JP2002363490A - 絶縁膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系絶縁膜 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体素子などにおける層間絶縁膜材料と
して、低比誘電率の塗膜が得られ、かつ銅拡散防止膜で
あるバリアメタルとの密着性に優れる絶縁膜形成用組成
物を得る。 【解決手段】 （Ａ）アルコキシシランの加水分解物、
（Ｂ）有機溶媒ならびに（Ｃ）チタンアルコキシド化合
物、ジルコニウムアルコキシド化合物、アルミニウムア
ルコキシド化合物、タンタルアルコキシド化合物、ボロ
ンアルコキシド化合物、チタンキレート化合物、ジルコ
ニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、
タンタルキレート化合物、ボロンキレート化合物の群か
ら選ばれる少なくとも１種の化合物を加水分解、縮合し
て得られる加水分解縮合物を含有することを特徴とする
絶縁膜形成用組成物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、絶縁膜形成用組成
物に関し、さらに詳しくは、半導体素子などにおける層
間絶縁膜材料として、低比誘電率の塗膜が得られ、かつ
銅拡散防止膜であるバリアメタルとの密着性に優れる絶
縁膜形成用組成物に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体素子などにおける層間絶縁
膜として、ＣＶＤ法などの真空プロセスで形成されたシ
リカ（ＳｉＯ₂ ）膜が多用されている。そして、近年、
より均一な層間絶縁膜を形成することを目的として、Ｓ
ＯＧ（Spin on Glass）膜と呼ばれるテトラアルコキ
シランの加水分解生成物を主成分とする塗布型の絶縁膜
も使用されるようになっている。また、半導体素子など
の高集積化に伴い、有機ＳＯＧと呼ばれるポリオルガノ
シロキサンを主成分とする低比誘電率の層間絶縁膜が開
発されている。特に半導体素子などのさらなる高集積化
や多層化に伴い、より優れた導体間の電気絶縁性が要求
されており、したがって、より低比誘電率の層間絶縁膜
材料が求められるようになっている。

【０００３】低比誘電率の材料としては、アンモニアの
存在下にアルコキシシランを縮合して得られる微粒子と
アルコキシシランの塩基性部分加水分解物との混合物か
らなる組成物（特開平５−２６３０４５、同５−３１５
３１９）や、ポリアルコキシシランの塩基性加水分解物
をアンモニアの存在下縮合することにより得られた塗布
液（特開平１１−３４０２１９、同１１−３４０２２
０）が提案されているが、これらの方法で得られる材料
は、反応の生成物の性質が安定せず、低比誘電率が得ら
れ難く、銅拡散防止膜であるバリアメタルとの密着性に
劣るなど、工業的生産には不向きであった。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
を解決するための絶縁膜形成用組成物に関し、さらに詳
しくは、半導体素子などにおける層間絶縁膜として、低
比誘電率の塗膜が得られ、かつ銅拡散防止膜であるバリ
アメタルとの密着性に優れる絶縁膜形成用組成物および
該組成物から得られるシリカ系絶縁膜を提供することを
目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、 Ａ）下記一般式（１）で表される化合物、下記一般式
（２）で表される化合物および下記一般式（３）で表さ
れる化合物からなる群から選ばれた少なくとも１種の化
合物を加水分解、縮合して得られる加水分解縮合物なら
びに（Ｂ）有機溶媒ならびに（Ｃ）チタンアルコキシド
化合物、ジルコニウムアルコキシド化合物、アルミニウ
ムアルコキシド化合物、タンタルアルコキシド化合物、
ボロンアルコキシド化合物、チタンキレート化合物、ジ
ルコニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合
物、タンタルキレート化合物、ボロンキレート化合物の
群から選ばれる少なくとも１種の化合物を加水分解、縮
合して得られる加水分解縮合物を含有することを特徴と
する絶縁膜形成用組成物。 Ｒ_a Ｓｉ（ＯＲ²）_4-a ・・・・・（１） （式中、Ｒは水素原子、フッ素原子または１価の有機
基、Ｒ²は１価の有機基、ａは１〜２の整数を示す。） Ｓｉ（ＯＲ³）₄ ・・・・・（２） （式中、Ｒ³は１価の有機基を示す。） Ｒ⁴ _b （Ｒ⁵Ｏ）_3-b Ｓｉ−（Ｒ⁸）_d −Ｓｉ（ＯＲ⁶）_3-c Ｒ⁷ _c ・・・・・（３） 〔式中、Ｒ⁴〜Ｒ⁷は同一または異なり、それぞれ１価の
有機基、ｂ〜ｃは同一または異なり、０〜２の整数、Ｒ
⁸は酸素原子、フェニレン基または−（ＣＨ₂ ）_n−で表
される基（ここで、ｎは１〜６の整数である）、ｄは０
または１を示す。〕次に、本発明は、上記絶縁膜形成用
組成物を基板に塗布し、加熱することを特徴とする絶縁
膜の形成方法に関する。次に、本発明は、上記絶縁膜の
形成方法によって得られるシリカ系絶縁膜に関する。

【０００６】

【発明の実施の形態】本発明において、（Ａ）成分の加
水分解縮合物とは、上記化合物（１）〜（３）の群から
選ばれた少なくとも１種の加水分解物および縮合物もし
くはいずれか一方である。ここで、（Ａ）成分における
加水分解物とは、上記（Ａ）成分の加水分解縮合物を構
成する化合物（１）〜（３）に含まれるＲ² Ｏ−基，Ｒ
³ Ｏ−基，Ｒ⁵ Ｏ−基およびＲ⁶ Ｏ−基のすべてが加水
分解されている必要はなく、例えば、１個だけが加水分
解されているもの、２個以上が加水分解されているも
の、あるいは、これらの混合物であってもよい。また、
（Ａ）成分における縮合物は、（Ａ）成分を構成する化
合物（１）〜（３）の加水分解物のシラノール基が縮合
してＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を形成したものであるが、本発
明では、シラノール基がすべて縮合している必要はな
く、僅かな一部のシラノール基が縮合したもの、縮合の
程度が異なっているものの混合物などをも包含した概念
である。

【０００７】（Ａ）成分

【０００８】化合物（１）；上記一般式（１）におい
て、ＲおよびＲ² の１価の有機基としては、アルキル
基、アリール基、アリル基、グリシジル基などを挙げる
ことができる。また、一般式（１）において、Ｒは１価
の有機基、特にアルキル基またはフェニル基であること
が好ましい。ここで、アルキル基としては、メチル基、
エチル基、プロピル基、ブチル基などが挙げられ、好ま
しくは炭素数１〜５であり、これらのアルキル基は鎖状
でも、分岐していてもよく、さらに水素原子がフッ素原
子などに置換されていてもよい。一般式（１）におい
て、アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、メ
チルフェニル基、エチルフェニル基、クロロフェニル
基、ブロモフェニル基、フルオロフェニル基などを挙げ
ることができる。

【０００９】一般式（１）で表される化合物の具体例と
しては、フルオロトリメトキシシラン、フルオロトリエ
トキシシラン、フルオロトリ−ｎ−プロポキシシラン、
フルオロトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、フルオロト
リ−ｎ−ブトキシシラン、フルオロトリ−ｓｅｃ−ブト
キシシラン、フルオロトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラ
ン、フルオロトリフェノキシシランなど；メチルトリメ
トキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ
−ｎ−プロポキシシラン、メチルトリ−ｉｓｏ−プロポ
キシシラン、メチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、メチル
トリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、メチルトリ−ｔｅｒｔ
−ブトキシシラン、メチルトリフェノキシシラン、エチ
ルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エ
チルトリ−ｎ−プロポキシシラン、エチルトリ−ｉｓｏ
−プロポキシシラン、エチルトリ−ｎ−ブトキシシラ
ン、エチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、エチルトリ
−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、エチルトリフェノキシシ
ラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシ
シラン、ビニルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ビニルト
リ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ビニルトリ−ｎ−ブト
キシシラン、ビニルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ビ
ニルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ビニルトリフェ
ノキシシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、ｎ−
プロピルトリエトキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｎ−
プロポキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｉｓｏ−プロポ
キシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｎ−ブトキシシラン、
ｎ−プロピルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｎ−プロ
ピルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｎ−プロピルト
リフェノキシシラン、ｉ−プロピルトリメトキシシラ
ン、ｉ−プロピルトリエトキシシラン、ｉ−プロピルト
リ−ｎ−プロポキシシラン、ｉ−プロピルトリ−ｉｓｏ
−プロポキシシラン、ｉ−プロピルトリ−ｎ−ブトキシ
シラン、ｉ−プロピルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、
ｉ−プロピルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｉ−プ
ロピルトリフェノキシシラン、ｎ−ブチルトリメトキシ
シラン、ｎ−ブチルトリエトキシシラン、ｎ−ブチルト
リ−ｎ−プロポキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｉｓｏ−
プロポキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｎ−ブトキシシラ
ン、ｎ−ブチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｎ−ブ
チルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｎ−ブチルトリ
フェノキシシラン、ｓｅｃ−ブチルトリメトキシシラ
ン、ｓｅｃ−ブチルトリエトキシシラン、ｓｅｃ−ブチ
ル−トリ−ｎ−プロポキシシラン、ｓｅｃ−ブチル−ト
リ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｓｅｃ−ブチル−トリ
−ｎ−ブトキシシラン、ｓｅｃ−ブチル−トリ−ｓｅｃ
−ブトキシシラン、ｓｅｃ−ブチル−トリ−ｔｅｒｔ−
ブトキシシラン、ｓｅｃ−ブチル−トリフェノキシシラ
ン、ｔ−ブチルトリメトキシシラン、ｔ−ブチルトリエ
トキシシラン、ｔ−ブチルトリ−ｎ−プロポキシシラ
ン、ｔ−ブチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｔ−
ブチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｔ−ブチルトリ−ｓ
ｅｃ−ブトキシシラン、ｔ−ブチルトリ−ｔｅｒｔ−ブ
トキシシラン、ｔ−ブチルトリフェノキシシラン、フェ
ニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラ
ン、フェニルトリ−ｎ−プロポキシシラン、フェニルト
リ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、フェニルトリ−ｎ−ブ
トキシシラン、フェニルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラ
ン、フェニルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、フェニ
ルトリフェノキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、
ビニルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメ
トキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラ
ン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ
−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−トリ
フロロプロピルトリメトキシシラン、γ−トリフロロプ
ロピルトリエトキシシランなど；

【００１０】ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエ
トキシシラン、ジメチル−ジ−ｎ−プロポキシシラン、
ジメチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジメチル−
ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジメチル−ジ−ｓｅｃ−ブト
キシシラン、ジメチル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラ
ン、ジメチルジフェノキシシラン、ジエチルジメトキシ
シラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチル−ジ−ｎ
−プロポキシシラン、ジエチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキ
シシラン、ジエチル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジエチ
ル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジエチル−ジ−ｔｅ
ｒｔ−ブトキシシラン、ジエチルジフェノキシシラン、
ジ−ｎ−プロピルジメトキシシラン、ジ−ｎ−プロピル
ジエトキシシラン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｎ−プロポ
キシシラン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｉｓｏ−プロポキ
シシラン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｎ−ブトキシシラ
ン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、
ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ
−ｎ−プロピル−ジ−フェノキシシラン、ジ−ｉｓｏ−
プロピルジメトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピルジエ
トキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｎ−プロポ
キシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｉｓｏ−プロ
ポキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｎ−ブトキ
シシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｓｅｃ−ブトキ
シシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｔｅｒｔ−ブト
キシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−フェノキシシ
ラン、ジ−ｎ−ブチルジメトキシシラン、ジ−ｎ−ブチ
ルジエトキシシラン、ジ−ｎ−ブチル−ジ−ｎ−プロポ
キシシラン、ジ−ｎ−ブチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシ
シラン、ジ−ｎ−ブチル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ
−ｎ−ブチル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−
ブチル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−ブチ
ル−ジ−フェノキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジメト
キシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジエトキシシラン、ジ
−ｓｅｃ−ブチル−ジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｓ
ｅｃ−ブチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｓ
ｅｃ−ブチル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−
ブチル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブ
チル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブ
チル−ジ−フェノキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジ
メトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジエトキシシラ
ン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｎ−プロポキシシラ
ン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシ
ラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｎ−ブトキシシラ
ン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラ
ン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシ
ラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−フェノキシシラン、
ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニル−ジ−エトキ
シシラン、ジフェニル−ジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ
フェニル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジフェニル
−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジフェニル−ジ−ｓｅｃ−
ブトキシシラン、ジフェニル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシ
シラン、ジフェニルジフェノキシシラン、ジビニルトリ
メトキシシランなど；を挙げることができる。

