JPS59213665A - 機能性無機薄膜およびその製造法 - Google Patents
機能性無機薄膜およびその製造法Info
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- JPS59213665A JPS59213665A JP58084797A JP8479783A JPS59213665A JP S59213665 A JPS59213665 A JP S59213665A JP 58084797 A JP58084797 A JP 58084797A JP 8479783 A JP8479783 A JP 8479783A JP S59213665 A JPS59213665 A JP S59213665A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
- C23C18/1208—Oxides, e.g. ceramics
- C23C18/1216—Metal oxides
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規な機能性無機薄膜およびその製造法に関す
る。
る。
最近注目されている機能性セラミックス・は電子機器工
業分野にザーミスタ、バリスタ、抵抗体、コンデンサ、
フィルター、磁芯、センサなどのデバイスとして多輩に
使用されている。これら機能性セラミックスの機能は無
機化合物そのものの機能として取り出されるほかに、無
機化合物の粒子の表面および粒子間の界面の特異な現象
を機能として用いているばあいが多い。
業分野にザーミスタ、バリスタ、抵抗体、コンデンサ、
フィルター、磁芯、センサなどのデバイスとして多輩に
使用されている。これら機能性セラミックスの機能は無
機化合物そのものの機能として取り出されるほかに、無
機化合物の粒子の表面および粒子間の界面の特異な現象
を機能として用いているばあいが多い。
その例としてはたとえば導電性酸化亜鉛の粒界に酸化ビ
スマスを存在することによりえられたバリスタやチタン
酸バリウム、酸化チタン、チタン酸スト四ンチウムのよ
うな高誘電率牛導体硼器の粒界にたとえばビスマス、銅
、マンガンのようなアクセプタイオンを拡散させた高誘
電率の境界層形コンデンサが知られている。これらの粒
界現象を利用した素子は、粒子径が均一であること、境
界層ができるだけ薄くがっ厚さが均一であることが機能
を発揮するための重要なポイントとなっている。そのほ
か回路の工Ｃ化が進み、低電圧１低電力で作動する素子
が求められており、それには素子の小型化、薄膜化の技
術の開発が必要である。
スマスを存在することによりえられたバリスタやチタン
酸バリウム、酸化チタン、チタン酸スト四ンチウムのよ
うな高誘電率牛導体硼器の粒界にたとえばビスマス、銅
、マンガンのようなアクセプタイオンを拡散させた高誘
電率の境界層形コンデンサが知られている。これらの粒
界現象を利用した素子は、粒子径が均一であること、境
界層ができるだけ薄くがっ厚さが均一であることが機能
を発揮するための重要なポイントとなっている。そのほ
か回路の工Ｃ化が進み、低電圧１低電力で作動する素子
が求められており、それには素子の小型化、薄膜化の技
術の開発が必要である。
一方、前記のような粒界に機能をもたせた素材のほかに
、それ自体が機能をもつ超微粒子（通常１μｍ以下の粒
径で機械的に粉砕できないもの）を均一に分散させるこ
とによって従来にない機能を付与する検討もなされてい
る。たとえば超微粒の磁性粒子を保持物質中に均一に分
散できれば、従来よりもさらに高密度の磁気記録材料か
えられることが期待できる。そのほか、新しい機能を有
するセン゛すがえられる可能性も高い。
、それ自体が機能をもつ超微粒子（通常１μｍ以下の粒
径で機械的に粉砕できないもの）を均一に分散させるこ
とによって従来にない機能を付与する検討もなされてい
る。たとえば超微粒の磁性粒子を保持物質中に均一に分
散できれば、従来よりもさらに高密度の磁気記録材料か
