JPH0570717A - 透明な導電性膜形成用塗布液 - Google Patents

透明な導電性膜形成用塗布液

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JPH0570717A
JPH0570717A JP25716991A JP25716991A JPH0570717A JP H0570717 A JPH0570717 A JP H0570717A JP 25716991 A JP25716991 A JP 25716991A JP 25716991 A JP25716991 A JP 25716991A JP H0570717 A JPH0570717 A JP H0570717A
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acid
coating
anhydride
coating fluid
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Masahiro Takagi
正広 高木
Yasuo Matsuki
安生 松木
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Japan Synthetic Rubber Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】良好な導電性、優れた機械的強度と光透過性、
小さい面内バラツキを有し、タッチパネルや表示装置の
透明電極等に好適な導電膜を形成しうる塗布液を提供す
る。また、凸版、オフセット等の印刷法に好適な粘度を
有し、基板への濡れ性および塗布後のレベリング性が共
に良好な塗布液を提供する。 【構成】硝酸インジウム、有機錫化合物、ヘキシレング
リコール、モノカルボン酸および/またはモノカルボン
酸無水物並びにジカルボン酸および/またはジカルボン
酸無水物を含有する塗布液である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、透明な導電性膜形成用
塗布液に関する。さらに詳しくは、インジウム−錫酸化
物からなる透明な導電性膜(以下、単に「導電膜」とい
う)を形成するに適した塗布液に関する。
【0002】
【従来の技術】導電膜は、例えば液晶デイスプレイ、プ
ラズマデイスプレイ、蛍光表示管、タッチパネル、太陽
電池等の透明電極ならびに航空機、自動車、冷凍ショー
ケース等の窓の防曇あるいは氷着防止用の透明発熱体、
さらに赤外線反射膜、帯電防止膜等としてますます需要
が高まっている。
【0003】このような導電膜の製造法として、有機ま
たは無機金属化合物の溶液を基板に塗布したのち、加熱
焼成することにより、導電膜を形成する方法(以下、単
に「塗布法」という)が検討されている。塗布法は設備
も大がかりなものを必要とせず、また大面積化や大量生
産が容易であるという利点を有している。特に塗布法の
うち印刷法を用いれば、パターン印刷、乾燥、焼成とい
う簡単な工程で基板上に任意の形状の導電膜を形成する
ことが可能である。
【0004】特公昭61−46552号公報には、硝酸
インジウム、活剤および媒体からなり、該媒体が(イ)
水、カルボン酸、多価アルコールおよび多価アルコール
のエーテルの中から選ばれた少なくとも一種と、(ロ)
他の有機溶剤からなる導電膜形成用塗布液が開示されて
いる。同公報には、上記活剤の具体例として、塩化第一
錫、塩化第二錫、臭化第一錫、臭化第二錫、ヨウ化第一
錫、ヨウ化第二錫の如きハロゲン化錫、硝酸錫および酢
酸錫が開示されている。
【0005】特開昭57−36714号公報には、無機
インジウム化合物、配位能を有する有機化合物、錫化合
物、粘性剤および溶剤よりなるか、あるいはそれにさら
に表面活性剤を加えてなる導電膜形成用塗布液が開示さ
れている。同公報には、上記配位能を有する有機化合物
として、ジカルボン酸、ジカルボン酸無水物、ジカルボ
ン酸モノエステルおよびヒドロキシ酸が開示され、また
上記溶剤としては、セロソルブ、ブチルセロソルブ、カ
ルビトール、ブチルカルビトール、メーテルピネオー
ル、トリデカノール、エチレングリコール、ジエチレン
グリコール、ポリエチレングリコール、プロピレングリ
コールおよびポリプロピレングリコールが開示されてい
る。
【0006】また、特開昭56−126209号公報、
特開昭56−5355号公報、特公昭58−54089
