JPH0532917A - 透明な導電性膜形成用塗布液 - Google Patents
透明な導電性膜形成用塗布液Info
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- JPH0532917A JPH0532917A JP20890591A JP20890591A JPH0532917A JP H0532917 A JPH0532917 A JP H0532917A JP 20890591 A JP20890591 A JP 20890591A JP 20890591 A JP20890591 A JP 20890591A JP H0532917 A JPH0532917 A JP H0532917A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】良好な導電性、優れた機械的強度と光透過性、
小さい面内バラツキを有し、タッチパネルや表示装置の
透明電極等に好適な導電性を形成しうる塗布液を提供す
る。また、凸版、オフセット等の印刷法に好適な粘度を
有し、基板への濡れ性および塗布後のレベリング性が共
に良好な塗布液を提供する。 【構成】硝酸インジウム、有機錫化合物、ヘキシレング
リコール、酢酸および／または無水酢酸並びにケトン酸
および／またはその酸無水物を含有する塗布液である。
小さい面内バラツキを有し、タッチパネルや表示装置の
透明電極等に好適な導電性を形成しうる塗布液を提供す
る。また、凸版、オフセット等の印刷法に好適な粘度を
有し、基板への濡れ性および塗布後のレベリング性が共
に良好な塗布液を提供する。 【構成】硝酸インジウム、有機錫化合物、ヘキシレング
リコール、酢酸および／または無水酢酸並びにケトン酸
および／またはその酸無水物を含有する塗布液である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、透明な導電性膜形成用
塗布液に関する。さらに詳しくは、インジウム−錫酸化
物からなる透明な導電性膜（以下、単に「導電膜」とい
う）を形成するに適した塗布液に関する。
塗布液に関する。さらに詳しくは、インジウム−錫酸化
物からなる透明な導電性膜（以下、単に「導電膜」とい
う）を形成するに適した塗布液に関する。
【０００２】
【従来の技術】導電膜は、例えば液晶デイスプレイ、プ
ラズマデイスプレイ、蛍光表示管、タッチパネル、太陽
電池等の透明電極ならびに航空機、自動車、冷凍ショー
ケース等の窓の防曇あるいは氷着防止用の透明発熱体、
さらに赤外線反射膜、帯電防止膜等としてますます需要
が高まっている。
ラズマデイスプレイ、蛍光表示管、タッチパネル、太陽
電池等の透明電極ならびに航空機、自動車、冷凍ショー
ケース等の窓の防曇あるいは氷着防止用の透明発熱体、
さらに赤外線反射膜、帯電防止膜等としてますます需要
が高まっている。
【０００３】このような導電膜の製造法として、有機ま
たは無機金属化合物の溶液を基板に塗布したのち、加熱
焼成することにより、導電膜を形成する方法（以下、単
に「塗布法」という）が検討されている。塗布法は設備
も大がかりなものを必要とせず、また大面積化や大量生
産が容易であるという利点を有している。特に塗布法の
うち印刷法を用いれば、パターン印刷、乾燥、焼成とい
う簡単な工程で基板上に任意の形状の導電膜を形成する
ことが可能である。
たは無機金属化合物の溶液を基板に塗布したのち、加熱
焼成することにより、導電膜を形成する方法（以下、単
に「塗布法」という）が検討されている。塗布法は設備
も大がかりなものを必要とせず、また大面積化や大量生
産が容易であるという利点を有している。特に塗布法の
うち印刷法を用いれば、パターン印刷、乾燥、焼成とい
う簡単な工程で基板上に任意の形状の導電膜を形成する
ことが可能である。
【０００４】特公昭６１−４６５５２号公報には、硝酸
インジウム、活剤および媒体からなり、該媒体が（イ）
水、カルボン酸、多価アルコールおよび多価アルコール
のエーテルの中から選ばれた少なくとも一種と、（ロ）
他の有機溶剤からなる導電膜形成用塗布液が開示されて
いる。同公報には、上記活剤の具体例として、塩化第一
錫、塩化第二錫、臭化第一錫、臭化第二錫、ヨウ化第一
錫、ヨウ化第二錫の如きハロゲン化錫、硝酸錫および酢
酸錫が開示されている。
インジウム、活剤および媒体からなり、該媒体が（イ）
水、カルボン酸、多価アルコールおよび多価アルコール
のエーテルの中から選ばれた少なくとも一種と、（ロ）
他の有機溶剤からなる導電膜形成用塗布液が開示されて
いる。同公報には、上記活剤の具体例として、塩化第一
錫、塩化第二錫、臭化第一錫、臭化第二錫、ヨウ化第一
錫、ヨウ化第二錫の如きハロゲン化錫、硝酸錫および酢
酸錫が開示されている。
【０００５】特開昭５７−３６７１４号公報には、無機
インジウム化合物、配位能を有する有機化合物、錫化合
