CN103889087B - 发光装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的是抑制具有串联元件的发光装置的串扰现象发生。本发明提供一种发光装置，包括：绝缘层（416）；形成在所述绝缘层上的第一下部电极（421B）；形成在所述绝缘层上的第二下部电极（421G）；形成在所述绝缘层上且位于所述第一下部电极与所述第二下部电极之间的隔壁（418）；形成在所述第一下部电极、所述隔壁以及所述第二下部电极上的第一发光单元（423a）；形成在所述第一发光单元上的中间层（424a、424b）；形成在所述中间层上的第二发光单元（423b）；以及形成在所述第二发光单元上的上部电极（422），其中，所述隔壁具有第一凹部（418a）。

Description

发光装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种具有发光元件的发光装置及其制造方法。本发明特别涉及一种具有串联元件的发光装置及其制造方法。
背景技术
有机EL显示器的商品化日益加速。为了使显示器能够承受在室外的使用，对显示器亮度的要求也逐年增高。另一方面，已知有机EL元件的发光亮度与电流成正比地变高且可以以高亮度发光。
但是，施加大电流会加快有机EL元件的劣化。所以，如果能够以小电流实现高亮度，就可以延长发光元件的使用寿命。于是，作为能够以小电流实现高亮度的发光元件，已提出了层叠有多个发光单元的串联元件（例如，参照专利文献1）。
注意，在本说明书中，发光单元是指具有一个使从两端注入的电子和空穴复合的区域的层或层叠体。
串联元件通过使发光单元流过一个发光元件的一半密度的电流而可以得到相当的发光，例如，通过采用在电极之间层叠n个同一结构的发光单元，可以实现n倍的亮度而不使电流密度上升。
在其中相邻地设置有串联元件的发光面板中存在着发生串扰现象的问题。串扰现象是指，当在相邻的串联元件之间设置有一个导电性高的层时，电流通过该导电性高的层泄漏到相邻的串联元件而导致发光的现象。
在串联元件中，隔着导电性高的中间层层叠有多个层，且结构上具有导电性高的层和导电性低的层。此外，为了抑制驱动电压的上升，在串联元件中常采用含有有机化合物和金属氧化物的混合层或含有导电高分子等的导电性高的载流子注入层。此外，与单元件相比串联元件的阳极和阴极之间的电阻大，所以电流容易经过导电性高的层扩散到相邻的像素。
图7A是用来说明导电性高的中间层86导致串扰现象发生的示意图，并且是示出在发射呈现白色的光的串联元件被设置为三个条状的发光面板（白色面板）中，仅驱动第二串联元件时的状况的截面图。
发光面板具有被彼此相邻地配置的第一至第三串联元件。第一串联元件配置在上部电极81和第一下部电极82之间。第二串联元件配置在上部电极81和第二下部电极83之间。第三串联元件配置在上部电极81和第三下部电极84之间。
在第一至第三串联元件中分别依次层叠有第一发光单元85、中间层86和第二发光单元87。例如，在采用如下结构时，可以获得呈现白色的发光。该结构为：第一发光单元85具有发射呈现蓝色的光的发光层且第二发光单元87具有发射呈现绿色的光的发光层和发射呈现红色的光的发光层。
在使用具有透光性的上部电极的情况下，可以将对置玻璃衬底88配置在上部电极上，并将具有反射性的电极用于下部电极。对置玻璃衬底88具有未图示的蓝色滤光片、红色滤光片和绿色滤光片。红色滤光片重叠于第一下部电极82，蓝色滤光片重叠于第二下部电极83，绿色滤光片重叠于第三下部电极84。
当在上述发光面板中对第二下部电极83和上部电极81之间施加电压并仅驱动蓝色行（第二串联元件）时，电流有时通过导电性高的中间层86泄漏到相邻的第一串联元件或第三串联元件，从而使红色行（第一串联元件）或绿色行（第三串联元件）发光而发生串扰现象。
图7B是用来说明导电性高的载流子注入层（空穴注入层或电子注入层）89导致串扰现象发生的示意图，并且是示出在发光面板（白色面板）中仅驱动蓝色行（第二串联元件）时的状况的图。
在第一至第三串联元件中分别依次层叠有含有导电性高的载流子注入层89的第一发光单元85、中间层86和第二发光单元87。作为载流子注入层89例如可以举出含有有机化合物和金属氧化物的混合材料或导电高分子等的导电性高的层。
[专利文献1]日本专利申请公开2008-234885号公报。
发明内容
本发明的一实施方式的目的是抑制具有串联元件的发光装置的串扰现象发生。
本发明的一实施方式是一种发光装置，包括：绝缘层；形成在所述绝缘层上的第一下部电极；形成在所述绝缘层上的第二下部电极；形成在所述绝缘层上且位于所述第一下部电极与所述第二下部电极之间的隔壁；形成在所述第一下部电极、所述隔壁以及所述第二下部电极上的第一发光单元；形成在所述第一发光单元上的中间层；形成在所述中间层上的第二发光单元；以及形成在所述第二发光单元上的上部电极，其中，所述隔壁具有第一凹部。此外，在本发明的一实施方式中，优选的是，位于所述第一凹部所形成的倾斜面上的所述中间层的垂直于所述倾斜面的方向上的厚度薄于位于所述第一下部电极上的所述中间层的垂直于所述第一下部电极的方向上的厚度。
此外，在本发明的一实施方式中，优选的是，还包括形成在所述绝缘层中的第二凹部，所述隔壁形成在所述第二凹部内及所述绝缘层上，并且所述第一凹部位于所述第二凹部上。
此外，在本发明的一实施方式中，优选的是，所述第一发光单元具有载流子注入层，并且位于所述倾斜面上的所述载流子注入层的垂直于所述倾斜面的方向上的厚度薄于位于所述第一下部电极上的所述载流子注入层的垂直于所述第一下部电极的方向上的厚度。此外，在本发明的一实施方式中，优选的是，EL层具有所述第一发光单元、所述中间层以及所述第二发光单元，并且位于所述倾斜面上的所述EL层的垂直于所述倾斜面的方向上的厚度薄于位于所述第一下部电极上的所述EL层的垂直于所述第一下部电极的方向上的厚度。
本发明的一实施方式是一种发光装置，包括：绝缘层；形成在所述绝缘层上的第一下部电极；形成在所述绝缘层上的第二下部电极；形成在所述绝缘层上且位于所述第一下部电极与所述第二下部电极之间的隔壁；形成在所述第一下部电极、所述隔壁以及所述第二下部电极上的第一发光单元；形成在所述第一发光单元上的中间层；形成在所述中间层上的第二发光单元；以及形成在所述第二发光单元上的上部电极，其中，所述隔壁具有谷部、相对于所述谷部位于所述第一下部电极一侧的第一山部以及相对于所述谷部位于所述第二下部电极一侧的第二山部，并且，位于在所述第一山部的顶点与所述谷部之间的第一倾斜面及在所述第二山部的顶点与所述谷部之间的第二倾斜面上的所述中间层的分别垂直于所述第一倾斜面及所述第二倾斜面的方向上的厚度薄于位于所述第一下部电极上的所述中间层的垂直于所述第一下部电极的方向上的厚度。
此外，在本发明的一实施方式中，优选的是，还包括形成在所述绝缘层中的槽部，所述隔壁形成在所述槽部内及所述绝缘层上，并且所述谷部位于所述槽部的底部上。
此外，在本发明的一实施方式中，优选的是，所述第一发光单元具有载流子注入层，并且位于所述第一倾斜面及所述第二倾斜面上的所述载流子注入层的分别垂直于所述第一倾斜面及所述第二倾斜面的方向上的厚度薄于位于所述第一下部电极上的所述载流子注入层的垂直于所述第一下部电极的方向上的厚度。此外，在本发明的一实施方式中，优选的是，EL层具有所述第一发光单元、所述中间层以及所述第二发光单元，并且位于所述第一倾斜面及所述第二倾斜面上的所述EL层的分别垂直于所述第一倾斜面及所述第二倾斜面的方向上的厚度薄于位于所述第一下部电极上的所述EL层的垂直于所述第一下部电极的方向上的厚度。
