CN105209973A - 可溶性金属氧化物羧酸盐的旋涂组合物及其使用方法 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及含有至少一种金属氧化物二羧酸盐和该金属氧化物二羧酸盐可溶于其中或在其中胶体稳定的有机溶剂的旋涂组合物。该二羧酸盐能够在热处理过程中分解以提供固化的金属氧化物膜。本公开还涉及使用该旋涂组合物的方法。

Description

可溶性金属氧化物羧酸盐的旋涂组合物及其使用方法
技术领域
本发明涉及可用于制备适于光刻法的多种底层的有机溶剂稳定的金属氧化物羧酸盐材料的旋涂组合物。该金属氧化物羧酸盐化合物具有改善的稳定性。本发明还涉及使用本发明的组合物制备此类底层的方法。
发明背景
金属氧化物膜用于半导体行业中的多种应用，如光刻硬掩模、用于抗反射涂层的底层和光电器件。
例如，光致抗蚀剂组合物用于制造小型化电子组件的微光刻法，如在计算机芯片和集成电路的制造中。通常，将光致抗蚀剂组合物的薄涂层施涂到衬底(如用于制造集成电路的硅基晶片)上。该经涂覆的基底随后烘烤以便从光致抗蚀剂中除去所需量的溶剂。该衬底的经烘烤的经涂覆表面随后依图像曝光于光化辐射，如可见光、紫外线、极紫外线、电子束、粒子束和X射线辐射。
辐射在该光致抗蚀剂的曝光区域内引发化学转化。经曝光的涂层用显影剂溶液处理以溶解和除去光致抗蚀剂的经辐射曝光的或未曝光的区域。
半导体器件的小型化趋势已导致使用对越来越短的波长的辐射敏感的新型光致抗蚀剂，并还导致使用复杂的多级系统以克服与此类小型化相关的困难。
光刻法中的吸收性抗反射涂层和底层用于减少由通常为高反射性的衬底反射的辐射所造成的问题。经反射的辐射导致薄膜干涉效果和反射刻痕。薄膜干涉或驻波导致在光致抗蚀剂厚度改变时，由光致抗蚀剂膜中总光强度的变化所引起的临界线宽度尺寸的改变。经反射和入射的曝光辐射的干涉可导致驻波效应，该效应扭曲了在该厚度内的辐射均匀性。当光致抗蚀剂在含有形貌特征的反射性基底上图案化时，反射刻痕变得严重，所述形貌特征散射光穿过该光致抗蚀剂膜，导致线宽度变化，并在极端情况下形成所需尺寸完全损失的区域。在光致抗蚀剂下方和在反射性基底上方涂覆的抗反射涂层膜提供了该光致抗蚀剂的光刻性能的显著改善。通常，在衬底上施涂底部抗反射涂层并固化，随后施涂光致抗蚀剂层。该光致抗蚀剂依图像曝光和显影。在曝光区域中的抗反射涂层随后通常使用各种蚀刻气体干法蚀刻，由此将该光致抗蚀剂图案转印到该衬底上。
含有高含量难熔元素的底层可以用作硬掩模以及抗反射涂层。当上覆的光致抗蚀剂不能提供足够高的对用于将图像转印到下方的半导体衬底中的干法蚀刻的耐受性时，硬掩模是有用的。在此类情况下，其耐蚀刻性高到足以将在其上生成的任何图案转印到下方的半导体衬底中的材料被称为硬掩模。这是有可能的，因为有机光致抗蚀剂不同于下方的硬掩模，并且可以找到允许将光致抗蚀剂中的图像转印到下方的硬掩模中的蚀刻气体混合物。这种图案化的硬掩模随后可以以合适的蚀刻条件和气体混合物用于将图像从该硬掩模转印到该半导体衬底中，这是采用单一蚀刻过程由光致抗蚀剂自身无法实现的任务。
在新的光刻技术中使用多个抗反射层和底层。在其中光致抗蚀剂不能提供足够的干法蚀刻耐受性的情况下，在衬底蚀刻过程中充当硬掩模并具有高耐蚀刻性的用于光致抗蚀剂的底层和/或抗反射涂层是优选的。一种方法是将硅、钛、锆或其它金属材料掺入有机光致抗蚀剂层下方的层中。此外，可以在含金属的抗反射层下方放置另一高碳含量抗反射层或掩模层，如用于改善该成像过程的光刻性能的高碳膜/硬掩模膜/光致抗蚀剂的三层。常规硬掩模可以通过化学气相沉积如溅射法来施加。但是，旋涂法与前述常规方法相比的相对简单性使得亟需开发在膜内具有高浓度金属材料的新型旋涂硬掩模或抗反射涂层。
含有金属氧化物的用于半导体应用的底层组合物已经显示提供干法蚀刻耐受性以及抗反射性质。当在底层中存在更高浓度的金属氧化物时，可以实现改善的耐蚀刻性和导热性。但是，已经发现常规金属氧化物组合物对空气中的水分非常不稳定，产生许多问题，包括货架期稳定性、涂覆问题和性能缺点。此外，常规组合物通常含有非金属氧化物材料如聚合物、交联剂和降低耐蚀刻性和导热性所需的金属氧化物性质的其它材料。因此存在对制备含有高水平稳定可溶性金属氧化物(其是可溶的或胶体稳定的)的旋涂硬掩模、抗反射和其它底层的突出需要。
附图概述
图1显示了用于制备现有金属氧化物二羧酸盐的前体的实例。
图2显示了用于现有组合物的交联聚合物的实例。
发明概述
本发明涉及可用于制备多种适于光刻法的底层的可溶于有机溶剂的金属氧化物羧酸盐材料的旋涂组合物。该金属氧化物羧酸盐化合物具有改善的稳定性。本发明还涉及使用本发明的组合物制备此类底层的方法。
在第一实施方案中，在本文中公开和要求保护的是旋涂组合物，其包含至少一种金属氧化物二羧酸盐，其中该二羧酸盐能够在热处理过程中分解以提供低聚金属氧化物膜，以及该金属氧化物二羧酸盐可溶于其中的有机溶剂。该二羧酸盐的羧酸根可以是取代或未取代的、饱和或不饱和的、支链或非支链的C3-C6羧酸根，如丙酸根。
在第二实施方案中，在本文中公开和要求保护的是上述实施方案的旋涂组合物，其中该金属是选自Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Hf、Ta、W、Re和Ir的至少一种高折射金属，例如，该金属氧化物可以包含锆和任选的钛。
在第三实施方案中，本文中公开和要求保护的是上述实施方案的旋涂组合物，进一步包含能够在热处理过程中交联的有机聚合物，并且其中该金属氧化物二羧酸盐能够热分解以提供具有高金属氧化物含量的膜。
在第四实施方案中，本文中公开和要求保护的是制造电子器件的方法，包括向衬底上施加上述实施方案任一种的组合物，和加热经涂覆的衬底。该加热可以是大约200℃至大约500℃达大约30至大约200秒。
在第五实施方案中，本文中公开和要求保护的是上述方法实施方案的方法，其中该二羧酸盐的羧酸根可以是取代或未取代的、饱和或不饱和的、支链或非支链的C3-C6羧酸根，如丙酸根。
在第六实施方案中，本文中公开和要求保护的是上述实施方案的方法，其中该金属是选自Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Hf、Ta、W、Re和Ir的至少一种高折射金属，如锆和任选的钛。
在第七实施方案中，本文中公开和要求保护的是上述实施方案的方法，其中该组合物进一步包含在热处理过程中交联的有机聚合物，并且其中该金属氧化物二羧酸盐热分解以提供具有高金属氧化物含量的膜。
发明详述
本文中所用的连接词“和”意在为包括性的，连接词“或”不意在为排它性的，除非另行说明。例如，短语“或替代性地”意在为排它性的。
本文中所用的术语“和/或”指的是前述要素的任意组合，包括使用单一要素。
本文中公开的术语“组合物”和“制剂”可互换使用，并指的是相同的事物。
本文中所用的短语“高金属氧化物含量”指的是按重量百分比计高于大约50％的含量。
本文中公开和要求保护的是可溶于有机溶剂的金属氧化物二羧酸盐材料的旋涂组合物，该组合物通常用于旋涂法。已经发现它们比基于烷氧基金属氧化物的目前可用材料对水分更稳定。该金属氧化物二羧酸盐具有以下结构：
R可以是取代或未取代的、饱和支链的或不饱和的C3-C6羧酸根配体，如丙酸或异丙酸；丁酸、异丁酸、仲丁酸或叔丁酸；戊酸或任何戊酸异构体；己酸或任何己酸异构体。不饱和的、支链或非支链的C3-C6羧酸根配体也可以使用，如丙烯酸、甲基丙烯酸、丁烯酸、戊烯酸、己烯酸羧酸根或其异构体。羧酸根可以用氢氧根、卤离子、硫族元素(chalcogen)等等取代，在该链中取代或连接至该链。
M，在该金属氧化物二羧酸盐中，是至少一种选自钛、钒、锆、钽、铅、锑、铊、铟、镱、镓、铪、铌、钼、钌、铑、钽、铼、锇、铱、铝、镁、锗、锡、铁、钴、镍、铜、锌、金、银、铬、镉、钨和铂的金属。典型的金属氧化物二羧酸盐具有以下结构：
该金属氧化物二羧酸盐由多种不同的前体制备，如碳酸锆铵：
或乙酸锆：
其中x为2-4，并且前体的其它实例列举在图1中，如碳酸锆铵、2-乙基己酸氧化锆(IV)、乙酰丙酮锆(IV)和乙酸锆。
在一些实例中，前体是至少一种胶体稳定的纳米粒子，具有大约5nm至大约50nm、或5-25nm或5-20nm的平均粒度。不限于理论，据信，金属氧化物纳米粒子前体与羧酸或羧酸盐反应以形成包围新的纳米粒子的金属氧化物二羧酸盐的表面层。所得羧酸化金属氧化物纳米粒子在该溶剂中也是稳定的。
在组合物中可以包含超过一种金属，取决于最终交联层的所需性质。例如，锆和钛可以结合以提供具有非常好的抗蚀刻性、热导率和高折射率的层。取决于最终固化的金属氧化物层的所需特性，溶液中的金属氧化物羧酸盐中各金属的量为大约5重量％至大约50重量％。
金属氧化物二羧酸盐溶于通常用于光刻旋涂法的溶剂。适于本公开的溶剂的实例包括醚、酯、醚酯、酮和酮酯，以及更具体而言，乙二醇单烷基醚、二乙二醇二烷基醚、丙二醇单烷基醚、丙二醇二烷基醚、乙酸酯、羟基乙酸酯、乳酸酯、乙二醇单烷基醚乙酸酯、丙二醇单烷基醚乙酸酯、烷氧基乙酸酯、(非)环状酮、乙酰乙酸酯、丙酮酸酯和丙酸酯。前述溶剂可以独立使用，或以两种或更多种类型的混合物形式使用。此外，至少一种类型的高沸点溶剂如苄基乙基醚、二己基醚、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、丙酮基丙酮、己酸、癸酸、1-辛醇、1-壬醇、苄醇、乙酸苄酯、苯甲酸乙酯、乙二酸二乙酯、马来酸二乙酯、γ-丁内酯、碳酸亚乙酯、碳酸亚丙酯和苯基乙酸溶纤剂(phenylcellosolveacetate)可以添加到前述溶剂中。