物、粘性剤および溶剤よりなるか、あるいはそれにさら
に表面活性剤を加えてなる導電膜形成用塗布液が開示さ
れている。同公報には、上記配位能を有する有機化合物
として、ジカルボン酸、ジカルボン酸無水物、ジカルボ
ン酸モノエステルおよびヒドロキシ酸が開示され、また
上記溶剤としては、セロソルブ、ブチルセロソルブ、カ
ルビトール、ブチルカルビトール、メーテルピネオー
ル、トリデカノール、エチレングリコール、ジエチレン
グリコール、ポリエチレングリコール、プロピレングリ
コールおよびポリプロピレングリコール等が開示されて
いる。
インジウム化合物、配位能を有する有機化合物、錫化合
物、粘性剤および溶剤よりなるか、あるいはそれにさら
に表面活性剤を加えてなる導電膜形成用塗布液が開示さ
れている。同公報には、上記配位能を有する有機化合物
として、ジカルボン酸、ジカルボン酸無水物、ジカルボ
ン酸モノエステルおよびヒドロキシ酸が開示され、また
上記溶剤としては、セロソルブ、ブチルセロソルブ、カ
ルビトール、ブチルカルビトール、メーテルピネオー
ル、トリデカノール、エチレングリコール、ジエチレン
グリコール、ポリエチレングリコール、プロピレングリ
コールおよびポリプロピレングリコール等が開示されて
いる。
【０００６】特開昭５７−１３８７０８号公報には、イ
ンジウム化合物、錫化合物および溶剤を含み、そして錫
化合物が下記一般式 （Ｒ）aＳｎ（ＮＯ3）b（Ｘ）4-a-b ここで、Ｒは炭素数４以下のアルキル基であり、Ｘは水
酸基、ハロゲンイオンあるいはカルボキシル基を有する
基であり、ａ、ｂは１〜３である、で表わされる化合物
であることを特徴とする導電膜形成用組成物が開示され
ている。同公報には、上記溶剤としてメチルアルコー
ル、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、エチ
ルセロソルブ、ブチルセロソルブ、エチルカルビトー
ル、ブチルカルビトール、エチレングリコール、プロピ
レングリコールおよびジエチレングリコールが開示され
ている。
ンジウム化合物、錫化合物および溶剤を含み、そして錫
化合物が下記一般式 （Ｒ）aＳｎ（ＮＯ3）b（Ｘ）4-a-b ここで、Ｒは炭素数４以下のアルキル基であり、Ｘは水
酸基、ハロゲンイオンあるいはカルボキシル基を有する
基であり、ａ、ｂは１〜３である、で表わされる化合物
であることを特徴とする導電膜形成用組成物が開示され
ている。同公報には、上記溶剤としてメチルアルコー
ル、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、エチ
ルセロソルブ、ブチルセロソルブ、エチルカルビトー
ル、ブチルカルビトール、エチレングリコール、プロピ
レングリコールおよびジエチレングリコールが開示され
ている。
【０００７】さらに、特開昭５７−２１２２６８号公報
には、インジウム化合物（またはアンチモン化合物）、
錫化合物、有機溶剤およびセルロース化合物からなり、
そして上記錫化合物が下記式 ＲxＳｎ（ＮＯ3）yＸ4-x-y ここで、Ｒは炭素数４以下のアルキル基であり、Ｘは水
酸基、ハロゲンイオンあるいは炭素数４以下のカルボン
酸イオンであり、そしてｘ＋ｙ≦４である、で表わされ
る化合物であることを特徴とする導電膜形成用ペースト
状組成物が開示されている。
には、インジウム化合物（またはアンチモン化合物）、
錫化合物、有機溶剤およびセルロース化合物からなり、
そして上記錫化合物が下記式 ＲxＳｎ（ＮＯ3）yＸ4-x-y ここで、Ｒは炭素数４以下のアルキル基であり、Ｘは水
酸基、ハロゲンイオンあるいは炭素数４以下のカルボン
酸イオンであり、そしてｘ＋ｙ≦４である、で表わされ
る化合物であることを特徴とする導電膜形成用ペースト
状組成物が開示されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする問題点】導電膜には、良好な
導電性に加え、機械的強度に優れ、高い光透過性を有
し、かつ膜厚、屈折率等の面内ばらつきが非常に小さい
ことが要求される。しかしながら上記従来法で得られる
如き、塗布法によって形成した導電膜は、これらの特性
を十分に満たすものではなかった。
導電性に加え、機械的強度に優れ、高い光透過性を有
し、かつ膜厚、屈折率等の面内ばらつきが非常に小さい
ことが要求される。しかしながら上記従来法で得られる
如き、塗布法によって形成した導電膜は、これらの特性
を十分に満たすものではなかった。
【０００９】本発明は、上記のような 従来技術に伴う
問題点を解決しようとするものであって、導電性、機械
的強度、光透過性等に優れ、面内ばらつきが小さい導電
膜を、塗布法によって形成することを目的とするもので
ある。
問題点を解決しようとするものであって、導電性、機械
的強度、光透過性等に優れ、面内ばらつきが小さい導電
膜を、塗布法によって形成することを目的とするもので
ある。
