zn浓度的积分值控制为40.0atm%以下,可确保耐热性、耐化学品性等效果。就稳定地确保该效果的观点而言,将该Zn浓度的积分值控制为优选38atm%以下、更优选35atm%以下。
第一表面处理层3于XPS的纵深分析中,以溅镀速率2.5nm/分钟(SiO2换算)进行溅镀时,1分钟~2分钟间的相对于C、N、O、Zn、Cr、Ni、Co、Si及Cu的元素的合计量的Ni及Zn浓度的积分值的和(以下,也简称为“Ni及Zn浓度的积分值的和”)优选为10.0~45.0atm%。
该积分值的和成为第一表面处理层3的最表层附近的Ni及Zn的比率的指标。通过将该积分值的和控制为10.0atm%以上,可确保耐热性、耐化学品性等效果。就稳定地确保该效果的观点而言,将该积分值的和控制为优选15.0atm%以上、更优选20.0atm%以上。另一方面,通过将该积分值的和控制为45.0atm%以下,可赋予耐热性、耐化学品性等效果并且稳定地提高蚀刻因数。就稳定地确保该效果的观点而言,将该积分值的和控制为优选40atm%以下、更优选38atm%以下。
第一表面处理层3于XPS的纵深分析中,以溅镀速率2.5nm/分钟(SiO2换算)进行7分钟溅镀时,相对于C、N、O、Zn、Cr、Ni、Co、Si及Cu的元素的合计量的Cu浓度优选为70~98atm%。
该Cu浓度是距第一表面处理层3的表面的深度为17.5nm处的Cu浓度,成为该深度的铜的比率的指标。通过将该Cu浓度控制为70atm%以上,向蚀刻液的溶解性提高,能够获得提高蚀刻因数的效果。就稳定地确保该效果的观点而言,将该Cu浓度控制为优选80atm%以上、更优选90atm%以上。另一方面,通过将该Cu浓度控制为98atm%以下,可防止耐热性、耐化学品性等特性的降低。就稳定地确保该效果的观点而言,将该Cu浓度控制为优选97atm%以下、更优选96atm%以下。
再者,于该Cu浓度、也就是距第一表面处理层3的表面的深度为17.5nm处的Cu浓度如上所述为70atm%以上而较高的情形时,于表面处理铜箔1的蚀刻时快速地进行第一表面处理层3的蚀刻,但通过将第一表面处理层3的最表层附近的Ni及Zn的比率,也就是Ni及Zn的积分值的和控制为10.0~45.0atm%、优选15.0atm%~40atm%、进而优选20.0atm%~38atm%,能够以较高的水准同时实现高蚀刻因数与耐热性、耐化学品性的确保。若可维持高耐热性,则例如于将表面处理铜箔1接合至绝缘基材11的情形时,于加热后也可维持与绝缘基材11的剥离强度。进而,通过使第一表面处理层3中的磁性金属(Ni、Co等)的含量降低,也可适宜地用作用以形成近年来用途扩大的高频信号用电路的表面处理铜箔1。
第一表面处理层3的由JIS B0601:1994所规定的十点平均粗糙度Rz优选为0.4~1.2μm。通过将十点平均粗糙度Rz控制为该范围,可同时实现第一表面处理层3对绝缘基材11的附着性的提高与蚀刻因数的提高。就稳定地提高该效果的观点而言,第一表面处理层3的Rz更优选为0.5~0.9μm。
第一表面处理层3的均方根高度Sq优选为0.32μm以下,更优选为0.30μm以下。均方根高度Sq是表示表面的高度方向的振幅平均的指标。若均方根高度Sq变大,则表面变得粗糙,第一表面处理层3对绝缘基材11的附着性提高,另一方面,有蚀刻因数降低的倾向。因此,通过将均方根高度Sq控制为该范围,可同时实现第一表面处理层3对绝缘基材11的附着性的提高与蚀刻因数的提高。再者,均方根高度Sq的下限并无特别限定,优选为0.20μm以上。
第一表面处理层3的突出谷部深度Svk优选为0.38μm以下,更优选为0.35μm以下。突出谷部深度Svk是表示突出谷部的平均深度的指标。若突出谷部深度Svk变大,则表面变得粗糙,第一表面处理层3对绝缘基材11的附着性提高,另一方面,有蚀刻因数降低的倾向。因此,通过将突出谷部深度Svk控制为该范围,可同时实现第一表面处理层3对绝缘基材11的附着性的提高与蚀刻因数的提高。再者,突出谷部深度Svk的下限并无特别限定,优选为0.31μm以上。
另外,第一表面处理层3的Svk也与蚀刻残渣相关。蚀刻残渣是于通过蚀刻形成电路图案后残留于电路图案的周围的绝缘基材11上的残渣,可通过如图2所示的电路图案的SEM图像(3000倍)进行确认。若蚀刻残渣变多,则于电路宽度较窄的电路图案中容易产生短路,因此就电路图案的微间距化的观点而言欠佳。因此,为了减少蚀刻残渣,优选将Svk控制为上述范围。
第一表面处理层3的基于JIS B0601:2013的粗糙度曲线要素的平均长度RSm优选为5~10μm。
在此,RSm是表示表面的凹凸形状的平均间隔的指标。一般而言,若形成第一表面处理层3的粒子的尺寸变大,则表面的凹凸间隔变宽,因此RSm变大。若RSm变大,则表面处理铜箔1对绝缘基材的附着力变强,但于蚀刻处理中容易产生溶解残留的部分。也就是说,容易因蚀刻处理而成为底部变宽的梯形形状的电路图案,有蚀刻因数降低的倾向。另一方面,若形成第一表面处理层3的粒子的尺寸变小,则容易成为与上述相反的倾向。也就是说,有虽然蚀刻因数提高,但表面处理铜箔1对绝缘基材的附着力降低的倾向。
