CN107013820B - 照明装置 - Google Patents

照明装置 Download PDF

Info

Publication number
CN107013820B
CN107013820B CN201611150040.XA CN201611150040A CN107013820B CN 107013820 B CN107013820 B CN 107013820B CN 201611150040 A CN201611150040 A CN 201611150040A CN 107013820 B CN107013820 B CN 107013820B
Authority
CN
China
Prior art keywords
heat sink
lighting device
light source
substrate
top surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201611150040.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN107013820A (zh
Inventor
张哲镐
姜宝姬
金基显
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd
Original Assignee
LG Innotek Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020110088970A external-priority patent/KR101293928B1/ko
Application filed by LG Innotek Co Ltd filed Critical LG Innotek Co Ltd
Publication of CN107013820A publication Critical patent/CN107013820A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107013820B publication Critical patent/CN107013820B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S10/00—Lighting devices or systems producing a varying lighting effect
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20—Light sources comprising attachment means
    • F21K9/23—Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V29/00—Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
    • F21V29/50—Cooling arrangements
    • F21V29/502—Cooling arrangements characterised by the adaptation for cooling of specific components
    • F21V29/503—Cooling arrangements characterised by the adaptation for cooling of specific components of light sources
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20—Light sources comprising attachment means
    • F21K9/23—Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings
    • F21K9/232—Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings specially adapted for generating an essentially omnidirectional light distribution, e.g. with a glass bulb
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20—Light sources comprising attachment means
    • F21K9/23—Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings
    • F21K9/238—Arrangement or mounting of circuit elements integrated in the light source
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S13/00—Non-electric lighting devices or systems employing a point-like light source; Non-electric lighting devices or systems employing a light source of unspecified shape
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S13/00—Non-electric lighting devices or systems employing a point-like light source; Non-electric lighting devices or systems employing a light source of unspecified shape
    • F21S13/02—Devices intended to be fixed, e.g. ceiling lamp, wall lamp
    • F21S13/08—Devices intended to be fixed, e.g. ceiling lamp, wall lamp with suspension from a stretched wire
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S13/00—Non-electric lighting devices or systems employing a point-like light source; Non-electric lighting devices or systems employing a light source of unspecified shape
    • F21S13/12—Devices intended to be free-standing, e.g. table lamp, floor lamp
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V23/00—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices
    • F21V23/003—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices the elements being electronics drivers or controllers for operating the light source, e.g. for a LED array
    • F21V23/004—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices the elements being electronics drivers or controllers for operating the light source, e.g. for a LED array arranged on a substrate, e.g. a printed circuit board
    • F21V23/006—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices the elements being electronics drivers or controllers for operating the light source, e.g. for a LED array arranged on a substrate, e.g. a printed circuit board the substrate being distinct from the light source holder
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V29/00—Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
    • F21V29/50—Cooling arrangements
    • F21V29/502—Cooling arrangements characterised by the adaptation for cooling of specific components
    • F21V29/508—Cooling arrangements characterised by the adaptation for cooling of specific components of electrical circuits
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V29/00—Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
    • F21V29/50—Cooling arrangements
    • F21V29/70—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V29/00—Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
    • F21V29/50—Cooling arrangements
    • F21V29/70—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks
    • F21V29/74—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks with fins or blades
    • F21V29/77—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks with fins or blades with essentially identical diverging planar fins or blades, e.g. with fan-like or star-like cross-section
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V29/00—Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
    • F21V29/50—Cooling arrangements
    • F21V29/70—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks
    • F21V29/74—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks with fins or blades
    • F21V29/77—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks with fins or blades with essentially identical diverging planar fins or blades, e.g. with fan-like or star-like cross-section
    • F21V29/777—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks with fins or blades with essentially identical diverging planar fins or blades, e.g. with fan-like or star-like cross-section the planes containing the fins or blades having directions perpendicular to the light emitting axis
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V29/00—Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
    • F21V29/85—Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems characterised by the material
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V29/00—Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
    • F21V29/85—Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems characterised by the material
    • F21V29/89—Metals
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V3/00—Globes; Bowls; Cover glasses
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V3/00—Globes; Bowls; Cover glasses
    • F21V3/04—Globes; Bowls; Cover glasses characterised by materials, surface treatments or coatings
    • F21V3/06—Globes; Bowls; Cover glasses characterised by materials, surface treatments or coatings characterised by the material
    • F21V3/062—Globes; Bowls; Cover glasses characterised by materials, surface treatments or coatings characterised by the material the material being plastics
    • F21V3/0625—Globes; Bowls; Cover glasses characterised by materials, surface treatments or coatings characterised by the material the material being plastics the material diffusing light, e.g. translucent plastics
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V3/00—Globes; Bowls; Cover glasses
    • F21V3/04—Globes; Bowls; Cover glasses characterised by materials, surface treatments or coatings
    • F21V3/10—Globes; Bowls; Cover glasses characterised by materials, surface treatments or coatings characterised by coatings
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V7/00—Reflectors for light sources
    • F21V7/22—Reflectors for light sources characterised by materials, surface treatments or coatings, e.g. dichroic reflectors
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2101/00—Point-like light sources
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2107/00—Light sources with three-dimensionally disposed light-generating elements
    • F21Y2107/30—Light sources with three-dimensionally disposed light-generating elements on the outer surface of cylindrical surfaces, e.g. rod-shaped supports having a circular or a polygonal cross section
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2107/00—Light sources with three-dimensionally disposed light-generating elements
    • F21Y2107/40—Light sources with three-dimensionally disposed light-generating elements on the sides of polyhedrons, e.g. cubes or pyramids
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
  • Arrangement Of Elements, Cooling, Sealing, Or The Like Of Lighting Devices (AREA)
  • Securing Globes, Refractors, Reflectors Or The Like (AREA)
  • Fastening Of Light Sources Or Lamp Holders (AREA)

Abstract

提供一种照明装置，其中，多个光源(200)的每个包括基底(210)以及布置在所述基底(210)上的发光器件(220)，并且其中，构件(350)的侧面与散热器(300)的顶面(310)的未被构件(350)覆盖的部分之间的角度等于或大于90°。