【００１０】本発明の他の目的は、シート抵抗が２００
Ω／□以下であるような優れた導電性を有し、そして表
示装置の透明電極等の低抵抗値が要求される用途分野に
好適に使用しうる導電膜を与えることのできる塗布液を
提供することにある。
Ω／□以下であるような優れた導電性を有し、そして表
示装置の透明電極等の低抵抗値が要求される用途分野に
好適に使用しうる導電膜を与えることのできる塗布液を
提供することにある。
【００１１】本発明のさらに他の目的および利点は以下
の説明から明らかとなろう。本発明によれば、本発明の
上記目的および利点は、(a)硝酸インジウム、(b)有機錫
化合物、(c)ヘキシレングリコール、(d)酢酸および／ま
たは無水酢酸並びに(e)下記式 ＲＣＯ（ＣＨ2）nＣＯＯＨ ここでＲは炭化水素基であり、そしてｎは０〜２であ
る、で表わされる少なくとも１種のケトン酸および／ま
たはその酸無水物、を含有することを特徴とする透明な
導電性膜形成用塗布液によって達成される。
の説明から明らかとなろう。本発明によれば、本発明の
上記目的および利点は、(a)硝酸インジウム、(b)有機錫
化合物、(c)ヘキシレングリコール、(d)酢酸および／ま
たは無水酢酸並びに(e)下記式 ＲＣＯ（ＣＨ2）nＣＯＯＨ ここでＲは炭化水素基であり、そしてｎは０〜２であ
る、で表わされる少なくとも１種のケトン酸および／ま
たはその酸無水物、を含有することを特徴とする透明な
導電性膜形成用塗布液によって達成される。
【００１２】本発明の塗布液、すなわち導電膜を形成す
るための塗布液は、上記の如く、(a)〜(e)の５成分から
なる。即ち、(a)成分の硝酸インジウム、(b)成分の有機
錫化合物、(c)成分のヘキシレングリコール、(d)成分の
酢酸、無水酢酸またはこれらの混合物および(e)成分の
ケトン酸、ケトン酸無水物またはこれらの混合物の５成
分である。有機錫化合物（(b)成分）は形成される塗膜
に高い導電性を付与するための成分であり、
るための塗布液は、上記の如く、(a)〜(e)の５成分から
なる。即ち、(a)成分の硝酸インジウム、(b)成分の有機
錫化合物、(c)成分のヘキシレングリコール、(d)成分の
酢酸、無水酢酸またはこれらの混合物および(e)成分の
ケトン酸、ケトン酸無水物またはこれらの混合物の５成
分である。有機錫化合物（(b)成分）は形成される塗膜
に高い導電性を付与するための成分であり、
【００１３】下記式（Ｉ） （Ｒ1）2ＳｎＯ ...（Ｉ） ここでＲ1はアルキル基を示す、で表わされるジアルキ
ル錫オキサイド、
ル錫オキサイド、
【００１４】下記式（ＩＩ） Ｓｎ（Ｘ）2 ...（ＩＩ） ここでｘはβ−ジケトニル基を示す、で表わされるビス
（β−ジケトニル）錫 および
（β−ジケトニル）錫 および
【００１５】下記式（ＩＩＩ） （Ｒ2）2Ｓｎ（Ｙ）2 ...（ＩＩＩ） ここでＲ2はアルキル基を示し、そしてＹはカルボキシ
ル基を有する基、β−ジケトニル基またはハロゲンを示
す、で表わされる有機錫のいずれかであることが好まし
い。
ル基を有する基、β−ジケトニル基またはハロゲンを示
す、で表わされる有機錫のいずれかであることが好まし
い。
【００１６】上記式（Ｉ）において、Ｒ1はアルキル基
である。アルキル基としては直鎖状であっても分岐鎖状
であってもよく、好ましくは炭素数１〜４を有する。か
かるアルキル基としては、例えばメチル、エチル、プロ
ピル、ｉｓｏ−プロピル、ｎ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチ
ル、ｉｓｏ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル等を挙げることが
できる。
である。アルキル基としては直鎖状であっても分岐鎖状
であってもよく、好ましくは炭素数１〜４を有する。か
かるアルキル基としては、例えばメチル、エチル、プロ
ピル、ｉｓｏ−プロピル、ｎ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチ
ル、ｉｓｏ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル等を挙げることが
できる。
【００１７】上記式（Ｉ）で表わされるジアルキル錫オ
キサイドとしては、例えばジメチル錫オキサイド、ジエ
チル錫オキサイド、ジ−ｎ−プロピル錫オキサイド、ジ
−ｉｓｏ−プロピル錫オキサイド、ジ−ｎ−ブチル錫オ
キサイド、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル錫オキサイド、ジ−ｉ
ｓｏ−ブチル錫オキサイド、ジ−ｓｅｃ−ブチル錫オキ
サイド等を挙げることができる。
キサイドとしては、例えばジメチル錫オキサイド、ジエ
チル錫オキサイド、ジ−ｎ−プロピル錫オキサイド、ジ
−ｉｓｏ−プロピル錫オキサイド、ジ−ｎ−ブチル錫オ