此外，在本发明的一实施方式中，优选的是，还包括与位于所述隔壁上的所述上部电极接近或接触的滤色片，并且所述滤色片具有与所述第一下部电极重叠的第一颜色及与所述第二下部电极重叠的第二颜色。
此外，在本发明的一实施方式中，优选的是，所述隔壁被着色。
本发明的一实施方式是一种发光装置的制造方法，包括如下步骤：在绝缘层上形成第一下部电极及第二下部电极；在所述绝缘层上形成位于所述第一下部电极与所述第二下部电极之间的隔壁；在所述第一下部电极、所述隔壁以及所述第二下部电极上形成第一发光单元；在所述第一发光单元上形成中间层；在所述中间层上形成第二发光单元；以及在所述第二发光单元上形成上部电极，其中，所述隔壁具有第一凹部。本发明的一实施方式是一种发光装置的制造方法，包括如下步骤：在第一布线及第二布线上形成绝缘层；通过对所述绝缘层进行加工，在绝缘层中形成位于所述第一布线上的第一接触孔、位于所述第二布线上的第二接触孔以及第二凹部；在所述第一接触孔内及所述绝缘层上形成位于所述第二凹部的一侧的第一下部电极，并在所述第二接触孔内及所述绝缘层上形成位于所述第二凹部的另一侧的第二下部电极；在所述第二凹部内及所述绝缘层上形成隔壁；在所述第一下部电极、所述隔壁以及所述第二下部电极上形成第一发光单元；在所述第一发光单元上形成中间层；在所述中间层上形成第二发光单元；以及在所述第二发光单元上形成上部电极，其中，所述隔壁具有位于所述第二凹部上的第一凹部。此外，在本发明的一实施方式中，优选的是，位于所述第一凹部所形成的倾斜面上的所述中间层的垂直于所述倾斜面的方向上的厚度薄于位于所述第一下部电极上的所述中间层的垂直于所述第一下部电极的方向上的厚度。
此外，在本发明的一实施方式中，优选的是，所述第一发光单元具有载流子注入层，并且位于所述倾斜面上的所述载流子注入层的垂直于所述倾斜面的方向上的厚度薄于位于所述第一下部电极上的所述载流子注入层的垂直于所述第一下部电极的方向上的厚度。此外，在本发明的一实施方式中，优选的是，EL层具有所述第一发光单元、所述中间层以及所述第二发光单元，并且位于所述倾斜面上的所述EL层的垂直于所述倾斜面的方向上的厚度薄于位于所述第一下部电极上的所述EL层的垂直于所述第一下部电极的方向上的厚度。
本发明的一实施方式是一种发光装置的制造方法，包括如下步骤：在第一布线及第二布线上形成绝缘层；通过对所述绝缘层进行加工，在绝缘层中形成位于所述第一布线上的第一接触孔、位于所述第二布线上的第二接触孔以及槽部；在所述第一接触孔内及所述绝缘层上形成位于所述槽部的一侧的第一下部电极，并在所述第二接触孔内及所述绝缘层上形成位于所述槽部的另一侧的第二下部电极；在所述槽部内及所述绝缘层上形成隔壁；在所述第一下部电极、所述隔壁以及所述第二下部电极上形成第一发光单元；在所述第一发光单元上形成中间层；在所述中间层上形成第二发光单元；以及在所述第二发光单元上形成上部电极，其中，所述隔壁具有位于所述槽部的底部上的谷部、相对于所述谷部位于所述第一下部电极一侧的第一山部以及相对于所述谷部位于所述第二下部电极一侧的第二山部，并且，位于在所述第一山部的顶点与所述谷部之间的第一倾斜面及在所述第二山部的顶点与所述谷部之间的第二倾斜面上的所述中间层的分别垂直于所述第一倾斜面及所述第二倾斜面的方向上的厚度薄于位于所述第一下部电极上的所述中间层的垂直于所述第一下部电极的方向上的厚度。
此外，在本发明的一实施方式中，优选的是，所述第一发光单元具有载流子注入层，并且位于所述第一倾斜面及所述第二倾斜面上的所述载流子注入层的分别垂直于所述第一倾斜面及所述第二倾斜面的方向上的厚度薄于位于所述第一下部电极上的所述载流子注入层的垂直于所述第一下部电极的方向上的厚度。此外，在本发明的一实施方式中，优选的是，EL层具有所述第一发光单元、所述中间层以及所述第二发光单元，并且位于所述第一倾斜面及所述第二倾斜面上的所述EL层的分别垂直于所述第一倾斜面及所述第二倾斜面的方向上的厚度薄于位于所述第一下部电极上的所述EL层的垂直于所述第一下部电极的方向上的厚度。
此外，在本发明的一实施方式中，优选的是，在形成所述上部电极之后配置与位于所述隔壁上的所述上部电极接近或接触的滤色片，并且所述滤色片具有与所述第一下部电极重叠的第一颜色及与所述第二下部电极重叠的第二颜色。
此外，在本发明的一实施方式中，优选的是，所述隔壁被着色。
注意，本说明书中的发光装置包括在像素（或子像素）中具备发光元件的显示装置。此外，发光面板包括其中相邻设置有具备发光元件的像素的显示面板。此外，发光模块具有包含发光元件的结构，发光元件具备含有发光层的发光单元。
通过应用本发明的一实施方式可以抑制串扰现象发生。
附图说明
图1A是可以用于本发明的一实施方式的显示装置的显示面板的结构的俯视图，图1B是包括沿图1A的切断线A-B及C-D的截面的结构的侧面图；
图2A是像素的俯视图，图2B是包括沿图2A的切断线E-F的截面的结构的侧面图，图2C是包括沿图2A的切断线H-I及J-K的截面的像素结构的侧面图；
图3A是根据本发明的一实施方式的显示装置的像素的俯视图，图3B是示出在隔壁418中形成第一凹部的方法的变形例的侧面图；
图4A至图4G是用来说明根据本发明的一实施方式的隔壁的制造方法的截面图；
图5是放大了图4G所示的部分H的截面图；
图6A是示出发光元件的结构的一个例子的图，并是用来说明本发明的一实施方式的发光元件的结构的图，图6B是示出发光单元的具体结构的一个例子的图，图6C是示出层叠有多个发光单元的串联型发光元件的结构的图；
图7A是用来说明导电性高的中间层导致串扰现象发生的示意图,图7B是用来说明导电性高的载流子注入层导致串扰现象发生的示意图。
本发明的选择图为图2A至2C。
具体实施方式
下面，参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。但是，本发明不局限于以下说明，而所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实就是其方式及详细内容在不脱离本发明的宗旨及其范围的情况下可以被变换为各种各样的形式。因此，本发明不应该被解释为仅局限在以下所示的实施方式所记载的内容中。
实施方式1
〈显示面板的结构〉
图1A和图1B示出可以用于本发明的一实施方式的显示装置的显示面板的结构。图1A是可以用于本发明的一实施方式的显示装置的显示面板的结构的俯视图，图1B是包括沿图1A的切断线A-B及C-D的截面的结构的侧面图。
在本实施方式中例示说明的显示面板400在第一衬底410上具有显示部401，在显示部401中设置有多个像素402。此外，在像素402中设置有多个（例如，三个）子像素（参照图1A）。此外，在第一衬底410上与显示部401一起设置有驱动该显示部401的源极侧驱动电路部403s、栅极侧驱动电路部403g。注意，也可以将驱动电路部设置在外部，而不设置在第一衬底410上。
显示面板400包括外部输入端子，通过FPC（柔性印刷电路）409接收视频信号、时钟信号、起始信号、复位信号等。
由密封材料405贴合第一衬底410和第二衬底440，在它们之间形成的空间431中密封有显示部401（参照图1B）。
