JP5117002B2 - 光硬化性組成物およびそれを用いたパターン形成方法 - Google Patents
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Description
これに対し、微細なパターン形成を低コストで行うための技術として提案されたナノインプリントリソグラフィが提案された。例えば、特許文献1、特許文献3にはシリコーンウエハをスタンパとして用い、25ナノメートル以下の微細構造を転写により形成するナノインプリント技術が開示されている。
また、特許文献4には、半導体マイクロリソグラフィ分野に適用されるナノインプリントを使ったコンポジット組成物が開示されている。一方、微細モールド作製技術やモールドの耐久性、モールドの作製コスト、モールドの樹脂からの剥離性、インプリント均一性やアライメント精度、検査技術など半導体集積回路作製にナノインプリントリソグラフィを適用するための検討が活発化し始めた。
しかしながら、ナノインプリントリソグラフィで用いるレジストは、従来の半導体微細加工用フォトレジストと同様に、各種基板に応じたエッチング適性やエッチング後の剥離適性が必要であるにもかかわらず、十分に検討されていない。
光ナノインプリント法は、熱ナノインプリント法に対して、(1)加熱/冷却プロセスが不要であり、高スループットが見込まれる、(2)液状組成物を使用するため低加圧でのインプリントが可能である、(3)熱膨張による寸法変化がない、(4)モールドが透明でありアライメントが容易である、(5)硬化後、頑強な三次元架橋体が得られるなどの主な優位点が挙げられる。特にアライメント精度が要求されるような半導体微細加工用途やフラットパネルディスプレイ分野の微細加工用途には適している。
光ナノインプリント法に関しては、モールドと光硬化性組成物の剥離性が重要であり、モールドやモールドの表面処理、具体的には、水素化シルセスキオキサンやフッソ化エチレンプロピレン共重合体モールドを使って付着問題を解決する試みなどがこれまでになされてきた。
このように光ナノインプリントで用いられる組成物に関し、粘度に関する要望の記載はあるものの、各用途に適合させるための材料の設計指針についての報告例は、これまでになかった。
(1)膜種によって選択されるエッチャント、エッチングガスに対しての適性、
(2)アンダーカットを生じないために、パターンとエッチング加工基板との密着性付与、
(3)エッチング前後でのパターンの寸法制御性を浴するために、エッチ液とレジストの濡れ性付与が重要である。
(4)モールドとの剥離性を高めるため、レジスト膜を疎水性にするとエッチ液とレジストの濡 れ性をより一層悪くし、エッチ残を生じやすくなってしまう点、
(5)光硬化性組成物は、3次元の網目構造をとっているため、ポジレジストに比較すると剥離 が難しく、また網目構造をより強固にするとエッチング耐性は改善されるものの、剥離が一層難し くなるという点、
(6)従来のフォトリソグラフィに比較して、光ナノインプリントリソグラフィは、モールド剥 離後、エッチング除去したい部分に残渣が生じやすいため、エッチング後も残渣を生じ易い点、な どが挙げられる。
ナノインプリント用の光硬化性組成物については、種々の材料が開示されているものの、ナノインプリントのフォトリソ工程、エッチング工程、剥離工程のいずれの工程でも好適に使えるためのナノインプリント材料の開示や材料の設計の指針はこれまでになかった。また、これまでインクジェット用組成物や光磁気ディスク用保護膜の用途で知られている光硬化性組成物は、フォトリソ工程は、材料に共通部分があるものの、エッチング工程や剥離工程がないことがエッチングレジストと大きく異なる。そのため、これらの用途で適用する光硬化性樹脂をそのままエッチングレジストとして適用すると、エッチング工程や剥離工程で問題を起こすことが多かった。
(1)(a)重合性化合物と、
(b)光重合開始剤および/または光酸発生剤0.1〜15質量%と、
(c)シリコーン系界面活性剤の少なくとも1種0.001〜5質量%とを含み、
(d)25℃における粘度が3〜18mPa・sの範囲である、光硬化性組成物であって、
前記(a)重合性化合物のうち50質量%以上は、1次皮膚刺激性(PII値)が4.0以下であり、前記(a)重合性化合物のうち50質量%以上は、25℃における粘度が30mPa・s以下である、光ナノインプリントリソグラフィ用光硬化性組成物。
(2)(1)に記載の光硬化性組成物を用いてなるレジストであって、(1)に記載の光硬化性組成物を塗布する工程、光透過性モールドを基板上のレジスト層に加圧し、前記光硬化性組成物を変形させる工程、モールド裏面または基板裏面より光を照射し、塗膜を硬化し、所望のパターンに嵌合するレジストパターンを形成する工程、光透過性モールドを塗膜から脱着する工程、光硬化性組成物をマスクとし基板をエッチングする工程及び光硬化性組成物をエッチング後に剥離する工程を含むレジストパターン形成方法に用いるレジスト。
(3)(1)に記載の光硬化性組成物を塗布する工程、光透過性モールドを基板上のレジスト層に加圧し、前記光硬化性組成物を変形させる工程、モールド裏面または基板裏面より光を照射し、塗膜を硬化し、所望のパターンに嵌合するレジストパターンを形成する工程、光透過性モールドを塗膜から脱着する工程、光硬化性組成物をマスクとし基板をエッチングする工程及び光硬化性組成物をエッチング後に剥離する工程を含むレジストパターン形成方法。
なお、本発明で言うナノインプリントとは、およそ数μmから数十nmのサイズのパターン転写をいう。
(1)室温での溶液流動性に優れるため、モールド凹部のキャビティ内に該組成物が流れ込みやすく、大気が取り込まれにくいためバブル欠陥を引き起こすことがなく、モールド凸部、凹部のいづれにおいても光硬化後に残渣が残りにくい。
(2)揮発性が少なく、皮膚刺激性が小さいため、作業者の安全性に優れる。
(3)硬化後の硬化膜は機械的性質に優れ、塗膜と基板の密着性に優れ、塗膜とモールドの離型性に優れるため、モールドを引き剥がす際にパターン崩れや塗膜表面に糸引きが生じて表面荒れを引き起こすことがないため良好なパターンを形成できる。
(4)光硬化後の体積収縮が小さく、モールド転写特性に優れるため、微細パターンの正確な賦型性が可能である。
(5)塗布均一性に優れるため、大型基板への塗布・微細加工分野などに適する。
(6)膜の光硬化速度が高いので、生産性が高い。
(7)エッチング加工精度、エッチング耐性などに優れるので、半導体デバイスやトランジスタなどの基板加工用エッチングレジストとして好適に用いることができる。
(8)エッチング後のレジスト剥離性に優れ、残渣を生じないため、エッチングレジストとして好適に用いることができる。
等の特徴を有するものとすることができる。
本発明の光硬化性組成物は、25℃における粘度が3〜18mPa・sの範囲である。
