KR20050067057A - 표시 장치 및 그 제조 방법 및 제조 장치 - Google Patents
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Abstract
복수의 화소를 구비하고, 2종류 이상의 파장의 사출광에 의해 컬러 표시를 하는 표시 장치이며, 각 화소는 기판측에 형성된 하부 반사막(110)과, 하부 반사막(110)의 상방에, 사이에 유기 발광 소자층(120)을 삽입하여 형성된 상부 반사막(240)간에 구성된 미소 공진기 구조를 구비한다. 하부 반사막(110)은 금속 박막으로 구성되고, 유기 발광 소자층(120)과의 사이에 제 1전극(200)으로서 기능하는 도전성 공진 스페이서층을 구비한다. 도전성 공진 스페이서층은 ITO 등의 투명 도전성 금속 산화물이며, 예를 들면 각각 다른 성막실에서 형성하여, 사출 파장이 다른 화소에서 서로 다른 두께로 한다. 유기 발광 소자층(120)에서 얻어진 광은 도전성 공진 스페이서층(200)에 의해 광학 길이가 조정된 미소 공진기 구조에 의해 증강되어 외부로 사출된다. 이에 따라, 미소 공진기 구조를 용이하고, 또한 정확하게 형성한다.
Description
본 발명은, 표시 장치, 특히 미소 공진기 구조를 구비한 컬러 표시 장치에 관한 것이다.
최근에, 박형이며 소형화가 가능한 플랫 패널 디스플레이(FPD)가 주목을 받고 있으며, 이 FPD 중에서도 대표적인 액정 표시 장치는, 이미 다양한 기기에 채용되고 있다. 또한, 현재 자발광형의 일렉트로 루미네센스(이하, EL이라 함) 소자를 이용한 발광 장치(표시 장치나 광원), 특히 채용하는 유기 화합물 재료에 의해 다양한 발광색으로 고휘도의 발광이 가능한 유기 EL 표시 장치에 대해서는, 그 연구 개발이 활발하게 이루어지고 있다.
이 유기 EL 표시 장치에서는, 액정 표시 장치와 같이 백 라이트로부터의 광 투과율을 그 전면에 라이트 밸브로서 배치한 액정 패널이 제어하는 방식과 달리, 상술한 바와 같이 자발광형이기 때문에, 본질적으로 광의 이용 효율, 즉 외부로의 광의 추출 효율이 높아 고휘도 발광이 가능하다.
그러나 현재 제안되고 있는 유기 EL 소자의 발광 휘도는 아직 충분하지 않으며, 또한 발광 휘도를 향상시키기 위해 유기층으로의 주입 전류를 증대시키면 유기층의 열화가 빨라진다는 문제가 있다.
이러한 문제를 해소하기 위한 방법으로서, 하기 특허 문헌 l이나 비특허 문헌1 등에 제안된 것과 같이, EL 표시 장치에 미소 공진기를 채용하여, 특정 파장에서의 광 강도를 증강하는 방법을 생각할 수 있다.
(특허 문헌1) 특허공개 평6-275381호 공보
(비특허 문헌1) NAKAYAMA Takahiro, KAKUTA Atsushi, "광공진기 구조를 도입한 소자", 응용물리학회 유기분자·바이오 일렉트로닉스 분과회, 1993년 제3회 강습회, p135-p143
유기 EL 소자에 상기 미소 공진기 구조를 채용하는 경우, 소자의 배면측 전극에, 반사경으로서 기능하는 금속 전극(예를 들면, 음극)을 마련하고, 소자의 전면(기판측)에 반투과 거울을 마련하여, 이 반투과 거울과 금속 전극 사이의 광학 길이(L)가 발광 파장(λ)에 대하여, 하기 수학식(1)
2nL = (m + 1/2)λ (1)
의 관계를 나타내도록 설계함으로써, 파장(λ)을 선택적으로 증강하여 외부로 사출할 수 있다. 또, 여기서, n은 굴절율, m은 정수(0, l, 2,3···)이다.
이러한 관계는, 사출 파장이 단일 파장, 즉, 흑백의 유기 EL 표시 장치나, 평면 광원으로서 채용하는 경우에는 설계가 비교적 용이하다.
그러나 풀컬러의 유기 EL 표시 장치를 제조하는 경우, 1개의 표시 패널 내에서 증강해야 하는 파장이, 예를 들면 R, G, B의 3종류가 존재한다. 따라서 화소마다 다른 파장의 광을 증강할 필요가 있으며, 그러기 위해서는 사출하는 파장마다 화소의 반투과 거울과 금속 전극과의 광학 길이(L)를 바꾸지 않으면 안 된다.
한편, 표시 장치에서는, 집적 회로 등에 채용되는 반도체 디바이스와는 달리, 그 표시 자체가 관찰자에게 시각적으로 인식되기 때문에, 모든 화소에서 높은 표시 품질을 안정되게 달성하지 않으면, 표시 장치로서 실제로 채용할 수 없다.
그 때문에, 예를 들면 상기 공진기 구조는, 이론상 풀컬러의 표시 장치이면 사출 파장마다 화소의 광학 길이를 설정하면 되지만, 각각 다른 두께가 되도록 각 화소를 따로따로 제조해서는, 제조 공정 수의 증가, 제조의 복잡화를 피할 수 없으며, 심각한 품질의 저하와 불균일성을 초래하게 된다. 특히, 유기 EL 표시 장치에서는, 현재 표시 품질의 안정성에 과제가 남아 있기 때문에, 단순히 공진기 구조를 채용하면, 표시 장치를 양산할 때, 수율 저하와, 제조 비용의 증대가 현저해진다. 따라서 EL 표시 장치에 미소 공진기를 채용하는 것은 연구 수준에서 진전되고 있지 않다.
본 발명은, 복수의 화소를 구비하고, 적어도 2종류의 파장의 사출광에 의해 컬러 표시를 하는 표시 장치이며, 상기 복수의 화소 각각은, 기판측에 형성된 하부 반사막과, 상기 하부 반사막의 상방에, 사이에 유기 발광 소자층을 삽입하여 형성된 상부 반사막간에 구성된 미소 공진기 구조를 가지고, 상기 하부 반사막은 반투과성의 금속 박막으로 구성되고, 해당 하부 반사막과 상기 유기 발광 소자층 사이에는, 상기 유기 발광 소자층에 전하를 공급하는 전극으로서 기능하며, 화소마다 개별 패턴을 갖는 도전성 공진 스페이서층을 구비하고, 상기 도전성 공진 스페이서층은 투명 도전성 금속 산화물층이고, 다른 파장의 광을 사출하는 화소에서 서로 그 두께가 다르며, 상기 유기 발광 소자층에서 얻어져, 상기 하부 반사막과 상기 상부 반사막 사이에 구성된 상기 미소 공진기 구조에 의해 증강된 광이, 상기 도전성 공진 스페이서층 및 상기 하부 반사막측으로부터 외부로 사출된다.
본 발명의 다른 양태에서는, 상기의 표시 장치에 있어서, 상기 화소로부터의 사출광은 적색, 청색, 녹색 중 어느 하나이며, 상기 도전성 공진 스페이서층은 적색용, 청색용, 녹색용의 화소마다 다른 두께로 적층되어 있다.