因此,为了同时实现对绝缘基材的附着性的提高与蚀刻性的提高,优选将第一表面处理层3的RSm控制为上述范围。通过进行此种RSm的控制,可使第一表面处理层3的表面成为适于同时实现对绝缘基材的附着性的提高与蚀刻性的提高的表面形状。具体而言,由于以适当的平衡性形成第一表面处理层3的表面的凹凸形状,故而可提高电路图案的蚀刻因数及对绝缘基材的附着性。就稳定地获得此种效果的观点而言,优选将RSm控制为5~9μm。
第一表面处理层3的基于JIS B0631:2000的粗糙度图形的平均长度AR优选为6~20μm。
在此,AR是表示表面的微细的凹凸形状的指标。一般而言,若形成第一表面处理层3的粒子的尺寸变大,则表面的凹凸间隔变大,因此AR变大。若AR变大,则表面处理铜箔1对绝缘基材的附着力变强,但于蚀刻处理中容易产生溶解残留的部分。也就是说,容易因蚀刻处理而成为底部变宽的梯形形状的电路图案,有蚀刻因数降低的倾向。另一方面,若形成第一表面处理层3的粒子的尺寸变小,则容易成为与上述相反的倾向。也就是说,有虽然蚀刻因数提高,但表面处理铜箔1对绝缘基材的附着力降低的倾向。
因此,为了同时实现对绝缘基材的附着性的提高与蚀刻性的提高,优选将第一表面处理层3的AR控制为上述范围。通过进行此种AR的控制,可使第一表面处理层3的表面成为适于同时实现对绝缘基材的附着性的提高与蚀刻性的提高的表面形状。具体而言,由于以适当的平衡性形成第一表面处理层3的表面的凹凸形状,故而可提高电路图案的蚀刻因数及对绝缘基材的附着性。就稳定地获得此种效果的观点而言,优选将AR控制为7~18μm。
第一表面处理层3的基于JIS Z8730:2009的几何条件C测得的CIE L*a*b*表色系统的a*(以下,也称为“a*”)优选为3.0~28.0。a*是表现红色的值,铜呈接近于红色的颜色。因此,通过将a*控制为上述范围内,可将第一表面处理层3中的铜的量调整为向蚀刻液的溶解性良好的范围,因此可提高电路图案的蚀刻因数。就稳定地获得此种效果的观点而言,优选将a*控制为5.0~23.0。
第一表面处理层3的基于JIS Z8730:2009的几何条件C所测得的CIE L*a*b*表色系统的L*(以下,也称为“L*”)优选为39.0~94.0。L*是主要与黑白相关的指标,与控制耐热性的Zn的量有关。Zn如下所述,具有较Ni容易溶解于蚀刻液的特性,因此通过将L*控制为上述范围内,可将影响耐热性及蚀刻因数的Zn的量调整为适当的范围。因此,可提高电路图案的蚀刻因数。就稳定地获得此种效果的观点而言,优选将L*控制为44.0~84.0,进而优选控制为54.0~70.0。
第一表面处理层3优选为至少含有Ni及Zn作为附着元素。
由于Ni为不易溶解于蚀刻液的成分,故而通过将第一表面处理层3的Ni附着量控制为200μg/dm2以下,第一表面处理层3变得容易溶解于蚀刻液。其结果为,能够提高电路图案的蚀刻因数。就稳定地提高该蚀刻因数的观点而言,将第一表面处理层3的Ni附着量控制为优选180μg/dm2以下、更优选100μg/dm2以下。另一方面,就确保由第一表面处理层3所产生的特定的效果(例如耐热性等)的观点而言,将第一表面处理层3的Ni附着量控制为20μg/dm2以上。
另外,于形成电路图案后有进行镀金等表面处理的情况,但若进行自电路图案的表面去除无用的物质的软蚀刻作为其预处理,则有软蚀刻液渗入至电路图案的边缘部的情况。Ni具有抑制该软蚀刻液的渗入的效果。就充分地确保该效果的观点而言,优选将第一表面处理层3的Ni附着量控制为30μg/dm2以上,更优选控制为40μg/dm2以上。
Zn由于较Ni容易溶解于蚀刻液,故而可相对较多地附着。因此,通过将第一表面处理层3的Zn附着量控制为1000μg/dm2以下,第一表面处理层3变得容易溶解,结果,能够提高电路图案的蚀刻因数。就稳定地提高该蚀刻因数的观点而言,将第一表面处理层3的Zn附着量控制为优选700μg/dm2以下、更优选600μg/dm2以下。另一方面,就确保由第一表面处理层3所产生的特定的效果(例如耐热性、耐化学品性等)的观点而言,将第一表面处理层3的Zn附着量控制为20μg/dm2以上、优选100μg/dm2以上、更优选300μg/dm2以上。例如,由于Zn具有防止铜的热扩散的阻隔效果,故而可抑制粗化粒子及铜箔中的铜因热扩散而露出至表层。其结果为,铜不易直接接触软蚀刻液等化学液,因此可抑制软蚀刻液渗入至电路图案的边缘部。
第一表面处理层3除含有Ni及Zn以外,也可进而含有Co、Cr等元素作为附着元素。
第一表面处理层3的Co附着量取决于第一表面处理层3的种类,因此并无特别限定,优选为1500μg/dm2以下,更优选为500μg/dm2以下,进而优选为100μg/dm2以下,尤其优选为30μg/dm2以下。通过将第一表面处理层3的Co附着量设为上述范围内,可稳定地提高电路图案的蚀刻因数。再者,Co附着量的下限并无特别限定,典型而言为0.1μg/dm2,优选为0.5μg/dm2
另外,由于Co为磁性金属,故而通过将第一表面处理层3的Co附着量尤其是抑制为100μg/dm2以下、优选0.5~100μg/dm2,可获得能够制作高频特性优异的印刷配线板的表面处理铜箔1。
第一表面处理层3的Cr附着量取决于第一表面处理层3的种类,因此并无特别限定,优选为500μg/dm2以下,更优选为0.5~300μg/dm2,进而优选为1~100μg/dm2。通过将第一表面处理层3的Cr附着量设为上述范围内,可获得防锈效果并且稳定地提高电路图案的蚀刻因数。