Description

照明装置
本申请是申请日为2012年8月31日，申请号为201280042711.4，发明名称为“照明装置”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本实施例涉及一种照明装置。
背景技术
发光二极管(LED)是用于将电能转换成光的半导体元件。与诸如荧光灯和白炽电灯等的现有光源相比，LED具有功耗低、半永久性寿命、响应速度快、安全和环境友好的优点。出于这个原因，许多研究都致力于用LED替代现有光源。LED现在越来越多地用作照明装置的光源，例如，用于室内和室外的各种灯、液晶显示器件、电子标识以及路灯等。
发明内容
技术问题
本发明的目的是提供一种能够提供后向光(rear light)分布的照明装置。
本发明的目的是提供一种能够符合ANSI规范的照明装置。
本发明的目的是提供一种能够符合能源之星(Energy Star)规范的照明装置。
本发明的目的是提供一种照明装置，通过在散热器上布置一构件(该构件的侧面以预定角度倾斜)，通过将光源布置在所述构件的侧面上，并且通过将透镜布置在所述光源的发光器件的上方，从而能够符合美国后向光分布规定(能源之星规范)和ANSI规范，并且显著地改善后向光分布特性并去除暗部。
本发明的目的是提供一种能够获得后向光分布设计技术的照明装置。
解决问题的方案
一个实施例是一种照明装置。所述照明装置包括：散热器，包括顶面和构件，所述构件具有侧面且布置在所述顶面上；光源，包括布置在所述构件的侧面上的基底、以及布置在所述基底上的多个发光器件，并且具有基准点；以及灯罩(cover)，联接至所述散热器，并且包括上部和下部，由穿过所述基准点且平行于所述散热器的所述顶面的假想平面划分出所述上部和下部。从所述光源的所述基准点到所述灯罩的所述上部的距离大于从所述光源的所述基准点到所述灯罩的所述下部的距离。
从所述光源的所述基准点到所述灯罩的所述上部的距离大于从所述光源的所述基准点到所述散热器的所述顶面的距离。
从所述光源的所述基准点到所述灯罩的所述下部的距离小于从所述光源的所述基准点到所述散热器的所述顶面的距离。
所述光源的所述基准点是所述多个发光器件之间的中心点或所述基底的中心点。
所述构件是具有多个侧面的多边柱形。
所述多边柱形是六边柱形。
所述光源布置在所述六边柱形的六个侧面中的三个侧面上。
所述多边柱形的侧面基本垂直于所述散热器的所述顶面。
所述构件的侧面与穿过所述光源的所述基准点且接触所述散热器的侧面的切线之间的角度大于且不等于0°并且等于或小于45°。
所述散热器包括从所述散热器的侧面延伸的散热片。所述构件的侧面与穿过所述光源的所述基准点且接触所述散热片的切线之间的角度大于且不等于0°并且等于或小于45°。
所述散热器包括由所述散热器沿包括所述基底的一个侧面的假想平面形成的横截面。所述假想平面的竖直轴线与穿过所述光源的所述基准点并接触所述横截面的直线之间的角度大于且不等于0°并且等于或小于45°。
所述散热器包括容纳部。所述散热器包括：布置在所述容纳部中的内壳，以及布置在所述内壳中并容纳在所述容纳部中的电路。
所述散热器的所述顶面与所述构件的侧面之间的角度为钝角。
所述构件的侧面与垂直于所述散热器的所述顶面的假想轴线之间的角度为锐角。
所述构件是多边柱形或锥体，其底面的面积大于顶面的面积。
所述光源包括：透镜，布置在所述发光器件上，并且所述透镜的光束角大于150°；以及透镜单元，与所述透镜一体形成并包括布置在所述基底上的底板。
所述透镜单元还包括布置在所述底板上的反射层。
所述透镜是非球面透镜或主透镜(primary lens)。
另一实施例是一种照明装置。所述照明装置包括：散热器，包括顶面和构件，所述构件具有侧面且布置在所述顶面上；光源，包括布置在所述构件的侧面上的基底、以及布置在所述基底上的多个发光器件，并且具有中心点；以及灯罩，联接至所述散热器。所述构件的侧面与穿过所述中心点且接触所述散热器的侧面的切线之间的角度大于且不等于0°并且等于或小于45°。
又一实施例是一种照明装置。所述照明装置包括：散热器，包括顶面和构件，所述构件具有侧面且布置在所述顶面上；光源，包括布置在所述构件的侧面上的基底、布置在所述基底上的多个发光器件、以及布置在所述发光器件上的透镜单元；以及灯罩，联接至所述散热器。所述透镜单元包括光束角大于150°的透镜、以及与所述透镜一体形成且布置在所述基底上的底板。
发明的有益效果
根据本发明的照明装置能够提供后向光分布。
根据本发明的照明装置能够符合ANSI规范。
根据本发明的照明装置能够符合能源之星规范。
根据本发明的照明装置通过在散热器上布置一构件(该构件的侧面以预定角度倾斜)，通过将光源布置在所述构件的侧面上，并且通过将透镜布置在所述光源的发光器件之上，从而能够符合美国后向光分布规定(能源之星规范)和ANSI规范，并且显著地改善后向光分布特性并去除暗部。
根据本发明的照明装置能够获得后向光分布设计技术。
附图说明
可以参照下列附图详细描述实施例，附图中类似的附图标记表示类似的元件，附图中：
图1是根据第一实施例的照明装置的立体图；
图2是图1中所示的照明装置的分解立体图；
图3是图1中所示的照明装置的正视图；
图4是图1中所示的照明装置的俯视图；
图5是用于说明能源之星规范中的全方位灯的照明强度分布要求的图；
图6是图1中所示的照明装置的正视图；
图7是图1中所示的照明装置的俯视图；
图8是图1中所示的照明装置的立体图；
图9是示出通过沿假想平面切割图8中所示的照明装置形成的横截面的立体图；
图10是图9中所示的照明装置的正视图；
图11是图10中所示的照明装置的侧视图；
图12是示出图1和图2中所示的照明装置的照明强度分布的曲线图；
图13是根据第二实施例的照明装置的分解立体图；
图14是图13中所示的照明装置的正视图；
图15是图13中所示的照明装置的俯视图；
图16是图2和图13中所示的光源的立体图；
图17是图16中所示的光源的侧视图；
图18是示出图17中所示透镜的测量值的示例的图；
图19是图13中所示的照明装置的正视图；
图20是图13中所示的照明装置的俯视图；
图21是示出根据第二实施例的照明装置的照明强度分布的模拟结果的曲线图；
图22是示出常规的照明装置的色坐标的图；以及
图23是示出根据第二实施例的照明装置的色坐标的图。
具体实施方式
为了描述方便和清楚的目的，放大、省略或示意性地示出每层的厚度或尺寸。每个部件的尺寸并不一定表示其实际尺寸。
在本发明的实施例的描述中，当提到元件形成在另一元件“上”或“下”时，意味着该表述包括两个元件形成为彼此直接接触或形成为使得至少一个单独的元件介入于这两个元件之间的情况。“上”和“下”将被描述为包括基于一个元件向上和向下的方向。
下面将参照附图描述根据实施例的照明装置。
第一实施例
图1是根据第一实施例的照明装置的立体图。图2是图1中所示的照明装置的分解立体图。
参照图1和图2，根据第一实施例的照明装置可以包括灯罩100、光源200、散热器300、电路400、内壳500和插口(socket)600。下面将详细描述各部件。
灯罩100具有带有空的内部的灯泡形状。灯罩100具有开口110。开口110可以形成在灯罩100的下部。构件350和光源200插入开口110。
灯罩100包括对应于其下部的上部、以及下部和上部之间的中心部。下部的开口110的直径可以等于或小于散热器300的顶面310的直径。中心部的直径可以大于散热器300的顶面310的直径。
灯罩100联接至散热器300并包围光源200和构件350。通过灯罩100和散热器300的联接，将光源200和构件350与外部隔离。灯罩100可以通过使用粘合剂或例如旋转联接、钩联接等的各种方法联接至散热器300。在旋转联接方法中，灯罩100的螺纹联接至散热器300的螺纹槽。即，灯罩100和散热器300通过灯罩100的旋转来彼此联接。在钩联接的方法中，灯罩100和散热器300通过将灯罩100的突起插入并固定在散热器300的槽中来彼此联接。
灯罩100光学联接至光源200。具体而言，灯罩100可以扩散、散射或激发从光源200的发光器件230发出的光。这里，灯罩100的内/外表面或内部可以包括荧光材料，以激发从光源200发出的光。
灯罩100的内表面可以涂有乳白色颜料。这里，乳白色颜料可以包括扩散光的扩散剂。灯罩100的内表面的粗糙度可以大于灯罩100的外表面的粗糙度。这是为了充分散射和扩散从光源200发出的光。
灯罩100可以由玻璃、塑料、聚丙烯(PP)、聚乙烯(PE)、聚碳酸酯(PC)等形成。这里，聚碳酸酯(PC)具有优良的耐光性、耐热性和刚性。
灯罩100可以由使得光源200和构件350从外部可见的透明材料形成，或者可以由使得光源200和构件350从外部不可见的非透明材料形成。灯罩100可以包括反射材料，将至少一部分从光源200发出的光反射向散热器300。
灯罩100可以通过吹塑工艺形成。
在散热器300的构件350上可以布置多个光源200。具体而言，光源200可以布置在构件350的多个侧面中的至少一个上。光源200可以布置在构件350的侧面的上部。
在图2中，光源200布置在构件350的六个侧面中的三个上。但是不限于此。光源200可以布置在构件350的所有侧面上。
光源200可以包括基底210和发光器件230。发光器件230布置在基底210的一侧上。