キサイド、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル錫オキサイド、ジ−ｉ
ｓｏ−ブチル錫オキサイド、ジ−ｓｅｃ−ブチル錫オキ
サイド等を挙げることができる。
【００１８】上記式（ＩＩ）において、ｘはβ−ジケト
ニル基を示す。
ニル基を示す。
【００１９】上記式（ＩＩ）で表わされる化合物として
は、例えば錫ジアセチルアセトナート、錫ジベンゾイル
アセトナート、錫ジベンゾイルメタナート等を挙げるこ
とができる。
は、例えば錫ジアセチルアセトナート、錫ジベンゾイル
アセトナート、錫ジベンゾイルメタナート等を挙げるこ
とができる。
【００２０】上記式（ＩＩＩ）において、Ｒ2は、アル
キル基を示し、Ｙはカルボキシル基を有する基、β−ジ
ケトニル基またはハロゲンを示す。
キル基を示し、Ｙはカルボキシル基を有する基、β−ジ
ケトニル基またはハロゲンを示す。
【００２１】アルキル基としては、直鎖状であっても分
岐鎖状であってもよく、好ましくは炭素数１〜４を有す
る。かかるアルキル基としては、Ｒ1のアルキル基につ
いて上記したものと同じものを例示することができる。
岐鎖状であってもよく、好ましくは炭素数１〜４を有す
る。かかるアルキル基としては、Ｒ1のアルキル基につ
いて上記したものと同じものを例示することができる。
【００２２】ハロゲンとしては、フツ素、塩素、臭素あ
るいはヨウ素を挙げることができる。これらのうち塩素
が好ましい。
るいはヨウ素を挙げることができる。これらのうち塩素
が好ましい。
【００２３】上記式（ＩＩＩ）で表わされる化合物とし
ては、例えばジ−ｎ−ブチル錫ジアセテート、ジ−ｉｓ
ｏ−プロピル錫ジアセテート、ジメチル錫ジアセテー
ト、ジ−ｎ−ブチル錫ジ２−エチルヘキサネート、ジ−
ｎ−ブチル錫ジラウレート、ジ−ｎ−ブチル錫マレエー
ト、ジーｎーブチル錫シトラコネート、ジ−ｎ−ブチル
錫ジアセチルアセトナート、ジメチル錫ジアセチルアセ
トナート、ジ−ｎ−ブチル錫ジクロライド、ジメチル錫
ジクロライド等を挙げることができる。
ては、例えばジ−ｎ−ブチル錫ジアセテート、ジ−ｉｓ
ｏ−プロピル錫ジアセテート、ジメチル錫ジアセテー
ト、ジ−ｎ−ブチル錫ジ２−エチルヘキサネート、ジ−
ｎ−ブチル錫ジラウレート、ジ−ｎ−ブチル錫マレエー
ト、ジーｎーブチル錫シトラコネート、ジ−ｎ−ブチル
錫ジアセチルアセトナート、ジメチル錫ジアセチルアセ
トナート、ジ−ｎ−ブチル錫ジクロライド、ジメチル錫
ジクロライド等を挙げることができる。
【００２４】有機錫化合物（(b)成分）は単独であるい
は２種以上一緒に併用することができる。かかる有機錫
化合物は、硝酸インジウムに対しインジウムと錫の合計
の原子数に対する錫の原子数の比［Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓ
ｎ）］が、好ましくは０.１〜３０原子％、特に好まし
くは１〜２０原子％となるような割合で使用される。そ
の使用量が上記範囲よりも多くても少なくても、得られ
る導電膜の導電性は低下する傾向にある。
は２種以上一緒に併用することができる。かかる有機錫
化合物は、硝酸インジウムに対しインジウムと錫の合計
の原子数に対する錫の原子数の比［Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓ
ｎ）］が、好ましくは０.１〜３０原子％、特に好まし
くは１〜２０原子％となるような割合で使用される。そ
の使用量が上記範囲よりも多くても少なくても、得られ
る導電膜の導電性は低下する傾向にある。
【００２５】上記(c)成分であるヘキシレングリコール
は、塗布液中の硝酸インジウムおよび有機錫化合物の合
計の濃度が５〜４５重量％となる割合で使用するのが好
ましく、１５〜３０重量％となる割合で使用するのがよ
り好ましい。
は、塗布液中の硝酸インジウムおよび有機錫化合物の合
計の濃度が５〜４５重量％となる割合で使用するのが好
ましく、１５〜３０重量％となる割合で使用するのがよ
り好ましい。
【００２６】(d)成分である酢酸および／または無水酢
酸は、硝酸インジウム１モルに対しカルボキシル基（無
水酢酸の場合には全ての無水物基が開裂したとして）が
０.５〜１２モルとなる割合として使用するのが好まし
く、３〜８モルとなる割合で使用するのがより好まし
い。
酸は、硝酸インジウム１モルに対しカルボキシル基（無
水酢酸の場合には全ての無水物基が開裂したとして）が
０.５〜１２モルとなる割合として使用するのが好まし
く、３〜８モルとなる割合で使用するのがより好まし
い。
【００２７】酢酸および／または無水酢酸の使用量が、
上記割合より少ない場合には均一な塗布液が作製し難く
なる傾向が大きく、また上記割合より多い場合には塗布
液の保存安定性が低下する傾向が大きくなる。
上記割合より少ない場合には均一な塗布液が作製し難く
なる傾向が大きく、また上記割合より多い場合には塗布