えられることが期待できる。そのほか、新しい機能を有
するセン゛すがえられる可能性も高い。
しかしながら、そのような超微粒子を均一に分散させる
ことは、ミク四ンオーダの粒子と異って表面エネルギー
が大きいために２次１ｉ！：集力が強く、従来の粉体プ
ルセスを元にした製造法では均一に分散させるのは非常
に困難である。
ことは、ミク四ンオーダの粒子と異って表面エネルギー
が大きいために２次１ｉ！：集力が強く、従来の粉体プ
ルセスを元にした製造法では均一に分散させるのは非常
に困難である。
本発明は、従来の粉体プロセスによる方法では不可能に
近い１μｍ以下の粒径の少なくとも１種のセラミックス
粒子が均一に分布してなる薄膜を提供することを目的と
するものであり、その薄膜は、焼成後無機酸化物として
２成分以上の組成が析出するように組合された２成分以
上の金属成分を含む複合金属溶液を熱分解して薄膜化す
ることによりえられる。
近い１μｍ以下の粒径の少なくとも１種のセラミックス
粒子が均一に分布してなる薄膜を提供することを目的と
するものであり、その薄膜は、焼成後無機酸化物として
２成分以上の組成が析出するように組合された２成分以
上の金属成分を含む複合金属溶液を熱分解して薄膜化す
ることによりえられる。
有機金属化合物は熱分解゛させることにより、従来の固
相反応ではえられない粒径の小さい超微粒子かえられる
ことはよく知られているが、熱分解により粒子化したの
ち再び加工するのでは前記のごとく２次凝集が発生する
ため、所望の機能を充分に発揮することのできる材料か
えられない。
相反応ではえられない粒径の小さい超微粒子かえられる
ことはよく知られているが、熱分解により粒子化したの
ち再び加工するのでは前記のごとく２次凝集が発生する
ため、所望の機能を充分に発揮することのできる材料か
えられない。
本発明はその欠点を改良し、有機金属化合物溶液または
その分解物全溶液中に均一に分散させたものを直接目的
とする形状に加工したのち熱処理を施し、均一に超微粒
子が分散している薄膜を製造する方法に関する。
その分解物全溶液中に均一に分散させたものを直接目的
とする形状に加工したのち熱処理を施し、均一に超微粒
子が分散している薄膜を製造する方法に関する。
本発明に用いられる有機金属化合物としては、金属アル
コキシド、金属キレート１金！Ａカルボン酸があげられ
る。
コキシド、金属キレート１金！Ａカルボン酸があげられ
る。
金Ｆ４アルニア＋シトとしては現在知られている単−金
Ａ−４アルコキシド、複合金属アルコキシド、部分金、
；」Ｓアルコキシドが使用可能であり、全開原子として
は、たとえばリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジ
ュウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシ
ウム、ストロンチウム、バリウム、チタン、ジルコニウ
ム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロ
ム、モリブデン、タングステン、マンガン、鉄、ニッケ
ル、コバルト、銅、亜鉛、カドミウム、水銀、硼素、ア
ルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム、シリコ
ン、ゲルマニウム、錫、鉛、ヒ素Ｎアンチモン、ビスマ
ス、セレン、テルル、ランタノイド系の金属などがあげ
られる。
Ａ−４アルコキシド、複合金属アルコキシド、部分金、
；」Ｓアルコキシドが使用可能であり、全開原子として
は、たとえばリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジ
ュウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシ
ウム、ストロンチウム、バリウム、チタン、ジルコニウ
ム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロ
ム、モリブデン、タングステン、マンガン、鉄、ニッケ
ル、コバルト、銅、亜鉛、カドミウム、水銀、硼素、ア
ルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム、シリコ
ン、ゲルマニウム、錫、鉛、ヒ素Ｎアンチモン、ビスマ
ス、セレン、テルル、ランタノイド系の金属などがあげ
られる。
全屈とアルコキシドを形成する化合物きしては一般弐Ｈ
ＯＲ（ヒドロキシル化されているがまたはいないアルキ
ル基またはアリール基）で示されるアルコール性水酸基
を有する１価または多価ア）Ｉｙ ニア −ルであれば
よい、好ましい具体例としてハ、タトエばメチルアルコ
ール、エチルアルフール、ｎ−プロピルアルコール、イ
ソブチルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、イソブチ
ルアルコール、ペンチルアルコール、ヘキシルアルコー
ル、２−エヂルヘキシルアルコール、オクチルアルコー
ル、ｔ−ブチルアルコール、ラウリルアルコール、１．
４−ブタンジオール、グリセリン、エチレングリコール
、オクチレングリコール、エチレングリコールのモノア
ルキルエーテルなどがあげられる。
ＯＲ（ヒドロキシル化されているがまたはいないアルキ
ル基またはアリール基）で示されるアルコール性水酸基
を有する１価または多価ア）Ｉｙ ニア −ルであれば
よい、好ましい具体例としてハ、タトエばメチルアルコ
ール、エチルアルフール、ｎ−プロピルアルコール、イ
ソブチルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、イソブチ
ルアルコール、ペンチルアルコール、ヘキシルアルコー
ル、２−エヂルヘキシルアルコール、オクチルアルコー
ル、ｔ−ブチルアルコール、ラウリルアルコール、１．
４−ブタンジオール、グリセリン、エチレングリコール
、オクチレングリコール、エチレングリコールのモノア
ルキルエーテルなどがあげられる。
本発明に用いられうる金属アルコキシドの共体例として
は、前記のはがディ・シー・ブラシドレイ（Ｄ、 Ｏ，
Ｂｒａｄｌｅｙ ）ら、メタル・アルコキシドズ（Ｍｅ
ｔａ’ｌ ａｌｋｏｘｉｄｅｓ ）、１９７８年、アカ
デミツク・プレス（ＡｃａａＱｍｉｃ Ｐｒｅｓｓ ）
社に記載されているものも使用できる。
は、前記のはがディ・シー・ブラシドレイ（Ｄ、 Ｏ，
Ｂｒａｄｌｅｙ ）ら、メタル・アルコキシドズ（Ｍｅ
ｔａ’ｌ ａｌｋｏｘｉｄｅｓ ）、１９７８年、アカ
デミツク・プレス（ＡｃａａＱｍｉｃ Ｐｒｅｓｓ ）
社に記載されているものも使用できる。
金属キレートは溶媒により溶解が可能であれば使用可能
であり、金属アミン系錯体、金属ケトン錯体などがあげ
られ、とくに金属β−ジケトン錯体が好ましい。
であり、金属アミン系錯体、金属ケトン錯体などがあげ
られ、とくに金属β−ジケトン錯体が好ましい。
金属β−ジケトン釦体を形成する金属としては、たとえ
ばアルミニウム、バリウム、ベリリウム、カルシウム、
カドミウム、コバルト、クロム、銅、鉄、ガリウム、ハ
フニウム、水銀１インジウム、イリジウムくカリウム、
リチウム、マグネシウム、マンガン、モリブデン、ナト
リウム、ニッケル、鉛、白金、パラジウム、ロジウム、
ルテニウム、スカンジウム、シリコン、錫、ストロンチ
ウム、トリウム、チタン、タリウム、タングステン、ウ
ラニウム、ノくタリウム、イツトリウム、Ｍ 鉛、ジル
コニウム、ランタノイド系などの金属またはそれらの部
分酸化物などがあげられる。
ばアルミニウム、バリウム、ベリリウム、カルシウム、
カドミウム、コバルト、クロム、銅、鉄、ガリウム、ハ
フニウム、水銀１インジウム、イリジウムくカリウム、
リチウム、マグネシウム、マンガン、モリブデン、ナト
リウム、ニッケル、鉛、白金、パラジウム、ロジウム、
ルテニウム、スカンジウム、シリコン、錫、ストロンチ
ウム、トリウム、チタン、タリウム、タングステン、ウ
ラニウム、ノくタリウム、イツトリウム、Ｍ 鉛、ジル
