CN110797370B - 一种集成单元二极管芯片 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种集成单元二极管芯片，包括二极管台面结构，二极管台面结构包括多个二极管单元，其中二极管单元沿y轴方向的宽度在y轴方向上从集成单元二极管芯片的中间往两边逐渐变小，其中y轴方向为集成单元二极管芯片的宽度方向。本发明通过不均匀的台面结构设计，获得超均匀的电流分布，热分布，波长分布，以及窄半高的高质量LED光源，解决了现有技术存在的二极管结构在流明效率、流明密度输出、流明成本三个重要的参数上极大局限性的技术问题，提高了单位面积芯片的流明输出，降低了流明成本。

Description

一种集成单元二极管芯片
技术领域
本发明涉及半导体材料和器件工艺领域，特别是半导体光电器件。
背景技术
常规的垂直结构LED芯片中，电流扩散主要依靠n电极侧，有电极引线型引线或钻孔型的引线，但总体电流扩散仍不均匀，导致发光效率的损失，散热也不均匀，从而影响单元二极管芯片的效率和稳定性。从而限制了垂直大功率LED芯片提供单位面积流明输出更高的产品。电流扩散的不均匀、热扩散的不均匀和光提取的不均匀，导致其在流明效率、流明密度输出、流明成本三个重要的参数上有极大的局限性，目前市场上的垂直LED芯片技术无法提供有效的解决方案。
现有技术一为Proc.of SPIE Vol.10021 100210X-1 2016会议论文，如图1-3所示，其中，图1为垂直LED芯片的结构图，其中p型电极与背面的电极相连，黑色部分边缘的方框与中间3根手指型引线代表了n型电极，通过下方的两个大的N-pad打线引出。因此整个芯片的电流扩散，主要为n型金属线所限制。
图2展示了现有技术一的垂直芯片的近场分析图和中线上归一化的电流分布图，芯片的尺寸为1.2mm×1.2mm。近场图中可见，芯片的电流分布仍然十分不均匀，靠近n电极线的区域光强很大，电流密度大，而远离n电极线的区域光强较小，电流密度小。归一化的分布图显示，电流密度较小的区域不到较大区域的70％。因此，大电流下的LED光效、散热和稳定性都会受到严重的限制。
发明内容
本发明为解决现有技术存在的二极管结构流明效率、流明密度输出、流明成本三个重要的参数上有极大局限性的技术问题，提出一种流明效率高、流明密度输出大的均匀发光的集成单元二极管芯片。
为实现上述目的，本发明提供一种集成单元二极管芯片，包括二极管台面结构，二极管台面结构包括多个二极管单元，其中二极管单元沿y轴方向的宽度在y轴方向上从集成单元二极管芯片的中间往两边逐渐变小，其中y轴方向为集成单元二极管芯片的宽度方向。
其中，集成单元二极管芯片包括第二导电类型焊盘，多个二极管单元沿x轴方向的长度从靠近第二导电类型焊盘开始沿x轴方向逐渐变小，其中x轴方向为集成单元二极管芯片的长度方向。
其中，第二导电类型焊盘沿x轴方向靠近集成单元二极管芯片的边缘设置，且沿y轴方向相对集成单元二极管芯片居中设置。
其中，第二导电类型焊盘为n焊盘。
其中，集成单元二极管芯片进一步包括第一导电类型电极和第二导电类型电极，二极管台面结构位于第一导电类型电极上。
其中，第二导电类型电极为n电极。
其中，二极管台面结构包括第一导电类型层、量子阱有源区、第二导电类型层和绝缘介质层，第一导电类型层、量子阱有源区、第二导电类型依次层叠设置，二极管单元之间设置有沟槽结构，绝缘介质层从沟槽结构内延伸至第二导电类型层远离量子阱有源区的一侧，第二导电类型电极设置于绝缘介质层上，且从沟槽结构内延伸至第二导电类型层远离量子阱有源区的一侧，并接触第二导电类型层。
其中，多个二极管单元的连接方式为并联。
其中，二极管单元上设置有孔结构。
其中，孔结构包括1个～1000000个孔单元，孔单元直径为0.001微米～20微米。
本发明所采用的集成单元二极管芯片，通过纳微米尺寸结构效应，在光、电、热三个层面突破现有垂直LED技术的局限性。单元二极管芯片的尺寸设计控制在电流扩散长度以内，其较高自由度的几何优化设计方式，可同时解决困扰LED单元二极管芯片设计的n-电极和p-电极电流扩散不均匀的问题，从而得到更高的光电转换效率/流明效率；每个二极管单元的纳米微结构，以及台面内部的孔结构和沟槽结构可增加有效出光面积，从而提升光萃取效率；均匀发光的集成单元二极管芯片尺寸的缩小和台面内部的孔结构及沟槽结构，带来更大的散热面积，具备更佳的散热性能，可以允许超大电流密度的注入而不影响其稳定性，从而极大的提高单位面积集成单元二极管芯片的流明输出，降低流明成本。并且通过不均匀的台面结构设计，获得超均匀的电流分布，热分布，波长分布，以及窄半高的高质量LED光源。
