CN102916136A - 有机发光二极管及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种有机发光二极管及其制造方法，所述有机发光二极管包括：第一端子，其形成于显示器的第一基板上；第二端子，其形成于所述显示器的第二基板上；以及多个层，它们包括第一区部和第二区部，所述第一区部形成于所述第一端子上，所述第二区部形成于所述第二端子上，所述第一区部和所述第二区部接合在一起，使得所述多个层介于所述第一端子和所述第二端子之间。根据本发明的发光二极管配置，使得发光二极管的阴极能够可靠地耦接(例如，通过沉积、蒸镀或类似的处理)于n型驱动晶体管的漏极端子。
Description
技术领域
本发明一般性地涉及有机发光二极管，具体地涉及用于诸如有源矩阵型有机发光二极管显示器等显示器中的有机发光二极管的制造方法。
背景技术
可通过分别由各独立电路(即各像素电路)控制的各有机发光二极管(“OLED”)的阵列以制造显示器。所述独立电路具有晶体管，所述晶体管选择性地控制被编程有显示信息的电路，以便根据所述显示信息而发光。OLED为发射型显示器件，其通常根据流过OLED的驱动电流的量而发光。OLED通常包括发光区，在该发光区中，带正电荷的空穴与电子相遇。当电子被空穴捕获且处于较低能态时发光。于是，流过OLED的驱动电流量与发射事件数成比例，因此，从OLED发出的光与流过OLED的驱动电流相关。在基板上制造的薄膜晶体管(“TFT”)可并入这种显示器中，从而根据被编程到独立电路中的显示信息以控制流过OLED的驱动电流的量。
可通过将各材料层依次沉积于基板上，从而形成OLED。这种层叠方法通常以沉积各导电电极(即各端子)开始和结束，从而完成后的OLED包括设置于两个电极之间的多个层。为使OLED连接于像素电路的TFT，通常在TFT的一个端子和OLED的一个电极之间经由触点进行电连接，而由于各触点和OLED端子间所要求的对准精度以及所形成的触点的不可靠性和低效率，故这种方法会导致问题。
在两个电极之间施加超过与该OLED相关的工作电压的电压通常可使得电流流过这种器件，并使得光从OLED的发射区发出。随着OLED的老化，OLED的工作电压会偏移(例如增大)。OLED工作电压的偏移影响跨过TFT所施加的电压，从而使流过OLED的电流发生变化，于是影响OLED的光输出。
因此，期望将像素电路配置为使得TFT的耦接于OLED的端子不影响跨过TFT所施加的电压。这种构造通常称作反转OLED，这是因为形成这种构造的一种方法为以相反顺序依次形成OLED的各层。形成反转OLED的一种方法为在显示器基板上以阴极端子(“层”)而非以阳极端子(“层”)开始沉积。然而，用作阴极端子的具有适当的高功函数的合适透明材料是稀有、难以获得且/或昂贵的。进而，所制造出的这种器件的性能劣于常规OLED器件。
实现期望构造的另一种方法为在封装玻璃上形成常规OLED并在TFT基板上形成匹配触点。然后，将这两个基板放置在一起。然而，OLED和匹配触点之间的接触质量要求仔细对准及持续的压力。整体显示的效果差，且通过这种技术制造的显示器由于触点和OLED间的导电路径的质量差，故所述显示器经常包含很多死像素和高电压OLED。
发明内容
本发明的各方面提供了一种有机发光二极管(“OLED”)，通过在第一基板上沉积第一端子并在第二基板上沉积第二端子以制备所述有机发光二极管。在所述第一端子和所述第二端子之间用于形成OLED的内部区域的多个层被分成第一区部和第二区部。随后，将所述多个层的第一区部沉积于所述第一端子上，并且将所述多个层的第二区部沉积于所述第二端子上。随后，将所述第一基板和所述第二基板对准并且将所述第一区部和所述第二区部接合在一起。
所述多个层的第一区部可包括公共层的第一部分，并且所述多个层的第二区部可包括所述公共层的第二部分。所述公共层的第一部分和第二部分可分别为所述多个层的第一区部和第二区部中的最后沉积的部分。可将所述第一区部和所述第二区部对准以使得所述公共层的两个部分的各露出表面在层内界面处接触。对所述公共层的两个部分一起进行退火处理以形成一体化的公共层，从而将OLED的第一区部和第二区部接合在一起。