コニウム、ランタノイド系などの金属またはそれらの部
分酸化物などがあげられる。
前記β−ジケトンとしては、たとネばアセデルアセトン
、ベンゾイルアセトン、ジベンゾイルアセトン、ジイソ
ブチリルメタン、ジピバロイルメタン、６−メチルペン
タン−２，４−ジオン、２，２−ジメチルペンタン−６
，５−ジオンまたはそれらのフッ素化物などがあけられ
、とくにアセデルアセトンが好ましい。
、ベンゾイルアセトン、ジベンゾイルアセトン、ジイソ
ブチリルメタン、ジピバロイルメタン、６−メチルペン
タン−２，４−ジオン、２，２−ジメチルペンタン−６
，５−ジオンまたはそれらのフッ素化物などがあけられ
、とくにアセデルアセトンが好ましい。
本発明に用いられうる金属ケトン鉛体としては、前記の
ほかにアール・シー・メー四トラ（Ｒ２Ｏ，Ｍｅｈｒｏ
ｔｒａ ）ら、’メタルへ３’ −シ’ｔ−） ＞ ス
アンド γライド デリバテイブズ（Ｍｅｔ、ａｌβ−
Ｄｉｋｅｔｏｎｅｓ ａｎｄ Ａ１１ｉｅｄ ｄｅｒｉ
ｖａｔｉｖｅｓ ） 〃、１９７８年、アカデミツク・
プレス社に記載されている金属ケトン錯体があげられる
。
ほかにアール・シー・メー四トラ（Ｒ２Ｏ，Ｍｅｈｒｏ
ｔｒａ ）ら、’メタルへ３’ −シ’ｔ−） ＞ ス
アンド γライド デリバテイブズ（Ｍｅｔ、ａｌβ−
Ｄｉｋｅｔｏｎｅｓ ａｎｄ Ａ１１ｉｅｄ ｄｅｒｉ
ｖａｔｉｖｅｓ ） 〃、１９７８年、アカデミツク・
プレス社に記載されている金属ケトン錯体があげられる
。
金属カルボン酸としては、単価カルボン酸および多価カ
ルボン酸塩で溶媒による溶解性があれば使用可能であり
、たとえば酢酸、オレイン酸、オクチル酸、シュウ酸、
シトラコン酸、マレイン酸、フタル酸、ナフテン酸など
の金属塩があげられる０ さらに金属アルコキシドと金属キレートまたは金に＝ア
ルコキシドと金属カルボン酸などの反応生成物で溶カ′
を性のあるものであれば本発明に使用できる０ またそれらの有倶金属化合物はそのままでなく、−高加
水分解され多針化したもの、ある（１）は分解されてコ
ロイド状になったものでもよＩ、ｚ。
ルボン酸塩で溶媒による溶解性があれば使用可能であり
、たとえば酢酸、オレイン酸、オクチル酸、シュウ酸、
シトラコン酸、マレイン酸、フタル酸、ナフテン酸など
の金属塩があげられる０ さらに金属アルコキシドと金属キレートまたは金に＝ア
ルコキシドと金属カルボン酸などの反応生成物で溶カ′
を性のあるものであれば本発明に使用できる０ またそれらの有倶金属化合物はそのままでなく、−高加
水分解され多針化したもの、ある（１）は分解されてコ
ロイド状になったものでもよＩ、ｚ。
本発明に用いられる溶媒は、水または通常知られている
有Ｓ溶媒が使用可能であり、有機溶媒としては炭ノ′、
数１〜２０個の１価または多価アルコール、エステル、
ケトン、エーテル、脂肪族または芳香族炭化水素系溶媒
やジメチルホルムアミド 素有機溶媒のｉ ｉＩ：１４または２種以上の混合溶媒
が使用可能である。
有Ｓ溶媒が使用可能であり、有機溶媒としては炭ノ′、
数１〜２０個の１価または多価アルコール、エステル、
ケトン、エーテル、脂肪族または芳香族炭化水素系溶媒
やジメチルホルムアミド 素有機溶媒のｉ ｉＩ：１４または２種以上の混合溶媒
が使用可能である。
そのほか薄膜化やフィルム化を促進するために、前記溶
媒中に可溶な高分子材料、たとえばポリビニルアルコー
ル、ポリ酢酸ビニル、ニトロセルロース、ポリビニルブ
チラール、アクリ／ｌ’ｌｌｉポリマー、セルロースま
たはデンプン系化合物を相溶させてもよく、さらに可塑
剤、安定剤などの加工促進−用の添加剤′を加えてもよ
い。
媒中に可溶な高分子材料、たとえばポリビニルアルコー
ル、ポリ酢酸ビニル、ニトロセルロース、ポリビニルブ
チラール、アクリ／ｌ’ｌｌｉポリマー、セルロースま
たはデンプン系化合物を相溶させてもよく、さらに可塑
剤、安定剤などの加工促進−用の添加剤′を加えてもよ
い。
さらに焼成処理時に粒成長を抑えるような溶媒に可溶な