附图说明
图1是现有技术的二极管单元结构图；
图2是现有技术的二极管单元结构图；
图3是本发明实施例1提供的均匀发光的集成单元二极管芯片的俯视图；
图4是本发明实施例1提供的均匀发光的集成单元二极管芯片的俯视图；
图5是本发明实施例1提供的均匀发光的集成单元二极管芯片的俯视图；
图6是本发明实施例2提供的均匀发光的集成单元二极管芯片的俯视图；
图7是本发明实施例2提供的均匀发光的集成单元二极管芯片的俯视图；
图8是本发明实施例2提供的均匀发光的集成单元二极管芯片的示意图；
第二导电类型电极1，绝缘介质层2，第二导电类型层3，量子阱有源区(MQWs)4，第一导电类型层5，二级管台面结构6，沟槽结构7，二极管单元8，第二导电类型焊盘9，孔结构10，反射镜11，保护金属层12，衬底13，背面电极14。
具体实施方式
下面结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护范围。
鉴于现有的二极管结构流明效率、流明密度输出、流明成本三个重要的参数上极大的局限性，本发明实施例提供一种流明效率高、流明密度输出大的均匀发光的集成单元二极管芯片，以下结合附图对本发明进行详细说明。
实施例1
本实施例提供了3种均匀发光的集成单元二极管芯片，如图3-5所示，包括第二导电类型电极1，位于所述第一导电类型电极上的二极管台面结构6，沟槽结构7，第二导电类型焊盘9。所述二极管台面结构包括多个二极管单元8，所述多个二极管单元呈几何形状排列，二极管单元连接方式为并联，所述台面结构面积根据电流扩散长度确定。其中第二导电类型电极1为n电极，第二导电类型焊盘9为n焊盘。
如图3所示，所述二极管台面结构包括6行共56个正方形二极管单元和沟槽结构7，沟槽结构位于二极管单元之间。所述二极管单元均匀分布在台面结构内，二极管单元沿x轴方向长度为10纳米-100纳米。每行二极管单元从靠近第二导电类型焊盘开始沿x轴方向长度大小不等或相等。当不等时，定义其长度分别为L0，L1，L2，L3…Ln，其中二极管单元宽度满足L0>L1>L2>L3>…>Ln。
在一些优选的实施例中，二极管单元x轴方向长度为2000微米；二极管单元x轴方向长度为100微米；在另一些优选实施例中，二极管单元x轴方向长度10微米；在另一些优选实施例中，二极管x轴方向长度为1微米。
如图4所示，所述二极管台面结构包括6行共16个大小相等的正方形以及40个长度相等宽度不等的两种长方形二极管单元和沟槽结构7，沟槽结构位于二极管单元之间。每一行的二极管单元大小相等，所述二极管单元均分布在台面结构内，每个二极管单元沿y轴方向宽度为10纳米-100纳米。二极管单元从中间位置开始，沿y轴方向宽度大小不等或相等。当不等时，定义其宽度从中间向两侧分别为W0，W1，W2，W3…Wm；其中二极管单元宽度满足W0>W1>W2>W3>…>Wm。
在一些优选的实施例中，二极管单元沿y轴方向宽度为100微米；在另一些优选实施例中，二极管单元y轴方向宽度10微米；在另一些优选实施例中，二极管y轴方向宽度为1微米。
如图5所示，所述二极管台面结构包括6行共56个正方形二极管单元和沟槽结构7，沟槽结构位于二极管单元之间。所述二极管单元均匀分布在台面结构内，二极管单元沿x轴方向长度为10纳米-100纳米。二极管单元之间沿y轴方向的沟槽宽度相等或不等，定义其宽度分别为Lq0，Lq1，Lq2，Lq3，…Lqn，宽度可等比例，沟槽的宽度在0.001-30微米的范围之内。
本实施例提供了3种二极管台面结构排布方式，根据电流扩散长度确定及其他芯片性能选择二极管台面结构上的二极管单元尺寸，数量、形状、及排布方式，使均匀发光的集成单元二极管芯片具备最佳的电流扩散和散热性能，提高芯片注入的电流密度。二极管单元从中间位置开始，沿y轴方向的宽度逐渐缩小使得电流相较于相等宽度时扩散更加均匀，从而使得电流注入、发光、散热和波长更加均匀。