液の保存安定性が低下する傾向が大きくなる。
【００２８】(e)成分であるケトン酸およびケトン酸無
水物は、金属間のインターラクションを高め、形成され
る導電膜の結晶性を向上させるための成分であり、ケト
ン酸は、下記一般式 ＲＣＯ（ＣＨ2）nＣＯＯＨ で表わされる。
水物は、金属間のインターラクションを高め、形成され
る導電膜の結晶性を向上させるための成分であり、ケト
ン酸は、下記一般式 ＲＣＯ（ＣＨ2）nＣＯＯＨ で表わされる。
【００２９】上記式において、Ｒは炭化水素基である。
かかる炭化水素基としては、例えばメチル、エチル、ｎ
−プロピル、ｉｓｏ−プロピル、ｎ−ブチル、ｔｅｒｔ
−ブチル、ｉｓｏ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、フェニ
ル、ベンジル等を挙げることができる。ｎは０〜２であ
り、好ましくは０または２である。
かかる炭化水素基としては、例えばメチル、エチル、ｎ
−プロピル、ｉｓｏ−プロピル、ｎ−ブチル、ｔｅｒｔ
−ブチル、ｉｓｏ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、フェニ
ル、ベンジル等を挙げることができる。ｎは０〜２であ
り、好ましくは０または２である。
【００３０】上記式で表わされるケトン酸としては、例
えばピルビン酸、ベンゾイルギ酸、フェニルピルビン
酸、アセト酢酸、プロピオニル酢酸、ベンゾイル酢酸、
レブリン酸、β−ベンゾイルプロピオン酸等を挙げるこ
とができる。これらのうち、ピルビン酸およびレブリン
酸が特に好ましく使用される。かかるケトン酸は無水物
の形で添加しても、同様に導電性向上の効果を有する。
えばピルビン酸、ベンゾイルギ酸、フェニルピルビン
酸、アセト酢酸、プロピオニル酢酸、ベンゾイル酢酸、
レブリン酸、β−ベンゾイルプロピオン酸等を挙げるこ
とができる。これらのうち、ピルビン酸およびレブリン
酸が特に好ましく使用される。かかるケトン酸は無水物
の形で添加しても、同様に導電性向上の効果を有する。
【００３１】かかるケトン酸および／またはケトン酸無
水物は、硝酸インジウム１モルに対し、カルボキシル基
（無水物の場合には全ての無水物基が開裂したとして）
が０.１〜３モルとなる割合で使用するのが好ましく、
０.２５〜１.５モルとなる割合で使用するのがより好ま
しい。
水物は、硝酸インジウム１モルに対し、カルボキシル基
（無水物の場合には全ての無水物基が開裂したとして）
が０.１〜３モルとなる割合で使用するのが好ましく、
０.２５〜１.５モルとなる割合で使用するのがより好ま
しい。
【００３２】ケトン酸および／またはケトン酸無水物の
使用量が、上記割合より少ない場合は導電性向上の効果
が少なく、また、上記割合より多い場合は焼成時に塗膜
にクラックが生じる傾向が大きくなる。また、上記主成
分の他に、さらに塗布法に応じて、他の有機溶媒を適宜
添加してもよい。
使用量が、上記割合より少ない場合は導電性向上の効果
が少なく、また、上記割合より多い場合は焼成時に塗膜
にクラックが生じる傾向が大きくなる。また、上記主成
分の他に、さらに塗布法に応じて、他の有機溶媒を適宜
添加してもよい。
【００３３】本発明の塗布液は、通常、上記(a)、(b)、
(c)、(d)および(e)成分を含有してなる透明で均一な溶
液である。かかる溶液は、例えばこれらの成分を、室温
〜１００℃の間の温度に、３分間〜２０時間の間、攪拌
することにより得られる。また別法として、かかる溶液
は(a)、(b)、(c)および(d)成分からなる均一な溶液を得
た後、(e)成分を添加することによっても得られる。か
かる溶液は好ましくは５０〜１００ｃｐの粘度に調製さ
れる。
(c)、(d)および(e)成分を含有してなる透明で均一な溶
液である。かかる溶液は、例えばこれらの成分を、室温
〜１００℃の間の温度に、３分間〜２０時間の間、攪拌
することにより得られる。また別法として、かかる溶液
は(a)、(b)、(c)および(d)成分からなる均一な溶液を得
た後、(e)成分を添加することによっても得られる。か
かる溶液は好ましくは５０〜１００ｃｐの粘度に調製さ
れる。
【００３４】本発明によつて得られる導電膜形成用塗布
液は、塗布に際しての好適な粘度を有し、基板への濡れ
性も申し分ない。また塗布作業中の粘度安定性および塗
布後のレベリング性がともに良好であるため、膜厚や屈
折率等の面内ばらつきが非常に小さい導電膜が得られ
る。さらに、本発明による塗布液から得られる導電膜
は、ガラス基板をレファレンスとした場合の光透過率が
例えば９７％以上と極めて高く（導電膜被着ガラスの全
光透過率は９２％以上）、硬度も鉛筆硬度で９Ｈ前後と
良好である上に、導電性が従来品と比較して著しく改善
されている（比抵抗が１０-4Ωcmオーダー）。従って、
タッチパネルや帯電防止用に加えて、より低抵抗が要求
される表示装置の透明電極等にも使用可能である。