無機塩、たとえば塩化物、硝酸化合物を微量添加しても
よい０ かくしてえられる複合金属溶液を熱処理に劇えうる基板
材料、たとえばポリイミド、金属、ガラス、セラミック
スなどの上に塗布し、焼成することにより基板に密着し
た薄膜かえられ、高分子材料を含む系では溶液を揮散さ
ゼることにより、前駆体フィルムかえられ、それを焼成
することによってフィルム状薄膜焼結体かえられる。な
お熱処理温度は有機金属成分や目的とする組成に上って
個々に決められるが、通常６００°Ｃ以上が好ましい。
無機塩、たとえば塩化物、硝酸化合物を微量添加しても
よい０ かくしてえられる複合金属溶液を熱処理に劇えうる基板
材料、たとえばポリイミド、金属、ガラス、セラミック
スなどの上に塗布し、焼成することにより基板に密着し
た薄膜かえられ、高分子材料を含む系では溶液を揮散さ
ゼることにより、前駆体フィルムかえられ、それを焼成
することによってフィルム状薄膜焼結体かえられる。な
お熱処理温度は有機金属成分や目的とする組成に上って
個々に決められるが、通常６００°Ｃ以上が好ましい。
薄膜をうる方法としては、たとえば基板上に複合金属溶
液をスプレー、デイツピイング、スピンコーティングな
どにより塗布したのち加熱して熱分解する方法、分解温
度に加熱された基板に溶液を噴霧する方法、溶液をガス
化したのち加熱して熱分解するか、またはプラズマもし
くはレーザー光によって分解しながら分解物を基板上に
推も１２させる方法、あるいは印刷法や前記フィルム形
成後焼成する方法などがあげられる０ 用いられる金属成分の組合せは、化合物として相互に反
応性の少ない成分、たとえば酸化物においては、ｂｎに
Ｂｉ 、Ｃｏ 、 Ｍｎ ％ Ｓｂ ％ Ｏｒなどを組
合せて加熱温度条件を調整することにより多成分系の酸
化物薄膜かえられ、ＳｉとＦθの系にＭｎ、Ｎｉ、Ｚｎ
ＸＭｇ−ｖ Ｂｏ、Ｓｒなどの金属を組合せればＳ
］０２ 系ガラス中にフェライトが均一に分散した薄膜
かえられる。
液をスプレー、デイツピイング、スピンコーティングな
どにより塗布したのち加熱して熱分解する方法、分解温
度に加熱された基板に溶液を噴霧する方法、溶液をガス
化したのち加熱して熱分解するか、またはプラズマもし
くはレーザー光によって分解しながら分解物を基板上に
推も１２させる方法、あるいは印刷法や前記フィルム形
成後焼成する方法などがあげられる０ 用いられる金属成分の組合せは、化合物として相互に反
応性の少ない成分、たとえば酸化物においては、ｂｎに
Ｂｉ 、Ｃｏ 、 Ｍｎ ％ Ｓｂ ％ Ｏｒなどを組
合せて加熱温度条件を調整することにより多成分系の酸
化物薄膜かえられ、ＳｉとＦθの系にＭｎ、Ｎｉ、Ｚｎ
ＸＭｇ−ｖ Ｂｏ、Ｓｒなどの金属を組合せればＳ
］０２ 系ガラス中にフェライトが均一に分散した薄膜
かえられる。
また、故：Ｃ４に化学量論比をはずした組成となるよう
に金属成分を組合せると、余剰な成分が析出して２成分
以上の無機化合物薄膜となる。
に金属成分を組合せると、余剰な成分が析出して２成分
以上の無機化合物薄膜となる。
たとえばニッケ／＋／フェライト（ＮｉＦｅ２０． ）
の化学量論比よりもＮｉを過剰にすると、ニッケルフェ
ライトの粒子の間に酸化ニッケルが均一に分散した薄膜
かえられる。
の化学量論比よりもＮｉを過剰にすると、ニッケルフェ
ライトの粒子の間に酸化ニッケルが均一に分散した薄膜
かえられる。
さらに加熱時の雰囲気を種々選定することにより、無機
化合物の組成を変更することができる。７ことえば大気
中で加熱するときは無（第１醇化物かえられ、水素や一
酸化炭素などを含む還元性雰囲気中で加熱処理するとき
は金属（合金）かえられる。またＮＨ３やＮ、を含むチ
ッ素％２ ［１気下で加熱処理すればチツ化物を含む無
機化合物かえられる。
化合物の組成を変更することができる。７ことえば大気
中で加熱するときは無（第１醇化物かえられ、水素や一
酸化炭素などを含む還元性雰囲気中で加熱処理するとき
は金属（合金）かえられる。またＮＨ３やＮ、を含むチ
ッ素％２ ［１気下で加熱処理すればチツ化物を含む無