号公報および特公昭58−54090号公報にも同様の
組成の導電膜形成用塗布液が開示されている。
【0007】特開昭57−138708号公報には、イ
ンジウム化合物、錫化合物および溶剤を含み、そして錫
化合物が下記一般式 (R)aSn(NO3b(X)4-a-b ここで、Rは炭素数4以下のアルキル基であり、Xは水
酸基、ハロゲンイオンあるいはカルボキシル基を有する
基であり、a、bは1〜3である、で表わされる化合物
であることを特徴とする導電膜形成用組成物が開示され
ている。同公報には、上記溶剤としてメチルアルコー
ル、エチルアルコール、プロピルアルコール、イソプロ
ピルアルコール、エチルセロソルブ、ブチルセロソル
ブ、エチルカルビトール、ブチルカルビトール、エチレ
ングリコール、プロピレングリコールおよびジエチレン
グリコールが開示されている。
【0008】さらに、特開昭57−212268号公報
には、インジウム化合物(またはアンチモン化合物)、
錫化合物、有機溶剤およびセルロース化合物からなり、
そして上記錫化合物が下記式 RxSn(NO3y4-x-y ここで、Rは炭素数4以下のアルキル基であり、Xは水
酸基、ハロゲンイオンあるいは炭素数4以下のカルボン
酸イオンであり、そしてx+y≦4である、で表わされ
る化合物であることを特徴とする導電膜形成用ペースト
状組成物が開示されている。
【0009】
【発明が解決しようとする問題点】導電膜には、良好な
導電性に加え、機械的強度に優れ、高い光透過性を有
し、かつ膜厚、屈折率等の面内ばらつきが非常に小さい
ことが要求される。しかしながら上記従来法で得られる
如き、塗布法によって形成した導電膜は、これらの特性
を十分に満たすものではなかった。
【0010】本発明は、上記のような従来技術に伴う問
題点を解決しようとするものであって、導電性、機械的
強度、光透過性等に優れ、面内ばらつきが小さい導電膜
を、塗布法によって形成することを目的とするものであ
る。
【0011】本発明の他の目的は、シート抵抗が100
Ω/□以下であるような優れた導電性を有し、そして表
示装置の透明電極等の低抵抗値が要求される用途分野に
好適に使用しうる導電膜を与えることのできる塗布液を
提供することにある。
【0012】本発明のさらに他の目的および利点は以下
の説明から明らかとなろう。本発明によれば、本発明の
上記目的および利点は、(a)硝酸インジウム、(b)
有機錫化合物、(c)ヘキシレングリコール、(d)モ
ノカルボン酸および/またはモノカルボン酸無水物並び
に(e)ジカルボン酸および/またはジカルボン酸無水
物を含有することを特徴とする透明な導電性膜形成用塗
布液によって達成される。
【0013】本発明の塗布液、すなわち導電膜を形成す
るための塗布液は、上記の如く、(a)〜(e)の5成
分からなる。即ち、(a)成分の硝酸インジウム、
(b)成分の有機錫化合物、(c)成分のヘキシレング
リコール、(d)成分のモノカルボン酸、モノカルボン
酸無水物またはこれらの混合物および(e)成分のジカ
ルボン酸、ジカルボン酸無水物またはこれらの混合物の
5成分である。有機錫化合物((b)成分)は形成され
る塗膜に高い導電性を付与するための成分であり、
【0014】下記式(I) (R12SnO ...(I) ここでR1はアルキル基を示す、で表わされるジアルキ
ル錫オキサイド、
【0015】下記式(II) Sn(X)2 ...(II) ここでxはβ−ジケトニル基を示す、で表わされるビス
(β−ジケトニル)錫 および
【0016】下記式(III) (R22Sn(Y)2 ...(III) ここでR2はアルキル基を示し、そしてYはカルボキシ
ル基を有する基、β−ジケトニル基またはハロゲンを示
す、で表わされる有機錫のいずれかであることが好まし
い。
【0017】上記式(I)において、R1はアルキル基
である。アルキル基としては直鎖状であっても分岐鎖状
であってもよく、好ましくは炭素数1〜4を有する。か
かるアルキル基としては、例えばメチル、エチル、n−
プロピル、iso−プロピル、n−ブチル、tert−
ブチル、iso−ブチル、sec−ブチル等を挙げるこ
とができる。
【0018】上記式(I)で表わされるジアルキル錫オ
キサイドとしては、例えばジメチル錫オキサイド、ジエ
チル錫オキサイド、ジ−n−プロピル錫オキサイド、ジ
−iso−プロピル錫オキサイド、ジ−n−ブチル錫オ
キサイド、ジ−tert−ブチル錫オキサイド、ジ−i
so−ブチル錫オキサイド、ジ−sec−ブチル錫オキ
サイド等を挙げることができる。