第一表面处理层3的种类并无特别限定,可使用该技术领域中公知的各种表面处理层。作为用于第一表面处理层3的表面处理层的例子,可列举粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层、硅烷偶合处理层等。所述层可单一地或组合2种以上使用。其中,就与绝缘基材11的附着性的观点而言,第一表面处理层3优选为具有粗化处理层。
在此,本说明书中所谓“粗化处理层”是指通过粗化处理所形成的层,包含粗化粒子的层。另外,于粗化处理中,有时进行通常的镀铜等作为预处理,或进行通常的镀铜等作为完工处理以防止粗化粒子的脱落,本说明书中的“粗化处理层”包含通过所述预处理及完工处理所形成的层。
作为粗化粒子,并无特别限定,可由选自铜、镍、钴、磷、钨、砷、钼、铬及锌中的任一单质或含有任一种以上的合金形成。另外,也可于形成粗化粒子后,进而进行利用镍、钴、铜、锌的单质或合金等设置二次粒子及三次粒子的粗化处理。
粗化处理层可通过电镀而形成。其条件无特别限定,典型的条件如下所述。另外,电镀也可分为两阶段进行。
镀覆液组成:10~20g/L的Cu、50~100g/L的硫酸
镀覆液温度:25~50℃
电镀条件:电流密度1~60A/dm2、时间1~10秒。
作为耐热层及防锈层,无特别限定,可由该技术领域中公知的材料形成。再者,由于耐热层有时也发挥作为防锈层的功能,故而也可形成1层具有耐热层及防锈层两者的功能的层作为耐热层及防锈层。
作为耐热层及/或防锈层,可为含有选自镍、锌、锡、钴、钼、铜、钨、磷、砷、铬、钒、钛、铝、金、银、铂族元素、铁、钽的群的1种以上的元素(可为金属、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任意的形态)的层。作为耐热层及/或防锈层的例子,可列举含有镍-锌合金的层。
耐热层及防锈层可通过电镀而形成。其条件无特别限定,典型的耐热层(Ni-Zn层)的条件如下所述。
镀覆液组成:1~30g/L的Ni、1~30g/L的Zn
镀覆液pH:2~5
镀覆液温度:30~50℃
电镀条件:电流密度1~10A/dm2、时间0.1~5秒。
作为铬酸盐处理层,无特别限定,可由该技术领域中公知的材料形成。
在此,本说明书中所谓“铬酸盐处理层”是指由含有铬酸酐、铬酸、二铬酸、铬酸盐或二铬酸盐的液体所形成的层。铬酸盐处理层可为含有钴、铁、镍、钼、锌、钽、铜、铝、磷、钨、锡、砷、钛等元素(可为金属、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任意形态)的层。作为铬酸盐处理层的例子,可列举:经铬酸酐或二铬酸钾水溶液处理的铬酸盐处理层、经含有铬酸酐或二铬酸钾及锌的处理液处理的铬酸盐处理层等。
铬酸盐处理层可通过浸渍铬酸盐处理、电解铬酸盐处理等公知方法形成。它们的条件无特别限定,例如典型的浸渍铬酸盐处理层的条件如下所述。
铬酸盐液组成:1~10g/L的K2Cr2O7、0.01~10g/L的Zn
铬酸盐液pH:2~5
铬酸盐液温度:30~50℃。
作为硅烷偶合处理层,并无特别限定,可由该技术领域中公知的材料形成。
在此,本说明书中所谓“硅烷偶合处理层”是指由硅烷偶合剂所形成的层。
作为硅烷偶合剂,无特别限定,可使用该技术领域中公知的。作为硅烷偶合剂的例子,可列举:氨基系硅烷偶合剂、环氧系硅烷偶合剂、巯基系烷偶合剂、甲基丙烯酰氧基系硅烷偶合剂、乙烯基系硅烷偶合剂、咪唑系硅烷偶合剂、三嗪系硅烷偶合剂等。这些之中,优选为氨基系硅烷偶合剂、环氧系硅烷偶合剂。上述硅烷偶合剂可单独使用或组合2种以上使用。
硅烷偶合剂可通过公知方法制造,也可使用市售品。关于能够用作硅烷偶合剂的市售品的例子,可列举信越化学工业株式会社制造的KBM系列、KBE系列等。市售品的硅烷偶合剂可单独使用,但就第一表面处理层3与绝缘基材11的附着性(剥离强度)的观点而言,优选为制成2种以上的硅烷偶合剂的混合物。其中,优选的硅烷偶合剂的混合物为KBM603(N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷)与KBM503(3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷)的混合物、KBM602(N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基二甲氧基硅烷)与KBM503(3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷)的混合物、KBM603(N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷)与KBE503(3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷)的混合物、KBM602(N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基二甲氧基硅烷)与KBE503(3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷)的混合物、KBM903(3-氨基丙基三甲氧基硅烷)与KBM503(3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷)的混合物、KBE903(3-氨基三乙氧基硅烷)与KBM503(3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷)的混合物、KBE903(3-氨基三乙氧基硅烷)与KBE503(3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷)的混合物、KBM903(3-氨基丙基三甲氧基硅烷)与KBE503(3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷)的混合物。
于制成2种以上的硅烷偶合剂的混合物的情形时,其混合比率无特别限定,只要根据所使用的硅烷偶合剂的种类适当调整即可。
另外,如图3所示,表面处理铜箔1可进而具有形成于铜箔2的另一面的第二表面处理层4。
第二表面处理层4的种类并无特别限定,可与第一表面处理层3同样地使用该技术领域中公知的各种表面处理层。另外,第二表面处理层4的种类可与第一表面处理层3相同也可不同。
第二表面处理层4可含有Ni、Zn、Cr等元素作为附着元素。
第一表面处理层3的Ni附着量相对于第二表面处理层4的Ni附着量的比优选为0.01~2.5,更优选为0.6~2.2。由于Ni为不易溶解于蚀刻液的成分,故而通过将Ni附着量的比设为上述范围,于对覆铜积层板10进行蚀刻时,可促进成为电路图案的底部侧的第一表面处理层3的溶解,并且抑制成为电路图案的顶部侧的第二表面处理层4的溶解。因此,能够获得顶部宽度与底部宽度的差较小而蚀刻因数较高的电路图案。
第二表面处理层4的Ni附着量取决于第二表面处理层4的种类,因此并无特别限定,优选为0.1~500μg/dm2,更优选为0.5~200μg/dm2,进而优选为1~100μg/dm2。通过将第二表面处理层4的Ni附着量设为上述范围内,可稳定地提高电路图案的蚀刻因数。
第二表面处理层4的Zn附着量取决于第二表面处理层4的种类,因此并无特别限定,于第二表面处理层4含有Zn的情形时,优选为10~1000μg/dm2,更优选为50~500μg/dm2,进而优选为100~300μg/dm2。通过将第二表面处理层4的Zn附着量设为上述范围内,可获得耐热性及耐化学品性的效果,并且稳定地提高电路图案的蚀刻因数。
第二表面处理层4的Cr附着量取决于第二表面处理层4的种类,因此并无特别限定,于第二表面处理层4含有Cr的情形时,优选为超过0μg/dm2且为500μg/dm2以下,更优选为0.1~100μg/dm2,进而优选为1~50μg/dm2。通过将第二表面处理层4的Cr附着量设为上述范围内,可获得防锈效果,并且稳定地提高电路图案的蚀刻因数。
作为铜箔2,无特别限定,可为电解铜箔或压延铜箔的任一者。电解铜箔一般是通过自硫酸铜镀浴使铜电解析出至钛或不锈钢的滚筒上而制造,具有形成于滚筒侧的平坦的S面(磨光面)与形成于S面的相反侧的M面(无光泽面)。一般而言,电解铜箔的M面具有凹凸,因此通过将第一表面处理层3形成于电解铜箔的M面、将第二表面处理层4形成于电解铜箔的S面,可提高第一表面处理层3与绝缘基材11的附着性。
作为铜箔2的材料,无特别限定,于铜箔2为压延铜箔的情形时,可使用通常用作印刷配线板的电路图案的精铜(JIS H3100合金编号C1100)、无氧铜(JIS H3100合金编号C1020或JIS H3510合金编号C1011)等高纯度铜。另外,也可使用例如掺Sn铜、掺Ag铜、添加有Cr、Zr或Mg等的铜合金、添加有Ni及Si等的卡逊系铜合金之类的铜合金。再者,本说明书中所谓“铜箔2”是也包含铜合金箔的概念。
铜箔2的厚度无特别限定,例如可设为1~1000μm、或者1~500μm、或者1~300μm、或者3~100μm、或者5~70μm、或者6~35μm、或者9~18μm。
具有如上所述的构成的表面处理铜箔1可依据该技术领域中公知的方法制造。在此,关于第一表面处理层3及第二表面处理层4的Ni附着量、Ni附着量的比,例如可通过改变所形成的表面处理层的种类、厚度等而进行控制。另外,第一表面处理层3的Rz例如可通过调整第一表面处理层3的形成条件等而进行控制。
覆铜积层板10可通过将绝缘基材11附着于表面处理铜箔1的第一表面处理层3而制造。
作为绝缘基材11,无特别限定,可使用该技术领域中公知的。作为绝缘基材11的例子,可列举:纸基材酚树脂、纸基材环氧树脂、合成纤维布基材环氧树脂、玻璃布·纸复合基材环氧树脂、玻璃布·玻璃不织布复合基材环氧树脂、玻璃布基材环氧树脂、聚酯膜、聚酰亚胺膜、液晶聚合物、氟树脂等。
作为表面处理铜箔1与绝缘基材11的附着方法,无特别限定,可依据该技术领域中公知的方法进行。例如,使表面处理铜箔1与绝缘基材11积层并进行热压接即可。
以上述方式制造的覆铜积层板10可用于印刷配线板的制造。作为印刷配线板的制造方法,并无特别限定,可使用减成法、半加成法等公知方法。其中,覆铜积层板10最适于用于减成法。
图4是用于说明利用减成法的印刷配线板的制造方法的截面图。