以下，参照图1B说明包括显示面板400的截面的结构。显示面板400具备源极侧驱动电路部403s、像素402所包含的子像素402G以及引绕布线408。注意，本实施方式所例示的显示面板400的显示部401向附图中的箭头所示的方向发射光而显示图像。
源极侧驱动电路部403s包括组合n沟道型晶体管413和p沟道型晶体管414的CMOS电路。注意，驱动电路不局限于上述结构，也可以由各种CMOS电路、PMOS电路或NMOS电路构成。
引绕布线408将从外部输入端子输入的信号传送到源极侧驱动电路部403s及栅极侧驱动电路部403g。
子像素402G包括开关用晶体管411、电流控制用晶体管412和发光模块450G。此外，在晶体管411等上形成有绝缘层416和隔壁418。发光模块450G具有反射膜、半透射半反射膜以及反射膜与半透射半反射膜之间的发光元件420G，并在射出发光元件420G所发射的光的半透射半反射膜一侧设置有滤色片441G。在本实施方式所例示的发光模块450G中，发光元件420G的第二下部电极421G兼作反射膜，而发光元件420G的上部电极422兼作半透射半反射膜。注意，显示部401显示图像的方向取决于发光元件420G所发射的光被取出的方向。
此外，以围绕滤色片441G的方式形成有具有遮光性的膜442。具有遮光性的膜442是防止显示面板400反射外光的现象的膜，并有提高显示部401所显示的图像的对比度的效果。此外，滤色片441G和具有遮光性的膜442形成在第二衬底440上。
绝缘层416是用来使起因于晶体管411等的结构的台阶平坦化或抑制杂质扩散到晶体管411等的具有绝缘性的层，并既可以是单层又可以是多层的叠层体。隔壁418是具有开口部的具有绝缘性的层，并且发光元件420G形成在隔壁418的开口部中。
发光元件420G包括第二下部电极421G、上部电极422以及包含发光有机化合物的层（以下也称为EL层）423。
〈晶体管的结构〉
图1A所例示的显示面板400虽然应用顶栅型晶体管，但不限于此，也可以应用底栅型晶体管。源极侧驱动电路部403s、栅极侧驱动电路部403g以及子像素可以应用各种结构的晶体管。此外，在形成这些晶体管的沟道的区域中，可以使用各种半导体。具体来说，除了可以使用非晶硅、多晶硅、单晶硅之外，还可以使用氧化物半导体等。作为氧化物半导体的一个例子，可以举出至少含有铟（In）或锌（Zn）的氧化物半导体，优选含有In和Zn的氧化物半导体。尤其是，这些氧化物半导体优选包含选自镓（Ga）或锡（Sn）中的一种或多种。
通过在形成有晶体管的沟道的区域中使用单晶半导体，可以实现晶体管尺寸的微型化，因此在显示部中可以进一步实现像素的高清晰化。
作为构成半导体层的单晶半导体，除了可以使用单晶硅衬底等的半导体衬底之外，还可以使用在绝缘表面上设置有单晶半导体层的SOI（Silicon On Insulator：绝缘体上硅）衬底。
〈像素的结构〉
以下，参照图2B说明设置在显示部401中的像素402的结构。图2A是像素402的俯视图，图2B是包括沿图2A的切断线E-F的截面的结构的侧面图，图2C是包括沿图2A的切断线H-I及J-K的截面的像素结构的侧面图。
本实施方式所例示的像素402包括子像素402G，并且子像素402G具备发光元件420G，该发光元件420G包括兼作反射膜的第二下部电极421G、兼作半透射半反射膜的上部电极422以及EL层423。EL层423包括发光单元423a、发光单元423b以及它们之间的中间层424。中间层424的导电性高于发光单元423a。此外，子像素402G还包括滤色片441G，该滤色片441G以与发光元件420G重叠的方式设置在上部电极422一侧（参照图2B）。
此外，像素402包括发射呈现蓝色的光B的子像素402B、发射呈现绿色的光G的子像素402G以及发射呈现红色的光R的子像素402R。每个子像素具备驱动用晶体管及发光模块450B、发光模块450G或发光模块450R。每个发光模块具备反射膜、半透射半反射膜以及位于反射膜与半透射半反射膜之间的发光元件420B､发光元件420G或发光元件420R。
作为发光模块的结构具备发光元件420G，该发光元件420G在兼作反射膜的第二下部电极421G与兼作半透射半反射膜的上部电极422之间具备EL层423，该EL层423包括发光单元423a、发光单元423b以及中间层424。
通过层叠反射膜和半透射半反射膜构成微谐振器并在其间设置发光元件420G，可以从半透射半反射膜一侧高效地取出具有特定的波长的光。通过将微谐振器的光学距离设定得使所取出的光互相加强，可以提高光取出效率。取出的光的波长依赖于反射膜和半透射半反射膜之间的距离，该距离可以在反射膜和半透射半反射膜之间形成光学调整层来调整。
作为可以用于光学调整层的材料，除了对可见光具有透光性的导电膜之外，还可以应用包含发光有机化合物的层。例如，可以采用通过调整电荷产生区域的厚度来使电荷产生区域兼作光学调整层的结构。或者，可以采用以下结构：通过调整包含高空穴传输性物质以及对该高空穴传输性物质呈现受主性的物质的区域的厚度，来使该混合材料层兼作光学调整层。通过采用该结构，即使在光学调整层较厚的结构的情况下也可以抑制驱动电压的上升，所以是优选的。
此外，发光元件的结构例子将在实施方式2中详细地说明。
在本实施方式所例示的发光模块450B、发光模块450G以及发光模块450R中，设置在每个发光模块中的发光元件的上部电极422兼作半透射半反射膜。详细地说，在发光元件420B､发光元件420G以及发光元件420R中共用的上部电极422兼作发光模块450B、发光模块450G以及发光模块450R的半透射半反射膜。
此外，每个发光模块中以电独立的方式设置有发光元件的下部电极，下部电极兼作发光模块的反射膜。具体而言，设置在发光元件420B中的第一下部电极421B兼作发光模块450B的反射膜，设置在发光元件420G中的第二下部电极421G兼作发光模块450G的反射膜，并且设置在发光元件420R中的第三下部电极421R兼作发光模块450R的反射膜。
兼作发光模块450B、发光模块450G以及发光模块450R的反射膜的第一至第三下部电极421B、421G以及421R具有在反射膜上层叠有光学调整层的结构。光学调整层由对可见光具有透光性的导电膜形成，反射膜优选是对可见光的反射率高且具有导电性的金属膜。
根据从发光模块取出的光的波长的长度来调整光学调整层的厚度。以下进行详细说明。
例如，发光模块450B包括透射呈现蓝色的光的滤色片441B、兼作反射膜的第一下部电极421B以及兼作半透射半反射膜的上部电极422，其中第一下部电极421B与上部电极422之间的光学距离被调整为使具有400nm以上且低于500nm的波长的光互相加强的距离。
此外，发光模块450G包括透射呈现绿色的光的滤色片441G、兼作反射膜的第二下部电极421G以及兼作半透射半反射膜的上部电极422，其中第二下部电极421G与上部电极422之间的光学距离被调整为使具有500nm以上且低于600nm的波长的光互相加强的距离。
此外，发光模块450R包括透射呈现红色的光的滤色片441R、兼作反射膜的第三下部电极421R以及兼作半透射半反射膜的上部电极422，其中第三下部电极421R与上部电极422之间的光学距离被调整为使具有600nm以上且低于800nm的波长的光互相加强的距离。
