JPS61136683A - 六方晶系フエライト薄膜の製法 - Google Patents
六方晶系フエライト薄膜の製法Info
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- JPS61136683A JPS61136683A JP25874784A JP25874784A JPS61136683A JP S61136683 A JPS61136683 A JP S61136683A JP 25874784 A JP25874784 A JP 25874784A JP 25874784 A JP25874784 A JP 25874784A JP S61136683 A JPS61136683 A JP S61136683A
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
- C23C18/1208—Oxides, e.g. ceramics
- C23C18/1216—Metal oxides
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の分野］
本発明は、六方晶系フェライト薄膜の製法に関するもの
である。さらに詳しくは、本発明は垂直磁気記録方式及
び光磁気記録に用いるのに適した六方晶系フェライト薄
膜の製法に関するものである。
である。さらに詳しくは、本発明は垂直磁気記録方式及
び光磁気記録に用いるのに適した六方晶系フェライト薄
膜の製法に関するものである。
［発明の背景］
従来において磁気記録は磁気テープなどの記録媒体の面
内長手方向に磁化させる方式が利用されてきた。しかし
ながら、近年において更に高密度の磁気記録を実現する
ために垂直磁気記録方式が提案され、この方式に用いる
ための磁気記録媒体も各種検討されている。
内長手方向に磁化させる方式が利用されてきた。しかし
ながら、近年において更に高密度の磁気記録を実現する
ために垂直磁気記録方式が提案され、この方式に用いる
ための磁気記録媒体も各種検討されている。
垂直磁気記録方式用の磁気記録媒体の製造方法としては
、フィルムなどの支持体上に、スパッタ法、真空蒸着法
などにより磁性材料層（磁性層）を形成する方法が既に
知られている。そして、たとえば、コバルト・クロムな
どの磁気材料層をスパッタ法により支持体上に形成した
磁気記録媒体などが開発されている。
、フィルムなどの支持体上に、スパッタ法、真空蒸着法
などにより磁性材料層（磁性層）を形成する方法が既に
知られている。そして、たとえば、コバルト・クロムな
どの磁気材料層をスパッタ法により支持体上に形成した
磁気記録媒体などが開発されている。
しかしながら、上記のスパッタ法あるいは真空蒸着法、
イオンブレーティング法などの公知の方法を利用する磁
気記録媒体の製造法は、従来の磁気記録媒体の製造法と
して一般的な塗布法を利用する方法に比較して生産性や
製品の品質などに難点があるという問題がある。
イオンブレーティング法などの公知の方法を利用する磁
気記録媒体の製造法は、従来の磁気記録媒体の製造法と
して一般的な塗布法を利用する方法に比較して生産性や
製品の品質などに難点があるという問題がある。
従って、垂直磁気記録方式用の磁気記録媒体の製造方法
として塗布法を利用する方法も既に検討されている。す
なわち、磁性粉として六角板状の微粒子の形態にある六
方晶系フェライト（たとえば、六方晶系バリウムフェラ
イト）を用い、この六方晶系フェライト磁性粉を樹脂（
バインダー）中に混合分散し、支持体上に塗布すること
により垂直磁気記録方式用の磁気記録媒体を製造する方
法が既に提案されている。この六方晶系フェライト磁性
粉をバインダーに分散した塗布液を支持体上に塗布する
方法を利用する塗布法は生産効率の点では優れているが
、得られる磁性層が軟らかく傷付きやすい点、および得
られる磁気記録媒体の磁気記録特性が必ずしも充分とい
えない点などの問題点がある。
として塗布法を利用する方法も既に検討されている。す
なわち、磁性粉として六角板状の微粒子の形態にある六
方晶系フェライト（たとえば、六方晶系バリウムフェラ
イト）を用い、この六方晶系フェライト磁性粉を樹脂（
バインダー）中に混合分散し、支持体上に塗布すること
により垂直磁気記録方式用の磁気記録媒体を製造する方
法が既に提案されている。この六方晶系フェライト磁性
粉をバインダーに分散した塗布液を支持体上に塗布する
方法を利用する塗布法は生産効率の点では優れているが
、得られる磁性層が軟らかく傷付きやすい点、および得
られる磁気記録媒体の磁気記録特性が必ずしも充分とい
えない点などの問題点がある。
又、従来光磁気記録媒体はスパックリング、蒸着、イオ
ンプレーテリング等により透明基板上に形成されている
。特に六方晶系フェライトはスバ、クリング法（特開昭
５９−４５８４４号）が用いられている０本発明では塗
布方式により簡単で高品質に六方晶系フェライトの光磁
気記録媒体を作ることができる。
ンプレーテリング等により透明基板上に形成されている