基底210可以具有四边形板的形状。然而，基底210可以具有各种形状而不限于此。例如，基底210可以具有圆板形状或多边形板形状。基底210可以通过在绝缘体上印制电路图案而形成。例如，基底210可以包括通用的印刷电路板(PCB)、金属芯PCB、柔性PCB、陶瓷PCB等。此外，基底210可以包括允许未封装的LED芯片直接结合到印刷电路板的板上芯片(COB)。基底210可以由能够有效地反射光的材料形成。基底210的表面可以具有诸如白色、银色等能够有效反射光的颜色。基底210的表面可以由能够有效地反射光的材料形成。基底210的表面可以涂有能够有效地反射光的颜色，例如，白色、银色等。例如，基底210的表面对于由基底210的表面反射的光可以具有大于78％的反射率。
基底210的表面可以涂有能够有效地反射光的材料。基底210的表面可以涂有能够有效地反射光的颜色，例如，白色、银色等。
基底210电连接到容纳在散热器300中的电路400。基底210可以借由导线连接到电路400。导线穿过散热器300并连接基底210与电路400。
发光器件230可以是发出红色、绿色和蓝色光的发光二极管芯片或发出UV的发光二极管芯片。这里，发光二极管芯片可以具有横向型或者竖直型，并且可以发出蓝色、红色、黄色或绿色光。
发光器件230可以具有荧光材料。荧光材料可以包括选自由以下构成的群组中的至少任何一个：石榴石材料(YAG，TAG)、硅酸盐材料、氮化物材料和氧氮化物材料。或者，荧光材料可以包括选自由以下构成的群组中的至少任何一个：黄色荧光材料、绿色荧光材料和红色荧光材料。
在根据第一实施例的照明装置中，发光器件230的尺寸为1.3×1.3×0.1(mm)。蓝色LED芯片和具有黄色荧光材料的LED芯片。
散热器300联接至灯罩100并散发来自光源200的热量。
散热器300具有预定体积，并且可以包括顶面310、侧面330、底面(未示出)和构件350。
构件350布置在顶面310上。顶面310可以联接至灯罩100。顶面310可以具有对应于灯罩100的开口110的形状。
在侧面330上可以布置多个散热片370。散热片370可以从散热器300的侧面330向外延伸，或者可以连接至散热器300的侧面330。散热片370可以通过增加散热器300的散热面积来提高散热效率。这里，散热片370可以不布置在侧面330上。
散热片370的至少一部分可以具有带有预定倾斜度的侧面。这里，以平行于顶面310的假想线为基础，倾斜度可以是从45°到90°。另一方面，侧面330本身可以具有预定倾斜度而无散热片370。即，无散热片370的侧面330可以以平行于顶面310的假想线为基础倾斜从45°到90°的角度。
底面(未示出)可以具有容纳电路400和内壳500的容纳部(未示出)。
构件350布置在散热器300的顶面310上。构件350可以与顶面310一体形成或者可以联接至顶面310。
构件350可以具有多边形柱状。具体而言，构件350可以为六边形柱状。六边形柱状的构件350具有顶面、底面和六个侧面。这里，构件350不仅可以具有多边形柱状，还可以具有圆筒形或椭圆形。当构件350具有圆筒形或椭圆形时，光源200的基底210可以是柔性基底。
光源200可以布置在构件350的六个侧面上。光源200可以布置在六个侧面中的所有或一些侧面上。图2示出光源200布置在六个侧面中的三个侧面上。
基底210布置在构件350的侧面上。构件350的侧面可以基本垂直于散热器300的顶面310。因此，基底210可以基本垂直于散热器300的顶面310。
构件350的材料可以具有导热性。这是为了迅速地接收从光源200产生的热量。构件350的材料可以包括例如AI、Ni、Cu、Mg、Ag、Sn等以及包括金属材料的合金。构件350还可以由导热塑料形成。导热塑料比金属材料轻并具有单向导热性。
散热器300可以具有容纳电路400和内壳500的容纳部(未示出)。
电路400接收外部电力，然后根据光源200转换接收到的电力。电路400将转换后的电力提供给光源200。
电路400容纳在散热器300中。具体而言，电路400容纳在内壳500中，然后连同内壳500一起容纳在散热器300的容纳部(未示出)中。
电路400可以包括电路板410和安装在电路板410上的多个零件430。
电路板410可以具有圆板形状。然而，电路板410可以具有各种形状而不限于此。例如，电路板410可以具有椭圆形板的形状或多边形板的形状。电路板410可以通过在绝缘体上印制电路图案来形成。
电路板410电连接到光源200的基底210。电路板410可以通过使用导线而电连接到基底210。即，导线布置在散热器300内，并且可以连接电路板410与基底210。
多个零件430例如可以包括：将由外部电源提供的AC电源转换成DC电源的DC转换器、控制光源200的驱动的驱动芯片、以及用于保护光源200的静电放电(ESD)保护器件。
内壳500在其内部容纳电路400。内壳500可以具有用于容纳电路400的容纳部510。容纳部510可以具有圆筒形状。容纳部510的形状可以根据散热器300的容纳部(未示出)的形状而改变。
内壳500容纳在散热器300中。内壳500的容纳部510被容纳在形成于散热器300的底面(未示出)中的容纳部(未示出)中。
内壳500联接至插口600。内壳500可以包括联接至插口600的连接部530。连接部530可以具有对应于插口600的螺纹槽的螺纹。
内壳500是非导体。因此，内壳500防止电路400和散热器300之间的电短路。内壳500可以由塑料或树脂材料制成。
插口600联接至内壳500。具体而言，插口600联接至内壳500的连接部530。
插口600可以具有和常规白炽灯泡中的结构相同的结构。电路400电连接到插口600。电路400可以通过使用导线电连接到插口600。因此，当外部电力施加到插口600时，外部电力可以被传送到电路400。
插口600可以具有与连接部530的螺纹相对应的螺纹槽。
如图1和图2中所示的照明装置能够符合ANSI规范的要求。将参照图3至图4对此进行描述。
图3是图1中所示的照明装置的正视图。图4是图1中所示的照明装置的俯视图。
ANSI规范指明了用于美国工业产品的规格或标准。ANSI规范还提供了用于如图1和图2中所示照明装置的产品的标准。
参照图3和图4，可以发现，根据第一实施例的照明装置符合ANSI规范。图3至图4中使用单位毫米(mm)。
同时，能源之星规范规定照明装置或照明设备应该具有预定的照明强度分布。
图5示出能源之星规范中的全方位灯的照明强度分布要求。
尤其，参照图5中所示的能源之星规范，能源之星规范包括这样的要求：在照明装置的135°到180°区域中应当发出照明装置的总光通量(lm)的至少5％。
如图1和图2所示的照明装置能够符合图5中所示的能源之星规范，尤其能够符合在照明装置的135°到180°区域中应当发出照明装置的总光通量(lm)的至少5％的要求。将参照图6到图10对此进行描述。
图6是图1中所示的照明装置的正视图。图7是图1中所示的照明装置的俯视图。
灯罩100和光源200可以具有预定的关系。尤其，灯罩100的形状可以根据光源200的位置来确定。在描述灯罩100的形状和光源200的位置时，为方便描述而设定基准点“Ref”。基准点“Ref”可以是多个发光器件230之间的中心点或基底210的中心点。
灯罩100的形状可以通过从基准点“Ref”到散热器300的顶面310的直线“a”和从基准点“Ref”到灯罩(具体为灯罩100的外边缘)的六条直线“b”、“c”、“d”、“e”、“f”和“g”来确定。直线“a”和“g”之间的角度为180°。直线“a”和“d”之间的角度为90°。直线“d”和“g”之间的角度为90°。七条直线中的两条相邻直线之间的角度为30°。
下面的表1示出当直线“a”的长度为1时六条直线的长度比例。
表1
[表1]
Figure BDA0001179577820000101
参照图6和图7以及表1，灯罩100可以在经过光源200的中心点“Ref”的假想平面“A”的基础上被分成上部100a和下部100b。这里，假想平面“A”平行于散热器300的顶面310并垂直于构件350的侧面。
从光源200的中心点“Ref”到灯罩100的上部100a的距离大于从中心点“Ref”到散热器300的顶面310的距离。而且，从光源200的中心点“Ref”到灯罩100的下部100b的距离小于从中心点“Ref”到散热器300的顶面310的距离。此外，从光源200的中心点“Ref”到灯罩100的上部100a的距离大于从中心点“Ref”到灯罩100的下部100b的距离。
因此，根据第一实施例的照明装置能够符合在照明装置的135°到180°区域中应当发出照明装置的总光通量(lm)的至少5％的能源之星要求。
图8是图1中所示的照明装置的立体图。图9是示出通过沿假想平面切割图8中所示的照明装置形成的横截面的立体图。图10是图9中所示的照明装置的正视图。图11是图10中所示的照明装置的侧视图。
图8所示的假想平面“P”包括光源200或基底210的中心点“Ref”。另外，假想平面“P”包括基底210上布置发光器件230的一侧。
假想平面“P”具有轴线1(水平轴线)和轴线2(竖直轴线)。轴线1平行于散热器300的顶面310。轴线2垂直于散热器300的顶面310。
假想平面“P”包括第一切线L1和第二切L2。
参照图9和图10，散热器300具有由图8的假想平面“P”造成的横截面390。
第一切线L1和第二切线L2通过光源200的中心点“Ref”并且接触散热器300的横截面390。
由第一切线L1和轴线2形成的角度“a1”大于且不等于0°并且等于或小于45°。由第二切线L2与轴线2形成的角度“a2”大于且不等于0°并且等于或小于45°。