【００１１】化合物（１）として好ましい化合物は、メ
チルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、
メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、メチルトリ−ｉｓ
ｏ−プロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エ
チルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、
ビニルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラ
ン、フェニルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシ
シラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキ
シシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジフェニルジメ
トキシシラン、ジフェニルジエトキシシランなどであ
る。これらは、１種あるいは２種以上を同時に使用して
もよい。

【００１２】化合物（２）；上記一般式（１）におい
て、Ｒ³ で表される１価の有機基としては、先の一般式
（１）と同様な有機基を挙げることができる。一般式
（２）で表される化合物の具体例としては、テトラメト
キシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−ｎ−プロ
ポキシシラン、テトラ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、テ
トラ−ｎ−ブトキシラン、テトラ−ｓｅｃ−ブトキシシ
ラン、テトラ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、テトラフェ
ノキシシランなどが挙げられる。

【００１３】化合物（３）；上記一般式（３）におい
て、Ｒ⁴ 〜Ｒ⁷ で表される１価の有機基としては、先の
一般式（２）と同様な有機基を挙げることができる。一
般式（３）のうち、Ｒ⁸ が酸素原子の化合物としては、
ヘキサメトキシジシロキサン、ヘキサエトキシジシロキ
サン、ヘキサフェノキシジシロキサン、１，１，１，
３，３−ペンタメトキシ−３−メチルジシロキサン、
１，１，１，３，３−ペンタエトキシ−３−メチルジシ
ロキサン、１，１，１，３，３−ペンタフェノキシ−３
−メチルジシロキサン、１，１，１，３，３−ペンタメ
トキシ−３−エチルジシロキサン、１，１，１，３，３
−ペンタエトキシ−３−エチルジシロキサン、１，１，
１，３，３−ペンタフェノキシ−３−エチルジシロキサ
ン、１，１，１，３，３−ペンタメトキシ−３−フェニ
ルジシロキサン、１，１，１，３，３−ペンタエトキシ
−３−フェニルジシロキサン、１，１，１，３，３−ペ
ンタフェノキシ−３−フェニルジシロキサン、１，１，
３，３−テトラメトキシ−１，３−ジメチルジシロキサ
ン、１，１，３，３−テトラエトキシ−１，３−ジメチ
ルジシロキサン、１，１，３，３−テトラフェノキシ−
１，３−ジメチルジシロキサン、１，１，３，３−テト
ラメトキシ−１，３−ジエチルジシロキサン、１，１，
３，３−テトラエトキシ−１，３−ジエチルジシロキサ
ン、１，１，３，３−テトラフェノキシ−１，３−ジエ
チルジシロキサン、１，１，３，３−テトラメトキシ−
１，３−ジフェニルジシロキサン、１，１，３，３−テ
トラエトキシ−１，３−ジフェニルジシロキサン、１，
１，３，３−テトラフェノキシ−１，３−ジフェニルジ
シロキサン、１，１，３−トリメトキシ−１，３，３−
トリメチルジシロキサン、１，１，３−トリエトキシ−
１，３，３−トリメチルジシロキサン、１，１，３−ト
リフェノキシ−１，３，３−トリメチルジシロキサン、
１，１，３−トリメトキシ−１，３，３−トリエチルジ
シロキサン、、１，１，３−トリエトキシ−１，３，３
−トリエチルジシロキサン、、１，１，３−トリフェノ
キシ−１，３，３−トリエチルジシロキサン、、１，
１，３−トリメトキシ−１，３，３−トリフェニルジシ
ロキサン、１，１，３−トリエトキシ−１，３，３−ト
リフェニルジシロキサン、１，１，３−トリフェノキシ
−１，３，３−トリフェニルジシロキサン、１，３−ジ
メトキシ−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサ
ン、１，３−ジエトキシ−１，１，３，３−テトラメチ
ルジシロキサン、１，３−ジフェノキシ−１，１，３，
３−テトラメチルジシロキサン、１，３−ジメトキシ−
１，１，３，３−テトラエチルジシロキサン、１，３−
ジエトキシ−１，１，３，３−テトラエチルジシロキサ
ン、１，３−ジフェノキシ−１，１，３，３−テトラエ
チルジシロキサン、１，３−ジメトキシ−１，１，３，
３−テトラフェニルジシロキサン、１，３−ジエトキシ
−１，１，３，３−テトラフェニルジシロキサン、１，
３−ジフェノキシ−１，１，３，３−テトラフェニルジ
シロキサンなどを挙げることができる。

【００１４】これらのうち、ヘキサメトキシジシロキサ
ン、ヘキサエトキシジシロキサン、１，１，３，３−テ
トラメトキシ−１，３−ジメチルジシロキサン、１，
１，３，３−テトラエトキシ−１，３−ジメチルジシロ
キサン、１，１，３，３−テトラメトキシ−１，３−ジ
フェニルジシロキサン、１，３−ジメトキシ−１，１，
３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３−ジエトキ
シ−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，
３−ジメトキシ−１，１，３，３−テトラフェニルジシ
ロキサン、１，３−ジエトキシ−１，１，３，３−テト
ラフェニルジシロキサンなどを、好ましい例として挙げ
ることができる。

【００１５】また、一般式（３）において、ｄが０の化
合物としては、ヘキサメトキシジシラン、ヘキサエトキ
シジシラン、ヘキサフェノキシジシラン、１，１，１，
２，２−ペンタメトキシ−２−メチルジシラン、１，
１，１，２，２−ペンタエトキシ−２−メチルジシラ
ン、１，１，１，２，２−ペンタフェノキシ−２−メチ
ルジシラン、１，１，１，２，２−ペンタメトキシ−２
−エチルジシラン、１，１，１，２，２−ペンタエトキ
シ−２−エチルジシラン、１，１，１，２，２−ペンタ
フェノキシ−２−エチルジシラン、１，１，１，２，２
−ペンタメトキシ−２−フェニルジシラン、１，１，
１，２，２−ペンタエトキシ−２−フェニルジシラン、
１，１，１，２，２−ペンタフェノキシ−２−フェニル
ジシラン、１，１，２，２−テトラメトキシ−１，２−
ジメチルジシラン、１，１，２，２−テトラエトキシ−
１，２−ジメチルジシラン、１，１，２，２−テトラフ
ェノキシ−１，２−ジメチルジシラン、１，１，２，２
−テトラメトキシ−１，２−ジエチルジシラン、１，
１，２，２−テトラエトキシ−１，２−ジエチルジシラ
ン、１，１，２，２−テトラフェノキシ−１，２−ジエ
チルジシラン、１，１，２，２−テトラメトキシ−１，
２−ジフェニルジシラン、１，１，２，２−テトラエト
キシ−１，２−ジフェニルジシラン、１，１，２，２−
テトラフェノキシ−１，２−ジフェニルジシラン、１，
１，２−トリメトキシ−１，２，２−トリメチルジシラ
ン、１，１，２−トリエトキシ−１，２，２−トリメチ
ルジシラン、１，１，２−トリフェノキシ−１，２，２
−トリメチルジシラン、１，１，２−トリメトキシ−
１，２，２−トリエチルジシラン、、１，１，２−トリ
エトキシ−１，２，２−トリエチルジシラン、、１，
１，２−トリフェノキシ−１，２，２−トリエチルジシ
ラン、、１，１，２−トリメトキシ−１，２，２−トリ
フェニルジシラン、１，１，２−トリエトキシ−１，
２，２−トリフェニルジシラン、、１，１，２−トリフ
ェノキシ−１，２，２−トリフェニルジシラン、１，２
−ジメトキシ−１，１，２，２−テトラメチルジシラ
ン、１，２−ジエトキシ−１，１，２，２−テトラメチ
ルジシラン、１，２−ジフェノキシ−１，１，２，２−
テトラメチルジシラン、１，２−ジメトキシ−１，１，
２，２−テトラエチルジシラン、１，２−ジエトキシ−
１，１，２，２−テトラエチルジシラン、１，２−ジフ
ェノキシ−１，１，２，２−テトラエチルジシラン、
１，２−ジメトキシ−１，１，２，２−テトラフェニル
ジシラン、１，２−ジエトキシ−１，１，２，２−テト
ラフェニルジシラン、１，２−ジフェノキシ−１，１，
２，２−テトラフェニルジシランなどを挙げることがで
きる。

【００１６】これらのうち、ヘキサメトキシジシラン、
ヘキサエトキシジシラン、１，１，２，２−テトラメト
キシ−１，２−ジメチルジシラン、１，１，２，２−テ
トラエトキシ−１，２−ジメチルジシラン、１，１，
２，２−テトラメトキシ−１，２−ジフェニルジシラ
ン、１，２−ジメトキシ−１，１，２，２−テトラメチ
ルジシラン、１，２−ジエトキシ−１，１，２，２−テ
トラメチルジシラン、１，２−ジメトキシ−１，１，
２，２−テトラフェニルジシラン、１，２−ジエトキシ
−１，１，２，２−テトラフェニルジシランなどを、好
ましい例として挙げることができる。