在采用这种结构的发光模块中，发光元件所发射的光在反射膜和半透射半反射膜之间互相干涉，具有400nm以上且低于800nm的波长的光中的特定的光互相加强，且滤色片吸收不需要的光。
此外，发光模块450B、发光模块450G以及发光模块450R都包括具有发光单元423a、中间层424和发光单元423b的EL层423。此外，发光元件420B､发光元件420G以及发光元件420R的一对电极（第一下部电极421B、第二下部电极421G以及第三下部电极421R和上部电极422)都是其中一个兼作反射膜，另一个兼作半透射半反射膜。
这种结构的发光模块可以通过同一工序形成发光单元。
〈隔壁的结构〉
图2C中的左边附图是包括沿图2A的切断线H-I的截面的结构的侧面图。图2C中的右边附图是包括沿图2A的切断线J-K的截面的结构的侧面图。
如图2A所示，隔壁418形成在像素402的周围以及子像素402B、子像素402G、子像素402R的周围（参照图2A）。隔壁418形成为覆盖第一下部电极421B、第二下部电极421G以及第三下部电极421R的端部（参照图2B）。作为隔壁418的材料可以使用正性或负性的光敏树脂。
此外，隔壁418具有第一凹部418a，并具有由第一凹部418a形成的第一倾斜面418b及第二倾斜面418c。优选在第一凹部418a中形成有具有曲率的曲面。图2A所示的发光面板中的隔壁418的第一凹部418a形成在发光颜色不同的子像素402B、子像素402G、子像素402R之间，而不形成在发光颜色相同的子像素402B、子像素402G、子像素402R之间。注意，隔壁418的第一凹部418a不局限于图2A所示的，而也可以如图3A所示的发光面板那样将隔壁418的第一凹部418a形成在发光颜色不同的子像素402B、子像素402G、子像素402R之间及发光颜色相同的子像素之间。就是说，隔壁418的第一凹部418a可以形成在所有子像素之间。
以下详细地说明隔壁418。隔壁418具有谷部418d、相对于谷部418d位于第一下部电极421B一侧的第一山部418e以及相对于谷部418d位于所述第二下部电极421G一侧的第二山部418f(参照图2C)。
作为隔壁418的第一凹部418a的形成方法的一个例子，有如下方法，即在作为隔壁418的基底的层如绝缘层416中形成作为第二凹部的槽部416a，并以与槽部416a重叠的方式形成隔壁418的方法（参照图2C）。形成在绝缘层416中的槽部416a与用来连接第二下部电极421G和晶体管的开口部（未图示）可以以同一工序形成，由此可以简化工序。也可以在绝缘层416下设置布线415，并将该布线415用作蚀刻绝缘层416时的蚀刻停止层来形成槽部416a。
此外，隔壁418也可以具有两个以上的第一凹部418a。就是说，也可以具有两个以上的谷部及三个以上的山部。作为此情况下的形成方法的一个例子，有在绝缘层416中形成作为第二凹部的两个以上的槽部416a，并以与两个以上的槽部416a重叠的方式形成隔壁418的方法。
隔壁418的第一凹部的详细的形成方法以后再描述。
与EL层423的垂直于第二下部电极421G的方向上的厚度相比，EL层423的垂直于隔壁418的第一倾斜面418b及第二倾斜面418c（作为第二凹部的槽部416a所形成的倾斜面）的方向上的厚度更薄。因此，与此同样，与包括在EL层423中的导电性高的层（如载流子注入层423a1等）的垂直于第二下部电极421G的方向上的厚度相比，导电性高的层的垂直于隔壁418的第一倾斜面418b及第二倾斜面418c的方向上的厚度更薄（参照图2C）。由此，与隔壁418的倾斜面重叠的部分的导电性高的层的电阻变高而使导电性下降，结果，可以抑制流过中间层的电流，而可以抑制发光颜色不同的相邻像素之间或子像素之间的串扰现象发生。
此外，与中间层424a的垂直于第二下部电极421G的方向上的厚度相比，中间层424b的垂直于隔壁418的第一倾斜面418b及第二倾斜面418c的方向上的厚度更薄。由此，与隔壁418的倾斜面重叠的部分的中间层424b的电阻变高而使导电性下降，结果，可以抑制流过中间层的电流，而可以抑制发光颜色不同的相邻像素之间或子像素之间的串扰现象发生。
此外，包括位于隔壁418的第一倾斜面418b及第二倾斜面418c上的中间层424b的EL层423及上部电极422也可以断开，但是优选使上部电极422不断开。通过使上部电极422不断开，可以使相邻的像素中的上部电极422的电位变得相等，从而上部电极422的电位面状地相等，优选的是，上部电极422的电位在整体上相等，由此得到能够抑制电压下降等的效果。
此外，通过在隔壁418中形成第一凹部418a，可以使从一个子像素到另一个子像素的电流的路径变长。就是说，第一凹部418a上的中间层424b的长度变得比没有第一凹部的隔壁上的中间层长。由此，可以提高第一凹部418a上的中间层424b的电阻。由此，可以抑制流过中间层的电流，而可以抑制像素之间或子像素之间的串扰现象发生。就是说，通过以不增高隔壁的高度的方式使流过中间层424b的电流的路径变长，可以防止电串扰现象。
此外，通过将滤色片441G配置为与位于隔壁418上的上部电极422接近或接触，可以将滤色片441G设置为与发光元件420G接近。由此，可以防止在从倾斜方向观察子像素时发生的光学串扰现象（也可以称为光泄漏）。
详细地说，在滤色片441G与发光元件420G之间有相当距离时，发生光混入与发光的发光元件420G相邻的滤色片441B、滤色片441R中的现象，这导致颜色纯度下降。于是，通过在隔壁418中形成具备高锥度部分的两个以上的山部418e及418f，可以将隔壁418的高度设定为比具有一个山部而没有谷部的隔壁低。由此，通过将与位于其高度下降了的隔壁418上的上部电极422接近或接触的滤色片441G设置为与发光元件420G重叠，可以与具有一个山部而没有谷部的隔壁的情况相比减小滤色片441G与发光元件420G之间的距离，而可以提高面板的颜色纯度。
此外，因为在山部418e与山部418f之间形成有谷部418d，这使得波导光不能直线前进，从而不易使一个像素的光经过隔壁418进入与此相邻的像素。结果，可以抑制光学串扰现象的发生。
此外，通过在隔壁418中设置第一凹部418a，并将吸收可见光的材料应用于隔壁418而使隔壁418被着色，可以吸收进入隔壁内的发光元件的波导光。因此，发挥抑制从彼此相邻的发光元件中的一个向其中另一个的光泄漏现象的效果。
此外，也可以将半透射半反射膜作为包括第一下部电极及第二下部电极的下部电极设置在第一衬底410一侧而将发光模块所发射的光取出到第一衬底410一侧，以在第一衬底410一侧显示图像。
〈密封结构〉
本实施方式所例示的显示面板400具有在由第一衬底410、第二衬底440和密封材料405围绕的空间431密封发光元件的结构（参照图1A和图1B）。
空间431除了填充有惰性气体（氮或氩等）的情况以外，还有时填充有树脂。此外，也可以向空间431引入杂质（典型的是，水和/或氧）的吸附材料（例如，干燥材料等）。
密封材料405和第二衬底440优选为尽量不使大气中的杂质（典型的是，水和/或氧）透过的材料。作为密封材料405可以使用环氧类树脂或玻璃粉等。
