CN112041485B - 表面处理铜箔、覆铜积层板及印刷配线板 - Google Patents

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Abstract

本发明的表面处理铜箔1具有铜箔2与形成于铜箔2的一面的第一表面处理层3。此表面处理铜箔1的第一表面处理层3的CIE L*a*b*表色系统的L*为44.0～84.0。又，覆铜积层板10具备表面处理铜箔1、及接着于表面处理铜箔1的与第一表面处理层3为相反侧的面的绝缘基材11。

Description

表面处理铜箔、覆铜积层板及印刷配线板
技术领域
本发明涉及一种表面处理铜箔、覆铜积层板及印刷配线板。
背景技术
近年来，随着电子机器的小型化、高性能化等需求的增多，要求对于搭载于电子机器的印刷配线板的电路图案(亦称为“导体图案”)的微间距化(微细化)。
作为印刷配线板的制造方法，已知有减成法、半加成法等各种方法。其中，于减成法中，在使绝缘基材接着于铜箔而形成覆铜积层板后，于铜箔表面涂布抗蚀剂并进行曝光而形成特定的抗蚀剂图案，利用蚀刻去除未形成抗蚀剂图案的部分(无用部)，由此形成电路图案。
对于上述微间距化的要求，例如专利文献1中记载有于对铜箔的表面进行利用铜-钴-镍合金镀覆的粗化处理后，形成钴-镍合金镀层，进而形成锌-镍合金镀层，由此可获得能够实现电路图案的微间距化的表面处理铜箔。
背景技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第2849059号公报。
发明内容
[发明所欲解决的课题]
于电路图案中，一般通过焊接安装电子零件，但随着电路图案的微间距化，变得难以确保与电子零件的接合可靠性。尤其，电路图案有时于焊接时发生熔解，实际情况可以说焊料耐热性并不充分。又，鉴于环境问题，越来越多地使用无铅系焊料，但此无铅系焊料相较于锡铅共晶焊料而言，回焊温度较高。其亦为进一步要求焊料耐热性的原因之一。
本发明的实施方案是为了解决如上所述的问题而完成的，其目的在于提供一种能够形成焊料耐热性优异的电路图案的表面处理铜箔及覆铜积层板。
又，本发明的实施方案的目的在于提供一种具有焊料耐热性优异的电路图案的印刷配线板。
[解决课题的技术手段]
本发明人等为了解决上述问题而进行潜心研究，结果发现，通过在形成于铜箔的一面的表面处理层中，将CIE L*a*b*表色系统的L*控制为特定的范围，可提高电路图案的焊料耐热性，从而完成了本发明的实施方案。
即，本发明的实施方案涉及一种表面处理铜箔，其具有铜箔与形成于上述铜箔的一面的第一表面处理层，且上述第一表面处理层的CIE L*a*b*表色系统的L*为44.0～84.0。
又，本发明的实施方案涉及一种覆铜积层板，其具备上述表面处理铜箔、及接着于上述表面处理铜箔的与上述第一表面处理层为相反侧的面的绝缘基材。
进而，本发明的实施方案涉及一种印刷配线板，其具备对上述覆铜积层板的上述表面处理铜箔进行蚀刻而形成的电路图案。
[发明的效果]
根据本发明的实施方案，可提供一种能够形成焊料耐热性优异的电路图案的表面处理铜箔及覆铜积层板。
又，根据本发明的实施方案，可提供一种具有焊料耐热性优异的电路图案的印刷配线板。
附图说明
图1为使用本发明的实施方案1的表面处理铜箔的覆铜积层板的截面图。
图2为使用本发明的实施方案2的表面处理铜箔的覆铜积层板的截面图。
图3为用于说明本发明的实施方案3的印刷配线板的制造方法的截面图。
具体实施方式
以下，对本发明的优选的实施方案具体地进行说明，但本发明不应解释为限定于这些，可于不脱离本发明的主旨的范围内，基于本领域技术人员的知识进行各种变更、改良等。各实施方案所揭示的多个构成要素可通过适当的组合而形成各种发明。例如，可自各实施方案所示的全部构成要素删除几个构成要素，亦可适当组合不同实施方案的构成要素。
(实施方案1)
图1为使用本发明的实施方案1的表面处理铜箔的覆铜积层板的截面图。