于图4中,首先,通过在覆铜积层板10的表面处理铜箔1的表面涂布抗蚀剂并进行曝光及显影,而形成特定的抗蚀剂图案20(步骤(a))。其次,通过蚀刻而去除未形成抗蚀剂图案20的部分(无用部)的表面处理铜箔1(步骤(b))。最后,去除表面处理铜箔1上的抗蚀剂图案20(步骤(c))。
再者,该减成法中的各种条件无特别限定,可依据该技术领域中公知的条件进行。
[实施例]
以下,通过实施例对本发明的实施方案进而具体地进行说明,但本发明并不受所述实施例任何限定。
(实施例1)
准备厚度12μm的压延铜箔(JX金属公司制造的HA-V2箔),于一面依序形成粗化处理层、耐热层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层作为第一表面处理层,并且于另一面依序形成耐热层及铬酸盐处理层作为第二表面处理层,由此获得表面处理铜箔。用于形成各层的条件如下所述。
<第一表面处理层的粗化处理层>
通过电镀形成粗化处理层。电镀分为两个阶段进行。
(第1阶段的条件)
镀覆液组成:11g/L的Cu、50g/L的硫酸
镀覆液温度:25℃
电镀条件:电流密度42.7A/dm2、时间1.4秒
(第2阶段的条件)
镀覆液组成:20g/L的Cu、100g/L的硫酸
镀覆液温度:50℃
电镀条件:电流密度3.8A/dm2、时间2.8秒
<第一表面处理层的耐热层>
通过电镀形成耐热层。
镀覆液组成:23.5g/L的Ni、4.5g/L的Zn
镀覆液pH:3.6
镀覆液温度:40℃
电镀条件:电流密度1.1A/dm2、时间0.7秒
<第一表面处理层的铬酸盐处理层>
通过电镀形成铬酸盐处理层。
镀覆液组成:3.0g/L的K2Cr2O7、0.33g/L的Zn
镀覆液pH:3.6
镀覆液温度:50℃
电镀条件:电流密度2.1A/dm2、时间1.4秒
<第一表面处理层的硅烷偶合处理层>
通过涂布N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷(信越化学工业株式会社制造KBM603)的1.2体积%水溶液(pH:10)并使其干燥,而形成硅烷偶合处理层。
<第二表面处理层的耐热层>
通过电镀形成耐热层。
镀覆液组成:23.5g/L的Ni、4.5g/L的Zn
镀覆液pH:3.6
镀覆液温度:40℃
电镀条件:电流密度2.8A/dm2、时间0.7秒
<第二表面处理层的铬酸盐处理层>
通过浸渍铬酸盐处理形成铬酸盐处理层。
铬酸盐液组成:3.0g/L的K2Cr2O7、0.33g/L的Zn
铬酸盐液pH:3.6
铬酸盐液温度:50℃
(实施例2)
将第一表面处理层的耐热层的形成条件如下所述进行变更,除此以外,以与实施例1相同的方式获得表面处理铜箔。
<第一表面处理层的耐热层>
通过电镀形成耐热层。
镀覆液组成:23.5g/L的Ni、4.5g/L的Zn
镀覆液pH:3.6
镀覆液温度:40℃
电镀条件:电流密度2.6A/dm2、时间0.7秒
(实施例3)
将第一表面处理层的耐热层的形成条件如下所述进行变更,除此以外,以与实施例1相同的方式获得表面处理铜箔。
<第一表面处理层的耐热层>
通过电镀形成耐热层。
镀覆液组成:23.5g/L的Ni、4.5g/L的Zn
镀覆液pH:3.6
镀覆液温度:40℃
电镀条件:电流密度4.2A/dm2、时间0.7秒
(实施例4)
将第一表面处理层及第二表面处理层的耐热层的形成条件如下所述进行变更,除此以外,以与实施例1相同的方式获得表面处理铜箔。
<第一表面处理层的耐热层>
通过电镀形成耐热层。
镀覆液组成:23.5g/L的Ni、4.5g/L的Zn
镀覆液pH:3.6
镀覆液温度:40℃
电镀条件:电流密度2.1A/dm2、时间0.7秒
<第二表面处理层的耐热层>
通过电镀形成耐热层。
镀覆液组成:23.5g/L的Ni、4.5g/L的Zn
镀覆液pH:3.6
镀覆液温度:40℃
电镀条件:电流密度2.8A/dm2、时间0.7秒
(比较例1)
准备厚度12μm的压延铜箔(JX金属公司制造的HA-V2箔),于一面依序形成粗化处理层、耐热层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层作为第一表面处理层,并且于另一面依序形成耐热层及铬酸盐处理层作为第二表面处理层,由此获得表面处理铜箔。用于形成各层的条件如下所述。
<第一表面处理层的粗化处理层>
通过电镀形成粗化处理层。
镀覆液组成:15g/L的Cu、7.5g/L的Co、9.5g/L的Ni
镀覆液pH:2.4
镀覆液温度:36℃
电镀条件:电流密度31.5A/dm2、时间1.8秒
<第一表面处理层的耐热层(1)>
通过电镀形成耐热层(1)。
镀覆液组成:3g/L的Co、13g/L的Ni
镀覆液pH:2.0
镀覆液温度:50℃
电镀条件:电流密度19.1A/dm2、时间0.4秒
<第一表面处理层的耐热层(2)>
通过电镀形成耐热层(2)。
镀覆液组成:23.5g/L的Ni、4.5g/L的Zn
镀覆液pH:3.6
镀覆液温度:40℃
电镀条件:电流密度3.5A/dm2、时间0.4秒
<第一表面处理层的铬酸盐处理层>
通过浸渍铬酸盐处理形成铬酸盐处理层。
铬酸盐液组成:3.0g/L的K2Cr2O7、0.33g/L的Zn
