JP6071255B2 - 光硬化物 - Google Patents

Description

本発明は、光硬化物に関する。

半導体集積回路は、微細化、集積化が進んでおり、微細化や集積化を実現するための微細加工を可能にするためのパターン形成技術として、例えば、フォトリソプロセス（フォトリソグラフィ技術）がある。また近年では、フォトリソプロセスに用いられるフォトリソグラフィ装置の高精度化が進められてきた。しかし要求される加工精度が露光光の回折限界に近づいたことに伴い、フォトリソグラフィ技術も限界に近づいてきた。

そこでさらなる微細化、高精度化を進める手段として、微細な凹凸パターンが形成されたモールドを光硬化性組成物が塗布された基板に押し付けて、このモールドの凹凸を基板上に塗布された光硬化性組成物に転写する光インプリント法が提案されている。

中でも、露光光に対して透明なモールドを、基板上に塗布された光硬化性組成物に接触し、光照射により光硬化性組成物を硬化させ、モールドを硬化物から剥離して基板と一体の微細パターンを製造する光インプリント方法が注目されている。

ここで特許文献１には、基板側に配置された深層部と、この深層部上に配置され、この深層部に比してフッ素化合物含有量が多い表層部とを備えるインプリント用光硬化物が開示されている。また特許文献１に記載の光硬化物は、表層部にフッ素化合物を含有させることで表面エネルギーを下げられるので、光硬化物とモールドとを剥離するための離型力を低減できるとしている。一方、特許文献２には、少なくとも１種の重合性モノマー、光重合開始剤及びフッ素原子含有界面活性剤からなる光インプリント用光硬化性組成物が開示されている。ここで特許文献２では、マスクと重合性組成物の間に所望の濡れ性と離型性を与えるマスク処理方法として、フッ素原子含有界面活性剤を含む光硬化性組成物を用いることで、特許文献１と同様にして離型力を低減できるとしている。

特開２００６−０８０４４７号公報 米国特許第７，８３７，９２１号明細書

Ｈａｎｄｂｏｏｏｋ ｏｆ Ｘ−ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｃｏｐｙ Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，Ｉｎｃ編

しかし光インプリント技術においては、従来の光インプリント方法では解決できない課題が複数存在する。その中の一つに、モールドを硬化物から離型するために要する力、即ち、離型力を小さくするという課題がある。この離型力が大きいと、硬化物のパターンに欠陥が生じたり、基板がステージから浮き上がって位置合わせ精度が低下したりする等の問題が発生することがある。

ここで、特許文献１及び特許文献２にて開示された方法では、離型力の低減効果が十分ではなかった。また特許文献１及び特許文献２には、フッ素や界面活性剤を深さ方向で、表面側に偏析させた組成物において、偏析したフッ素部分の厚みや量に関する分析データが全く提示されていなかった。

本発明は、上述した課題を鑑みてなされたものであり、その目的は、離型力が小さい光硬化物を提供することにある。

本発明の光硬化物は、光による硬化で得られる光硬化物であって、
下記一般式［１］に示される界面活性剤を、前記光硬化物に対して０．００１重量％〜５重量％含有し、
分解Ｘ線光電子分光分析を用いた前記光硬化物の表面分析によって得られる前記光硬化物の最表面に関する分析結果のうち、前記光硬化物の最表面における炭素の化学状態に関する分析結果として得られたＸ線光電子分光スペクトルを波形分離処理することで得られるエーテル結合由来のピークのピーク面積が、エステル結合由来のピークのピーク面積の３．０倍以上であることを特徴とする。
Ｒ₁−ｘ₁−Ｒ₂−ｘ₂−Ｒ₃ ［１］
（式［１］において、Ｒ₁は、パーフルオロアルキル基を表す。Ｒ₂は、エチレンオキシドを含む２価の置換基を表す。Ｒ₃は、極性官能基を表す。ｘ₁は、メチレン基を表す。ｘ₂は、単結合又は２価の置換基を表す。）

本発明によれば、離型力が小さい光硬化物を提供することができる。

本発明の製造方法における光硬化物及び回路付基板の製造プロセスを示す断面模式図である。 実施例１で作製した光硬化物の深さ方向のＡＲ−ＸＰＳ測定の結果を示す図である。 実施例２で作製した光硬化物の深さ方向のＡＲ−ＸＰＳ測定の結果を示す図である。 比較例１で作製した光硬化物の深さ方向のＡＲ−ＸＰＳ測定の結果を示す図である。 ＡＲ−ＸＰＳ測定から求められたピーク面積比（Ｃ−Ｏ−Ｃ／Ｏ−Ｃ＝Ｏ）と層体離型力との関係を示すグラフである。

以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。尚、本発明は、以下に説明する実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、当業者の通常の知識に基づいて、以下に説明する実施形態に対して適宜変更、改良等が加えられたものも当然に本発明の範囲に含まれる。

本発明の光硬化物は、光による硬化で得られる光硬化物であって、界面活性剤を含有する。また本発明の光硬化物は表面の組成に特徴がある。本発明の光硬化物の表面組成に関する情報は、分解Ｘ線光電子分光分析を用いた（光硬化物の）表面分析によって得られる。この情報は、具体的には、光硬化物の最表面に関する分析結果のうち、前記光硬化物の最表面における炭素の化学状態に関する分析結果として得られたＸ線光電子分光スペクトルを波形分離処理することで得られる２種類のピークに関する情報である。即ち、エーテル結合由来のピークとエステル結合由来のピークに関する情報である。本発明では、エーテル結合由来のピークとエステル結合由来のピークとを比較したときに、エーテル結合由来のピークのピーク面積は、エステル結合由来のピークのピーク面積の３．０倍以上である。

尚、本発明の光硬化物は、例えば、光インプリント方法を利用して製造されるが、本発明においては、利用する技術は光インプリント方法に限定されるものではない。本発明において、光インプリント方法を用いる場合では、ミリレベル、ミクロンレベル（サブミクロンレベルを含む）又はナノレベル（１ｎｍ〜１００ｎｍ）の凹凸を備えるパターンを有する光硬化物を製造することができる。ここで光インプリント方法を用いる場合では、好ましくは、１ｎｍ乃至１０ｍｍのサイズのパターンを形成する。より好ましくは、１０ｎｍ乃至１００μｍのサイズのパターンを形成する。

以下、本発明の光硬化物の詳細を説明する。

本発明の光硬化物は、界面活性剤を含有する光硬化性組成物を光照射することで得られる。尚、光硬化性組成物の詳細な組成及び光硬化性組成物に含まれる界面活性剤の詳細については、後述する。

本発明の光硬化物において、表面物性等のモールドとの離型力に大いに関わる物性は、分解Ｘ線光電子分光分析（ＸＰＳ分析）によって、評価することができる。

ＸＰＳ分析は、Ｘ線照射により固体の表面を励起し、当該表面から放出される高電子のエネルギーを分析する手法である。さらに、角度分解型Ｘ線光電子分光法（Ａｎｇｌｅ Ｒｅｓｏｌｖｅｄ Ｘ−ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ、ＡＲ−ＸＰＳ）では、Ｘ線により励起された光電子の検出角度を変化させる。これにより、実効的な検出深さを変えることができる。このため、ＡＲ−ＸＰＳ法では、スパッタリング等を用いることなく非破壊で深さ方向の表面、より具体的には、表面近傍（最表面から約１０ｎｍ以下）の深さ方向の情報を得ることができる。また光電子の取り出し角度を小さくすると、より表面側に存在する元素や化学結合に関する情報が得られることから、表面に存在する化学種（官能基）及び組成を推定することができる。

ここで、本発明の光硬化物は主に有機化合物から構成される。このため、光硬化物の最表面に存在する炭素の化学状態についてＸＰＳ分析を用いて分析・評価すると、例えば、当該最表面における炭素原子を含む官能基の種類及びその量に関する情報が複数のピークを有するスペクトルという形で得られる。具体的には、当該スペクトルのピーク位置から官能基の種類を分析することが可能であり、当該スペクトルの各ピークの面積から官能基の量を分析することが可能である。特に、モノクロＸ線源を用いた高エネルギー分解能ＸＰＳ測定では、それぞれのピークを区別することが可能であり、各ピークの波形分離を行えば各官能基・結合に関わる元素の数を定量することができる。

本発明の光硬化物では、ＸＰＳ分析により、光硬化物の最表面に存在する炭素原子を含む官能基、具体的には、エーテル結合（−Ｃ−Ｏ−Ｃ−）及びエステル結合（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−）に関する情報をスペクトルで得ることができる。これは、有機化合物のＣ１ｓスペクトルではＣ−Ｃ結合、Ｃ−Ｏ結合、Ｃ＝Ｏ結合のそれぞれが固有の化学シフトを有しているためである。そして、このスペクトルを波形分離すると、このスペクトルに含まれる複数のピークのピーク面積から光硬化物の最表面に存在するエーテル結合、エステル結合等の炭素原子を含む官能基の相対的な量に関する情報が得られる。本発明の光硬化物において、ＸＰＳ分析によって確認することができるエーテル結合に関する情報は、主に、界面活性剤に含まれるエーテル結合に関する情報と考えられる。つまりエーテル結合に関する情報は、ＸＰＳ分析によって光硬化物の表面に界面活性剤が存在することを裏付ける情報でもある。一方、本発明の光硬化物において、ＸＰＳ分析によって確認することができるエステル結合に関する情報は、主に、光硬化物の基材となるモノマーに含まれるエステル結合に関する情報と考えられる。つまりエステル結合に関する情報は、ＸＰＳ分析によって光硬化物の表面にエステル結合を有するモノマーが存在することを裏付ける情報でもある。ここでエステル結合を有するモノマーとは、例えば、アクリレート（−ＣＨ₂＝ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−）又はメタクリレート（−ＣＨ₂＝Ｃ（ＣＨ₃）−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−）を有するモノマーが挙げられる。

本発明の光硬化物では、エーテル結合由来のピークのピーク面積は、エステル結合由来のピークのピーク面積の３．０倍以上である。これは、本発明の光硬化物の表面にエーテル結合を有する化合物、例えば、界面活性剤が偏在することを意味する。

