JP6158316B2 - 有機発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 383
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 93
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 59
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 42
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 38
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 38
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 37
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 35
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 33
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 33
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 29
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 27
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 23
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 16
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 claims description 14
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 12
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 10
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 claims description 9
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 8
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 7
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 5
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 125000004642 (C1-C12) alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 4
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000003974 aralkylamines Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical compound C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims description 4
- 125000002883 imidazolyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 claims description 4
- 229940124530 sulfonamide Drugs 0.000 claims description 4
- 150000003456 sulfonamides Chemical class 0.000 claims description 4
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 claims description 4
- 150000003462 sulfoxides Chemical class 0.000 claims description 4
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 claims description 4
- 125000006710 (C2-C12) alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical group C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical group C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000002971 oxazolyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 2
- CHVJITGCYZJHLR-UHFFFAOYSA-N cyclohepta-1,3,5-triene Chemical compound C1C=CC=CC=C1 CHVJITGCYZJHLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000004776 molecular orbital Methods 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 claims 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 47
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 14
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 8
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- -1 respectively Chemical group 0.000 description 8
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 6
- UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 125000002560 nitrile group Chemical group 0.000 description 5
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 4
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 4
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 4
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 4
- 125000000592 heterocycloalkyl group Chemical group 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 4
- HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 2-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 3
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 125000000923 (C1-C30) alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- AIYUHDOJVYHVIT-UHFFFAOYSA-M caesium chloride Chemical compound [Cl-].[Cs+] AIYUHDOJVYHVIT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M lithium chloride Chemical compound [Li+].[Cl-] KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- FGDZQCVHDSGLHJ-UHFFFAOYSA-M rubidium chloride Chemical compound [Cl-].[Rb+] FGDZQCVHDSGLHJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMEVMYSQZPJFOK-UHFFFAOYSA-N 3,4,5,6,9,10-hexazatetracyclo[12.4.0.02,7.08,13]octadeca-1(18),2(7),3,5,8(13),9,11,14,16-nonaene Chemical group N1=NN=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=NN=C3C2=N1 DMEVMYSQZPJFOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000739 C2-C30 alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N Indole Chemical group C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100496858 Mus musculus Colec12 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 150000001339 alkali metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000001341 alkaline earth metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003785 benzimidazolyl group Chemical class N1=C(NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229910052730 francium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002789 length control Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 229910052705 radium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 150000003413 spiro compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
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- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Description
基板上に、IZOをスパッタリング方法で1,000Åの厚みのアノードを形成し、その上に下記のm−MTDATA(4,4’,4”−トリス[3−メチルフェニル(フェニル)アミノ]トリフェニルアミン、4,4’,4”−tris[3−methylphenyl(phenyl)amino]triphenylamine)を熱真空蒸着して厚みが500Åのp型正孔注入層を形成した。次いで、前記p型正孔注入層上に下記のNPBを真空蒸着して厚みが400Åのp型正孔輸送層を形成した。
電子輸送層上に前記のHAT300Åからなる第1の光学長さ調整層を形成し、前記第1の光学長さ調整層上にIZOをスパッタリング方法で蒸着して1,000Åの厚みの第2の光学長さ調整層を形成し、前記第2の光学長さ調整層上にカソードとしてAlを2,000Åの厚みで形成したことを除いては、実施例1と同様に有機発光素子を製作した。
IZO厚みを500Åとしてアノードを形成し、光学長さ調整層の厚みを500Åの厚みで形成したことを除き、実施例1と同様に実施して有機発光素子を製作した。
正孔遮断層上に下記の電子輸送材料をホストとし、ドーパントとしてCaを10重量%ドーピングして150Åの厚みの電子輸送層を形成し、前記電子輸送層上にカソードとしてAlを2,000Åの厚みで形成したことを除いては、前記実施例1と同様に有機発光素子を製作した。すなわち、比較例1は、実施例1において光学長さ調整層を除いて有機発光素子を製作した。
前記電子輸送層を130Åの厚みで形成することを除いては、比較例1と同様に有機発光素子を製作した。
基板上に、IZOをスパッタリング方法で1,000Åの厚みのアノードを形成し、その上に前記HATを熱真空蒸着して厚みが500Åのp型正孔注入層を形成した。次いで、前記p型正孔注入層上に下記のNPBを真空蒸着して厚みが300Åのp型正孔輸送層を形成した。
正孔輸送層上に、前記NPBにBAlq(ビス(2-メチル-8-キノリノラート)-4-(フェニルフェノラート)アルミニウム、Bis(2−methyl−8−quinolinolate)−4−(phenylphenolato)aluminum)を3重量%ドーピングして厚み200Åの青色発光層を形成し、光学長さ調整層を400Åの厚みで形成したことを除いては、実施例3と同様に実施して有機発光素子を製作した。
電子輸送層上に、前記HATを300Åの厚みからなる第1の光学長さ調整層を形成し、前記第1の光学長さ調整層上に、IZOを用いた前記第2の光学長さ調整層を1,600Åの厚みで形成し、前記第2の光学長さ調整層上にAgを2,000Åの厚みでカソードを形成したことを除いては、実施例3と同様に実施して有機発光素子を製作した。
基板上に、IZOをスパッタリング方法で1,000Å厚みのアノードを形成し、その上に下記のm−MTDATA(4,4’,4”−トリス[3−メチルフェニル(フェニル)アミノ]トリフェニルアミン、4,4’,4”−tris[3−methylphenyl(phenyl)amino]triphenylamine)を熱真空蒸着して厚みが500Åのp型正孔注入層を形成した。次いで、前記p型正孔注入層上に下記のNPBを真空蒸着して厚みが400Åのp型正孔輸送層を形成した。
前記比較例3において、前記IZOアノード上にHATを500Åの厚みで蒸着して光学長さ調整層を形成し、カソードの上部には光学長さ調整層を形成しないことを除いて、比較例3と同様に実施して有機発光素子を製作した。