作为可以用于第二衬底440的材料的例子，除了玻璃衬底或石英衬底之外还可以举出由PVF（聚氟乙烯）、聚酯或丙烯酸类树脂等构成的塑料衬底或FRP（Fiberglass-Reinforced Plastics：玻璃纤维增强塑料）等。
〈隔壁的制造方法〉
图4A至4G是示出根据本发明的一实施方式的隔壁的制造方法的截面图。首先，在第一衬底410上形成第一布线415b及第二布线415g（参照图4A）。
接着，在第一布线415b、第二布线415g以及第一衬底上形成作为平坦化膜的光敏绝缘层416（参照图4B）。
接着，通过对光敏绝缘层416进行曝光及显影，在绝缘层416中形成分别位于第一布线415b及第二布线415g上的第一接触孔416b及第二接触孔416g、作为第二凹部的槽部416a（参照图4C）。经上述步骤，可以同时制造第一接触孔416b、第二接触孔416g以及抗串扰用槽部416a。在使用非光敏绝缘层416的情况下，使用蚀刻法形成第一接触孔416b、第二接触孔416g以及作为第二凹部的槽部416a。此时，通过在第一接触孔416b的位置设置第一布线415b，在第二接触孔416g的位置设置第二布线415g，并在槽部416a的位置设置第一布线415b与第二布线415g之间的布线，将它们用作蚀刻停止层。
注意，第一接触孔416b及第二接触孔416g必须要到达第一布线415b及第二布线415g，但是槽部416a不必一定要到达布线。不到达布线的槽部416a可以通过使用用来形成第一接触孔416b及第二接触孔416g的光掩模及其他光掩模分两次地进行曝光或者使用半色调掩模而形成。
接着，在第一接触孔416b、第二接触孔416g、槽部416a及绝缘层416上形成电极层，在该电极层上形成光致抗蚀剂膜(未图示)，对该光致抗蚀剂膜进行曝光及显影，由此在电极层上形成抗蚀剂掩模。接着，通过以该抗蚀剂掩模为掩模对电极层进行蚀刻加工，形成包括第一下部电极118b、第二下部电极118g以及第三下部电极118r的下部电极（参照图4D）。具体而言，在第一接触孔416b内及绝缘层416上形成位于槽部416a的一个侧的第一下部电极118b，并在第二接触孔416g内及绝缘层416上形成位于槽部416a的另一侧的第二下部电极118g｡注意，第一下部电极118b及第二下部电极118g未在槽部416a内形成。
接着，在槽部416a内、第一下部电极118b的边缘部上以及第二下部电极118g的边缘部上形成隔壁418（参照图4E）。隔壁418具有位于作为第二凹部的槽部416a上的第一凹部，并具有第一凹部所形成的第一及第二倾斜面。换言之，隔壁418具有位于槽部416a的底部上的谷部、相对于谷部位于一方的第一下部电极118b一侧的第一山部以及相对于谷部位于另一方的第二下部电极118g一侧的第二山部。在第一山部的顶点与谷部之间形成第一倾斜面，并在第二山部的顶点与谷部之间形成第二倾斜面。
具体而言，将光敏树脂层形成在设有作为第二凹部的槽部416a的绝缘层416及包括第一下部电极118b及第二下部电极118g的下部电极上。此时，该光敏树脂层受到槽部416a的影响，而在槽部416a上形成第一凹部。接着，通过使用光掩模对该光敏树脂层进行曝光及显影，形成具有位于槽部416a上的第一凹部的隔壁418。此外，沿包括第一下部电极118b及第二下部电极118g的下部电极及槽部416a的形状形成的层（之后成为隔壁的层）也可以由光敏材料以外的材料形成，在此情况下可以在该层上层叠光致抗蚀剂膜并利用光刻法将该层构图为岛状，以形成隔壁。
作为在隔壁418中形成第一凹部的方法的变形例，有将等离子体照射到隔壁418的方法。通过将等离子体照射到隔壁418，使隔壁418的表面变得粗糙，而可以形成多个宽度窄且深度浅的凹部。注意，将形成有多个宽度窄且深度浅的凹部的结构不仅可以应用于形成在设有槽部的绝缘层416上的上述隔壁418，而且还可以应用于形成在未设有槽部的绝缘层416上的隔壁418（参照图3B）。
此外，作为在隔壁418中形成第一凹部的方法的其他变形例，有使用多级灰度掩模（也称为半色调掩模）的方法。在未形成槽部的绝缘层及包括第一下部电极118b及第二下部电极118g的下部电极上形成将成为隔壁的层，在该层上层叠光致抗蚀剂膜。接着，用多级灰度掩模的高透光率部分及低透光率部分对光致抗蚀剂膜进行曝光及显影以对将成为隔壁的层的残留部分及非残留部分形成抗蚀剂图案，并用多级灰度掩模的具有中间透光率的部分对光致抗蚀剂膜进行曝光及显影以对将成为隔壁的层的第一凹部形成抗蚀剂图案。接着，通过以该抗蚀剂图案为掩模对将成为隔壁的层进行蚀刻加工，形成具有第一凹部的隔壁。注意，在将使用正性光敏树脂层用于将成为隔壁的层时，优选使用如下多级灰度掩模，该掩模对将去除该树脂层的部分具备高透光率部分、对将形成隔壁的部分具备低透光率部分以及对将形成第一凹部的部分具有中间透光率的部分。
接着，在第一下部电极118b、第二下部电极118g以及隔壁418上使用蒸镀法形成发光单元423a，并在该发光单元423a上使用蒸镀法形成作为导电性高的层的中间层424a。接着，在中间层424a上使用蒸镀法形成发光单元423b，并在该发光单元423b上形成上部电极422。位于第一及第二倾斜面上的中间层的厚度薄于位于第一下部电极118b及第二下部电极118g上的中间层（参照图4F及图5）。
接着，配置与位于隔壁418上的上部电极422接近或接触的滤色片441B、441G以及441R，并使用密封材料（未图示）将发光元件与惰性气体或树脂一起密封在第一衬底410与第二衬底440之间。作为滤色片，例如，形成有与第二衬底440及第一下部电极118b重叠的蓝色滤光片441B、与第二下部电极118g重叠的绿色滤光片441G，并且在蓝色滤光片441B与绿色滤光片441G之间形成有遮光性膜105（参照图4G）。
实施方式2
参照图6A至图6C对可以用于本发明的一实施方式的发光模块的发光元件的结构进行说明。
本实施方式所例示的发光元件具备下部电极、上部电极及下部电极与上部电极之间的包含发光有机化合物的层（以下称为EL层）。上部电极和下部电极的任一个用作阳极，而另一个用作阴极。EL层设置在下部电极和上部电极之间，该EL层的结构根据下部电极和上部电极的材料适当地选择，即可。
〈发光元件的结构例子〉
图6A示出发光元件的结构的一个例子。图6A所例示的发光元件在阳极1101和阴极1102之间设置有包括发光单元1103a和发光单元1103b的EL层。再者，发光单元1103a与发光单元1103b之间设置有中间层1104。
当对阳极1101和阴极1102之间施加高于发光元件的阈值电压的电压时，来自阳极1101一侧的空穴以及来自阴极1102一侧的电子注入到EL层。被注入的电子和空穴在EL层中复合，于是包含在EL层中的发光物质发光。
设置在阳极1101和阴极1102之间的发光单元的数量不局限于两个。图6C所例示的发光元件具有层叠有多个发光单元1103的所谓串联型发光元件的结构。但是，当在阳极和阴极之间设置n（n是2以上的自然数）层的发光单元1103时，在第m（m是自然数，1以上且（n-1）以下的自然数）发光单元和第（m+1）发光单元之间的都设置中间层1104。
发光单元1103具有至少一个或更多的包含发光物质的发光层，即可。发光单元1103也可以采用发光层与发光层以外的层的叠层结构。作为发光层以外的层，例如可以举出包含高空穴注入性物质、高空穴传输性物质、低空穴传输性（空穴阻挡性）物质、高电子传输性物质、高电子注入性物质以及双极性（电子及空穴的传输性高）的物质等的层。尤其是，与阳极接触地设置的包含高空穴注入性物质的层以及与阴极接触地设置的包含高电子注入性物质的层可以减少从电极到发光单元的载流子的注入势垒。可以将这些层称为载流子注入层。