【0019】上記式(II)において、xはβ−ジケト
ニル基を示す。
【0020】上記式(II)で表わされる化合物として
は、例えば錫ジアセチルアセトナート、錫ジベンゾイル
アセトナート、錫ジベンゾイルメタナート等を挙げるこ
とができる。
【0021】上記式(III)において、R2は、アル
キル基を示し、Yはカルボキシル基を有する基、β−ジ
ケトニル基またはハロゲンを示す。
【0022】アルキル基としては、直鎖状であっても分
岐鎖状であってもよく、好ましくは炭素数1〜4を有す
る。かかるアルキル基としては、R1のアルキル基につ
いて上記したものと同じものを例示することができる。
【0023】ハロゲンとしては、フツ素、塩素、臭素あ
るいはヨウ素を挙げることができる。これらのうち塩素
が好ましい。
【0024】上記式(III)で表わされる化合物とし
ては、例えばジ−n−ブチル錫ジアセテート、ジ−is
o−プロピル錫ジアセテート、ジメチル錫ジアセテー
ト、ジ−n−ブチル錫ジ2−エチルヘキサネート、ジ−
n−ブチル錫ジラウレート、ジ−n−ブチル錫マレエー
ト、ジーnーブチル錫シトラコネート、ジ−n−ブチル
錫ジアセチルアセトナート、ジメチル錫ジアセチルアセ
トナート、ジ−n−ブチル錫ジクロライド、ジメチル錫
ジクロライド等を挙げることができる。
【0025】有機錫化合物((b)成分)は単独である
いは2種以上一緒に併用することができる。かかる有機
錫化合物は、硝酸インジウムに対しインジウムと錫の合
計の原子数に対する錫の原子数の比[Sn/(In+S
n)]が、好ましくは0.1〜30原子%、特に好まし
くは1〜20原子%となるような割合で使用される。そ
の使用量が上記範囲よりも多くても少なくても、得られ
る導電膜の導電性は低下する傾向にある。
【0026】ヘキシレングリコール((c)成分)は本
発明の塗布液の主溶媒である。適度な粘度を有し、高沸
点、低飽和蒸気圧のヘキシレングリコールを主溶媒とし
て用いることにより、基板への濡れ性、塗布作業中の粘
度安定性および塗布後のレベリング性に優れた透明な導
電膜形成用塗布液が得られる。
【0027】かかるヘキシレングリコールは、塗布液中
の硝酸インジウムおよび有機錫化合物の合計の濃度が5
〜45重量%となる割合で使用するのが好ましく、15
〜30重量%となる割合で使用するのがより好ましい。
【0028】モノカルボン酸および/またはモノカルボ
ン酸無水物((d)成分)としては、例えば酢酸、プロ
ピオン酸、酪酸、吉草酸、ヘキサン酸、オクタン酸、2
−エチルヘキサン酸およびそれらの無水物が挙げられ
る。好ましくは酢酸、プロピオン酸およびそれらの無水
物、特に好ましくは酢酸および無水酢酸が使用される。
無水物を用いた方が塗布液の保存安定性が良好である。
【0029】かかるモノカルボン酸および/またはモノ
カルボン酸無水物は、硝酸インジウム1モルに対し、カ
ルボキシル基(酸無水物の場合には全ての無水物基が開
裂したとして)が0.5〜12モルとなる割合として使
用するのが好ましく、2〜7モルとなる割合で使用する
のがより好ましい。
【0030】モノカルボン酸および/またはモノカルボ
ン酸無水物の使用量が、上記割合より少ない場合には均
一な塗布液が作製し難くなる傾向が大きく、また上記割
合より多い場合には塗布液の保存安定性が低下する傾向
が大きくなる。
【0031】ジカルボン酸および/またはジカルボン酸
無水物((e)成分)は、金属間のインターラクション
を高め、形成される導電膜の結晶性を向上させるための
成分であり、例えばシュウ酸、マロン酸、コハク酸、グ
ルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、メチ
ルマロン酸、メチルコハク酸、マレイン酸、フマル酸、
シトラコン酸、メサコン酸、2,3−ジメチルマレイン
酸、イタコン酸、フタル酸、テトラヒドロフタル酸、ヘ
キサヒドロフタル酸およびそれらの無水物が挙げられ
る。
【0032】こられのうち、好ましくはコハク酸、グル
タル酸、アジピン酸、メチルコハク酸、マレイン酸、シ
トラコン酸、イタコン酸およびそれらの無水物が使用さ
れる。特に好ましくはコハク酸、マレイン酸、シトラコ
ン酸およびそれらの無水物が使用される。無水物を用い
た方が塗布液の保存安定性が良好である。
【0033】かかるジカルボン酸および/またはジカル
ボン酸無水物は、硝酸インジウム1モルに対し、カルボ
キシル基(無水物の場合には全ての無水物基が開裂した
として)が0.2〜6モルの割合で使用するのが好まし