鉴于参照附图对各种实施例和/或各方面作出的详细说明，本领域技术人员可更好地理解本发明的前述方面和其他方面以及实施例，以下对所述附图进行简述。
附图说明
当阅读下列详细说明并参照附图时，可更好地理解本发明的前述优点及其它优点。
图1A表示有机发光二极管的第一区部的示意平面图。
图1B表示有机发光二极管的第二区部的示意平面图。
图2为由两个区部形成有机发光二极管的方法的流程图。
图3A表示当有机发光二极管的第一区部和第二区部这两个区部对准以接合在一起时的示意平面图。
图3B表示图3A所示的有机发光二极管在退火处理后将所述公共层浸合在一起的示意平面图。
图4A为通过对公共层的两个部分进行退火处理以形成有机发光二极管的方法的流程图。
图4B表示类似于图4A所示的流程图的流程图，但图4B还图示了并行执行的处理的几个方面。
图5A为形成于封装基板上的有机发光二极管的已装配的第一区部的垂直截面。
图5B为有机发光二极管的已装配的第二区部的垂直截面，该第二区部形成于TFT基板上且配置为与图5A所示的第一区部接合。
图5C为通过对图5A和图5B所示的第一区部和第二区部的公共层的第一部分和第二部分进行退火处理而形成的有机发光二极管的垂直截面。
图6A为类似于图5A且包含各隔离物的有机发光二极管的第一区部的垂直截面。
图6B为类似于图5B且包含各隔离物的有机发光二极管的第二区部的垂直截面。
图6C为通过对图6A和图6B所示的第一区部和第二区部的公共层的第一部分和第二部分进行退火处理而形成的有机发光二极管的垂直截面。
图7A为类似于图6A且包含堤的有机发光二极管的第一区部的垂直截面。
图7B为类似于图6B且配置为与图7A所示的第一区部接合的有机发光二极管的第二区部的垂直截面。
图7C为通过对图7A和图7B所示的第一区部和第二区部的公共层的第一部分和第二部分进行退火处理而形成的有机发光二极管的垂直截面。
尽管本发明易于进行各种变化及替换，但通过附图中的例子表示具体的实施例且在这里进行详述。然而，应当理解，本发明并非旨在局限于所公开的特定形式。更确切地说，本发明旨在覆盖落入本发明的精神和由所附的权利要求所限定的范围内的所有变化、等效和替代形式。
具体实施方式
图1A表示有机发光二极管的第一区部2的示意平面图。在第一基板10上通过依次形成的层而沉积有第一区部2。在第一基板10上形成有第一OLED端子12。例如，在第一基板10为诸如封装玻璃等透明基板的实施方式中，第一OLED端子可以为由诸如铟锡氧化物(“ITO”)的透明导电材料制成的阳极端子。在第一OLED端子12上，沉积有OLED的0~N层14。0~N层14例如可包括空穴注入层、空穴输送层、发射层、电子输送层、电子注入层以及/或平坦化层。0~N层14还可不包括多个层。可基于所期望的发射性能特性而为OLED的各特定实施方式恰当地选择适当掺杂的半导体材料、有机材料和/或无机材料。而且，多个层中的一个以上可被省略并/或与其它层结合。第一区部2可以可选地终止于公共层的第一部分16a。
图1B表示有机发光二极管的第二区部4的示意平面图。与第一区部2类似地形成第二区部4。在第二基板22上沉积有第二区部4。例如，第二基板22可以为TFT的一端子上方的玻璃平坦化基板。第二区部4包括第二OLED端子20。第二OLED端子20可以为由具有高功函数的反射金属材料制成的阴极端子。在第二OLED端子20上，沉积有OLED的0~M层18。0~M层18例如可包括结合图1A所述的0~N层14的多个层中的任何层。0~M层18还可不包括多个层，在此情况下，在第二基板22上形成除第二OLED端子20以外的OLED的所有多个层。第二区部4可以可选地终止于公共层的第二部分16b。在包括第一部分16a和第二部分16b的实施方式中，第一部分16a和第二部分16b共同构成OLED的公共层。公共层可以为结合0~N层14或0~M层18所述的多个层中的任何层。例如，公共层可以为电子输送层。在包含第一部分16a和第二部分16b的实施方式中，这两部分可各自基本上等于公共层的一半，或者可以为公共层的另外一组互补配合的部分，从而当将两个部分16a、16b接合在一起时，这两个部分16a、16b共同形成公共层。