如图1所示，表面处理铜箔1具有铜箔2与形成于铜箔2的一面的第一表面处理层3。又，覆铜积层板10具有表面处理铜箔1、及接着于表面处理铜箔1的与第一表面处理层3为相反侧的面的绝缘基材11。
第一表面处理层3基于JIS Z8730：2009的几何条件C所测得的CIE L*a*b*表色系统的L*(以下，亦称为“L*”)为44.0～84.0。L*为白黑的指标，其与表面粗糙度有关，并且亦与影响耐热性的Zn的量有关。因此，通过将L*控制为上述范围，可提高由表面处理铜箔1所形成的电路图案的焊料耐热性。就更稳定地提高焊料耐热性的观点而言，优选将L*控制为74.0～84.0。
只要L*为上述范围内，则第一表面处理层3的种类无特别限定，可使用本技术领域中公知的各种表面处理层。作为用于第一表面处理层3的表面处理层的例子，可列举：耐热层、防锈层、铬酸盐处理层、硅烷偶合处理层等。所述层可单一地或组合2种以上使用。其中，就焊料耐热性的观点而言，第一表面处理层3优选具有耐热层及防锈层。
作为耐热层及防锈层，无特别限定，可由本技术领域中公知的材料形成。再者，由于耐热层有时亦作为防锈层发挥功能，故而亦可形成1层具有耐热层及防锈层两者的功能的层作为耐热层及防锈层。
作为耐热层及/或防锈层，可为含有选自镍、锌、锡、钴、钼、铜、钨、磷、砷、铬、钒、钛、铝、金、银、铂族元素、铁、钽的群的1种以上的元素(可为金属、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任意的形态)的层。作为耐热层及/或防锈层的例子，可列举含有镍-锌合金的层。
耐热层及防锈层可通过电镀而形成。其条件无特别限定，典型的耐热层(Ni-Zn层)的条件如下所述。
镀覆液组成：1～30g/L的Ni、1～30g/L的Zn
镀覆液pH：2.0～5.0
镀覆液温度：30～50℃
电镀条件：电流密度1～10A/dm2、时间0.1～5秒。
作为铬酸盐处理层，无特别限定，可由本技术领域中公知的材料形成。
此处，本说明书中所谓“铬酸盐处理层”是指由含有铬酸酐、铬酸、二铬酸、铬酸盐或二铬酸盐的液体所形成的层。铬酸盐处理层可为含有钴、铁、镍、钼、锌、钽、铜、铝、磷、钨、锡、砷、钛等元素(可为金属、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任意形态)的层。作为铬酸盐处理层的例子，可列举：经铬酸酐或二铬酸钾水溶液处理的铬酸盐处理层、经含有铬酸酐或二铬酸钾及锌的处理液处理的铬酸盐处理层等。
铬酸盐处理层可通过浸渍铬酸盐处理而形成。其条件无特别限定，典型的铬酸盐处理层的条件如下所述。
铬酸盐液组成：1～10g/L的K2Cr2O7、0.01～10g/L的Zn
铬酸盐液pH：2.0～5.0
铬酸盐液温度：30～50℃。
作为硅烷偶合处理层，无特别限定，可由本技术领域中公知的材料形成。
此处，本说明书中所谓“硅烷偶合处理层”是指由硅烷偶合剂所形成的层。
作为硅烷偶合剂，无特别限定，可使用本技术领域中公知者。作为硅烷偶合剂的例子，可列举：胺基系硅烷偶合剂、环氧系硅烷偶合剂、巯基系烷偶合剂、甲基丙烯酰氧基系硅烷偶合剂、乙烯基系硅烷偶合剂、咪唑系硅烷偶合剂、三嗪系硅烷偶合剂等。这些之中，优选胺基系硅烷偶合剂、环氧系硅烷偶合剂。上述硅烷偶合剂可单独使用或组合2种以上使用。
硅烷偶合剂可通过公知方法制造，亦可使用市售品。关于能够用作硅烷偶合剂的市售品的例子，可列举信越化学工业株式会社制造的KBM系列、KBE系列等。市售品的硅烷偶合剂可单独使用，但就第一表面处理层3与绝缘基材11的接着性(剥离强度)的观点而言，优选制成2种以上的硅烷偶合剂的混合物。