本発明者らは、従来着目されていたフッ素元素の表面偏析よりも、エーテル結合を有するＥＯ基（−ＣＨ₂−ＣＨ₂−Ｏ−）・ＰＯ基（−ＣＨ₂−ＣＨ₂−ＣＨ₂−Ｏ−）を光硬化物の最表面に偏在させることで、離型力がより低減されることを見出した。また、従来では界面活性剤をより多く表面に偏在させることで離型性が向上されると考えられていた。しかし、発明者らがＡＲ−ＸＰＳ分析を行ったところ、光硬化物に偏在させる界面活性剤の量に最適値があることが判明した。つまり光硬化物に偏在させる界面活性剤を多くしたとしても離型力が減少するとは限らずかえって大きくなることが判明した。さらに、光硬化物の表面においては、フッ素を含む置換基の濃度を多くさせるよりも、エーテル結合を有するＥＯ基・ＰＯ基を所定の濃度で添加した場合に、離型力がより小さくなることが判明した。さらに、エーテル結合を有する置換基（例えば、アルキレンオキサイド）においては、ＰＯ基よりもＥＯ基の方が、離型力の観点からより好ましいことがわかった。

以上を考慮すると、光硬化物のモールドに対する離型力を小さくさせるには、光硬化物の表面にエーテル結合がエステル結合よりも多く存在させる必要がある。定量的に考えると、ＡＲ−ＸＰＳ等のＸＰＳ分析によって得られるエーテル結合由来のピークのピーク面積は、エステル結合由来のピークのピーク面積の３．０倍以上であればよい。好ましくは、４倍以上であり、より好ましくは、４倍以上２０倍以下である。

ただし本発明の光硬化物において、光硬化物の表面の存在し得る官能基は、上述したエーテル結合を有する置換基、エステル結合を有する置換基に限定されるものではない。

本発明の光硬化物が離型性を向上させる理由については、詳細なメカニズムは明らかになっていないが、発明者らは、離型剤として機能する界面活性剤の構造及び添加する濃度を最適化することで離型力を低減させることができることを見出した。

光硬化物の表面に界面活性剤を偏在させる等により、光硬化物の表面の分子構成のうちエチレンオキサイド部位を占める割合が多くなると、エチレンオキサイドと他の部分構造との親和性や界面活性剤が形成するラメラ層の観点から、いくつかの仮説が考えられる。

例えば、エーテル結合を有し親水性の分子ユニットであるアルキレンオキサイド（ＥＯ／ＰＯ基）は、レジストモノマー（重合性モノマー）との親和性が小である一方で石英との親和性は大きいことから、以下に説明する仮説が考えられる。

即ち、界面活性剤が石英（モールド）とモノマー（重合性モノマー）との間に入り込んでラメラ層を形成し、モールド側に付着する界面活性剤に含まれるフッ素原子を含む部位とモノマーとの間で界面が形成される。このときフッ素原子を含む部位とモノマー分子との両者の親和性が低いために離型力が低下する、といった仮説が考えられる。

また、光硬化物の表面に界面活性剤を偏在させるときに、光硬化物の表面全体に対して所定の量（いわゆる最適値）で偏在させると、親水と疎水とバランス等から最もエネルギー的に安定な構造をとることが知られている。光硬化性組成物に含まれる界面活性剤の量が光硬化物の表面全体にラメラ層を形成させるのに最低限必要な量に満たなければ光硬化物の表面を充分に覆うことができないので、離型性の向上はあまり見込めない。一方、光硬化性組成物に含まれる界面活性剤の量がラメラ層を安定的に形成するのに最適な量の上限を超えてしまうと、界面活性剤がきれいなラメラ層構造を形成することができなくなり、きれいな界面を形成できなくなるためと推測される。以上から、界面活性剤がきれいなラメラ層を形成するのに最適な界面活性剤の量を適宜調節することで離型力が小さくなるといった仮説が考えられる。

（ＡＲ−ＸＰＳ分析）
次に、ＡＲ−ＸＰＳ分析及び具体的な測定方法について説明する。

本発明の光硬化物の表面を分析する際に利用されるＸＰＳは、一般に表面分析機器として市販されているものを利用することができるが、近似計算をするためにデータ処理機能がついているものが好ましい。

ＡＲ−ＸＰＳ分析は、前述したように、検出器の取り出し角度（Ｔａｋｅ ｏｆｆ Ａｎｇｌｅ；ＴＯＡ）を変更することにより、検出深さを変える方法である。一般にＴＯＡは、５度から９０度の範囲で傾ける（角度調節する）ことができる。ここでＴＯＡを小さくすることにより、より最表面の情報を得ることができる。

また実際に測定する際には、光硬化物の膜厚や界面活性剤に含まれ得るフルオロカーボンが受けるダメージの程度により、ＴＯＡや積算回数を決めることができる。

ここで測定するサンプルにもよるが、ＴＯＡが小さくなると、信号強度も小さくなるため、最表面のＡＲ−ＸＰＳ分析には、ＴＯＡ５度乃至１５度の範囲で測定することが好ましい。

また、測定中のダメージを低減させるために、中和用のＡｒイオンは低電圧にする等、できるだけチャージアップを低減させるような測定条件が好ましい。

尚、炭素Ｃ１ｓの化学状態分析における結合エネルギーは、文献値（非特許文献１）を参照することができる。具体的には、以下の通りである。
Ｃ−Ｃ（Ｇｒａｐｈｉｔｅ）：φ；２８４．５ｅＶ、ＮＩＳＴ；２８５ｅＶ
ＰＥＯ（−ＣＨ₂Ｃ＊Ｈ₂Ｏ−）：φ；２８４．５ｅＶ
ｐ（ＣＨ₃ＯＣ＊ＯＣＨ＝ＣＨ₂）：φ；２８８．６ｅＶ
ｐ（Ｃ＊Ｆ₂−ＣＨ₂）：φ；２９０．８ｅＶ、ＮＩＳＴ；２９０．９ｅＶ
ｐ（Ｃ＊Ｆ₃）：φ；２９４．７ｅＶ

また、測定後の波形処理（ピーク分離）には、アルバック・ファイ製のマルチパックの等を用いて解析を行えばよい。尚、以上述べたＡＲ−ＸＰＳ測定は、サンプル表面における面内分布を考慮し、複数の領域について実施し、その平均値をとることが好ましい。

（界面活性剤）
本発明の光硬化物は、界面活性剤が含まれている。本発明において、界面活性剤は、ノニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤のいずれでもよい。界面活性剤として、好ましくは、フッ素原子を含有する化合物又はエチレンオキシド骨格を含有する化合物である。より好ましくは、フッ素原子を含有する化合物及びエチレンオキシド骨格を含有する化合物である。尚、界面活性剤として好適な化合物については、後述する。

本発明の光硬化物に含まれる界面活性剤は、具体的には、以下の（ｉ）乃至（ｉｉｉ）の方法によって、主に、光硬化物の表面に偏在させることができる。
（ｉ）光硬化性組成物中に予め含有させる方法
（ｉｉ）予めモールド表面に界面活性剤を塗布し、モールドと光硬化組成物とを接触させる際に光硬化性組成物の表面に移行させる方法
（ｉｉｉ）予めモールド表面に界面活性剤を塗布し、モールドと光硬化組成物とを接触させた後、光照射時又は離型時において光硬化性組成物の表面に移行させる方法

上記（ｉ）乃至（ｉｉｉ）のいずれの場合においても、界面活性剤が光硬化物とモールドの界面に薄膜状に介在することになる。またフッ素原子にフッ素原子により表面エネルギーが低下することで、離型力が低減できると考えられている。

本発明の光硬化物に含まれる界面活性剤は、好ましくは、下記式［１］に示される化合物である。

Ｒ₁−ｘ₁−Ｒ₂−ｘ₂−Ｒ₃ ［１］

式［１］において、Ｒ₁は、パーフルオロアルキル基を表す。Ｒ₁で表されるパーフルオロアルキル基の具体例としては、パーフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロペンチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロヘプチル基、パーフルオロオクチル基、パーフルオロノニル基、パーフルオロデシル基等の水素原子が全てフッ素原子に置換された炭素数２〜２０の直鎖状アルキル基が挙げられる。尚、環境安全性の観点から、パーフルオロアルキル基の炭素数は７以下が好ましい。

式［１］において、Ｒ₂は、エチレンオキシドを含む２価の置換基を表す。ここで、エチレンオキシドを含む２価の置換基とは、具体的には、下記（ｉ）又は（ｉｉ）で示される２価の置換基である。
（ｉ）エチレンオキシドを含むポリアルキレンオキシド鎖
（ｉｉ）エチレンオキシドを含むアルキル鎖

上記（ｉ）の具体例としては、繰り返し単位数１〜１００のポリエチレンオキシド鎖、繰り返し単位の数が１〜１００のポリプロピレンオキシド鎖（−ＣＨ₂ＣＨ（ＣＨ₃）Ｏ−）等が挙げられる。

上記（ｉｉ）の具体例としては、繰り返し単位数１〜１００のポリエチレンオキシド鎖と炭素数２〜１００の直鎖状アルキル基とからなる重合鎖、繰り返し単位数１〜１００のポリエチレンオキシド鎖と環状構造を含むアルキル基とからなる重合鎖等が挙げられる。

式［１］において、Ｒ₃は、極性官能基を表す。Ｒ₃で表される極性官能基としては、アルキルヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基、ピリジル基、シラノール基、スルホ基等が挙げられる。

式［１］において、ｘ₁及びｘ₂は、それぞれ単結合又は２価の置換基を表す。ｘ₁及びｘ₂のいずれかが２価の置換基である場合、その具体例としては、アルキレン基、フェニレン基、ナフチレン基、エステル基、エーテル基、チオエーテル基、スルホニル基、２級アミノ基、３級アミノ基、アミド基、ウレタン基等が挙げられる。

尚、界面活性剤は、１種類を単独で使用してもよいし、２種類以上を併用して使用してもよい。

本発明の光硬化性組成物に含まれるフッ素原子含有界面活性剤の配合割合は、光硬化性組成物に含まれる重合性モノマー（Ａ成分）の全量を基準として決定する。具体的には、Ａ成分の全量の０．００１重量％〜５重量％であり、好ましくは、０．００２重量％〜４重量％であり、より好ましくは、０．００５重量％〜３重量％である。

［光硬化物の製造方法］
次に、図面を適宜参照しながら、本発明の光硬化物の製造方法について説明する。本発明の光硬化物の製造プロセスには、少なくとも下記（Ａ）乃至（Ｃ）が含まれている。
（Ａ）基板上に、光硬化性組成物を塗布する塗布工程
（Ｂ）光硬化性組成物に、所定のパターン形状を有するモールドを接触させた上で、モールドを介して光硬化性組成物に光を照射して光硬化性組成物を硬化させる硬化工程
（Ｃ）光硬化性組成物とモールドとを離す離型工程