。特に六方晶系フェライトはスバ、クリング法（特開昭
５９−４５８４４号）が用いられている０本発明では塗
布方式により簡単で高品質に六方晶系フェライトの光磁
気記録媒体を作ることができる。
［発明の目的］
本発明は、塗布法により六方晶系フェライト薄膜を製造
する新規な方法を提供することを主な目的とする。
する新規な方法を提供することを主な目的とする。
また、本発明は、垂直磁気記録方式及び光磁気記録に適
した六方晶系フェライト薄膜を塗布法により製造する方
法を提供することを目的とする。
した六方晶系フェライト薄膜を塗布法により製造する方
法を提供することを目的とする。
［発明の要旨］
本発明は、有機金属化合物の形の原料金属成分を含む有
機溶媒溶液を支持体上に塗布して該支持体上に金属成分
含有有機溶液層を形成させたのち、該有機溶液層を加熱
することにより、該層を六方晶系フェライト薄膜に変換
することからなる六方晶系フェライト薄膜の製法を提供
するものである。
機溶媒溶液を支持体上に塗布して該支持体上に金属成分
含有有機溶液層を形成させたのち、該有機溶液層を加熱
することにより、該層を六方晶系フェライト薄膜に変換
することからなる六方晶系フェライト薄膜の製法を提供
するものである。
本発明は、塗布法により六方晶系フェライト磁性層を支
持体上に形成する方法ではあるが、本発明の六方晶系フ
ェライト成分の製法は、従来のバインダーを用いる塗布
法とは全く異なる原理に基づく製造法である。
持体上に形成する方法ではあるが、本発明の六方晶系フ
ェライト成分の製法は、従来のバインダーを用いる塗布
法とは全く異なる原理に基づく製造法である。
［発明の効果］
本発明により得られる六方晶系フェライト薄膜は表面硬
度が高いため傷がつきにくく、表面が平滑であり、かつ
透明である。またこの六方晶系フェライト薄膜は実質的
にバインダーを含むことなく、実質的に六方晶系フェラ
イトのみから形成され、かつ六方晶系フェライト結晶（
平板状結晶）の多くが該薄膜の平面と平行に配列してい
るから、この六方晶系フェライトｓ膜からなる磁気記録
媒体は特に垂直磁気記録方式及び光磁気記録に用いた場
合、優れた磁気特性を示す。
度が高いため傷がつきにくく、表面が平滑であり、かつ
透明である。またこの六方晶系フェライト薄膜は実質的
にバインダーを含むことなく、実質的に六方晶系フェラ
イトのみから形成され、かつ六方晶系フェライト結晶（
平板状結晶）の多くが該薄膜の平面と平行に配列してい
るから、この六方晶系フェライトｓ膜からなる磁気記録
媒体は特に垂直磁気記録方式及び光磁気記録に用いた場
合、優れた磁気特性を示す。
［発明の詳細な記述］
本発明を利用して製造することのできる六方晶系フェラ
イト薄膜の例として、下記のものを挙げることができる
。
イト薄膜の例として、下記のものを挙げることができる
。
組成式（１）：
％式％（）
なる群より選ばれる少なくとも一種の金属原子である１
で表わされるマグネットブランバイト型六方晶形フェラ
イトからなる薄膜。
イトからなる薄膜。
組成式（Ｉ［） ：
％式％［）
［但し、Ｒは上記と同義、ＭはＣｏ、ＮＬおよびＺｎか
らなる群より選ばれる少なくとも一種の二価金属原子、
Ｍ′はＴｉ、ＺｒおよびＨｆからなる群より選ばれる少
なくとも一種の四価金属原子、モしてＸは、０＜Ｘ≦１
．２の範囲の数値であるゴ で表わされるマグネットブランバイト型六方晶形フェラ
イトからなる薄膜。
らなる群より選ばれる少なくとも一種の二価金属原子、
Ｍ′はＴｉ、ＺｒおよびＨｆからなる群より選ばれる少
なくとも一種の四価金属原子、モしてＸは、０＜Ｘ≦１
．２の範囲の数値であるゴ で表わされるマグネットブランバイト型六方晶形フェラ
イトからなる薄膜。
組成式（■）：
ＲＦｅ２−、（Ｍ″ｘｏｍ （Ｉ）［但し、Ｒは
上記と同義１Ｍ″はＡ！Ｌ、ＧａおよびＩｎからなる群
より選ばれる少なくとも一種の二価金属原子、モしてＸ
はＯ＜Ｘ≦２．４の範囲の数値である］ で表わされるマグネットブランバイト型六方晶形フェラ
イトからなる薄膜。
上記と同義１Ｍ″はＡ！Ｌ、ＧａおよびＩｎからなる群
より選ばれる少なくとも一種の二価金属原子、モしてＸ
はＯ＜Ｘ≦２．４の範囲の数値である］ で表わされるマグネットブランバイト型六方晶形フェラ
イトからなる薄膜。
次に本発明の六方晶系フェライト薄膜の製法を、上記組
成式（Ｉ［）により表わされる化合物に含まれるＢＢａ
Ｆｅ２−２ｘＣｏｚＴｉｚＣ）六方晶系フェライト薄膜
の製造方法を例にとって詳しく説明する。
成式（Ｉ［）により表わされる化合物に含まれるＢＢａ
Ｆｅ２−２ｘＣｏｚＴｉｚＣ）六方晶系フェライト薄膜
の製造方法を例にとって詳しく説明する。
本発明の製法においては、フェライト成分は全て有機金
属化合物として導入°される。すなわち。
属化合物として導入°される。すなわち。
Ｂａ、Ｆｅ、Ｇｏ、Ｔｉなどの金属成分は、たとえば、
アルコキシド、有機酸塩、錯体、有機化合物とのエステ
ルなどの有機金属化合物として用いられる。
アルコキシド、有機酸塩、錯体、有機化合物とのエステ
ルなどの有機金属化合物として用いられる。
本発明において原料として使用される有機金属化合物は