在图9和图10中，这意味着散热片370布置在第一切线L1和第二切线L2的下方。即，散热片370从散热器300的侧面330延伸到第一切线L1和第二切线L2而不越过第一切线L1和第二切线L2。这意味着散热片370的延伸长度可以被第一切线L1和第二切线L2限制。当散热片370布置在第一切线L1和第二切线L2的下方时，可以改善根据第一实施例的照明装置的后向光分布特性。
这里，如果散热器300不包括散热片370，则意味着散热器300的侧面330布置在第一切线L1和第二切线L2的下方。换言之，散热器300的侧面330的结构被第一切线L1和第二切线L2所限制。
参照图11，第三切线L3穿过光源200的中心点“Ref”并接触散热器300的散热片370。
轴线2和第三切线L3之间的角度“a3”大于且不等于0°并且等于或小于45°。在构件350的侧面和第三切线L3之间的角度大于且不等于0°并且等于或小于45°。
在图11中，这意味着散热片370布置在第三切线L3的下方。即，散热片370从散热器300的侧面330延伸到第三切线L3而不越过第三切线L3。这意味着散热片370的延伸长度可以被第三切线L3限制。当散热片370布置在第三切线L3的下方时，可以改善根据第一实施例的照明装置的后向光分布特性。
这里，如果散热器300不包括散热片370，则意味着散热器300的侧面330布置在第三切线L3的下方。换言之，散热器300的侧面330的结构被第三切线L3所限制。
图12是示出图1和图2中所示的照明装置的照明强度分布的曲线图。
参照图12，可以发现，图1和图2中所示的照明装置符合图5中所示的能源之星规范。
第二实施例
图13是根据第二实施例的照明装置的分解立体图。图14是图13中所示的照明装置的正视图。图15是图13中所示的照明装置的俯视图。这里，图13至图15中所示的根据第二实施例的照明装置的立体图可以与图1中所示的照明装置的相同。
参照图13至图15，根据第二实施例的照明装置可以包括灯罩100、光源200、散热器300'、电路400、内壳500和插口600。这里，因为除了散热器300'之外的部件，即灯罩100、光源200、电路400、内壳500和插口600与图2中所示的根据第一实施例的灯罩100、光源200、电路400、内壳500和插口600相同，所以其详细描述由上述描述替代。
散热器300'联接到灯罩100，并起到将来自光源200的热量向外发散的作用。
散热器300'可以包括顶面310、侧面330、底面(未示出)和构件350'。这里，由于顶面310、侧面330和底面(未示出)与图2中所示的顶面310、侧面330和底面(未示出)相同，所以其详细描述由上述描述替代。
构件350'布置在顶面310上。构件350'可以与顶面310一体形成或者可以联接到顶面310。
构件350'可以是侧面以预定角度倾斜的多边形柱。构件350'还可以是锥形(cone)或多边椎体。
具体而言，构件350'可以为六棱柱形状。六棱柱形状的构件350具有顶面、底面和六个侧面。这里，构件350'的顶面的面积可以小于构件350'的底面的面积。六个侧面中的每个与垂直于顶面310的假想轴线形成锐角。具体而言，侧面与假想轴线之间的角度可以为15°。而且，六个侧面中的每个与顶面310形成钝角。具体而言，侧面和顶面310之间的角度可以为105°。
光源200可以布置在构件350'的侧面上。这里，光源200可以布置在六个侧面中的所有或一些侧面上。此外，可以在构件350'的一侧面上布置至少两个光源200。图中示出光源200布置在六个侧面中的三个侧面的每个侧面上。
根据第二实施例的照明装置具有与根据第一实施例的照明装置相同的效果。而且，在根据第二实施例的照明装置中，构件350'具有以相对于假想轴线的锐角(例如15°)倾斜的六个侧面。此外，光源200布置在构件350'的六个侧面中的三个侧面的每个侧面上。因此，通过光源200的牵引角度(draft angle)，可以显著地去除灯罩100中可能产生的暗部。通过图13所示的根据第二实施例的照明装置可以比图2所示的根据第一实施例的照明装置更有效地去除暗部。
图16是图2和图13中所示的光源的立体图。图17是图16中所示的光源的侧视图。图18是示出图17中所示的透镜的测量值示例的图。
图16至图18中所示的光源200'可以是图2中所示的光源200或者可以是图13中所示的光源200。因此，应指出的是，图2和图13中所示的光源200'不限于图16至图18中所示的光源200。
参照图16至图18，光源200'可以包括基底210和多个发光器件220。基底210布置在图2所示的构件350的侧面上或者图13所示的构件350'的侧面上。多个发光器件220布置在基底210上。在图中，光源200'示为具有一个基底210和四个对称布置的发光器件220。
因为基底210和发光器件220与图2中所示的基底210和发光器件220相同，所以其详细描述由上述描述替代。
光源200'可以布置在基底210上，并且还可以包括布置在发光器件220上的透镜单元230。
透镜单元230可以包括具有预定的光束角(beam angle)的透镜231。透镜231可以是非球面透镜或主透镜(primary lens)。这里，非球面透镜或主透镜的光束角可以大于150°或更优选地大于160°。
透镜231能够通过增加从发光器件220发出的光的取向角来提高根据第一实施例或第二实施例的照明装置的线光源的均匀性。透镜231可以具有选自以下群组的任何一个形状：凹形、凸形以及半球形。透镜231可以由环氧树脂、有机硅树脂、聚氨酯树脂或它们的组合物制成。包括透镜231的光源200'能够改善根据第一实施例和第二实施例的照明装置的后向光分布特性。
更具体而言，透镜单元230可以包括非球面透镜231和底板232。非球面透镜231布置在发光器件220上。底板232与非球面透镜231一体形成并布置在基底210上。这里，非球面透镜231可以具有侧面231a和弯曲面231b。圆筒形侧面231a呈圆筒形，并从底板232竖直地形成。弯曲面231b具有半球形形状，并且布置在侧面231a上。
如图18所示，透镜单元230可以具有优化的测量值。
参照图18，透镜231可以具有圆形形状。透镜231的背面可以是非球面的。透镜231的直径可以为2.8mm。从底板232到透镜231的弯曲面231b的高度可以为1.2mm。从底板232到透镜231的侧面231a的高度可以为0.507mm。侧面231a的上部的直径可以为2.8mm。底板232的厚度可以为0.1mm。这里，侧面231a的上部的直径可以根据侧面231a的高度设计为大于或小于透镜231的直径。
同时，可以在镜头单元230的底板232中布置反射层(未示出)。反射层(未示出)导致进一步提高根据第二实施例的照明装置的光效率。反射层(未示出)可以由选自以下金属材料构成的群组中的至少任何一种，通过沉积、溅射、电镀、印刷等方法以单层或复合层的形式形成，所述金属材料包括：Al、Cu、Pt、Ag、Ti、Cr、Au和Ni。
图13中所示的照明装置也能符合ANSI规范的要求。
图19是图13中所示的照明装置的正视图。图20是图13中所示的照明装置的俯视图。
参照图19和图20，根据第二实施例的照明装置符合ANSI规范。在图19至图20中使用单位毫米(mm)。
为了符合ANSI规范的目的，在根据第二实施例的照明装置中，总高度、灯罩100的高度、灯罩100的直径、散热器300'的顶面310的直径、构件350'的高度以及构件350'的一个侧面的长度之间的比例可以为7.5～7.6：3.3～3.4：4.5～4.6：2.7～2.8：2.2～2.3：1。
参照图19至图20，根据第二实施例的照明装置具有以下测量值。从插口600到灯罩100的高度为112.7mm。灯罩100的高度为48.956mm。灯罩100的直径为67.855mm。散热器300’的顶面310的直径为40.924mm。构件350'的高度为32.6mm。该构件350'的侧面的长度为15mm。因此，可以理解的是，根据第二实施例的照明装置符合由交替长短划线示出的ANSI规范。
同时，可以通过下面的模拟结果看出，根据第二实施例的照明装置符合图5所示的能源之星规范，尤其是在照明装置的135°到180°区域中应当发出照明装置的总光通量(lm)的至少5％的要求。
图21是示出根据第二实施例的照明装置的照明强度分布的模拟结果的曲线图。
在总功率为667.98(lm)，光效是0.89783并且最大照明强度为60.698(cd)的条件下进行了模拟。
如图21的模拟结果所示，根据第二实施例的照明装置具有完全均匀的照明强分布。其结果是，该照明装置符合能源之星规范要求的后向光分布特性。
图22是示出常规照明装置的色坐标的图。图23是示出根据第二实施例的照明装置的色坐标的图。
图22的色坐标是没有根据第二实施例的照明装置的构件350'和透镜231的常规照明装置的实验结果。图23的色坐标是根据第二实施例的照明装置的实验结果。
首先，如图22的色坐标所示，可以发现，常规照明装置具有29143.988的最大照度、15463.635的中心照度、53.6％的整体平均照度和中央暗部。相比之下，如图23的色坐标所示，可以发现，根据第二实施例的照明装置具有48505.615的最大照度、42812.934的中心照度和88.26％的整体平均照度，并且没有中央暗部。
因此，如这些色坐标所示，通过与常规照明装置相比的模拟结果可以发现，根据第二实施例的照明装置显著地改善了后向光分布特性并且显著地减少了暗部。
尽管对本发明的实施例进行了上述描述，但是这些都只是示例，并不限制本发明。此外，本领域技术人员可以以各种方式改变和修改本发明而不脱离本发明的基本特征。例如，可以修改在本发明的实施例中详细描述的各部件。此外，由于修改和应用形成的差别应该被解释为包括在由所附权利要求描述的本发明的范围和精神之内。