其中，优选的硅烷偶合剂的混合物为KBM603(N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷)与KBM503(3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷)的混合物、KBM602(N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基二甲氧基硅烷)与KBM503(3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷)的混合物、KBM603(N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷)与KBE503(3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷)的混合物、KBM602(N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基二甲氧基硅烷)与KBE503(3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷)的混合物、KBM903(3-氨基丙基三甲氧基硅烷)与KBM503(3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷)的混合物、KBE903(3-氨基三乙氧基硅烷)与KBM503(3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷)的混合物、KBE903(3-氨基三乙氧基硅烷)与KBE503(3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷)的混合物、KBM903(3-氨基丙基三甲氧基硅烷)与KBE503(3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷)的混合物。
于制成2种以上的硅烷偶合剂的混合物的情形时，其混合比率无特别限定，只要根据所使用的硅烷偶合剂的种类适当调整即可。
第一表面处理层3优选含有Zn、Cr、Ni等元素作为附着元素。
第一表面处理层3的Zn附着量取决于第一表面处理层3的种类，因此并无特别限定，于第一表面处理层3含有Zn的情形时，优选为200～600μg/dm2，更优选为230～550μg/dm2，进而优选为250～500μg/dm2。通过将第一表面处理层3的Zn附着量设为上述范围内，可获得耐热性及耐化学性的效果，并且可提高电路图案的蚀刻因子。
第一表面处理层3的Cr附着量取决于第一表面处理层3的种类，因此并无特别限定，于第一表面处理层3含有Cr的情形时，优选为10μg/dm2以上，更优选为15～300μg/dm2，进而优选为20～100μg/dm2。通过将第一表面处理层3的Cr附着量设为上述范围内，可获得防锈效果，并且可提高电路图案的蚀刻因子。
第一表面处理层3的Ni附着量取决于第一表面处理层3的种类，因此并无特别限定，于第一表面处理层3含有Ni的情形时，优选为30～200μg/dm2，更优选为35～170μg/dm2，进而优选为40～150μg/dm2。通过将第一表面处理层3的Ni附着量设为上述范围内，可稳定地提高电路图案的蚀刻因子。
作为铜箔2，无特别限定，可为电解铜箔或压延铜箔的任一者。电解铜箔一般是通过自硫酸铜镀浴使铜电解析出至钛或不锈钢的滚筒上而制造，其具有形成于滚筒侧的平坦的S面(磨光面)与形成于S面的相反侧的M面(无光泽面)。一般而言，电解铜箔的M面具有凹凸，因此通过将与第一表面处理层3为相反侧的面设为电解铜箔的M面，可提高与第一表面处理层3为相反侧的面与绝缘基材11的接着性。
作为铜箔2的材料，无特别限定，于铜箔2为压延铜箔的情形时，可使用通常用作印刷配线板的电路图案的精铜(JIS H3100合金编号C1100)、无氧铜(JIS H3100合金编号C1020或JIS H3510合金编号C1011)等高纯度铜。又，亦可使用例如掺Sn铜、掺Ag铜、添加有Cr、Zr或Mg等的铜合金、添加有Ni及Si等的卡逊系铜合金之类的铜合金。再者，本说明书中所谓“铜箔2”是亦包含铜合金箔的概念。