实施例2
本实施例提供了2种均匀发光的集成单元二极管芯片，如图所示6-7所示，包括第二导电类型电极1，位于所述第一导电类型电极上的二极管台面结构6第二导电类型焊盘9。所述二极管台面结构包括多个二极管单元8，所述多个二极管单元呈几何形状排列，二极管单元连接方式为并联，所述台面结构面积根据电流扩散长度确定。其中第二导电类型电极1为n电极，第二导电类型焊盘9为n焊盘。
如图6所示，所述二极管台面包括6行26个大小相等的正方形二极管单元和沟槽结构7，每个二极管单元沿y轴方向宽度为1微米-100微米，带有沟槽结构的二极管单元均分布在台面结构的左侧，所述台面结构右侧仅由电极线铺设形成8个大小相等的长方形二极管单元。其中，6个不均匀非对称分布的所述二极管单元上各分布1个孔单元。孔单元为圆形，孔单元直径为0.001微米～20微米。孔单元形状还可以为三角形、正方形、长方形、五边形、六边形、圆形、以及其它任意定义形状，并不局限于图6中展示的形状。
如图7所示，所述二极管台面结构包括6行共37个二极管单元，每个二极管单元沿y轴方向宽度为1微米-100微米，所述二极管单元呈向右尖角型排布。当所述电极线为曲线分布时，该二极管单元可以为扇形分布方式。
在一些优选的实施例中，二极管单元沿y轴方向宽度为10纳米，在另一些优选实施例中，二极管单元沿y轴方向宽度为100纳米。
如图8所示，二极管台面结构还包括绝缘介质层2，第二导电类型层3，量子阱有源区(MQWs)4，第一导电类型层5，反射镜11，保护金属层12，衬底13，背面电极14。其中，绝缘介质层2从沟槽结构内延伸至第二导电类型层3远离量子阱有源区4的一侧，第二导电类型电极1设置于绝缘介质层2上，且从沟槽结构内延伸至第二导电类型层3远离量子阱有源区4的一侧，并接触第二导电类型层3。二极管单元的沟槽深度至p-GaN层，二极管单元的沟槽深度还可至n-GaN层或量子阱有源区，并不局限于图8所示。
由于二极管芯片的电流扩散长度与电流密度的平方根成反比，因此在大电流的注入下，电流的扩散长度更短，导致芯片的电流扩散更加的不均匀，效率更低，散热更加困难。采用均匀发光的集成单元二极管芯片结构设计，可以灵活的改变二极管台面结构的尺寸、形状，可以获得指定工作电流下最佳的电流扩散和散热性能，并极大的提升芯片的注入电流密度，从而提升单位面积的流明输出。
本发明的实施例提供的均匀发光的集成单元二极管芯片，具有以下有益效果：
(1)本发明的二极管单元的长度设计控制在电流扩散长度以内，优化的具备一定自由度的几何设计可以更进一步的提升出光效率，可同时解决困扰LED单元二极管芯片设计的n型电极和p型电极电流扩散不均匀的问题，从而得到更高的光电转换效率/流明效率。
(2)本发明的每个二极管单元的微纳结构增加侧壁的出光面积，从而提升光萃取效率。
(3)本发明的均匀发光的集成单元二极管芯片的优化，带来更大的侧壁散热面积，具备更佳的散热性能，允许超大电流密度的注入而不影响其稳定性，极大的提高单位面积单元二极管芯片的流明输出，降低流明成本。
(4)本发明的均匀发光的集成单元二极管芯片的设计，可以实现超均匀的电流注入，更好的波长均匀性、发光谱更窄的半高宽，尤其在背光显示等对波长均匀性和窄半宽要求更高的应用领域具有更为突出的性能优势。
(5)本发明的均匀发光的集成单元二极管芯片的设计，可以获得更高的效率、更好的散热均匀性和更好的器件稳定性。
(6)本发明的均匀发光的集成单元二极管芯片适于UVC、UVA、UVB、紫光、蓝光、绿光、黄光、红光、红外光等各色系的LED产品，可用于LED照明，背光，显示，植物照明，医疗和其它半导体发光器件应用领域。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的，技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例，并不用于限定本发明的保护范围，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种集成单元二极管芯片，其特征在于，所述集成单元二极管芯片包括二极管台面结构和第二导电类型焊盘，所述二极管台面结构包括多个二极管单元，其中所述二极管单元沿y轴方向的宽度在所述y轴方向上从所述集成单元二极管芯片的中间往两边逐渐变小，其中所述y轴方向为所述集成单元二极管芯片的宽度方向；其中所述多个二极管单元沿x轴方向的长度从靠近所述第二导电类型焊盘开始沿所述x轴方向逐渐变小，其中所述x轴方向为所述集成单元二极管芯片的长度方向。