【００１７】さらに、一般式（３）において、Ｒ⁸ が−
（ＣＨ₂ ）_n −で表される基の化合物としては、ビス
（トリメトキシシリル）メタン、ビス（トリエトキシシ
リル）メタン、ビス（トリ−ｎ−プロポキシシリル）メ
タン、ビス（トリ−ｉ−プロポキシシリル）メタン、ビ
ス（トリ−ｎ−ブトキシシリル）メタン、ビス（トリ−
ｓｅｃ−ブトキシシリル）メタン、ビス（トリ−ｔ−ブ
トキシシリル）メタン、１，２−ビス（トリメトキシシ
リル）エタン、１，２−ビス（トリエトキシシリル）エ
タン、１，２−ビス（トリ−ｎ−プロポキシシリル）エ
タン、１，２−ビス（トリ−ｉ−プロポキシシリル）エ
タン、１，２−ビス（トリ−ｎ−ブトキシシリル）エタ
ン、１，２−ビス（トリ−ｓｅｃ−ブトキシシリル）エ
タン、１，２−ビス（トリ−ｔ−ブトキシシリル）エタ
ン、１−（ジメトキシメチルシリル）−１−（トリメト
キシシリル）メタン、１−（ジエトキシメチルシリル）
−１−（トリエトキシシリル）メタン、１−（ジ−ｎ−
プロポキシメチルシリル）−１−（トリ−ｎ−プロポキ
シシリル）メタン、１−（ジ−ｉ−プロポキシメチルシ
リル）−１−（トリ−ｉ−プロポキシシリル）メタン、
１−（ジ−ｎ−ブトキシメチルシリル）−１−（トリ−
ｎ−ブトキシシリル）メタン、１−（ジ−ｓｅｃ−ブト
キシメチルシリル）−１−（トリ−ｓｅｃ−ブトキシシ
リル）メタン、１−（ジ−ｔ−ブトキシメチルシリル）
−１−（トリ−ｔ−ブトキシシリル）メタン、１−（ジ
メトキシメチルシリル）−２−（トリメトキシシリル）
エタン、１−（ジエトキシメチルシリル）−２−（トリ
エトキシシリル）エタン、１−（ジ−ｎ−プロポキシメ
チルシリル）−２−（トリ−ｎ−プロポキシシリル）エ
タン、１−（ジ−ｉ−プロポキシメチルシリル）−２−
（トリ−ｉ−プロポキシシリル）エタン、１−（ジ−ｎ
−ブトキシメチルシリル）−２−（トリ−ｎ−ブトキシ
シリル）エタン、１−（ジ−ｓｅｃ−ブトキシメチルシ
リル）−２−（トリ−ｓｅｃ−ブトキシシリル）エタ
ン、１−（ジ−ｔ−ブトキシメチルシリル）−２−（ト
リ−ｔ−ブトキシシリル）エタン、ビス（ジメトキシメ
チルシリル）メタン、ビス（ジエトキシメチルシリル）
メタン、ビス（ジ−ｎ−プロポキシメチルシリル）メタ
ン、ビス（ジ−ｉ−プロポキシメチルシリル）メタン、
ビス（ジ−ｎ−ブトキシメチルシリル）メタン、ビス
（ジ−ｓｅｃ−ブトキシメチルシリル）メタン、ビス
（ジ−ｔ−ブトキシメチルシリル）メタン、１，２−ビ
ス（ジメトキシメチルシリル）エタン、１，２−ビス
（ジエトキシメチルシリル）エタン、１，２−ビス（ジ
−ｎ−プロポキシメチルシリル）エタン、１，２−ビス
（ジ−ｉ−プロポキシメチルシリル）エタン、１，２−
ビス（ジ−ｎ−ブトキシメチルシリル）エタン、１，２
−ビス（ジ−ｓｅｃ−ブトキシメチルシリル）エタン、
１，２−ビス（ジ−ｔ−ブトキシメチルシリル）エタ
ン、１，２−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、
１，２−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼン、１，２
−ビス（トリ−ｎ−プロポキシシリル）ベンゼン、１，
２−ビス（トリ−ｉ−プロポキシシリル）ベンゼン、
１，２−ビス（トリ−ｎ−ブトキシシリル）ベンゼン、
１，２−ビス（トリ−ｓｅｃ−ブトキシシリル）ベンゼ
ン、１，２−ビス（トリ-t- ブトキシシリル）ベンゼ
ン、１，３−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、
１，３−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼン、１，３
−ビス（トリ−ｎ−プロポキシシリル）ベンゼン、１，
３−ビス（トリ−ｉ−プロポキシシリル）ベンゼン、
１，３−ビス（トリ−ｎ−ブトキシシリル）ベンゼン、
１，３−ビス（トリ−ｓｅｃ−ブトキシシリル）ベンゼ
ン、１，３−ビス（トリ−ｔ−ブトキシシリル）ベンゼ
ン、１，４−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、
１，４−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼン、１，４
−ビス（トリ−ｎ−プロポキシシリル）ベンゼン、１，
４−ビス（トリ−ｉ−プロポキシシリル）ベンゼン、
１，４−ビス（トリ−ｎ−ブトキシシリル）ベンゼン、
１，４−ビス（トリ−ｓｅｃ−ブトキシシリル）ベンゼ
ン、１，４−ビス（トリ−ｔ−ブトキシシリル）ベンゼ
ンなど挙げることができる。

【００１８】これらのうち、ビス（トリメトキシシリ
ル）メタン、ビス（トリエトキシシリル）メタン、１，
２−ビス（トリメトキシシリル）エタン、１，２−ビス
（トリエトキシシリル）エタン、１−（ジメトキシメチ
ルシリル）−１−（トリメトキシシリル）メタン、１−
（ジエトキシメチルシリル）−１−（トリエトキシシリ
ル）メタン、１−（ジメトキシメチルシリル）−２−
（トリメトキシシリル）エタン、１−（ジエトキシメチ
ルシリル）−２−（トリエトキシシリル）エタン、ビス
（ジメトキシメチルシリル）メタン、ビス（ジエトキシ
メチルシリル）メタン、１，２−ビス（ジメトキシメチ
ルシリル）エタン、１，２−ビス（ジエトキシメチルシ
リル）エタン、１，２−ビス（トリメトキシシリル）ベ
ンゼン、１，２−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼ
ン、１，３−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、
１，３−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼン、１，４
−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス
（トリエトキシシリル）ベンゼンなどを好ましい例とし
て挙げることができる。本発明において、（Ａ）成分を
構成する化合物（１）〜（３）としては、上記化合物
（１）、（２）および（３）の１種もしくは２種以上を
用いることができる。

【００１９】なお、上記（Ａ）成分を構成する化合物
（１）〜（３）の群から選ばれた少なくとも１種のシラ
ン化合物を加水分解、縮合させる際に、化合物（１）〜
（３）１モル当たり０．５モルを越え１５０モル以下の
水を用いることが好ましく、０．５モルを越え１３０モ
ルの水を加えることが特に好ましい。添加する水の量が
０．５モル以下であると塗膜の耐クラック性が劣る場合
があり、１５０モルを越えると加水分解および縮合反応
中のポリマーの析出やゲル化が生じる場合がある。

【００２０】本発明の（Ａ）の加水分解縮合物を製造す
るに際しては、上記化合物（１）〜（３）の群から選ば
れた少なくとも１種のシラン化合物を加水分解、縮合さ
せる際に、触媒を用いることが特徴である。この際に用
いることの出来る触媒としては、金属キレート化合物、
酸触媒、アルカリ触媒が挙げられる。金属キレート化合
物としては、例えば、トリエトキシ・モノ（アセチルア
セトナート）チタン、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（ア
セチルアセトナート）チタン、トリ−ｉ−プロポキシ・
モノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｎ−ブト
キシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｓ
ｅｃ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタ
ン、トリ−ｔ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナー
ト）チタン、ジエトキシ・ビス（アセチルアセトナー
ト）チタン、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス（アセチルアセ
トナート）チタン、ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（アセチ
ルアセトナート）チタン、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（ア
セチルアセトナート）チタン、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・
ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｔ−ブトキ
シ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、モノエトキ
シ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−ｎ
−プロポキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタ
ン、モノ−ｉ−プロポキシ・トリス（アセチルアセトナ
ート）チタン、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（アセチル
アセトナート）チタン、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリ
ス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−ｔ−ブトキ
シ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、テトラキ
ス（アセチルアセトナート）チタン、トリエトキシ・モ
ノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｎ−プロ
ポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ
−ｉ−プロポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チ
タン、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテ
ート）チタン、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（エチル
アセトアセテート）チタン、トリ−ｔ−ブトキシ・モノ
（エチルアセトアセテート）チタン、ジエトキシ・ビス
（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−ｎ−プロポキ
シ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−ｉ−
プロポキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、
ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チ
タン、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセ
テート）チタン、ジ−ｔ−ブトキシ・ビス（エチルアセ
トアセテート）チタン、モノエトキシ・トリス（エチル
アセトアセテート）チタン、モノ−ｎ−プロポキシ・ト
リス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−ｉ−プ
ロポキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、
モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテー
ト）チタン、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（エチル
アセトアセテート）チタン、モノ−ｔ−ブトキシ・トリ
ス（エチルアセトアセテート）チタン、テトラキス（エ
チルアセトアセテート）チタン、モノ（アセチルアセト
ナート）トリス（エチルアセトアセテート）チタン、ビ
ス（アセチルアセトナート）ビス（エチルアセトアセテ
ート）チタン、トリス（アセチルアセトナート）モノ
（エチルアセトアセテート）チタンなどのチタンキレー
ト化合物；トリエトキシ・モノ（アセチルアセトナー
ト）ジルコニウム、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（アセ
チルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｉ−プロポキ
シ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ
−ｎ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコ
ニウム、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（アセチルアセ
トナート）ジルコニウム、トリ−ｔ−ブトキシ・モノ
（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジエトキシ・
ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｎ−
プロポキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウ
ム、ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナー
ト）ジルコニウム、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（アセチル
アセトナート）ジルコニウム、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・
ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｔ−
ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウ
ム、モノエトキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジ
ルコニウム、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（アセチル
アセトナート）ジルコニウム、モノ−ｉ−プロポキシ・
トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−
ｎ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコ
ニウム、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（アセチルア
セトナート）ジルコニウム、モノ−ｔ−ブトキシ・トリ
ス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、テトラキス
（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリエトキシ
・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ
−ｎ−プロポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジ
ルコニウム、トリ−ｉ−プロポキシ・モノ（エチルアセ
トアセテート）ジルコニウム、トリ−ｎ−ブトキシ・モ
ノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ−ｓ
ｅｃ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジル
コニウム、トリ−ｔ−ブトキシ・モノ（エチルアセトア
セテート）ジルコニウム、ジエトキシ・ビス（エチルア
セトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｎ−プロポキシ・
ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｉ
−プロポキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコ
ニウム、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテ
ート）ジルコニウム、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（エ
チルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｔ−ブトキ
シ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モ
ノエトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコ
ニウム、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（エチルアセト
アセテート）ジルコニウム、モノ−ｉ−プロポキシ・ト
リス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ−
ｎ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジル
コニウム、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（エチルア
セトアセテート）ジルコニウム、モノ−ｔ−ブトキシ・
トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、テト
ラキス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ
（アセチルアセトナート）トリス（エチルアセトアセテ
ート）ジルコニウム、ビス（アセチルアセトナート）ビ
ス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリス
（アセチルアセトナート）モノ（エチルアセトアセテー
ト）ジルコニウムなどのジルコニウムキレート化合物；
トリス（アセチルアセトナート）アルミニウム、トリス
（エチルアセトアセテート）アルミニウムなどのアルミ
ニウムキレート化合物；などを挙げることができ、好ま
しくはチタンおよび／またはアルミのキレート化合物。
特に好ましくはチタンのキレート化合物を挙げることが
できる。これらの金属キレート化合物は、１種あるいは
２種以上を同時に使用しても良い。

【００２１】酸触媒としては、例えば、塩酸、硝酸、硫
酸、フッ酸、リン酸、ホウ酸、シュウ酸などの無機酸；
酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキサン
酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、シ
ュウ酸、マレイン酸、メチルマロン酸、アジピン酸、セ
バシン酸、没食子酸、酪酸、メリット酸、アラキドン
酸、シキミ酸、２−エチルヘキサン酸、オレイン酸、ス
テアリン酸、リノール酸、リノレイン酸、サリチル酸、
安息香酸、ｐ−アミノ安息香酸、ｐ−トルエンスルホン
酸、ベンゼンスルホン酸、モノクロロ酢酸、ジクロロ酢
酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、ギ酸、マロン
酸、スルホン酸、フタル酸、フマル酸、クエン酸、酒石
酸、コハク酸、イタコン酸、メサコン酸、シトラコン
酸、リンゴ酸、グルタル酸の加水分解物、無水マレイン
酸の加水分解物、無水フタル酸の加水分解物などの有機
酸を挙げることができ、有機酸をより好ましい例として
挙げることができる。これら化合物は、１種あるいは２
種以上を同時に使用してもよい。