铬酸盐液pH:3.6
铬酸盐液温度:50℃
<第一表面处理层的硅烷偶合处理层>
通过涂布N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷(信越化学工业株式会社制造KBM603)的1.2体积%水溶液(pH:10)并使其干燥,而形成硅烷偶合处理层。
<第二表面处理层的耐热层>
通过电镀形成耐热层。
镀覆液组成:23.5g/L的Ni、4.5g/L的Zn
镀覆液pH:3.6
镀覆液温度:40℃
电镀条件:电流密度4.1A/dm2、时间0.4秒
<第二表面处理层的铬酸盐处理层>
通过浸渍铬酸盐处理形成铬酸盐处理层。
铬酸盐液组成:3.0g/L的K2Cr2O7、0.33g/L的Zn
铬酸盐液pH:3.6
铬酸盐液温度:50℃
对于上述实施例及比较例中所获得的表面处理铜箔,进行下述评价。
<第一表面处理层及第二表面处理层中的各元素的附着量的测定>
Ni、Zn及Co的附着量是通过将各表面处理层溶解于浓度20质量%的硝酸,使用VARIAN公司制造的原子吸光分光光度计(型号:AA240FS),利用原子吸光法进行定量分析而测定。另外,Cr的附着量是通过将各表面处理层溶解于浓度7质量%的盐酸,与上述同样地利用原子吸光法进行定量分析而测定。
<表面处理铜箔的第一表面处理层的XPS的纵深分析的评价>
于该评价中,测定第一表面处理层的特定的深度的Ni浓度、Zn浓度及Cu浓度。另外,基于上述测定值,算出Ni浓度的积分值及Zn浓度的积分值。
Ni浓度及Zn浓度是通过对表面处理铜箔的第一表面处理层于深度方向进行XPS分析,分别测定以溅镀速率2.5nm/分钟(SiO2换算)进行1分钟溅镀时,相对于测定对象元素的合计量的Ni及Zn的浓度而求出。
Cu浓度是通过对表面处理铜箔的第一表面处理层于深度方向进行XPS分析,测定以溅镀速率2.5nm/分钟(SiO2换算)进行7分钟溅镀时,相对于测定对象元素的合计量的Cu的浓度而求出。
Ni浓度及Zn浓度的积分值是对表面处理铜箔的第一表面处理层于深度方向进行XPS分析,测定以溅镀速率2.5nm/分钟(SiO2换算)进行溅镀时,1分钟~2分钟间的相对于测定对象元素的合计量的Ni浓度及Zn浓度,通过下述方法分别算出积分值。对于其具体例,以Ni浓度的积分值的算出方法为例进行说明,Zn浓度的积分值也通过相同的方法算出。
溅镀时间每0.2分钟通过XPS分析获取Ni浓度,制作以横轴为溅镀时间、以纵轴为Ni浓度进行绘图而成的曲线图。其次,于使用该曲线图制作近似于梯形的图后,求出其面积,由此算出进行1~2分钟的溅镀时的Ni浓度的积分值。此时,所获取的Ni浓度的值是获取至10-4的值进行计算。将近似于梯形的图的一例示于图5。于图5中,斜线部为相当于进行1~2分钟溅镀时的Ni浓度的积分值的部分的面积。再者,图5仅为用以说明Ni浓度的积分值的计算方法的图,并非本说明书所记载的实施例的测定结果。
XPS的纵深分析中的其他条件如下所述。
装置:ULVAC-PHI株式会社制造的5600MC
极限真空度:5.7×10-7Pa
激发源:单色化MgKα
输出:400W
检测面积:800μmφ
入射角:81°
掠出角:45°
无中和枪
测定对象元素:C、N、O、Zn、Cr、Ni、Co、Si及Cu
<溅镀条件>
离子种:Ar+
加速电压:3kV
扫描区域:3mm×3mm
<表面处理铜箔的第一表面处理层的Rz的测定>
使用小坂研究所株式会社制造的接触粗糙度计Surfcorder SE-3C,依据JISB0601:1994测定Rz(十点平均粗糙度)。该测定是将测定基准长度设为0.8mm、将评价长度设为4mm、将截止值设为0.25mm、将进给速度设为0.1mm/秒,于表面处理铜箔的宽度方向变更测定位置而进行10次,将10次的测定值的平均值作为评价结果。
<表面处理铜箔的第一表面处理层的Sq、Svk、RSm及AR的测定>
使用Olympus株式会社制造的雷射显微镜(LEXT OLS4000),测定Sq(均方根高度)、Svk(突出谷部深度)、RSm(粗糙度曲线要素的平均长度)及AR(粗糙度图形的平均长度)。RSm及AR的测定是分别依据JIS B0601:2013及JIS B0631:2000进行。另外,Sq、Svk、RSm及AR是将于任意10处所测得的值的平均值作为测定结果。再者,测定时的温度设为23~25℃。另外,雷射显微镜中的主要设定条件如下所述。
物镜:MPLAPON50LEXT(倍率:50倍,数值孔径:0.95,液浸类型:空气,机械镜筒长:∞,覆盖玻璃厚:0,视野数:FN18)
扫描模式:XYZ高精度(高度解析度:10nm)
扫描图像尺寸[像素数]:横257μm×纵258μm[1024×1024]
(由于在横向测定,故评价长度相当于257μm)
DIC:关闭
多层:关闭
雷射强度:100
补偿:0
共焦水准:0
光束直径缩小:关闭
图像平均:1次
杂讯降低:开启
亮度不均修正:开启
光学杂讯滤波器:开启
截止值:无(λc、λs、λf均无)
滤波器:高斯滤波器
杂讯去除:测定前处理
倾斜修正:实施
最小高度的识别值:相对于Rz的比的10%
图形参数:粗糙度图形的上限高度A/波纹度图形的上限高度B=0.1mm/0.5mm
<表面处理铜箔的第一表面处理层的a*及L*的测定>