본 발명의 다른 양태에서는, 복수의 화소를 구비하고, 적어도 2종류의 파장의 사출광에 의해 컬러 표시를 하는 표시 장치에 있어서, 상기 복수의 화소 각각은, 기판측에 형성된 하부 반사막과, 상기 하부 반사막의 상방에, 사이에 유기 발광 소자층을 삽입하여 형성된 반투과성의 상부 반사막간에 구성된 미소 공진기 구조를 가지고, 상기 하부 반사막과 상기 상부 반사막의 층간 거리에 따른 광학 길이는 다른 파장의 광을 사출하는 화소에서 서로 다르며, 상기 미소 공진기 구조에 의해 증강된 광이, 상기 상부 반사막을 투과하여 외부로 사출된다.
본 발명의 다른 양태에서는, 상기 표시 장치에 있어서, 상기 하부 반사막과 상기 상부 반사막의 층간에, 상기 유기 발광 소자층에 전하를 공급하는 전극으로서 기능하고, 화소마다 개별 패턴을 갖는 도전성 공진 스페이서층이 마련되며, 해당 도전성 공진 스페이서층은 다른 파장의 광을 사출하는 화소에서 서로 두께가 다르다.
본 발명의 다른 양태에서는, 상기의 표시 장치에 있어서, 상기 도전성 공진 스페이서층은 상기 하부 반사막과 상기 유기 발광 소자층 사이에 마련되며, 도전성 금속 산화물을 포함한다.
또한, 본 발명의 다른 양태에서는, 상기 하부 반사막은, 은, 금, 백금, 알루미늄 또는 이들 중 어느 하나의 합금을 포함한다.
본 발명의 다른 양태에서는, 복수의 화소를 구비하고, 적어도 2종류의 파장의 사출광에 의해 컬러 표시를 하는 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 각 화소는 하부 반사막과, 상기 하부 반사막의 상방에, 사이에 적어도 1층의 유기 발광 소자층을 삽입하여 형성된 상부 반사막간에 구성된 미소 공진기를 구비하고, 상기 미소 공진기의 상기 하부 반사막과 상기 상부 반사막의 층간 거리에 따른 광학 길이가 발광색에 따라 화소마다 다르고, 상기 각 화소의 상기 하부 반사막을 형성하고, 상기 하부 반사막 위에, 해당 하부 반사막의 형성과 연속하여, 상기 사출광의 색상별로 화소마다 다른 두께의 도전성 공진 스페이서층을 각각 다른 성막실에서 순서대로 형성한다.
본 발명의 다른 양태에서는, 상기 제조 방법에 있어서, 상기 도전성 공진 스페이서층은 상기 유기 발광 소자층에 전하를 공급하는 전극층이며, 각 성막실에서 마스크를 이용하여 화소마다 개별 패턴으로 소정의 두께로 도전성 금속 산화물을 적층하여 형성한다.
본 발명의 다른 양태에서는, 상기 제조 방법에 있어서, 상기 화소로부터의 사출광은, 적색, 청색, 녹색 중 어느 하나이고, 적색용, 청색용, 녹색용의 화소마다 상기 도전성 공진 스페이서층을 다른 두께로 적층한다.
본 발명의 다른 양태에서는, 상기 제조 방법에 있어서, 상기 하부 반사막은, 은, 금, 백금, 알루미늄 또는 이들 중 어느 하나의 합금을 포함하는 금속막이고, 해당 금속막의 형성 후 연속해서, 소정 두께의 상기 도전성 공진 스페이서층으로서 투명 도전성 금속 산화물층이 형성된다.
본 발명의 다른 양태에서는, 각 화소가 하부 반사막과, 상기 하부 반사막의 상방에, 사이에 유기 발광 소자층을 삽입하여 형성된 상부 반사막간에 구성된 미소 공진기를 구비하고, 상기 미소 공진기의 상기 하부 반사막과 상기 상부 반사막의 층간 거리에 따른 광학 길이가 사출광의 파장에 따라 화소마다 다르고, 적어도 2종류의 파장의 사출광에 의해 컬러 표시를 하는 표시 장치의 제조 장치에 있어서, 상기 하부 반사막을 형성하는 하부 반사막 성막실과, 상기 하부 반사막과 상기 유기 발광 소자층 사이에 형성되고, 상기 미소 공진기의 상기 광학 길이를 화소가 사출하는 발광 파장에 따라 조정하는 도전성 공진 스페이서층을 적층하는 스페이서 성막실을 구비하고, 상기 스페이서 성막실은 형성하는 상기 도전성 공진 스페이서층의 두께별로복수개 마련되고, 상기 하부 반사막 성막실 및 복수의 상기 스페이서 성막실은, 진공 상태를 유지하면서 처리 기판을 반송 가능하도록 직접 또는 반송실을 통해 서로 연결된다.
본 발명의 다른 양태에서는, 상기 제조 장치에 있어서, 상기 스페이서 성막실 내에서는, 진공 분위기 속에서 소정 화소 영역이 개구된 마스크를 이용하여, 상기 하부 반사막 위에 상기 도전성 공진 스페이서층을 형성한다.
본 발명의 다른 양태에서는, 상기 제조 장치에 있어서, 상기 하부 반사막 성막실은 상기 처리 기판에 은, 금, 백금, 알루미늄 또는 이들 중 어느 하나의 합금을 포함하는 금속막을 형성하는 성막실이며, 상기 스페이서 성막실은 진공 상태로 유지된 채 반송되어, 상기 금속막이 형성되어 있는 처리 기판에 상기 도전성 공진 스페이서층으로서 인듐 또는 주석 산화물 또는 인듐주석 산화물을 소정의 두께로 적층한다.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 양호한 형태(이하, 실시 형태라 함)에 대해 도면을 참조하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 미소 공진기 구조를 구비한 표시 장치의 개략적인 단면 구조를 도시한다. 표시 장치로서는, 자발광 표시 소자를 각 화소에 구비한 발광 표시 장치이며, 이하에서는 표시 소자로서 유기 EL 소자를 채용한 유기 EL 표시 장치를 예로 설명한다.
유기 EL 소자(100)는 제1 전극(200)과 제 2전극(240) 사이에 유기 화합물, 특히 유기 발광 재료를 적어도 포함하는 유기 발광 소자층(120)을 구비한 적층 구조이며, 유기층에 양극으로부터 정공을 주입하고 음극으로부터는 전자를 주입하여, 유기층 속에서 주입된 정공과 전자가 재결합하고, 얻어진 재결합 에너지에 의해 유기 발광 재료가 여기되며, 기저 상태로 되돌아갈 때에 발광이 일어나는 원리를 이용하고 있다.
제1 전극(2OO)으로서는, 예를 들면 ITO(Indium Tin 0xide)나 IZO(lndium Zinc 0xide) 등의 도전성 금속 산화물 재료를 이용하고, 제2 전극(240)으로서는 상부 반사막으로서 기능하는 Al이나 그 합금 등을 이용한다. 또한, 제1 전극(200)의 하층에는 상부 반사막과의 사이에 미소 공진기 구조를 구성하기 위한 하부 반사막(110)을 구비한다.
유기 발광 소자층(120)에서 얻어진 광을 투명한 제1 전극(200)측으로부터 기판(80)을 투과시켜 외부로 사출하는, 소위 보텀에미션형의 표시 장치로 하는 경우에는, 하부 반사막(110)은 유기 발광 소자층(120)으로부터의 광을 일부 투과시킬 수 있는, 소위 반투과성으로 할 필요가 있다. 이 하부 반사막(11)에는 Ag, Au, Pt, Al 중 어느 하나나 이들의 합금막을 이용할 수 있으나, 광을 투과할 수 있는 정도의 박막으로 하거나, 혹은 메쉬형, 격자형 등, 개구부를 구비한 패턴으로 한다.