Claims (13)

1.一种照明装置，包括：
带有空的内部的灯罩，灯罩具有开口，开口形成于下部；
散热器，包括顶面以及布置在顶面上的构件；
其中，所述构件从散热器的顶面向灯罩突出到灯罩的空的内部，所述构件包括顶面和至少一个侧面，
其中，所述构件的侧面垂直于散热器的顶面，并且，
其中，散热器包括多个散热片，散热片从散热器的侧面向外延伸，
光源，包括布置在构件的侧面上的基底和布置在基底上的发光器件，并且所述光源具有中心点；
插口，向所述光源提供电力；以及
电路，布置在所述光源和所述插口之间，
其中，所述插口电连接到所述电路，
其中，第一假想平面包括基底的顶面，第一假想平面通过所述中心点并且垂直于散热器的顶面，其中所述第一假想平面包括穿过所述中心点的竖直轴线，
其中，在所述竖直轴线和第一切线之间的第一角度大于且不等于0°并且等于或小于45°，所述第一切线通过所述中心点并且接触散热器的横截面，
其中，在所述竖直轴线和第二切线之间的第二角度大于且不等于0°并且等于或小于45°，所述第二切线通过所述中心点并且接触散热器的横截面，并且
其中，多个散热片布置在第一切线和第二切线的下方，
其中，所述散热片具有带有预定倾斜度的侧面，该预定倾斜度是以平行于所述顶面的假想线为基础从45°到90°，
其中所述竖直轴线和第三切线之间的第三角度大于且不等于0°并且等于或小于45°，所述第三切线通过所述光源的中心点并且接触散热器的散热片，
其中所述光源的基底是柔性基底，
其中所述光源包括布置在所述基底和所述多个发光器件上的透镜单元，
其中所述透镜单元包括多个非球面透镜和底板，
其中所述非球面透镜一对一地布置在所述发光器件上，
其中所述底板与所述多个非球面透镜一体地形成并布置在所述基底上，
其中每个非球面透镜具有侧面和弯曲面，
其中所述侧面具有圆筒形状，并且从所述底板竖直地形成，
其中所述弯曲面具有半球形形状并且布置在所述侧面上，
其中在所述透镜单元的底板中布置反射层。
2.根据权利要求1所述的照明装置，其中灯罩由非透明材料形成。
3.根据权利要求1所述的照明装置，其中灯罩的内表面涂有乳白色颜料。
4.根据权利要求3所述的照明装置，其中所述乳白色颜料包括扩散光的扩散剂。
5.根据权利要求1所述的照明装置，其中所述基底包括印刷电路板。
6.根据权利要求1所述的照明装置，其中所述基底包括柔性印刷电路板。
7.根据权利要求1所述的照明装置，还包括容纳所述电路并且连接到所述插口的壳，并且
其中，所述壳是非导体。
8.根据权利要求7所述的照明装置，其中所述壳由塑料制成。
9.根据权利要求1所述的照明装置，其中所述光源布置在所述构件的侧面的上部。
10.根据权利要求1所述的照明装置，其中所述构件与散热器的顶面一体形成。
11.根据权利要求1所述的照明装置，其中所述基底具有四边形板的形状。
12.根据权利要求11所述的照明装置，其中非球面透镜由环氧树脂、有机硅树脂、聚氨酯树脂或它们的组合物制成。
13.根据权利要求1所述的照明装置，其中发光器件具有荧光材料。
CN201611150040.XA 2011-09-02 2012-08-31 照明装置 Active CN107013820B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2011-0088970 2011-09-02
KR1020110088970A KR101293928B1 (ko) 2011-09-02 2011-09-02 조명 장치
KR1020110140134A KR101326518B1 (ko) 2011-09-02 2011-12-22 조명 장치
KR10-2011-0140134 2011-12-22
CN201280042711.4A CN103765081B (zh) 2011-09-02 2012-08-31 照明装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201280042711.4A Division CN103765081B (zh) 2011-09-02 2012-08-31 照明装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107013820A CN107013820A (zh) 2017-08-04
CN107013820B true CN107013820B (zh) 2021-01-12