铜箔2的厚度无特别限定，例如可设为1～1000μm、或者1～500μm、或者1～300μm、或者3～100μm、或者5～70μm、或者6～35μm、或者9～18μm。
具有如上所述构成的表面处理铜箔1可依据本技术领域中公知的方法而制造。又，第一表面处理层3的L*例如可通过改变所形成的表面处理层的种类、厚度等而进行控制。
覆铜积层板10可通过将绝缘基材11接着于表面处理铜箔1的与第一表面处理层3为相反侧的面而制造。
作为绝缘基材11，无特别限定，可使用本技术领域中公知者。作为绝缘基材11的例子，可列举：由纸基材酚树脂、纸基材环氧树脂、合成纤维布基材环氧树脂、玻璃布/纸复合基材环氧树脂、玻璃布/玻璃不织布复合基材环氧树脂、玻璃布基材环氧树脂、聚酯膜、聚酰亚胺膜、液晶聚合物、氟树脂等所形成的基材。
作为表面处理铜箔1与绝缘基材11的接着方法，无特别限定，可依据本技术领域中公知的方法而进行。例如，使表面处理铜箔1与绝缘基材11积层并进行热压接即可。
(实施方案2)
图2为使用本发明的实施方案2的表面处理铜箔的覆铜积层板的截面图。
如图2所示，本发明的实施方案2的表面处理铜箔1于进而具有形成于铜箔2的另一面的第二表面处理层4的方面，与本发明的实施方案1的表面处理铜箔1不同。又，本发明的实施方案2的覆铜积层板20于具有表面处理铜箔1与接着于表面处理铜箔1的第二表面处理层4的绝缘基材11的方面，与本发明的实施方案1的覆铜积层板10不同。以下，对与本发明的实施方案1的表面处理铜箔1及覆铜积层板10不同的方面进行说明，对于相同部分省略说明。
第二表面处理层4的种类无特别限定，可使用本技术领域中公知的各种表面处理层。作为用于第二表面处理层4的表面处理层的例子，可列举：粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层、硅烷偶合处理层等。所述层可单一地或组合2种以上使用。其中，第二表面处理层4就与绝缘基材11的接着性的观点而言，优选具有粗化处理层。
此处，本说明书中所谓“粗化处理层”是指通过粗化处理所形成的层，且包含粗化粒子的层。又，粗化处理中，有时进行通常的镀铜等作为预处理，或进行通常的镀铜等作为完工处理以防止粗化粒子的脱落，本说明书中的“粗化处理层”包含通过所述预处理及完工处理所形成的层。
作为粗化粒子，无特别限定，可由选自铜、镍、钴、磷、钨、砷、钼、铬及锌中的任一单质或含有任一种以上的合金而形成。又，于形成粗化粒子后，亦可进而进行利用镍、钴、铜、锌的单质或合金等设置二次粒子及三次粒子的粗化处理。
粗化处理层可通过电镀而形成。其条件无特别限定，典型的条件如下所述。又，电镀亦可分为两阶段进行。
镀覆液组成：10～20g/L的Cu、50～100g/L的硫酸
镀覆液温度：25～50℃
电镀条件：电流密度1～60A/dm2、时间1～10秒。
第二表面处理层4优选含有Ni、Zn、Co、Cr等元素作为附着元素。
由于Ni为不易溶解于蚀刻液的成分，故而通过将第二表面处理层4的Ni附着量控制为200μg/dm2以下，而使第二表面处理层4变得易溶解于蚀刻液。其结果为，变得能够提高电路图案的蚀刻因子。就稳定地提高此蚀刻因子的观点而言，将第二表面处理层4的Ni附着量控制为优选180μg/dm2以下、更优选100μg/dm2以下。另一方面，就确保由第二表面处理层4所产生的特定的效果(例如耐热性等)的观点而言，将第二表面处理层4的Ni附着量控制为20μg/dm2以上。
Zn由于易溶解于蚀刻液，故而可相对较多地附着。因此，通过将第二表面处理层4的Zn附着量控制为1000μg/dm2以下，而使第二表面处理层4变得易溶解。其结果为，变得能够提高电路图案的蚀刻因子。就稳定地提高此蚀刻因子的观点而言，将第二表面处理层4的Zn附着量控制为优选700μg/dm2以下、更优选600μg/dm2以下。另一方面，就确保由第二表面处理层4所产生的特定的效果(例如耐热性、耐化学性等)的观点而言，将第二表面处理层4的Zn附着量控制为20μg/dm2以上，优选控制为100μg/dm2以上，更优选控制为300μg/dm2以上。