유기 발광 소자층(120)은 적어도 유기 발광 분자를 포함하는 발광층을 구비하고, 재료에 따라 단층, 또는 2층, 3층, 또는 4층 이상의 다층 적층 구조로 구성되는 경우도 있다. 도 1의 예에서는, 양극으로서 기능하는 제1 전극(200)부터 정공 주입층(122), 정공 수송층(124), 발광층(126), 전자 수송층(128), 전자 주입층(130)이 순서대로 진공 증착법의 연속 성막 등에 의해 적층되고, 전자 주입층(130) 위에, 여기서는 음극으로서 기능하는 제2 전극(240)이 유기 발광 소자층(120)과 마찬가지의 진공 증착법에 의해 해당 소자층(120)과 연속해서 형성된다.
유기 EL 소자의 발광광은, 유기 발광 분자에 기인하며, R, G, B의 화소마다 발광층(126)을 개별 패턴으로 하여 R, G, B용으로 각각 다른 재료를 이용할 수도 있다. 이 경우, 발광층(126)은, R, G, B의 화소마다 적어도 혼색을 방지하기 위해, R, G, B에서 분리한 패턴으로 하고, 각각 다른 공정으로 성막한다. 본 실시 형태에서는, 이에 한정되지 않으나, 발광층(126)으로서 모든 화소 동일한 발광 재료를 이용하고, 각 화소에서 동일한 백색 발광층을 채용하고 있다. 구체적으로는, 발광층(126)으로서 서로 보색 관계에 있는, 오렌지색 발광층과 청색 발광층과의 적층 구조를 채용하고, 가색(加色)에 의해 백색 발광을 실현하고 있다.
모든 화소에 백색 발광 EL 소자를 이용하는 경우, 유기 발광 소자층(120)의 모든 층은 모든 화소 공통으로 형성할 수 있으나, 화소마다 발광 제어를 보다 확실하게 하여 콘트라스트를 높이거나 하기 위해, 각 화소 개별 패턴으로 해도 된다. 마스크를 이용하여 성막(예를 들면, 진공 증착법)하면, 백색의 발광층(126)을 화소마다 개별 패턴으로 동시에 형성할 수 있다. 도 1의 예에서는, 동일한 백색 발광층(126)을 각 화소 개별 패턴으로 형성하고 있다. 또한, 다른 정공 주입층(122),정공 수송층(124), 전자 수송층(128), 전자 주입층(130)은, 여기서는 모두 전 화소 공통으로 형성되고(마스크를 이용하여 원하는 크기로 화소마다 개별 패턴으로 해도 됨) , 또한 제2 전극(240)에 대해서도 각 화소 공통으로 형성되어 있다.
또, 유기 발광 소자층(120)은, 정공 또는 전자를 수송하는 기능을 갖지만 고저항이고, 유기 발광 소자층(120)을 사이에 두고 제1 전극(200)과 제2 전극(240)이 직접 대향하는 영역만 유기 발광 소자층(120)에 전하가 주입되고, 유기 EL 소자(100)의 발광 영역은 이 제1 전극(200)과 제2 전극(240)의 대향 영역이 된다. 보다 정확하게는, 제1 전극(200)의 단부 영역은 평탄화 절연층(140)으로 피복되어 있으며, 이 평탄화 절연층(140)의 제1 전극(200)상의 개구 영역이 유기 EL 소자(100)의 발광 영역이 된다.
본 실시 형태에 따른 미소 공진기 구조는, 이와 같은 투명한 제1 전극(200)과 제2 전극(240)이 유기 발광 소자층(120)을 사이에 두고 대향하는 영역, 즉 제1 전극(200)의 하층의 하부 반사막(110)과, 상기 제2 전극(240)이 겸용하는 상부 반사막 사이의 층간에 구성되어 있다. 여기서, 이 미소 공진기의 광학 길이(L)는 정확하게는 하부 반사막(110)과, 상부 반사막(240)과의 층간 거리(두께)와, 하부 반사막(110) 및 상부 반사막(240)의 광의 침투 거리에 따른 길이이며, R, G, B의 파장(λ)(λr, λg, λb)에 대하여, 상술한 수학식(1)에서 나타나는 것과 같은 광학 길이(L)(Lr, Lg, Lb)를 R, G, B의 각 화소에 형성하고 있다. 또, 여기서는 하부 및 상부 반사막(110, 240)에 금속 재료를 이용하고 있으며, 이들 막에서의 광의 침투 거리는 거의 0이다. 이에 따라, 예를 들면 동일 구성의 백색 발광층(126)으로부터 사출되는 백색광에 대하여, 각 화소의 광학 길이(L)에 따라, 각각 대응하는 R, G, B 파장의 광만 공진해서 증강되어 외부로 사출된다. 물론, 발광층(126)의 발광색이, R, G, B의 화소에서 각각 대응하는 R, G, B의 경우에도, 그 파장 성분 중, 각 화소에 형성된 미소 공진기의 광학 길이(L)에 따른 파장(λ)이 증강되어 사출된다. 또한, 이와 같은 미소 공진기 구조에 의해, 사출광의 지향성, 특히 표시 장치의 관찰측 정면방향으로의 지향성이 높아지기 때문에, 이 위치에서의 발광 휘도를 높게 할 수 있다.
본 실시 형태에서는, 각 화소에서 사출 파장(λ)에 따라 광학 길이(L)를 변경하기 위해, 하부 반사막(110)과 상부 반사막(240)의 층간에 존재하는 제 l 전극(200)과, 유기 발광 소자층(120) 중, 제1 전극(200)을 도전성 공진 스페이서층으로 하여 그 두께를 변경한다.
또한, 화소마다 개별적으로 이 제1 전극(200)을 형성할 때, 각각 다른 성막실에서, 목적으로 하는 화소 영역만 개구된 마스크를 이용하고, 또한 두께에 따른 성막 시간으로 설정함으로써 성막실마다, 즉 사출 파장마다 두께가 다른 화소별 제1 전극(200)을 자동적으로 형성할 수 있게 된다. 상기한 바와 같이, ITO 등의 투명 도전성 금속 재료로 이루어진 이 제1 전극(200)은, 예를 들면 스퍼터링법으로 형성할 수 있으며, 그 밖에 진공 증착법을 채용해도 된다. 어느 경우이든, 성막시에, 처리 기판의 재료원 앞쪽에 마스크를 배치하여 성막 처리를 실행하면, 화소마다의 개별 패턴으로 공진 스페이서층으로서 원하는 두께의 제1 전극(200)을 얻을 수 있다. 또한, 이 제1 전극(200)의 하층에 형성되어 있는 하부 반사막(110)은 후술하는 구조의 제조 장치에 의해, 하부 반사막(110)의 형성 후, 대기에 노출되지 않고, 제1 전극(200)을 연속해서 형성한다. 이에 따라, 하부 반사막(110)의 표면이 자연 산화막으로 피복되거나, 하부 반사막(110)과 제1 전극(200)과의 계면에 불순물이 부착되는 등에 의해, 반사율의 저하를 초래하거나, 제1 전극(200)의 하부 반사막(110)으로의 밀착성 저하를 확실하게 방지할 수 있다.