使用HunterLab公司制造的MiniScan(注册商标)EZ Model 4000L作为测定器,依据JIS Z8730:2009进行CIE L*a*b*表色系统的a*及L*的测定。具体而言,将上述实施例及比较例中所获得的表面处理铜箔的第一表面处理层压抵于测定器的感光部,不让光自外部进入并且测定a*。另外,a*及L*的测定是基于JIS Z8722的几何条件C进行。再者,测定器的主要条件如下所述。
光学系统d/8°、积分球尺寸63.5mm、观察光源D65
测定方式反射
照明直径25.4mm
测定直径20.0mm
测定波长·间隔400~700nm·10nm
光源脉冲氙气灯·1发光/测定
追踪能力标准依据基于CIE 44及ASTM E259的美国标准技术研究所(NIST)进行校正
标准观察者10°
另外,作为测定基准的白色磁砖是使用下述的物体色的。
于以D65/10°测定的情形时,CIE XYZ表色系统中的值为X:81.90、Y:87.02、Z:93.76(若将数值转换为CIE L*a*b*表色系统,则其相当于L*:94.8、a*:-1.6、b*:0.7)。
<蚀刻因数及蚀刻残渣的评价>
通过在表面处理铜箔的第一表面处理层上积层聚酰亚胺基板,于300℃加热1小时进行压接,而制作覆铜积层板。其次,通过在表面处理铜箔的第二表面处理层上涂布感光性抗蚀剂并进行曝光及显影,而形成L/S=29μm/21μm宽度的抗蚀剂图案。其后,通过蚀刻将表面处理铜箔的露出部(无用部)去除,由此获得具有L/S=25μm/25μm宽度的铜的电路图案的印刷配线板。再者,上述电路图案的L及S的宽度是电路的底部面、也就是与聚酰亚胺基板接触的面的宽度。蚀刻是使用喷雾蚀刻于下述条件下进行。
蚀刻液:氯化铜蚀刻液(氯化铜(II)二水合物400g/L,以35%盐酸计200ml/L)
液温:45℃
喷雾压力:0.18MPa
其次,利用SEM观察所形成的电路图案,根据下述的式求出蚀刻因数(EF)。
EF=电路高度/{(电路底部宽度-电路顶部宽度)/2}
蚀刻因数的数值越大则意味着电路侧面的倾斜角越大。
EF的值是各实施例及比较例每一者进行5次试验的结果的平均值。
蚀刻残渣是拍摄电路图案的SEM图像,根据3000倍的SEM图像,对其产生状态进行评价。具体而言,如图2所示,对电路图案垂直地划出直线,求出自电路图案的底部至产生蚀刻残渣的部分的距离的最大值,由此评价蚀刻残渣。于该评价中,将该距离的最大值为1μm以下的表示为〇,将该距离的最大值超过1μm的表示为×。
<剥离强度的评价>
90度剥离强度的测定是依据JIS C6471:1995进行。具体而言,将电路(表面处理铜箔)宽度设为3mm,以90度的角度且以50mm/分钟的速度将市售的基材(FR-4预浸体)与表面处理铜箔之间剥离,测定此时的强度。测定是进行2次,将其平均值作为剥离强度的结果。再者,若剥离强度为0.5kgf/cm以上,则可谓导体与基材的附着性良好。
再者,电路宽度的调整是通过使用氯化铜蚀刻液的通常的减成蚀刻方法进行。另外,剥离强度的评价是于初期(刚蚀刻后)、及相当于回流焊的热历程(260℃、20秒)后的2种条件下进行评价。
将上述评价结果示于表1~3。
[表1]
[表2]
[表3]
如表1~3所示,第一表面处理层的Ni浓度为0.1~15.0atm%的表面处理铜箔实施例1~4其蚀刻因数较高,与此相对,第一表面处理层的Ni浓度超过15.0atm%的比较例1其蚀刻因数较低。另外,实施例1~4的剥离强度也较高,蚀刻残渣也较少。
由以上的结果可知,根据本发明的实施方案,可提供一种电路形成性优异的表面处理铜箔及覆铜积层板。另外,根据本发明的实施方案,可提供一种具有经微间距化的电路图案的印刷配线板。
本发明的实施方案也可采用以下的方面。
<1>
一种表面处理铜箔,其具有:铜箔、及形成于上述铜箔的一面的第一表面处理层,且
上述第一表面处理层于XPS的纵深分析中,以溅镀速率2.5nm/分钟(SiO2换算)进行1分钟溅镀时,相对于C、N、O、Zn、Cr、Ni、Co、Si及Cu的元素的合计量的Ni浓度为0.1~15.0atm%。
<2>
如上述<1>所记载的表面处理铜箔,其中,上述Ni浓度为1.0~3.5atm%。
<3>
如上述<1>或<2>所记载的表面处理铜箔,其中,上述第一表面处理层于XPS的纵深分析中,以溅镀速率2.5nm/分钟(SiO2换算)进行1分钟溅镀时,相对于C、N、O、Zn、Cr、Ni、Co、Si及Cu的元素的合计量的Zn浓度为5.0~40.0atm%。
<4>
如上述<3>所记载的表面处理铜箔,其中,上述Zn浓度为10.0~30.0atm%。
<5>
如上述<1>至<4>中任一项所记载的表面处理铜箔,其中,上述第一表面处理层于XPS的纵深分析中,以溅镀速率2.5nm/分钟(SiO2换算)进行溅镀时,1分钟~2分钟间的相对于C、N、O、Zn、Cr、Ni、Co、Si及Cu的元素的合计量的Ni浓度的积分值为0.1~18.0atm%。
<6>
如上述<1>至<5>中任一项所记载的表面处理铜箔,其中,上述第一表面处理层于XPS的纵深分析中,以溅镀速率2.5nm/分钟(SiO2换算)进行溅镀时,1分钟~2分钟间的相对于C、N、O、Zn、Cr、Ni、Co、Si及Cu的元素的合计量的Zn浓度的积分值为5.0~40.0atm%。