機化合物かえられる。
このように、金属成分の組合せは限りなく考えられるが
、本発明の方法によってえられる薄膜は、従来の粒子を
混合して成形体をつくるものとは本質的に異なり、有機
全屈化合物を出発物質としてこれを熱分解によって薄膜
化する方法であるので、えられる薄膜に含まれる個々の
熱間化合物の粒子径はきわめて小さく、シかも均一・に
分布または分散しており、互いに接触する面積部分は格
段に大きいため、従来の素子とはまったく異なる機能が
期待できる。
、本発明の方法によってえられる薄膜は、従来の粒子を
混合して成形体をつくるものとは本質的に異なり、有機
全屈化合物を出発物質としてこれを熱分解によって薄膜
化する方法であるので、えられる薄膜に含まれる個々の
熱間化合物の粒子径はきわめて小さく、シかも均一・に
分布または分散しており、互いに接触する面積部分は格
段に大きいため、従来の素子とはまったく異なる機能が
期待できる。
セラミックス粒子の均一な分散状態は走査型電子顕微鏡
により観察できる。本発明の薄膜では、１０μｍ角中に
存在する２種以上の金属成分の比率（モル比ンが試料間
で２０％以下のバラツキ範囲内となる。異なる金属成分
の比率（モル比）は０．００１〜１０００ 、好ましく
は０．０１〜１００である。
により観察できる。本発明の薄膜では、１０μｍ角中に
存在する２種以上の金属成分の比率（モル比ンが試料間
で２０％以下のバラツキ範囲内となる。異なる金属成分
の比率（モル比）は０．００１〜１０００ 、好ましく
は０．０１〜１００である。
薄膜の厚さは２００μｍ以下、好ましくは５０μＩｎ以
下である。
下である。
つぎに実施例をあげて本発明を誂明するが、本発明はか
かる実施例のみに限定されるものではない。
かる実施例のみに限定されるものではない。
実施例１
ビスマストリイソブごボキシド１６．５９を酢酸エチル
１００９に溶解させたのち、石英ガラス上ニコの溶液を
１００ｍ／分の速艮でディップコーテイング後、８０°
Ｃのオーブンで１５分１’ＬｉＪ乾燥させ、ざらにマツ
フル炉中で１ｏ０ｃ、／分の昇温ｍ 度に１： で８０
０８０で１時間焼成したのぢ放冷した。
１００９に溶解させたのち、石英ガラス上ニコの溶液を
１００ｍ／分の速艮でディップコーテイング後、８０°
Ｃのオーブンで１５分１’ＬｉＪ乾燥させ、ざらにマツ
フル炉中で１ｏ０ｃ、／分の昇温ｍ 度に１： で８０
０８０で１時間焼成したのぢ放冷した。
えられたｉ゛占膜透明性の厚さが約１ｏｏｏＸの薄膜で
あり、走査電子顕微鏡で観察したところ、粒径約０．１
μのＺｎＯ粒子とガラス状の酸化ビスマスが均一に分布
した薄膜であり、さらにｘｉマイクロアナライザーを用
いて薄膜上の１０μｍ角ごとのＺｎとＢ１のモル比を５
点で測定したところ、Ｚｎ：Ｅｉの比率は０゜９２から
１．０６の範囲であり、粉末成形法ではえられない高度
の均一分布になっていることが判明した○ 実施例２ Ｂａ：Ｐθの比率が６：１になるようにバリウムアセチ
ルアセトネート１．５９と鉄トリイソプロポキシド６．
２４りを無水エチルアルコール１００りに添加し、さら
にバラホルムアルデヒド０．５９ヲｔＲ１え、加熱還流
を６０分間行なって均一な溶液をえた。
あり、走査電子顕微鏡で観察したところ、粒径約０．１
μのＺｎＯ粒子とガラス状の酸化ビスマスが均一に分布
した薄膜であり、さらにｘｉマイクロアナライザーを用
いて薄膜上の１０μｍ角ごとのＺｎとＢ１のモル比を５
点で測定したところ、Ｚｎ：Ｅｉの比率は０゜９２から
１．０６の範囲であり、粉末成形法ではえられない高度
の均一分布になっていることが判明した○ 実施例２ Ｂａ：Ｐθの比率が６：１になるようにバリウムアセチ
ルアセトネート１．５９と鉄トリイソプロポキシド６．
２４りを無水エチルアルコール１００りに添加し、さら
にバラホルムアルデヒド０．５９ヲｔＲ１え、加熱還流
を６０分間行なって均一な溶液をえた。
これとは別にシリコンテトラエトキシドの４量体１０９
を５０７の無水エチルアルコールに溶かし、これに５重