く、0.5〜3モルとなる割合で使用するのがより好ま
しい。
【0034】ジカルボン酸および/またはジカルボン酸
無水物の使用量が、上記割合より少ない場合は導電性向
上の効果が少なく、また、上記割合より多い場合は焼成
時に塗膜にクラックが生じる傾向が大きくなる。
【0035】また、上記主成分の他に、さらに塗布法に
応じて、他の有機溶媒を適宜添加してもよい。本発明の
塗布液は、通常、上記(a)、(b)、(c)、(d)
および(e)成分を含有してなる透明で均一な溶液であ
る。かかる溶液は、例えばこれらの成分を、室温〜10
0℃の間の温度に、3分間〜20時間の間、攪拌するこ
とにより得られる。また別法として、かかる溶液は
(a)、(b)、(c)および(d)成分からなる均一
な溶液を得た後、(e)成分を添加することによっても
得られる。かかる溶液は好ましくは50〜100cpの
粘度に調製される。
【0036】本発明によつて得られる導電膜形成用塗布
液は、スピンコートあるいは凸版、オフセット等の印刷
法に好適な粘度を有し、基板への濡れ性も申し分ない。
また塗布作業中の粘度安定性および塗布後のレベリング
性がともに良好であるため、膜厚や屈折率等の面内ばら
つきが非常に小さい導電膜が得られる。さらに、本発明
による塗布液から得られる導電膜は、ガラス基板をレフ
ァレンスとした場合の光透過率が例えば97%以上と極
めて高く(導電膜被着ガラスの全光透過率は92%以
上)、硬度も鉛筆硬度で9H前後と良好である上に、導
電性が従来品と比較して著しく改善されている(比抵抗
が10-4Ωcmオーダー)。したがって、タッチパネルや
帯電防止用に加えて、より低抵抗が要求される表示装置
の透明電極等にも使用可能である。
【0037】本発明によれば、上記塗布液を下記の如く
して基板上に塗布し、乾燥後焼成することにより上記の
如き優れた諸性質を備えた導電膜が得られる。
【0038】塗布液の塗布方法は特に限定されず、例え
ば浸漬法、スピンコート法、印刷法等の従来公知の方法
がいずれも使用可能である。
【0039】一般に乾燥は、塗布液が塗布された基板を
50℃〜150℃の温度に15分間〜3時間保持するこ
とによって行われる。
【0040】本発明において用いる基板は、後述する焼
成に耐え得るものであれば特に限定されず、用途に応じ
て種々のものを利用することができる。ガラスを基板と
して利用する場合には、ソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸
ガラス、石英ガラス等が使用できるが、コスト的にはソ
ーダ石灰ガラスが有利である。また液晶表示装置等、特
に低抵抗が要求される場合は、アルカリ成分等の不純物
の溶出を防止するために、石英ガラスあるいは表面にシ
リカをコーテイングしたソーダ石灰ガラスを用いること
もできる。
【0041】焼成は通常2段階で行なわれ、まず、酸化
性雰囲気において300〜450℃の温度で5分間〜6
0分間、次いで、不活性雰囲気において400〜750
℃の温度で5分間〜2時間焼成する。後半の焼成を、微
量の酸素(5〜1000ppm)を含有する不活性ガス
中で行なうと、得られる膜の導電性が低下するものの、
硬度および光透過率は増加する傾向にある。
【0042】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳細に説明する
が、本発明はこれらの実施例により何ら制約されるもの
ではない。
【0043】実施例1 硝酸インジウム3水和物10g、錫ジアセチルアセトナ
ート0.72g、ヘキシレングリコール30g、無水酢
酸5.75gおよび無水コハク酸2.82gを70℃で5
分間攪拌し、導電膜形成用塗布液を調製した[Sn/
(In+Sn)=7.5原子%]。シリカを表面にコー
ティングしたソーダ石灰ガラス基板上に、前記塗布液を
スピンナーを用いて3500rpmの回転速度で30秒
間塗布し、80℃で30分間乾燥させた。次いで、酸素
中にて420℃で25分間焼成を行なったのち、温度を
保ったまま窒素を流入させ、窒素中にて520℃で1時
間焼成を行なって厚さ1200オングストロームの導電
膜を得た。
【0044】この導電膜について、シート抵抗を四端子
法を用いて測定し、可視光透過率を分光光度計、硬度を
エンピツ硬度計でそれぞれ測定した。その結果を表1に
示す。
【0045】実施例2 硝酸インジウム3水和物10g、ジ−n−ブチル錫オキ
サイド0.57g、ヘキシレングリコール20gおよび
無水酢酸7.18gを70℃で5分間攪拌し、透明で均