このような粘度とすることにより、硬化前の微細凹凸パターンの形成能、塗布適性およびその他の加工適性を付与でき、硬化後においては解像性、ラインエッジラフネス性、残膜特性、基板密着性或いは他の諸点において優れた塗膜物性を付与できる。ここで、最新レジスト材料ハンドブック、P1、103〜104(2005年、情報機構出版)には、粘度を5mPa・s以下にすることが好ましいと記載されているが、本発明者らは鋭意検討した結果、組成物の粘度は、単純に低ければ良いというものではなく、特定の粘度範囲、すなわち3〜18mPa・sの特定の粘度範囲を有する場合に限り、本発明の目的を達成できることを見出した。
すなわち、本発明の光硬化性組成物の粘度が3mPa・s未満では、基板塗布適性の問題や膜の機械的強度の低下が生じる。具体的には、粘度を低くしすぎることによって、組成物の塗布の際に面上ムラを生じたり、塗布時に基板から組成物が流れ出たりするため好ましくない。しかしながら、このような粘度の塗布性能への影響は、これまで一切開示されていなかった。
一方、本発明の光硬化性組成物の粘度が18mPa・sを超えると微細な凹凸パターンを有するモールドを光硬化性組成物に密着させた場合、モールドの凹部のキャビティ内に組成物が流れにくくなり、大気が取り込まれやすくなるためバブル欠陥を引き起こしやすくなり、モールド凸部において光硬化後に残渣が残りやすくなる。また、最新レジスト材料ハンドブック、P1、103〜104(2005年、情報機構出版)などにこれまでに開示されている光ナノインプリント組成物は、粘度がおよそ50mPa・sであるため、バブル欠陥や光硬化後にモールドの凹部に残渣が残りやすいなどの問題があったため、限られた用途にしか適用できなかった。例えば、半導体集積回路や液晶デイスプレイの薄膜トランジタなどの微細加工用途への展開は難しかった。本発明の光硬化性組成物は、これらの用途に好適に適用でき、その他の用途、例えば、フラットスクリーン、マイクロ電気機械システム(MEMS)、センサ素子、光ディスク、高密度メモリーデイスク等の磁気記録媒体、回折格子ヤレリーフホログラム等の光学部品、ナノデバイス、光学デバイス、光学フィルムや偏光素子、有機トランジスタ、カラーフィルター、オーバーコート層、マイクロレンズアレイ、免疫分析チップ、DNA分離チップ、マイクロリアクター、ナノバイオデバイス、光導波路、光学フィルター、フォトニック液晶等の作製にも幅広く適用できるようになった。
一般的に、組成物の粘度を調整するには、粘度の異なる各種の単量体、オリゴマー、ポリマーをプレンドすることが可能であるが、本発明の目的を達成するには、粘度が30mPa・s以下の重合性不飽和単量体を50%以上含有することが必要である。即ち、粘度が30mPa・s以下の重合性不飽和単量体の割合が、全組成分中、質量比で50%未満であると、モールド凹部に取り込まれた大気によりバブル欠陥を生じやすく、光硬化後にモールド凸部に残渣が残る。残渣が多く残ると、基板のエッチング加工に支障をきたすため、残渣は残らないものが好ましい。これまでは、粘度の異なる各種の単量体、オリゴマー、ポリマーをプレンドすることによる影響は、光ナノインプリント用の組成物ではまったく知られていなかった。
本発明の重合性化合物は、光ラジカル重合性不飽和単量体および/または光カチオン重合性不飽和単量体を含むことが好ましい。
これらの中で特に、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、エトキシ化フェニル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート、フェノキシエチル(メタ)アクリレート、フェノキシテトラエチレングリコール(メタ)アクリレート、N−ビニル−2−ピロリドン、N−アクリロイルモルフォリン等が粘度、1次皮膚刺激性が低く、揮発性に優れ、本発明に好適に用いられる。
イソシアネート系の(メタ)アクリレート化合物の具体例としては、イソシアネートメチル(メタ)アクリレート、イソシアネートエチル(メタ)アクリレート、イソシアネートn−プロピル(メタ)アクリレート、イソシアネートイソプロピル(メタ)アクリレート、イソシアネートn−ブチル(メタ)アクリレート、イソシアネートイソブチル(メタ)アクリレート、イソシアネートsec−ブチル(メタ)アクリレート、イソシアネートtert−ブチル(メタ)アクリレート等のイソシアネートアルキル(メタ)アクリレート;(メタ)アクリロイルメチルイソシアネート、(メタ)アクリロイルエチルイソシアネート、(メタ)アクリロイルn−プロピルイソシアネート、(メタ)アクリロイルイソプロピルイソシアネート、(メタ)アクリロイルn−ブチルイソシアネート、(メタ)アクリロイルイソブチルイソシアネート、(メタ)アクリロイルsec−ブチルイソシアネート、(メタ)アクリロイルtert−ブチルイソシアネート等の(メタ)アクリロイルアルキルイソシアネートが例示される。
ジオキソラン骨格の(メタ)アクリレートの具体例としては、4−アクリロイルオキシメチル−2−メチル−2−エチル−1,3−ジオキソラン、4−アクリロイルオキシメチル−2−メチル−2−イソブチル−1,3−ジオキソラン、4−アクリロイルオキシメチル−2−メチル−2−シクロヘキシル−1,3−ジオキソラン、4−メタクリロイルオキシメチル−2,2−ジメチル−1,3−ジオキソラン、4−メタクリロイルオキシメチル−2−メチル−2−エチル−1,3−ジオキソラン、4−メタクリロイルオキシメチル−2−メチル−2−イソブチル−1,3−ジオキソラン、4−メタクリロイルオキシメチル−2−シクロヘキシル−1,3−ジオキソラン等が挙げられる。
中でも、4−アクリロイルオキシメチル−2−メチル−2−エチル−1,3−ジオキソラン、4−アクリロイルオキシメチル−2−メチル−2−イソブチル−1,3−ジオキソラン等が挙げられる。
また、これら以外にも、分子量1000〜5000程度の高分子量を有する1〜4個のオキセタン環を有する化合物も挙げられる。
これらビニルエーテル系化合物は、ラジカル重合においても、カチオン重合においても、有用であり、低粘度、低臭、低皮膚刺激性であるという特徴がある。
例えば、同一分子内にビニルエーテル基とエポキシ基を含有する化合物やプロペニルエーテル基とエポキシ基を有する反応性化合物を用いることができる。
また、光カチオン重合性および光ラジカル重合性の反応性成分として、3−メチル−3−オキセタニルメチルアクリレート(大阪有機化学工業社製、OXE−10)、3−メチル−3−オキセタニルメチルアクリレート(大阪有機化学工業社、OXE−30)、ビニルシクロヘキセンモノオキサイド1,2−エポキシ−4−ビニルシクロヘキサン(ダイセル化学工業製、セロキサイド2000)、オキセタン環を有する(メタ)アクリレート化合物(宇部興産、ETERNACOLL OXMA等)等の化合物を用いることもできる。
ハイブリッド系化合物の市販品としては、例えば、3−メチル−3−オキセタニルメチルアクリレート(大阪有機化学工業社製、OXE−10 )、3−メチル−3−オキセタニルメチルアクリレート(大阪有機化学工業社製、OXE−30)、オキセタン環を有する(メタ)アクリレート化合物(宇部興産、ETERNACOLL OXMA等)アクリル酸−2−(2−ビニロキシエトキシ)エチルやメタクリル酸−2−(2−ビニロキシエトキシ)エチル(日本触媒社製、VEEA)、3,4−エポキシシクロヘキシル(メタ)アクリレート(ダイセル化学工業製、サイクロマーA400、A100)等が挙げられる。