Ｒ％の酢酸を含む酢酸水溶液を１０重量％含むエチルア
ルコール溶液５りを攪拌しナカら加えてシリコンエトキ
シドの多量体溶液をえた。
を５０７の無水エチルアルコールに溶かし、これに５重
Ｒ％の酢酸を含む酢酸水溶液を１０重量％含むエチルア
ルコール溶液５りを攪拌しナカら加えてシリコンエトキ
シドの多量体溶液をえた。
これらの２つの溶液を５０９ずつ混合攪拌、したのち、
石英ガラス上に１０ｃｍ／分の速度で塗布し、１０°Ｃ
／分の昇温速度で１０００°Ｃで２時間焼成し、赤褐色
状の厚さ約１２０ＯＡ （７）薄膜をえた。
石英ガラス上に１０ｃｍ／分の速度で塗布し、１０°Ｃ
／分の昇温速度で１０００°Ｃで２時間焼成し、赤褐色
状の厚さ約１２０ＯＡ （７）薄膜をえた。
この薄膜を走査電子顕微鏡とＸ線マイクロアナライザー
によって分析したところ、５１０２系ガラス中に粒子径
約０．３μｍの六角板状のバリウムフェライトが均一に
分散している薄膜であることが判明した。
によって分析したところ、５１０２系ガラス中に粒子径
約０．３μｍの六角板状のバリウムフェライトが均一に
分散している薄膜であることが判明した。
ｌｊ、−Ｉ′ −二：
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 粒子径が約１μｍ以下である少なくとも１種のセラ
ミックス粒子が均一に分イ［ｊしてなる機能性無機薄膜
侯。 ２ 膜厚が２００μｍ以下である特許請求の範囲第１項
記載のｚ＜％ｊ農。 ６ 焼成後無促ｒ没化物として２成分以上の組成が析出
するように組合された２成分以上の金属を含む復合金ｋ
ｊ！、溶液を熱分解して薄膜化することを特徴とするそ
れぞれの粒子径が約１７’ｍ以下である２種以上のセラ
ミックス粒子が均一に分散してなる機能性無機薄膜の製
造法。 ４ わ２合金ｋｒ５溶液か有機金属化合物の１種または
２イ・１（以上を溶媒に溶解させてえられるものである
特許請求の範囲第６項記載の機能性無機薄膜の製造法。 ５ 有機金属化合物が金属アルコキシド、金８キレート
、金属カルボン酸またはそれらの反応生成物の１種また
は２種以上である特許請求の範囲第６項記載の製造法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58084797A JPS59213665A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | 機能性無機薄膜およびその製造法 |
| CA000451908A CA1217927A (en) | 1983-04-15 | 1984-04-12 | Inorganic composite material and process for preparing the same |
| US06/600,278 US4579594A (en) | 1983-04-15 | 1984-04-13 | Inorganic composite material and process for preparing the same |
| EP84104194A EP0125507B1 (en) | 1983-04-15 | 1984-04-13 | Inorganic composite material and process for preparing the same |
| DE8484104194T DE3473437D1 (en) | 1983-04-15 | 1984-04-13 | Inorganic composite material and process for preparing the same |
| US06/818,425 US4668299A (en) | 1983-04-15 | 1986-01-13 | Inorganic composite material and process for preparing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58084797A JPS59213665A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | 機能性無機薄膜およびその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59213665A true JPS59213665A (ja) | 1984-12-03 |