図１は、図１は、本発明の製造方法における光硬化物及び回路付基板の製造プロセスを示す断面模式図である。図１に示される製造プロセスは、下記（１）乃至（５）あるいは（６）に示される工程からなる製造プロセスである。
（１）塗布工程（図１（ａ））
（２）接触工程（図１（ｂ１）、（ｂ２））
（３）光照射工程（図１（ｃ））
（４）離型工程（図１（ｄ））
（５）エッチング工程（図１（ｅ））
（６）基板加工工程（図１（ｆ））

以上（１）乃至（６）に示される工程（あるいは（１）乃至（５）に示される工程）を経ることで、光硬化性組成物１から光硬化物１１、及び光硬化物１１を有する電子部品（電子デバイス）あるいは光学部品を得ることができる。以下、各工程の詳細について説明する。

（１）塗布工程
まず光硬化性組成物１を基板２上に塗布する（図１（ａ））。ここで光硬化性組成物は、下記（１−１）乃至（１−３）の成分を含む組成物である。
（１−１）光によって硬化する光硬化成分
（１−２）光硬化成分の硬化を補助する硬化助剤
（１−３）界面活性剤

（１−１）光硬化成分
本発明において、光硬化成分とは、光を照射したときに架橋、重合等の反応を起こして硬化する成分である。より具体的には、光を照射したときに自己反応又は後述する硬化助剤から発せられるラジカル、カチオン又はアニオンとの反応により重合される光重合性モノマーである。

光重合性モノマーとして、例えば、ラジカル重合性モノマー又はカチオン重合性モノマーが挙げられる。

（ラジカル重合性モノマー）
ラジカル重合性モノマーとして、好ましくは、アクリロイル基又はメタクリロイル基を１つ以上有する化合物である。

アクリロイル基又はメタクリロイル基を１つ有する単官能（メタ）アクリル化合物として、例えば、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、フェノキシ−２−メチルエチル（メタ）アクリレート、フェノキシエトキシエチル（メタ）アクリレート、３−フェノキシ−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２ーフェニルフェノキシエチル（メタ）アクリレート、４−フェニルフェノキシエチル（メタ）アクリレート、３−（２−フェニルフェニル）−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、エチレンオキシドを反応させたｐ−クミルフェノールの（メタ）アクリレート、２−ブロモフェノキシエチル（メタ）アクリレート、２，４−ジブロモフェノキシエチル（メタ）アクリレート、２，４，６−トリブロモフェノキシエチル（メタ）アクリレート、エチレンオキサイドやプロピレンオキサイドを複数モル変性させたフェノキシ（メタ）アクリレート、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、１−アダマンチル（メタ）アクリレート、２−メチル−２−アダマンチル（メタ）アクリレート、２−エチル−２−アダマンチル（メタ）アクリレート、ボルニル（メタ）アクリレート、トリシクロデカニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、４−ブチルシクロヘキシル（メタ）アクリレート、アクリロイルモルホリン、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、アミル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、イソアミル（メタ）アクリレート、へキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、オクチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、イソデシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、イソステアリル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、ブトキシエチル（メタ）アクリレート、エトキシジエチレングリコール（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート、メトキシエチレングリコール（メタ）アクリレート、エトキシエチル（メタ）アクリレート、メトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、ジアセトン（メタ）アクリルアミド、イソブトキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド、ｔ−オクチル（メタ）アクリルアミド、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレート、７−アミノ−３，７−ジメチルオクチル（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ−ジエチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピル（メタ）アクリルアミド等が挙げられるが、これらに限定されない。

上述した単官能（メタ）アクリル化合物の市販品としては、例えば、アロニックスＭ１０１、Ｍ１０２、Ｍ１１０、Ｍ１１１、Ｍ１１３、Ｍ１１７、Ｍ５７００、ＴＯ−１３１７、Ｍ１２０、Ｍ１５０、Ｍ１５６（以上、東亞合成製）、ＭＥＤＯＬ１０、ＭＩＢＤＯＬ１０、ＣＨＤＯＬ１０、ＭＭＤＯＬ３０、ＭＥＤＯＬ３０、ＭＩＢＤＯＬ３０、ＣＨＤＯＬ３０、ＬＡ、ＩＢＸＡ、２−ＭＴＡ、ＨＰＡ、ビスコート＃１５０、＃１５５、＃１５８、＃１９０、＃１９２、＃１９３、＃２２０、＃２０００、＃２１００、＃２１５０（以上、大阪有機化学工業製）、ライトアクリレートＢＯ−Ａ、ＥＣ−Ａ、ＤＭＰ−Ａ、ＴＨＦ−Ａ、ＨＯＰ−Ａ、ＨＯＡ−ＭＰＥ、ＨＯＡ−ＭＰＬ、ＰＯ−Ａ、Ｐ−２００Ａ、ＮＰ−４ＥＡ、ＮＰ−８ＥＡ、エポキシエステルＭ−６００Ａ（以上、共栄社化学製）、ＫＡＹＡＲＡＤ ＴＣ１１０Ｓ、Ｒ−５６４、Ｒ−１２８Ｈ（以上、日本化薬製）、ＮＫエステルＡＭＰ−１０Ｇ、ＡＭＰ−２０Ｇ（以上、新中村化学工業製）、ＦＡ−５１１Ａ、５１２Ａ、５１３Ａ（以上、日立化成製）、ＰＨＥ、ＣＥＡ、ＰＨＥ−２、ＰＨＥ−４、ＢＲ−３１、ＢＲ−３１Ｍ、ＢＲ−３２（以上、第一工業製薬製）、ＶＰ（ＢＡＳＦ製）、ＡＣＭＯ、ＤＭＡＡ、ＤＭＡＰＡＡ（以上、興人製）等が挙げられるが、これらに限定されない。

アクリロイル基又はメタクリロイル基を２つ以上有する多官能（メタ）アクリル化合物として、例えば、トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ＰＯ変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ＥＯ， ＰＯ変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−へキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、トリス（２−ヒドキシエチル）イソシアヌレートトリ（メタ）アクリレート、トリス（アクリロイルオキシ）イソシアヌレート、ビス（ヒドロキシメチル）トリシクロデカンジ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性２，２−ビス（４−（（メタ）アクリロキシ）フェニル）プロパン、ＰＯ変性２，２−ビス（４−（（メタ）アクリロキシ）フェニル）プロパン、ＥＯ，ＰＯ変性２，２−ビス（４−（（メタ）アクリロキシ）フェニル）プロパン
等が挙げられるが、これらに限定されない。

上述した多官能（メタ）アクリル化合物の市販品として、例えば、ユピマーＵＶ ＳＡ１００２、ＳＡ２００７（以上、三菱化学製）、ビスコート＃１９５、＃２３０、＃２１５、＃２６０、＃３３５ＨＰ、＃２９５、＃３００、＃３６０、＃７００、ＧＰＴ、３ＰＡ（以上、大阪有機化学工業製）、ライトアクリレート ４ＥＧ−Ａ、９ＥＧ−Ａ、ＮＰ−Ａ、ＤＣＰ−Ａ、ＢＰ−４ＥＡ、ＢＰ−４ＰＡ、ＴＭＰ−Ａ、ＰＥ−３Ａ、ＰＥ−４Ａ、ＤＰＥ−６Ａ（以上、共栄社化学製）、ＫＡＹＡＲＡＤ ＰＥＴ−３０、ＴＭＰＴＡ、Ｒ−６０４、ＤＰＨＡ、ＤＰＣＡ−２０、−３０、−６０、−１２０、ＨＸ−６２０、Ｄ−３１０、Ｄ−３３０（以上、日本化薬製）、アロニックスＭ２０８、Ｍ２１０、Ｍ２１５、Ｍ２２０、Ｍ２４０、Ｍ３０５、Ｍ３０９、Ｍ３１０、Ｍ３１５、Ｍ３２５、Ｍ４００（以上、東亞合成製）、リポキシＶＲ−７７、ＶＲ−６０、ＶＲ−９０（以上、昭和高分子製）等が挙げられるが、これらに限定されない。

以上に列挙したラジカル重合性モノマーは、一種類を単独で使用してもよいし、二種類以上を組み合わせて使用してもよい。

尚、以上に列挙した化合物において、（メタ）アクリレートとは、エステル部位が共通するアクリレートとメタクリレートとの組合せを意味し、（メタ）アクリロイル基とは、アクリロイル基とメタクリロイル基との組合せを意味する。またＥＯとは、エチレンオキシドを示し、ＥＯ変性された化合物とはエチレンオキシド基のブロック構造を有することを意味するものである。さらに、ＰＯとは、プロピレンオキシドを示し、ＰＯ変性された化合物はプロピレンオキシド基のブロック構造を有することを意味するものである。

（カチオン重合性モノマー）
カチオン重合性モノマーとして、好ましくは、ビニルエーテル基、エポキシ基又はオキセタニル基を１つ以上有する化合物である。

ビニルエーテル基を１つ有する化合物として、例えば、メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、プロピルビニルエーテル、ｎ−ブチルビニルエーテル、ｔ−ブチルビニルエーテル、２−エチルヘキシルビニルエーテル、ｎ−ノニルビニルエーテル、ラウリルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテル、シクロヘキシルメチルビニルエーテル、４−メチルシクロヘキシルメチルビニルエーテル、ベンジルビニルエーテル、ジシクロペンテニルビニルエーテル、２−ジシクロペンテノキシエチルビニルエーテル、メトキシエチルビニルエーテル、エトキシエチルビニルエーテル、ブトキシエチルビニルエーテル、メトキシエトキシエチルビニルエーテル、エトキシエトキシエチルビニルエーテル、メトキシポリエチレングリコールビニルエーテル、テトラヒドロフリフリルビニルエーテル、２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、２−ヒドロキシプロピルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、４−ヒドロキシメチルシクロヘキシルメチルビニルエーテル、ジエチレングリコールモノビニルエーテル、ポリエチレングリコールビニルエーテル、クロルエチルビニルエーテル、クロルブチルビニルエーテル、クロルエトキシエチルビニルエーテル、フェニルエチルビニルエーテル、フェノキシポリエチレングリコールビニルエーテル等が挙げられるが、これらに限定されない。