【００２２】アルカリ触媒としては、例えば、水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、ピリジ
ン、ピロール、ピペラジン、ピロリジン、ピペリジン、
ピコリン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミ
ン、ジメチルモノエタノールアミン、モノメチルジエタ
ノールアミン、トリエタノールアミン、ジアザビシクロ
オクタン、ジアザビシクロノナン、ジアザビシクロウン
デセン、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ド、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイド、テ
トラプロピルアンモニウムハイドロオキサイド、テトラ
ブチルアンモニウムハイドロオキサイド、アンモニア、
メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチル
アミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、ペンチルア
ミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミン、
Ｎ，Ｎ−ジプロピルアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルアミン、
トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルア
ミン、トリブチルアミン、シクロヘキシルアミン、トリ
メチルイミジン、１−アミノ−３−メチルブタン、ジメ
チルグリシンなどを挙げることができ、より好ましくは
有機アミンであり、アンモニア、アルキルアミンおよび
テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドがシリカ
系絶縁膜の基板への密着性の点から特に好ましい。これ
らのアルカリ触媒は１種あるいは２種以上を同時に使用
しても良い。

【００２３】上記触媒の使用量は、化合物（１）〜
（３）中のＲ² Ｏ−基，Ｒ³ Ｏ−基，Ｒ ⁵ Ｏ−基および
Ｒ⁶ Ｏ−基で表される基の総量１モルに対して、通常、
０．００００１〜１０モル、好ましくは０．００００５
〜５モルである。触媒の使用量が上記範囲内であれば、
反応中のポリマーの析出やゲル化の恐れが少ない。

【００２４】本発明において（Ａ）成分中、各成分を完
全加水分解縮合物に換算したときに、化合物（２）は、
化合物（１）〜（３）の総量中、５〜７５重量％、好ま
しくは１０〜７０重量％、さらに好ましくは１５〜７０
重量％である。また、化合物（１）および／または
（３）は、化合物（１）〜（３）の総量中、９５〜２５
重量％、好ましくは９０〜３０重量％、さらに好ましく
は８５〜３０重量％である。化合物（２）が、化合物
（１）〜（３）の総量中、５〜７５重量％であること
が、得られる塗膜の弾性率が高く、かつ低誘電性に特に
優れる。ここで、本発明において、完全加水分解縮合物
とは、化合物（１）〜（３）中のＲ² Ｏ−基，Ｒ³ Ｏ−
基，Ｒ⁵ Ｏ−基およびＲ⁶ Ｏ−基が１００％加水分解し
てＳｉＯＨ基となり、さらに完全に縮合してシロキサン
構造となったものをいう。また、（Ａ）成分としては、
得られる組成物の貯蔵安定性がより優れるので、化合物
（１）および化合物（２）の加水分解縮合物であること
が好ましい。

【００２５】（Ｂ）有機溶媒 本発明の絶縁膜形成用組成物は、（Ａ）成分と（Ｃ）成
分を、通常、（Ｂ）有機溶媒に溶解または分散してな
る。この（Ｂ）有機溶媒としては、アルコール系溶媒、
ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エステル系溶媒および非
プロトン系溶媒の群から選ばれた少なくとも１種が挙げ
られる。ここで、アルコール系溶媒としては、メタノー
ル、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパノー
ル、ｎ−ブタノール、ｉ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノ
ール、ｔ−ブタノール、ｎ−ペンタノール、ｉ−ペンタ
ノール、２−メチルブタノール、ｓｅｃ−ペンタノー
ル、ｔ−ペンタノール、３−メトキシブタノール、ｎ−
ヘキサノール、２−メチルペンタノール、ｓｅｃ−ヘキ
サノール、２−エチルブタノール、ｓｅｃ−ヘプタノー
ル、ヘプタノール−３、ｎ−オクタノール、２−エチル
ヘキサノール、ｓｅｃ−オクタノール、ｎ−ノニルアル
コール、２，６−ジメチルヘプタノール−４、ｎ−デカ
ノール、ｓｅｃ−ウンデシルアルコール、トリメチルノ
ニルアルコール、ｓｅｃ−テトラデシルアルコール、ｓ
ｅｃ−ヘプタデシルアルコール、フェノール、シクロヘ
キサノール、メチルシクロヘキサノール、３，３，５−
トリメチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、
ジアセトンアルコールなどのモノアルコール系溶媒；

【００２６】エチレングリコール、１，２−プロピレン
グリコール、１，３−ブチレングリコール、ペンタンジ
オール−２，４、２−メチルペンタンジオール−２，
４、ヘキサンジオール−２，５、ヘプタンジオール−
２，４、２−エチルヘキサンジオール−１，３、ジエチ
レングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレ
ングリコール、トリプロピレングリコールなどの多価ア
ルコール系溶媒；エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレン
グリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコール
モノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシル
エーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、
エチレングリコールモノ−２−エチルブチルエーテル、
ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレン
グリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコール
モノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチ
ルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテ
ル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピ
レングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコ
ールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノ
ブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエ
ーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、
ジプロピレングリコールモノプロピルエーテルなどの多
価アルコール部分エーテル系溶媒；などを挙げることが
できる。これらのアルコール系溶媒は、１種あるいは２
種以上を同時に使用してもよい。

【００２７】ケトン系溶媒としては、アセトン、メチル
エチルケトン、メチル−ｎ−プロピルケトン、メチル−
ｎ−ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル−ｉ−ブチ
ルケトン、メチル−ｎ−ペンチルケトン、エチル−ｎ−
ブチルケトン、メチル−ｎ−ヘキシルケトン、ジ−ｉ−
ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロヘキサノ
ン、２−ヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、２，４
−ペンタンジオン、アセトニルアセトン、アセトフェノ
ン、フェンチョンなどのほか、アセチルアセトン、２，
４−ヘキサンジオン、２，４−ヘプタンジオン、３，５
−ヘプタンジオン、２，４−オクタンジオン、３，５−
オクタンジオン、２，４−ノナンジオン、３，５−ノナ
ンジオン、５−メチル−２，４−ヘキサンジオン、２，
２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン、
１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ヘ
プタンジオンなどのβ−ジケトン類などが挙げられる。
これらのケトン系溶媒は、１種あるいは２種以上を同時
に使用してもよい。

【００２８】アミド系溶媒としては、ホルムアミド、Ｎ
−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド、Ｎ−エチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルム
アミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，
Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−エチルアセトアミド、
Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチルプロピオン
アミド、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ−ホルミルモルホリ
ン、Ｎ−ホルミルピペリジン、Ｎ−ホルミルピロリジ
ン、Ｎ−アセチルモルホリン、Ｎ−アセチルピペリジ
ン、Ｎ−アセチルピロリジンなどが挙げられる。これら
アミド系溶媒は、１種あるいは２種以上を同時に使用し
てもよい。

【００２９】エステル系溶媒としては、ジエチルカーボ
ネート、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、炭酸ジエチ
ル、酢酸メチル、酢酸エチル、γ−ブチロラクトン、γ
−バレロラクトン、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｉ−プロピ
ル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−ブチル、酢酸ｓｅｃ−ブ
チル、酢酸ｎ−ペンチル、酢酸ｓｅｃ−ペンチル、酢酸
３−メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸２−エ
チルブチル、酢酸２−エチルヘキシル、酢酸ベンジル、
酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸
ｎ−ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢
酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレ
ングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリ
コールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコール
モノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ−
ｎ−ブチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメ
チルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエ
ーテル、酢酸プロピレングリコールモノプロピルエーテ
ル、酢酸プロピレングリコールモノブチルエーテル、酢
酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジ
プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリ
コール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エ
チル、プロピオン酸ｎ−ブチル、プロピオン酸ｉ−アミ
ル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ−ｎ−ブチル、乳酸
メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−ブチル、乳酸ｎ−アミ
ル、マロン酸ジエチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジ
エチルなどが挙げられる。これらエステル系溶媒は、１
種あるいは２種以上を同時に使用してもよい。非プロト
ン系溶媒としては、アセトニトリル、ジメチルスルホキ
シド、Ｎ，Ｎ，Ｎ´，Ｎ´−テトラエチルスルファミ
ド、ヘキサメチルリン酸トリアミド、Ｎ−メチルモルホ
ロン、Ｎ−メチルピロール、Ｎ−エチルピロール、Ｎ−
メチル−Δ3 −ピロリン、Ｎ−メチルピペリジン、Ｎ−
エチルピペリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルピペラジン、Ｎ−
メチルイミダゾール、Ｎ−メチル−４−ピペリドン、Ｎ
−メチル−２−ピペリドン、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，３
−ジメチルテトラヒドロ−２（１Ｈ）−ピリミジノンな
どを挙げることができる。

【００３０】これらの有機溶剤の中で、特に下記一般式
（５）で表される有機溶剤が特に好ましい。 Ｒ⁹Ｏ（Ｒ¹¹０）_eＲ¹⁰ ・・・・・（５） （Ｒ⁹およびＲ¹⁰は、それぞれ独立して水素原子、炭素
数１〜４のアルキル基またはＣＨ₃ＣＯ−から選ばれる
１価の有機基を示し、Ｒ¹¹はアルキレン基を示し、ｅは
１〜２の整数を表す。）以上の（Ｂ）有機溶媒は、１種
あるいは２種以上を混合して使用することができる。本
発明の絶縁膜形成用組成物は、（Ａ）成分を構成する化
合物（１）〜（３）を加水分解および／または縮合する
際に、同様の溶媒を使用することができる。

【００３１】具体的には、化合物（１）〜（３）を溶解
させた溶媒中に水または溶媒で希釈した水を断続的ある
いは連続的に添加する。この際、触媒は溶媒中に予め添
加しておいてもよいし、水添加時に水中に溶解あるいは
分散させておいてもよい。この際の反応温度としては、
通常、０〜１００℃、好ましくは１５〜９０℃である。

【００３２】（Ｃ）成分 本発明の絶縁膜形成用組成物には、チタンアルコキシド
化合物、ジルコニウムアルコキシド化合物、アルミニウ
ムアルコキシド化合物、タンタルアルコキシド化合物、
ボロンアルコキシド化合物、チタンキレート化合物、ジ
ルコニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合
物、タンタルキレート化合物、ボロンキレート化合物の
群から選ばれる少なくとも１種の化合物を加水分解、縮
合して得られる加水分解縮合物を含有することを特徴と
する。

【００３３】（Ｃ）成分を添加することで銅拡散防止膜
であるバリアメタルとの密着性に優れる絶縁膜形成用組
成物が得られる。この際のバリアメタルとしては、例え
ばＴａＮ、Ｔａ、ＴｉＮ、Ｔｉ、ＳｉＮ、ＴｉＴａＮな
どを挙げることが出来る。