液は、塗布に際しての好適な粘度を有し、基板への濡れ
性も申し分ない。また塗布作業中の粘度安定性および塗
布後のレベリング性がともに良好であるため、膜厚や屈
折率等の面内ばらつきが非常に小さい導電膜が得られ
る。さらに、本発明による塗布液から得られる導電膜
は、ガラス基板をレファレンスとした場合の光透過率が
例えば９７％以上と極めて高く（導電膜被着ガラスの全
光透過率は９２％以上）、硬度も鉛筆硬度で９Ｈ前後と
良好である上に、導電性が従来品と比較して著しく改善
されている（比抵抗が１０-4Ωcmオーダー）。従って、
タッチパネルや帯電防止用に加えて、より低抵抗が要求
される表示装置の透明電極等にも使用可能である。
【００３５】本発明によれば、上記塗布液を下記の如く
して基板上に塗布し、乾燥後焼成することにより上記の
如き優れた諸性質を備えた導電膜が得られる。
して基板上に塗布し、乾燥後焼成することにより上記の
如き優れた諸性質を備えた導電膜が得られる。
【００３６】塗布液の塗布方法は特に限定されず、例え
ば浸漬法、スピンコート法、印刷法等の従来公知の方法
がいずれも使用可能である。
ば浸漬法、スピンコート法、印刷法等の従来公知の方法
がいずれも使用可能である。
【００３７】一般に乾燥は、塗布液が塗布された基板を
５０℃〜１５０℃の温度に１５分間〜３時間保持するこ
とによって行われる。
５０℃〜１５０℃の温度に１５分間〜３時間保持するこ
とによって行われる。
【００３８】本発明において用いる基板は、後述する焼
成に耐え得るものであれば特に限定されず、用途に応じ
て種々のものを利用することができる。ガラスを基板と
して利用する場合には、ソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸
ガラス、石英ガラス等が使用できるが、コスト的にはソ
ーダ石灰ガラスが有利である。また液晶表示装置等、特
に低抵抗が要求される場合は、アルカリ成分等の不純物
の溶出を防止するために、石英ガラスあるいは表面にシ
リカをコーテイングしたソーダ石灰ガラスを用いること
もできる。
成に耐え得るものであれば特に限定されず、用途に応じ
て種々のものを利用することができる。ガラスを基板と
して利用する場合には、ソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸
ガラス、石英ガラス等が使用できるが、コスト的にはソ
ーダ石灰ガラスが有利である。また液晶表示装置等、特
に低抵抗が要求される場合は、アルカリ成分等の不純物
の溶出を防止するために、石英ガラスあるいは表面にシ
リカをコーテイングしたソーダ石灰ガラスを用いること
もできる。
【００３９】焼成は通常２段階で行なわれ、まず、酸化
性雰囲気において３００〜４５０℃の温度で５分間〜６
０分間、次いで、不活性雰囲気において４００〜７５０
℃の温度で５分間〜２時間焼成する。後半の焼成を、微
量の酸素（５〜１０００ｐｐｍ）を含有する不活性ガス
中で行なうと、得られる膜の導電性が低下するものの、
硬度および光透過率は増加する傾向にある。
性雰囲気において３００〜４５０℃の温度で５分間〜６
０分間、次いで、不活性雰囲気において４００〜７５０
℃の温度で５分間〜２時間焼成する。後半の焼成を、微
量の酸素（５〜１０００ｐｐｍ）を含有する不活性ガス
中で行なうと、得られる膜の導電性が低下するものの、
硬度および光透過率は増加する傾向にある。
【００４０】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳細にに説明す
るが、本発明はこれらの実施例により何ら制約されるも
のではない。
るが、本発明はこれらの実施例により何ら制約されるも
のではない。
【００４１】実施例１ 硝酸インジウム３水和物１０ｇ、錫ジアセチルアセトナ
ート０.７２ｇ、ヘキシレングリコール３０ｇ、無水酢
酸７.１８ｇおよびピルビン酸１.２３ｇを７０℃で５分
間攪拌し、導電膜形成用塗布液を調製した［Ｓｎ／（Ｉ
ｎ＋Ｓｎ）＝７.５原子％］。シリカを表面にコーティ
ングしたソーダ石灰ガラス基板上に、前記塗布液をスピ
ンナーを用いて３５００ｒｐｍの回転速度で３０秒間塗
布し、８０℃で３０分間乾燥させた。次いで、酸素中に
て４２０℃で２５分間焼成を行なったのち、温度を保っ
たまま窒素を流入させ、窒素中にて５２０℃で１時間焼
成を行なって厚さ１２００オングストロームの導電膜を
得た。
ート０.７２ｇ、ヘキシレングリコール３０ｇ、無水酢
酸７.１８ｇおよびピルビン酸１.２３ｇを７０℃で５分
間攪拌し、導電膜形成用塗布液を調製した［Ｓｎ／（Ｉ
ｎ＋Ｓｎ）＝７.５原子％］。シリカを表面にコーティ
ングしたソーダ石灰ガラス基板上に、前記塗布液をスピ
ンナーを用いて３５００ｒｐｍの回転速度で３０秒間塗
布し、８０℃で３０分間乾燥させた。次いで、酸素中に
て４２０℃で２５分間焼成を行なったのち、温度を保っ