본 실시 형태에 따른 미소 공진기는, 상기한 바와 같은 보텀에미션형에 한정되지 않으며, 톱에미션형의 EL 표시 장치에도 채용할 수 있다.
도 2는 유기 발광 소자층(120)에서 얻어진 광을 제2 전극(240)측으로부터 사출하는 톱에미션형 표시 장치에 미소 공진기 구조를 채용한 구성을 도시한다. 톱에미션형의 경우에는, 하부 반사막(110)으로서 거의 100%의 광 반사막(거울)을 이용한다. 이 경우에도, 하부 반사막(110)은 상기 반투과성의 하부 반사막(110)과 동일한 재료를 이용하여 충분한 두께로 하거나 개구부가 없는 막으로 함으로써 대응할 수 있다.
제2 전극(240)은 광 투과성으로 할 필요가 있으며, 이 제2 전극(240)이 음극으로서 기능하는 경우에는, 전자 주입성을 유지하기 위해 일함수가 작은 Ag나 Au 등의 금속 박막(240m)을 유기 발광 소자층(120)과의 계면측에 마련하고, 이 박막을 광 투과 가능한 정도의 박막으로 하거나, 또는 메쉬형, 격자형의 개구부를 갖는 패턴으로 하고, 그 박막을 피복하여 ITO 등으로 이루어진 투명 도전층(240t)을 형성하여, 제2 전극(240)으로 한다. 또한, 하부 반사막(110)과의 사이에서 미소 공진기를 구성하기 위한 상부 반사막은, 이 제2 전극(240)의 유기 발광 소자층(120)과의 계면측에 형성된 상기 반투과성의 금속 박막(240m)을 이용할 수 있다.
본 실시 형태에서는, 이상의 보텀에미션형, 톱에미션형의 어느 표시 장치이든 상술한 바와 같이 하부 반사막(110)과 상부 반사막(240) 사이에 미소 공진기 구조를 형성하고, 어느 경우이든, 제1 전극(200)을 사출 파장마다 다른 두께로 하여 광학 길이(L)을 조정하기 위한 도전성 공진 스페이서층으로서 이용하고 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 각 화소에 스위치 소자를 마련하여 유기 EL 소자를 개별적으로 제어하는, 소위 능동 매트릭스형의 유기 EL 표시 장치를 채용할 수 있다. 제1 전극(200)은 대응하는 스위치 소자에 전기적으로 접속되고, 그리고 각 화소마다 독립된 패턴으로 형성된다. 이와 같이, 화소마다 개별 패턴으로 하는 제1 전극(200)이면, R, G, B의 화소마다 다른 두께로 해도, 다른 색 화소의 구조에 영향을 주지 않으며, 확실하고, 또한 용이하게 화소의 광학 길이(L)를 조정할 수 있다. 또, 각 화소에 스위치 소자가 없는, 소위 수동 매트릭스형의 표시 장치인 경우에는 스트라이프 형상으로 복수개 나열되어 형성되는 제1 전극(200)의 두께를 각 라인마다 변경하는 방법이, 제조 공정이 간단하고 제1 전극(200)의 표면에의 불순물 부착 등을 피하는 데에 있어서 효과적이다.
광학 길이(L)을 변경하기 위해서는, 다른 요소, 예를 들면 유기 발광 소자층(120)의 두께를 사출 파장이 다른 화소마다 변경해도 된다. 그러나 유기 발광 소자층(120) 중, 각 화소 공통으로 형성되는 층은 동시에 형성하는 것이 바람직하다. 이는 단순히 제조 공정을 간략화하는 관점 뿐만 아니라, 유기 EL 소자는 그 유기층이 수분이나 산소, 파티클에 의해 열화되는 것이 알려져 있고, 적층 구조의 유기 발광 소자층(120)의 형성시에는 최소한의 공정 수로, 또한 진공 상태를 깨뜨리지 않고 연속해서 성막하는 것이 열화를 방지하는 데에 있어서 매우 중요하기 때문이다.
도 3은 본 실시 형태에 따른 능동 매트릭스형의 유기 EL 표시 장치의 개략 적인 회로 구성도이다. 회로 구성은 도 3에 한정되지 않으나, 일례로서 각 화소는 유기 EL 소자(100), 스위칭 TFT1, EL 구동 TFT2, 유지 용량(Csc)을 갖는다. TFT1의 게이트 전극은 표시 장치의 수평 방향으로 연장되고, 주사 신호가 공급되는 게이트 라인(GL)에 전기적으로 접속되며, 그 소스(또는 드레인)는 수직 방향으로 연장되어 데이터 신호가 공급되는 데이터 라인(DL)에 접속된다. 유지 용량(Csc)은 스위칭 TFT1의 드레인(또는 소스)에 접속되고, 주사 신호가 출력되어 TFT1이 온 되었을 때, TFT1의 소스 드레인을 통해 공급되는 데이터 라인(DL)의 데이터 신호 전압에 따른 전압을, 다음에 이 화소가 선택될 때까지 유지한다. 유지 용량(Csc)에 유지된 전압은 EL 구동 TFT2의 게이트 전극에 인가되고, TFT2는 그 게이트 전극에 인가되는 전압에 따라, 전원(PVdd) 라인(PL)에서 유기 EL 소자(100)의 제1 전극(200)(여기서는 양극)에 전류를 공급한다.
도 1 및 도 2에서, 유기 EL 소자(100)의 제1 전극(200)에 접속되어 있는 TFT는 상기 도 3의 EL 구동 TFT2에 상당하며, 도 1 및 도 2에서, 스위칭 TFT1 및 유지 용량(Csc)은 생략한다. 그러나 TFT1 및 TFT2 모두, 유리 기판(80)상에 형성된 능동층(82)으로서 비정질 실리콘을 레이저 어닐링에 의해 다결정화하여 동시에 형성된 다결정 실리콘막을 이용하고, 또한 게이트 절연막(84), 게이트 전극(86) 등 TFT에 필요한 요소는 거의 동시에 동일 공정을 거쳐 형성된다. 또, 유지 용량(Csc)의 일측의 전극은, 상기 TFT1의 반도체막(82)이 겸용하고, 타측의 전극은 게이트 절연막(84)을 사이에 두고 대향하여 게이트 전극(86)과 동일 금속 재료로 이루지며 소정의 용량 전압(Vsc)이 인가되는 용량 전극 라인에 의해 구성된다.
이들 유지 용량(Csc), TFT1 및 TFT2는 층간 절연막(88)에 피복된다. 층간 절연막(88)을 관통하여 형성된 콘택홀(90)에서 TFT1의 소스(또는 드레인)에는 데이터 라인(DL)이 접속되고, TFT2의 소스(또는 드레인)에는 전원 라인(PL)이 접속된다. 층간 절연막(88) 및 데이터 라인(DL), 전원 라인(PVdd)을 피복하고, 또한 수지 등으로 이루어진 평탄화 절연층(92)이 형성되며, 평탄화 절연층(92)과 층간 절연막(88)을 관통하여 형성된 콘택홀(94)에 있어서 TFT2의 드레인(또는 소스)에 제1 전극(200)이 접속된다.