ビニルエーテル基を２つ以上有する化合物として、例えば、エチレングリコールジビニルエーテル、ジエチレングリコールジビニルエーテル、ポリエチレングリコールジビニルエーテル、プロピレングリコールジビニルエーテル、ブチレングリコールジビニルエーテル、ヘキサンジオールジビニルエーテル、ビスフェノールＡアルキレンオキサイドジビニルエーテル、ビスフェノールＦアルキレンオキサイドジビニルエーテル等のジビニルエーテル類；トリメチロールエタントリビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル、ジトリメチロールプロパンテトラビニルエーテル、グリセリントリビニルエーテル、ペンタエリスリトールテトラビニルエーテル、ジペンタエリスリトールペンタビニルエーテル、ジペンタエリスリトールヘキサビニルエーテル、エチレンオキサイド付加トリメチロールプロパントリビニルエーテル、プロピレンオキサイド付加トリメチロールプロパントリビニルエーテル、エチレンオキサイド付加ジトリメチロールプロパンテトラビニルエーテル、プロピレンオキサイド付加ジトリメチロールプロパンテトラビニルエーテル、エチレンオキサイド付加ペンタエリスリトールテトラビニルエーテル、プロピレンオキサイド付加ペンタエリスリトールテトラビニルエーテル、エチレンオキサイド付加ジペンタエリスリトールヘキサビニルエーテル、プロピレンオキサイド付加ジペンタエリスリトールヘキサビニルエーテル等の多官能ビニルエーテル類等が挙げられるが、これらに限定されない。

エポキシ基を１つ有する化合物として、例えば、フェニルグリシジルエーテル、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルグリシジルエーテル、ブチルグリシジルエーテル、２−エチルヘキシルグリシジルエーテル、アリルグリシジルエーテル、１，２−ブチレンオキサイド、１，３−ブタジエンモノオキサイド、１，２−エポキシドデカン、エピクロロヒドリン、１，２−エポキシデカン、スチレンオキサイド、シクロヘキセンオキサイド、３−メタクリロイルオキシメチルシクロヘキセンオキサイド、３−アクリロイルオキシメチルシクロヘキセンオキサイド、３−ビニルシクロヘキセンオキサイド等が挙げられるが、これらに限定されない。

エポキシ基を２つ以上有する化合物として、例えば、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、ビスフェノールＦジグリシジルエーテル、ビスフェノールＳジグリシジルエーテル、臭素化ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、臭素化ビスフェノールＦジグリシジルエーテル、臭素化ビスフェノールＳジグリシジルエーテル、エポキシノボラック樹脂、水添ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、水添ビスフェノールＦジグリシジルエーテル、水添ビスフェノールＳジグリシジルエーテル、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３’，４’−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル−５，５−スピロ−３，４−エポキシ）シクロヘキサン−メタ−ジオキサン、ビス（３，４−エポキシシクロヘキシルメチル）アジペート、ビニルシクロヘキセンオキサイド、４−ビニルエポキシシクロヘキサン、ビス（３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル）アジペート、３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシル−３’，４’−エポキシ−６’−メチルシクロヘキサンカルボキシレート、メチレンビス（３，４−エポキシシクロヘキサン）、ジシクロペンタジエンジエポキサイド、エチレングリコールのジ（３，４−エポキシシクロヘキシルメチル）エーテル、エチレンビス（３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート）、エポキシヘキサヒドロフタル酸ジオクチル、エポキシヘキサヒドロフタル酸ジ−２−エチルヘキシル、１，４−ブタンジオールジグリシジルエーテル、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル類、１，１，３−テトラデカジエンジオキサイド、リモネンジオキサイド、１，２，７，８−ジエポキシオクタン、１，２，５，６−ジエポキシシクロオクタン等が挙げられるが、これらに限定されない。

オキセタニル基を１つ有する化合物として、例えば、３−エチル−３−ヒドロキシメチルオキセタン、３−（メタ）アリルオキシメチル−３−エチルオキセタン、（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）メチルベンゼン、４−フルオロ−〔１−（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）メチル〕ベンゼン、４−メトキシ−〔１−（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）メチル〕ベンゼン、〔１−（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）エチル〕フェニルエーテル、イソブトキシメチル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、イソボルニルオキシエチル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、イソボルニル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、２−エチルヘキシル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、エチルジエチレングリコール（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ジシクロペンタジエン（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ジシクロペンテニルオキシエチル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ジシクロペンテニル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、テトラヒドロフルフリル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、テトラブロモフェニル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、２−テトラブロモフェノキシエチル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、トリブロモフェニル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、２−トリブロモフェノキシエチル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、２−ヒドロキシエチル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、２−ヒドロキシプロピル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ブトキシエチル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ペンタクロロフェニル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ペンタブロモフェニル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ボルニル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル等が挙げられるが、これらに限定されない。

オキセタニル基を２つ以上有する化合物として、例えば、３，７−ビス（３−オキセタニル）−５−オキサ−ノナン、３，３’−（１，３−（２−メチレニル）プロパンジイルビス（オキシメチレン））ビス−（３−エチルオキセタン）、１，４−ビス〔（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）メチル〕ベンゼン、１，２−ビス［（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）メチル］エタン、１，３−ビス［（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）メチル］プロパン、エチレングリコールビス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ジシクロペンテニルビス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、トリエチレングリコールビス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、テトラエチレングリコールビス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、トリシクロデカンジイルジメチレン（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、トリメチロールプロパントリス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、１，４−ビス（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）ブタン、１，６−ビス（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）ヘキサン、ペンタエリスリトールトリス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ペンタエリスリトールテトラキス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ポリエチレングリコールビス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ジペンタエリスリトールヘキサキス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ジペンタエリスリトールペンタキス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ジペンタエリスリトールテトラキス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサキス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールペンタキス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ジトリメチロールプロパンテトラキス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ＥＯ変性ビスフェノールＡビス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ＰＯ変性ビスフェノールＡビス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ＥＯ変性水添ビスフェノールＡビス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ＰＯ変性水添ビスフェノールＡビス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ＥＯ変性ビスフェノールＦ（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル等の多官能オキセタン等が挙げられるが、これらに限定されない。

以上に列挙したカチオン重合性モノマーは、一種類を単独で使用してもよいし、二種類以上を組み合わせて使用してもよい。

（１−２）硬化助剤
本発明において、硬化助剤とは、光硬化性組成物に光を照射したときに光硬化成分の硬化（重合、架橋）を補助するための成分を生成する化合物である。より具体的には、光を照射したときに光硬化成分である重合性モノマーの重合・架橋を開始させる化学種であるラジカル、カチオンあるいはアニオンを生成する化合物であって、別名光重合開始剤と呼ばれる化合物である。

ここで光硬化成分（重合性モノマー）としてラジカル重合性モノマーを使用した場合、硬化助剤はラジカル発生剤である。一方、光硬化成分（重合性モノマー）としてカチオン重合性モノマーを使用した場合、硬化助剤は光酸発生剤である。

（ラジカル発生剤）
光照射によりラジカルを発生させるラジカル発生剤とは、赤外線、可視光線、紫外線、遠紫外線、Ｘ線、電子線等の荷電粒子線等、放射線の照射によって生ずる化学反応によりラジカルを生成し、ラジカル重合を開始させるための化合物である。

ラジカル発生剤に相当する化合物として、例えば、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジ（メトキシフェニル）イミダゾール二量体、２−（ｏ−フルオロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−又はｐ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体等の置換基を有してもよい２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体；ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ’−テトラメチル−４，４’−ジアミノベンゾフェノン（ミヒラーケトン）、Ｎ，Ｎ’−テトラエチル−４，４’−ジアミノベンゾフェノン、４−メトキシ−４’−ジメチルアミノベンゾフェノン、４−クロロベンゾフェノン、４，４’−ジメトキシベンゾフェノン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン等のベンゾフェノン誘導体；２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタノン−１，２−メチル−１−〔４−（メチルチオ）フェニル〕−２−モルホリノ−プロパノン−１−オン等の芳香族ケトン誘導体；２−エチルアントラキノン、フェナントレンキノン、２−ｔ−ブチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、１，２−ベンズアントラキノン、２，３−ベンズアントラキノン、２−フェニルアントラキノン、２，３−ジフェニルアントラキノン、１−クロロアントラキノン、２−メチルアントラキノン、１，４−ナフトキノン、９，１０−フェナンタラキノン、２−メチル−１，４−ナフトキノン、２，３−ジメチルアントラキノン等のキノン類；ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル誘導体；ベンゾイン、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン、プロピルベンゾイン等のベンゾイン誘導体；ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体；９−フェニルアクリジン、１，７−ビス（９，９’−アクリジニル）ヘプタン等のアクリジン誘導体；Ｎ−フェニルグリシン等のＮ−フェニルグリシン誘導体；アセトフェノン、３−メチルアセトフェノン、アセトフェノンベンジルケタール、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン等のアセトフェノン誘導体；チオキサントン、ジエチルチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン、２−クロロチオキサントン等のチオキサントン誘導体：キサントン、フルオレノン、べンズアルデヒド、フルオレン、アントラキノン、トリフェニルアミン、カルバゾール、１−（４−イソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド、ビス−（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−トリメチルペンチルフォスフィンオキシド等が挙げられるが、これらに限定されない。

またラジカル発生剤は、一種類を単独で用いてもよいし、二種類以上を組み合わせて用いてもよい。

上記ラジカル発生剤の市販品としては、例えば、Ｉｒｇａｃｕｒｅ１８４、３６９、６５１、５００、８１９、９０７、７８４、２９５９、ＣＧＩ−１７００、−１７５０、−１８５０、ＣＧ２４−６１、Ｄａｒｏｃｕｒ ｌ１１６、１１７３（以上、チバ・ジャパン製）、Ｌｕｃｉｒｉｎ ＴＰＯ、ＬＲ８８９３、ＬＲ８９７０（以上、ＢＡＳＦ製）、ユベクリルＰ３６（ＵＣＢ製）等が挙げられるが、これらに限定されない。

（光酸発生剤）
光照射により水素イオン等のカチオンを発生させる光酸発生剤とは、赤外線、可視光線、紫外線、遠紫外線、Ｘ線、電子線等の荷電粒子線等、放射線の照射により酸（カチオン）を生成し、カチオン重合を開始させる化合物である。このような化合物としては、例えば、オニウム塩化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、スルホンイミド化合物、ジアゾメタン化合物等が挙げられるが、これらに限定されない。本発明ではオニウム塩化合物を用いることが好ましい。