Family

ID=47756599

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201280042711.4A Active CN103765081B (zh) 2011-09-02 2012-08-31 照明装置
CN201611150040.XA Active CN107013820B (zh) 2011-09-02 2012-08-31 照明装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201280042711.4A Active CN103765081B (zh) 2011-09-02 2012-08-31 照明装置

Country Status (6)

Country Link
US (5) US8905580B2 (zh)
EP (2) EP4006405A1 (zh)
JP (3) JP6193234B2 (zh)
KR (1) KR101326518B1 (zh)
CN (2) CN103765081B (zh)
WO (1) WO2013032276A1 (zh)

Families Citing this family (280)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
KR101326518B1 (ko) * 2011-09-02 2013-11-07 엘지이노텍 주식회사 조명 장치
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
KR20140101220A (ko) * 2013-02-08 2014-08-19 삼성전자주식회사 조명 장치
KR102077232B1 (ko) * 2013-03-07 2020-02-13 삼성전자주식회사 조명 장치
US9644799B2 (en) * 2013-03-13 2017-05-09 Smartbotics Inc. LED light bulb construction and manufacture
KR102089625B1 (ko) * 2013-07-31 2020-03-16 엘지이노텍 주식회사 조명 장치
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
GB201407301D0 (en) 2014-04-25 2014-06-11 Aurora Ltd Improved led lamps and luminaires
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
CN104879669A (zh) * 2015-06-19 2015-09-02 厦门李氏兄弟有限公司 Led灯丝灯
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10295162B2 (en) * 2015-10-20 2019-05-21 Philippe Georges Habchi Modular light bulb with quick and easily user-replaceable independent components
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
JP6765241B2 (ja) * 2016-07-13 2020-10-07 株式会社小糸製作所 車輌用照明装置
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
IT201600111812A1 (it) * 2016-11-07 2018-05-07 Philed S R L Dispositivo di illuminazione in tecnologia led, e relativo procedimento di fabbricazione
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN108224103A (zh) * 2016-12-21 2018-06-29 苏州欧普照明有限公司 一种光源装置
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10488028B2 (en) * 2017-05-03 2019-11-26 Fluence Bioengineering, Inc. Systems and methods for a heat sink
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) * 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
CN107940311A (zh) * 2017-11-20 2018-04-20 江门市云达灯饰有限公司 一种庭院灯的发光组件
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
TWI844567B (zh) 2018-10-01 2024-06-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
EP3973226B1 (en) 2019-05-20 2023-11-15 Signify Holding B.V. A light source comprising a substrate and a heat sink structure
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
US12000545B1 (en) * 2023-09-28 2024-06-04 Zhenkun Cao LED device with magnetic attracting assembly and lighting device having the same

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201246614Y (zh) * 2008-07-16 2009-05-27 沈李豪 一种led灯泡
JP2010055993A (ja) * 2008-08-29 2010-03-11 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置および照明器具
WO2010038982A2 (ko) * 2008-10-01 2010-04-08 주식회사 아모럭스 방열장치 및 이를 이용한 전구형 ｌｅｄ 조명장치
JP2010287343A (ja) * 2009-06-09 2010-12-24 Naozumi Sonoda 発光器具
CN201688160U (zh) * 2009-10-21 2010-12-29 佛山市国星光电股份有限公司 一种基于金属芯pcb基板的led光源模块
EP2322843A1 (en) * 2010-06-17 2011-05-18 Chun-Hsien Lee LED bulb
CN201916753U (zh) * 2010-12-23 2011-08-03 厦门立达信光电有限公司 一种利于散热的led灯泡
CN201934981U (zh) * 2010-12-23 2011-08-17 四川新力光源有限公司 交流led蜡烛灯泡