여기서, 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 제1 전극(200)은 공진 스페이서층을 겸용하여 투명하기 때문에, 그 하층, 즉 제1 전극(200)보다도 먼저 하부 반사막(110)이 상기 평탄화 절연층(92) 위에 형성된다. 콘택홀(94)에서 TFT와 제1 전극(200)과의 접속의 신뢰성을 한층 높이기 위해서는, 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 콘택홀(94) 내에는 하부 반사막(110)이 형성되지 않는 것이 바람직하고, 이 경우 하부 반사막(110)의 성막시에 콘택홀(94)의 영역이 차폐된 패턴의 마스크를 이용하면 된다. 단, 콘택트가 확실하게 얻어지는 경우에는 하부 반사막(110)을 콘택홀(94) 내에도 형성하고, 그 위에 제 l 전극(200)을 형성해도 된다.
도 1 및 2에 도시한 바와 같이, 콘택홀(94)의 형성 영역에서는, 제1 전극(200)의 표면이 이 홀(94)의 존재에 의해 다른 위치의 표면보다도 낮아지는 경우가 있다. 상술한 바와 같이, 본 실시 형태에서는 사출 파장(공진 파장)(λ)을 결정하는 데에 있어서 공진기 내의 광학 길이(L)을 정확하게 설정하는 것이 중요하기 때문에, 표면이 평탄하게 되지 않는다, 즉, 1화소 내에서 광학 길이(L)에 불균일성을 발생시키기 쉬운 이 콘택홀(94)의 상방 영역은 제1 전극(200)의 단부 부근을 커버하는 평탄화 절연층(140)으로 피복하는 것이 적합하다.
도 4는 상기 능동 매트릭스형의 유기 EL 표시 장치를 형성하기 위한 제조 장치를 도시하고 있다. 이 제조 장치는, 상기 평탄화 절연층(92)(도 1 및 2 참조)까지 형성된 처리 기판에 대하여, 하부 반사막(110)과, 제1 전극(200)을 겸용하고 사출 파장마다 다른 두께의 도전성 공진 스페이서층의 성막 장치(10)이다. 성막 장치(10)는 카세트 로더(12), 로드로크 챔버(14, 16), 진공 반송실(18), 하부 반사막 성막실(20), 각각 형성 막 두께가 다른 제1 전극 성막실(22, 24. 26)을 구비한다.
카세트 로더(12)에서는 처리 기판을 진공 상태인 채로 수납하고 반송되어 오는 카세트가 연결되고, 로드로크 챔버(14)로 처리 기판을 반출한다. 또한, 이 성막 장치(10)에서 성막이 종료된 기판을 진공 상태로 유지한 채 카세트로 반출하는 반출 카세트가 연결된다.
로드로크 챔버(14)는 실내가 배기되고, 소정의 진공도에 달하면, 게이트가 개방되고, 카세트 로더(12)로부터 처리 기판을 받아들여, 카세트 로더(12)와의 게이트를 폐쇄하고 나서, 처리 기판을 진공 반송실(18)로 보낸다. 진공 반송실(18)은 로봇 팔 등의 기판의 반송 기구를 구비하고, 실내를 진공으로 유지한 상태에서 이 반송 기능에 의해 처리 기판의 하부 반사막 성막실(20)로의 반입, 반출, 제1 전극 성막실(22, 24, 26)로의 반입 및 반출을 실행한다.
로드로크 챔버(14)로부터 진공 반송실(18)로 반입된 처리 기판은, 우선 하부반사막 성막실(20)로 보내진다. 도 1 및 도 2의 하부 반사막(110)은 상술한 바와 같이, 반사율이 높을 필요가 있고, 또한 콘택홀(94)에 매립되는 경우에는 TFT2의 능동층과 전기적으로 도통될 수 있어야 하며, 예를 들면, Ag, Au, Pt, Al 또는 이들의 합금 등의 금속 재료를 이용한다.
성막 방법으로서는, 진공 증착법이나 스퍼터링법 등을 채용할 수 있으며, 하부 반사막 성막실(20)에 반입된 처리 기판의 막 형성면측에는 각 화소 영역이 개구된 마스크가, 실내에 마련된 마스크 위치 정렬 기구에 의해 위치 정렬되고, 예를 들면 진공 증착원으로부터의 상기 금속 재료가 마스크 개구 패턴에 따라 처리 기판상에 적층되어, 성막과 동시에 화소 영역마다의 패턴의 하부 반사막(110)이 처리 기판 표면(평탄화 절연층(92)의 표면)에 형성된다.
하부 반사막(110) 형성 후, 처리 기판은 진공 반송실(18)로 반송된다. 구체적으로는, 하부 반사막 성막실(20)로부터 진공 상태를 유지한 채로, 즉 하부 반사막 성막 후, 성막실(20)의 분위기에서 재료원을 제거하고, 소정 진공 레벨이 되었을 때, 진공 반송실(18)과의 사이의 게이트를 개방하고, 진공 반송실(18)의 반송 기구에 의해, 처리 기판은 진공 상태로 유지되어 있는 진공 반송실(18)로 반입되고, 하부 반사막 성막실(20)과 경계의 게이트가 폐쇄된다. 계속해서, 진공 반송실(18)과 제1 전극 성막실(22, 24, 26) 중 어느 게이트가 개방되고, 처리 기판은 진공 반송실(18)로부터 개방된 게이트를 통과하여 소정 진공 레벨로 유지되어 있는 제1 전극 성막실(22, 24, 26) 중 어느 성막실 내로 반입된다. 제1 전극(200)으로서는, ITO나, IZO 등의 투명 도전성 금속 산화물 재료가 이용되며, 예를 들면 스퍼터링법에 의해 적층된다.
본 실시 형태에서는, 각 성막실(22, 24, 26)에는 각각 사출 파장에 따라 결정되는 공진 스페이서층으로서의 형성해야 할 제1 전극의 대응 화소 위치가 선택적으로 개구된, 마스크가 각각 배치되고, 반입되어 온 처리 기판의 막 형성면측에 이 마스크를 위치 정렬한 후, 성막함으로써, 소정 위치에 소정 두께의 제1 전극(200)을 형성한다.
성막실(22, 24, 26)에서의 성막의 순서, 즉 제1 전극(200)의 성막 순서는 두꺼운 순이든, 얇은 순이든 상관없다. 본 실시 형태에서는, 마스크를 처리 기판의 막 형성면측에 위치 정렬하여 화소마다 개별 패턴의 제1 전극(200)을 형성하고 있으며, 막 형성면에 근접한 상태에서 위치 정렬하는 마스크가, 그 위치 정렬시에 형성이 완료된 제1 전극(200)에 접촉하여 표면에 손상을 줄 가능성을 줄이기 위해, 얇은 화소부터 순서대로 성막하는 것이 적합하다.