オニウム塩化合物としては、例えば、ヨードニウム塩、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、アンモニウム塩、ピリジニウム塩等を挙げることができる。オニウム塩化合物の具体例としては、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムパーフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムピレンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムベンゼンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム１０−カンファースルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムｎ−オクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウムピレンスルホネート、ジフェニルヨードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、ジフェニルヨードニウムベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウム１０−カンファースルホネート、ジフェニルヨードニウムｎ−オクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウムピレンスルホネート、トリフェニルスルホニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、トリフェニルスルホニウムベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウム１０−カンファースルホネート、トリフェニルスルホニウムｎ−オクタンスルホネート、ジフェニル（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムパーフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジフェニル（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニル（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジフェニル（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムピレンスルホネート、ジフェニル（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ジフェニル（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムｐ−トルエンスルホネート、ジフェニル（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムベンゼンスルホネート、ジフェニル（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム１０−カンファースルホネート、ジフェニル（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムｎ−オクタンスルホネート、トリス（４−メトキシフェニル）スルホニウムパーフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、トリス（４−メトキシフェニル）スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリス（４−メトキシフェニル）スルホニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、トリス（４−メトキシフェニル）スルホニウムピレンスルホネート、トリス（４−メトキシフェニル）スルホニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、トリス（４−メトキシフェニル）スルホニウムｐ−トルエンスルホネート、トリス（４−メトキシフェニル）スルホニウムベンゼンスルホネート、トリス（４−メトキシフェニル）スルホニウム１０−カンファースルホネート、トリス（４−メトキシフェニル）スルホニウムｎ−オクタンスルホネート等が挙げられるが、これらに限定されない。

スルホン化合物として、例えば、β−ケトスルホン、β−スルホニルスルホンや、これらのα−ジアゾ化合物等を挙げることができる。スルホン化合物の具体例としては、フェナシルフェニルスルホン、メシチルフェナシルスルホン、ビス（フェニルスルホニル）メタン、４−トリスフェナシルスルホン等が挙げられるが、これらに限定されない。

スルホン酸エステル化合物として、例えば、アルキルスルホン酸エステル、ハロアルキルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸エステル、イミノスルホネート等を挙げることができる。スルホン酸エステル化合物の具体例として、α−メチロールベンゾインパーフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、α−メチロールベンゾイントリフルオロメタンスルホネート、α−メチロールベンゾイン２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート等が挙げられるが、これらに限定されない。

スルホンイミド化合物の具体例として、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニル）フタルイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ナフチルイミド等が挙げられるが、これらに限定されない。

ジアゾメタン化合物の具体例として、ビス（トリフルオロメチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−トルエンスルホニル）ジアゾメタン、メチルスルホニルｐ−トルエンスルホニルジアゾメタン、（シクロヘキシルスルホニル）（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン等が挙げられるが、これらに限定されない。

これらの光酸発生剤のうち、オニウム塩化合物が好ましい。また本発明において、以上に列挙した光酸発生剤は、一種類を単独で使用してもよいし、二種類以上を組み合わせて使用してもよい。

硬化助材である光重合開始剤の配合割合は、本発明の光重合組成物に含まれる光硬化成分（重合性モノマー）の全量に対して、０．０１重量％以上１０重量％以下、好ましくは０．１重量％以上７重量％以下である。０．０１重量％未満であると、硬化速度が低下して反応効率が低くなることがある。一方、１０重量％を超えると、作製される光硬化物の機械的特性の点で劣ることがある。

（１−３）界面活性剤
光硬化性組成物に含まれる界面活性剤は、光硬化物の表面に偏在する界面活性剤と同じ材料・化合物である。

ところで、表面に界面活性剤を塗付したモールドを用いる場合、インプリントを繰り返すとモールド表面の界面活性剤が徐々に剥離することがある。一方、光硬化性組成物の中に界面活性剤を含ませると、インプリントを繰り返す際、常に界面活性剤がモールド並びに光硬化物へ供給されるため、繰り返し耐久性に優れる。従って、本発明においては、界面活性剤を光硬化性組成物に含ませるのが好ましい。

（１−４）添加成分
本発明の光硬化性組成物は、上述した光硬化成分（重合性モノマー）、硬化助剤（光重合開始剤）及び界面活性剤の他に、種々の目的に応じて、かつ本発明の効果を損なわない範囲で添加成分を含ませてもよい。ここで添加成分とは、具体的には、増感剤、酸化防止剤、溶剤、ポリマー成分等の成分である。以下、その具体例についてそれぞれ説明する。

（増感剤）
重合反応促進や反応転化率の向上を目的として、本発明の光硬化性組成物に増感剤を添加してもよい。水素供与体又は増感色素を増感剤として添加することもできる。

水素供与体は、光重合開始剤（Ｂ成分）から発生した開始ラジカルや、重合生長末端のラジカルと反応してより反応性が高いラジカルを発生する化合物である。水素供与体は、光重合開始剤（Ｂ成分）が光ラジカル発生剤である場合に添加することが好ましい。

水素供与体としては公知慣用の化合物を利用できる。具体的には、Ｎ−ブチルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン、トリ−ｎ−ブチルホスフィン、アリルチオ尿素、ｓ−ベンジルイソチウロニウム−ｐ−トルエンスルフィネート、トリエチルアミン、ジエチルアミノエチルメタクリレート、トリエチレンテトラミン、４，４’−ビス（ジアルキルアミノ）ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ安息香酸エチルエステル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ安息香酸イソアミルエステル、ペンチル−４−ジメチルアミノベンゾエート、トリエタノールアミン、Ｎ−フェニルグリシンなどのアミン化合物、２−メルカプト−Ｎ−フェニルベンゾイミダゾール、メルカプトプロピオン酸エステルなどのメルカプト化合物等が挙げられるが、これらに限定されない。

増感色素は、特定の波長の光を吸収することにより励起され、硬化助剤（光重合開始剤）と相互作用を誘起する性質を有する化合物である。ここでいう相互作用とは、具体的には、励起状態の増感色素からのエネルギー移動や電子移動等がある。

増感色素としては公知慣用の化合物を利用できる。具体的には、アントラセン誘導体、アントラキノン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、カルバゾール誘導体、ベンゾフェノン誘導体、チオキサントン誘導体、キサントン誘導体、チオキサントン誘導体、クマリン誘導体、フェノチアジン誘導体、カンファキノン誘導体、アクリジン系色素、チオピリリウム塩系色素、メロシアニン系色素、キノリン系色素、スチリルキノリン系色素、ケトクマリン系色素、チオキサンテン系色素、キサンテン系色素、オキソノール系色素、シアニン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム塩系色素等が挙げられるが、これらに限定されない。

増感剤は、一種類を単独で使用してもよいし、二種類以上を混合して使用してもよい。また本発明の光硬化性組成物において、増感剤の含有割合は、光硬化成分（重合性モノマー）の全量に対して、好ましくは、０〜２０重量％であり、より好ましくは、０．１重量％〜５．０重量％であり、さらに好ましくは、０．２重量％〜２．０重量％である。ここで増感剤の含量を０．１重量％以上とすると、増感剤の効果をより効果的に発現することができる。また増感剤の含量を５重量％以下とすると、光硬化物の分子量が十分に高く、また、溶解不良や保存安定性の劣化を抑えることができる。

（各成分の配合方法）
本発明の光硬化性組成物は、上述した各成分を混合して調製することができる。ここで光硬化性組成物の各成分を混合・溶解する際の温度条件としては、通常、０℃〜１００℃の範囲で行われる。尚、光硬化性組成物を調製する際に溶媒を使用してもよい。ここで光硬化性組成物を調製する際に使用される溶媒としては、重合成ポリマーと相分離を起こさない溶媒であれば特に限定されるものではない。

（組成物の粘度）
本発明の光硬化性組成物の粘度は、溶剤を除く成分の混合物について２３℃での粘度が、好ましくは、１ｃＰ〜１００ｃＰであり、より好ましくは、５ｃＰ〜５０ｃＰであり、さらに好ましくは、６ｃＰ〜２０ｃＰである。光硬化性組成物の粘度が１００ｃＰより高いと、光硬化性組成物をモールドに接触する際にモールド上の微細パターンのうち凹部に組成物が充填するのに長い時間が必要となったり、充填不良によるパターン欠陥が生じたりすることがある。一方、粘度が１ｃＰより低いと、光硬化性組成物を塗布する際に塗りムラを生じたり、光硬化性組成物をモールドに接触する際に、モールドの端部から光硬化性組成物が流出したりする恐れがある。

（組成物の表面張力）
本発明の光硬化性組成物の表面張力は、溶剤を除く成分の混合物について２３℃での表面張力が、好ましくは、５ｍＮ／ｍ〜７０ｍＮ／ｍであり、より好ましくは、７ｍＮ／ｍ〜３５ｍＮ／ｍであり、さらに好ましくは、１０ｍＮ／ｍ〜３２ｍＮ／ｍである。ここで表面張力が５ｍＮ／ｍより低いと、光硬化性組成物をモールドに接触する際にモールド上の微細パターンのうち凹部に組成物が充填するのに長い時間が必要となる。一方、表面張力が７０ｍＮ／ｍより高いと、表面平滑性が低くなる。

（不純物）
本発明の光硬化性組成物は、できる限り不純物を取り除くのが望ましい。例えば、光硬化性組成物に混入したパーティクルによって光硬化物のパターンの欠陥が発生を防止するため、光硬化性組成物に含まれる各成分を混合した後、例えば、孔径０．００１μｍ〜５．０μｍのフィルタで濾過することが好ましい。フィルタを用いた濾過を行う際には、多段階で行ったり、多数回繰り返したりすることがさらに好ましい。また、濾過した液を再度濾過してもよい。濾過に使用するフィルタとしては、ポリエチレン樹脂製、ポリプロピレン樹脂製、フッ素樹脂製、ナイロン樹脂製等のフィルタを使用することができるが、特に限定されるものではない。

尚、本発明の光硬化性組成物を、半導体集積回路を製造するために使用する場合、製品の動作を阻害しないようにするため、組成物中に金属不純物が混入するのを極力避けることが好ましい。このため、本発明の光硬化性組成物において、組成物中に含まれる金属不純物の濃度としては、１０ｐｐｍ以下が好ましく、１００ｐｐｂ以下にすることがさらに好ましい。

（１−５）塗布の具体的方法
次に、本工程（塗布工程）の具体的な方法について説明する。本工程は、基板２上に光硬化性組成物１を塗布して塗布膜を形成する工程である。尚、この工程において塗布膜として基板２上に設けられる光硬化性組成物１は被形状転写層とも呼ばれる。

基板２に相当する被加工基板としては、通常、シリコンウエハが用いられるが、これに限定されるものではない。シリコンウエハ以外にも、アルミニウム、チタン−タングステン合金、アルミニウム−ケイ素合金、アルミニウム−銅−ケイ素合金、酸化ケイ素、窒化ケイ素等の半導体デバイス用基板として知られているものの中からも任意に選んで用いることができる。尚、使用される基板（被加工基板）には、シランカップリング処理、シラザン処理、有機薄膜の成膜、等の表面処理により光硬化性組成物との密着性を向上させた基板を被加工基板として用いてもよい。