本発明において、不飽和結合含有基を1個有する光ラジカル重合性単量体は、通常、反応性希釈剤として用いられ、本発明の光硬化性組成物の粘度を下げるのに有効であり、全重合性化合物の好ましくは80質量%以下、より好ましくは70質量%以下、特に好ましくは、60質量%以下の範囲で添加される。不飽和結合含有基を1個有する単量体の割合を、80質量%以下とすることにより、本発明の光硬化性組成物を硬化した硬化膜の機械的な強度、エッチング耐性、耐熱性がより良好となる傾向にあり、光ナノインプリントのモールド材として用いる場合には、モールドが膨潤してモールドが劣化するのを抑止できる傾向にあり好ましい。一方で、不飽和結合含有基を1個およびまたは2個有する単量体は、反応性希釈剤としてより良好であるため、不飽和結合含有基を1個または2個有する単量体が添加されることが好ましい。
不飽和結合含有基を2個有する単量体は、全重合性化合物の好ましくは90質量%以下、より好ましくは80質量%以下、特に好ましくは、70質量%以下の範囲で添加される。不飽和結合含有基を1個およびまたは2個有する単量体の割合は、全重合性化合物、好ましくは1〜95質量%、より好ましくは3〜95質量%、特に好ましくは、5〜90質量%の範囲で添加される。不飽和結合含有基を3個以上有する重合性不飽和単量体の割合は、全重合性不飽和単量体の、好ましくは80質量%以下、より好ましくは70質量%以下、特に好ましくは、60質量%以下の範囲で添加される。重合性不飽和結合含有基を3個以上有する重合性不飽和単量体の割合を80質量%以下とすることにより、組成物の粘度を本発明の粘度範囲により容易に調整することができ好ましい。
本発明において、カチオン重合性基を1個有するカチオン重合性単量体は、通常、反応性希釈剤として用いられ、本発明の光硬化性組成物の粘度を下げるのに有効であり、全単量体の、好ましくは95質量%以下、より好ましくは90質量%以下、特に好ましくは85質量%以下の範囲で添加される。カチオン重合性基を1個有する単量体の割合を95質量%以下とすることにより、硬化膜の機械的な強度、エッチング耐性、耐熱性をより良好に保つことができる傾向にあるため好ましく、また光ナノインプリントのモールド材として有機ポリマーを使う場合には、モールドの膨潤を抑え、モールドの劣化を低減出来る傾向にある。一方で、カチオン重合性基を1個およびまたは2個有する単量体は、反応性希釈剤として用いるため、カチオン重合性基を1個または2個有する単量体の添加は必須であり、全単量体の好ましくは1質量%以上、より好ましくは3質量%以上、さらに好ましくは5質量%以上の割合で配合される。
さらに、N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチルホルムアニリド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、アセトニルアセトン、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、1−オクタノール、1−ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、フェニルセロソルブアセテート等の高沸点溶剤を添加することもできる。これらは1種を単独使用してもよく、2種類以上を併用しても構わない。
これらの中でも、メトキシプロピレングリコールアセテート、2−ヒドロキシプロピン酸エチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、乳酸エチル、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン、2−ヘプタノンなどが特に好ましい。
よって、本発明の光硬化性組成物は、ラジカル重合および/またはカチオン重合により光硬化可能なものおよび光硬化したものの両方を含む。
光重合開始剤および/または光酸発生剤の割合が0.1質量%未満では、感度(速硬化性)、解像性、ラインエッジラフネス性、塗膜強度が劣るため好ましくない。一方、光重合開始剤および/または光酸発生剤の割合が15質量%を超えると、光透過性、着色性、取り扱い性などが劣化するため好ましくない。これまで、染料および/または顔料を含むインクジェット用組成物や液晶デイスプレイカラーフィルタ用組成物においては、好ましい光重合開始剤および/または光酸発生剤の添加量が種々検討されてきたが、ナノインプリント用等の光硬化性組成物についての好ましい光重合開始剤および/または光酸発生剤の添加量については報告されていない。すなわち、染料および/または顔料を含む系では、これらがラジカルトラップ剤として働くことがあり、光重合性、感度に影響を及ぼす。その点を考慮して、これらの用途では、光重合開始剤の添加量が最適化される。一方で、本発明の光硬化性組成物では、染料および/または顔料は必須成分でなく、光重合開始剤の最適範囲がインクジェット用組成物や液晶デイスプレイカラーフィルタ用組成物等の分野のものとは異なる場合がある。
ここで、フッ素・シリコーン系界面活性剤とは、フッ素系界面活性剤およびシリコーン系界面活性剤の両方の要件を併せ持つものをいう。
このような界面活性剤を用いることにより、本発明の光硬化性組成物を、半導体素子製造用のシリコーンウェーハや、液晶素子製造用のガラス角基板、クロム膜、モリブデン膜、モリブデン合金膜、タンタル膜、タンタル合金膜、窒化珪素膜、アモルファスシリコーン膜、酸化錫をドープした酸化インジウム(ITO)膜や酸化錫膜などの、各種の膜が形成されるなど基板上の塗布時に起こるストリエーションや鱗状の模様(レジスト膜の乾燥むら)などの塗布不良の問題を解決する目的、およびモールド凹部のキャビティ内への組成物の流動性を良くし、モールドとレジスト間の離型性を良くし、レジストと基板間の密着性を良くする、組成物の粘度を下げる等が可能になる。特に、本発明の光硬化性組成物において、上記界面活性剤を添加することにより、塗布均一性を大幅に改良でき、スピンコーターやスリットスキャンコーターを用いた塗布において、基板サイズに依らず良好な塗布適性が得られる。
本発明で用いる、フッ素・シリコーン系界面活性剤の例としては、商品名X−70−090、X−70−091、X−70−092、X−70−093、(いずれも信越化学工業社製)、商品名メガフアックR−08、XRB−4(いずれも大日本インキ化学工業社製)が挙げられる。
フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤およびフッ素・シリコーン系界面活性剤の配合量は、これらの界面活性剤の合計量で、組成物中い、0.001〜5質量%の範囲で配合し、好ましくは0.01〜3質量%の範囲で添加する。フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤およびフッ素・シリコーン系界面活性剤が組成物中0.001未満では、塗布の均一性の効果が不十分であり、一方、5質量%を越えると、モールド転写特性を悪化させるため、好ましくない。本発明で用いるフッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤およびフッ素・シリコーン系界面活性剤は単独で用いてもよいし、2種類以上を組み合せて使用してもよい。本発明では、フッ素系界面活性剤とシリコーン系界面活性剤の両方または、フッ素・シリコーン系界面活性剤を含むことが好ましい。
特に、フッ素・シリコーン系界面活性剤を含むことが最も好ましい。
一つのポリシロキサン分子に上記したような変性方法の2つ以上を行うこともできる。
上記離型剤は1種類のみ或いは2種類以上を組み合わせて添加することができる。
本発明の光硬化性組成物に任意成分として添加できるエラストマー粒子は、平均粒子サイズが好ましくは10nm〜700nm、より好ましくは30〜300nmである。例えばポリブタジエン、ポリイソプレン、ブタジエン/アクリロニトリル共重合体、スチレン/ブタジエン共重合体、スチレン/イソプレン共重合体、エチレン/プロピレン共重合体、エチレン/α−オレフィン系共重合体、エチレン/α−オレフィン/ポリエン共重合体、アクリルゴム、ブタジエン/(メタ)アクリル酸エステル共重合体、スチレン/ブタジエンブロック共重合体、スチレン/イソプレンブロック共重合体などのエラストマーの粒子である。またこれらエラストマー粒子を、メチルメタアクリレートポリマー、メチルメタアクリレート/グリシジルメタアクリレート共重合体などで被覆したコア/シェル型の粒子を用いることができる。エラストマー粒子は架橋構造をとっていてもよい。
光照射は、モールドを付着させた状態で行ってもよいし、モールド剥離後に行ってもよいが、本発明では、モールドを密着させた状態で行うのが好ましい。
本発明において用いられる光透過性モールド材は、特に限定されないが、所定の強度、耐久性を有するものであれば良い。具体的には、ガラス、石英、PMMA、ポリカーボネート樹脂などの光透明性樹脂、透明金属蒸着膜、ポリジメチルシロキサンなどの柔軟膜、光硬化膜、金属膜等が例示される。
また、本発明に適用される光インプリントリソグラフィにおいては、光照射の際の基板温度は、通常、室温で行われるが、反応性を高めるために加熱をしながら光照射してもよい。光照射の前段階として、真空状態にしておくと、気泡混入防止、酸素混入による反応性低下の抑制、モールドと光硬化性組成物の密着性向上に効果があるため、真空状態で光照射しても良い。本発明において、好ましい真空度は、10-1Paから常圧の範囲で行われる。
エッチング処理は、適当な枚数をまとめて処理するバッチ方式でも良いし、一枚毎に処理する枚葉処理でも良い。
ウエットエッチングは、シャワー方式でも良いし、ディップ方式でもよいが、エッチングレート、面内均一性、配線幅の精度は処理温度に大きく依存するため、基板種、用途、線幅に応じて条件わ最適化する必要がある。また、前記ウエットエッチングを行う場合は、エッチング液の浸透によるアンダーカットを防止するためにポストベークを行うことが望ましい。通常これらのポストベークは90℃〜140℃程度で行われるが、必ずしもこれに限られてはいない。
前記ドライエッチングにおいて用いられるエッチャントガスとしては、それぞれの膜種に適合するエッチャントガスが使用される。a−Si/n+やs−Si用には四フッ化炭素(塩素)+酸素、四フッ化炭素(六フッ化硫黄)+塩化水素(塩素)、a−SiNx用には四フッ化炭素+酸素、a−SiOx用には四フッ化炭素+酸素、三フッ化炭素+酸素、Ta用には四フッ化炭素(六フッ化硫黄)+酸素、MoTa/MoW用には四フッ化炭素+酸素、Cr用には塩素+酸素、Al用には三塩化硼素+塩素、臭化水素、臭化水素+塩素、ヨウ化水素等が挙げられる。ドライエッチングの工程では、イオン衝撃や熱によりレジストの構造が大きく変質することがあり、剥離性にも影響する。
<単量体>
R−01: ベンジルアクリレート(ビスコート#160:大阪有機化学社製)
R−02: フェノキシエチルアクリレート(ライトアクリレートPO−A:共栄社油脂社製)
R−03: イソボルニルアクリレート(アロニックスM−156:東亜合成社製)
R−04: N−ビニル−2−ピロリドン(アロニックスM−150:東亜合成社製)
R−05: N−アクリロイルモルフォリン(ACMO:興人社製)
R−06: フェノキシヘキサエチレングリコールアセテート(AMP−60G:新中村化学社製)
R−07: フェノキシジエチレングリコールアクリレート(アロニックスM−101:東亜合成社製)
R−08: エトキシジエチレングリコールアクリレートライトアクリレートEC−A:共栄社化学社製)
R−09: ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコールジアクリレート(カラヤッドMANDA:日本化薬社製)
R−10: ポリエチレングリコールジアクリレート(ニューフロンティアPE−300:第一工業製薬社製)
R−11: トリプロピレングリコールジアクリレート(カラヤッドTPGDA:日本化薬社製)
R−12: エチレンオキサイド変性トリメチロールプロパントリアクリレート(SR−454: 化薬サートマー社製)
R−13: プロピレンオキシド変性トリメチロールプロパントリアクリレート(ニューフロンティアTMP−3P:第一工業製薬社製)
R−14: ペンタエリスリトールエトキシテトラアクリレート(Ebercryl 40:ダイセルUCB社製)
R−15: ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート(カラヤッドDPHA:日本化薬社製)
R−16: エチレンオキサイド変性リン酸ジメタクリレート(カヤマーPM−21:日本化薬社製)
R−17: エチレンオキサイド変性ネオペンチルグリコールジアクリレート(フォトマー4160:サンノプコ社製)
R−18: テトラヒドロフルフリルアクリレート(ビスコート#150:大阪有機化学社製)
R−19: トリメチロールプロパントリアクリレート(アロニックスM−309:東亜合成社製)
R−20: 1,6−ヘキサンジオールジアクリレート(フロンティアHDDA:第一工業製薬製)
R−21: エチレンオキサイド変性ビスフェノールAジアクリレート(SR−602:化薬サートマー社製)
R−22: ネオペンチルグリコールジアクリレート(SR−351:化薬サートマー社製)
R−23: ビスフェノール系エポキシアクリレート(リポキシSP1509:昭和高分子社製)
R−24: ウレタンアクリレート(ビームセット551B:荒川化学工業社製)
R−25: エポキシアクリレート(エベクリル3701:ダイセルUCB社製)
R−26: N−ヒドロキシエチルアクリルアミド(HEAA:興人社製)
R−27: エチレンオキサイド変性ビスフェノールAジアクリレート(アロニックスM−211B:東亜合成社製)