图2表示由用于显示器的两个区部以形成有机发光二极管的方法的流程图30。结合如图1A和图1B所示的第一区部2和第二区部4来说明图2。在显示器的第一基板10上形成OLED的第一区部2(32)。在显示器的第二基板22上形成OLED的第二区部4(34)。为完成OLED的制备，将第一区部2和第二区部4接合在一起(36)。
图3A表示当将有机发光二极管的第一区部2和第二区部4这两个区部对准以接合在一起时的示意平面图。在图3A和图3B所示的实施方式中，第一区部2和第二区部4分别包括各自的公共层的第一部分16a和第二部分16b，通过退火处理(图3B)将第一区部2浸合(“接合”)至第二区部4，从而将第一部分16a和第二部分16b接合在一起。如图3A所示，定位第一区部2以使得第一部分16a在界面处与第二部分16b邻接。
图3B表示图3A所示的有机发光二极管6在退火处理后将公共层16浸合在一起的示意平面图。对第一部分16a和第二部分16b进行退火处理，这种退火处理可包括热退火、高压退火、或光(例如激光)退火。所得到的公共层16为单一层。通过使第一区部2和第二区部4在公共层16的中点附近终止，退火处理使得公共层的层内界面浸合，从而该退火处理避免了任何层间界面。层间界面对于OLED的性能比退火后的层内界面更关键，因此，优选地，通过分层沉积处理而非通过退火处理以形成层间界面(例如，0~N层14和/或0~M层18中的多个层之间的界面)。
图4A为通过对公共层的两个部分进行退火处理以形成用于显示器的有机发光二极管的方法的流程图40。在显示器的透明基板(例如透明封装玻璃)上形成第一端子(例如第一端子12)(42)。在第一端子上形成OLED的0~N层(例如0~N层14)(44)。在第一端子上依次沉积0~N层。0~N层例如可包括空穴注入层、空穴输送层、发射层、电子输送层、电子注入层以及/或平坦化层。此外，所述层中的一个以上可被省略并/或与其它层结合。在一个例子中，0~N层可包括形成于第一端子上的空穴注入与输送层以及形成于空穴注入与输送层上的发射层。然后，在0~N层上形成公共层(例如电子输送层)的第一部分(46)。
图4B为类似于图4A的流程图所示的处理的流程图40’，但图4B还图示了并行进行的处理的几个方面。具体来说，图4B表示可在透明基板上形成OLED的第一区部(例如第一区部2)(42，44，46)，并且并行地在驱动TFT的基板上形成第二区部(例如第二区部4)(48，50，52)。优选地，并行操作可使生产时间更快。在并行操作后，通过对公共层的两个部分一起进行退火处理以将两个区部接合在一起(54)。虽然提供了流程图40和流程图40’以图示本发明的两个示例性实施方式，但本发明不限于严格串行地或并行地执行形成OLED的各个阶段这种实施方式。可通过将串行排序和并行排序结合以实现本发明的实施方式。
接下来，说明根据本发明的示例性实施方式形成的OLED的示意性具体例。图5A~7C所示的各图通常为OLED和浸合(“接合”)后的OLED的第一区部和第二区部的横截面图。虽然所述各图示意性地图示了OLED的多个层的例子，但各示意图是为图示目的且未按比例画出(例如，示意图并非旨在表示OLED的多个层的相对厚度)。
图5A为形成于封装基板60上的有机发光二极管的第一区部102的示意性平面图的垂直截面。封装基板60具有封闭侧62和暴露侧64。在封装基板60的封闭侧62形成阳极端子66。期望封装基板60和阳极端子各自在视觉上基本透明，以使来自OLED的光穿过暴露侧64而出射。阳极端子66可由铟锡氧化物(“ITO”)或类似的视觉透明导电材料制成。可在封装基板60上通过沉积处理以形成阳极端子66，从而在封装基板60上形成ITO(或类似材料)层。随后，在阳极端子66上形成(例如“沉积”)空穴输送与注入层68。在阳极端子66上可通过沉积处理或类似技术以形成空穴输送与注入层68。随后，在空穴输送与注入层68上形成发射层70。在发射层70上形成电子输送层的第一部分72a。电子输送层的第一部分72a具有露出的第一表面74。电子输送层的第一部分72a约为整个电子输送层(图5C中的72)的厚度的一半。第一区部102的形成终止于露出的第一表面74。