カソードとしてAlを500Åの厚みで形成し、光学長さ調整層を500Åの厚みで形成したことを除いて、実施例1と同様に有機発光素子を製作した。
20:陽極(アノード)
30:基板
100:光学長さ調整層
102:第1の光学長さ調整層
104:第2の光学長さ調整層
120:電子輸送層
140:発光層
160:正孔輸送層
180:正孔注入層
Claims (31)
- 第1の電極、発光層、及び第2の電極を順次備えた形態で含む有機発光素子であって、
前記有機発光素子は、前記発光層と前記第2の電極との間に、前記発光層と第2の電極との間に備えられた光学長さ調整層を含むm個の有機物層を含み、
前記m個の有機物層は、下記式1又は2を満たし、
前記光学長さ調整層は、下記化学式1で表示される化合物を含む第1の光学長さ調整層を含み、
前記発光層で生成された光が第1の電極を介して放出されることを特徴とする有機発光素子:
前記式1及び式2において、λは発光層の光の波長(nm)を意味し、nxは発光層から第2の電極方向へのx番目の有機物層の屈折率を意味し、dxは発光層から第2の電極方向へのx番目の有機物層の厚み(nm)を意味し、
前記化学式1において、R1bないしR6bはそれぞれ水素、ハロゲン原子、ニトリル(−CN)、ニトロ(−NO2)、スルホニル(−SO2R)、スルホキシド(−SOR)、スルホンアミド(−SO2NR)、スルホネート(−SO3R)、トリフルオロメチル(−CF3)、エステル(−COOR)、アミド(−CONHRまたは−CONRR’)、置換もしくは非置換された直鎖もしくは分枝鎖のC1−C12アルコキシ、置換もしくは非置換された直鎖もしくは分枝鎖のC1−C12アルキル、置換もしくは非置換された直鎖もしくは分枝鎖のC2−C12アルケニル、置換もしくは非置換された芳香族もしくは非芳香族のヘテロ環、置換もしくは非置換されたアリール、置換もしくは非置換されたモノ−またはジ−アリールアミン、及び置換もしくは非置換されたアラルキルアミンで構成された群より選ばれ、前記R及びR’は、それぞれ置換もしくは非置換されたC1−C60アルキル、置換もしくは非置換されたアリール、及び置換もしくは非置換された5−7員ヘテロ環からなる群より選ばれる。 - 前記光学長さ調整層の厚みは、50Å以上であることを特徴とする請求項1に記載の有機発光素子。
- 前記光学長さ調整層の厚みは、200Å以上3,000Å以下であることを特徴とする請求項1に記載の有機発光素子。
- 前記発光層で生成された光が青色光である場合、
前記光学長さ調整層の厚みは、200Å以上1,000Å以下、または1,300Å以上2,500Å以下であることを特徴とする請求項1に記載の有機発光素子。 - 前記発光層で生成された光が黄色光である場合、
前記光学長さ調整層の厚みは、200Å以上1,200Å以下、または1,500Å以上3,000Å以下であることを特徴とする請求項1に記載の有機発光素子。 - 前記光学長さ調整層は、透明導電性物質を含む第2の光学長さ調整層をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の有機発光素子。
- 前記透明導電性物質は、インジウムすず酸化物(ITO:Indium Tin Oxide)、インジウム亜鉛酸化物(IZO:Indium Zinc Oxide)、インジウム酸化物(Indium Oxide)、すず酸化物(Tin Oxide)、及び亜鉛酸化物(ZnO:Zinc Oxide)からなる群より選ばれた1つ以上の金属酸化物を含むことを特徴とする請求項6に記載の有機発光素子。
- 前記第1の電極の透過率は、5%ないし100%であることを特徴とする請求項1に記載の有機発光素子。
- 前記第1の電極の屈折率は、1.3ないし2.5であることを特徴とする請求項1に記載の有機発光素子。
- 前記第1の電極は、仕事関数が2eVないし6eVの金属、金属酸化物、及び導電性ポリマーからなる群より選ばれる物質を含むことを特徴とする請求項1に記載の有機発光素子。
- 前記第1の電極は、インジウムすず酸化物(ITO:Indium Tin Oxide)、インジウム亜鉛酸化物(IZO:Indium Zinc Oxide)、インジウム酸化物(Indium Oxide)、すず酸化物(Tin Oxide)、及び亜鉛酸化物(ZnO:Zinc Oxide)からなる群より選ばれた1つ以上の金属酸化物を含むことを特徴とする請求項1に記載の有機発光素子。
- 前記第1の電極の厚みは、300Åないし1,700Åであることを特徴とする請求項1に記載の有機発光素子。
- 前記第2の電極の反射度は、70%ないし100%であることを特徴とする請求項1に記載の有機発光素子。
- 前記第2の電極は、仕事関数が2eVないし6eVの金属、金属酸化物、及び導電性ポリマーからなる群より選ばれる物質を含むことを特徴とする請求項1に記載の有機発光素子。
- 前記第2の電極は、Al、Ag、Au、Ni、Pd、Ti、Mo、Mg、Ca、Zn、Te、Pt、及びIrからなる群より選ばれた1つまたは2つ以上の合金を含むことを特徴とする請求項1に記載の有機発光素子。
- 前記第2の電極の厚みは、700Å以上であることを特徴とする請求項1に記載の有機発光素子。
- 前記有機発光素子は、発光層に接して備えられた電子輸送層をさらに含み、
前記電子輸送層は、イミダゾール基、オキサゾール基、チアゾール基、キノリン基、及びフェナントロリン基からなる群より選ばれる1つ以上の作用基を有する化合物を含むことを特徴とする請求項1に記載の有機発光素子。 - 前記電子輸送層は、n−型ドーパントを含むことを特徴とする請求項17に記載の有機発光素子。
- 前記n−型ドーパントは、アルカリ金属、アルカリ土類金属、金属ハロゲン化物、金属酸化物、希土類金属、金属化合物、シクロペンタジエン、シクロヘプタトリエン、6員ヘテロ環、及びこれらの環が含まれた縮合環を含む物質のうちから選ばれることを特徴とする請求項18に記載の有機発光素子。
- 前記n−型ドーパントの含量は、1ないし50重量%であることを特徴とする請求項18に記載の有機発光素子。
- 前記電子輸送層は、発光層と光学長さ調整層との間に備えられ、
前記電子輸送層のLUMO(Lowest unoccupied molecular orbital)準位は、前記光学長さ調整層のLUMO準位とのエネルギー差が4eV以下であることを特徴とする請求項18に記載の有機発光素子。 - 前記有機発光素子は、発光層と接して備えられた正孔輸送層をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の有機発光素子。
- 前記正孔輸送層は、p−型ドーパントを含むことを特徴とする請求項22に記載の有機発光素子。
- 前記p−型ドーパントを含む正孔輸送層のHOMO(highest occupied molecular orbital)準位が5eV以上であることを特徴とする請求項23に記載の有機発光素子。
- 前記有機発光素子は、第1の電極と発光層との間に備えられた正孔輸送層と、
第1の電極と正孔輸送層との間に備えられた正孔注入層と、
をさらに含み、
前記正孔注入層は、化学式1で表示される化合物を含むことを特徴とする請求項1に記載の有機発光素子。 - 請求項1〜25のいずれか1項の有機発光素子を含むことを特徴とする照明機器。
- 基板に第1の電極を形成するステップと、第1の電極に発光層を形成するステップと、
発光層に第2の電極を形成するステップとを含む有機発光素子の製造方法であって、
前記発光層と前記第2の電極との間に、前記発光層と第2の電極との間の光学長さ調整層を含むm個の有機物層を形成するステップを含み、