Family Cites Families (99)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3995149A (en) 1974-04-04 1976-11-30 Patent-Treuhand-Gesellschaft Fur Elektrische Gluhlampen Mbh Compact multiflash unit with improved cover-locking means and prismatic light-controlling means
JP3163068B2 (ja) 1993-12-27 2001-05-08 日本建工株式会社 野縁取付け金具
JP3164963B2 (ja) 1994-03-31 2001-05-14 株式会社リコー デジタル複写機
JPH11126029A (ja) 1997-10-22 1999-05-11 Yazaki Corp 表示器
JP4290887B2 (ja) * 1998-09-17 2009-07-08 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Ｌｅｄ電球
US6719446B2 (en) * 2001-08-24 2004-04-13 Densen Cao Semiconductor light source for providing visible light to illuminate a physical space
US6634770B2 (en) 2001-08-24 2003-10-21 Densen Cao Light source using semiconductor devices mounted on a heat sink
KR100991829B1 (ko) * 2001-12-29 2010-11-04 항조우 후양 신잉 띠앤즈 리미티드 Ｌｅｄ 및 ｌｅｄ램프
US6982518B2 (en) 2003-10-01 2006-01-03 Enertron, Inc. Methods and apparatus for an LED light
JP2005340184A (ja) 2004-04-30 2005-12-08 Du Pont Toray Co Ltd Ｌｅｄ照明装置
JP2006244725A (ja) 2005-02-28 2006-09-14 Atex Co Ltd Ｌｅｄ照明装置
JP2007012288A (ja) * 2005-06-28 2007-01-18 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置及び照明器具
JP2007048638A (ja) 2005-08-10 2007-02-22 Pearl Denkyu Seisakusho:Kk 照明装置
US20070159828A1 (en) 2006-01-09 2007-07-12 Ceramate Technical Co., Ltd. Vertical LED lamp with a 360-degree radiation and a high cooling efficiency
US7396146B2 (en) * 2006-08-09 2008-07-08 Augux Co., Ltd. Heat dissipating LED signal lamp source structure
US10295147B2 (en) 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
US20110128742A9 (en) 2007-01-07 2011-06-02 Pui Hang Yuen High efficiency low cost safety light emitting diode illumination device
US7581856B2 (en) 2007-04-11 2009-09-01 Tamkang University High power LED lighting assembly incorporated with a heat dissipation module with heat pipe
WO2008137977A1 (en) 2007-05-08 2008-11-13 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and lighting method
WO2009034762A1 (ja) 2007-09-10 2009-03-19 Harison Toshiba Lighting Corp. 照明装置
EP2207998B1 (en) 2007-10-09 2015-09-16 Philips Solid-State Lighting Solutions, Inc. Integrated led-based luminaire for general lighting
US8274241B2 (en) 2008-02-06 2012-09-25 C. Crane Company, Inc. Light emitting diode lighting device
JP2009289649A (ja) 2008-05-30 2009-12-10 Arumo Technos Kk Ｌｅｄ照明灯
US9074751B2 (en) 2008-06-20 2015-07-07 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Lighting apparatus
TWI361261B (en) 2008-06-30 2012-04-01 E Pin Optical Industry Co Ltd Aspherical led angular lens for wide distribution patterns and led assembly using the same
KR100883344B1 (ko) 2008-08-08 2009-02-12 김현민 Ｌｅｄ 조명램프
JP5246402B2 (ja) 2008-09-16 2013-07-24 東芝ライテック株式会社 電球形ランプ
US20100103666A1 (en) * 2008-10-28 2010-04-29 Kun-Jung Chang Led lamp bulb structure
JP4642129B2 (ja) 2008-11-06 2011-03-02 ローム株式会社 Ｌｅｄランプ
EP2399070B1 (en) 2009-02-17 2017-08-23 Epistar Corporation Led light bulbs for space lighting
TW201037224A (en) 2009-04-06 2010-10-16 Yadent Co Ltd Energy-saving environmental friendly lamp
CN101865372A (zh) 2009-04-20 2010-10-20 富准精密工业(深圳)有限公司 发光二极管灯具
BRPI1007605A2 (pt) * 2009-05-04 2016-02-16 Konink Philipis Electronic N V fonte de luz
KR20100127447A (ko) 2009-05-26 2010-12-06 테크룩스 주식회사 벌브타입의 엘이디램프
CN101922615B (zh) 2009-06-16 2012-03-21 西安圣华电子工程有限责任公司 一种led灯
CN102459991B (zh) 2009-06-19 2014-01-15 皇家飞利浦电子股份有限公司 灯总成
KR200447540Y1 (ko) * 2009-08-31 2010-02-03 심동현 공원용 보안등
US9605844B2 (en) 2009-09-01 2017-03-28 Cree, Inc. Lighting device with heat dissipation elements
CN201568889U (zh) 2009-09-01 2010-09-01 品能光电(苏州)有限公司 Led灯透镜
WO2011030562A1 (ja) 2009-09-14 2011-03-17 パナソニック株式会社 電球形ランプ
CN102032479B (zh) 2009-09-25 2014-05-07 东芝照明技术株式会社 灯泡型灯以及照明器具
US9217542B2 (en) 2009-10-20 2015-12-22 Cree, Inc. Heat sinks and lamp incorporating same
KR100955037B1 (ko) 2009-10-26 2010-04-28 티엔씨 퍼스트 주식회사 다목적 ｌｅｄ 조명장치
JP2011096594A (ja) 2009-11-02 2011-05-12 Genelite Inc 電球型ｌｅｄランプ
EP2320128B1 (en) 2009-11-09 2015-02-25 LG Innotek Co., Ltd. Lighting device
KR101072220B1 (ko) 2009-11-09 2011-10-10 엘지이노텍 주식회사 조명 장치
JP5511346B2 (ja) * 2009-12-09 2014-06-04 日本フネン株式会社 交通信号機用の電球に代わって使用されるｌｅｄランプ
WO2011073828A1 (en) 2009-12-14 2011-06-23 Koninklijke Philips Electronics N.V. Low-glare led-based lighting unit
US8541933B2 (en) * 2010-01-12 2013-09-24 GE Lighting Solutions, LLC Transparent thermally conductive polymer composites for light source thermal management
JP5354209B2 (ja) 2010-01-14 2013-11-27 東芝ライテック株式会社 電球形ランプおよび照明器具
CN201652172U (zh) * 2010-01-20 2010-11-24 中山市盈点光电科技有限公司 一种led二次光学配光透镜模组
JP2011165434A (ja) 2010-02-08 2011-08-25 Panasonic Corp 光源、バックライトユニット及び液晶表示装置
CN201892045U (zh) * 2010-02-08 2011-07-06 东莞莹辉灯饰有限公司 新型照明灯泡
JP5327096B2 (ja) 2010-02-23 2013-10-30 東芝ライテック株式会社 口金付ランプおよび照明器具
US9062830B2 (en) 2010-03-03 2015-06-23 Cree, Inc. High efficiency solid state lamp and bulb
US9057511B2 (en) 2010-03-03 2015-06-16 Cree, Inc. High efficiency solid state lamp and bulb
US8562161B2 (en) * 2010-03-03 2013-10-22 Cree, Inc. LED based pedestal-type lighting structure
KR101094825B1 (ko) 2010-03-17 2011-12-16 (주)써키트로닉스 다목적 엘이디 램프
JP5708983B2 (ja) 2010-03-29 2015-04-30 東芝ライテック株式会社 照明装置
TW201135151A (en) 2010-04-09 2011-10-16 Wang Xiang Yun Illumination structure
JP2011228300A (ja) 2010-04-21 2011-11-10 Chang Wook 大角度ｌｅｄ光源及び大角度高放熱性ｌｅｄ照明灯
TW201139931A (en) 2010-05-10 2011-11-16 Yadent Co Ltd Energy-saving lamp
TW201142194A (en) 2010-05-26 2011-12-01 Foxsemicon Integrated Tech Inc LED lamp
KR101064036B1 (ko) 2010-06-01 2011-09-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 조명 시스템
JP5479232B2 (ja) 2010-06-03 2014-04-23 シャープ株式会社 表示装置および表示装置の製造方法
EP2392853B1 (en) 2010-06-04 2014-10-29 LG Innotek Co., Ltd. Lighting device
US8227961B2 (en) 2010-06-04 2012-07-24 Cree, Inc. Lighting device with reverse tapered heatsink
KR20110133386A (ko) 2010-06-04 2011-12-12 엘지이노텍 주식회사 조명 장치
KR101106225B1 (ko) 2010-06-11 2012-01-20 주식회사 디에스이 Ｌｅｄ 램프
JP2012019075A (ja) 2010-07-08 2012-01-26 Sony Corp 発光素子、および表示装置
JP2012038691A (ja) 2010-08-11 2012-02-23 Iwasaki Electric Co Ltd Ｌｅｄランプ
US20120049732A1 (en) 2010-08-26 2012-03-01 Chuang Sheng-Yi Led light bulb
JP3164963U (ja) * 2010-10-12 2010-12-24 奇▲こう▼科技股▲ふん▼有限公司 Ｌｅｄ型ランプの放熱構造
JP2012099375A (ja) 2010-11-04 2012-05-24 Stanley Electric Co Ltd 電球型ｌｅｄランプ
EP2450613B1 (en) 2010-11-08 2015-01-28 LG Innotek Co., Ltd. Lighting device
KR101080700B1 (ko) 2010-12-13 2011-11-08 엘지이노텍 주식회사 조명 장치
EP2803910B1 (en) 2010-11-30 2017-06-28 LG Innotek Co., Ltd. Lighting device
KR20120060447A (ko) * 2010-12-02 2012-06-12 동부라이텍 주식회사 전방향 배광 엘이디 램프
CN102003647B (zh) 2010-12-11 2012-07-04 山东开元电子有限公司 全方位led球泡灯
JP5281665B2 (ja) 2011-02-28 2013-09-04 株式会社東芝 照明装置
US8395310B2 (en) * 2011-03-16 2013-03-12 Bridgelux, Inc. Method and apparatus for providing omnidirectional illumination using LED lighting
CN102147068A (zh) * 2011-04-13 2011-08-10 东南大学 一种可替代紧凑型荧光灯的led灯
US10030863B2 (en) 2011-04-19 2018-07-24 Cree, Inc. Heat sink structures, lighting elements and lamps incorporating same, and methods of making same
JP4987141B2 (ja) 2011-05-11 2012-07-25 シャープ株式会社 Ｌｅｄ電球
US20120287636A1 (en) 2011-05-12 2012-11-15 Hsing Chen Light emitting diode lamp capability of increasing angle of illumination
TWI439633B (zh) 2011-06-24 2014-06-01 Amtran Technology Co Ltd 發光二極體燈源
US20130003346A1 (en) 2011-06-28 2013-01-03 Cree, Inc. Compact high efficiency remote led module
JP3171093U (ja) 2011-08-02 2011-10-13 惠碧 蔡 Ｌｅｄ電球
KR101326518B1 (ko) * 2011-09-02 2013-11-07 엘지이노텍 주식회사 조명 장치
US8884508B2 (en) 2011-11-09 2014-11-11 Cree, Inc. Solid state lighting device including multiple wavelength conversion materials
CN102384452A (zh) 2011-11-25 2012-03-21 生迪光电科技股份有限公司 一种方便散热的led灯
KR101264213B1 (ko) 2011-12-12 2013-05-14 주식회사모스토 조립 가능한 엘이디 전구
US20130153938A1 (en) 2011-12-14 2013-06-20 Zdenko Grajcar Light Emitting System
TW201341714A (zh) 2012-04-12 2013-10-16 Lextar Electronics Corp 發光裝置
US9410687B2 (en) * 2012-04-13 2016-08-09 Cree, Inc. LED lamp with filament style LED assembly
US9395051B2 (en) * 2012-04-13 2016-07-19 Cree, Inc. Gas cooled LED lamp
CN102777793B (zh) 2012-07-17 2014-12-10 福建鸿博光电科技有限公司 一种偏光型led草帽灯珠
US9618163B2 (en) * 2014-06-17 2017-04-11 Cree, Inc. LED lamp with electronics board to submount connection
US9702512B2 (en) * 2015-03-13 2017-07-11 Cree, Inc. Solid-state lamp with angular distribution optic