【００３４】（Ｃ）成分の合成に使用する化合物として
は、例えばテトラエトキシチタン、テトラ−ｎ−プロポ
キシチタン、テトラ−ｉ−プロポキシチタン、テトラ−
ｎ−ブトキシチタン、テトラ−ｉ−ブトキシチタン、テ
トラ−ｓｅｃ−ブトキシチタン、テトラ−ｔ−ブトキシ
チタンなどのチタンアルコキシド、トリエトキシ・モノ
（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｎ−プロポキ
シ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｉ−
プロポキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、ト
リ−ｎ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタ
ン、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナ
ート）チタン、トリ−ｔ−ブトキシ・モノ（アセチルア
セトナート）チタン、ジエトキシ・ビス（アセチルアセ
トナート）チタン、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス（アセチ
ルアセトナート）チタン、ジ−ｉ−プロポキシ・ビス
（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｎ−ブトキシ・
ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｓｅｃ−ブ
トキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｔ
−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、モ
ノエトキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、
モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（アセチルアセトナー
ト）チタン、モノ−ｉ−プロポキシ・トリス（アセチル
アセトナート）チタン、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス
（アセチルアセトナート）チタン、モノ−ｓｅｃ−ブト
キシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−
ｔ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタ
ン、テトラキス（アセチルアセトナート）チタン、トリ
エトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、ト
リ−ｎ−プロポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）
チタン、トリ−ｉ−プロポキシ・モノ（エチルアセトア
セテート）チタン、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（エチル
アセトアセテート）チタン、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・
モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｔ−ブ
トキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、ジエ
トキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−
ｎ−プロポキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタ
ン、ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（エチルアセトアセテー
ト）チタン、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（エチルアセトア
セテート）チタン、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（エチ
ルアセトアセテート）チタン、ジ−ｔ−ブトキシ・ビス
（エチルアセトアセテート）チタン、モノエトキシ・ト
リス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−ｎ−プ
ロポキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、
モノ−ｉ−プロポキシ・トリス（エチルアセトアセテー
ト）チタン、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（エチルアセ
トアセテート）チタン、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリ
ス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−ｔ−ブト
キシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、テト
ラキス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ（アセ
チルアセトナート）トリス（エチルアセトアセテート）
チタン、ビス（アセチルアセトナート）ビス（エチルア
セトアセテート）チタン、トリス（アセチルアセトナー
ト）モノ（エチルアセトアセテート）チタンなどのチタ
ンキレート；テトラエトキシジルコニウム、テトラ−ｎ
−プロポキシジルコニウム、テトラ−ｉ−プロポキシジ
ルコニウム、テトラ−ｎ−ブトキシジルコニウム、テト
ラ−ｉ−ブトキシジルコニウム、テトラ−ｓｅｃ−ブト
キシジルコニウム、テトラ−ｔ−ブトキシジルコニウム
などのジルコニウムアルコキシド、トリエトキシ・モノ
（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｎ−プ
ロポキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウ
ム、トリ−ｉ−プロポキシ・モノ（アセチルアセトナー
ト）ジルコニウム、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（アセチ
ルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｓｅｃ−ブトキ
シ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ
−ｔ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコ
ニウム、ジエトキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジ
ルコニウム、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス（アセチルアセ
トナート）ジルコニウム、ジ−ｉ−プロポキシ・ビス
（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｎ−ブト
キシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ
−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジ
ルコニウム、ジ−ｔ−ブトキシ・ビス（アセチルアセト
ナート）ジルコニウム、モノエトキシ・トリス（アセチ
ルアセトナート）ジルコニウム、モノ−ｎ−プロポキシ
・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ
−ｉ−プロポキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジ
ルコニウム、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（アセチルア
セトナート）ジルコニウム、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・
トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−
ｔ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコ
ニウム、テトラキス（アセチルアセトナート）ジルコニ
ウム、トリエトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）
ジルコニウム、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（エチルア
セトアセテート）ジルコニウム、トリ−ｉ−プロポキシ
・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ
−ｎ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジル
コニウム、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（エチルアセ
トアセテート）ジルコニウム、トリ−ｔ−ブトキシ・モ
ノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジエトキ
シ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ
−ｎ−プロポキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジ
ルコニウム、ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（エチルアセト
アセテート）ジルコニウム、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス
（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｓｅｃ
−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニ
ウム、ジ−ｔ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテー
ト）ジルコニウム、モノエトキシ・トリス（エチルアセ
トアセテート）ジルコニウム、モノ−ｎ−プロポキシ・
トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ
−ｉ−プロポキシ・トリス（エチルアセトアセテート）
ジルコニウム、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（エチルア
セトアセテート）ジルコニウム、モノ−ｓｅｃ−ブトキ
シ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、
モノ−ｔ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテー
ト）ジルコニウム、テトラキス（エチルアセトアセテー
ト）ジルコニウム、モノ（アセチルアセトナート）トリ
ス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ビス（ア
セチルアセトナート）ビス（エチルアセトアセテート）
ジルコニウム、トリス（アセチルアセトナート）モノ
（エチルアセトアセテート）ジルコニウムなどのジルコ
ニウムキレート；トリエトキシアルミニウム、トリ−ｎ
−プロポキシアルミニウム、トリ−ｉ−プロポキシアル
ミニウム、トリ−ｎ−ブトキシアルミニウム、トリ−ｉ
−ブトキシアルミニウム、トリ−ｓｅｃ−ブトキシアル
ミニウム、トリ−ｔ−ブトキシアルミニウムなどのアル
ミニウムアルコキシド、ジエトキシ・モノ（アセチルア
セトナート）アルミニウム、ジ−ｎ−プロポキシ・モノ
（アセチルアセトナート）アルミニウム、ジ−ｉ−プロ
ポキシ・モノ（アセチルアセトナート）アルミニウム、
ジ−ｎ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）アル
ミニウム、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（アセチルアセ
トナート）アルミニウム、ジ−ｔ−ブトキシ・モノ（ア
セチルアセトナート）アルミニウム、エトキシ・ビス
（アセチルアセトナート）アルミニウム、ｎ−プロポキ
シ・ビス（アセチルアセトナート）アルミニウム、ｉ−
プロポキシ・ビス（アセチルアセトナート）アルミニウ
ム、ｎ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）アル
ミニウム、ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナ
ート）アルミニウム、ｔ−ブトキシ・ビス（アセチルア
セトナート）アルミニウム、ジエトキシ・モノ（エチル
アセトアセテート）アルミニウム、ジ−ｎ−プロポキシ
・モノ（エチルアセトアセテート）アルミニウム、ジ−
ｉ−プロポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）アル
ミニウム、ジ−ｎ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセ
テート）アルミニウム、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ
（エチルアセトアセテート）アルミニウム、ジ−ｔ−ブ
トキシ・モノ（エチルアセトアセテート）アルミニウ
ム、エトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）アルミ
ニウム、ｎ−プロポキシ・ビス（エチルアセトアセテー
ト）アルミニウム、ｉ−プロポキシ・ビス（エチルアセ
トアセテート）アルミニウム、ｎ−ブトキシ・ビス（エ
チルアセトアセテート）アルミニウム、ｓｅｃ−ブトキ
シ・ビス（エチルアセトアセテート）アルミニウム、ｔ
−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）アルミニ
ウム、トリス（アセチルアセトナート）アルミニウム、
トリス（エチルアセトアセテート）アルミニウムなどの
アルミニウムキレート；ペンタエトキシタンタル、ペン
タ−ｎ−プロポキシタンタル、ペンタ−ｉ−プロポキシ
タンタル、ペンタ−ｎ−ブトキシタンタル、ペンタ−ｉ
−ブトキシタンタル、ペンタ−ｓｅｃ−ブトキシタンタ
ル、ペンタ−ｔ−ブトキシタンタルなどのタンタルアル
コキシド、テトラエトキシ・モノ（アセチルアセトナー
ト）タンタル、テトラ−ｎ−プロポキシ・モノ（アセチ
ルアセトナート）タンタル、テトラ−ｉ−プロポキシ・
モノ（アセチルアセトナート）タンタル、テトラ−ｎ−
ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）タンタル、テ
トラ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナー
ト）タンタル、テトラ−ｔ−ブトキシ・モノ（アセチル
アセトナート）タンタル、テトラエトキシ・モノ（エチ
ルアセトアセテート）タンタル、テトラ−ｎ−プロポキ
シ・モノ（エチルアセトアセテート）タンタル、テトラ
−ｉ−プロポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）タ
ンタル、テトラ−ｎ−ブトキシ・モノ（エチルアセトア
セテート）タンタル、テトラ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ
（エチルアセトアセテート）タンタル、テトラ−ｔ−ブ
トキシ・モノ（エチルアセトアセテート）タンタル、ト
リエトキシ・ビス（アセチルアセトナート）タンタル、
トリ−ｎ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナート）
タンタル、トリ−ｉ−プロポキシ・ビス（アセチルアセ
トナート）タンタル、トリ−ｎ−ブトキシ・ビス（アセ
チルアセトナート）タンタル、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ
・ビス（アセチルアセトナート）タンタル、トリ−ｔ−
ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）タンタル、ト
リエトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）タンタ
ル、トリ−ｎ−プロポキシ・ビス（エチルアセトアセテ
ート）タンタル、トリ−ｉ−プロポキシ・ビス（エチル
アセトアセテート）タンタル、トリ−ｎ−ブトキシ・ビ
ス（エチルアセトアセテート）タンタル、トリ−ｓｅｃ
−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）タンタ
ル、トリ−ｔ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテー
ト）タンタル、ジエトキシ・トリス（アセチルアセトナ
ート）タンタル、ジ−ｎ−プロポキシ・トリス（アセチ
ルアセトナート）タンタル、ジ−ｉ−プロポキシ・トリ
ス（アセチルアセトナート）タンタル、ジ−ｎ−ブトキ
シ・トリス（アセチルアセトナート）タンタル、ジ−ｓ
ｅｃ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）タン
タル、ジ−ｔ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナー
ト）タンタル、ジエトキシ・トリス（エチルアセトアセ
テート）タンタル、ジ−ｎ−プロポキシ・トリス（エチ
ルアセトアセテート）タンタル、ジ−ｉ−プロポキシ・
トリス（エチルアセトアセテート）タンタル、ジ−ｎ−
ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）タンタ
ル、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセ
テート）タンタル、ジ−ｔ−ブトキシ・トリス（エチル
アセトアセテート）タンタル、エトキシ・テトラキス
（アセチルアセトナート）タンタル、−ｎ−プロポキシ
・テトラキス（アセチルアセトナート）タンタル、ｉ−
プロポキシ・テトラキス（アセチルアセトナート）タン
タル、ｎ−ブトキシ・テトラキス（アセチルアセトナー
ト）タンタル、ｓｅｃ−ブトキシ・テトラキス（アセチ
ルアセトナート）タンタル、ｔ−ブトキシ・テトラキス
（アセチルアセトナート）タンタル、エトキシ・テトラ
キス（エチルアセトアセテート）タンタル、ｎ−プロポ
キシ・テトラキス（エチルアセトアセテート）タンタ
ル、ｉ−プロポキシ・テトラキス（エチルアセトアセテ
ート）タンタル、ｎ−ブトキシ・テトラキス（エチルア
セトアセテート）タンタル、ｓｅｃ−ブトキシ・テトラ
キス（エチルアセトアセテート）タンタル、ｔ−ブトキ
シ・テトラキス（エチルアセトアセテート）タンタル、
ペンタキス（アセチルアセトナート）タンタル、ペンタ
キス（エチルアセトアセテート）タンタルなどのタンタ
ルキレート；トリエトキシボロン、トリ−ｎ−プロポキ
シボロン、トリ−ｉ−プロポキシボロン、トリ−ｎ−ブ
トキシボロン、トリ−ｉ−ブトキシボロン、トリ−ｓｅ
ｃ−ブトキシボロン、トリ−ｔ−ブトキシボロンなどの
ボロンアルコキシド、ジエトキシ・モノ（アセチルアセ
トナート）ボロン、ジ−ｎ−プロポキシ・モノ（アセチ
ルアセトナート）ボロン、ジ−ｉ−プロポキシ・モノ
（アセチルアセトナート）ボロン、ジ−ｎ−ブトキシ・
モノ（アセチルアセトナート）ボロン、ジ−ｓｅｃ−ブ
トキシ・モノ（アセチルアセトナート）ボロン、ジ−ｔ
−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）ボロン、エ
トキシ・ビス（アセチルアセトナート）ボロン、ｎ−プ
ロポキシ・ビス（アセチルアセトナート）ボロン、ｉ−
プロポキシ・ビス（アセチルアセトナート）ボロン、ｎ
−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）ボロン、ｓ
ｅｃ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）ボロ
ン、ｔ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）ボロ
ン、ジエトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ボロ
ン、ジ−ｎ−プロポキシ・モノ（エチルアセトアセテー
ト）ボロン、ジ−ｉ−プロポキシ・モノ（エチルアセト
アセテート）ボロン、ジ−ｎ−ブトキシ・モノ（エチル
アセトアセテート）ボロン、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・モ
ノ（エチルアセトアセテート）ボロン、ジ−ｔ−ブトキ
シ・モノ（エチルアセトアセテート）ボロン、エトキシ
・ビス（エチルアセトアセテート）ボロン、ｎ−プロポ
キシ・ビス（エチルアセトアセテート）ボロン、ｉ−プ
ロポキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ボロン、ｎ
−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ボロン、
ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ボ
ロン、ｔ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）
ボロン、トリス（アセチルアセトナート）ボロン、トリ
ス（エチルアセトアセテート）ボロンキレートなどを挙
げることが出来る。これらは、１種あるいは２種以上を
同時に使用することが出来る。