本発明の光硬化性組成物を被加工基板上に塗布する方法としては、例えば、インクジェット法、ディップコート法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、ワイヤーバーコード法、グラビアコート法、エクストルージョンコート法、スピンコート法、スリットスキャン法等を用いることができる。尚、被形状転写層（塗布膜）の膜厚は、使用する用途によっても異なるが、例えば、０．０１μｍ〜１００．０μｍである。

（２）接触工程（図１（ｂ１）、（ｂ２））
次に、前工程（塗布工程）で形成された光硬化性組成物１からなる塗布膜にモールドを接触させる工程（接触工程、図１（ｂ１）、図１（ｂ２））を行う。尚、モールド３は印章と見立てることができるので、この工程は、押印工程とも呼ばれる。本工程で、光硬化性組成物１（被形状転写層）にモールド３を接触させる（図１（ｂ１））と、モールド３上に形成された微細パターンの凹部に塗布膜（の一部）１０が充填される（図１（ｂ２））。

接触工程で使用されるモールド３は、次の工程（光照射工程）を考慮して光透過性の材料で構成される必要がある。モールド３の構成材料として、具体的には、ガラス、石英、ＰＭＭＡ、ポリカーボネート樹脂等の光透明性樹脂、透明金属蒸着膜、ポリジメチルシロキサン等の柔軟膜、光硬化膜、金属膜等を挙げることができる。ただしモールド３の構成材料として光透明性樹脂を使用する場合は、光硬化性組成物１に含まれる溶媒に溶解しない樹脂を選択する必要がある。

本発明の光硬化物の製造方法において用いられるモールド３は、光硬化性組成物１とモールド３の表面との剥離性を向上させるための表面処理を行ったものを用いてもよい。表面処理の方法としては、シリコーン系やフッ素系等のシランカップリング剤による処理を行ったもの、具体的には、ダイキン工業（株）製のオプツールＤＳＸ等、市販の塗布型離型剤も好適に用いることができる。

接触工程において、図１（ｂ１）に示されるように、モールド３を光硬化性組成物１に接触する際に、光硬化性組成物１に加わる圧力は特に限定されないが、通常、０．１ＭＰａ〜１００ＭＰａである。その中でも０．１ＭＰａ〜５０ＭＰａであることが好ましく、０．１ＭＰａ〜３０ＭＰａであることがより好ましく、０．１ＭＰａ〜２０ＭＰａであることがさらに好ましい。また接触工程においてモールド３を被形状転写層１に接触させる時間は、特に限定されないが、通常、１秒〜６００秒であり、１秒〜３００秒であることが好ましく、１秒〜１８０秒であることがより好ましく、１秒〜１２０秒であることが特に好ましい。

また接触工程を行う際には、大気雰囲気下、減圧雰囲気下、不活性ガス雰囲気下のいずれの条件下でも行うことができる。酸素や水分による光硬化反応への影響を防ぐことができるため、減圧雰囲気や不活性ガス雰囲気が好ましい。不活性ガス雰囲気下で接触工程を行う場合、使用される不活性ガスの具体例としては、窒素、二酸化炭素、ヘリウム、アルゴン、各種フロンガス等、あるいはこれらの混合ガスが挙げられる。大気雰囲気下を含めて特定のガスの雰囲気下で本工程（接触工程）を行う場合、好ましい圧力は、０．０００１気圧乃至１０気圧である。

（３）光照射工程（図１（ｃ））
次に、モールド３を介して塗布膜１０に光を照射する（図１（ｃ））。この工程において、塗布膜１０は、照射される光によって硬化して光硬化物１１を形成する。

ここで、塗布膜１０を構成する光硬化性組成物１に照射する光は、光硬化性組成物１の感度波長に応じて選択されるが、具体的には、１５０ｎｍ乃至４００ｎｍ程度の波長の紫外光や、Ｘ線、電子線等を適宜選択して使用することが好ましい。ここで硬化助剤（光重合開始剤）として市販されているものは、紫外光に感度を有する化合物が多い。このことから、光硬化性組成物１に照射する光（照射光４）は、紫外光が特に好ましい。ここで紫外光を発する光源としては、例えば、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、低圧水銀灯、Ｄｅｅｐ−ＵＶランプ、炭素アーク灯、ケミカルランプ、メタルハライドランプ、キセノンランプ、ＫｒＦエキシマレーザ、ＡｒＦエキシマレーザ、Ｆ₂エキシマレーザ等が挙げられるが、超高圧水銀灯が特に好ましい。また使用する光源の数は１つでもよいし又は複数であってもよい。また、光照射を行う際には、光硬化性組成物１の全面に行ってもよく、一部領域にのみ行ってもよい。

また、熱によっても被形状転写層が硬化する場合は、加熱硬化を更に行ってもよい。熱硬化を行う場合、加熱雰囲気及び加熱温度等は特に限定されない。例えば、不活性雰囲気下又は減圧下では、４０℃〜２００℃の範囲で光硬化性組成物１を加熱することができる。また被形状転写層１を加熱する際には、ホットプレート、オーブン、ファーネス等を用いることができる。

（４）離型工程（図１（ｄ））
次に、光硬化物１１からモールド３を離し、基板２上に所定のパターン形状を有する硬化膜を形成する工程（離型工程、図１（ｄ））を行う。この工程（離型工程）は、光硬化物１１からモールド３を剥離する工程であり、前の工程（光照射工程）において、モールド３上に形成された微細パターンの反転パターンが、光硬化物１１のパターンとして得られる。

光硬化物１１からモールド３を剥離する方法としては、剥離の際に光硬化物１１の一部が物理的に破損しなければ特に限定されず、各種条件等も特に限定されない。例えば、被加工基板（基板２）を固定してモールド３を被加工基板から遠ざかるように移動させて剥離してもよく、モールド３を固定して被加工基板をモールドから遠ざかるように移動させて剥離してもよく、これらの両方を正反対の方向へ引っ張って剥離してもよい。

また塗布型離型剤を用いて光硬化物１１からモールド３を剥離する方法も採用できる。ここで塗布型離型剤を用いて光硬化物１１からモールド３を剥離するには、接触工程前において、所望のパターンを有するモールドの表面に塗布型離型剤層を形成する工程を行うことになる。

塗布型離型剤を用いる場合、その種類は特に限定されないが、例えば、シリコン系離型剤、フッ素系離型剤、ポリエチレン系離型剤、ポリプロピレン系離型剤、パラフィン系離型剤、モンタン系離型剤、カルナバ系離型剤等がある。尚、これら離型剤は一種類を単独で用いてもよいし、二種類以上を併用して用いてもよい。これらの中でも、フッ素系離型剤が特に好ましい。

（５）エッチング工程（図１（ｅ））
上記離型工程を行ったときに得られる硬化膜は、特定のパターン形状を有するものの、このパターン形状が形成される領域以外の領域においても膜の一部が残膜として存在することがある。そこで上記パターン形状のうち、光硬化物を除去すべき領域について残存する光硬化膜（残膜）を除去する工程（エッチング工程、図１（ｅ））を行う。

ここで残膜を除去する方法としては、例えば、光硬化物１１の凹部に残った膜（残膜）をエッチングにより取り除き、パターン凹部において基板２の表面を露出させる方法が挙げられる。

エッチングを利用する場合、その具体的な方法としては、特に限定されるものではなく、従来公知の方法、例えば、ドライエッチングを行うことで形成することができる。ドライエッチングには、従来公知のドライエッチング装置を用いることができる。そして、ドライエッチング時のソースガスは、被エッチ膜の元素組成によって適宜選択されるが、Ｏ₂、ＣＯ、ＣＯ₂等の酸素原子を含むガス、Ｈｅ、Ｎ₂、Ａｒ等の不活性ガス、Ｃｌ₂、ＢＣｌ₃等の塩素系ガス、Ｈ₂、ＮＨ₃のガス等を使用することができる。尚、これらのガスは混合して用いることもできる。

上記（１）乃至（５）の製造プロセスによって、所望の凹凸パターン形状（モールド３の凹凸形状に因むパターン形状）を有する光硬化物１１を得ることができる。ここでこの光硬化物１１を利用して、基板２を加工する場合は、さらに後述する基板の加工工程を行うことがある。

一方、得られた光硬化物１１を光学素子（光学素子の一部材として用いる場合を含む。）として利用することもできる。係る場合、少なくとも、基板２と、この基板２上に配置された光硬化物１１と、を有する光学部品として提供することができる。

（６）基板加工工程（図１（ｆ））
本発明の製造方法によって得られる所望の凹凸パターン形状を有する光硬化物１１は、例えば、ＬＳＩ、システムＬＳＩ、ＤＲＡＭ、ＳＤＲＡＭ、ＲＤＲＡＭ、Ｄ−ＲＤＲＡＭ等の半導体素子に代表される電子部品に含まれる層間絶縁膜用膜として利用可能である。一方、この光硬化物１１は、半導体素子製造時におけるレジスト膜として利用することもできる。

光硬化物１１をレジスト膜として利用する場合、具体的には、図１（ｆ）で示すように、エッチング工程にて表面が露出した基板の一部分（符号２０の領域）に対して、エッチング又はイオン注入等を行う。尚、このとき光硬化物１１は、マスクとして機能する。これにより、光硬化物１１のパターン形状に基づく回路２０を基板２に形成することができる。これにより、半導体素子等で利用される回路付基板を製造することができる。尚、この回路付基板に電子部材を設けることにより電子部品が形成される。

尚、回路付基板や電子部品を作製する場合、最終的には、加工された基板から光硬化物のパターンを除去してもよいが、素子を構成する部材として残す構成も好ましい。

以下、実施例にて本発明をより詳細に説明するが、本発明は以下に説明する実施例に限定されるものではない。尚、以下に説明にて記載されている「部」及び「％」は、特に示さない限り「重量部」、「重量％」を意味する。

［合成例１］界面活性剤（Ｃ−１）の合成
系内を窒素雰囲気にした３００ｍＬの反応器に、下記に示される試薬、溶媒を投入した。
ヘキサエチレングリコール（ＰＥＧ６）：２６．５ｇ（９３．９ｍｍｏｌ、１．０ｅｑ）四塩化炭素（ＣＣｌ₄）：３６．１ｇ（２３５ｍｍｏｌ、２．５ｅｑ．）
テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）１０６ｍＬ