一な溶液を得た。これに、無水マレイン酸1.38gを
添加し、室温で2時間攪拌して溶解させ導電膜形成用塗
布液を調製した[Sn/(In+Sn)=7.5原子
%]。この塗布液を用いた以外は実施例1と同様にして
厚さ1300オングストロームの導電膜を得た。この導
電膜の諸特性を表1に示す。
【0046】実施例3 硝酸インジウム3水和物10g、ジ−n−ブチル錫ジ2
ーエチルヘキサネート1.19g、ヘキシレングリコー
ル30g、無水酢酸7.18gおよび無水シトラコン酸
1.58gを70℃で5分間攪拌し、導電膜形成用塗布
液を調製した[Sn/(In+Sn)=7.5原子
%]。この塗布液を用いた以外は実施例1と同様にして
厚さ1200オングストロームの導電膜を得た。この導
電膜の諸特性を表1に示す。
【0047】実施例4 硝酸インジウム3水和物10g、ジ−n−ブチル錫マレ
エート0.79g、ヘキシレングリコール20g、酢酸
6.76gおよびマレイン酸3.27gを70℃で5分間
攪拌し、導電性膜形成用塗布液を調製した[Sn/(I
n+Sn)=7.5原子%]。この塗布液を用いた以外
は実施例1と同様にして厚さ1200オングストローム
の導電膜を得た。この導電膜の諸特性を表1に示す。
【0048】実施例5 硝酸インジウム3水和物10g、錫ジアセチルアセトナ
ート0.72g、ヘキシレングリコール30g、無水プ
ロピオン酸9.15gおよび無水マレイン酸1.38gを
70℃で5分間攪拌し、導電膜形成用塗布液を調製した
[Sn/(In+Sn)=7.5原子%]。この塗布液
を用いた以外は実施例1と同様にして厚さ1200オン
グストロームの導電膜を得た。この導電膜の諸特性を表
1に示す
【0049】実施例6 シリカを表面にコーテイングしたソーダ石灰ガラス基板
上に、実施例1で作製した塗布液を凸版印刷法により塗
布し、80℃で30分間乾燥させた。次いで実施例1と
同様にして焼成を行ない、厚さ700オングストローム
の導電膜を得た。この導電膜の諸特性を表1に示す。
【0050】
【表1】
【0051】
【発明の効果】本発明に係わる導電膜形成用塗布液を用
いることにより、導電性が良好で、機械的強度、光透過
性に優れ、面内ばらつきが小さい、タッチパネルや表示
装置の透明電極等に好適な導電膜を形成することができ
る。
【0052】本発明に係わる導電膜形成用塗布液は、凸
版、オフセット等の印刷法に好適な粘度を有し、基板へ
の濡れ性および塗布液のレベリング性がともに良好であ
るため、パターン印刷、乾燥、焼成という簡単な工程で
基板上に任意の形状の導電膜を形成することが可能であ
る。
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01B 13/00 503 C 7244−5G

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 (a)硝酸インジウム、(b)有機錫化
    合物、(c)ヘキシレングリコール、(d)モノカルボ
    ン酸および/またはモノカルボン酸無水物並びに(e)
    ジカルボン酸および/またはジカルボン酸無水物、を含
    有することを特徴とする透明な導電性膜形成用塗布液。
JP25716991A 1991-09-10 1991-09-10 透明な導電性膜形成用塗布液 Withdrawn JPH0570717A (ja)

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002068744A (ja) * 2000-08-30 2002-03-08 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 酸化錫添加酸化インジウム粉末及びその製造方法
JP2006028431A (ja) * 2004-07-20 2006-02-02 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 透明導電膜とその製造方法、及び透明導電膜形成用塗布液
JP2016532739A (ja) * 2013-06-28 2016-10-20 アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ(ルクセンブルグ)ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ 可溶性金属酸化物カルボキシレートのスピンオン組成物及びそれらの使用方法