<7>
如上述<1>至<6>中任一项所记载的表面处理铜箔,其中,上述第一表面处理层于XPS的纵深分析中,以溅镀速率2.5nm/分钟(SiO2换算)进行溅镀时,1分钟~2分钟间的相对于C、N、O、Zn、Cr、Ni、Co、Si及Cu的元素的合计量的Ni及Zn浓度的积分值的和为10.0~45.0atm%。
<8>
如上述<1>至<7>中任一项所记载的表面处理铜箔,其中,上述第一表面处理层于XPS的纵深分析中,以溅镀速率2.5nm/分钟(SiO2换算)进行7分钟溅镀时,相对于C、N、O、Zn、Cr、Ni、Co、Si及Cu的元素的合计量的Cu浓度为70~98atm%。
<9>
如上述<1>至<8>中任一项所记载的表面处理铜箔,其中,上述第一表面处理层的由JIS B0601:1994所规定的十点平均粗糙度Rz为0.4~1.2μm。
<10>
如上述<1>至<9>中任一项所记载的表面处理铜箔,其中,上述第一表面处理层满足以下的(A)~(E)的至少一者:
(A)均方根高度Sq为0.20~0.32μm;
(B)突出谷部深度Svk为0.31~0.38μm;
(C)基于JIS B0601:2013的粗糙度曲线要素的平均长度RSm为5~10μm;
(D)基于JIS B0631:2000的粗糙度图形的平均长度AR为6~20μm;
(E)基于JIS Z8730:2009的几何条件C测得的CIE L*a*b*表色系统的L*为39.0~94.0。
<11>
如上述<1>至<10>中任一项所记载的表面处理铜箔,其中,上述铜箔为压延铜箔。
<12>
一种覆铜积层板,其具备:上述<1>至<11>中任一项所记载的表面处理铜箔、及附着于上述表面处理铜箔的第一表面处理层的绝缘基材。
<13>
一种印刷配线板,其具备对上述<12>所记载的覆铜积层板的上述表面处理铜箔进行蚀刻而形成的电路图案。
【符号说明】
1:表面处理铜箔
2:铜箔
3:第一表面处理层
4:第二表面处理层
10:覆铜积层板
11:绝缘基材
20:抗蚀剂图案

Claims (12)

1.一种表面处理铜箔,其具有:铜箔、及形成于所述铜箔的一面的第一表面处理层,且
所述第一表面处理层于XPS的纵深分析中,以基于SiO2换算的溅镀速率2.5nm/分钟进行1分钟溅镀时,相对于C、N、O、Zn、Cr、Ni、Co、Si及Cu的元素的合计量的Ni浓度为1.0~3.5atm%。
2.如权利要求1所述的表面处理铜箔,其中,所述第一表面处理层于XPS的纵深分析中,以基于SiO2换算的溅镀速率2.5nm/分钟进行1分钟溅镀时,相对于C、N、O、Zn、Cr、Ni、Co、Si及Cu的元素的合计量的Zn浓度为5.0~40.0atm%。
3.如权利要求2所述的表面处理铜箔,其中,所述Zn浓度为10.0~30.0atm%。
4.如权利要求1所述的表面处理铜箔,其中,所述第一表面处理层于XPS的纵深分析中,以基于SiO2换算的溅镀速率2.5nm/分钟进行溅镀时,1分钟~2分钟间的相对于C、N、O、Zn、Cr、Ni、Co、Si及Cu的元素的合计量的Ni浓度的积分值为0.1~18.0atm%。
5.如权利要求1所述的表面处理铜箔,其中,所述第一表面处理层于XPS的纵深分析中,以基于SiO2换算的溅镀速率2.5nm/分钟进行溅镀时,1分钟~2分钟间的相对于C、N、O、Zn、Cr、Ni、Co、Si及Cu的元素的合计量的Zn浓度的积分值为5.0~40.0atm%。
6.如权利要求1所述的表面处理铜箔,其中,所述第一表面处理层于XPS的纵深分析中,以基于SiO2换算的溅镀速率2.5nm/分钟进行溅镀时,1分钟~2分钟间的相对于C、N、O、Zn、Cr、Ni、Co、Si及Cu的元素的合计量的Ni及Zn浓度的积分值的和为10.0~45.0atm%。
7.如权利要求1所述的表面处理铜箔,其中,所述第一表面处理层于XPS的纵深分析中,以基于SiO2换算的溅镀速率2.5nm/分钟进行7分钟溅镀时,相对于C、N、O、Zn、Cr、Ni、Co、Si及Cu的元素的合计量的Cu浓度为70~98atm%。
8.如权利要求1所述的表面处理铜箔,其中,所述第一表面处理层的由JIS B0601:1994所规定的十点平均粗糙度Rz为0.4~1.2μm。
9.如权利要求1所述的表面处理铜箔,其中,所述第一表面处理层满足以下的(A)~(E)的至少一者:
(A)均方根高度Sq为0.20~0.32μm;
(B)突出谷部深度Svk为0.31~0.38μm;
(C)基于JIS B0601:2013的粗糙度曲线要素的平均长度RSm为5~10μm;
(D)基于JIS B0631:2000的粗糙度图形的平均长度AR为6~20μm;
(E)基于JIS Z8730:2009的几何条件C测得的CIE L*a*b*表色系统的L*为39.0~94.0。
10.如权利要求1所述的表面处理铜箔,其中,所述铜箔为压延铜箔。
11.一种覆铜积层板,其具备:权利要求1至10中任一项所述的表面处理铜箔、及附着于所述表面处理铜箔的第一表面处理层的绝缘基材。
12.一种印刷配线板,其具备对权利要求11所述的覆铜积层板的所述表面处理铜箔进行蚀刻而形成的电路图案。
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