次に、反応溶液を−３０℃に冷却した。次に、この反応溶液中に、ＴＨＦ２４ｍＬとジメチルアミノホスフィン１５．３ｇ（９３．９ｍｍｏｌ、１．０ｅｑ）とを混合して調製したＴＨＦ溶液をゆっくり２時間かけて加えた後、この温度（−３０℃）で３０分間撹拌した。次に、冷却バスを外した後、反応溶液を室温で２時間攪拌した。次に、生成した薄黄色懸濁液に市水２５０ｍＬを加え２層に分けた（ＣＣｌ₄層と水層）。次に、イソプロピルエーテル（ＩＰＥ）１５０ｍＬを用いて水層を２回洗浄した。次に、市水２５０ｍＬに六フッ化リン酸カリウム（ＫＰＦ₆）３４．５ｇ（１８８ｍｍｏｌ、２．０ｅｑ．）を懸濁させて得た懸濁液を水層に加えた後、水層を十分撹拌させた。次に、この水層について、ジクロロメタン２００ｍＬを用いた溶媒抽出操作を３回行った。次に、有機層（ＣＣｌ₄層及びジクロロメタン層）を集めた後、市水４００ｍＬ、飽和食塩水３００ｍＬの順で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。次に、有機層を濃縮することで化合物（Ｃ−１−ａ）を、薄褐色の液体として５３ｇ得た。

次に、５００ｍＬの反応器に、下記に示される試薬、溶媒を投入した。
１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロ−１−ヘプタノール：３４．２ｇ（９７．７ｍｍｏｌ、１．２ｅｑ．）
ＴＨＦ：１２０ｍＬ

次に、反応溶液中に、ＮａＨ（６０％）３．９ｇ（９７．７ｍｍｏｌ、１．２ｅｑ．）を、発泡に注意しながらゆっくり加えた。次に、反応溶液を５０℃に加熱し、この温度（５０℃）で１時間撹拌した。反応溶液中の溶媒を減圧留去することで得た残渣に、無水ジオキサン６００ｍＬと化合物（Ｃ−１−ａ）５３ｇとを混合して調製したジオキサン溶液を加えた。次に、反応溶液を６０℃に加熱してこの温度（６０℃）４８時間撹拌させた。次に、反応溶液を濃縮することで得た残渣に市水３００ｍＬ及び酢酸エチル３００ｍＬを加え、分液操作により２層に分けた後、水層について酢酸エチル２００ｍＬを用いた溶媒抽出操作を２回行った。次に、有機層を集めて市水４００ｍＬ、飽和食塩水４００ｍＬで順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。次に、有機層を減圧濃縮することで褐色の液体を５９．１ｇ得た。次に、この液体を、カラムクロマトグラフィー（充填剤：ＳｉＯ₂（１．２ｋｇ）、展開溶媒：酢酸エチルのみ⇒酢酸エチル／メタノール＝１０／１）にて精製した。次に、もう１回カラムクロマトグラフィー（充填剤：ＳｉＯ₂（４００ｇ）、展開溶媒：クロロホルム／メタノール＝１５／１⇒１０／１）にて精製することで得られた精製物を高真空下で乾燥させた。これにより、界面活性剤（Ｃ−１）（Ｆ（ＣＦ₂）₆ＣＨ₂（ＯＣＨ₂ＣＨ₂）₆ＯＨ）を、無色の液体として１９．２ｇ（３１．２ｍｍｏｌ、収率３３％）得た。

［合成例２］界面活性剤（Ｃ−２）の合成
系内を窒素雰囲気にした１００ｍＬの反応器に、下記に示される試薬、溶媒を投入した。
ヘキサプロピレングリコール（Ｐ４００）：２０ｇ（５０ｍｍｏｌ、１．０ｅｑ）
四塩化炭素（ＣＣｌ₄）：１９．２ｇ（１２５ｍｍｏｌ、２．５ｅｑ．）
テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）：１００ｍＬ

次に、反応溶液を−３０℃に冷却した後、ＴＨＦ３０ｍＬとジメチルアミノホスフィン８．１６ｇ（１０ｍｍｏｌ、１．０ｅｑ）とを混合して得られたＴＨＦ溶液を、ゆっくり２時間かけて反応溶液中に加えた後、この温度（−３０℃）で３０分間撹拌した。次に、冷却バスを外した後、反応溶液を室温で２時間攪拌した。次に、生成した薄黄色懸濁液に市水（３５０ｍＬ）を加え、分液操作を行い２層に分けた（ＣＣｌ₄層及び水層）。次に、得られた水層を、イソプロピルエーテル（ＩＰＥ）１５０ｍＬを用いて２回洗浄した。次に、水層に、市水２５０ｍＬと六フッ化リン酸カリウム（ＫＰＦ₆）１８．４ｇ（１００ｍｍｏｌ、２．０ｅｑ．）とを混合・懸濁させて調製した懸濁液を、先程の水層に加えた後、十分撹拌させ、ジクロロメタン１５０ｍＬを用いた溶媒抽出操作を３回行った。次に、有機層（ＣＣｌ₄層、ジクロロメタン層）を集めて、市水５００ｍＬ、飽和食塩水３００ｍＬで順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。次に、有機層を減圧下で濃縮することで、化合物（Ｃ−２−ａ）を薄褐色の液体として３１ｇ得た。

５００ｍＬの反応器に、下記に示される試薬、溶媒を投入した。
１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロ−１−ヘプタノール：２１ｇ（６０ｍｍｏｌ、１．２ｅｑ．）
ＴＨＦ：１２０ｍＬ

次に、反応溶液中に、ＮａＨ（６０％）３．９ｇ（９７．７ｍｍｏｌ、１．２ｅｑ．）を、発泡に注意しながらゆっくり加えた。次に、反応溶液を４０℃に加熱してこの温度（４０℃）で１時間撹拌した。次に、溶媒を減圧留去することで得られた残渣に、無水ジオキサン３５０ｍＬと化合物（Ｃ−２−ａ）５３ｇとを混合して調製したジオキサン溶液を加えた。次に、反応溶液を６０℃に加熱して、この温度（６０℃）で２４時間撹拌した。次に、反応溶液を濃縮することでえられた残渣に、市水２００ｍＬ及び酢酸エチル２００ｍＬを加えた後、分液操作により２層に分けた。次に、水層を酢酸エチル１５０ｍＬで２回洗浄した後、有機層を集めた。次に、有機層を、市水５００ｍＬ、飽和食塩水５００ｍＬで順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。次に、有機層を濃縮することで褐色の液体を２９ｇ得た。次に、この褐色の液体を、カラムクロマトグラフィー（充填剤：ＳｉＯ₂（０．９ｋｇ）、展開溶媒：酢酸エチル／ヘキサン＝２／１⇒酢酸エチルのみ）で精製した。次に、もう１回カラムクロマトグラフィー（充填剤：ＳｉＯ₂（３００ｇ）、展開溶媒：クロロホルム／メタノール＝２０／１⇒１０／１）で精製することで得られた精製物を高真空下で乾燥させた。これにより、界面活性剤（Ｃ−２）（Ｆ（ＣＦ₂）₆ＣＨ₂（ＯＣＨ₂Ｃ₂Ｈ₄）₆ＯＨ）を、薄茶色の液体として１．７１ｇ（２．７８ｍｍｏｌ、収率１４％）得た。

［実施例１］
（１）光硬化性組成物
下記に示される試薬を配合した。
＜光硬化成分＞１，６−へキサンジオールジアクリレート（大阪有機化学製）：１００重量部
＜硬化助剤＞Ｉｒｇａｃｕｒｅ３６９（チバ・ジャパン製）：３重量部
＜界面活性剤＞界面活性剤（Ｃ−１）：２重量部

次に、上記配合によって得られた混合溶液を、０．２μｍのテトラフロロエチレン製フィルタでろ過することにより、光硬化性組成物（ａ−１）を調製した。

自動表面張力計ＣＢＶＰ−Ａ３（協和界面化学製）を用いて光硬化性組成物（ａ−１）の表面張力を測定したところ、２１ｍＮ／ｍであった。また円錐平板方式回転型粘度計ＲＥ−８５Ｌ（東機産業製）を用いて光硬化性組成物（ａ−１）の粘度を測定したところ、６．４８ｃＰであった。

次に、下記に示される方法により、光硬化物を作製した。

（２）塗布工程
密着層として厚さ６０ｎｍの密着促進層が形成された４インチシリコンウエハ上に、（ａ−１）を、マイクロピペットを用いて１５μｌ滴下した。

（３）硬化工程
次に、上記シリコンウエハ上に、表面処理がされておらず、パターンも形成されていない石英モールド（縦４０ｍｍ、横４０ｍｍ）を接触させた。

次に、２００Ｗ水銀キセノンランプを備えたＵＶ光源（ＥＸＥＣＵＲＥ ３０００、ＨＯＹＡ ＣＡＮＤＥＯ ＯＰＴＲＯＮＩＣＳ ＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ製）を用いて、石英モールド越しにＵＶ光を光硬化性組成物に照射した。尚、ＵＶ光を照射する際には、ＵＶ光源と石英モールドとの間に、干渉フィルタ（ＶＰＦ−５０Ｃ−１０−２５−３６５００、シグマ光機製）を配した。また石英モールド直下におけるＵＶ光の照度は、波長３６５ｎｍにおいて１ｍＷ／ｃｍ²であった。以上の条件下で、ＵＶ光の照射を６０秒行った。

（４）離型工程
次に、石英モールドを、０．５ｍｍ／ｓの条件で引き上げて光硬化物からモールドを離した。

以上の工程により、光硬化物を得た。

（５）光硬化物の評価
次に、得られた光硬化物について以下に説明する測定を行い、その物性を評価した。

（５−１）離型力測定
引張圧縮両用型小型ロードセル（ＬＵＲ−Ａ−２００ＮＳＡ１、共和電業製）を用いて、離型に要した力を測定した。実際に測定を行なう際は、同一条件で離型力測定を４回行い、４回目の結果を表１に示す。

（５−２）ＡＲ−ＸＰＳ測定
上記（５−１）の離型力測定を実施して得られた光硬化物の内、４回目の測定によって得られた光硬化物の表面について、ＡＲ−ＸＰＳ測定を実施した。このＡＲ−ＸＰＳ分析で用いてＸＰＳ分析装置及び測定条件は、以下の通りである。
分析装置：光電子分光装置（商品名：Ｑｕａｎｔｅｒａ ＳＸＭ、アルバック・ファイ社製）
単色化Ｘ線源：単色化アルミニウムＫα線
分光器：静電同心半球型分光器
測定時の到達真空度：１×１０^-8Ｔｏｒｒ以下
中和Ａｒイオン銃：ＯＮ
中和電子銃：ＯＮ
ＴＯＡ：７度