【００３５】（Ｃ）成分の重合は、（Ａ）成分の重合と
同様な条件で行うことが出来る。

【００３６】（Ａ）成分に対する（Ｃ）成分の使用割合
は、（Ａ）成分１００重量部（完全加水分解縮合物換
算）に対して（Ｃ）成分０．１〜１０重量部（完全加水
分解縮合物換算）、より好ましくは０．２〜５重量部で
ある。（Ｃ）成分の含有量が０．１重量％未満である
と、塗膜のバリアメタルとの密着性が劣るものとなり、
（Ｃ）成分の含有量が１０重量％を越えると、絶縁膜形
成用組成物の保存安定性が劣化する場合がある。

【００３７】その他の添加剤 本発明で得られる絶縁膜形成用組成物には、さらにβ−
ジケトン、コロイド状シリカ、コロイド状アルミナ、有
機ポリマー、界面活性剤、シランカップリング剤、ラジ
カル発生剤、トリアゼン化合物などの成分を添加しても
よい。

【００３８】β−ジケトンとしては、アセチルアセト
ン、２，４−ヘキサンジオン、２，４−ヘプタンジオ
ン、３，５−ヘプタンジオン、２，４−オクタンジオ
ン、３，５−オクタンジオン、２，４−ノナンジオン、
３，５−ノナンジオン、５−メチル−２，４−ヘキサン
ジオン、２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプ
タンジオン、１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ
−２，４−ヘプタンジオンなどを挙げることができ、よ
り好ましくはアセチルアセトン、２，４−ヘキサンジオ
ン、２，４−ヘプタンジオン、３，５−ヘプタンジオン
である。これらは１種あるいは２種以上を同時に使用し
ても良い。

【００３９】コロイド状シリカとは、例えば、高純度の
無水ケイ酸を前記親水性有機溶媒に分散した分散液であ
り、通常、平均粒径が５〜３０ｎｍ、好ましくは１０〜
２０ｎｍ、固形分濃度が１０〜４０重量％程度のもので
ある。このような、コロイド状シリカとしては、例え
ば、日産化学工業（株）製、メタノールシリカゾルおよ
びイソプロパノールシリカゾル；触媒化成工業（株）
製、オスカルなどが挙げられる。コロイド状アルミナと
しては、日産化学工業（株）製のアルミナゾル５２０、
同１００、同２００；川研ファインケミカル（株）製の
アルミナクリアーゾル、アルミナゾル１０、同１３２な
どが挙げられる。有機ポリマーとしては、例えば、糖鎖
構造を有する化合物、ビニルアミド系重合体、（メタ）
アクリル系重合体、芳香族ビニル化合物、デンドリマ
ー、ポリイミド，ポリアミック酸、ポリアリーレン、ポ
リアミド、ポリキノキサリン、ポリオキサジアゾール、
フッ素系重合体、ポリアルキレンオキサイド構造を有す
る化合物などを挙げることができる。

【００４０】ポリアルキレンオキサイド構造を有する化
合物としては、ポリメチレンオキサイド構造、ポリエチ
レンオキサイド構造、ポリプロピレンオキサイド構造、
ポリテトラメチレンオキサイド構造、ポリブチレンオキ
シド構造などが挙げられる。具体的には、ポリオキシメ
チレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキル
エーテル、ポリオキシエテチレンアルキルフェニルエー
テル、ポリオキシエチレンステロールエーテル、ポリオ
キシエチレンラノリン誘導体、アルキルフェノールホル
マリン縮合物の酸化エチレン誘導体、ポリオキシエチレ
ンポリオキシプロピレンブロックコポリマー、ポリオキ
シエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテルなど
のエーテル型化合物、ポリオキシエチレングリセリン脂
肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エ
ステル、ポリオキシエチレンソルビトール脂肪酸エステ
ル、ポリオキシエチレン脂肪酸アルカノールアミド硫酸
塩などのエーテルエステル型化合物、ポリエチレングリ
コール脂肪酸エステル、エチレングリコール脂肪酸エス
テル、脂肪酸モノグリセリド、ポリグリセリン脂肪酸エ
ステル、ソルビタン脂肪酸エステル、プロピレングリコ
ール脂肪酸エステル、ショ糖脂肪酸エステルなどのエー
テルエステル型化合物などを挙げることができる。ポリ
オキシチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー
としては下記のようなブロック構造を有する化合物が挙
げられる。 −（Ｘ）ｊ−（Ｙ）ｋ− −（Ｘ）ｊ−（Ｙ）ｋ−（Ｘ）l- （式中、Ｘは−ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ−で表される基を、Ｙは−
ＣＨ₂ＣＨ（ＣＨ₃）Ｏ−で表される基を示し、ｊは１〜
９０、ｋは１０〜９９、ｌは０〜９０の数を示す）これ
らの中で、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリ
オキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマ
ー、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキル
エーテル、ポリオキシエチレングリセリン脂肪酸エステ
ル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポ
リオキシエチレンソルビトール脂肪酸エステル、などの
エーテル型化合物をより好ましい例として挙げることが
できる。これらは１種あるいは２種以上を同時に使用し
ても良い。

【００４１】界面活性剤としては、例えば、ノニオン系
界面活性剤、アニオン系界面活性剤、カチオン系界面活
性剤、両性界面活性剤などが挙げられ、さらには、フッ
素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤、ポリアルキ
レンオキシド系界面活性剤、ポリ（メタ）アクリレート
系界面活性剤などを挙げることができ、好ましくはフッ
素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤を挙げること
ができる。

【００４２】フッ素系界面活性剤としては、例えば１，
１，２，２−テトラフロロオクチル（１，１，２，２−
テトラフロロプロピル）エーテル、１，１，２，２−テ
トラフロロオクチルヘキシルエーテル、オクタエチレン
グリコールジ（１，１，２，２−テトラフロロブチル）
エーテル、ヘキサエチレングリコール（１，１，２，
２，３，３−ヘキサフロロペンチル）エーテル、オクタ
プロピレングリコールジ（１，１，２，２−テトラフロ
ロブチル）エーテル、ヘキサプロピレングリコールジ
（１，１，２，２，３，３−ヘキサフロロペンチル）エ
ーテル、パーフロロドデシルスルホン酸ナトリウム、
１，１，２，２，８，８，９，９，１０，１０−デカフ
ロロドデカン、１，１，２，２，３，３−ヘキサフロロ
デカン、Ｎ−［３−（パーフルオロオクタンスルホンア
ミド）プロピル］-Ｎ，Ｎ‘−ジメチル−Ｎ−カルボキ
シメチレンアンモニウムベタイン、パーフルオロアルキ
ルスルホンアミドプロピルトリメチルアンモニウム塩、
パーフルオロアルキル−Ｎ−エチルスルホニルグリシン
塩、リン酸ビス（Ｎ−パーフルオロオクチルスルホニル
−Ｎ−エチルアミノエチル）、モノパーフルオロアルキ
ルエチルリン酸エステル等の末端、主鎖および側鎖の少
なくとも何れかの部位にフルオロアルキルまたはフルオ
ロアルキレン基を有する化合物からなるフッ素系界面活
性剤を挙げることができる。また、市販品としてはメガ
ファックＦ１４２Ｄ、同Ｆ１７２、同Ｆ１７３、同Ｆ１
８３（以上、大日本インキ化学工業（株）製）、エフト
ップＥＦ３０１、同３０３、同３５２（新秋田化成
（株）製）、フロラードＦＣ−４３０、同ＦＣ−４３１
（住友スリーエム（株）製）、アサヒガードＡＧ７１
０、サーフロンＳ−３８２、同ＳＣ−１０１、同ＳＣ−
１０２、同ＳＣ−１０３、同ＳＣ−１０４、同ＳＣ−１
０５、同ＳＣ−１０６（旭硝子（株）製）、ＢＭ−１０
００、ＢＭ−１１００（裕商（株）製）、ＮＢＸ−１５
（（株）ネオス）などの名称で市販されているフッ素系
界面活性剤を挙げることができる。これらの中でも、上
記メガファックＦ１７２，ＢＭ−１０００，ＢＭ−１１
００，ＮＢＸ−１５が特に好ましい。シリコーン系界面
活性剤としては、例えばＳＨ７ＰＡ、ＳＨ２１ＰＡ、Ｓ
Ｈ３０ＰＡ、ＳＴ９４ＰＡ（いずれも東レ・ダウコーニ
ング・シリコーン（株）製などを用いることが出来る。
これらの中でも、上記ＳＨ２８ＰＡ、ＳＨ３０ＰＡが特
に好ましい。界面活性剤の使用量は、（Ａ）成分（完全
加水分解縮合物）に対して通常０．０００１〜１０重量
部である。これらは１種あるいは２種以上を同時に使用
しても良い。

【００４３】シランカップリング剤としては、例えば３
−グリシジロキシプロピルトリメトキシシラン、３−ア
ミノグリシジロキシプロピルトリエトキシシラン、３−
メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリ
シジロキシプロピルメチルジメトキシシラン、１−メタ
クリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−アミ
ノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルト
リエトキシシラン、２−アミノプロピルトリメトキシシ
ラン、２−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−
（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキ
シシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロ
ピルメチルジメトキシシラン、３−ウレイドプロピルト
リメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシ
シラン、Ｎ−エトキシカルボニル−３−アミノプロピル
トリメトキシシラン、Ｎ−エトキシカルボニル−３−ア
ミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−トリメトキシシ
リルプロピルトリエチレントリアミン、Ｎ−トリエトキ
シシリルプロピルトリエチレントリアミン、１０−トリ
メトキシシリル−１，４，７−トリアザデカン、１０−
トリエトキシシリル−１，４，７−トリアザデカン、９
−トリメトキシシリル−３，６−ジアザノニルアセテー
ト、９−トリエトキシシリル−３，６−ジアザノニルア
セテート、Ｎ−ベンジル−３−アミノプロピルトリメト
キシシラン、Ｎ−ベンジル−３−アミノプロピルトリエ
トキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリ
メトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルト
リエトキシシラン、Ｎ−ビス（オキシエチレン）−３−
アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−ビス（オキシ
エチレン）−３−アミノプロピルトリエトキシシランな
どが挙げられる。これらは１種あるいは２種以上を同時
に使用しても良い。