通常の有機溶媒に溶解するものであれば特に限定はない
、用い得る有機金属化合物の例としては、メトキシド、
エトキシド、プロポキシド、インプロポキシド、ブトキ
シドなどのアルコキシド（特に炭素数６以下の脂肪族ア
ルコールとのアルコキシド）、ギ酸塩、酢酸塩、プロピ
オン 。
通常の有機溶媒に溶解するものであれば特に限定はない
、用い得る有機金属化合物の例としては、メトキシド、
エトキシド、プロポキシド、インプロポキシド、ブトキ
シドなどのアルコキシド（特に炭素数６以下の脂肪族ア
ルコールとのアルコキシド）、ギ酸塩、酢酸塩、プロピ
オン 。
酸塩、シュウ酸塩、グリコール酸塩などの有機酸塩（＃
に炭素数６以下の脂肪酸との塩）、アセチル酢酸、ＥＤ
ＴＡなどの配位子との錯体を挙げることができる。また
、たとえば、チタンについては、チタン酸テトライソプ
ロピル、チタン酸テトラブチル、チタン酸テトラ（２−
エチル）ヘキシル、チタン酸テトラステアリルなど各種
のエステルなどを使用することができる。
に炭素数６以下の脂肪酸との塩）、アセチル酢酸、ＥＤ
ＴＡなどの配位子との錯体を挙げることができる。また
、たとえば、チタンについては、チタン酸テトライソプ
ロピル、チタン酸テトラブチル、チタン酸テトラ（２−
エチル）ヘキシル、チタン酸テトラステアリルなど各種
のエステルなどを使用することができる。
なお、上記有機金属化合物は金属のアルコキシドもしく
は有機酸塩であることが好ましく、またそれらのアルコ
キシドもしくは有機酸塩を形成するアルコール成分もし
くは有機酸成分が炭素数６以下の脂肪族アルコールもし
くは脂肪族カルボン酸であることが好ましい。
は有機酸塩であることが好ましく、またそれらのアルコ
キシドもしくは有機酸塩を形成するアルコール成分もし
くは有機酸成分が炭素数６以下の脂肪族アルコールもし
くは脂肪族カルボン酸であることが好ましい。
原料の有機金属化合物は、一般にはそれぞれに含まれる
金属原子が最終的に目的とする六方晶系フェライト結晶
の組成比に対応するような比率にて混合される。ただし
、バリウム成分などの前記各組成式にてＲで示される成
分の量は、酸化鉄成分などの他の成分に比べて目的物の
組成が示す化学量論比よりも若干多い量（好ましくは、
化学量論比相当量の１００〜１２０％）にて用いること
が好ましい、これは、非磁性のα−Ｆｅｚ０３の析出を
効果的に避けるためである。
金属原子が最終的に目的とする六方晶系フェライト結晶
の組成比に対応するような比率にて混合される。ただし
、バリウム成分などの前記各組成式にてＲで示される成
分の量は、酸化鉄成分などの他の成分に比べて目的物の
組成が示す化学量論比よりも若干多い量（好ましくは、
化学量論比相当量の１００〜１２０％）にて用いること
が好ましい、これは、非磁性のα−Ｆｅｚ０３の析出を
効果的に避けるためである。
原料の有機金属化合物は有機溶媒溶液として用意され、
通常は、該有機溶媒中で各有機金属化合物の反応が行な
われる。有機溶媒としては、用いる有機金属化合物を溶
解し、かつそれらの有機金属化合物に対して高い反応性
を示すものでない限り特に制限はない、ただし、原料の
有機金属化合物は一般に極性を示すものが多いため、メ
チルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコー
ル、イソプロピルアルコール、ブチルアルコールなどの
低級アルコール、アセトン、メチルエチルケトンなどの
ケトン、ジメチルエーテル、メチルエチルエーテル、ジ
エチルエーテル、ジオキサンなどのエーテル、ギ酸メチ
ル、ギ酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、プロピオン
酸メチル、プロピオン酸エチルなどの低級脂肪酸と低級
アルコールとのエステル、ギ酸、酢酸、プロピオン酸な
どの低級脂肪酸のような極性有機溶媒が用いられる。こ
れらの極性有機溶媒は単独で、あるいはそれぞれを混合
して、または他の有機溶媒と混合して用いることができ
る。
通常は、該有機溶媒中で各有機金属化合物の反応が行な
われる。有機溶媒としては、用いる有機金属化合物を溶
解し、かつそれらの有機金属化合物に対して高い反応性
を示すものでない限り特に制限はない、ただし、原料の
有機金属化合物は一般に極性を示すものが多いため、メ
チルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコー
ル、イソプロピルアルコール、ブチルアルコールなどの
低級アルコール、アセトン、メチルエチルケトンなどの
ケトン、ジメチルエーテル、メチルエチルエーテル、ジ
エチルエーテル、ジオキサンなどのエーテル、ギ酸メチ
ル、ギ酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、プロピオン
酸メチル、プロピオン酸エチルなどの低級脂肪酸と低級
アルコールとのエステル、ギ酸、酢酸、プロピオン酸な
どの低級脂肪酸のような極性有機溶媒が用いられる。こ
れらの極性有機溶媒は単独で、あるいはそれぞれを混合