次に、ビーム径５００μｍ×５００μｍのＸ線を試料（光硬化物）に照射して、Ｆ１ｓ、Ｃ１ｓ、Ｏ１ｓの順番に、高分解能測定を行った。次に、解析ソフト（バックファイ製、マルチパック解析ソフト）を用いて、得られたスペクトルについてピーク分離を行った。次に、分離された各ピークの内、エステル結合に由来するピーク及びエーテル結合に由来するピークのピーク面積を計算して両ピークの面積比（エステル結合に由来するピーク面積を１としたときのピーク面積比）を評価した。結果を表１に示す。

［実施例２］
実施例１において、界面活性剤の配合量を５重量部に変更したこと以外は、実施例１と同様の方法により、光硬化性組成物（ａ−２）を調製した。実施例１と同様の方法で光硬化性組成物（ａ−２）の表面張力を測定したところ、２５．５ｍＮ／ｍであった。また実施例１と同様の方法で光硬化性組成物（ａ−２）の粘度を測定したところ、６．４２ｃＰであった。

また実施例１と同様の方法により、光硬化物を作製した。また実施例１（５−１）と同様の方法により離型力測定を４回行い、４回目の結果を表１に示す。また離型力測定を実施して得られた光硬化物の内、４回目の測定によって得られた光硬化物について、ＡＲ−ＸＰＳ測定を実施した。結果を表１に示す。

［実施例３］
実施例１において、界面活性剤の配合量を０．５重量部に変更したこと以外は、実施例１と同様の方法により、光硬化性組成物（ａ−３）を調製した。実施例１と同様の方法で光硬化性組成物（ａ−３）の表面張力を測定したところ、２５．５ｍＮ／ｍであった。また実施例１と同様の方法で光硬化性組成物（ａ−３）の粘度を測定したところ、６．４２ｃＰであった。

また実施例１と同様の方法により、光硬化物を作製した。また実施例１（５−１）と同様の方法により離型力測定を４回行い、４回目の結果を表１に示す。また離型力測定を実施して得られた光硬化物の内、４回目の測定によって得られた光硬化物について、ＡＲ−ＸＰＳ測定を実施した。結果を表１に示す。

［比較例１］
実施例１において、界面活性剤として、界面活性剤（ｃ−１）に換えて界面活性剤（Ｃ−２）に変更したこと以外は、実施例１と同様の方法により、光硬化性組成物（ｂ−１）を調製した。実施例１と同様の方法で光硬化性組成物（ｂ−１）の表面張力を測定したところ、１９．５ｍＮ／ｍであった。また実施例１と同様の方法で光硬化性組成物（ｂ−１）の粘度を測定したところ、６．４５ｃＰであった。

また実施例１と同様の方法により、光硬化物を作製した。また実施例１（５−１）と同様の方法により離型力測定を４回行い、４回目の結果を表１に示す。また離型力測定を実施して得られた光硬化物の内、４回目の測定によって得られた光硬化物について、離型力測定及びＡＲ−ＸＰＳ測定を実施した。それぞれの結果を表１に示す。

［比較例２］
実施例１において、界面活性剤を配合しなかったことを除いては、実施例１と同様の方法により、光硬化性組成物（ｂ−２）を調製した。実施例１と同様の方法で光硬化性組成物（ｂ−２）の表面張力を測定したところ、３５．９ｍＮ／ｍであった。また実施例１と同様の方法で光硬化性組成物（ｂ−２）の粘度を測定したところ、６．３４ｃＰであった。

また実施例１と同様の方法により、光硬化物を作製した。また実施例１（５−１）と同様の方法により離型力測定を４回行い、４回目の結果を表１に示す。また離型力測定を実施して得られた光硬化物の内、４回目の測定によって得られた光硬化物について、離型力測定及びＡＲ−ＸＰＳ測定を実施した。それぞれの結果を表１に示す。

図２乃至図４は、それぞれ実施例１、実施例２及び比較例１で作製した光硬化物の深さ方向のＡＲ−ＸＰＳ測定の結果を示す図である。ここで表１及び図２乃至図４を元の考察を行った。

図２、図４及び表１より、実施例１と比較例１とを比較すると、界面活性剤の含有量が同じであり、界面活性剤に含まれるフッ素原子の深さ方向分布及び表面濃度がほぼ同じであるにも関わらず、実施例１の方が離型力は小さかった。また実施例１の方が比較例１よりも、ＡＲ−ＸＰＳ分析により求めたＣ−Ｏ−Ｃ／Ｏ−Ｃ＝Ｏ比が大きかった。これは、離型力を小さくするためには、プロピレンオキシドユニットを有する界面活性剤よりもエチレンオキシドユニットを有する界面活性剤の方がよいことを示している。

図２、図３及び表１より、実施例１と実施例２とを比較すると、実施例２の方が界面活性剤の含有量が多いにも関わらず、離型力は実施例１よりも大きかった。また実施例２では、実施例１よりもＣ−Ｏ−Ｃ／Ｏ−Ｃ＝Ｏ比が小さかった。これは、光硬化性組成物に含まれるエチレンオキシド（とフッ素原子含有置換基）を有する界面活性剤の含有量によって離型力の低減の効果が異なることを示している。即ち、離型力の低減の効果は界面活性剤の含有量に比例するものではなく、適量含まれていれば離型力の低減の効果が大きくなる一方でその適量値から外れるといかに界面活性剤の含有量が多いとしても離型力の低減の効果は大きくはならないことを示している。

表１より、界面活性剤を含有させていない比較例２の光硬化物は、実施例及び比較例１の光硬化物に比べて、離型力が大きいことが確認された。

表１より、比較例（比較例１、２）の光硬化物は、石英モールドをモラインスペースパターンにした場合における剥離時の欠陥の状況を光学顕微鏡で評価したところ、多数の欠陥が観察され、ＮＧ判定（表１中の×印）であった。

図５は、ＡＲ−ＸＰＳ測定から求められたピーク面積比（Ｃ−Ｏ−Ｃ／Ｏ−Ｃ＝Ｏ）と層体離型力との関係を示すグラフである。尚、図５のグラフは、実施例及び比較例の結果から得られたグラフである。図５より、ＡＲ−ＸＰＳ測定から求められたピーク面積比（Ｃ−Ｏ−Ｃ／Ｏ−Ｃ＝Ｏ）が大きければ大きいほど離型力が小さくなることが示されている。従って、Ｃ−Ｏ―Ｃ／Ｏ−Ｃ＝Ｏで表される比が大きい光硬化物は、離型力が小さいことが示された。

以上より、光硬化物表面のフッ素存在量よりも、光硬化物表面におけるＣ−Ｏ−Ｃ／Ｏ−Ｃ＝Ｏで表される比（ＡＲ−ＸＰＳ測定から得られたピーク面積比）の方が、離型力低減に大きく関わることが示された。これは、表１に示される欠陥評価結果において、Ｃ−Ｏ−／Ｏ−Ｃ＝Ｏで表される比が少なくとも２．９未満では、ＮＧであることと一致している。

１：光硬化性組成物、２：基板、３：モールド、１０：塗布膜、１１：光硬化物

Claims (9)

1. 光による硬化で得られる光硬化物であって、
   下記一般式［１］に示される界面活性剤を、前記光硬化物に対して０．００１重量％〜５重量％含有し、
   分解Ｘ線光電子分光分析を用いた前記光硬化物の表面分析によって得られる前記光硬化物の最表面に関する分析結果のうち、前記光硬化物の最表面における炭素の化学状態に関する分析結果として得られたＸ線光電子分光スペクトルを波形分離処理することで得られるエーテル結合由来のピークのピーク面積が、エステル結合由来のピークのピーク面積の３．０倍以上であることを特徴とする、光硬化物。
   Ｒ₁−ｘ₁−Ｒ₂−ｘ₂−Ｒ₃ ［１］
   （式［１］において、Ｒ₁は、パーフルオロアルキル基を表す。Ｒ₂は、エチレンオキシドを含む２価の置換基を表す。Ｒ₃は、極性官能基を表す。ｘ₁は、メチレン基を表す。ｘ₂は、単結合又は２価の置換基を表す。）
2. 前記エーテル結合由来のピークのピーク面積が、前記エステル結合由来のピークのピーク面積の４倍以上であることを特徴とする、請求項１に記載の光硬化物。
3. 前記光硬化物が、モールドの凹凸形状に因むパターン形状を有することを特徴とする、請求項１又は２に記載の光硬化物。
4. 前記光硬化物が、光による単官能（メタ）アクリル化合物又は多官能（メタ）アクリル化合物の硬化で得られることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の光硬化物。
5. 光によって硬化する光硬化成分と、
   前記光硬化成分の硬化を補助する硬化助剤と、
   前記光硬化成分に対して０．００１重量％〜５重量％含まれる下記一般式［１］の界面活性剤と、を有する光硬化性組成物であって、
   前記光硬化性組成物に光を照射することにより、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の光硬化物が得られることを特徴とする、光硬化性組成物。
   Ｒ₁−ｘ₁−Ｒ₂−ｘ₂−Ｒ₃ ［１］
   （式［１］において、Ｒ₁は、パーフルオロアルキル基を表す。Ｒ₂は、エチレンオキシドを含む２価の置換基を表す。Ｒ₃は、極性官能基を表す。ｘ₁は、メチレン基を表す。ｘ₂は、単結合又は２価の置換基を表す。）
6. 基板上に、光硬化性組成物を塗布する塗布工程と、
   前記光硬化性組成物に、所定のパターン形状を有するモールドを接触させた上で、前記モールドを介して前記光硬化性組成物に光を照射して前記光硬化性組成物を硬化させる硬化工程と、
   前記光硬化性組成物と前記モールドとを離す離型工程と、
   を含み、
   前記光硬化性組成物が、請求項５に記載の光硬化性組成物であることを特徴とする、光硬化物の製造方法。
7. 請求項１乃至４のいずれか一項に記載の光硬化物を加工して得られるマスクを用いて基板を加工することで、基板上に回路を形成することを特徴とする、回路付基板の製造方法。
8. 基板と、
   前記基板上に設けられ所定のパターン形状を有する部材と、から構成され、
   前記部材が、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の光硬化物であることを特徴とする、光学部品。
9. 基板と、
   前記基板上に設けられる電子部材と、を有する電子部品の製造方法であって、
   請求項７に記載の回路付基板の製造方法によって回路付基板を形成する工程を有することを特徴とする、電子部品の製造方法。

Images