제1 전극(200)의 두께는, 상기 수학식(l)에 기초하여 파장이 길수록 두껍게 할 필요가 있으며, R광용 화소> G광용 화소> B광용 화소의 순으로 된다. 이에, 본 실시 형태에서는 제 l 전극 성막실 22가 B광용, 성막실 24가 G광용, 성막실 26이 R광용 화소를 위한 제 l 전극 성막실인 경우, 처리 기판은 성막실 22에서의 B광 화소용의 제1 전극(200)(B)의 성막 처리, 성막실 24에서의 G광 화소용의 제 l 전극(200)(C)의 성막 처리, 성막실 26에서의 R광 화소용의 제1 전극(200)(R)의 성막 처리를 이 순서로 실행한다. 제1 전극 성막실(22, 24, 26)에서의 성막 순서는 동일하며, 성막실 22를 예로 하면, 진공 상태로 유지한 상태에서 게이트를 개방하고, 진공 반송실(18)로부터 반송 기구에 의해 처리 기판이 반입되며, 반송 기구가 성막실(22)로부터 대피했을 때 게이트를 폐쇄하고, 마스크 위치 결정 기구에 의해, 금속이나 혹은 반도체 재료로 구성되는 마스크와, 처리 기판과의 위치 결정을 한다. 위치 결정 후, 예를 들면 스퍼터링에 의해, 기판의 B광 화소의 위치에 처리 기판의 하부 반사막(110)을 피복하고, B광 화소용의 제1 전극(200)을 형성한다. 성막 후, 성막실을 진공으로 하여 분위기에서 재료원을 제거하고, 진공 반송실(18)과의 사이의 게이트를 개방하여, 진공 반송실(18)에 B용의 제1 전극(200)을 형성한 것을 처리 기판에 반출하여 다시 게이트를 폐쇄한다.
각 성막실(24, 26)에서도 마찬가지의 순서로 G광 화소용 두께의 제1 전극(200), R광 화소용 두께의 제1 전극(200)을 각각 형성한다. R, G, B광 화소용의 모든 제1 전극(200)을 형성한 후, 처리 기판은 진공 반송실(18)로부터 진공을 유지한 상태로 로드로크 챔버(16)로 반출되고, 여기에서 카세트 로더(12)를 통해 다음의 적층 공정, 구체적으로는 유기 발광 소자층(120)의 적층 장치로 보내진다.
이상과 같이, 도 4에 도시한 성막 장치의 구성이면, 하부 반사막(110)의 형성 후, 처리 기판은 전혀 대기에 노출되지 않고, 제1 전극 성막실(22, 24, 26)로 반송되어, 거기에서 제1 전극(200)이 형성된다. 따라서 하부 반사막(110)의 표면에 자연 산화막 등이 형성되지 않고, 하부 반사층의 표면이 깨끗하게 유지된다. 따라서 반사율이 저하되지 않고, 또한 ITO 등으로 이루어진 제 l 전극(200)과의 사이에서 높은 밀착성을 얻을 수 있으며, 표시 장치로서의 신뢰성이나 수명 향상을 도모할 수 있다.
또한, R, C, B의 화소마다 제1 전극(200)을 형성하고 있지만, 제1 전극(200)을 형성할 때 마스크를 이용함으로써, 성막과 동시에 전극을 패터닝 할 수가 있으며, 제조 공정의 증대를 최소한으로 억제하면서, 사출광마다 공진기의 광학 길이(L)를 변경할 수 있게 된다. 여기서, 제1 전극(200)의 두께는, 예를 들면 각 성막실(22, 24, 26)에서 성막 시간을 바꿈으로써, 정확하고, 또한 용이하게 제어할 수 있다.
이상의 설명에서, 한 장의 처리 기판에 대한 성막을 설명했지만, 각 성막실에 여러장 처리 기판을 투입하여 거의 동시에 처리를 실행하는, 소위 배치식의 제조 방법을 채용해도 된다.
또한, 도 4에 도시한 성막 장치에서는 모든 처리 기판은 일단 중앙의 진공 반송실(18)을 경유하여 다음의 성막실로 반송되는 구성이지만, 도 5에 도시한 바와 같이, 처리 기판에 대한 성막 처리순으로 각 성막실(20, 22, 24, 26)이 사이에 게이트를 삽입하여 직접 연결되어 있는 인라인 방식의 성막 장치를 채용해도 된다. 단, 도 4에 도시한 구조의 성막 장치가 도 5의 성막 장치와 비교해서, 성막의 순서 변경 등 제조 순서의 변경에 대한 대응이 용이하다. 또, 도 4에서, 각 성막실의 상호 배치는 임의로 할 수 있지만, 성막 공정이 연속되는 실을 가능한 한 가깝게 배치함으로써 반송 기구를 낭비 없이 움직일 수 있으며, 제조 시간의 단축에기여할 수 있다.
또한, 미소 공진기 기구를 구비한 표시 장치에 이용할 수 있다.
본 발명에 따르면, 표시 장치의 각 화소에 사출 파장마다 미소 광공진기를 용이하고, 또한 정확하게 형성할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 미소 공진기 구조를 구비한 표시 장치의 개략적인 단면 구조를 도시한 도면.
도 2는 본 발명의 실시 형태에 따른 미소 공진기 구조를 구비한 표시 장치의 다른 개략적인 단면 구조를 도시한 도면.
도 3은 본 발명의 실시 형태에 따른 능동 매트릭스형의 유기 EL 표시 장치의 개략적인 회로를 도시한 도면.
도 4는 본 발명의 실시 형태에 따른 미소 공진기 구조를 구비하는 표시 장치의 제조 장치의 일부를 도시한 도면.
도 5는 본 발명의 실시 형태에 따른 미소 공진기 구조를 구비하는 표시 장치의 제조 장치의 다른 예를 도시한 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10; 성막 장치 12; 카세트 로더
14, 16; 로드 로크 챔버 18; 진공 반송실
20; 하부 반사막 성막실 22, 24, 26; 제1 전극 성막실
80; 기판(유리 기판) 82; 능동층(다결정 실리콘막)
84; 게이트 절연막 86; 게이트 전극
88; 증간 절연막 90, 94; 콘택홀
92; 평탄화 절연층 100; 유기 EL 소자
110; 하부 반사막 120; 유기 발광 소자층
122; 정공 주입층 124; 정공 수송층
126; 발광층 128; 전자 수송층
130; 전자 주입층 140; 평탄화 절연층
200; 제1 전극(도전성 공진 스페이서층) 240; 제2 전극(상부 반사막)
240m; 금속 박막 240t; 투명 도전층
Claims (14)
- 복수의 화소를 구비하고, 적어도 2종류의 파장의 사출광에 의해 컬러 표시를 하는 표시 장치에 있어서,상기 복수의 화소 각각은, 기판측에 형성된 하부 반사막과, 상기 하부 반사막의 상방에, 사이에 유기 발광 소자층을 삽입하여 형성된 상부 반사막간에 구성된 미소 공진기 구조를 가지고,상기 하부 반사막은 반투과성의 금속 박막으로 구성되고,해당 하부 반사막과 상기 유기 발광 소자층 사이에는, 상기 유기 발광 소자층에 전하를 공급하는 전극으로서 기능하며, 화소마다 개별 패턴을 갖는 도전성 공진 스페이서층을 구비하고, 상기 도전성 공진 스페이서층은 투명 도전성 금속 산화물층이고, 다른 파장의 광을 사출하는 화소에서 서로 그 두께가 다르며,상기 유기 발광 소자층에서 얻어져, 상기 하부 반사막과 상기 상부 반사막 사이에 구성된 상기 미소 공진기 구조에 의해 증강된 광이, 상기 도전성 공진 스페이서층 및 상기 하부 반사막측으로부터 외부로 사출되는표시 장치.