して、または他の有機溶媒と混合して用いることができ
る。
上記の有機溶媒は脂肪族アルコール、脂肪族カルボン酸
、もしくはそれらの混合物であることが望ましい。
、もしくはそれらの混合物であることが望ましい。
原料有機金属化合物を含む有機溶媒溶液は、そのまま、
あるいは加温などの処理を受けて反応を経由したのち、
プラスチックシート（あるいはフィルム）、ガラス板、
セラミック板及び金属板などの支持体上に塗布される、
この塗布方法には特に制限はなく、ドクターブレード、
ロールコータ−などを用いる通常の塗布方法、支持体上
に該溶液を流延する方法、支持体を該溶液に浸漬する方
法、支持体上に該溶液をスプレーする方法など各種の方
法を利用することができる。
あるいは加温などの処理を受けて反応を経由したのち、
プラスチックシート（あるいはフィルム）、ガラス板、
セラミック板及び金属板などの支持体上に塗布される、
この塗布方法には特に制限はなく、ドクターブレード、
ロールコータ−などを用いる通常の塗布方法、支持体上
に該溶液を流延する方法、支持体を該溶液に浸漬する方
法、支持体上に該溶液をスプレーする方法など各種の方
法を利用することができる。
なお、有機金属化合物の形の原料金属成分を含む有機溶
媒溶液を支持体上に塗布する前に、該有機溶媒溶液を有
機酸で処理して、該有機金属化合物を一旦加水分解し、
この加水分解物を含む有機溶媒溶液を支持体上、に塗布
して目的の金属成分含有有機溶液層を形成させる方法も
また好ましい方法である。この方法を利用することによ
り、生成するフェライト薄膜中のフェライト結晶のサイ
ズをより小さく、かつより均一にすることができる。
媒溶液を支持体上に塗布する前に、該有機溶媒溶液を有
機酸で処理して、該有機金属化合物を一旦加水分解し、
この加水分解物を含む有機溶媒溶液を支持体上、に塗布
して目的の金属成分含有有機溶液層を形成させる方法も
また好ましい方法である。この方法を利用することによ
り、生成するフェライト薄膜中のフェライト結晶のサイ
ズをより小さく、かつより均一にすることができる。
次に該有機溶液層を加熱することにより、該有機溶液層
を六方晶系フェライト薄膜に変換する。
を六方晶系フェライト薄膜に変換する。
この加熱は該有機溶液層に含まれる溶媒を除去し、かつ
有機金属化合物を熱分解して目的とする六方晶系フェラ
イト結晶を生成させることを目的とする工程であり、こ
の加熱工程は焼成工程ともいうことができる。従って、
最後の有機金属化合物の熱分解のための段階では、比較
的高温の加熱条件、たとえば３００℃以上（好ましくは
４００〜８００℃）が利用される。ただし、有機金属化
合物が熱分解して六方晶系フェライト結晶に変換する加
熱条件は、用いる有機金属化合物の種類および目的のフ
ェライトの種類によっても変動することに留意すべきで
ある。
有機金属化合物を熱分解して目的とする六方晶系フェラ
イト結晶を生成させることを目的とする工程であり、こ
の加熱工程は焼成工程ともいうことができる。従って、
最後の有機金属化合物の熱分解のための段階では、比較
的高温の加熱条件、たとえば３００℃以上（好ましくは
４００〜８００℃）が利用される。ただし、有機金属化
合物が熱分解して六方晶系フェライト結晶に変換する加
熱条件は、用いる有機金属化合物の種類および目的のフ
ェライトの種類によっても変動することに留意すべきで
ある。
また、目的のフェライト薄膜を厚くするためには、支持
体上に金属成分含有有機溶液層を形成させたのち、これ
をフェライト結晶が生成しない程度の温度で加熱して乾
燥塗膜としたのち、この乾燥塗膜上に再度同じ金属成分
含有有機溶液層を形成し、加熱乾燥させて乾燥塗膜を重
ねる工程を所望回数繰返し、最後に高温度に加熱（焼成
）してフェライト結晶を生成させる方法などを利用する
こともできる。
体上に金属成分含有有機溶液層を形成させたのち、これ
をフェライト結晶が生成しない程度の温度で加熱して乾
燥塗膜としたのち、この乾燥塗膜上に再度同じ金属成分
含有有機溶液層を形成し、加熱乾燥させて乾燥塗膜を重
ねる工程を所望回数繰返し、最後に高温度に加熱（焼成
）してフェライト結晶を生成させる方法などを利用する
こともできる。
なお、上記においては組成式Ｂ ａＦ ｅ ｌ！ −２
ＸＣｏ ｚ Ｔ ｉ Ｘ ＯＩｇを有する六方晶系フェ
ライトの薄膜の製法について説明したが、組成式（Ｉ［
）により表わされる他の六方晶系フェライト、そして組
成式（Ｉ）および組成式０１により表わされる他の六方
晶系フェライトもまた同様な方法を利用して製造するこ
とができる。
ＸＣｏ ｚ Ｔ ｉ Ｘ ＯＩｇを有する六方晶系フェ
ライトの薄膜の製法について説明したが、組成式（Ｉ［
）により表わされる他の六方晶系フェライト、そして組
成式（Ｉ）および組成式０１により表わされる他の六方
晶系フェライトもまた同様な方法を利用して製造するこ
とができる。
本発明によれば、工業的に有利な塗布法により高い硬度
を有し、また表面が均質で平滑であり、かつ透明な六方
晶系フェライト薄膜を容易に得ることができる。そして
本発明により得られる六方晶系フェライト薄膜は抗磁力