制备该金属氧化物二羧酸盐的方法描述在下面的实施例中。通常，前体溶解在合适的溶剂中，并缓慢地添加所需碳酸盐的酸或盐形式。在一些情况下，例如，使用碳酸锆铵，生成离开该混合物的气态副产物。所选溶剂或溶剂共混物中的总固体百分比为大约1至大约30重量％，如大约2重量％至大约10重量％。
已经令人惊讶地发现，本公开的现有金属氧化物二羧酸盐在热加工过程中分解以提供高度交联的金属氧化物层。不受理论束缚，据信，该二羧酸盐在固化温度下分解并以羧酸盐形式或以挥发性组合物产物形式蒸发。之后残留的是高度交联的金属氧化物膜。
本公开的组合物可以涂布到衬底表面，如低介电常数材料、硅、涂有金属表面的硅衬底、涂有铜的硅晶片、铜、铝、聚合树脂、二氧化硅、金属、掺杂二氧化硅、氮化硅、钽、多晶硅、陶瓷、铝/铜混合物、任意的金属氮化物如AlN；砷化镓和其它此类第III/V族化合物。该衬底还可以是其它抗反射涂层或底层，如涂覆在上述衬底上的高碳底层。该衬底可以包含任何数量的由上述材料制成的层。
本公开的组合物使用本领域技术人员公知的技术涂覆在该衬底上，如浸涂、旋涂、帘幕式涂布、狭缝式涂布、喷涂等等。该涂层的膜厚度为大约5nm至大约1000nm、或大约10nm至大约520nm、或大约50至400nm。经涂覆的金属氧化物二羧酸盐组合物随后在热板或对流烘箱上在固化温度下加热以驱除羧酸根取代基。该固化温度可以为大约200℃至大约500℃达大约1至大约10分钟，如大约250℃至大约450℃达大约1至大约2分钟。该组合物可以在抗反射涂层的其它层上涂覆，如高碳(大于80％或85％或90％)含量抗反射涂层。一旦冷却，其它材料可以涂布到高度交联的金属氧化物的表面上，如光致抗蚀剂。
本公开的金属氧化物二羧酸盐组合物可含有能够在热处理过程中交联的有机或无机聚合物，其中金属氧化物二羧酸盐热分解，同时该聚合物热交联以提供具有高金属氧化物含量的复合膜。
使用聚合物如成膜有机或硅基聚合物，例如聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸酯，以及缩合聚合物如聚酯、酚醛清漆树脂、硅氧烷树脂或有机倍半硅氧烷。这些聚合物可以根据固化后最终膜的所需性质单独或彼此组合使用。这些聚合物通常是交联聚合物，含有任意多个相同或不同的交联取代基，如环氧基、羟基、硫醇、胺、酰胺、酰亚胺、酯、醚、脲、羧酸、酸酐等等。交联基团的其它实例包括缩水甘油醚基、缩水甘油酯基、缩水甘油氨基、甲氧基甲基、乙氧基甲基、苄氧基甲基、二甲基氨基甲基、二乙氨基甲基、二羟甲基氨基甲基、二羟乙基氨基甲基、吗啉基甲基、乙酰氧基甲基、苄氧基甲基、甲酰基、乙酰基、乙烯基和异丙烯基。可以使用公开在US8,039,201中并经此引用并入本文的聚合物。
该涂料组合物的聚合物可以包含至少一种包含疏水部分的结构(1)的单元、至少一种包含发色团部分的结构(2)的单元、至少一种包含交联部分的结构(3)的单元以及任选的包含能够交联该聚合物的基团的单元，其中结构1-3可以由下式表示：
其中，R1至R9独立地选自氢和C1-C4烷基；W1是完全或部分氟化的基团；X选自F、H和OH；W2是包含发色团的有机部分，且W3Y包含交联部分。在该聚合物中，包含疏水性部分的单元W1是完全或部分氟化的基团。W1优选是非芳族基团，并可以选自氟化脂族亚烷基和部分氟化的脂族亚烷基，如选自直链亚烷基、支链亚烷基、环状亚烷基以及这些的混合物的C1-C20亚烷基。该亚烷基基团可以被其它官能取代，如烷氧基和烷基羧基。在一个实施方案中，W1不是多环脂族亚烷基，并且也不是芳族的，并且可以是完全或部分氟化的C1-C20亚烷基，其选自直链、支链、单环及这些的混合物。W1可以由完全或部分氟化的C1-C20亚烷基代表，如亚甲基、亚乙基、亚丙基、亚异丙基、亚丁基、1-己基亚乙基等等的完全或部分氟化的部分；进一步例如3,5-双六氟亚甲基-己烷。结构(1)中的X可以选自F、H和OH。在一个实施方案中，X为OH。单元(1)的进一步的实例在图1中给出。聚合物的骨架可以是丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯。
在聚合物的单元(1)的一个实施方案中，X是氟，W1是完全或部分氟化的脂族C1-C20亚烷基。W1X的进一步的实例是完全氟化的脂族C1-C20烷烃，其是直链、支链、单环或这些的混合物，如五氟丙基、2,2,2-三氟乙基和七氟丁基等等。
在一个实施方案中，本新型组合物的聚合物中的单元(1)可以具有以下结构：
其中，R1至R3独立地为氢和C1-C4烷基，W’1可以选自单键、亚烷基、取代亚烷基如选自直链、支链、环状及其混合物的C1-C20亚烷基。该亚烷基可以用其它官能如烷氧基、烷基羧基、部分或完全氟化的亚烷基羟基取代。W’1优选是非芳族基团，并可以选自氟化的脂族亚烷基和部分氟化的脂族亚烷基如选自直链亚烷基、支链亚烷基、单环亚烷基以及这些的混合物的C1-C20亚烷基。W’1可以由氟化脂族亚烷基、部分氟化脂族亚烷基表示，其中该亚烷基可以是环状、直链、支链或其混合。在另一实施方案中，W’1选自C1-C12直链亚烷基、C1-C12支链亚烷基、C1-C12单环亚烷基及其混合物，其中该亚烷基可以被其它官能如烷氧基、烷基羧基和部分或完全氟化的亚烷基羟基取代。在再一实施方案中，W’1选自亚甲基、亚乙基、亚丙基、亚异丙基、1-己基亚乙基和3-六氟丙醇-己烷。
在本发明的聚合物中，结构(2)中的W2是包含发色团基团的有机部分，其中该发色团基团能够吸收用于曝光涂覆在本发明的抗反射涂层组合物的膜上的光致抗蚀剂的辐射，如芳族基团；发色团基团的实例是未取代的苯基和取代的苯基，特别是对于193nm辐射。其它发色团也可使用，如对于248nm辐射而言可以使用未取代的萘基、取代的萘基、未取代的蒽基和取代的蒽基。该发色团基团可以被诸如羟基、酯、醚、烷基羧基等等的部分取代。该发色团基团可以直接连接到该聚合物的骨架上，或者可以是有机部分的一部分。该有机部分可以是任何包含碳和氢的基本烃部分，并可以附加地包含氧。该发色团基团可以通过酯基连接到聚合物骨架上。该发色团基团可以经连接基团连接，其中该连接基团可以是酯、亚烷基、亚烷氧基亚烷基、烷氧基基团等等。亚烷基基团的实例可以是选自直链、支链、环状及其混合物的C1-C20亚烷基。该连接基团优选是脂族亚烷基或酯。连接基团的实例可以是亚甲基、亚乙基、亚丙基等等。W2的进一步实例是苯基亚甲基、苯基、萘基、亚甲基萘基、蒽基、亚甲基蒽基等等。结构(2)的一个实例是结构(2’)
其中R4至R6独立地为氢和C1-C4烷基，并且W’2是直接连接或经由C1-C12亚烷基连接的发色团基团，其中该发色团基团如前所述。W’2可以是发色团基团。W’2的具体实例可以是苯基、取代苯基、苄基或取代苯基。聚合物可以是丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯聚合物。
在本发明的聚合物中，具有交联位点的单元是能够导致聚合物交联的单元，以使其包含可以交联该聚合物并成为交联位点或提供其中可以发生与另一基团的交联的位点的基团。可以交联聚合物的基团是例如环氧基、羟甲基、脲基等等。可以提供可用于与交联基团反应的可能的交联位点的基团是羟基。由此结构(3)中的Y可以是环氧基、羟基、羟甲基、脲基等等。环氧基团能够自交联该聚合物，并且不需要外部交联化合物。Y的一个实施方案是环氧基。Y的一个实施方案是羟基。如果Y是羟基并且聚合物在聚合物中不含交联基团，那么可以向组合物中加入外部交联化合物。部分Y可以经W3连接至酯基团。W3优选是非芳族基团，如脂族基团。W3可以是脂族亚烷基基团、脂族亚烷基醚基团等等。亚烷基基团的实例可以是选自直链、支链、环状及其混合物的C1-C20亚烷基。W3的实例是亚甲基、亚乙基、亚丙基、亚丁基、亚己基等等。本发明的组合物的聚合物可以含有结构(1)的单元、结构(2)的单元和一种或多种类型的单元(3)。该聚合物可以含有多种类型的单元(3)，如其中Y为羟基的一种单元和其中Y为环氧的一种单元。W3Y的一个具体实例是亚甲基环氧、亚乙基环氧、亚己基亚甲基环氧等等。
存在于该新型组合物中的聚合物可以包含附加的(甲基)丙烯酸酯单体单元，如在结构(5)中。
其中R10-R12独立地选自氢和C1-C4烷基，W4是C1-C10烷基、C1-C10亚烷基醚烷基、取代的C1-C10烷基和取代的C1-C10亚烷基醚烷基。该取代可以是烷氧基、烷基羧基、烷基酯等等。
在聚合物的一个实施方案中，该聚合物包含结构(6)中所示的单元，
其中x、y、z、m和n是所示单体单元的摩尔％，x可以为大约1-50摩尔％，优选大约5-30摩尔％；y可以为大约0-50摩尔％，优选大约5-50摩尔％；z可以为大约0-50摩尔％；m可以为大约5-50摩尔％并且n可以为大约0-50摩尔％，条件是y和/或z大于1摩尔％。
聚合物(当使用时)小于固体的大约80％，如小于固体的50％。还可以存在固体的15-40％的交联添加剂。通常为涂布添加剂的其它添加剂可以加入，如润湿剂、表面活性剂、消泡剂、触变剂等等。