图6B示出发光单元1103的具体结构的一个例子。图6B所示的发光单元1103从阳极1101一侧按顺序层叠有空穴注入层1113、空穴传输层1114、发光层1115、电子传输层1116以及电子注入层1117。
图6A示出中间层1104的具体结构的一个例子。中间层1104至少包括电荷产生区域而形成，即可，也可以是层叠电荷产生区域与电荷产生区域以外的层的叠层结构。例如，可以采用如下结构：从阴极1102一侧按顺序层叠第一电荷产生区域1104c、电子中继层1104b及电子注入缓冲层1104a。
对中间层1104中的电子和空穴的举动进行说明。当对阳极1101和阴极1102之间施加高于发光元件的阈值电压的电压时，在第一电荷产生区域1104c中产生空穴和电子，空穴移动到设置在阴极1102一侧的发光单元1103b，电子移动到电子中继层1104b。
电子中继层1104b的电子传输性高，因此可将在第一电荷产生区域1104c中产生的电子快速传送到电子注入缓冲层1104a。电子注入缓冲层1104a缓和将电子注入到发光单元1103a的势垒，而提高对发光单元1103a的电子注入效率。因此，在第一电荷产生区域1104c中产生的电子经过电子中继层1104b和电子注入缓冲层1104a注入到发光单元1103a的分子最低空轨道能级（以下称为“LUMO能级”）。
此外，电子中继层1104b可以防止构成第一电荷产生区域1104c的物质和构成电子注入缓冲层1104a的物质在界面起反应而损坏彼此功能等的相互作用。
注入到设置在阴极一侧的发光单元1103b的空穴与从阴极1102注入的电子复合，由此包含在该发光单元1103b中的发光物质发光。注入到设置在阳极一侧的发光单元1103a的电子与从阳极一侧注入的空穴复合，而包含在该发光单元1103a中的发光物质发光。因此，在中间层1104中产生的空穴和电子分别在彼此不同的发光单元中引起发光。
此外，当通过将发光单元设置为彼此接触，而在两者之间形成与中间层同样的结构时，可以将发光单元设置为彼此接触。具体而言，当在发光单元的一个面形成有电荷产生区域时，因为该电荷产生区域用作中间层的第一电荷产生区域，所以可以将发光单元设置为彼此接触。
此外，也可以在阴极和第n发光单元之间设置中间层。
〈可以用于发光元件的材料〉
接着，关于可以用于具备上述结构的发光元件的具体材料，依次说明阳极、阴极、EL层、电荷产生区域、电子中继层以及电子注入缓冲层。
〈可以用于阳极的材料〉
阳极1101优选使用功函数大（具体而言，优选为4.0eV以上）的金属、合金、导电化合物以及它们的混合物等。具体而言，例如可以举出铟锡氧化物（ITO：Indium Tin Oxide）、含有硅或氧化硅的铟锡氧化物、铟锌氧化物（Indium Zinc Oxide）、含有氧化钨及氧化锌的氧化铟等。
此外，可以举出下述物质：金（Au）、铂（Pt）、镍（Ni）、钨（W）、铬（Cr）、钼（Mo）、铁（Fe）、钴（Co）、铜（Cu）、钯（Pd）、钛（Ti）、金属材料的氮化物（例如氮化钛等）、钼氧化物、钒氧化物、钌氧化物、钨氧化物、锰氧化物、钛氧化物等。
但是，当以与阳极1101接触的方式设置第二电荷产生区域时，可以不考虑功函数地将各种导电材料用于阳极1101。具体而言，不仅可以使用功函数大的材料，还可以使用功函数小的材料。在后面描述构成第一电荷产生区域的材料及构成第二电荷产生区域的材料。
〈可以用于阴极的材料〉
虽然阴极1102优选使用功函数小（具体地低于4.0eV）的材料，但是通过将第一电荷产生区域与阴极1102接触地设置在阴极1102和发光单元1103之间，阴极1102可以与功函数的大小无关地使用各种导电材料。
此外，使用透射可见光的导电膜形成阴极1102和阳极1101中的至少一方。作为透射可见光的导电膜，例如可以举出含有氧化钨的铟氧化物、含有氧化钨的铟锌氧化物、含有氧化钛的铟氧化物、含有氧化钛的铟锡氧化物、铟锡氧化物、铟锌氧化物、添加有氧化硅的铟锡氧化物等。此外，也可以使用能够透射光的厚度（优选为5nm以上且30nm以下左右）的金属薄膜。
〈可以用于EL层的材料〉
以下示出可以用于构成上述发光单元1103的各层的材料的具体例子。
〈空穴注入层〉
空穴注入层是包含高空穴注入性物质的层。作为高空穴注入性物质，例如可以使用钼氧化物、钒氧化物、钌氧化物、钨氧化物、锰氧化物等。此外，还可以使用酞菁类化合物如酞菁（简称：H2Pc）或酞菁铜（简称：CuPc）、高分子如聚（3,4-乙烯二氧噻吩）/聚（苯乙烯磺酸）（PEDOT/PSS）等形成空穴注入层。
此外，可以使用第二电荷产生区域来代替空穴注入层。当使用第二电荷产生区域时，如上所述，可以不考虑功函数地使用各种导电材料作为阳极1101。在后面描述构成第一电荷产生区域的材料及构成第二电荷产生区域的材料。
〈空穴传输层〉
空穴传输层是包含高空穴传输性物质的层。空穴传输层不限于单层，也可以层叠两层以上的包含高空穴传输性物质的层。作为空穴传输层使用空穴传输性高于电子传输性的物质即可。因为可以降低发光元件的驱动电压，所以尤其优选使用具有10-6cm2/Vs以上的空穴迁移率的物质。
〈发光层〉
发光层是包含发光物质的层。发光层不限于单层，也可以为层叠有两层以上的包含发光物质的层的叠层。作为发光物质，可以使用荧光化合物或磷光化合物。将磷光化合物用于发光物质可以提高发光元件的发光效率，所以是优选的。
优选将发光物质分散在主体材料中使用。作为主体材料，优选使用其激发能量大于发光物质的激发能量的材料。
〈电子传输层〉
电子传输层是包含高电子传输性物质的层。电子传输层不局限于单层结构，也可以是层叠两层以上的包含高电子传输性物质的层的结构。作为电子传输层使用电子传输性高于空穴传输性的物质即可。因为可以降低发光元件的驱动电压，所以特别优选使用具有10-6cm2/Vs以上的电子迁移率的物质。
〈电子注入层〉
电子注入层是包含高电子注入性物质的层。电子注入层不限于单层，也可以是层叠两层以上的包含高电子注入性物质的层的叠层。通过采用设置电子注入层的结构，可以提高来自阴极1102的电子注入效率而降低发光元件的驱动电压，所以是优选的。
作为高电子注入性物质，例如可以举出锂（Li）、铯（Cs）、钙（Ca）、氟化锂（LiF）、氟化铯（CsF）、氟化钙（CaF2）等碱金属、碱土金属或它们的化合物。此外，还可以使用其中含有碱金属、碱土金属、镁（Mg）或它们的化合物的电子传输性物质，例如，其中含有镁（Mg）的Alq等。
〈可以用于电荷产生区域的材料〉
第一电荷产生区域1104c和第二电荷产生区域是包含高空穴传输性物质和对空穴传输性物质呈现受主性的物质的区域。此外，电荷产生区域既可以在同一个膜中含有高空穴传输性物质和对空穴传输性物质呈现受主性的物质，又可以层叠有包含高空穴传输性物质的层和包含对空穴传输性物质呈现受主性的物质的层。但是，在与阴极接触地设置的第一电荷产生区域采用叠层结构的情况下，含有高空穴传输性物质的层与阴极1102接触。在与阳极接触地设置的第二电荷产生区域采用叠层结构的情况下，含有对空穴传输性物质呈现受主性的物质的层与阳极1101接触。