第二表面处理层4的Co附着量取决于第二表面处理层4的种类，因此无特别限定，优选为1500μg/dm2以下，更优选为500μg/dm2以下，进而优选为100μg/dm2以下，尤其优选为30μg/dm2以下。通过将第二表面处理层4的Co附着量设为上述范围内，可稳定地提高电路图案的蚀刻因子。再者，Co附着量的下限无特别限定，典型的下限为0.1μg/dm2，优选为0.5μg/dm2。
又，由于Co为磁性金属，故而通过将第二表面处理层4的Co附着量尤其抑制为100μg/dm2以下、优选为0.5～100μg/dm2，可获得能够制造高频特性优异的印刷配线板的表面处理铜箔1。
第二表面处理层4的Cr附着量取决于第二表面处理层4的种类，因此并无特别限定，优选为500μg/dm2以下，更优选为0.5～300μg/dm2，进而优选为1～100μg/dm2。通过将第二表面处理层4的Cr附着量设为上述范围内，可获得防锈效果，并且可稳定地提高电路图案的蚀刻因子。
第二表面处理层4的Ni附着量相对于第一表面处理层3的Ni附着量的比率优选为0.01～2.5，更优选为0.6～2.2。由于Ni为不易溶解于蚀刻液的成分，故而通过将Ni附着量的比率设为上述范围，可于对覆铜积层板20进行蚀刻时，促进成为电路图案的底部侧的第二表面处理层4的溶解，并且可抑制成为电路图案的顶部侧的第一表面处理层3的溶解。因此，变得能够获得顶部宽度与底部宽度的差较小且蚀刻因子较高的电路图案。
第二表面处理层4的Sa无特别限定，优选为0.05～0.40μm，更优选为0.10～0.30μm。通过将第二表面处理层4的Sa设为上述范围内，可提高与绝缘基材11的接着性。
此处，本说明书中所谓“Sa”是指依据ISO-25178-2：2012所测得的表面粗糙度Sa。
(实施方案3)
本发明的实施方案3的印刷配线板具备对实施方案1或2的覆铜积层板的表面处理铜箔1进行蚀刻而形成的电路图案。
作为此印刷配线板的制造方法，无特别限定，可使用减成法、半加成法等公知方法，优选使用减成法。
图3为用于说明本发明的实施方案3的印刷配线板的制造方法的截面图。
图3中，首先，通过于覆铜积层板10的表面处理铜箔1的表面涂布抗蚀剂并进行曝光及显影，而形成特定的抗蚀剂图案30(步骤(a))。其次，通过蚀刻而去除未形成抗蚀剂图案30的部分(无用部)的表面处理铜箔1(步骤(b))。最后，去除表面处理铜箔1上的抗蚀剂图案30(步骤(c))。
再者，此减成法中的各种条件无特别限定，可依据本技术领域中公知的条件而进行。
[实施例]
以下，通过实施例对本发明的实施方案进而具体地进行说明，但本发明并不受这些实施例任何限定。
(实施例1)
准备厚度12μm的压延铜箔(JX金属公司制造的HA-V2箔)，于一面依序形成粗化处理层、耐热层及铬酸盐处理层作为第二表面处理层，并且于另一面依序形成耐热层及铬酸盐处理层作为第一表面处理层，由此获得表面处理铜箔。用于形成各层的条件如下所述。
＜第一表面处理层的耐热层＞
通过电镀形成耐热层。
镀覆液组成：23.5g/L的Ni、4.5g/L的Zn
镀覆液pH：3.6
镀覆液温度：40℃
电镀条件：电流密度2.8/dm2、时间0.7秒。
＜第一表面处理层的铬酸盐处理层＞
通过浸渍铬酸盐处理形成铬酸盐处理层。
铬酸盐液组成：3.0g/L的K2Cr2O7、0.33g/L的Zn
铬酸盐液pH：3.6
铬酸盐液温度：50℃。
＜第二表面处理层的粗化处理层＞
通过电镀形成粗化处理层。电镀分为2阶段进行。
(第1阶段的条件)
镀覆液组成：11g/L的Cu、50g/L的硫酸
镀覆液温度：25℃
电镀条件：电流密度42.7A/dm2、时间1.4秒；
(第2阶段的条件)
镀覆液组成：20g/L的Cu、100g/L的硫酸
镀覆液温度：50℃
电镀条件：电流密度3.8A/dm2、时间2.8秒。
＜第二表面处理层的耐热层＞
通过电镀形成耐热层。
镀覆液组成：23.5g/L的Ni、4.5g/L的Zn
镀覆液pH：3.6
镀覆液温度：40℃