本公开的组合物含有基于全部组合物的大约1重量％至大约30重量％的金属氧化物二羧酸盐，或大约2-15重量％，或大约3-10重量％。经固化的金属膜在200-300℃下达约60-120秒之后具有基于经固化的膜的总重量的大约10至大约85重量％的金属含量，或大约10至大约70重量％，或大约30至大约65％，或大约40至大约65重量％，或大约40至大约60重量％。特别地，由该新型组合物形成的经固化的氧化锆或氧化钛膜在200-300℃下达约60-120秒之后具有大约10至大约70重量％的金属含量，或大约20至大约70重量％，或大约40至大约60重量％，或大约20至大约70重量％。
经固化的金属氧化物膜可以使用剥离剂除去，包括例如85％的磷酸、3％的HF、10％的TMAH、10％的过氧化氢和含水碱性过氧化物。剥离时间在约室温至约70℃下为约30秒至约120秒，取决于膜固化条件。其它剥离方法可以结合经固化的金属氧化物膜的加工条件来使用。例如，当膜在较低温度或较短时间下固化时，剥离剂可以稀释，时间可以缩短和/或剥离温度可以降低。
本公开的金属氧化物二羧酸盐、其组成和使用方法可用于制备光刻抗反射层。存在足够的发色团基团，并且在193nm的曝光波长下该底层的折射率n(折射率)可以为大约1.8至大约2.2，并且k(消光系数)可以为大约0.1至大约0.5。
该聚合物或组合物的折射率n(折射率)和k(消光系数)是涉及复合折射率nc的参数，定义如下：
nc＝n-jk
(YoshioNishi等人编辑的HandbookofSemiconductorManufacturingTechnology,MarcelDekkerInc,2000,第205页)。
新型涂层用作硬掩模。可以使用椭圆计，如J.A.WoollamWVASEVU-32椭圆计来计算n和k值。k和n的最佳范围的确切值取决于所用的曝光波长和应用类型。通常对193nm而言，k的优选范围为大约0.1至大约0.6，对于248nm而言，k的优选范围为大约0.15至大约0.8，但是，其它曝光波长如DUV和超DUV可以使用，并如下表2中所示调整该组合物以便与其结合发挥作用。
如本文中所述，光致抗蚀剂组合物通过如旋涂等等的此类方法施加在经固化的新型涂层上。在涂覆后，去除溶剂至其中该涂层可以适当曝光的水平。在某些情况下，在涂层中可以保留5％的溶剂残留，而在其它情况下要求小于1％。可以通过热板加热、对流加热、红外加热等等来实现干燥。涂层用光化辐射经含有所需图案的掩模依图像曝光。光致抗蚀剂膜涂覆在底层涂层顶部并烘烤以基本除去该光致抗蚀剂溶剂。可以在涂覆步骤后施加晶边去除液以便用本领域公知的方法清洗衬底的边缘。
光致抗蚀剂可以是半导体行业中使用的任何类型，只要该光致抗蚀剂与该抗反射涂层中的光活性化合物在用于成像过程的曝光波长下基本吸光。用于浸没式光刻法的光致抗蚀剂是优选的。通常，可以使用适于用浸没式光刻法成像的光致抗蚀剂，其中此类光致抗蚀剂具有高于1.85的折射率，并且还是疏水性的，水接触角为75°至95°。
迄今为止，存在几种主要的深紫外(uv)曝光技术，该技术已经在小型化方面提供了显著的进步，并具有250nm至10nm，如248nm、193nm、157nm和13.5nm的光化辐射。通常使用化学增幅型光致抗蚀剂。对于248nm的光致抗蚀剂通常基于取代的聚羟基苯乙烯及其共聚物/鎓盐，如US4,491,628和US5,350,660中描述的那些。另一方面，用于在193nm和157nm下曝光的光致抗蚀剂需要非芳族聚合物，因为芳族化合物在该波长下不透明。US5,843,624和US6,866,984公开了用于193nm曝光的光致抗蚀剂。通常，含有脂环族烃类的聚合物用于在低于200nm下曝光用的光致抗蚀剂。出于很多原因将脂环族烃混入该聚合物中，主要是由于它们具有相对高的碳/氢比，这改善了耐蚀刻性，它们还在低波长下提供透明度，并且它们具有相对高的玻璃化转变温度。US5,843,624公开了通过马来酸酐和不饱和环状单体的自由基聚合获得的用于光致抗蚀剂的聚合物。可以使用任何已知类型的193nm光致抗蚀剂，如在US6,447,980和US6,723,488(其经此引用并入本文)中描述的那些。在157nm下敏感并基于具有氟代醇侧基的氟化聚合物的两种基本类别的光致抗蚀剂已知在该波长下基本透明。一种类别的157nm氟代醇光致抗蚀剂衍生自含有诸如氟化降冰片烯的基团的聚合物，并且是均聚的或使用金属催化或自由基聚合与其它透明单体如四氟乙烯共聚(US6,790,587和US6,849,377)。通常，由于其高脂环族含量，这些材料提供更高的吸光度但具有良好的耐等离子体蚀刻性。最近，描述了一类157nm氟代醇聚合物，其中聚合物骨架衍生自不对称二烯如1,1,2,3,3-五氟-4-三氟甲基-4-羟基-1,6-庚二烯的环化聚合(US6,818,258)或氟二烯与烯烃的共聚合(US6,916,590)。这些材料提供了在157nm下的可接受的吸光度，但是由于它们与氟化降冰片烯聚合物相比较低的脂环族含量而具有较低的耐等离子体蚀刻性。这两类聚合物通常可以共混以提供第一聚合物类型的高耐蚀刻性和第二聚合物类型在157nm下的高透明度之间的平衡。吸收13.5nm的极紫外线辐射(EUV)的光致抗蚀剂也可使用，并在本领域是已知的。由此，在大约12nm至大约250nm范围内吸光的光致抗蚀剂是可用的。该新型涂层还可用于使用纳米压印和电子束抗蚀剂的方法中。
在涂覆工序后，将光致抗蚀剂依图像曝光。该曝光可以使用通常的曝光设备进行。经曝光的光致抗蚀剂随后在含水显影剂中显影以除去处理过的光致抗蚀剂。该显影剂优选是包含例如氢氧化四甲基铵(TMAH)的碱性水溶液，通常包含2.38重量％的TMAH。显影剂可以进一步包含表面活性剂。任选加热步骤可以在显影之前且曝光之后并入该过程。
涂覆和成像光致抗蚀剂的方法是本领域技术人员公知的并可以对所用特定类型光致抗蚀剂进行优化。光致抗蚀剂图案化衬底可以随后用蚀刻气体或气体混合物在合适的蚀刻室中干法蚀刻以去除该底层和任选的其它抗反射涂层的曝光部分。各种蚀刻气体在蚀刻底层涂层的领域是已知的，如包含O2、CF4、CHF3、Cl2、HBr、SO2、CO等等的那些。在一个实施方案中，该制品包含具有高碳抗反射膜的半导体衬底，在其上涂覆新型金属层。光致抗蚀剂层涂覆在其上。该光致抗蚀剂如上文公开的那样成像，并使用包含氟碳化合物的气体干法蚀刻该金属底层。在金属底层蚀刻后，可以使用氧气或氧气混合物干法蚀刻该高碳膜。有利地，新型金属层可以使用如本文中所述的剥离剂去除，所述剥离剂是一种化学溶液。
出于所有目的，上文提到的各文献均经此引用全文并入本文。提供以下具体实施例以便详细说明制造和使用本发明的组合物的方法。但是，这些实施例并非意在以任何方式限制或约束本发明的范围，并且不应解释为提供排它性地用于实施本发明的条件、参数或值。
实施例
下面实施例中碳硬掩模抗反射涂层的折射率(n)和消光系数(k)值在J.A.WoollamVASE32椭圆计上测得。
聚合物分子量在使用Water2695AllianceSeparationModule或等效地装有Waters双波长UV检测器，Model2487，或等效物和Waters示差折射计，Model2414，检测器等效物，如下设定的Shodex柱的凝胶渗透色谱仪上测量：一个ShodexGPCKF-801(1.5×103)柱，两个ShodexGPCKF-802(5×103)柱和一个ShodexGPCKF-804(4×105)柱。流动相为UV稳定的THFHPLC等级，分子量标样设定为由AmericanStandardsCorporation和MilliporeCorporation提供的聚苯乙烯标样或等效物。
使用PerkinElmer-TGA7-热重分析仪在氧气的存在下由50-900℃进行TGA分析。
组合物实施例1
将20.0克来自GelestInc.,MorrisvillePA的丙酸氧化锆放置在反应容器中并添加180克丙二醇单甲醚乙酸酯(PGMEA)。在摇振整夜后，将该制剂经0.2微米过滤器过滤。
组合物实施例2
将18.0克来自AldrichChemicalCompany,St.Louis,MO的碳酸锆铵(20重量％ZrO2)放置在反应容器中并缓慢地逐滴加入18克丙酸。在添加这些酸时，释放出氨和二氧化碳气体。当反应完成时，其形成泡沫类型的白色固体化合物。随后加入30克PGMEA。在摇振2至3小时后，将该制剂通过0.2微米过滤器过滤。
组合物实施例3
将20克获自NyacolNanoTechnology,Inc.,Ashland,MA的用乙酸根离子稳定化的ZrO2纳米粒子的溶液(20重量％)(平均粒度大约5-10纳米，该溶液的初始pH为3.5)放置在反应容器中。在恒定搅拌下逐滴加入10克丙烯酸。加入30克PGMEA与丙二醇单甲醚(PGME)的70/30共混物。在4至5小时的摇振后，将该制剂使用0.2微米过滤器过滤。
组合物实施例4
将15克获自AldrichChemicalCompany的稀乙酸中的乙酸锆溶液(16重量％的Zr)放置在反应容器中并在恒定搅拌下添加10克丙烯酸。随后加入25克ArF稀释剂。在4-5小时摇振后，将该溶液用0.2微米过滤器过滤。
组合物实施例5
将4克乙二醇和20克获自AldrichChemicalCompany的稀乙酸中的乙酸锆溶液(16重量％的Zr)锆添加到反应容器中并缓慢加热以便从该溶液中除去水，提高该前体的粘度并最终形成凝胶。加入2克丙烯酸，随后加入40克PGMEA。
组合物实施例6