たまま窒素を流入させ、窒素中にて５２０℃で１時間焼
成を行なって厚さ１２００オングストロームの導電膜を
得た。
【００４２】この導電膜について、シート抵抗を四端子
法を用いて測定し、可視光透過率を分光光度計、硬度を
エンピツ硬度計でそれぞれ測定した。その結果を表１に
示す。
法を用いて測定し、可視光透過率を分光光度計、硬度を
エンピツ硬度計でそれぞれ測定した。その結果を表１に
示す。
【００４３】実施例２ 硝酸インジウム３水和物１０ｇ、ジ−ｎ−ブチル錫オキ
サイド０.５７ｇ、ヘキシレングリコール２０ｇおよび
無水酢酸７.１８ｇを７０℃で５分間攪拌し、透明で均
一な溶液を得た。これに、ピルビン酸２.４８ｇを添加
して導電膜形成用塗布液を調製した［Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓ
ｎ）＝７.５原子％］。この塗布液を用いた以外は実施
例１と同様にして厚さ１３００オングストロームの導電
膜を得た。この導電膜の諸特性を表１に示す。
サイド０.５７ｇ、ヘキシレングリコール２０ｇおよび
無水酢酸７.１８ｇを７０℃で５分間攪拌し、透明で均
一な溶液を得た。これに、ピルビン酸２.４８ｇを添加
して導電膜形成用塗布液を調製した［Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓ
ｎ）＝７.５原子％］。この塗布液を用いた以外は実施
例１と同様にして厚さ１３００オングストロームの導電
膜を得た。この導電膜の諸特性を表１に示す。
【００４４】実施例３ 硝酸インジウム３水和物１０ｇ、ジ−ｎ−ブチル錫ジ２
ーエチルヘキサネート１.１９ｇ、ヘキシレングリコー
ル３０ｇ、無水酢酸８.６２ｇおよびレブリン酸１.６３
ｇを７０℃で５分間攪拌し、導電膜形成用塗布液を調製
した［Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）＝７.５原子％］。この塗
布液を用いた以外は実施例１と同様にして厚さ１２００
オングストロームの導電膜を得た。この導電膜の諸特性
を表１に示す。
ーエチルヘキサネート１.１９ｇ、ヘキシレングリコー
ル３０ｇ、無水酢酸８.６２ｇおよびレブリン酸１.６３
ｇを７０℃で５分間攪拌し、導電膜形成用塗布液を調製
した［Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）＝７.５原子％］。この塗
布液を用いた以外は実施例１と同様にして厚さ１２００
オングストロームの導電膜を得た。この導電膜の諸特性
を表１に示す。
【００４５】実施例４ 硝酸インジウム３水和物１０ｇ、ジ−ｎ−ブチル錫マレ
エート０.７９ｇ、ヘキシレングリコール２０ｇおよび
酢酸８.４５ｇを７０℃で５分間反応させ、透明で均一
な溶液を得た。これに、ピルビン酸１.２３ｇを添加し
て導電膜形成用塗布液を調製した［Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓ
ｎ）＝７.５原子％］。この塗布液を用いた以外は実施
例１と同様にして厚さ１１００オングストロームの導電
膜を得た。この導電膜の諸特性を表１に示す。
エート０.７９ｇ、ヘキシレングリコール２０ｇおよび
酢酸８.４５ｇを７０℃で５分間反応させ、透明で均一
な溶液を得た。これに、ピルビン酸１.２３ｇを添加し
て導電膜形成用塗布液を調製した［Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓ
ｎ）＝７.５原子％］。この塗布液を用いた以外は実施
例１と同様にして厚さ１１００オングストロームの導電
膜を得た。この導電膜の諸特性を表１に示す。
【００４６】実施例５ 硝酸インジウム３水和物１０ｇ、ジ−ｎ−ブチル錫オキ
サイド０.５７ｇ、ヘキシレングリコール２０ｇおよび
無水酢酸７.１８ｇを７０℃で５分間攪拌し、透明で均
一な溶液を得た。これに、ピルビン酸無水物２.２２ｇ
を添加して導電膜形成用塗布液を調製した［Ｓｎ／（Ｉ
ｎ＋Ｓｎ）＝７.５原子％］。この塗布液を用いた以外
は実施例１と同様にして厚さ１１００オングストローム
の導電膜を得た。この導電膜の諸特性を表１に示す
サイド０.５７ｇ、ヘキシレングリコール２０ｇおよび
無水酢酸７.１８ｇを７０℃で５分間攪拌し、透明で均
一な溶液を得た。これに、ピルビン酸無水物２.２２ｇ
を添加して導電膜形成用塗布液を調製した［Ｓｎ／（Ｉ
ｎ＋Ｓｎ）＝７.５原子％］。この塗布液を用いた以外
は実施例１と同様にして厚さ１１００オングストローム
の導電膜を得た。この導電膜の諸特性を表１に示す
【００４７】実施例６ シリカを表面にコーテイングしたソーダ石灰ガラス基板
上に、実施例１で作製した塗布液を凸版印刷法により塗
布し、８０℃で３０分間乾燥させた。次いで実施例１と
同様にして焼成を行ない、厚さ８００オングストローム
の導電膜を得た。この導電膜の諸特性を表１に示す。