电镀条件：电流密度1.6A/dm2、时间0.7秒。
＜第二表面处理层的铬酸盐处理层＞
通过电镀形成铬酸盐处理层。
镀覆液组成：3.0g/L的K2Cr2O7、0.33g/L的Zn
镀覆液pH：3.6
镀覆液温度：50℃
电镀条件：电流密度2.1A/dm2、时间1.4秒。
(实施例2)
将第二表面处理层的耐热层的形成条件如下所述进行变更，除此以外，以与实施例1相同的方式获得表面处理铜箔。
通过电镀形成耐热层。
镀覆液组成：23.5g/L的Ni、4.5g/L的Zn
镀覆液pH：3.6
镀覆液温度：40℃
电镀条件：电流密度2.6A/dm2、时间0.7秒。
(实施例3)
将第二表面处理层的耐热层的形成条件如下所述进行变更，除此以外，以与实施例1相同的方式获得表面处理铜箔。
通过电镀形成耐热层。
镀覆液组成：23.5g/L的Ni、4.5g/L的Zn
镀覆液pH：3.6
镀覆液温度：40℃
电镀条件：电流密度4.2A/dm2、时间0.7秒。
(实施例4)
将第一表面处理层及第二表面处理层的耐热层的形成条件如下所述进行变更，除此以外，以与实施例1相同的方式获得表面处理铜箔。
＜第一表面处理层的耐热层＞
通过电镀形成耐热层。
镀覆液组成：23.5g/L的Ni、4.5g/L的Zn
镀覆液pH：3.6
镀覆液温度：40℃
电镀条件：电流密度2.2A/dm2、时间0.7秒。
＜第二表面处理层的耐热层＞
通过电镀形成耐热层。
镀覆液组成：23.5g/L的Ni、4.5g/L的Zn
镀覆液pH：3.6
镀覆液温度：40℃
电镀条件：电流密度2.1A/dm2、时间0.7秒。
(实施例5)
将第一表面处理层及第二表面处理层的耐热层的形成条件如下所述进行变更，除此以外，以与实施例1相同的方式获得表面处理铜箔。
＜第一表面处理层的耐热层＞
通过电镀形成耐热层。
镀覆液组成：23.5g/L的Ni、4.5g/L的Zn
镀覆液pH：3.6
镀覆液温度：40℃
电镀条件：电流密度3.3A/dm2、时间0.7秒。
＜第二表面处理层的耐热层＞
通过电镀形成耐热层。
镀覆液组成：23.5g/L的Ni、4.5g/L的Zn
镀覆液pH：3.6
镀覆液温度：40℃
电镀条件：电流密度2.1A/dm2、时间0.7秒。
(实施例6)
将第一表面处理层及第二表面处理层的耐热层的形成条件如下所述进行变更，除此以外，以与实施例1相同的方式获得表面处理铜箔。
＜第一表面处理层的耐热层＞
通过电镀形成耐热层。
镀覆液组成：23.5g/L的Ni、4.5g/L的Zn
镀覆液pH：3.6
镀覆液温度：40℃
电镀条件：电流密度3.8A/dm2、时间0.7秒。
＜第二表面处理层的耐热层＞
通过电镀形成耐热层。
镀覆液组成：23.5g/L的Ni、4.5g/L的Zn
镀覆液pH：3.6
镀覆液温度：40℃
电镀条件：电流密度2.1A/dm2、时间0.7秒。
(比较例1)
将第一表面处理层及第二表面处理层的耐热层的形成条件如下所述进行变更，除此以外，以与实施例1相同的方式获得表面处理铜箔。
＜第一表面处理层的耐热层＞
通过电镀形成耐热层。
镀覆液组成：23.5g/L的Ni、4.5g/L的Zn
镀覆液pH：3.6
镀覆液温度：40℃
电镀条件：电流密度1.7A/dm2、时间0.7秒。
＜第二表面处理层的耐热层＞
通过电镀形成耐热层。
镀覆液组成：23.5g/L的Ni、4.5g/L的Zn
镀覆液pH：3.6
镀覆液温度：40℃
电镀条件：电流密度2.1A/dm2、时间0.7秒。
对于上述实施例及比较例中所获得的表面处理铜箔，进行下述评价。
<第一表面处理层及第二表面处理层中的各元素的附着量的测定>
Ni、Zn及Co的附着量是通过将各表面处理层溶解于浓度20质量％的硝酸，使用VARIAN公司制造的原子吸光分光光度计(型式：AA240FS)，利用原子吸光法进行定量分析而测定。又，Cr的附着量是通过将各表面处理层溶解于浓度7质量％的盐酸，与上述同样地利用原子吸光法进行定量分析而测定。
＜表面处理铜箔的第一表面处理层的L*的测定＞