R−28: アクアロンRN−20:第一工業製薬社製
R−29: フェニルグリシジルエーテルエポキシアクリレート
R−30: 4−アクリロイルオキシメチル−2−メチル−2−エチル−1,3−ジオキソラン(MEDOL10:大阪有機工業社製)
C−2: 1.2:8,9ジエポキシリモネン(セロキサイド3000:ダイセル化学工業製)
C−3: 3−エチル−3−(フェノキシメチル)オキタセン(OXT211:東亜合成社製)
C−4: 3−エチル−3−ヒドロキシエチルオキセタン(OXT101:東亜合成社製)
C−5: ジ[1−エチル(3−オキタセニル)メチルエーテル](OXT221:東亜合成社製)
C−6: 主成分1,4−ビス[(3−エチル−3−オキセタニルメトキシ)メチル]ベンゼン(OXT−121:東亜合成社製)
C−7: 3−エチル−3−(2−エチルヘキシロキシメチル)オキセタン(OXT212:東亜合成社製)
C−8: ヒドロキシブチルビニルエーテル(HBVE:丸善石油化学社製)
C−9: ビニルシクロヘキセンモノオキサイド1,2−エポキシ−4−ビニルシクロヘキセン(セロキサイド2000:ダイセル化学工業社製)
C−10: トリエチレングリコールジビニルエーテル(RAPI−CURE DVE−3:アイエスビージャパン社製)
C−11: エポキシ化亜麻仁油(Vikoflex9040:ATOFINA社製)
<光重合開始剤>
P−1: 2,4,6−トリメチルベンゾイル−エトキシフェニル−ホスフィンオキシド(Lucirin TPO−L:BASF社製)
P−2: 2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−オン(Irgacure651:チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製)
P−3: 2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−プロパン−1−オン(Darocure1173:チバスペシャリティ・ケミカルズ社製)
P−4: 2,4,6−トリメチルベンゾイル−ジフェニルホスフィンオキシドと2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−プロパン−1−オンの混合物(Darocure4265:チバスペシャリティ・ケミカルズ社製)
P−5: 2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタノン−1と2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−オンの混合物(Irgacure1300:チバスペシャリティ・ケミカルズ社製)
P−6: 1−[4−ベンゾイルフェニルスルファニル]フェニル]−2−メチル−2−(4−メチルフェニルスルホニル)プロパン−1−オン(ESACUR1001M:日本シイベルヘグナー社製)
P−7: 2−メチル−1−〔4−(メチルチオ)フェニル〕−2−モルフォリノプロパン−」 (Irgacure−907:チバ・スペシャリティケミカルズ社製)
P−8: ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン(チバ・スペシャリティケミカルズ社製:Irgacure−184)
U−1: ダウケミカル社製:サイラキュアーUVI6990
U−2: みどり化学社製:DTS−102
<界面活性剤>
W−1: フッ素系界面活性剤(トーケムプロダクツ社製:フッ素系界面活性剤)
W−2: シリコーン系界面活性剤(大日本インキ化学工業社製:メガファックペインタッド31)
W−3: フッ素・シリコーン系界面活性剤(大日本インキ化学工業社製:メガフアックR−08)
W−4: フッ素・シリコーン系界面活性剤(大日本インキ化学工業社製:メガフアックXRB−4)
W−5: アセチレングリコール系ノニオン界面活性剤 (信越化学工業社製:サーフィノール465)
W−6: ポリオキシエチレンポリオキシプロピレン縮合物 (竹本油脂社製:パイオニンP−1525)
W−7: フッ素系界面活性剤(大日本インキ化学工業社製:F−173)
W−8: フッ素系界面活性剤(住友スリーエム社製:FC−430)
W−9: フッ素系界面活性剤(大日本インキ化学工業社製:メガファックF470)
W−10:フッ素系界面活性剤(大日本インキ化学工業社製:メガファックEXP.TF907)
A−01: 2−クロロチオキサントン
A−02: 9,10−ジブトキシアントラセン(川崎化成工業社製)
A−03: シランカップリング剤(ビニルトリエトキシシラン)(信越シリコーン製)
A−04: シリコーンオイル(日本ユニカー社製:L−7001)
A−05: 2−ジメチルアミノエチルベンゾエート
A−06: ベンゾフェノン
A−07: 4−ジメチルアミノ安息香酸エチル
A−08: 変性ジメチルポリシロキサン(ビッグケミージャパン社製:BYK−307)
A−09: 赤色225号(スダンIII)
A−10: N−エチルジエタノールアミン
A−11: プロピレンカーボネート(関東化学製)
A−12: 分散剤(味の素ファインテクノ社製:PB822)
A−13: CI Pigment Black 7(クラリアントジャパン製)
実施例1〜25および比較例1〜20により得られた組成物の各々について、下記の評価方法に従って測定、評価した。
表1、表2は組成物に用いた重合性不飽和単量体(実施例、比較例)をそれぞれ示す。
表3、表4、表7は組成物に用いた重合性不飽和単量体の配合比(実施例)をそれぞれ示す。
表5、表8は組成物に用いた単量体、光重合開始剤、界面活性剤、添加剤の配合比(実施例、比較例)をそれぞれ示す。
表6、表9は、本発明の結果(実施例、比較例)をそれぞれ示す。
粘度の測定は、東機産業(株)社製のRE−80L型回転粘度計を用い、25±0.2℃で測定した。
測定時の回転速度は、0.5mPa・s以上5mPa・s未満は100rpm、5mPa・s以上10mPa・s未満は50rpm、10mPa・s以上は30mPa・s未満は20rpm、30mPa・s以上60mPa・s未満は10rpm、60mPa・s以上120mPa・s未満は5rpm、120mPa・s以上は1rpmもしくは0.5rpmで、それぞれ、行った。
光硬化性の測定は、高圧水銀灯を光源に用い、モノマーの810cm-1の吸収の変化をフーリエ変換型赤外分光装置(FT−IR)を用いて、硬化反応速度(モノマー消費率)をリアルタイムで行った。Aは、硬化反応速度が0.2/秒以上の場合を表し、Bは、硬化反応速度が0.2/秒未満の場合を表す。
密着性は、光硬化した光硬化性レジストパターン表面に、テープを貼り付け、引き剥がした時に、テープ側に光硬化した光硬化性レジストパターンが付着あるか否か目視観察で判断し、以下のように評価した。
A:テープ側にパターンの付着が無い
B:テープ側に極く薄くではあるがパターンの付着が認められる
C:テープ側にはっきりとパターンの付着が認められる