此外，优选的是，在电荷产生区域中，以对空穴传输性物质呈现受主性的物质与高空穴传输性物质的质量比为0.1:1以上且4.0:1以下的比例添加对空穴传输性物质呈现受主性的物质。
作为用于电荷产生区域的对空穴传输性物质呈现受主性的物质，优选使用过渡金属氧化物，尤其是属于元素周期表中的第四族至第八族的金属的氧化物。具体而言，氧化钼是特别优选的。此外，氧化钼具有吸湿性低的特征。
此外，作为用于电荷产生区域的高空穴传输性物质，可以使用各种有机化合物诸如芳香胺化合物、咔唑衍生物、芳香烃、高分子化合物（包括低聚物、树状聚合物、聚合体）等。具体而言，优选使用具有10-6cm2/Vs以上的空穴迁移率的物质。但是，只要是空穴传输性高于电子传输性的物质，使用上述以外的物质也可以。
〈可以用于电子中继层的材料〉
电子中继层1104b是能够快速接收由对空穴传输性物质呈现受主性的物质在第一电荷产生区域1104c中抽出的电子的层。因此，电子中继层1104b是包含高电子传输性物质的层，并且其LUMO能级位于第一电荷产生区域1104c中的对空穴传输性物质呈现受主性的物质的受主能级与发光单元1103的LUMO能级之间。具体而言，优选设定为-5.0eV以上且-3.0eV以下。
作为用于电子中继层1104b的物质，例如，可以举出二萘嵌苯衍生物和含氮稠环芳香化合物。此外，因为含氮稠环芳香化合物是稳定的化合物，所以作为用于电子中继层1104b的物质是优选的。再者，通过使用含氮稠环芳香化合物中的具有氰基或氟等电子吸引基的化合物，能够使电子中继层1104b中的电子接受变得更容易，所以是优选的。
〈可以用于电子注入缓冲层的材料〉
电子注入缓冲层1104a是使电子容易从第一电荷产生区域1104c注入到发光单元1103a的层。通过在第一电荷产生区域1104c和发光单元1103a之间设置电子注入缓冲层1104a，可以缓和两者的注入势垒。
电子注入缓冲层1104a可以使用碱金属、碱土金属、稀土金属以及它们的化合物（碱金属化合物（包括氧化锂等氧化物、卤化物、碳酸锂或碳酸铯等碳酸盐）、碱土金属化合物（包括氧化物、卤化物、碳酸盐）或稀土金属的化合物（包括氧化物、卤化物、碳酸盐））等高电子注入性物质。
此外，在电子注入缓冲层1104a包含高电子传输性物质和施主物质而形成的情况下，优选以施主物质与高电子传输性物质的质量比为0.001:1以上且0.1:1以下的比例添加施主物质。此外，作为施主物质，除了碱金属、碱土金属、稀土金属和它们的化合物（碱金属化合物（包括氧化锂等氧化物、卤化物、碳酸锂或碳酸铯等碳酸盐）、碱土金属化合物（包括氧化物、卤化物、碳酸盐）或稀土金属的化合物（包括氧化物、卤化物、碳酸盐））以外，还可以使用四硫并四苯（tetrathianaphthacene）（简称：TTN）、二茂镍、十甲基二茂镍等有机化合物。此外，作为高电子传输性物质，可以使用与以上说明的可以形成在发光单元1103中的一部分的电子传输层的材料同样的材料来形成。
〈发光元件的制造方法〉
对发光元件的制造方法的一个实施方式进行说明。通过在下部电极上适当地组合上述层来形成EL层。根据用于EL层的材料可以采用各种方法（例如干式法或湿式法等）。例如，可以选择使用真空蒸镀法、喷墨法、旋涂法等。此外，也可以分别采用不同的方法形成每个层。在EL层上形成上部电极，来制造发光元件。
通过组合上述材料可以制造本实施方式所示的发光元件。从该发光元件能够获得来自上述发光物质的发光，并可以通过改变发光物质的种类来选择发光颜色。
此外，通过使用发光颜色不同的多个发光物质，可以扩大发射光谱的宽度，例如能够得到白色发光。在要得到白色发光的情况下，例如采用具备至少两个包含发光物质的层的结构，并构成为使每个层分别发射呈现互补色的关系的颜色的光，即可。作为具体的互补色的关系，例如可以举出蓝色与黄色、蓝绿色与红色等。
再者，在要得到彩色再现性良好的白色发光的情况下，优选使用发射光谱扩大到可见光全区域的结构，例如，采用一个发光元件具备发射呈现蓝色的光的层、发射呈现绿色的光的层及发射呈现红色的光的层的结构，即可。
注意，本实施方式可以与本说明书所记载的其他实施方式适当地组合而实施。
符号说明
81 上部电极
82 第一下部电极
83 第二下部电极
84 第三下部电极
85 第一发光单元
86 中间层
87 第二发光单元
88 对置玻璃衬底
89 载流子注入层
105 遮光性膜
118b 第一下部电极
118g 第二下部电极
400 显示面板
401 显示部
402 像素
402B 发射呈现蓝色的光B的子像素
402G 发射呈现绿色的光G的子像素
402R 发射呈现红色的光R的子像素
403g 栅极侧驱动电路部
403s 源极侧驱动电路部
405 密封材料
408 引绕布线
409 FPC(柔性印刷电路)
410 第一衬底
411 开关用晶体管
412 电流控制用晶体管
413 n沟道型晶体管
414 p沟道型晶体管
415 布线
416 绝缘层
416a 作为第二凹部的槽部
416b 接触孔
416g 接触孔
418 隔壁
418a 第一凹部
418b 第一倾斜面
418c 第二倾斜面
418d 谷部
418e 第一山部
418f 第二山部
420B 发光元件
420G 发光元件
420R 发光元件
421B 第一下部电极
421G 第二下部电极
421R 第三下部电极
422 上部电极
423 包含发光性有机化合物的EL层
423a 发光单元
423b 发光单元
424 中间层
424a 中间层
424b 中间层
431 空间
440 第二衬底
441B 滤色片
441G 滤色片
441R 滤色片
442 遮光性膜
450B 发光模块
450G 发光模块
450R 发光模块
1101 阳极
1102 阴极
1103 发光单元
1103a 发光单元
1103b 发光单元
1104 中间层
1104a 电子注入缓冲层
1104b 电子中继层
1104c 电荷产生区域
1113 空穴注入层
1114 空穴传输层
1115 发光层
1116 电子传输层
1117 电子注入层。

Claims (20)

1.一种发光装置，包括：
绝缘层；
所述绝缘层上的第一下部电极；
所述绝缘层上的第二下部电极；
所述绝缘层上及所述第一下部电极与所述第二下部电极之间的隔壁；
所述第一下部电极、所述隔壁以及所述第二下部电极上的第一发光单元；
所述第一发光单元上的中间层；
所述中间层上的第二发光单元；以及
所述第二发光单元上的上部电极，
其中，所述隔壁包括第一凹部，
其中，所述绝缘层包括第二凹部，
其中，所述隔壁位于所述第二凹部内，
并且，其中，所述第一凹部位于所述第二凹部上。
2.根据权利要求1所述的发光装置，
其中，所述第一凹部的倾斜面上的所述中间层的垂直于所述倾斜面的方向上的厚度小于所述第一下部电极上的所述中间层的垂直于所述第一下部电极的方向上的厚度。
3.根据权利要求2所述的发光装置，
其中，所述第一发光单元包括载流子注入层，
并且，其中，所述倾斜面上的所述载流子注入层的垂直于所述倾斜面的方向上的厚度小于所述第一下部电极上的所述载流子注入层的垂直于所述第一下部电极的方向上的厚度。
4.根据权利要求2所述的发光装置，还包括EL层，
其中，所述EL层包括所述第一发光单元、所述中间层以及所述第二发光单元，并且，其中，所述倾斜面上的所述EL层的垂直于所述倾斜面的方向上的厚度小于所述第一下部电极上的所述EL层的垂直于所述第一下部电极的方向上的厚度。