- 제1항에 있어서,상기 화소로부터의 사출광은 적색, 청색, 녹색 중 어느 하나이며,상기 도전성 공진 스페이서층은 적색용, 청색용, 녹색용의 화소마다 다른 두께로 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 복수의 화소를 구비하고, 적어도 2종류의 파장의 사출광에 의해 컬러 표시를 하는 표시 장치에 있어서,상기 복수의 화소 각각은, 기판측에 형성된 하부 반사막과, 상기 하부 반사막의 상방에, 사이에 유기 발광 소자층을 삽입하여 형성된 반투과성의 상부 반사막간에 구성된 미소 공진기 구조를 가지고,상기 하부 반사막과 상기 상부 반사막의 층간 거리에 따른 광학 길이는 다른 파장의 광을 사출하는 화소에서 서로 다르며,상기 미소 공진기 구조에 의해 증강된 광이, 상기 상부 반사막을 투과하여 외부로 사출되는 것을 특징으로 하는표시 장치.
- 제3항에 있어서,상기 하부 반사막과 상기 상부 반사막의 층간에, 상기 유기 발광 소자층에 전하를 공급하는 전극으로서 기능하고, 화소마다 개별 패턴을 갖는 도전성 공진 스페이서층이 마련되며,해당 도전성 공진 스페이서층은 다른 파장의 광을 사출하는 화소에서 서로 두께가 다른 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제4항에 있어서,상기 도전성 공진 스페이서층은 상기 하부 반사막과 상기 유기 발광 소자층 사이에 마련되며, 도전성 금속 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 하부 반사막은, 은, 금, 백금, 알루미늄 또는 이들 중 어느 하나의 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 복수의 화소를 구비하고, 적어도 2종류의 파장의 사출광에 의해 컬러 표시를 하는 표시 장치의 제조 방법에 있어서,각 화소는 하부 반사막과, 상기 하부 반사막의 상방에, 사이에 적어도 1층의 유기 발광 소자층을 삽입하여 형성된 상부 반사막간에 구성된 미소 공진기를 구비하고,상기 미소 공진기의 상기 하부 반사막과 상기 상부 반사막의 층간 거리에 따른 광학 길이가 발광색에 따라 화소마다 다르고,상기 각 화소의 상기 하부 반사막을 형성하고,상기 하부 반사막 위에, 해당 하부 반사막의 형성과 연속하여, 상기 사출광의 색상별로 화소마다 다른 두께의 도전성 공진 스페이서층을 각각 다른 성막실에서 순서대로 형성하는 것을 특징으로 하는표시 장치의 제조 방법.
- 제7항에 있어서,상기 도전성 공진 스페이서층은 상기 유기 발광 소자층에 전하를 공급하는 전극층이며,각 성막실에서 마스크를 이용하여 화소마다 개별 패턴으로 소정의 두께로 도전성 금속 산화물을 적층하여 형성하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
- 제7항 또는 제8항에 있어서,상기 화소로부터의 사출광은, 적색, 청색, 녹색 중 어느 하나이고,적색용, 청색용, 녹색용의 화소마다 상기 도전성 공진 스페이서층을 다른 두께로 적층하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
- 제7항 또는 제8항에 있어서,상기 하부 반사막은, 은, 금, 백금, 알루미늄 또는 이들 중 어느 하나의 합금을 포함하는 금속막이고,해당 금속막의 형성 후 연속해서, 소정 두께의 상기 도전성 공진 스페이서층으로서 투명 도전성 금속 산화물층이 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
- 각 화소가 하부 반사막과, 상기 하부 반사막의 상방에, 사이에 유기 발광 소자층을 삽입하여 형성된 상부 반사막간에 구성된 미소 공진기를 구비하고,상기 미소 공진기의 상기 하부 반사막과 상기 상부 반사막의 층간 거리에 따른 광학 길이가 사출광의 파장에 따라 화소마다 다르고, 적어도 2종류의 파장의 사출광에 의해 컬러 표시를 하는 표시 장치의 제조 장치에 있어서,상기 하부 반사막을 형성하는 하부 반사막 성막실과,상기 하부 반사막과 상기 유기 발광 소자층 사이에 형성되고, 상기 미소 공진기의 상기 광학 길이를 화소가 사출하는 발광 파장에 따라 조정하는 도전성 공진 스페이서층을 적층하는 스페이서 성막실을 구비하고,상기 스페이서 성막실은 형성하는 상기 도전성 공진 스페이서층의 두께별로복수개 마련되고,상기 하부 반사막 성막실 및 복수의 상기 스페이서 성막실은, 진공 상태를 유지하면서 처리 기판을 반송 가능하도록 직접 또는 반송실을 통해 서로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는표시 장치의 제조 장치.
- 제11항에 있어서,상기 스페이서 성막실 내에서는, 진공 분위기 속에서 소정 화소 영역이 개구된 마스크를 이용하여, 상기 하부 반사막 위에 상기 도전성 공진 스페이서층을 형성하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 장치.
- 제11항 또는 제12항에 있어서,상기 하부 반사막 성막실은, 상기 처리 기판에 은, 금, 백금, 알루미늄 또는 이들 중 어느 하나의 합금을 포함하는 금속막을 형성하는 성막실이며,상기 스페이서 성막실은 진공 상태로 유지된 채 반송되어, 상기 금속막이 형성되어 있는 처리 기판에 상기 도전성 공진 스페이서층으로서 인듐 또는 주석 산화물 또는 인듐주석 산화물을 소정의 두께로 적층하는 표시 장치의 제조 장치.
- 제9항에 있어서,상기 하부 반사막은, 은, 금, 백금, 알루미늄 또는 이들 중 어느 하나의 합금을 포함하는 금속막이고,해당 금속막의 형성 후 연속해서, 소정 두께의 상기 도전성 공진 스페이서층으로서 투명 도전성 금속 산화물층이 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100932940B1 (ko) * | 2008-05-28 | 2009-12-21 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
| KR101321878B1 (ko) * | 2009-09-25 | 2013-10-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자 |
| US20220045296A1 (en) * | 2020-08-06 | 2022-02-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
Families Citing this family (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100704258B1 (ko) | 2004-06-02 | 2007-04-06 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 유기 ｅｌ 장치 및 전자 기기 |
| US8729795B2 (en) * | 2005-06-30 | 2014-05-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic device |
| JP5055723B2 (ja) * | 2005-08-11 | 2012-10-24 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、その製造方法および電子機器 |
| JP2007059116A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Sony Corp | 表示装置 |
| KR100778039B1 (ko) | 2005-09-27 | 2007-11-21 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 발광 장치, 발광 장치의 제조 방법 및 전자 기기 |
| KR100725493B1 (ko) * | 2005-11-10 | 2007-06-08 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이장치 및 그 제조방법 |
| JP4402069B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2010-01-20 | キヤノン株式会社 | 多色有機ｅｌディスプレイ |
| JP4967423B2 (ja) * | 2006-04-04 | 2012-07-04 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
| JP2007328999A (ja) * | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Tokyo Electron Ltd | 発光素子の製造装置および発光素子の製造方法 |
| JP4899929B2 (ja) * | 2007-02-28 | 2012-03-21 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置 |
| JP4977561B2 (ja) * | 2007-09-05 | 2012-07-18 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | 表示装置 |
| FR2926677B1 (fr) * | 2008-01-18 | 2014-04-25 | Astron Fiamm Safety | Diode et procede de realisation d'une diode electroluminescente organique a microcavite incluant des couches organiques dopees |
| TWI375820B (en) * | 2008-02-27 | 2012-11-01 | Wintek Corp | Color filter with touch screen and liquid crystal display having the same |
| US8193695B2 (en) | 2008-07-17 | 2012-06-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic light emitting device and manufacturing method thereof |
| KR101542398B1 (ko) | 2008-12-19 | 2015-08-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 장치 및 그 제조 방법 |
| WO2010092931A1 (ja) * | 2009-02-16 | 2010-08-19 | 凸版印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ及びその製造方法 |
| KR101232736B1 (ko) * | 2009-10-01 | 2013-02-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 어레이 기판 |
| KR101094287B1 (ko) * | 2009-10-09 | 2011-12-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR101084177B1 (ko) | 2009-11-30 | 2011-11-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법 |