、飽和磁束密度などの磁気特性において優れた特性を示
す、なお、本発明により製造される六方晶系フェライト
薄膜においては、平板状の六方晶系フェライト結晶′の
多くのものが、その平板面を薄膜と平行とする配置を取
りやすく、このため垂直磁気記録方式を利用する磁気記
録材料及び光磁気記録媒体として特に有用である。
を有し、また表面が均質で平滑であり、かつ透明な六方
晶系フェライト薄膜を容易に得ることができる。そして
本発明により得られる六方晶系フェライト薄膜は抗磁力
、飽和磁束密度などの磁気特性において優れた特性を示
す、なお、本発明により製造される六方晶系フェライト
薄膜においては、平板状の六方晶系フェライト結晶′の
多くのものが、その平板面を薄膜と平行とする配置を取
りやすく、このため垂直磁気記録方式を利用する磁気記
録材料及び光磁気記録媒体として特に有用である。
次に本発明の実施例を示す。
［実施例１］
バリウムエトキシド［Ｂａ （ＯＣｚＨｓ）ｚｌのエチ
ルアルコール溶液（バリウムを１重量％含有）およびプ
ロピオン酸鉄［Ｆ ｅ （Ｃｚ Ｈａ Ｃ００）２］の
エチルアルコール溶液（鉄を１０重量％含有）を調製し
た。
ルアルコール溶液（バリウムを１重量％含有）およびプ
ロピオン酸鉄［Ｆ ｅ （Ｃｚ Ｈａ Ｃ００）２］の
エチルアルコール溶液（鉄を１０重量％含有）を調製し
た。
バリウム原子と鉄原子との比率（原子比）が１：１１．
６となるように上記のバリウムエトキシド溶液とプロピ
オン酸鉄溶液とを混合し、攪拌下にて約８０℃で３時間
還流を行なった。この反応液を２５℃にまで冷却したの
ち、グリコール酸を５％含有するエチルアルコールを該
反応液に攪拌下にて滴下して反応生成物を加水分解した
。
６となるように上記のバリウムエトキシド溶液とプロピ
オン酸鉄溶液とを混合し、攪拌下にて約８０℃で３時間
還流を行なった。この反応液を２５℃にまで冷却したの
ち、グリコール酸を５％含有するエチルアルコールを該
反応液に攪拌下にて滴下して反応生成物を加水分解した
。
次いで、上記加水分解液を８０℃にまで加温して、攪拌
下にて還流しながら、プロピオン酸を該加水分解液が溶
解するまで添加し安定化させた。
下にて還流しながら、プロピオン酸を該加水分解液が溶
解するまで添加し安定化させた。
別に親木化処理した耐熱性ガラス支持体を用意し、これ
を上記の加水分解液に浸漬したのち、速度１０ｃｍ／分
にて引き上げ、次いで４００℃にて３０分間加熱して支
持体上に塗膜を形成した。
を上記の加水分解液に浸漬したのち、速度１０ｃｍ／分
にて引き上げ、次いで４００℃にて３０分間加熱して支
持体上に塗膜を形成した。
次に、この塗膜を表面に有する支持体を同じ加水分解液
に浸漬し、同速度で引き上げ、次いで同じ条件で加熱す
る工程を三回繰り返して塗膜の膜厚を増大させたのち、
焼成を行なった。
に浸漬し、同速度で引き上げ、次いで同じ条件で加熱す
る工程を三回繰り返して塗膜の膜厚を増大させたのち、
焼成を行なった。
なお、上記の塗膜形成は二枚の支持体について実施し、
上記の焼成は得られた二枚の塗膜付設支持体の各々につ
いて、６００℃、５時間および８００℃、５時間の条件
にて行なった。
上記の焼成は得られた二枚の塗膜付設支持体の各々につ
いて、６００℃、５時間および８００℃、５時間の条件
にて行なった。
焼成後の塗膜はいずれも茶褐色の透明の膜であり、その
表面を２００倍の顕微鏡で観察したところ、ひび割れ等
の不均質部分は見られず、良好な状態であった。また、
焼成塗膜表面を硬い鉛筆（５Ｈ）を用い通常の筆圧にて
こすったが全く傷がつかなかった。さらに、接着テープ
を用いた剥離試験でも焼成塗膜の剥離は発生しなかった
。これらの結果より、得られた焼成塗Ｈ（フェライト薄
膜）は、硬度および強度の優れた透明で安定な薄膜であ
ることが確認された。
表面を２００倍の顕微鏡で観察したところ、ひび割れ等
の不均質部分は見られず、良好な状態であった。また、
焼成塗膜表面を硬い鉛筆（５Ｈ）を用い通常の筆圧にて
こすったが全く傷がつかなかった。さらに、接着テープ
を用いた剥離試験でも焼成塗膜の剥離は発生しなかった
。これらの結果より、得られた焼成塗Ｈ（フェライト薄
膜）は、硬度および強度の優れた透明で安定な薄膜であ
ることが確認された。
焼成塗膜の膜厚は、いずれも約４ 、０００Ａであった
（テンコール社製アルファーステップによる測定値）。
（テンコール社製アルファーステップによる測定値）。
次に、それぞれの焼成塗膜の結晶状態および粒子サイズ
をＸ線回折により調べたところ、いずれも結晶性である
ことが確認された。Ｘ線回折による粒子サイズは６００
℃焼成のものは約３０ＯＡ、そして８００℃焼成のもの
は約８０ＯＡであることが確認された。
をＸ線回折により調べたところ、いずれも結晶性である
ことが確認された。Ｘ線回折による粒子サイズは６００
℃焼成のものは約３０ＯＡ、そして８００℃焼成のもの
は約８０ＯＡであることが確認された。
さらに各焼成塗膜の磁気特性を東夷工業■製振動式試料
型磁気測定装置を用いて測定したところ第１表に示す優
れた値が得られた。