2.根据权利要求1所述的集成单元二极管芯片，其特征在于，所述第二导电类型焊盘沿所述x轴方向靠近所述集成单元二极管芯片的边缘设置，且沿所述y轴方向相对所述集成单元二极管芯片居中设置。
3.根据权利要求1所述的集成单元二极管芯片，其特征在于，所述第二导电类型焊盘为n焊盘。
4.根据权利要求1所述的集成单元二极管芯片，其特征在于，所述集成单元二极管芯片进一步包括第一导电类型电极和第二导电类型电极，所述二极管台面结构位于所述第一导电类型电极上。
5.根据权利要求4所述的集成单元二极管芯片，其特征在于，所述第二导电类型电极为n电极。
6.根据权利要求4所述的集成单元二极管芯片，其特征在于，所述二极管台面结构包括第一导电类型层、量子阱有源区、第二导电类型层和绝缘介质层，所述第一导电类型层、量子阱有源区、第二导电类型依次层叠设置，所述二极管单元之间设置有沟槽结构，所述绝缘介质层从所述沟槽结构内延伸至所述第二导电类型层远离所述量子阱有源区的一侧，所述第二导电类型电极设置于所述绝缘介质层上，且从所述沟槽结构内延伸至所述第二导电类型层远离所述量子阱有源区的一侧，并接触所述第二导电类型层。
7.根据权利要求1所述的集成单元二极管芯片，其特征在于，所述多个二极管单元的连接方式为并联。
8.根据权利要求1所述的集成单元二极管芯片，其特征在于，所述二极管单元上设置有孔结构。
9.根据权利要求8所述的集成单元二极管芯片，其特征在于，所述孔结构包括1个～1000000个孔单元，所述孔单元直径为0.001微米～20微米。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110797370B (zh) * 2019-05-06 2022-06-24 深圳第三代半导体研究院 一种集成单元二极管芯片

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1549350A (zh) * 2003-05-12 2004-11-24 胜华科技股份有限公司 有机发光二极管显示装置
CN101488547A (zh) * 2008-12-30 2009-07-22 上海蓝光科技有限公司 一种发光二极管芯片结构及其制造方法
CN101924116A (zh) * 2009-06-12 2010-12-22 刘胜 可扩展的超大尺寸发光二极管芯片及制造方法
KR20110029273A (ko) * 2009-09-15 2011-03-23 서울옵토디바이스주식회사 전파 발광셀 및 반파 발광셀을 갖는 교류용 발광 다이오드
CN102097441A (zh) * 2010-12-17 2011-06-15 电子科技大学 用于等离子显示屏驱动芯片的soi器件
CN102129817A (zh) * 2009-11-25 2011-07-20 日本冲信息株式会社 显示面板、其制造方法和显示设备
CN102169941A (zh) * 2010-02-27 2011-08-31 三星Led株式会社 具有多单元阵列的半导体发光器件、发光模块和照明设备
CN102931322A (zh) * 2012-11-16 2013-02-13 聚灿光电科技(苏州)有限公司 大功率cob封装led结构及其晶圆级制造工艺
CN103107250A (zh) * 2013-02-05 2013-05-15 中国科学院半导体研究所 晶圆级发光二极管阵列结构的制备方法
CN103889087A (zh) * 2012-12-21 2014-06-25 株式会社半导体能源研究所 发光装置及其制造方法
CN105489725A (zh) * 2016-01-25 2016-04-13 厦门市三安光电科技有限公司 一种led芯片结构及制作方法
CN106663723A (zh) * 2014-08-05 2017-05-10 首尔伟傲世有限公司 发光二极管及其制造方法
CN108475712A (zh) * 2015-12-01 2018-08-31 夏普株式会社 图像形成元件