5.根据权利要求1所述的发光装置，还包括与所述上部电极接近或接触的滤色片，
其中，所述滤色片的颜色在与所述第一下部电极重叠的区域中为第一颜色，并在与所述第二下部电极重叠的区域中为第二颜色。
6.根据权利要求1所述的发光装置，
其中，所述隔壁被着色。
7.根据权利要求1所述的发光装置，
其中，所述隔壁覆盖所述第一下部电极的边缘部及所述第二下部电极的边缘部。
8.一种发光装置，包括：
绝缘层；
所述绝缘层上的第一下部电极；
所述绝缘层上的第二下部电极；
所述绝缘层上及所述第一下部电极与所述第二下部电极之间的隔壁；
所述第一下部电极、所述隔壁以及所述第二下部电极上的第一发光单元；
所述第一发光单元上的中间层；
所述中间层上的第二发光单元；以及
所述第二发光单元上的上部电极，
其中，所述隔壁具有谷部、在所述谷部的所述第一下部电极一侧的第一山部以及在所述谷部的所述第二下部电极一侧的第二山部，
其中，所述第一山部的顶点与所述谷部之间的第一倾斜面上的所述中间层的垂直于所述第一倾斜面的方向上的厚度小于所述第一下部电极上的所述中间层的垂直于所述第一下部电极的方向上的厚度，
其中，所述第二山部的顶点与所述谷部之间的第二倾斜面上的所述中间层的垂直于所述第二倾斜面的方向上的厚度小于所述第一下部电极上的所述中间层的垂直于所述第一下部电极的方向上的厚度，
其中，所述绝缘层包括槽部，
其中，所述隔壁位于所述槽部内，
并且，其中，所述谷部位于所述槽部的底部上。
9.根据权利要求8所述的发光装置，
其中，所述第一发光单元包括载流子注入层，
其中，所述第一倾斜面上的所述载流子注入层的垂直于所述第一倾斜面的方向上的厚度小于所述第一下部电极上的所述载流子注入层的垂直于所述第一下部电极的方向上的厚度，
并且，其中，所述第二倾斜面上的所述载流子注入层的垂直于所述第二倾斜面的方向上的厚度小于所述第一下部电极上的所述载流子注入层的垂直于所述第一下部电极的方向上的厚度。
10.根据权利要求8所述的发光装置，还包括EL层，
其中，所述EL层包括所述第一发光单元、所述中间层以及所述第二发光单元，
其中，所述第一倾斜面上的所述EL层的垂直于所述第一倾斜面的方向上的厚度小于所述第一下部电极上的所述EL层的垂直于所述第一下部电极的方向上的厚度，
并且，其中，所述第二倾斜面上的所述EL层的垂直于所述第二倾斜面的方向上的厚度小于所述第一下部电极上的所述EL层的垂直于所述第一下部电极的方向上的厚度。
11.一种发光装置的制造方法，包括如下步骤：
在绝缘层上形成第一下部电极及第二下部电极；
在所述绝缘层上及所述第一下部电极与所述第二下部电极之间形成隔壁；
在所述第一下部电极、所述隔壁以及所述第二下部电极上形成第一发光单元；
在所述第一发光单元上形成中间层；
在所述中间层上形成第二发光单元；以及
在所述第二发光单元上形成上部电极，
其中，所述隔壁具有第一凹部，
其中，所述绝缘层包括第二凹部，
其中，所述隔壁位于所述第二凹部内，
并且，其中，所述第一凹部位于所述第二凹部上。
12.根据权利要求11所述的发光装置的制造方法，
其中，所述第一凹部的倾斜面上的所述中间层的垂直于所述倾斜面的方向上的厚度小于所述第一下部电极上的所述中间层的垂直于所述第一下部电极的方向上的厚度。
13.根据权利要求12所述的发光装置的制造方法，
其中，所述第一发光单元包括载流子注入层，
并且，其中，所述倾斜面上的所述载流子注入层的垂直于所述倾斜面的方向上的厚度小于所述第一下部电极上的所述载流子注入层的垂直于所述第一下部电极的方向上的厚度。
14.根据权利要求12所述的发光装置的制造方法，还包括EL层，
其中，所述EL层包括所述第一发光单元、所述中间层以及所述第二发光单元，
并且，其中，所述倾斜面上的所述EL层的垂直于所述倾斜面的方向上的厚度小于所述第一下部电极上的所述EL层的垂直于所述第一下部电极的方向上的厚度。
15.根据权利要求11所述的发光装置的制造方法，还包括在形成所述上部电极的步骤之后形成与所述上部电极接近或接触的滤色片的步骤，
其中，所述滤色片的颜色在与所述第一下部电极重叠的区域中为第一颜色，并在与所述第二下部电极重叠的区域中为第二颜色。
16.根据权利要求11所述的发光装置的制造方法，
其中，所述隔壁被着色。
17.一种发光装置的制造方法，包括如下步骤：
在第一布线及第二布线上形成绝缘层；
通过对所述绝缘层进行加工，在绝缘层中形成所述第一布线上的第一接触孔、所述第二布线上的第二接触孔、以及第二凹部；
在所述第一接触孔内及所述绝缘层上形成位于所述第二凹部的一侧的第一下部电极，并在所述第二接触孔内及所述绝缘层上形成位于所述第二凹部的另一侧的第二下部电极；
在所述第二凹部内及所述绝缘层上形成隔壁；
在所述第一下部电极、所述隔壁以及所述第二下部电极上形成第一发光单元；
在所述第一发光单元上形成中间层；
在所述中间层上形成第二发光单元；以及
在所述第二发光单元上形成上部电极，
其中，所述隔壁具有位于所述第二凹部上的第一凹部。
18.一种发光装置的制造方法，包括如下步骤：
在第一布线及第二布线上形成绝缘层；
通过对所述绝缘层进行加工，在绝缘层中形成所述第一布线上的第一接触孔、所述第二布线上的第二接触孔、以及槽部；
在所述第一接触孔内及所述绝缘层上形成位于所述槽部的一侧的第一下部电极，并在所述第二接触孔内及所述绝缘层上形成位于所述槽部的另一侧的第二下部电极；
在所述槽部内及所述绝缘层上形成隔壁；
在所述第一下部电极、所述隔壁以及所述第二下部电极上形成第一发光单元；
在所述第一发光单元上形成中间层；
在所述中间层上形成第二发光单元；以及
在所述第二发光单元上形成上部电极，
其中，所述隔壁具有所述槽部的底部上的谷部、在所述谷部的所述第一下部电极一侧的第一山部以及在所述谷部的所述第二下部电极一侧的第二山部，
其中，所述第一山部的顶点与所述谷部之间的第一倾斜面上的所述中间层的垂直于所述第一倾斜面的方向上的厚度小于所述第一下部电极上的所述中间层的垂直于所述第一下部电极的方向上的厚度，
并且，其中，所述第二山部的顶点与所述谷部之间的第二倾斜面上的所述中间层的垂直于所述第二倾斜面的方向上的厚度小于所述第一下部电极上的所述中间层的垂直于所述第一下部电极的方向上的厚度。
19.根据权利要求18所述的发光装置的制造方法，
其中，所述第一发光单元包括载流子注入层，
其中，所述第一倾斜面上的所述载流子注入层的垂直于所述第一倾斜面的方向上的厚度小于所述第一下部电极上的所述载流子注入层的垂直于所述第一下部电极的方向上的厚度，
并且，其中，所述第二倾斜面上的所述载流子注入层的垂直于所述第二倾斜面的方向上的厚度小于所述第一下部电极上的所述载流子注入层的垂直于所述第一下部电极的方向上的厚度。
20.根据权利要求18所述的发光装置的制造方法，还包括EL层，
其中，所述EL层包括所述第一发光单元、所述中间层以及所述第二发光单元，
其中，位于所述第一倾斜面上的所述EL层的垂直于所述第一倾斜面的方向上的厚度小于位于所述第一下部电极上的所述EL层的垂直于所述第一下部电极的方向上的厚度，
并且，其中，位于所述第二倾斜面上的所述EL层的垂直于所述第二倾斜面的方向上的厚度小于位于所述第一下部电极上的所述EL层的垂直于所述第一下部电极的方向上的厚度。
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