将20.0克来自GelestInc.,MorrisvillePA的丙酸氧化锆放置在反应容器中并加入180克PGMEA。在摇振整夜后，该制剂经0.2微米过滤器过滤。加入22.2克实施例9的聚合物在ArF稀释剂中的10％溶液以获得具有90/10的金属氧化物对聚合物的比例的组合物并再次经0.2微米过滤器过滤。
组合物实施例7
将20.0克来自GelestInc.,MorrisvillePA的丙酸氧化锆放置在反应容器中并加入180克PGMEA。在摇振整夜后，该制剂经0.2微米过滤器过滤。加入50.0克实施例9的聚合物在ArF稀释剂中的10％溶液以获得具有80/20的金属氧化物对聚合物的比例的组合物并再次经0.2微米过滤器过滤。
组合物实施例8
将20.0克来自GelestInc.,MorrisvillePA的丙酸氧化锆放置在反应容器中并加入180克PGMEA。在摇振整夜后，该制剂经0.2微米过滤器过滤。加入85.7克实施例9的聚合物在ArF稀释剂中的10％溶液以获得具有70/30的金属氧化物对聚合物的比例的组合物并再次经0.2微米过滤器过滤。
聚合物合成实施例9
将9.7克1,1,1-三氟-2-三氟甲基-2-羟基-4-戊基甲基丙烯酸酯、5.8克甲基丙烯酸苄酯、5.1克甲基丙烯酸2-羟基乙酯和6.4克甲基丙烯酸缩水甘油酯在120克四氢呋喃(THF)溶剂中混合。聚合反应在1.0克偶氮二异丁腈(AIBN)的存在下在75℃下在氮气下进行20小时。在冷却至室温后，该反应混合物在去离子(DI)水中沉淀，将白色聚合物固体洗涤并在真空下在45℃下干燥，产量为26.5克(99％)。通过GPC测得的聚合物的MW为19,000。
评价对溶剂和显影剂的耐受性
在表1中显示的温度下将丙二醇单甲醚乙酸酯/丙二醇单甲醚(PGMEA/PGME)的70:30溶剂分散在涂覆有来自组合物实施例1、6、7和8的材料的硅晶片上。在60秒后用氮气吹扫除去溶剂。没有观察到显著的膜损失。用显影剂2.38重量％氢氧化四甲铵(TMAH)进行类似试验。来自表1和表2的膜显示出对显影剂的良好耐受性。
表1：膜在各种溶剂中的浸泡试验
评价折射率(n)和消光系数(k)
该n和k值可以使用椭圆计如J.A.WoollamWVASEVU-32椭圆计来计算。k和n的最佳范围的确切值取决于所用的曝光波长和应用类型。通常对193nm而言，k的优选范围为大约0.1至大约0.6，对于248nm而言，k的优选范围为大约0.15至大约0.8，但是，其它曝光波长如DUV和超DUV可以使用，并如下表2中所示调整该组合物以便与其结合发挥作用。
表2：组合物实施例的折射率(n)和消光系数(k)
本体抗蚀刻性的评价
使用CF4蚀刻剂进行表3中经固化的膜的本体耐蚀刻性的评估。在500瓦的功率下和137Pa的基础压力下对该涂层施以蚀刻剂达60或40秒。蚀刻速率基于2块晶片的平均值。
表3：在CF4中的实施例的本体抗蚀刻性
本体抗蚀刻性的评价
使用不同的气体，在2Pa/腔室500W/Platen200W/40sccmCl2/4sccmCF4/25sccmAr/266PaHe背压/20℃电极温度的条件下，使用来自ULVACTechnologies,Inc.401GriffinBrookDrive,Methuen,MA的ULVACNE5000N进行具有来自实施例1的材料的经固化的膜的本体抗蚀刻性评估(在250℃/120秒下烘烤)。
表4：不同气体中的本体抗蚀刻性
气体 蚀刻速率纳米/分钟
CF4 53.0
O2/N2/Air 65.3
Cl2/Ar/CF4 46.2
Cl2/O2 29.7
测定固化膜中的金属％
通过元素分析和TGA重量损失测量来测量经固化的金属氧化物膜中的金属重量％。来自两种方法的结果一致。来自实施例1的膜中的金属含量在200℃下达大约60-120秒膜加热后为60重量％。
光刻评价实施例1
使用2110P光致抗蚀剂(AZElectronicMaterialsUSACorp.,Somerville,NJ的产品)来评价Zr金属抗反射涂层制剂的性能。硅晶片用组合物实施例1涂覆并在240℃下烘烤达60秒以形成200nm厚的膜。随后使用160nm的EXPAX2110P光致抗蚀剂膜涂覆在顶部上并在100℃下烘烤达60秒。该晶片随后使用具有0.85的数值孔径(NumericalAperture)(NA)的193nmNikon306D曝光工具以0.85外σ和0.55内σ的Y-偶极子照明进行成像。曝光后的晶片随后在110℃下烘烤60秒，并使用300MIF显影剂(TMAH)(AZElectronic材料USACorp.,Somerville,NJ的产品)显影30秒。当在扫描电子显微镜下观察时，俯视和横截面图案显示在作业窗口中没有显著的崩塌。以36mJ/cm2的感光度(photospeed)在线/间隔81.67nm1:1下观察图案轮廓。
光刻评价实施例2
使用2110P光致抗蚀剂(AZElectronicMaterialsUSACorp.,Somerville,NJ的产品)来评价Zr金属抗反射涂层制剂的性能。硅晶片用来自实施例1的制剂涂覆并在350℃下烘烤120秒以形成200nm厚的膜。随后使用160nm的EXPAX2110P光致抗蚀剂膜涂覆在顶部上并在100℃下烘烤60秒。该晶片随后使用具有0.85的数值孔径(NA)的193nmNikon306D曝光工具以0.85外σ和0.55内σ的Y-偶极子照明进行成像。曝光后的晶片随后在110℃下烘烤60秒，并使用300MIF显影剂(TMAH)显影30秒。当在扫描电子显微镜下观察时，俯视和横截面图案显示在作业窗口中没有显著的崩塌。以30mJ/cm2的感光度在线/间隔80nm、160nm间距下观察图案轮廓。

Claims (14)

1.旋涂组合物，其包含至少一种金属氧化物二羧酸盐和有机溶剂，其中所述金属氧化物二羧酸盐可溶于所述溶剂或在所述溶剂中胶体稳定，并且其中所述金属氧化物二羧酸盐能够在热处理过程中分解以提供经固化的金属氧化物膜。
2.权利要求1的组合物，其中所述二羧酸盐的羧酸根选自取代的C3-C6羧酸根、未取代的C3-C6羧酸根、饱和的C3-C6羧酸根、不饱和的C3-C6羧酸根、支链C3-C6羧酸根和非支链C3-C6羧酸根，并且可以是丙酸根。
3.权利要求1或2的组合物，其中所述金属氧化物二羧酸盐中的金属是选自Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Hf、Ta、W、Re和Ir的至少一种高折射金属。
4.权利要求1至3之一的组合物，其中所述金属氧化物二羧酸盐是纳米粒子。
5.权利要求1至4之一的组合物，其中所述金属氧化物二羧酸盐是二羧酸氧化锆或二羧酸氧化钛。
6.权利要求1至5之一的组合物，进一步包含至少一种聚合物，所述聚合物选自有机聚合物、无机聚合物及其混合物。
7.权利要求6的组合物，其中所述聚合物可以包含至少一种包含疏水部分的结构(1)的单元、至少一种包含发色团部分的结构(2)的单元、至少一种包含交联部分的结构(3)的单元以及任选的包含能够交联所述聚合物的基团的单元，其中结构1-3可以由下式表示：
其中，R1至R9独立地选自氢和C1-C4烷基；W1是完全或部分氟化的基团；X选自F、H和OH；W2是包含发色团的有机部分，且W3Y包含交联位点。
8.制造电子器件的方法，包括：
a.施涂权利要求1至7之一的组合物以形成金属氧化物二羧酸盐膜，和
b.加热经涂覆的衬底，由此形成经固化的金属氧化物膜。
9.权利要求8的方法，其中在加热步骤后所述金属氧化物膜的金属含量为10至85重量％。
10.权利要求8或9的方法，其中在所述金属膜上方形成光致抗蚀剂膜。
11.权利要求8至10之一的方法，其中所述光致抗蚀剂膜用大约12nm至大约250nm范围的辐射成像并显影以形成图案。
12.权利要求8至11之一的方法，其中所述加热步骤在200℃至500℃的范围。
13.权利要求8至12之一的方法，其中所述金属是锆或钛。
14.权利要求8至13之一的方法，其中在加热步骤后所述金属氧化物膜的金属含量为10至70重量％的范围。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109153884A (zh) * 2016-05-19 2019-01-04 三井化学株式会社 含金属膜形成用组合物、含金属膜形成用组合物的制造方法、半导体装置以及半导体装置的制造方法
CN110100206A (zh) * 2016-12-21 2019-08-06 睿智弗尤德收购公司 包含金属氧化物纳米粒子和有机聚合物的旋转涂布材料组合物
CN116601108A (zh) * 2020-12-24 2023-08-15 东京应化工业株式会社 金属氧化物膜形成性组合物、使用其的金属氧化物膜的制造方法、及使金属氧化物膜的体积收缩率降低的方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5889568B2 (ja) 2011-08-11 2016-03-22 メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ ＧｍｂＨ 酸化タングステン膜形成用組成物およびそれを用いた酸化タングステン膜の製造法
US9315636B2 (en) 2012-12-07 2016-04-19 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Stable metal compounds, their compositions and methods