| KR101108160B1 (ko) | 2009-12-10 | 2012-01-31 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR101035356B1 (ko) * | 2009-12-10 | 2011-05-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR101135539B1 (ko) | 2010-03-05 | 2012-04-13 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| JPWO2012102269A1 (ja) * | 2011-01-25 | 2014-06-30 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び照明装置 |
| EP2754176A4 (en) * | 2011-09-08 | 2015-04-15 | Univ California | SENSOR FOR DETECTING LOW NOISE IN LIQUIDS |
| JP5831100B2 (ja) * | 2011-09-29 | 2015-12-09 | セイコーエプソン株式会社 | 有機ｅｌ表示装置 |
| TW201324891A (zh) * | 2011-12-05 | 2013-06-16 | Au Optronics Corp | 電激發光顯示面板之畫素結構 |
| JP6158316B2 (ja) | 2012-05-25 | 2017-07-05 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 有機発光素子及びその製造方法 |
| CN103000641B (zh) * | 2012-12-12 | 2015-10-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
| KR102058238B1 (ko) * | 2013-09-02 | 2019-12-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 다이오드 표시장치 |
| JP6311732B2 (ja) * | 2016-02-10 | 2018-04-18 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
| CN105807513A (zh) * | 2016-05-30 | 2016-07-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种双面显示面板及其制作方法、双面显示装置 |
| JP2019179716A (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-17 | 大日本印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法、およびナノインプリント用モールド |
| JPWO2019220283A1 (ja) | 2018-05-18 | 2021-07-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置、電子機器および照明装置 |
| CN109148725B (zh) | 2018-08-30 | 2021-02-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光器件、像素单元、像素单元的制备方法和显示装置 |
| CN113314586A (zh) * | 2021-06-29 | 2021-08-27 | 合肥京东方卓印科技有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
Family Cites Families (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2797883B2 (ja) * | 1993-03-18 | 1998-09-17 | 株式会社日立製作所 | 多色発光素子とその基板 |
| US5405710A (en) * | 1993-11-22 | 1995-04-11 | At&T Corp. | Article comprising microcavity light sources |
| US5701055A (en) * | 1994-03-13 | 1997-12-23 | Pioneer Electronic Corporation | Organic electoluminescent display panel and method for manufacturing the same |
| US5686360A (en) * | 1995-11-30 | 1997-11-11 | Motorola | Passivation of organic devices |
| JP3552435B2 (ja) * | 1996-12-04 | 2004-08-11 | 株式会社日立製作所 | 有機発光素子及びその作成方法 |
| US6111270A (en) * | 1998-04-27 | 2000-08-29 | Motorola, Inc. | Light-emitting apparatus and method of fabrication |
| JP4001692B2 (ja) * | 1999-02-18 | 2007-10-31 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法 |
| GB2351840A (en) * | 1999-06-02 | 2001-01-10 | Seiko Epson Corp | Multicolour light emitting devices. |
| GB2353400B (en) * | 1999-08-20 | 2004-01-14 | Cambridge Display Tech Ltd | Mutiple-wavelength light emitting device and electronic apparatus |
| TW516244B (en) * | 1999-09-17 | 2003-01-01 | Semiconductor Energy Lab | EL display device and method for manufacturing the same |
| US6710541B2 (en) * | 2000-12-22 | 2004-03-23 | Reveo, Inc. | Polarized light sources and methods for making the same |
| US6576351B2 (en) * | 2001-02-16 | 2003-06-10 | Universal Display Corporation | Barrier region for optoelectronic devices |
| US6680570B2 (en) * | 2001-03-21 | 2004-01-20 | Agilent Technologies, Inc. | Polymer organic light emitting device with improved color control |
| US6716656B2 (en) * | 2001-09-04 | 2004-04-06 | The Trustees Of Princeton University | Self-aligned hybrid deposition |
| JP4164251B2 (ja) * | 2001-10-31 | 2008-10-15 | 東北パイオニア株式会社 | 有機ｅｌカラーディスプレイ及びその製造方法 |
| JP3748406B2 (ja) * | 2001-12-18 | 2006-02-22 | 株式会社日立製作所 | 表示装置 |
| JP4439827B2 (ja) * | 2002-02-25 | 2010-03-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 製造装置および発光装置の作製方法 |
| JP2005524964A (ja) * | 2002-05-08 | 2005-08-18 | ゼオラックス コーポレーション | フィードバック増強型発光ダイオードを使用したディスプレイデバイス＜関連出願の記載＞本願は、２００２年５月８日出願の米国仮出願第６０／３７９，１４１号（その全部が引用により本文書に組み込まれている）の利益を主張する。本願は、２００３年５月８日出願の「フィードバック増強型発光デバイス（ｆｅｅｄｂａｃｋｅｎｈａｎｃｅｄｌｉｇｈｔｅｍｉｔｔｉｎｇｄｅｖｉｃｅ）」と称する米国特許出願第号、および２００３年５月８日出願の「フィードバック増強型発光ダイオードを使用した照明装置（ｌｉｇｈｔｉｎｇｄｅｖｉｃｅｓｕｓｉｎｇｆｅｅｄｂａｃｋｅｎｈａｎｃｅｄｌｉｇｈｔｅｍｉｔｔｉｎｇｄｉｏｄｅ）」と称する米国特許出願第号（これら出願は、その全部が引用により本文書に組み込まれている）に関連している。 |
| US6670772B1 (en) * | 2002-06-27 | 2003-12-30 | Eastman Kodak Company | Organic light emitting diode display with surface plasmon outcoupling |
| US6905457B2 (en) * | 2002-10-29 | 2005-06-14 | Datex-Ohmeda, Inc. | Radiant field management for infant care apparatus |
| US6861800B2 (en) * | 2003-02-18 | 2005-03-01 | Eastman Kodak Company | Tuned microcavity color OLED display |
| US6737800B1 (en) * | 2003-02-18 | 2004-05-18 | Eastman Kodak Company | White-emitting organic electroluminescent device with color filters and reflective layer for causing colored light constructive interference |
| US6812637B2 (en) * | 2003-03-13 | 2004-11-02 | Eastman Kodak Company | OLED display with auxiliary electrode |
| JP4403399B2 (ja) * | 2003-09-19 | 2010-01-27 | ソニー株式会社 | 表示装置および表示装置の製造方法 |
| JP4895490B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2012-03-14 | 三洋電機株式会社 | 有機ｅｌパネル |
| JP4497881B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2010-07-07 | 三洋電機株式会社 | 有機ｅｌ素子および有機ｅｌパネル |
| JP4428979B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2010-03-10 | 三洋電機株式会社 | 有機ｅｌパネル |
-
2003
- 2003-12-26 JP JP2003435819A patent/JP2005197009A/ja active Pending
-
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Cited By (4)
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| KR100932940B1 (ko) * | 2008-05-28 | 2009-12-21 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
| US7999457B2 (en) | 2008-05-28 | 2011-08-16 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
| KR101321878B1 (ko) * | 2009-09-25 | 2013-10-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자 |
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