Family
ID=13840690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58084797A Pending JPS59213665A (ja) | 1983-04-15 | 1983-05-13 | 機能性無機薄膜およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59213665A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH043402A (ja) * | 1990-04-20 | 1992-01-08 | Teikoku Tsushin Kogyo Co Ltd | フェライトコーティング液 |
| JP2007521355A (ja) * | 2003-01-21 | 2007-08-02 | ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー． | 高屈折率を持つ有機・無機ハイブリッドポリマー塗膜 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5628408A (en) * | 1979-08-14 | 1981-03-20 | Sanyo Electric Co | Method of manufacturing ferrodielectric thin film |
| JPS57202448A (en) * | 1981-06-08 | 1982-12-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electric water heater |
-
1983
- 1983-05-13 JP JP58084797A patent/JPS59213665A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5628408A (en) * | 1979-08-14 | 1981-03-20 | Sanyo Electric Co | Method of manufacturing ferrodielectric thin film |
| JPS57202448A (en) * | 1981-06-08 | 1982-12-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electric water heater |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH043402A (ja) * | 1990-04-20 | 1992-01-08 | Teikoku Tsushin Kogyo Co Ltd | フェライトコーティング液 |
| JP2007521355A (ja) * | 2003-01-21 | 2007-08-02 | ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー． | 高屈折率を持つ有機・無機ハイブリッドポリマー塗膜 |
| JP4768596B2 (ja) * | 2003-01-21 | 2011-09-07 | ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー． | 高屈折率を持つ有機・無機ハイブリッドポリマー塗膜 |
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