US9296922B2 (en) * 2013-08-30 2016-03-29 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Stable metal compounds as hardmasks and filling materials, their compositions and methods of use
US9409793B2 (en) 2014-01-14 2016-08-09 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Spin coatable metallic hard mask compositions and processes thereof
US9418836B2 (en) 2014-01-14 2016-08-16 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Polyoxometalate and heteropolyoxometalate compositions and methods for their use
US9499698B2 (en) * 2015-02-11 2016-11-22 Az Electronic Materials (Luxembourg)S.A.R.L. Metal hardmask composition and processes for forming fine patterns on semiconductor substrates
TW201741766A (zh) * 2015-12-17 2017-12-01 陶氏全球科技責任有限公司 具有高介電常數之光可成像薄膜
US10241409B2 (en) * 2015-12-22 2019-03-26 AZ Electronic Materials (Luxembourg) S.à.r.l. Materials containing metal oxides, processes for making same, and processes for using same
US20200002568A1 (en) 2017-03-16 2020-01-02 Merck Patent Gmbh Lithographic compositions and methods of use thereof
TWI755564B (zh) 2017-09-06 2022-02-21 德商馬克專利公司 含有旋轉塗佈無機氧化物的組合物、製造電子裝置之方法以及在矽基板上塗佈硬遮罩組合物之方法
US11276572B2 (en) * 2017-12-08 2022-03-15 Tokyo Electron Limited Technique for multi-patterning substrates
US10354922B1 (en) 2017-12-27 2019-07-16 International Business Machines Corporation Simplified block patterning with wet strippable hardmask for high-energy implantation
JP2022540086A (ja) 2019-07-08 2022-09-14 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 洗浄剤並びにエッジ保護層及び残留金属ハードマスク成分を除去するためのそれの使用
US20210389670A1 (en) * 2020-06-12 2021-12-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photoresist composition and method of manufacturing a semiconductor device
WO2022233919A2 (en) 2021-05-06 2022-11-10 Merck Patent Gmbh Spin on metal-organic formulations
KR20240037974A (ko) * 2021-07-28 2024-03-22 제이에스알 가부시끼가이샤 레지스트 하층막 형성용 조성물, 반도체 기판의 제조 방법 및 레지스트 하층막의 형성 방법
WO2023136260A1 (ja) * 2022-01-14 2023-07-20 Jsr株式会社 半導体基板の製造方法、レジスト下層膜の形成方法及び洗浄液
JP2023129266A (ja) 2022-03-03 2023-09-14 信越化学工業株式会社 金属酸化膜形成用組成物、パターン形成方法、及び金属酸化膜形成方法
JP2023166976A (ja) * 2022-05-10 2023-11-22 信越化学工業株式会社 金属酸化膜形成用組成物、パターン形成方法、及び金属酸化膜形成方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070224483A1 (en) * 2004-04-30 2007-09-27 Giulio Alberti Presursor Organic of Tetravalent Metal Phosphates and Pyrophosphates and Their Use for Electrode Modification and for the Preparation of Composite Membrane for Fuel Cells Working at Temperatures>90c and / or at Low Relative Humidity
US20090130591A1 (en) * 2007-11-21 2009-05-21 Huirong Yao Antireflective Coating Composition and Process Thereof
JP2012215878A (ja) * 2011-03-30 2012-11-08 Jsr Corp 多層レジストプロセス用無機膜形成組成物及びパターン形成方法
US20120328990A1 (en) * 2011-06-21 2012-12-27 Az Electronic Materials Usa Corp. Underlayer composition and process thereof

Family Cites Families (104)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3035071A (en) 1957-06-24 1962-05-15 Du Pont Titanium acylate silicone copolymers
US3474054A (en) 1966-09-13 1969-10-21 Permalac Corp The Surface coating compositions containing pyridine salts or aromatic sulfonic acids
US3625934A (en) 1968-07-02 1971-12-07 Jacobus Rinse Oligomers of mixed tetravalent element oxides
US3758269A (en) 1971-10-12 1973-09-11 Sybron Corp Anionically modified nylon in a jute backed carpet cation dyes and long chain alkyl quaternary ammonium salt applied to
US4251665A (en) 1978-05-22 1981-02-17 King Industries, Inc. Aromatic sulfonic acid oxa-azacyclopentane adducts
US4200729A (en) 1978-05-22 1980-04-29 King Industries, Inc Curing amino resins with aromatic sulfonic acid oxa-azacyclopentane adducts
US4347347A (en) 1979-06-28 1982-08-31 Ube Industries, Ltd. Crosslinked organometallic block copolymers and process for production thereof
JPS5694651A (en) * 1979-12-28 1981-07-31 Tokyo Denshi Kagaku Kabushiki Manufacture of material for electronic parts
JPS56119774A (en) * 1980-02-22 1981-09-19 Tokyo Denshi Kagaku Kabushiki Liquid composition for forming metal oxide coat