WO2019181833A1 (ja) * 2018-03-22 2019-09-26 三菱マテリアル株式会社 金属酸化物微粒子とその製造方法、赤外線遮蔽膜形成用分散液とその製造方法、赤外線遮蔽膜の形成方法並びに赤外線遮蔽膜付き基材
US11365129B2 (en) 2017-02-06 2022-06-21 Mitsubishi Materials Corporation Method for producing metal oxide particles, method for producing dispersion of metal oxide particles, and method for producing infrared shielding film
US11535523B2 (en) 2018-02-14 2022-12-27 Mitsubishi Materials Corporation Method for producing metal oxide dispersion liquid and method for producing infrared-radiation-shielding film

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002068744A (ja) * 2000-08-30 2002-03-08 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 酸化錫添加酸化インジウム粉末及びその製造方法
JP2006028431A (ja) * 2004-07-20 2006-02-02 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 透明導電膜とその製造方法、及び透明導電膜形成用塗布液
JP4655529B2 (ja) * 2004-07-20 2011-03-23 住友金属鉱山株式会社 透明導電膜とその製造方法、及び透明導電膜形成用塗布液
JP2016532739A (ja) * 2013-06-28 2016-10-20 アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ(ルクセンブルグ)ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ 可溶性金属酸化物カルボキシレートのスピンオン組成物及びそれらの使用方法
US11365129B2 (en) 2017-02-06 2022-06-21 Mitsubishi Materials Corporation Method for producing metal oxide particles, method for producing dispersion of metal oxide particles, and method for producing infrared shielding film
US11535523B2 (en) 2018-02-14 2022-12-27 Mitsubishi Materials Corporation Method for producing metal oxide dispersion liquid and method for producing infrared-radiation-shielding film
WO2019181833A1 (ja) * 2018-03-22 2019-09-26 三菱マテリアル株式会社 金属酸化物微粒子とその製造方法、赤外線遮蔽膜形成用分散液とその製造方法、赤外線遮蔽膜の形成方法並びに赤外線遮蔽膜付き基材
US11796725B2 (en) 2018-03-22 2023-10-24 Mitsubishi Materials Corporation Metal oxide microparticles, method for producing same, dispersion for forming infrared-shielding film, method for producing same, method for forming infrared-shielding film, and base material having infrared-shielding film

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