型磁気測定装置を用いて測定したところ第１表に示す優
れた値が得られた。
第１表
抗磁力 飽和磁束密度
（Ｏｅ） （ガウス）
６００℃ ２，８００ ２．５００８００℃
２，１００ ３．２００註：抗磁力は垂直方向
の測定値である。
２，１００ ３．２００註：抗磁力は垂直方向
の測定値である。
［実施例２］
プロピオン酸バリウム［Ｂ ＆ （Ｃｚ Ｈｓ Ｃ００
）ｚｌのエチルアルコール溶液（バリウムを１重量％含
有）、プロピオン酸鉄［Ｆｅ （Ｃ２Ｈ６ＣＯＯ）ｚｌ
のエチルアルコール溶液（鉄を１０重量％含有）、プロ
ピオン酸コバ／Ｉ／ト［ＣＧ（Ｃｚ Ｈｓ Ｃ００）
ｓ ］のエチルアルコール溶液（コバルトを１０重量％
含有）、およびテトライソプロピルオルソチタネートＴ
ｉ［（ＣＨａ）ｚＣＨＯＩ ａのエチルアルコール溶液
（チタンをｌＯ重量％含＊）を調製した。
）ｚｌのエチルアルコール溶液（バリウムを１重量％含
有）、プロピオン酸鉄［Ｆｅ （Ｃ２Ｈ６ＣＯＯ）ｚｌ
のエチルアルコール溶液（鉄を１０重量％含有）、プロ
ピオン酸コバ／Ｉ／ト［ＣＧ（Ｃｚ Ｈｓ Ｃ００）
ｓ ］のエチルアルコール溶液（コバルトを１０重量％
含有）、およびテトライソプロピルオルソチタネートＴ
ｉ［（ＣＨａ）ｚＣＨＯＩ ａのエチルアルコール溶液
（チタンをｌＯ重量％含＊）を調製した。
バリウム原子、鉄原子、コバルト原子、およびチタン原
子の比率（ｉ（子比）が１：ｌＯ，３：０．７：０．７
となるように、上記の各有機金属化合物溶液を混合し、
攪拌下にて約８０℃で３時間還流を行なった。この反応
液を２５℃にまで冷却したのち、グリコール酸を５％含
有するエチルアルコールを該反応液に攪拌下にて滴下し
て反応生成物を加水分解した。
子の比率（ｉ（子比）が１：ｌＯ，３：０．７：０．７
となるように、上記の各有機金属化合物溶液を混合し、
攪拌下にて約８０℃で３時間還流を行なった。この反応
液を２５℃にまで冷却したのち、グリコール酸を５％含
有するエチルアルコールを該反応液に攪拌下にて滴下し
て反応生成物を加水分解した。
次いで、上記加水分解液を８０℃にまで加温して、攪拌
下にて還流しながら、プロピオン酸を該加水分解物が溶
解するまで添加し安定化させた。
下にて還流しながら、プロピオン酸を該加水分解物が溶
解するまで添加し安定化させた。
別に親木化処理した耐熱性ガラス支持体を用意し、これ
を上記の加水分解液に浸漬したのち、速度１０ ｃ ｍ
７分にて引き上げ、次いで４００℃にて３０分間加熱
して支持体上に塗膜を形成した。
を上記の加水分解液に浸漬したのち、速度１０ ｃ ｍ
７分にて引き上げ、次いで４００℃にて３０分間加熱
して支持体上に塗膜を形成した。
次に、この塗膜を表面に有する支持体を同じ加水分解液
に浸漬し、同速度で引き上げ１次いで同じ条件で加熱す
る工程を三回°繰り返して塗膜の膜厚を増大させたのち
、焼成を行なった。
に浸漬し、同速度で引き上げ１次いで同じ条件で加熱す
る工程を三回°繰り返して塗膜の膜厚を増大させたのち
、焼成を行なった。
なお、上記の塗膜形成は二枚の支持体について実施し、
上記の焼成は得られた二枚の塗膜付設支持体の各々につ
いて、６００℃、５時間および８００℃、５時間の条件
にて行なった。
上記の焼成は得られた二枚の塗膜付設支持体の各々につ
いて、６００℃、５時間および８００℃、５時間の条件
にて行なった。
焼成後の塗膜はいずれも茶褐色の透明の膜であり、その
表面を２００倍の顕微鏡で観察したところ、ひび割れ等
の不均質部分は見られず、良好な状態であった。また、
焼成塗膜表面を硬い鉛筆（５Ｈ）を用い通常の筆圧にて
こすったが全く傷がつかなかった。さらに、接着テープ
を用いた剥離試験でも焼成塗膜の剥離は発生しなかった
。これらの結果より、得られた焼成塗膜（フェライトｍ
Ｊｌりは、硬度および強度の優れた透明で安定な薄膜で
あることが確認された。
表面を２００倍の顕微鏡で観察したところ、ひび割れ等
の不均質部分は見られず、良好な状態であった。また、
焼成塗膜表面を硬い鉛筆（５Ｈ）を用い通常の筆圧にて
こすったが全く傷がつかなかった。さらに、接着テープ
を用いた剥離試験でも焼成塗膜の剥離は発生しなかった
。これらの結果より、得られた焼成塗膜（フェライトｍ
Ｊｌりは、硬度および強度の優れた透明で安定な薄膜で
あることが確認された。
焼成塗膜の膜圧は、いずれも約４，０ＯＯＡであった（
テンコール社゛製アルファーステップによる測定値）。
テンコール社゛製アルファーステップによる測定値）。
次に、それぞれの焼成塗膜の結晶状態および粒子サイズ
をＸ線回折により調べたところ、いずれも結晶性である
ことが確認された。Ｘ線回折による粒子サイズは６００
℃焼成のものは約３０ＯＡ、そして８００℃焼成のもの
は約８０ＯＡであることが確認された。
をＸ線回折により調べたところ、いずれも結晶性である
ことが確認された。Ｘ線回折による粒子サイズは６００
℃焼成のものは約３０ＯＡ、そして８００℃焼成のもの
は約８０ＯＡであることが確認された。
さらに各焼成塗膜の磁気特性を東英工業■製振動式試料
型磁気測定装置を用いて測定したところ第２表に示す優