【００４４】ラジカル発生剤としては、例えばイソブチ
リルパーオキサイド、α、α’ビス（ネオデカノイルパ
ーオキシ）ジイソプロピルベンゼン、クミルパーオキシ
ネオデカノエート、ジ−ｎプロピルパーオキシジカーボ
ネート、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、
１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシネオデ
カノエート、ビス（４−ｔ−ブチルシクロヘキシル）パ
ーオキシジカーボネート、１−シクロヘキシル−１−メ
チルエチルパーオキシネオデカノエート、ジ−２−エト
キシエチルパーオキシジカーボネート、ジ（２−エチル
ヘキシルパーオキシ）ジカーボネート、ｔ−ヘキシルパ
ーオキシネオデカノエート、ジメトキブチルパーオキシ
ジカーボネート、ジ（３−メチル−３−メトキシブチル
パーオキシ）ジカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシネ
オデカノエート、２，４−ジクロロベンゾイルパーオキ
サイド、ｔ−ヘキシルパーオキシピバレート、ｔ−ブチ
ルパーオキシピバレート、３，５，５−トリメチルヘキ
サノイルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイ
ド、ラウロイルパーオキサイド、ステアロイルパーオキ
サイド、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキ
シ２−エチルヘキサノエート、スクシニックパーオキサ
イド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（２−エチルヘキ
サノイルパーオキシ）ヘキサン、１−シクロヘキシル−
１−メチルエチルパーオキシ２−エチルヘキサノエー
ト、ｔ−ヘキシルパーオキシ２−エチルヘキサノエー
ト、ｔ−ブチルパーオキシ２−エチルヘキサノエート、
ｍ−トルオイルアンドベンゾイルパーオキサイド、ベン
ゾイルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシイソブチ
レート、ジ−ｔ−ブチルパーオキシ−２−メチルシクロ
ヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−
３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス
（ｔ−ヘキシルパーオキシ）シクロヘキサン、１，１−
ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）−３，３，５−トリメチ
ルシクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキ
シ）シクロヘキサン、２，２−ビス（４，４−ジ−ｔ−
ブチルパーオキシシクロヘキシル）プロパン、１，１−
ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロデカン、ｔ−ヘキ
シルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ−ブ
チルパーオキシマレイン酸、ｔ−ブチルパーオキシ−
３，３，５−トリメチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパ
ーオキシラウレート、２，５−ジメチル−２，５−ジ
（ｍ−トルオイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルパ
ーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ−ブチルパ
ーオキシ２−エチルヘキシルモノカーボネート、ｔ−ヘ
キシルパーオキシベンゾエート、２，５−ジメチル−
２，５−ジ（ベンゾイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブ
チルパーオキシアセテート、２，２−ビス（ｔ−ブチル
パーオキシ）ブタン、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエー
ト、ｎ−ブチル−４，４−ビス（ｔ−ブチルパーオキ
シ）バレレート、ジ−ｔ−ブチルパーオキシイソフタレ
ート、α、α’ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ジイソプ
ロピルベンゼン、ジクミルパーオキサイド、２，５−ジ
メチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサ
ン、ｔ−ブチルクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチル
パーオキサイド、ｐ−メンタンヒドロパーオキサイド、
２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキ
シ）ヘキシン−３、ジイソプロピルベンゼンヒドロパー
オキサイド、ｔ−ブチルトリメチルシリルパーオキサイ
ド、１，１，３，３−テトラメチルブチルヒドロパーオ
キサイド、クメンヒドロパーオキサイド、ｔ−ヘキシル
ヒドロパーオキサイド、ｔ−ブチルヒドロパーオキサイ
ド、２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタン等を
挙げることができる。ラジカル発生剤の配合量は、重合
体１００重量部に対し、０．１〜１０重量部が好まし
い。これらは１種あるいは２種以上を同時に使用しても
良い。

【００４５】トリアゼン化合物としては、例えば、１，
２−ビス（３，３−ジメチルトリアゼニル）ベンゼン、
１，３−ビス（３，３−ジメチルトリアゼニル）ベンゼ
ン、１，４−ビス（３，３−ジメチルトリアゼニル）ベ
ンゼン、ビス（３，３−ジメチルトリアゼニルフェニ
ル）エーテル、ビス（３，３−ジメチルトリアゼニルフ
ェニル）メタン、ビス（３，３−ジメチルトリアゼニル
フェニル）スルホン、ビス（３，３−ジメチルトリアゼ
ニルフェニル）スルフィド、２，２−ビス〔４−（３，
３−ジメチルトリアゼニルフェノキシ）フェニル〕−
１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、
２，２−ビス〔４−（３，３−ジメチルトリアゼニルフ
ェノキシ）フェニル〕プロパン、１，３，５−トリス
（３，３−ジメチルトリアゼニル）ベンゼン、２，７−
ビス（３，３−ジメチルトリアゼニル）−９，９−ビス
［４−（３，３−ジメチルトリアゼニル）フェニル］フ
ルオレン、２，７−ビス（３，３−ジメチルトリアゼニ
ル）−９，９−ビス［３−メチル−４−（３，３−ジメ
チルトリアゼニル）フェニル］フルオレン、２，７−ビ
ス（３，３−ジメチルトリアゼニル）−９，９−ビス
［３−フェニル−４−（３，３−ジメチルトリアゼニ
ル）フェニル］フルオレン、２，７−ビス（３，３−ジ
メチルトリアゼニル）−９，９−ビス［３−プロペニル
−４−（３，３−ジメチルトリアゼニル）フェニル］フ
ルオレン、２，７−ビス（３，３−ジメチルトリアゼニ
ル）−９，９−ビス［３−フルオロ−４−（３，３−ジ
メチルトリアゼニル）フェニル］フルオレン、２，７−
ビス（３，３−ジメチルトリアゼニル）−９，９−ビス
［３，５−ジフルオロ−４−（３，３−ジメチルトリア
ゼニル）フェニル］フルオレン、２，７−ビス（３，３
−ジメチルトリアゼニル）−９，９−ビス［３−トリフ
ルオロメチル−４−（３，３−ジメチルトリアゼニル）
フェニル］フルオレンなどが挙げられる。これらは１種
あるいは２種以上を同時に使用しても良い。

【００４６】このようにして得られる本発明の組成物の
全固形分濃度は、好ましくは、２〜３０重量％であり、
使用目的に応じて適宜調整される。組成物の全固形分濃
度が２〜３０重量％であると、塗膜の膜厚が適当な範囲
となり、保存安定性もより優れるものである。なお、こ
の全固形分濃度の調整は、必要であれば、濃縮および上
記（Ｃ）有機溶剤による希釈によって行われる。本発明
の組成物を、シリコンウエハ、ＳｉＯ₂ウエハ、ＳｉＮ
ウエハなどの基材に塗布する際には、スピンコート、浸
漬法、ロールコート法、スプレー法などの塗装手段が用
いられる。

【００４７】この際の膜厚は、乾燥膜厚として、１回塗
りで厚さ０．０５〜２．５μｍ程度、２回塗りでは厚さ
０．１〜５．０μｍ程度の塗膜を形成することができ
る。その後、常温で乾燥するか、あるいは８０〜６００
℃程度の温度で、通常、５〜２４０分程度加熱して乾燥
することにより、ガラス質または巨大高分子の絶縁膜を
形成することができる。この際の加熱方法としては、ホ
ットプレート、オーブン、ファーネスなどを使用するこ
とが出来、加熱雰囲気としては、大気下、窒素雰囲気、
アルゴン雰囲気、真空下、酸素濃度をコントロールした
減圧下などで行うことができる。また、電子線や紫外線
を照射することによっても塗膜を形成させることができ
る。また、上記塗膜の硬化速度を制御するため、必要に
応じて、段階的に加熱したり、窒素、空気、酸素、減圧
などの雰囲気を選択することができる。さらに、本発明
のシリカ系絶縁膜の比誘電率は、通常、３．０〜１．
２、好ましくは３．０〜１．８、さらに好ましくは３．
０〜２．０である。

【００４８】このようにして得られる層間絶縁膜は、低
比誘電率を示し、かつバリアメタルとの密着性に優れる
ことから、ＬＳＩ、システムＬＳＩ、ＤＲＡＭ、ＳＤＲ
ＡＭ、ＲＤＲＡＭ、Ｄ−ＲＤＲＡＭなどの半導体素子用
層間絶縁膜やエッチングストッパー膜、半導体素子の表
面コート膜などの保護膜、多層レジストを用いた半導体
作製工程の中間層、多層配線基板の層間絶縁膜、液晶表
示素子用の保護膜や絶縁膜、エレクトロルミネッセンス
表示素子用の保護膜や絶縁膜などの用途に有用である。

【００４９】

【実施例】以下、本発明を実施例を挙げてさらに具体的
に説明する。ただし、以下の記載は、本発明の態様例を
概括的に示すものであり、特に理由なく、かかる記載に
より本発明は限定されるものではない。なお、実施例お
よび比較例中の部および％は、特記しない限り、それぞ
れ重量部および重量％であることを示している。また、
各種の評価は、次のようにして行なった。

【００５０】重量平均分子量（Ｍｗ） 下記条件によるゲルパーミエーションクロマトグラフィ
ー（ＧＰＣ）法により測定した。 試料：テトラヒドロフランを溶媒として使用し、加水分
解縮合物１ｇを、１００ｃｃのテトラヒドロフランに溶
解して調製した。標準ポリスチレン：米国プレッシャー
ケミカル社製の標準ポリスチレンを使用した。 装置：米国ウオーターズ社製の高温高速ゲル浸透クロマ
トグラム（モデル１５０−Ｃ ＡＬＣ／ＧＰＣ） カラム：昭和電工（株）製のＳＨＯＤＥＸ Ａ−８０Ｍ
（長さ５０ｃｍ） 測定温度：４０℃ 流速：１ｃｃ／分

【００５１】比誘電率 ８インチシリコンウエハ上に、スピンコート法を用いて
組成物試料を塗布し、ホットプレート上で８０℃で３分
間、窒素雰囲気２００℃で３分間基板を乾燥し、さらに
４１０℃，酸素濃度２０ｐｐｍにコントロールした窒素
雰囲気のホットプレートで４０分間基板を焼成した。得
られた基板に蒸着法によりアルミニウム電極パターンを
形成させ比誘電率測定用サンプルを作成した。該サンプ
ルを周波数１００ｋＨｚの周波数で、横河・ヒューレッ
トパッカード（株）製、ＨＰ１６４５１Ｂ電極およびＨ
Ｐ４２８４ＡプレシジョンＬＣＲメータを用いてＣＶ法
により当該塗膜の比誘電率を測定した。

【００５２】バリアメタルとの密着性 ８インチシリコンウエハ上に、スピンコート法を用いて
組成物試料を塗布し、ホットプレート上で８０℃で３分
間、窒素雰囲気２００℃で３分間基板を乾燥し、さらに
４１０℃，酸素濃度２０ｐｐｍにコントロールした窒素
雰囲気のホットプレートで４０分間基板を焼成した。得
られた基板にスパッタリング方でＴａＮを５００Å製膜
した。得られた基板上にエポキシ樹脂を用いてスタッド
ピン１０本を固定し、１５０℃で１時間乾燥させた。こ
のスタッドピンをセバスチャン法を用いて引き抜き試験
行い、以下の基準で密着性を評価した。 ○：スタッドピン１０本共に塗膜とＴａＮとの界面での
剥離無し ×：塗膜とＴａＮとの界面での剥離発生

【００５３】合成例１ 石英製セパラブルフラスコ中で、蒸留メチルトリメトキ
シシラン７７．０４ｇと蒸留テトラメトキシシラン２
４．０５ｇと蒸留テトラキス（アセチルアセトナート）
チタン０．４８ｇを、蒸留プロピレングリコールモノプ
ロピルエーテル２９０ｇに溶解させたのち、スリーワン
モーターで攪拌させ、溶液温度を６０℃に安定させた。
次に、イオン交換水８４ｇを１時間かけて溶液に添加し
た。その後、６０℃で２時間反応させたのち、蒸留アセ
チルアセトン２５ｇを添加し、さらに３０分間反応さ
せ、反応液を室温まで冷却した。５０℃で反応液からメ
タノールと水を含む溶液を１４９ｇエバポレーションで
除去し、反応液を得た。このようにして得られた縮合
物等の重量平均分子量は、８，９００であった。