上に、実施例１で作製した塗布液を凸版印刷法により塗
布し、８０℃で３０分間乾燥させた。次いで実施例１と
同様にして焼成を行ない、厚さ８００オングストローム
の導電膜を得た。この導電膜の諸特性を表１に示す。
【００４８】
【表１】
【００４９】
【発明の効果】本発明に係わる導電膜形成用塗布液を用
いることにより、導電性が良好で、機械的強度、光透過
性に優れ、面内ばらつきが小さい、タッチパネルや表示
装置の透明電極等に好適な導電膜を形成することができ
る。
いることにより、導電性が良好で、機械的強度、光透過
性に優れ、面内ばらつきが小さい、タッチパネルや表示
装置の透明電極等に好適な導電膜を形成することができ
る。
【００５０】本発明に係わる導電膜形成用塗布液は、凸
版、オフセット等の印刷法に好適な粘度を有し、基板へ
の濡れ性および塗布液のレベリング性がともに良好であ
るため、パターン印刷、乾燥、焼成という簡単な工程で
基板上に任意の形状の導電膜を形成することが可能であ
る。
版、オフセット等の印刷法に好適な粘度を有し、基板へ
の濡れ性および塗布液のレベリング性がともに良好であ
るため、パターン印刷、乾燥、焼成という簡単な工程で
基板上に任意の形状の導電膜を形成することが可能であ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 (a)硝酸インジウム、(b)有機錫化合物、
(c)ヘキシレングリコール、(d)酢酸および／または無水
酢酸並びに(e)下記式 ＲＣＯ（ＣＨ2）nＣＯＯＨ ここでＲは炭化水素基であり、そしてｎは０〜２であ
る、 で表わされる少なくとも１種のケトン酸および／または
その酸無水物、を含有することを特徴とする透明な導電
性膜形成用塗布液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20890591A JPH0532917A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 透明な導電性膜形成用塗布液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20890591A JPH0532917A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 透明な導電性膜形成用塗布液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0532917A true JPH0532917A (ja) | 1993-02-09 |
Family
ID=16564070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20890591A Withdrawn JPH0532917A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 透明な導電性膜形成用塗布液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0532917A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6628683B2 (en) | 2000-06-06 | 2003-09-30 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Semiconductor laser device and method of controlling light amount of semiconductor laser |
| KR100450186B1 (ko) * | 1996-11-08 | 2004-11-20 | 도와 고교 가부시키가이샤 | 아이티오의 원료분말과 소결체 및 그 제조방법 |
-
1991
- 1991-07-26 JP JP20890591A patent/JPH0532917A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100450186B1 (ko) * | 1996-11-08 | 2004-11-20 | 도와 고교 가부시키가이샤 | 아이티오의 원료분말과 소결체 및 그 제조방법 |
| US6628683B2 (en) | 2000-06-06 | 2003-09-30 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Semiconductor laser device and method of controlling light amount of semiconductor laser |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981008 |