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201246614Y (zh) * 2008-07-16 2009-05-27 沈李豪 一种led灯泡
JP2010055993A (ja) * 2008-08-29 2010-03-11 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置および照明器具
WO2010038982A2 (ko) * 2008-10-01 2010-04-08 주식회사 아모럭스 방열장치 및 이를 이용한 전구형 ｌｅｄ 조명장치
JP2010287343A (ja) * 2009-06-09 2010-12-24 Naozumi Sonoda 発光器具
CN201688160U (zh) * 2009-10-21 2010-12-29 佛山市国星光电股份有限公司 一种基于金属芯pcb基板的led光源模块
EP2322843A1 (en) * 2010-06-17 2011-05-18 Chun-Hsien Lee LED bulb
CN201916753U (zh) * 2010-12-23 2011-08-03 厦门立达信光电有限公司 一种利于散热的led灯泡
CN201934981U (zh) * 2010-12-23 2011-08-17 四川新力光源有限公司 交流led蜡烛灯泡

Also Published As

Publication number Publication date
JP6637574B2 (ja) 2020-01-29
EP4006405A1 (en) 2022-06-01
CN103765081B (zh) 2017-02-15
US9970644B2 (en) 2018-05-15
EP2751472A1 (en) 2014-07-09
JP2019050205A (ja) 2019-03-28
KR20130072623A (ko) 2013-07-02
US20150054403A1 (en) 2015-02-26
JP2014525659A (ja) 2014-09-29
US9353914B2 (en) 2016-05-31
US20180238532A1 (en) 2018-08-23
JP2017199695A (ja) 2017-11-02
US8905580B2 (en) 2014-12-09
US20130070456A1 (en) 2013-03-21
US20170343201A1 (en) 2017-11-30
CN103765081A (zh) 2014-04-30
US10260724B2 (en) 2019-04-16
KR101326518B1 (ko) 2013-11-07
JP6427639B2 (ja) 2018-11-21
US20160223142A1 (en) 2016-08-04
US9719671B2 (en) 2017-08-01
JP6193234B2 (ja) 2017-09-06
EP2751472B1 (en) 2022-03-02
EP2751472A4 (en) 2015-04-01
WO2013032276A1 (en) 2013-03-07
CN107013820A (zh) 2017-08-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107013820B (zh) 照明装置
US9127827B2 (en) Lighting device
EP2753873B1 (en) Lighting device
KR102098301B1 (ko) 조명 장치
KR101566853B1 (ko) 조명 장치
KR20150015197A (ko) 조명 장치
KR20130025579A (ko) 조명 장치
KR20130025580A (ko) 조명 장치
KR20130094973A (ko) 조명 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20210802

Address after: 168 Changsheng North Road, Taicang City, Suzhou City, Jiangsu Province

Patentee after: Suzhou Leyu Semiconductor Co.,Ltd.

Address before: Seoul City, Korea

Patentee before: LG INNOTEK Co.,Ltd.