【００５４】合成例２ 石英製セパラブルフラスコ中で、蒸留メチルトリメトキ
シシラン２０５．５０ｇと蒸留テトラメトキシシラン８
５．５１ｇを、蒸留プロピレングリコールモノエチルエ
ーテル４２６ｇに溶解させたのち、スリーワンモーター
で攪拌させ、溶液温度６０℃に安定させた。次に、無水
マレイン酸０．０１３ｇを溶解させたイオン交換水１８
２ｇを１時間かけて溶液に添加した。その後、６０℃で
２時間反応させたのち、反応液を室温まで冷却した。５
０℃で反応液からメタノールを含む溶液を３６０ｇエバ
ポレーションで除去し、反応液を得た。このようにし
て得られた縮合物等の重量平均分子量は、１，０００で
あった。

【００５５】合成例３ 石英製セパラブルフラスコに、蒸留エタノール４７０．
９ｇ、イオン交換水２２６．５ｇと２５％水酸化テトラ
メチルアンモニウム水溶液１７．２ｇを入れ、均一に攪
拌した。この溶液にメチルトリメトキシシラン４４．９
ｇとテトラエトキシシラン６８．６ｇの混合物を２時間
かけて添加した。溶液を５８℃に保ったまま、６時間反
応を行った。この溶液に２０％マレイン酸水溶液８０ｇ
を添加し、十分攪拌した後、室温まで冷却した。この溶
液にプロピレングリコールモノプロピルエーテル４００
ｇを加え、その後、５０℃のエバポレーターを用いて溶
液を１０％（完全加水分解縮合物換算）となるまで濃縮
し、その後、マレイン酸の１０％プロピレングリコール
モノプロピルエーテル溶液１０ｇを添加し、反応液を
得た。このようにして得られた縮合物等の重量平均分子
量は、９９０，０００であった。

【００５６】合成例４ 石英製セパラブルフラスコ中で、ジエトキシ・ビス（エ
チルアセトアセテート）チタン１００ｇを、蒸留プロピ
レングリコールモノプロピルエーテル８００ｇに溶解さ
せたのち、スリーワンモーターで攪拌させ、溶液温度４
０℃に安定させた。次に、イオン交換水１００ｇを１時
間かけて溶液に添加した。その後、４０℃で１時間反応
させたのち、反応液を室温まで冷却した。４０℃で反応
液から溶液を２００ｇエバポレーションで除去し、反応
液を得た。このようにして得られた縮合物等の重量平
均分子量は、７５０であった。

【００５７】合成例５ 石英製セパラブルフラスコ中で、トリエトキシ・モノ
（アセチルアセトナート）ジルコニウム１００ｇを、蒸
留プロピレングリコールモノプロピルエーテル８００ｇ
に溶解させたのち、スリーワンモーターで攪拌させ、溶
液温度４０℃に安定させた。次に、マレイン酸５ｇを溶
解させたイオン交換水１００ｇを１時間かけて溶液に添
加した。その後、４０℃で１時間反応させたのち、反応
液を室温まで冷却した。４０℃で反応液から溶液を２０
０ｇエバポレーションで除去し、反応液を得た。この
ようにして得られた縮合物等の重量平均分子量は、６０
０であった。

【００５８】合成例６ 石英製セパラブルフラスコ中で、トリ−ｎ−ブトキシア
ルミニウム１００ｇを、蒸留プロピレングリコールモノ
プロピルエーテル８００ｇに溶解させたのち、スリーワ
ンモーターで攪拌させ、溶液温度４０℃に安定させた。
次に、イオン交換水１００ｇを１時間かけて溶液に添加
した。その後、４０℃で１時間反応させたのち、反応液
を室温まで冷却した。４０℃で反応液から溶液を２００
ｇエバポレーションで除去し、反応液を得た。このよ
うにして得られた縮合物等の重量平均分子量は、６８０
であった。

【００５９】合成例７ 石英製セパラブルフラスコ中で、ペンタ−ｉ−プロポキ
シタンタル１００ｇを、蒸留プロピレングリコールモノ
プロピルエーテル８００ｇに溶解させたのち、スリーワ
ンモーターで攪拌させ、溶液温度４０℃に安定させた。
次に、メチルアミン０．０１ｇを溶解させたイオン交換
水１００ｇを１時間かけて溶液に添加した。その後、４
０℃で１時間反応させたのち、反応液を室温まで冷却し
た。４０℃で反応液から溶液を２００ｇエバポレーショ
ンで除去し、反応液を得た。このようにして得られた
縮合物等の重量平均分子量は、１，１２０であった。

【００６０】合成例８ 石英製セパラブルフラスコ中で、トリ−ｉ−ブトキシボ
ロン１００ｇを、蒸留プロピレングリコールモノプロピ
ルエーテル８００ｇに溶解させたのち、スリーワンモー
ターで攪拌させ、溶液温度４０℃に安定させた。次に、
イオン交換水１００ｇを１時間かけて溶液に添加した。
その後、４０℃で１時間反応させたのち、反応液を室温
まで冷却した。４０℃で反応液から溶液を２００ｇエバ
ポレーションで除去し、反応液を得た。このようにし
て得られた縮合物等の重量平均分子量は、６８０であっ
た。

【００６１】実施例１ 合成例１で得られた反応液５０ｇに合成例４で得られ
た反応液３ｇ添加し十分攪拌した。この溶液を０．２
μｍ孔径のテフロン（登録商標）製フィルターでろ過を
行い本発明の絶縁膜形成用組成物を得た。得られた組成
物をスピンコート法でシリコンウエハ上に塗布した。塗
膜の比誘電率は２．７９であり、ＴａＮを積層させた基
板で塗膜とＴａＮとの剥離は認められなかった。

【００６２】実施例２〜８ 実施例１において、反応液と反応液の代わりに表１
に示す反応液を使用した以外は実施例１と同様に評価を
行った。評価結果を表１に併せて示す。

【００６３】

【表１】

【００６４】比較例１ 合成例１で得られた反応液のみを使用した以外は実施
例１と同様にして塗膜の評価を行った。塗膜の比誘電率
は２．７８と低い値であったが、ＴａＮとの積層膜でス
タッドピンの３本で塗膜とＴａＮ界面での剥離が認めら
れた。

【００６５】比較例２ 合成例２で得られた反応液のみを使用した以外は実施
例１と同様にして塗膜の評価を行った。塗膜の比誘電率
は２．８８と低い値であったが、ＴａＮとの積層膜でス
タッドピンの６本で塗膜とＴａＮ界面での剥離が認めら
れた。

【００６６】比較例３ 合成例４で得られた反応液のみを使用したこと以外は
実施例１と同様にして塗膜の評価を行った。塗膜の比誘
電率は１６．９と高い値であった。

【００６７】参考例１ 合成例１で得られた反応液５０ｇに合成例４で得られ
た反応液５０ｇ添加し十分攪拌した。この溶液を０．
２μｍ孔径のテフロン製フィルターでろ過を行い本発明
の絶縁膜形成用組成物を得た。得られた組成物をスピン
コート法でシリコンウエハ上に塗布した。塗膜の比誘電
率は７．４と高い値であった。

【００６８】

【発明の効果】本発明によれば、（Ａ）特定のアルコキ
シシラン加水分解重合体、（Ｂ）有機溶剤、（Ｃ）チタ
ンアルコキシド化合物、ジルコニウムアルコキシド化合
物、アルミニウムアルコキシド化合物、タンタルアルコ
キシド化合物、ボロンアルコキシド化合物、チタンキレ
ート化合物、ジルコニウムキレート化合物、アルミニウ
ムキレート化合物、タンタルキレート化合物、ボロンキ
レート化合物の群から選ばれる少なくとも１種の化合物
を加水分解、縮合して得られる加水分解縮合物を含有す
る絶縁膜形成用組成物を使用することで、低比誘電率
で、かつ銅拡散防止膜であるバリアメタルとの密着性に
優れる絶縁膜形成用組成物（層間絶縁膜用材料）を提供
することが可能である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０９Ｄ 185/00 Ｃ０９Ｄ 185/00 Ｈ０１Ｌ 21/312 Ｈ０１Ｌ 21/312 Ｃ 21/316 21/316 Ｇ (72)発明者 山田 欣司 東京都中央区築地二丁目11番24号ジェイエ スアール株式会社内 Ｆターム(参考） 4F100 AH06B AH06K AH08B AH08K AK52B AK52K AT00A BA02 GB41 JG04 JG04B JG05 4J038 DL031 DL051 DL071 DL081 DL111 DM022 JA18 JA20 JA22 JA25 JA33 JA55 JB13 JB23 JB26 KA06 NA12 NA17 PB09 PB11 PC02 5F058 AA08 AA10 AC03 AF04 AG01 AH02 BA10 BA20 BC05 BF46 BH01 BJ02

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）下記一般式（１）で表される化
   合物、下記一般式（２）で表される化合物および下記一
   般式（３）で表される化合物からなる群から選ばれた少
   なくとも１種の化合物を加水分解、縮合して得られる加
   水分解縮合物ならびに（Ｂ）有機溶媒ならびに（Ｃ）チ
   タンアルコキシド化合物、ジルコニウムアルコキシド化
   合物、アルミニウムアルコキシド化合物、タンタルアル
   コキシド化合物、ボロンアルコキシド化合物、チタンキ
   レート化合物、ジルコニウムキレート化合物、アルミニ
   ウムキレート化合物、タンタルキレート化合物、ボロン
   キレート化合物の群から選ばれる少なくとも１種の化合
   物を加水分解、縮合して得られる加水分解縮合物を含有
   することを特徴とする絶縁膜形成用組成物。 Ｒ_a Ｓｉ（ＯＲ²）_4-a ・・・・・（１） （式中、Ｒは水素原子、フッ素原子または１価の有機
   基、Ｒ²は１価の有機基、ａは１〜２の整数を示す。） Ｓｉ（ＯＲ³）₄ ・・・・・（２） （式中、Ｒ³は１価の有機基を示す。） Ｒ⁴ _b （Ｒ⁵Ｏ）_3-b Ｓｉ−（Ｒ⁸）_d −Ｓｉ（ＯＲ⁶）_3-c Ｒ⁷ _c ・・・・・（３） 〔式中、Ｒ⁴〜Ｒ⁷は同一または異なり、それぞれ１価の
   有機基、ｂ〜ｃは同一または異なり、０〜２の整数、Ｒ
   ⁸は酸素原子、フェニレン基または−（ＣＨ₂ ）_n−で表
   される基（ここで、ｎは１〜６の整数である）、ｄは０
   または１を示す。〕
2. 【請求項２】 （Ａ）成分に対する（Ｃ）成分の使用
   割合が、（Ａ）成分１００重量部（完全加水分解縮合物
   換算）に対して（Ｃ）成分０．１〜１０重量部（完全加
   水分解縮合物換算）であることを特徴とする請求項１記
   載の絶縁膜形成用組成物。
3. 【請求項３】 請求項１において、（Ａ）成分が金属
   キレート化合物、酸触媒およびアルカリ触媒の群から選
   ばれる少なくとも１種の存在下で加水分解されたもので
   あることを特徴とする請求項１記載の絶縁膜形成用組成
   物。
4. 【請求項４】 （Ｂ）有機溶剤が、下記一般式（５）で
   表される溶剤であることを特徴とする請求項１記載の絶
   縁膜形成用組成物。 Ｒ⁹Ｏ（Ｒ¹¹０）_eＲ¹⁰ ・・・・・（５） （Ｒ⁹およびＲ¹⁰は、それぞれ独立して水素原子、炭素
   数１〜４のアルキル基またはＣＨ₃ＣＯ−から選ばれる
   １価の有機基を示し、Ｒ¹¹はアルキレン基を示し、ｅは
   １〜２の整数を表す。）を含有することを特徴とする絶
   縁膜形成用組成物。
5. 【請求項５】 請求項１項記載の絶縁膜形成用組成物
   を基板に塗布し、加熱することを特徴とする絶縁膜の形
   成方法。
6. 【請求項６】 請求項５記載の膜の形成方法によって
   得られるシリカ系絶縁膜。