れた値が得られた。
型磁気測定装置を用いて測定したところ第２表に示す優
れた値が得られた。
以下余白
第２表
抗磁力 飽和磁束密度
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、有機金属化合物の形の原料金属成分を含む有機溶媒
溶液を支持体上に塗布して該支持体上に金属成分含有有
機溶液層を形成させたのち、該有機溶液層を加熱するこ
とにより、該層を六方晶系フェライト薄膜に変換するこ
とからなる六方晶系フェライト薄膜の製法。 ２、上記有機金属化合物の少なくとも一つが金属のアル
コキシドもしくは有機酸塩であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の六方晶系フェライト薄膜の製法
。 ３、上記のアルコキシドもしくは有機酸塩を形成するア
ルコール成分もしくは有機酸成分が炭素数６以下の脂肪
族アルコールもしくは脂肪族カルボン酸であることを特
徴とする特許請求の範囲第２項記載の六方晶系フェライ
ト薄膜の製法。 ４、上記の有機溶媒が脂肪族アルコール、脂肪族カルボ
ン酸、もしくはそれらの混合物であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の六方晶系フェライト薄膜の
製法。 ５、有機金属化合物の形の原料金属成分を含む有機溶媒
溶液を有機酸で処理して、該有機金属化合物を一旦加水
分解し、この加水分解物を含む有機溶媒溶液を支持体上
に塗布して金属成分含有有機溶液層を形成させたのち、
該有機溶液層を加熱することにより、該層を六方晶系フ
ェライト薄膜に変換することを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の六方晶系フェライト薄膜の製法。 ６、六方晶系フェライト薄膜が組成式（ I ）：ＲＦｅ
＿１＿２Ｏ＿１＿９（ I ） ［但し、ＲはＢａ、Ｃａ、ＳｒおよびＰｂからなる群よ
り選ばれる少なくとも一種の金属原子である］ で表わされるマグネットプランバイト型六方晶形フェラ
イトからなる薄膜であることを特徴とする特許請求の範
囲第１項乃至第５項のいずれかの項記載の六方晶系フェ
ライト薄膜の製法。 ７、六方晶系フェライト薄膜が組成式（II）：ＲＦｅ＿
１＿２＿−＿２＿ＸＭｘＭ′ｘＯ＿１＿９（II）［但し
、ＲはＢａ、Ｃａ、ＳｒおよびＰｂからなる群より選ば
れる少なくとも一種の金属原子、ＭはＣｏ、Ｎｉおよび
Ｚｎからなる群より選ばれる少なくとも一種の二価金属
原子、Ｍ′はＴｉ、ＺｒおよびＨｆからなる群より選ば
れる少なくとも一種の四価金属原子、そしてｘは、０＜
ｘ≦１．２の範囲の数値である］ で表わされるマグネットプランバイト型六方晶形フェラ
イトからなる薄膜であることを特徴とする特許請求の範
囲第１項乃至第５項のいずれかの項記載の六方晶系フェ
ライト薄膜の製法。 ８、六方晶系フェライト薄膜が組成式（III）：ＲＦｅ
＿１＿２＿−＿ｘＭ″＿ｘＯ＿１＿９（III）［但し、
ＲはＢａ、Ｃａ、ＳｒおよびＰｂからなる群より選ばれ
る少なくとも一種の金属原子、Ｍ″はＡｌ、Ｇａおよび
Ｉｎからなる群より選ばれる少なくとも一種の三価金属
原子、そしてｘは０＜ｘ≦２．４の範囲の数値である］ で表わされるマグネットプランバイト型六方晶形フェラ
イトからなる薄膜であることを特徴とする特許請求の範
囲第１項乃至第５項のいずれかの項記載の六方晶系フェ
ライト薄膜の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25874784A JPS61136683A (ja) | 1984-12-07 | 1984-12-07 | 六方晶系フエライト薄膜の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25874784A JPS61136683A (ja) | 1984-12-07 | 1984-12-07 | 六方晶系フエライト薄膜の製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61136683A true JPS61136683A (ja) | 1986-06-24 |
Family
ID=17324517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25874784A Pending JPS61136683A (ja) | 1984-12-07 | 1984-12-07 | 六方晶系フエライト薄膜の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61136683A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4764436A (en) * | 1985-05-20 | 1988-08-16 | Research Development Corporation Of Japan | Iron-oxygen based perpendicular magnetized anisotropic thin film |