剥離性は、光硬化後にモールドを引き剥がしたとき、未硬化物がモールドに残留するか否かを光学顕微鏡で観察し、以下のように評価した。
A:残留物無し
B:残留物有り
転写後のパターンの形状、転写パターンの残渣を走査型電子顕微鏡により観察し、残膜性およびパターン形状を以下のように評価した。
(残膜性)
A:残渣が観察されない
B:残渣が少し観察される
C:残渣が多く観察される
(パターン形状)
A:モールドのパターン形状の元となる原版のパターンとほぼ同一である
B:モールドのパターン形状の元となる原版のパターン形状と一部異なる部分(原版のパターンと20%未満の範囲)がある
C:モールドのパターン形状の元となる原版のパターンとはっきりと異なる、あるいはパターンの膜厚が原版のパターンと20%以上異なる
塗布性(I)
本発明の光硬化性組成物を膜厚4000オングストロームのアルミニウム(Al)被膜を形成した4インチの0.7mm厚さのガラス基板上に厚さが6.0μmになるようにスピンコートした後、該ガラス基板を1分間静置して、面状観察を行い、以下のように評価した。
A:ハジキと塗布スジ(ストリエーション)が観察されない
B:塗布スジが少し観察された
C:ハジキまたは塗布スジが強く観察された
塗布性(II)
本発明の光硬化性組成物を大型基板塗布用のスリットコーターレジスト塗布装置(平田機工(株)社製ヘッドコーターシステム)を用いて、膜厚4000オングストロームのアルミニウム(Al)被膜を形成した4インチの0.7mm厚さのガラス基板(550mm×650mm)上に塗布し、膜厚2.0μmのレジスト被膜を形成し、縦横に出る筋状のムラの有無を観察し、以下のように評価した。
A:筋状のムラが観察されなかった
B:筋状のムラが弱く観察された
C:筋状のムラが強く観察された、またはレジスト被膜にハジキが観察された
ガラス基板に形成した前記アルミニウム(Al)上に本発明の光硬化性組成物をパターン状に形成、硬化後にアルミニウム薄膜をリン硝酸エッチャントによりエッチングを行い、10μmのライン/スペースを目視、および顕微鏡観察し、以下のように評価した。
A:線幅10±2.0μmのアルミニウムのラインが得られた
B:ラインの線幅のばらつき±2.0μmを超えるラインになった
C:ラインの欠損部分が存在した、または、ライン間が繋がっていた
重合性不飽和単量体として、ベンジルアクリレート単量体(R−01)9.799g、トリプロピレングリコールジアクリレート単量体(R−11)78.392g、エチレンオキシド変性トリメチロールプロパントリアクリレート(R−12)9.799g、光重合開始剤として、2,4,6−トリメチルベンゾイル−エトキシフェニル−ホスフィンオキシド(BASF社製 Lucirin TPO−L)(P−1)2.00g、界面活性剤として、EFTOP EF−122A(フッ素系、W−1)0.01gを精秤し、室温で24時間混合し、均一溶液とした。ここで用いた重合性不飽和単量体の官能基数、粘度、1次皮膚刺激性(PII値)を表1に、重合性不飽和単量体の組成比を表3に、組成物の配合を表5に示した。実施例1で得られた組成物(塗布液)は粘度が30mPa・s以下の重合性不飽和単量体の割合が90質量%であり、組成物の粘度は18mPa・sであった。
この調整した組成物を膜厚4000オングストロームのアルミニウム(Al)被膜を形成した4インチの0.7mm厚さのガラス基板上に厚さが6.0μmになるようにスピンコートした。スピンコートした塗布基膜をORC社製の高圧水銀灯(ランプパワー2000mW/cm2)を光源とするナノインプリント装置にセットし、モールド加圧力0.8kN、露光中の真空度は10Torrで、10μmのライン/スペースパターンを有し、溝深さが5.0μmのポリジメチルシロキサン(東レ・ダウコーニング社製、SILPOT184を80℃60分で硬化させたもの)を材質とするモールドの裏面から100mJ/cm2の条件で露光し、露光後、モールドを離し、レジストパターンを得た。引き続き、リン硝酸エッチャントによりレジストに被覆されていないアルミニウム(Al)部を除去し、アルミニウム(Al)製の電極パターンを形成した。さらにレジスト剥離をモノエタノールアミン/ジメチルスルホキシド混合剥離液を用い、80℃にて3分間浸漬処理して行った。その結果を表6に示した。表6の結果より、本発明の組成物は、光硬化性、密着性、離型性、残膜性、パターン形状、塗布性(スピン塗布性、スリット塗布性)、エッチング性の何れも満足のできるものであった。
重合性不飽和単量体として、フェノキシエチルアクリレート単量体(R−02)29.39g、ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコールジアクリレート単量体(R−09)48.98g、トリプロピレングリコールジアクリレート(R−11)9.795g、プロピレンオキシド変性トリメチロールプロパントリアクリレート(R−13)9.795g、光重合開始剤として、2,4,6−トリメチルベンゾイル−エトキシフェニル−ホスフィンオキシド(BASF社製 Lucirin TPO−L)(P−1)2.0g、界面活性剤として、メガファックペインタッド31(シリコーン系、W−2)0.05gを精秤し、室温で24時間混合し、均一溶液とした。ここで用いた重合性不飽和単量体の官能基数、粘度、1次皮膚刺激性(PII値)を表1に、重合性不飽和単量体の組成比を表3に、組成物の配合を表5に示した。実施例2の組成物は、粘度が30mPa・s以下の重合性不飽和単量体の割合が90質量%であり、組成物の粘度は18mPa・sであった。該組成物を実施例1と同様にして露光、パターニングし、組成物の特性を調べた。その結果を表6に示した。表6の結果より、本発明の組成物は、光硬化性、密着性、離型性、残膜性、パターン形状、塗布性(スピン塗布性、スリット塗布性)、エッチング性の何れも満足のできるものであることが認められた。
実施例1と同様にして、表1に示す重合性不飽和単量体を表3に示す割合で混合し、表5に記載の組成物を調整した。この調整した組成物を実施例1と同様にしてパターニングし、該組成物の特性を調べた。その結果を表6に示した。実施例3〜18のいずれの組成物も、光硬化性、密着性、離型性、残膜性、パターン形状、塗布性(スピン塗布性、スリット塗布性)、エッチング性の何れも満足のできるものであった。