CN109346508A (zh) * 2018-08-09 2019-02-15 江启文 具有电流路径方向控制功能的半导体结构

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100392855C (zh) * 2006-05-19 2008-06-04 广州南科集成电子有限公司 U槽led集成芯片及制造方法
TW201336123A (zh) * 2012-02-17 2013-09-01 Walsin Lihwa Corp 高壓發光二極體晶片及其製造方法
JP2014045108A (ja) * 2012-08-28 2014-03-13 Toyoda Gosei Co Ltd 半導体発光素子
CN103390710B (zh) * 2013-08-08 2015-12-02 聚灿光电科技股份有限公司 Led芯片及其制备方法
CN106328636A (zh) * 2016-10-12 2017-01-11 聚灿光电科技股份有限公司 集成式led器件及其制造方法
CN110797370B (zh) * 2019-05-06 2022-06-24 深圳第三代半导体研究院 一种集成单元二极管芯片

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1549350A (zh) * 2003-05-12 2004-11-24 胜华科技股份有限公司 有机发光二极管显示装置
CN101488547A (zh) * 2008-12-30 2009-07-22 上海蓝光科技有限公司 一种发光二极管芯片结构及其制造方法
CN101924116A (zh) * 2009-06-12 2010-12-22 刘胜 可扩展的超大尺寸发光二极管芯片及制造方法
KR20110029273A (ko) * 2009-09-15 2011-03-23 서울옵토디바이스주식회사 전파 발광셀 및 반파 발광셀을 갖는 교류용 발광 다이오드
CN102129817A (zh) * 2009-11-25 2011-07-20 日本冲信息株式会社 显示面板、其制造方法和显示设备
CN102169941A (zh) * 2010-02-27 2011-08-31 三星Led株式会社 具有多单元阵列的半导体发光器件、发光模块和照明设备
CN102097441A (zh) * 2010-12-17 2011-06-15 电子科技大学 用于等离子显示屏驱动芯片的soi器件
CN102931322A (zh) * 2012-11-16 2013-02-13 聚灿光电科技(苏州)有限公司 大功率cob封装led结构及其晶圆级制造工艺
CN103889087A (zh) * 2012-12-21 2014-06-25 株式会社半导体能源研究所 发光装置及其制造方法
CN103107250A (zh) * 2013-02-05 2013-05-15 中国科学院半导体研究所 晶圆级发光二极管阵列结构的制备方法
CN106663723A (zh) * 2014-08-05 2017-05-10 首尔伟傲世有限公司 发光二极管及其制造方法
CN108475712A (zh) * 2015-12-01 2018-08-31 夏普株式会社 图像形成元件
CN105489725A (zh) * 2016-01-25 2016-04-13 厦门市三安光电科技有限公司 一种led芯片结构及制作方法
CN109346508A (zh) * 2018-08-09 2019-02-15 江启文 具有电流路径方向控制功能的半导体结构

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Spatial distribution of current density;Aladov, A., Kuptsov, V., Chernyakov, A., Zakgeim, A.,;《Proc.SPIE》;20161031;全文 *

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