| US4797331A (en) * | 1985-11-19 | 1989-01-10 | Ricoh Company, Ltd. | Magneto-optical recording material |
| FR2621161A1 (fr) * | 1987-09-29 | 1989-03-31 | Kodak Pathe | Preparation de couches minces a base d'oxyde de feriii pour l'enregistrement optique et/ou magnetique |
| FR2621162A1 (fr) * | 1987-09-29 | 1989-03-31 | Kodak Pathe | Preparation de couches minces a base d'oxyde de feriii pour l'enregistrement optique et/ou magnetique |
| JPH043402A (ja) * | 1990-04-20 | 1992-01-08 | Teikoku Tsushin Kogyo Co Ltd | フェライトコーティング液 |
| JPH0438809A (ja) * | 1990-06-04 | 1992-02-10 | Agency Of Ind Science & Technol | 透光性磁性酸化鉄膜及びその製造方法 |
| JP2016532739A (ja) * | 2013-06-28 | 2016-10-20 | アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ（ルクセンブルグ）ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ | 可溶性金属酸化物カルボキシレートのスピンオン組成物及びそれらの使用方法 |
-
1984
- 1984-12-07 JP JP25874784A patent/JPS61136683A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4764436A (en) * | 1985-05-20 | 1988-08-16 | Research Development Corporation Of Japan | Iron-oxygen based perpendicular magnetized anisotropic thin film |
| US4797331A (en) * | 1985-11-19 | 1989-01-10 | Ricoh Company, Ltd. | Magneto-optical recording material |
| FR2621161A1 (fr) * | 1987-09-29 | 1989-03-31 | Kodak Pathe | Preparation de couches minces a base d'oxyde de feriii pour l'enregistrement optique et/ou magnetique |
| FR2621162A1 (fr) * | 1987-09-29 | 1989-03-31 | Kodak Pathe | Preparation de couches minces a base d'oxyde de feriii pour l'enregistrement optique et/ou magnetique |
| EP0370067B1 (en) * | 1987-09-29 | 1991-12-04 | EASTMAN KODAK COMPANY (a New Jersey corporation) | Preparation of thin layers of iron iii oxide for optical and/or magnetic recording |
| JPH043402A (ja) * | 1990-04-20 | 1992-01-08 | Teikoku Tsushin Kogyo Co Ltd | フェライトコーティング液 |
| JPH0438809A (ja) * | 1990-06-04 | 1992-02-10 | Agency Of Ind Science & Technol | 透光性磁性酸化鉄膜及びその製造方法 |
| JP2016532739A (ja) * | 2013-06-28 | 2016-10-20 | アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ（ルクセンブルグ）ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ | 可溶性金属酸化物カルボキシレートのスピンオン組成物及びそれらの使用方法 |
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