重合性不飽和単量体として、3,4−エポキシシクロヘキシルメチル−3',4'エポキシシクロヘキサンカルボキシレート単量体(C−1)を18.86g、ジ[1−エチル(3−オキタセニル)メチルエーテル](C−5)を56.58g、トリエチレングリコールジビニルエーテル(C−10)を18.86g、光重合開始剤としてスルホニウム塩系のUVI6990(ダウ・ケミカル社製)を3.0g、フッ素・シリコーン系界面活性剤としてメガフアックXRB−4(大日本インキ化学工業社製)を0.2g、および、増感剤として2−クロロチオキサントン0.50gを精秤し、室温で24時間混合し、均一溶液とした。実施例1と同様に組成物の粘度を測定したところ、18mPa・sであった。この調整した組成物を4インチのシリコーン基板上に厚さが6.0μmになるようにスピンコートした。スピンコートした塗布基膜をORC社製の高圧水銀灯(ランプパワー2000mW/cm2)を光源とするナノインプリント装置にセットし、モールド圧力は50kN/cm2、露光中の真空度は0.2Torrで、10μmのラインパターンを有し、溝深さが5.0μmのポリジメチルシロキサン(東レ・ダウコーニング社製 SILPOT184を80℃60分で硬化させたもの)を材質とするモールドの裏面から170mJ/cm2の条件で露光し、露光後、モールドを離し、組成物の特性を実施例1と同様にして調べた。その結果、光硬化性、密着性、離型性、残膜性、パターン形状、塗布性(スピン塗布性、スリット塗布性)、エッチング性の何れも良好であることが認められた。
実施例19と同様にして、表2に示す重合性不飽和単量体を表4に示す割合で混合し、表5の組成物を調整した。この調整した組成物を実施例19と同様にしてパターニングし、組成物の特性を調べた。その結果を表6に示した。実施例20〜25のいずれの組成物も、光硬化性、密着性、離型性、残膜性、パターン形状、塗布性(スピン塗布性、スリット塗布性)、エッチング性の何れも満足のできるものであることが認められた。
特開平7−70472号公報に開示されている光ディスク保護膜用紫外線硬化塗料の実施例4、実施例5に記載の組成物を、本発明の実施例1と同様にして、表1に示す重合性不飽和単量体を表7に示す割合で混合し、表8に記載の組成物を調整した。この調整した組成物を実施例1と同様にしてパターニングし、該組成物の特性を調べた。その結果を表9に示した。
比較例1の組成物はPII値が4.0以下で粘度が30mPa・s以下である重合性不飽和単量体の割合が60質量%であり、組成物の粘度が22mPa・sであった。
比較例2の組成物はPII値が4.0以下で粘度が30mPa・s以下である重合性不飽和単量体の割合が70質量%であり、組成物の粘度が23mPa・sであった。
そして、表9に示すとおり、比較例1の組成物は、離型性、塗布性(スピン塗布性、スリット塗布性)が満足できるものではなかった。比較例2の組成物は、密着性、塗布性(スピン塗布性、スリット塗布性)、エッチング性が満足できるものではなかった。
特開平7−70472号公報に開示されている光ディスク保護膜用紫外線硬化塗料の比較例4、比較例5に記載の組成物を、本発明の実施例1と同様にして、表1に示す重合性不飽和単量体を表7に示す割合で混合し、表8に記載の組成物を調整した。この調整した組成物を実施例1と同様にしてパターニングし、組成物の特性を調べた。その結果を表9に示した。比較例3の組成物はPII値が4.0以下で粘度が30mPa・s以下である重合性不飽和単量体の割合が50質量%であり、組成物の粘度が21mPa・sであった。比較例4の組成物はPII値が4.0以下で粘度が30mPa・s以下である重合性不飽和単量体の割合が90質量%であり、組成物の粘度が20mPa・sであった。表9の結果より、比較例3、比較例4の組成物は、離型性、塗布性(スピン塗布性、スリット塗布性)が満足できるものではなかった。
特開平4−149280号公報に開示されている光ディスクオーバーコート組成物の実施例、比較例1に記載の組成物を、本発明の実施例1と同様にして、表1に示す重合性不飽和単量体を表7に示す割合で混合し、表8に示す組成の組成物を調整した。この調整した組成物を実施例1と同様にしてパターニングし、組成物の特性を調べた。その結果を表9に示した。比較例5の組成物はPII値が4.0以下で粘度が30mPa・s以下である重合性不飽和単量体の割合が43質量%であり、組成物の粘度が29mPa・sであった。比較例6の組成物はPII値が4.0以下で粘度が30mPa・s以下である重合性不飽和単量体の割合が0質量%であり、組成物の粘度が24mPa・sであった。表9の結果より、比較例5の組成物は、密着性、残膜性、塗布性(スピン塗布性、スリット塗布性)、エッチング性が満足できるものではなかった。比較例6の組成物は、離型性、塗布性(スピン塗布性、スリット塗布性)、エッチング性が満足できるものではなかった。
特開平7−62043号公報に開示されている保護コート組成物の実施例1に記載の組成物を、本発明の実施例1と同様にして、表1に示す重合性不飽和単量体を表7に示す割合で混合し、表8の性組成物を調整した。この調整した組成物を実施例1と同様にしてパターンニングし、組成物の特性を調べた。その結果を表9に示した。比較例7の組成物はPII値が4.0以下で粘度が30mPa・s以下である重合性不飽和単量体の割合が16.5質量%であり、組成物の粘度が65mPa・sであった。表9の結果より、比較例7の組成物は、残膜性、パターン形状、塗布性(スリット塗布性)、エッチング性が満足できるものではなかった。
特開2001−93192号公報に開示されている保護コート組成物の実施例1、比較例2に記載の組成物を、本発明の実施例1と同様にして、表1に示す重合性不飽和単量体を表7に示す割合で混合し、表8に示す組成の組成物を調整した。この調整した組成物を実施例1と同様にしてパターニングし、組成物の特性を調べた。その結果を表9に示した。比較例8の組成物はPII値が4.0以下で粘度が30mPa・s以下である重合性不飽和単量体の割合が30質量%であり、組成物の粘度が33mPa・sであった。比較例9の組成物はPII値が4.0以下で粘度が30mPa・s以下である重合性不飽和単量体の割合が40質量%であり、組成物の粘度が31mPa・sであった。表9の結果より、比較例8の組成物は、離型性、エッチング性が満足できるものではなかった。比較例9の組成物は、密着性、エッチング性が満足できるものではなかった。
特開平2−6562号公報に開示されている光ディスク保護コート組成物の実施例1に記載の組成物を、本発明の実施例1と同様にして、表1に示す重合性不飽和単量体を表7に示す割合で混合し、表8に示す組成の組成物を調整した。この調整した組成物を実施例1と同様にしてパターニングし、組成物の特性を調べた。その結果を表9に示した。比較例10の組成物はPII値が4.0以下で粘度が30mPa・s以下である重合性不飽和単量体の割合が31.7質量%であり、組成物の粘度が56mPa・sであった。表9の結果より、比較例10の組成物は、残膜性、パターン形状、塗布性(スピン塗布性、スリット塗布性)、エッチング性が満足できるものではなかった。
特開2001−270973号公報に開示されている紫外線および電子線硬化性組成物の実施例1、実施例2に記載の組成物を、本発明の実施例1と同様にして、表1に示す重合性不飽和単量体を表7に示す割合で混合し、表8に示す組成の組成物を調整した。この調整した組成物を実施例1と同様にしてパターニングし、組成物の特性を調べた。その結果を表9に示した。比較例11の組成物はPII値が4.0以下で粘度が30mPa・s以下である重合性不飽和単量体の割合が0質量%であり、組成物の粘度が1600mPa・sであった。比較例12の組成物はPII値が4.0以下で粘度が30mPa・s以下である重合性不飽和単量体の割合が0質量%であり、組成物の粘度が920mPa・sであった。表9の結果より、比較例11、12の組成物は、光硬化性、残膜性、パターン形状、塗布性(スピン塗布性、スリット塗布性)、エッチング性が満足できるものではなかった。