使用HunterLab公司制造的MiniScan(注册商标)EZ Model 4000L作为测定器，依据JIS Z8730：2009进行CIE L*a*b*表色系统的L*的测定。具体而言，将上述实施例及比较例中所获得的表面处理铜箔的第一表面处理层压抵于测定器的感光部，不让光自外部进入并且测定L*。又，L*的测定是基于JIS Z8722的几何条件C而进行。再者，测定器的主要的条件如下所述。
光学系统：d/8°、积分球尺寸：63.5mm、观察光源：D65
测定方式：反射
照明直径：25.4mm
测定直径：20.0mm
测定波长、间隔：400～700nm、10nm
光源：脉冲氙气灯、1发光/测定。
追踪能力标准：依据基于CIE 44及ASTM E259的美国标准技术研究所(NIST)进行校正
标准观察者：10°。
又，作为测定基准的白色磁砖是使用下述的物体色的。
于以D65/10°测定的情形时，CIE XYZ表色系统中的值为X：81.90、Y：87.02、Z：93.76(若将数值转换为CIE L*a*b*表色系统，则其相当于L*：94.8、a*：-1.6、b*：0.7)。
＜表面处理铜箔的第二表面处理层的Sa的测定＞
对于表面处理铜箔的第二表面处理层，依据ISO-25178-2：2012，使用Olympus公司制造的激光显微镜(LEXT OLS 4000)测定表面粗糙度Sa。又，利用激光显微镜测定表面粗糙度Sa时的环境温度设为23～25℃。又，激光显微镜中的主要的设定条件如下所述，且测定次数为1次。
物镜：MPLAPON50LEXT(倍率：50倍，数值孔径：0.95，液浸类型：空气，机械性镜筒长：∞，覆盖玻璃厚：0，视野数：FN18)
光学变焦倍率：1倍
扫描模式：XYZ高精度(高度解析度：10nm)
扫描图像尺寸[像素数]：横257μm×纵258μm[1024×1024]
(由于在横向测定，故评价长度相当于257μm)
DIC：关闭
多层：关闭
激光强度：100
偏移：0
共焦水准：0
光束径光圈：关闭
图像平均：1次
杂讯降低：开启
亮度不均修正：开启
光学噪音滤波器：开启
截止值：无(λc、λs、λf均无)
滤波器：高斯滤波器
杂讯去除：测定预处理
倾斜修正：实施。
＜焊料耐热性的评价＞
通过于表面处理铜箔的第二表面处理层上积层聚酰亚胺基板(宇部兴产株式会社制造的UPILEX(注册商标))，于300℃加热1小时并进行压接，从而制作覆铜积层板。
其次，将覆铜积层板配置于恒温槽内，于200℃预先加热30分钟后，使其漂浮于收容有含有96.5质量％的Sn、3质量％的Ag、及0.5质量％的Cu的焊料的焊料槽中而进行试验。此试验中，于330℃使表面处理铜箔与焊料接触3分钟。此评价中，将观察到直径3mm以上的大小的缺陷(表面处理铜箔熔解而露出聚酰亚胺基板的部分)者表示为×，将未观察到此缺陷者表示为○。
＜蚀刻因子(EF)的评价＞
通过于表面处理铜箔的第二表面处理层上积层聚酰亚胺基板，于300℃加热1小时并进行压接，而制作覆铜积层板。其次，通过于表面处理铜箔的第一表面处理层上涂布感光性抗蚀剂并进行曝光及显影，而形成L/S＝29μm/21μm宽度的抗蚀剂图案。其后，通过蚀刻而去除表面处理铜箔的露出部(无用部)，由此获得具有L/S＝25μm/25μm宽度的铜的电路图案的印刷配线板。再者，上述电路图案的L及S的宽度是电路的底部面、即与聚酰亚胺基板接触的面的宽度。蚀刻是使用喷雾蚀刻于下述条件下进行。
蚀刻液：氯化铜蚀刻液(氯化铜(II)二水合物400g/L，以35％盐酸计200ml/L)
液温：45℃
喷雾压力：0.18MPa。
其次，利用SEM观察所形成的电路图案，根据下述的式求出蚀刻因子(EF)。
EF＝电路高度/{(电路底部宽度－电路顶部宽度)/2}
蚀刻因子的数值越大则意味着电路侧面的倾斜角越大。
将上述评价结果示于表1。
EF的值是各实施例及比较例每一者进行5次试验的结果的平均值。
将上述评价结果示于表1及2。
[表1]
Figure BDA0002739893230000161