JPS56159223A (en) 1980-05-13 1981-12-08 Seishi Yajima Production of heat-resistant compound
US4416789A (en) 1982-02-01 1983-11-22 Rca Corporation High density information disc lubricants
US4491628A (en) 1982-08-23 1985-01-01 International Business Machines Corporation Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone
US4526766A (en) 1983-12-13 1985-07-02 Erco Industries Limited Production of red phosphorus
US4529766A (en) 1984-06-08 1985-07-16 The B. F. Goodrich Company Carboxylated rubber composition containing scorch inhibitor
JPS61136683A (ja) * 1984-12-07 1986-06-24 Fuji Photo Film Co Ltd 六方晶系フエライト薄膜の製法
JPS6229016A (ja) * 1985-07-31 1987-02-07 双葉電子工業株式会社 透明導電膜形成液
JPH0610353B2 (ja) * 1986-02-07 1994-02-09 富士写真フイルム株式会社 六方晶系フエライト薄膜の製造法
JPS6356529A (ja) 1986-08-27 1988-03-11 Nissan Chem Ind Ltd 新規チタノシロキサン重合体の製造法
JP2565501B2 (ja) * 1987-02-06 1996-12-18 白水化学工業株式会社 金属材料の高温酸化防止用金属含有組成物の製法
JPS63293178A (ja) * 1987-05-25 1988-11-30 Hakusui Kagaku Kogyo Kk 金属材料の高温酸化防止用金属含有組成物およびその製造法
JPS6452074A (en) * 1987-08-24 1989-02-28 Mitsubishi Electric Corp Coating agent for forming oxide-based superconducting film
JPH0250973A (ja) * 1988-08-10 1990-02-20 Osaka City 黄金色製品およびその製造方法
US5178989A (en) 1989-07-21 1993-01-12 Board Of Regents, The University Of Texas System Pattern forming and transferring processes
JPH03138922A (ja) 1989-10-24 1991-06-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 微細パターン形成方法
DE69125634T2 (de) 1990-01-30 1998-01-02 Wako Pure Chem Ind Ltd Chemisch verstärktes Photolack-Material
US5187019A (en) 1991-09-06 1993-02-16 King Industries, Inc. Latent catalysts
JPH0570717A (ja) * 1991-09-10 1993-03-23 Japan Synthetic Rubber Co Ltd 透明な導電性膜形成用塗布液
JPH0632756A (ja) 1992-07-14 1994-02-08 Ube Ind Ltd ビス（ヒドロキシフェニル）メタン類の製造方法
JP3542156B2 (ja) 1994-02-25 2004-07-14 ダウ コーニング アジア株式会社 有機溶媒に可溶なポリチタノシロキサンの製造方法
US5563228A (en) 1994-02-25 1996-10-08 Dow Corning Asia, Ltd. Method for the preparation of polyheterosiloxanes
EP0696813B1 (en) * 1994-08-11 2002-10-02 Canon Kabushiki Kaisha Use of a solution for fabrication of electron-emitting devices and manufacture method of electron-emitting devices
JP3230395B2 (ja) * 1994-11-17 2001-11-19 三菱マテリアル株式会社 導電膜形成用組成物と導電膜の形成方法
US5843624A (en) 1996-03-08 1998-12-01 Lucent Technologies Inc. Energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material
US5772978A (en) 1996-04-24 1998-06-30 Minnesota Mining And Manufacturing Company Process for producing tungsten oxide
US6808859B1 (en) 1996-12-31 2004-10-26 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. ArF photoresist copolymers
US5879859A (en) 1997-07-16 1999-03-09 International Business Machines Corporation Strippable photoimageable compositions
JPH11258813A (ja) * 1998-03-13 1999-09-24 Jsr Corp 反射防止膜形成用組成物および反射防止膜
JP2000010293A (ja) 1998-06-17 2000-01-14 Jsr Corp 反射防止膜形成用組成物および反射防止膜
US6849377B2 (en) 1998-09-23 2005-02-01 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photoresists, polymers and processes for microlithography
US6790587B1 (en) 1999-05-04 2004-09-14 E. I. Du Pont De Nemours And Company Fluorinated polymers, photoresists and processes for microlithography
US6348299B1 (en) 1999-07-12 2002-02-19 International Business Machines Corporation RIE etch resistant nonchemically amplified resist composition and use thereof
WO2001098834A1 (fr) 2000-06-21 2001-12-27 Asahi Glass Company, Limited Composition de reserve
US6242156B1 (en) 2000-06-28 2001-06-05 Gary Ganghui Teng Lithographic plate having a conformal radiation-sensitive layer on a rough substrate
US6447980B1 (en) 2000-07-19 2002-09-10 Clariant Finance (Bvi) Limited Photoresist composition for deep UV and process thereof
US20020155389A1 (en) 2000-10-24 2002-10-24 Bharath Rangarajan Inverse resist coating process
CN1221861C (zh) 2001-02-09 2005-10-05 旭硝子株式会社 光致抗蚀剂组合物
JP2002363490A (ja) * 2001-06-11 2002-12-18 Jsr Corp 絶縁膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系絶縁膜