图5B为有机发光二极管的第二区部104的示意性平面图的垂直截面，第二区部104形成于TFT基板上且配置为与图5A所示的第一区部102接合。在TFT的漏极端子84上形成平坦化基板82。平坦化基板82形成有开口85，使得漏极端子84的至少部分通过平坦化基板82而保持露出。随后，在开口85上形成(例如“沉积”)阴极端子80，使得阴极端子80可靠地电耦接于TFT的漏极端子84。随后，在阴极端子80上形成电子注入层78。随后，在电子注入层78上形成电子输送层的第二部分72b。电子输送层的第二部分72b可约为电子输送层的一半，从而第一部分72a和第二部分72b共同形成整个电子输送层。第二部分72b包括露出的第二表面76。第二区部104的形成终止于第二部分72b的露出的第二表面76。
可通过沉积处理或用于形成薄膜材料的类似技术以分别形成第一区部102和第二区部104的多个层66、68、70、72a、72b、78、80、82。
图5C为通过对图5A和图5B所示的电子输送层的第一部分72a和第二部分72b进行退火处理而形成的有机发光二极管106的示意性平面图的垂直截面。定位第一区部102以使得电子输送层的第一部分72a的露出的第一表面74邻接于电子输送层的第二部分72b的露出的第二表面76。于是，露出表面74和露出表面76之间的界面为层内界面，并可通过对两个部分72a、72b一起进行退火处理以将两个部分72a、72b浸合(“接合”)，从而形成单一电子输送层72。可通过例如200~300摄氏度的热退火处理以实现这种退火处理。
接下来，说明在图5C中示意性地图示的OLED106的示例性操作。在操作中，通常，TFT开始驱动电流以向漏极端子84流动，使得阴极端子80相对于阳极端子66获得负电压。一旦阴极端子80与阳极端子66之间的电压差足以超过OLED的工作电压(即“导通电压”)时，电子从阴极端子80注入电子注入层78中。通常，促使所注入的电子远离阴极端子80而向可视为复合层的发射层70运动。同时，从阳极端子66注入带正电荷的空穴，并通过空穴注入与输送层68输送所述空穴。通常，促使空穴远离阳极端子66而向发射层70运动。
在发射层中，通常，电子在与空穴复合之前占据发射层70中的最低未占分子轨道(LUMO)能级。复合后的电子辐射地衰减至发射层70中的最高已占分子轨道(HOMO)能级，并且根据伴随的能量变化而发光。从发射层70发出的光穿过封装基板60而从封装表面的暴露侧64出射。最初被引导为远离封装表面60(例如，朝向阴极端子80)的光期望地被阴极端子80反射以穿过封装表面60而出射。优选地，阴极端子80由诸如金属材料等反射物质制成。还优选地选择这样的阴极端子80，即该阴极端子80的功函数适于注入具有足以占据发射层70中的LUMO能级的电子。于是，发射层70(例如HOMO和LUMO)的材料特性可影响阴极端子80的选择，并且还影响阳极端子66的选择。
图6A表示类似于图5A但包含隔离物112和隔离物114的有机发光二极管的第一区部102’。在图6A的横截面图中，隔离物112和隔离物114置于第一区部102’的各相对侧。隔离物112和隔离物114置于阳极端子66上，以避免中断阳极端子66所携带的信号，然而，隔离物112和隔离物114也可置于其它层上，例如置于空穴注入与输送层68上。隔离物112和隔离物114可完全围绕OLED的像素区，并且可包括相对于显示器的平面水平地且/或垂直地布置的多个柱和/或圆柱。隔离物112和隔离物114可由例如包含氮化物和/或氧化物的材料制成。优选地，隔离物112和隔离物114可在形成于封装基板60上的各相邻OLED的各层之间设置物理隔离。如图6C所述，隔离物112和隔离物114还可调节施加于OLED106’的压力，以防止当将第一区部102’和第二区部104’接合在一起时将OLED106’压紧(“压碎”)。
在制造过程中，隔离物112和隔离物114还可帮助对准阴影掩模（shadow mask），该阴影掩模覆盖未接收所沉积的半导体层的像素。例如，当在封装基板上正在形成图形化的红像素、绿像素、蓝像素时，阴影掩模可置于显示面板上方以设置小孔，特定颜色的层可通过所述小孔而沉积于对应的像素区上。通过设置隔离物112和隔离物114，阴影掩模可置于隔离物上，并且当将阴影掩模定位于显示面板上方时，避免阴影掩模翘曲或拉伸。