[表2]
Figure BDA0002739893230000171
如表1及2所示，第一表面处理层的L*为44.0～84.0的实施例1～6的焊料耐热性良好，与此相对，第一表面处理层的L*为此范围外的比较例1的焊料耐热性不充分。又，实施例1～6的蚀刻因子亦较高。
由以上的结果可知，根据本发明的实施方案，可提供一种能够形成焊料耐热性优异的电路图案的表面处理铜箔及覆铜积层板。又，根据本发明的实施方案，可提供一种具有焊料耐热性优异的电路图案的印刷配线板。
本发明的实施方案亦可采用以下的态样。
＜1＞
一种表面处理铜箔，其具有铜箔与形成于所述铜箔的一面的第一表面处理层，且
所述第一表面处理层的CIE L*a*b*表色系统的L*为44.0～84.0。
＜2＞
如上述＜1＞所记载的表面处理铜箔，其中，所述第一表面处理层的所述L*为74.0～84.0。
＜3＞
如上述＜1＞或＜2＞所记载的表面处理铜箔，其中，所述第一表面处理层的Zn附着量为200～600μg/dm2。
＜4＞
如上述＜1＞至＜3＞中任一项所记载的表面处理铜箔，其中，所述第一表面处理层的Cr附着量为10μg/dm2以上。
＜5＞
如上述＜1＞至＜4＞中任一项所记载的表面处理铜箔，其中，所述第一表面处理层的Ni附着量为30～200μg/dm2。
＜6＞
如上述＜1＞至＜5＞中任一项所记载的表面处理铜箔，其进而具有形成于铜箔的另一面的第二表面处理层。
＜7＞
如上述＜6＞所记载的表面处理铜箔，其中，所述第二表面处理层的Ni附着量为20～200μg/dm2。
＜8＞
如上述＜6＞或＜7＞所记载的表面处理铜箔，其中，所述第二表面处理层的Zn附着量为20～1000μg/dm2。
＜9＞
如上述＜6＞至＜8＞中任一项所记载的表面处理铜箔，其中，所述第二表面处理层的表面粗糙度Sa为0.05～0.40μm。
＜10＞
一种覆铜积层板，其具备上述＜1＞至＜9＞中任一项所记载的表面处理铜箔、及接着于所述表面处理铜箔的与上述第一表面处理层为相反侧的面的绝缘基材。
＜11＞
如上述＜10＞所记载的覆铜积层板，其中，所述绝缘基材接着于第二表面处理层。
＜12＞
一种印刷配线板，其具备对上述＜10＞或＜11＞所记载的覆铜积层板的所述表面处理铜箔进行蚀刻而形成的电路图案。
符号说明
1：表面处理铜箔
2：铜箔
3：第一表面处理层
4：第二表面处理层
10、20：覆铜积层板
11：绝缘基材
30：抗蚀剂图案。

Claims (6)

1.一种表面处理铜箔，其具有铜箔与形成于所述铜箔的一面的第一表面处理层，且
所述第一表面处理层的Zn附着量为200~600 μg/dm2，
Cr附着量为10 μg/dm2以上，
且Ni附着量为30~200 μg/dm2，
且于所述铜箔的另一面形成有第二表面处理层，所述第二表面处理层被接着于绝缘基材，
所述第一表面处理层的CIE L*a*b*表色系统的L*为44.0~84.0，
且所述第二表面处理层的表面粗糙度Sa为0.05~0.40 μm。
2.根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其中，所述第一表面处理层的所述L*为74.0~84.0。
3. 根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其中，所述第二表面处理层的Ni附着量为20~200 μg/dm2。
4. 根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其中，所述第二表面处理层的Zn附着量为20~1000 μg/dm2。
5.一种覆铜积层板，其具备权利要求1所述的表面处理铜箔、及接着于所述表面处理铜箔的所述第二表面处理层的绝缘基材。
6.一种印刷配线板，其具备对权利要求5所述的覆铜积层板的所述表面处理铜箔进行蚀刻而形成的电路图案。
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