US6723488B2 (en) 2001-11-07 2004-04-20 Clariant Finance (Bvi) Ltd Photoresist composition for deep UV radiation containing an additive
US7455955B2 (en) 2002-02-27 2008-11-25 Brewer Science Inc. Planarization method for multi-layer lithography processing
US6740469B2 (en) 2002-06-25 2004-05-25 Brewer Science Inc. Developer-soluble metal alkoxide coatings for microelectronic applications
US6872506B2 (en) 2002-06-25 2005-03-29 Brewer Science Inc. Wet-developable anti-reflective compositions
JP3580547B2 (ja) * 2002-09-30 2004-10-27 三井金属鉱業株式会社 アルコール濃度検出装置およびそれを用いたアルコール濃度検出方法、ならびにアルコール濃度検出センサーの製造方法
JP2004179254A (ja) 2002-11-25 2004-06-24 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP2004179391A (ja) * 2002-11-27 2004-06-24 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 半導体多層配線形成方法
US20040171743A1 (en) 2003-01-21 2004-09-02 Terry Brewer, Ph.D. Hybrid organic-inorganic polymer coatings with high refractive indices
EP1832621B1 (en) 2003-03-14 2017-03-08 Nippon Shokubai Co.,Ltd. Method of surface crosslinking a water-absorbing resin powder
CN100548576C (zh) 2003-04-25 2009-10-14 Jsr株式会社 抛光垫和化学机械抛光方法
DE10352139A1 (de) 2003-11-04 2005-06-09 Basell Polyolefine Gmbh Organoübergangsmetallverbindung, Biscyclopentadienylligandsystem und Verfahren zur Herstellung von Polyolefinen
JP4131864B2 (ja) 2003-11-25 2008-08-13 東京応化工業株式会社 化学増幅型ポジ型感光性熱硬化性樹脂組成物、硬化物の形成方法、及び機能素子の製造方法
DE602004026635D1 (de) 2003-12-26 2010-05-27 Nissan Chemical Ind Ltd Zusammensetzung zur bildung eines nitridbeschichtungsfilms für eine hartmaske
WO2005081065A1 (ja) * 2004-02-20 2005-09-01 Nippon Soda Co., Ltd. 光感応性基体及びパターニング方法
JP4620967B2 (ja) 2004-04-26 2011-01-26 太陽ホールディングス株式会社 永久穴埋め用熱硬化性樹脂組成物
JP4461901B2 (ja) 2004-05-11 2010-05-12 Ｔｄｋ株式会社 ホログラム記録材料及びホログラム記録媒体
KR101001441B1 (ko) 2004-08-17 2010-12-14 삼성전자주식회사 유무기 금속 하이브리드 물질 및 이를 포함하는 유기절연체 조성물
JP4811757B2 (ja) 2004-09-30 2011-11-09 独立行政法人産業技術総合研究所 メソポーラス金属酸化物複合光導波路センサー、その製造方法及びそれを用いたガスセンサー
US7563549B2 (en) 2005-05-20 2009-07-21 Xerox Corporation Imaging member
EP1892089B1 (en) 2005-06-03 2019-05-29 Kuraray Co., Ltd. Gas barrier laminate, method for producing same and package body using same
KR100666477B1 (ko) 2005-06-16 2007-01-11 한국과학기술연구원 산화티타늄 나노로드 및 그의 제조방법
US7326442B2 (en) 2005-07-14 2008-02-05 International Business Machines Corporation Antireflective composition and process of making a lithographic structure
JP4437226B2 (ja) 2005-08-30 2010-03-24 国立大学法人 新潟大学 光触媒膜の製造方法
JP4970271B2 (ja) 2005-09-13 2012-07-04 新日鐵化学株式会社 熱硬化性樹脂組成物
WO2007053396A2 (en) * 2005-10-28 2007-05-10 Dow Global Technologies Inc. Silsesquioxane-titania hybrid polymers
JP4553835B2 (ja) 2005-12-14 2010-09-29 信越化学工業株式会社 反射防止膜材料、及びこれを用いたパターン形成方法、基板
JP5117002B2 (ja) * 2006-07-10 2013-01-09 富士フイルム株式会社 光硬化性組成物およびそれを用いたパターン形成方法
KR20090055025A (ko) 2006-08-29 2009-06-01 제이에스알 가부시끼가이샤 감광성 절연 수지 조성물 및 그의 경화물
US8168372B2 (en) 2006-09-25 2012-05-01 Brewer Science Inc. Method of creating photolithographic structures with developer-trimmed hard mask
JP4204611B2 (ja) 2006-09-25 2009-01-07 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクの製造方法
US7416834B2 (en) 2006-09-27 2008-08-26 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective coating compositions
FR2916199B1 (fr) 2007-05-14 2012-10-19 Inst Francais Du Petrole Procede d'oligomerisation des olefines utilisant une composition catalytique comprenant un complexe organometallique contenant un ligand phenoxy fonctionnalise par un hetero-atome
JP5625210B2 (ja) 2007-12-27 2014-11-19 ナガセケムテックス株式会社 硬化性組成物
JP5512934B2 (ja) * 2008-05-09 2014-06-04 住友化学株式会社 非晶質のＺｒ−Ｏ系粒子を分散質とするゾル、その製造方法、このゾルをバインダーとする光触媒体コーティング液、およびその光触媒体コーティング液を塗布した光触媒機能製品の製造方法
JP5101541B2 (ja) 2008-05-15 2012-12-19 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
JP5503916B2 (ja) 2008-08-04 2014-05-28 富士フイルム株式会社 レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
WO2010021030A1 (ja) 2008-08-20 2010-02-25 富士通株式会社 レジスト増感膜形成用材料、半導体装置の製造方法、半導体装置、及び磁気ヘッド
JP5336306B2 (ja) 2008-10-20 2013-11-06 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜形成方法、これを用いたパターン形成方法、及びレジスト下層膜材料