图6B表类似于图5B但包含隔离物114和隔离物116的有机发光二极管的第二区部104’。类似于对关于图6A设置的隔离物112和隔离物114的说明，隔离物114和隔离物116置于(“定位”)于平坦化基板82上。优选地，定位隔离物114和隔离物116以与第一区部102’的隔离物112和隔离物114对准，使得当将第一区部102’接合于第二区部104’时，隔离物114和隔离物116与隔离物112和隔离物114中的各相应隔离物邻接。
图6C表示通过对图6A和图6B所示的第一区部和第二区部的公共层的第一部分和第二部分进行退火处理而形成的有机发光二极管。除了OLED106’包括隔离物之外，OLED106’类似于图5C所示的OLED106。如图6C所示，在已装配的OLED106’中，第一区部102’和第二区部104’的各个隔离物彼此邻接，以保护OLED106’的各沉积层(例如层70、层72、层78、层80)不会因接合两个区部时发生挤压而受到损坏。通过在装配时适当地对准，第一区部102’的隔离物114邻接第二区部104’的隔离物116，并且第一区部102’的隔离物112邻接第二区部104’的隔离物118。
图7A表示类似于图6A且包含堤(bank)122和堤124的有机发光二极管的第一区部102”。堤122和堤124置于(“定位”)阳极端子66上以围绕空穴注入与输送层68。如图7A所示，由堤122和堤124形成的堤构造防止电子输送层的第一部分72a邻接于空穴注入与输送层68。于是，堤构造通过确保复合事件基本上发生在发射层70内、而非发生在电子输送层72直接邻接于空穴注入与输送层68的区域中，从而有助于OLED106”的性能。例如，图5A和图6A提供了这样的例子，其中，电子输送层72的子区域直接邻接于空穴注入与输送层68的子区域，于是提供了使电子与发射层70外部的空穴进行复合的路径。
图7B表示类似于图6B且配置为与图7A所示的第一区部接合的有机发光二极管的第二区部104’。图7C表示通过对图7A和图7B所示的第一区部和第二区部的公共层的第一部分和第二部分进行退火处理而形成的有机发光二极管106”。如图7C所示，已装配的OLED106”包括结合图6A~6C所述的隔离物构造以及关于图7A所述的堤构造。
本发明的各方面对公共层的两个部分进行退火处理，所述两个部分在层内界面处接触，以便将OLED的第一区部和第二区部接合在一起。例如，公共层可以为电子输送层。在OLED的设计参数规定电子输送层为OLED的最厚层的实施方式中，可优选地将电子输送层用作公共层，这是因为公共层的单独沉积于第一区部和第二区部上的两个部分比将另一层用作公共层的情况厚。
本发明的各方面还可适用于多层构造的OLED。在多层OLED中，在第一基板上形成有多层OLED的第一区部，并且在第二基板上形成有多层OLED的第二区部。然后，将两个区部接合在一起以形成多层OLED。
本发明的各方面还适用于彩色显示器。根据本发明，单独的OLED可形成(“制造”)为在发射层70和封装基板60的暴露侧64之间设置滤色器。在OLED配置为例如发射白光的实施方式中，可插入例如红光滤色器、绿光滤色器和蓝光滤色器等滤色器，以使彩色显示器发射基色。另外地或者可替代地，OLED可配置(例如通过选择OLED中的多个层的组成和/或厚度)为发射特定颜色的光，并且可在显示中重复不同颜色的图形，以便形成例如具有红色成分、绿色成分和蓝色成分的彩色显示器。
本发明的各方面提供了一种OLED的制造方法，即，在两个单独的基板上分别形成OLED的相反端子，在两个端子之一或所述两个端子上形成OLED的多层，并且将所述两个部分接合在一起。由于将两个端子沉积于各自的基板上，故通过这种方法制造的OLED优于现有的OLED。与OLED的每个端子的电连接、例如与驱动晶体管的端子的电连接不依赖于各单独触点，所述触点必须被仔细对准且需要压力以保持有效的电荷传输。具体来说，阴极端子可直接沉积于用作驱动晶体管的n型薄膜晶体管的漏极端子上。这种配置可在驱动晶体管(“Vgs”)的栅源电压不受OLED的工作电压影响的情况下，使得驱动晶体管驱动电流流过所形成的OLED。具体来说，OLED的工作电压(“VOLED”)在OLED寿命期间的偏移不影响跨过驱动晶体管所施加的电压Vgs。根据本发明的各方面形成的OLED提供了一种反转OLED配置，使得OLED的阴极能够可靠地耦接(例如，通过沉积、蒸镀或类似的处理)于n型驱动晶体管的漏极端子。本发明的各方面还可适用于形成这样的OLED，即该OLED的阳极端子沉积于p型驱动晶体管的源极端子上。