特開7−53895号公報に開示されている保護コート組成物の実施例1、比較例1に記載の組成物を、本発明の実施例1と同様にして、表1に示す重合性不飽和単量体を表7に示す割合で混合し、表8に示す組成の組成物を調整した。この調整した組成物を実施例1と同様にしてパターニングし、組成物の特性を調べた。その結果を表9に示した。比較例13の組成物はPII値が4.0以下で粘度が30mPa・s以下である重合性不飽和単量体の割合が70質量%であり、組成物の粘度が25mPa・sであった。比較例14の組成物はPII値が4.0以下で粘度が30mPa・s以下である重合性不飽和単量体の割合が60質量%であり、組成物の粘度が28mPa・sであった。表9の結果より、比較例13、14の組成物は、離型性、塗布性(スリット塗布性)、エッチング性が満足できるものではなかった。
特開2003−165930号公報に開示されているペインティング組成物の実施例1に記載の組成物を、本発明の実施例1と同様にして、表1に示す重合性不飽和単量体を表7に示す割合で混合し、表8に示す組成の組成物を調整した。この調整した組成物を実施例1と同様にしてパターニングし、組成物の特性を調べた。その結果を表9に示した。比較例15の組成物はPII値が4.0以下で粘度が30mPa・s以下である重合性不飽和単量体の割合が35質量%であり、組成物の粘度が130mPa・sであった。表9の結果より、比較例15の組成物は、密着性、残膜性、パターン形状、塗布性(スピン塗布性)、エッチング性が満足できるものではなかった。
特開2005−8759号公報に開示されているインクジエット用組成物の実施例(インク組成3)に記載の組成物を、本発明の実施例1と同様にして、表1に示す重合性不飽和単量体を表4に示す割合で混合し、表8に示す組成の組成物を調整した。この調整した組成物を実施例1と同様にしてパターニングし、組成物の特性を調べた。その結果を表9に示した。比較例16の組成物はPII値が4.0以下で粘度が30mPa・s以下である重合性不飽和単量体の割合が57.9質量%であり、組成物の粘度が30mPa・sであった。表9の結果より、比較例16の組成物は、光硬化性、離型性、パターン形状、エッチング性が満足できるものではなかった。
比較例16の組成物において、色材(A−13)、分散剤(A−12)を組成物から除き、その他の成分は比較例16と同様の成分を用いて、本発明の実施例1と同様にして、表1に示す重合性不飽和単量体を表4に示す割合で混合し、表8に示す組成の組成物を調整した。この調整した組成物を実施例1と同様にしてパターニングし、組成物の特性を調べた。その結果を表9に示した。比較例16で用いた重合性不飽和単量体は、PII値が4.0以下で粘度が30mPa・s以下である重合性不飽和単量体の割合が、57.9の%であり、組成物の粘度が6mPa・sであった。表.9の結果より、比較例17の組成物は、光硬化性、離型性、パターン形状、エッチング性が満足できるものではなかった。
本発明の実施例1の組成物において、フッソ系界面活性剤(W−1)をアセチレングリコール系ノニオン界面活性剤(W−5)に変えた以外は実施例1と同様にして評価した。その結果を表9に示した。表9の結果より、比較例18の組成物は、密着性、塗布性(スピン塗布性、スリット塗布性)、エッチング性が満足できるものではなかった。
実施例2の組成物において、シリコーン系界面活性剤(W−2)を、ノニオン系界面活性剤(ポリオキシエチレンポリオキシプロピレン縮合物:W−6)に変えた以外は実施例2と同様にして評価した。その結果を表9に示した。表9の結果より、比較例18の組成物は、離型性、塗布性(スピン塗布性、スリット塗布性)、エッチング性が満足できるものではなかった。
実施例12で用いた重合性不飽和単量体のブレンド比を変更し、粘度を下げる目的でプロピレンカーボネートを添加した。さらにフッソ系界面活性剤(W−9)、光重合開始剤(P−1)を添加し、表7に示す割合で混合し、表8に記載の組成物を調整した。この調整した組成物を実施例1と同様にしてパターンニングし、組成物の特性を調べた。その結果を表9に示した。比較例20で用いた重合性不飽和単量体は、PII値が4.0以下で粘度が30mPa・s以下である重合性不飽和単量体の割合が、100%であり、組成物の粘度が2mPa・sであった。表9の結果より、比較例20の組成物は、光硬化性、離型性、塗布性(スリット塗布性)、エッチング性が満足できるものではなかった。
特に、本発明の光硬化性組成物により、従来のフォトリソグラフィ法より実質上より経済的な電子部品の微細構造を作製することができる。さらに、本発明の光硬化性組成物は、下記の有利な特徴を有するものとすることができる。
(5)本発明の光硬化性組成物は、膜の光硬化速度が高いので、生産性が高い。
(6)エッチング加工精度、エッチング耐性などに優れるので、半導体デバイスやトランジスタなどの基板加工用エッチングレジストとして好適に用いることができる。
(7)エッチング後のレジスト剥離性に優れ、残渣を生じないため、エッチングレジストとして好適に用いることができる。
Claims (3)
- (a)重合性化合物と、
(b)光重合開始剤および/または光酸発生剤0.1〜15質量%と、
(c)シリコーン系界面活性剤の少なくとも1種0.001〜5質量%とを含み、
(d)25℃における粘度が3〜18mPa・sの範囲である、光硬化性組成物であって、
前記(a)重合性化合物のうち50質量%以上は、1次皮膚刺激性(PII値)が4.0以下であり、前記(a)重合性化合物のうち50質量%以上は、25℃における粘度が30mPa・s以下である、光ナノインプリントリソグラフィ用光硬化性組成物。 - 請求項1に記載の光硬化性組成物を用いてなるレジストであって、請求項1に記載の光硬化性組成物を塗布する工程、光透過性モールドを基板上のレジスト層に加圧し、前記光硬化性組成物を変形させる工程、モールド裏面または基板裏面より光を照射し、塗膜を硬化し、所望のパターンに嵌合するレジストパターンを形成する工程、光透過性モールドを塗膜から脱着する工程、光硬化性組成物をマスクとし基板をエッチングする工程及び光硬化性組成物をエッチング後に剥離する工程を含むレジストパターン形成方法に用いるレジスト。
- 請求項1に記載の光硬化性組成物を塗布する工程、光透過性モールドを基板上のレジスト層に加圧し、前記光硬化性組成物を変形させる工程、モールド裏面または基板裏面より光を照射し、塗膜を硬化し、所望のパターンに嵌合するレジストパターンを形成する工程、光透過性モールドを塗膜から脱着する工程、光硬化性組成物をマスクとし基板をエッチングする工程及び光硬化性組成物をエッチング後に剥離する工程を含むレジストパターン形成方法。
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