WO2010047109A1 (ja) 2008-10-23 2010-04-29 国立大学法人三重大学 ポリオルガノシロキサン組成物およびその硬化体
RU2548004C2 (ru) 2009-09-15 2015-04-10 Басф Се Фотолатентные титан-хелатные катализаторы
CN102498440B (zh) 2009-09-16 2016-11-16 日产化学工业株式会社 含有具有磺酰胺基的硅的形成抗蚀剂下层膜的组合物
JP5721992B2 (ja) 2009-10-14 2015-05-20 富士フイルム株式会社 着色硬化性組成物、レジスト液、インクジェット用インク、カラーフィルタ、カラーフィルタの製造方法、固体撮像素子、液晶ディスプレイ、有機ｅｌディスプレイ、画像表示デバイス、及び色素化合物
BR112012020388A2 (pt) 2010-02-15 2016-05-10 Univ Cornell aparelho de eletrofiação para formar nanofibras, processos para preparar uma nanofibra e de eletrofiação, fibra, nanofibra, e, esteira de fibra
EP2400304A1 (en) 2010-06-22 2011-12-28 Centro de Investigación Cooperativa En Biomateriales ( CIC biomaGUNE) Method for the characterization of intermolecular interactions
JP5266294B2 (ja) 2010-11-01 2013-08-21 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜材料及びこれを用いたパターン形成方法
KR102138449B1 (ko) 2011-01-18 2020-07-27 히타치가세이가부시끼가이샤 수지 조성물, 이것을 이용한 프리프레그, 적층판 및 인쇄 배선판
US9281207B2 (en) 2011-02-28 2016-03-08 Inpria Corporation Solution processible hardmasks for high resolution lithography
JP2012237823A (ja) 2011-05-10 2012-12-06 Konica Minolta Business Technologies Inc 電子写真感光体、それを含むプロセスカートリッジおよび画像形成装置
WO2012155264A1 (en) 2011-05-13 2012-11-22 Greencentre Canada Group 11 mono-metallic precursor compounds and use thereof in metal deposition
US8647809B2 (en) * 2011-07-07 2014-02-11 Brewer Science Inc. Metal-oxide films from small molecules for lithographic applications
JP5889568B2 (ja) 2011-08-11 2016-03-22 メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ ＧｍｂＨ 酸化タングステン膜形成用組成物およびそれを用いた酸化タングステン膜の製造法
US9315636B2 (en) 2012-12-07 2016-04-19 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Stable metal compounds, their compositions and methods
JP5830048B2 (ja) 2013-03-15 2015-12-09 信越化学工業株式会社 チタン含有レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法
US20150024522A1 (en) 2013-07-22 2015-01-22 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Organometal materials and process
US9296922B2 (en) 2013-08-30 2016-03-29 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Stable metal compounds as hardmasks and filling materials, their compositions and methods of use
US9409793B2 (en) 2014-01-14 2016-08-09 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Spin coatable metallic hard mask compositions and processes thereof
US9418836B2 (en) 2014-01-14 2016-08-16 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Polyoxometalate and heteropolyoxometalate compositions and methods for their use

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070224483A1 (en) * 2004-04-30 2007-09-27 Giulio Alberti Presursor Organic of Tetravalent Metal Phosphates and Pyrophosphates and Their Use for Electrode Modification and for the Preparation of Composite Membrane for Fuel Cells Working at Temperatures>90c and / or at Low Relative Humidity
US20090130591A1 (en) * 2007-11-21 2009-05-21 Huirong Yao Antireflective Coating Composition and Process Thereof
JP2012215878A (ja) * 2011-03-30 2012-11-08 Jsr Corp 多層レジストプロセス用無機膜形成組成物及びパターン形成方法
US20120328990A1 (en) * 2011-06-21 2012-12-27 Az Electronic Materials Usa Corp. Underlayer composition and process thereof

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109153884A (zh) * 2016-05-19 2019-01-04 三井化学株式会社 含金属膜形成用组合物、含金属膜形成用组合物的制造方法、半导体装置以及半导体装置的制造方法
TWI723164B (zh) * 2016-05-19 2021-04-01 日商三井化學股份有限公司 含金屬膜形成用組成物、含金屬膜形成用組成物的製造方法、半導體裝置及半導體裝置的製造方法
US11209735B2 (en) 2016-05-19 2021-12-28 Mitsui Chemicals, Inc. Composition for forming metal-containing film, method of producing composition for forming metal-containing film, semiconductor device, and method of producing semiconductor device
CN110100206A (zh) * 2016-12-21 2019-08-06 睿智弗尤德收购公司 包含金属氧化物纳米粒子和有机聚合物的旋转涂布材料组合物
CN110100206B (zh) * 2016-12-21 2022-06-17 默克专利有限公司 包含金属氧化物纳米粒子和有机聚合物的旋转涂布材料组合物
CN116601108A (zh) * 2020-12-24 2023-08-15 东京应化工业株式会社 金属氧化物膜形成性组合物、使用其的金属氧化物膜的制造方法、及使金属氧化物膜的体积收缩率降低的方法

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