虽然图示和说明了本发明的特定实施例和应用场合，但应当理解，本发明不限于此处公开的精确构造和组成，在不脱离本发明的精神和由所附的权利要求书所限定的范围的情况下，从上述说明中显然可作出各种修改、变化及变型。
Claims (15)
1.一种有机发光二极管，其包括：
第一端子，其形成于显示器的第一基板上；
第二端子，其形成于所述显示器的第二基板上；以及
多个层，它们包括第一区部和第二区部，所述第一区部形成于所述第一端子上，所述第二区部形成于所述第二端子上，所述第一区部和所述第二区部接合在一起，使得所述多个层介于所述第一端子和所述第二端子之间。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管，其中，所述第一端子和所述第二端子通过沉积处理而分别形成于各自的所述第一基板和所述第二基板上。
3.如权利要求1所述的有机发光二极管，其中，所述第一基板为封装所述显示器的透明基板。
4.如权利要求1所述的有机发光二极管，其中，所述第二基板为用于驱动所述有机发光二极管的n型晶体管的漏极端子的基板。
5.如权利要求1所述的有机发光二极管，其中，所述第一端子为所述有机发光二极管的阳极端子，并且所述第二端子为所述有机发光二极管的阴极端子。
6.如权利要求1所述的有机发光二极管，其中，所述多个层包括：发射层、空穴输送层或电子输送层，并且其中，所述多个层的所述第一区部和所述第二区部分别包括所述多个层中的至少一层。
7.如权利要求1所述的有机发光二极管，其中，所述多个层的所述第一区部包括公共层的第一部分，并且所述多个层的所述第二区部包括所述公共层的第二部分，所述第一部分和所述第二部分中的每一个分别沉积在所述有机发光二极管的所述第一端子和所述第二端子的远端，使得所述公共层的所述第一部分和所述第二部分分别相对于沉积在所述第一基板和第二基板上的所述多个层而露出。
8.如权利要求7所述的有机发光二极管，其中，通过对所述公共层的所述第一部分和所述第二部分进行退火处理以将多个公共层的所述第一区部和所述第二区部接合在一起，从而形成一体化的公共层。
9.如权利要求8所述的有机发光二极管，其中，所述公共层为电子输送层。
10.如权利要求1所述的有机发光二极管，其还包括：
第一隔离物，其包含在所述多个层的所述第一区部中；和
第二隔离物，其包含在所述多个层的所述第二区部中，将所述第一隔离物与所述第二隔离物对准，从而当将所述多个层的所述第一区部与所述多个层的所述第二区部接合时使所述第一隔离物邻接于所述第二隔离物，从而确保所述多个层不以超出期望的量而被挤压。
11.如权利要求1所述的有机发光二极管，其还包括堤，所述堤用于防止所述多个层中的电子输送层与所述多个层中的空穴注入层邻接。
12.如权利要求1所述的有机发光二极管，其中，所述多个层包括平坦化层。
13.一种有机发光二极管的制造方法，所述有机发光二极管具有第一端子、第二端子以及介于所述第一端子和所述第二端子之间的多个层，所述方法包括：
在第一基板上形成所述有机发光二极管的所述第一端子；
在第二基板上形成所述有机发光二极管的所述第二端子；
在所述第一端子上形成所述多个层的第一区部；
在所述第二端子上形成所述多个层的第二区部；并且
将所述多个层的所述第一区部接合于所述多个层的所述第二区部，使得所述多个层位于所述第一端子和所述第二端子之间。
14.如权利要求13所述的方法，其中，所述多个层包括公共层，所述公共层具有在所述多个层的所述第一区部中包含的第一部分，所述公共层具有在所述多个层的所述第二区部中包含的第二部分，并且其中：
所述形成所述多个层的第一区部包括沉积所述公共层的所述第一部分；
所述形成所述多个层的第二区部包括沉积所述公共层的所述第二部分；并且
通过对所述公共层的所述第一部分和所述第二部分实施退火处理而进行所述接合。
15.如权利要求13所述的方法，还包括：
在所述接合前，将第一隔离物置于所述多个层的所述第一区部上，并且将第二隔离物置于所述多个层的所述第二区部上，并且其中，
在所述接合期间，所述第一隔离物邻接于所述第二隔离物，以防止所述多个层被挤压。
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