前記m個の有機物層は、下記式1又は2を満たし、
前記光学長さ調整層は、下記化学式1で表示される化合物を含む第1の光学長さ調整層を含み、
前記発光層で生成された光が第1の電極を介して放出されることを特徴とする有機発光素子の製造方法。
前記式1及び式2において、λは発光層の光の波長(nm)を意味し、nxは発光層から第2の電極方向へのx番目の有機物層の屈折率を意味し、dxは発光層から第2の電極方向へのx番目の有機物層の厚み(nm)を意味し、
前記化学式1において、R1bないしR6bはそれぞれ水素、ハロゲン原子、ニトリル(−CN)、ニトロ(−NO2)、スルホニル(−SO2R)、スルホキシド(−SOR)、スルホンアミド(−SO2NR)、スルホネート(−SO3R)、トリフルオロメチル(−CF3)、エステル(−COOR)、アミド(−CONHRまたは−CONRR’)、置換もしくは非置換された直鎖もしくは分枝鎖のC1−C12アルコキシ、置換もしくは非置換された直鎖もしくは分枝鎖のC1−C12アルキル、置換もしくは非置換された直鎖もしくは分枝鎖のC2−C12アルケニル、置換もしくは非置換された芳香族もしくは非芳香族のヘテロ環、置換もしくは非置換されたアリール、置換もしくは非置換されたモノ−またはジ−アリールアミン、及び置換もしくは非置換されたアラルキルアミンで構成された群より選ばれ、前記R及びR’は、それぞれ置換もしくは非置換されたC1−C60アルキル、置換もしくは非置換されたアリール、及び置換もしくは非置換された5−7員ヘテロ環からなる群より選ばれる。 - 前記光学長さ調整層を形成するステップは、第1の光学長さ調整層と第2の電極との間に透明導電性物質を含む第2の光学長さ調整層を形成するものをさらに含むことを特徴とする請求項27に記載の有機発光素子の製造方法。
- 前記光学長さ調整層を形成するステップ以前に、
第1の電極に正孔輸送層;発光層;及び電子輸送層を順次形成するステップを含むことを特徴とする請求項27に記載の有機発光素子の製造方法。 - 前記光学長さ調整層を形成するステップ以前に、
第1の電極に前記化学式1で表示される化合物を含む正孔注入層;正孔輸送層;発光層;及び電子輸送層を順次形成するステップを含むことを特徴とする請求項27に記載の有機発光素子の製造方法。 - 前記光学長さ調整層を形成するステップ以前に、
第1の電極に電子輸送層;発光層;及び正孔輸送層を順次形成するステップを含むことを特徴とする請求項27に記載の有機発光素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2012-0056400 | 2012-05-25 | ||
KR20120056400 | 2012-05-25 | ||
PCT/KR2013/004580 WO2013176521A1 (ko) | 2012-05-25 | 2013-05-24 | 유기발광소자 및 이의 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015517744A JP2015517744A (ja) | 2015-06-22 |
JP6158316B2 true JP6158316B2 (ja) | 2017-07-05 |
Family
ID=49624128
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015513947A Active JP6158316B2 (ja) | 2012-05-25 | 2013-05-24 | 有機発光素子及びその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9406907B2 (ja) |
JP (1) | JP6158316B2 (ja) |
KR (1) | KR101433524B1 (ja) |
CN (1) | CN104488106B (ja) |
WO (1) | WO2013176521A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10003041B2 (en) * | 2014-08-21 | 2018-06-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode and organic light emitting display device including the same |
US10236464B2 (en) | 2014-08-21 | 2019-03-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode |
US11211575B2 (en) | 2014-08-21 | 2021-12-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode |
WO2016088378A1 (ja) * | 2014-12-03 | 2016-06-09 | 株式会社Joled | 有機発光デバイス |
CN106654050B (zh) * | 2017-01-16 | 2019-07-30 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种有机发光显示面板及装置 |
JP6589964B2 (ja) * | 2017-11-14 | 2019-10-16 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置および液晶装置 |
CN108598134A (zh) * | 2018-05-30 | 2018-09-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
CN110911440B (zh) * | 2018-09-14 | 2020-10-16 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板、显示屏和显示终端 |
CN115188838A (zh) * | 2022-06-28 | 2022-10-14 | 华中科技大学 | 一种硒化镉/晶硅串联集成太阳能电池及其制备方法 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100721656B1 (ko) * | 2005-11-01 | 2007-05-23 | 주식회사 엘지화학 | 유기 전기 소자 |
EP1672962B1 (en) | 2003-09-19 | 2012-06-20 | Sony Corporation | Organic light emitting device, manufacturing method thereof and display device using the organic light emitting device |
JP2005197009A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置及びその製造方法及び製造装置 |
CN100493289C (zh) * | 2004-04-09 | 2009-05-27 | Lg化学株式会社 | 具有高效率和高亮度的叠层式有机发光器件 |
CN101006159B (zh) * | 2004-08-19 | 2011-11-09 | Lg化学株式会社 | 包括缓冲层的有机发光器件及其制备方法 |
US7531959B2 (en) * | 2005-06-29 | 2009-05-12 | Eastman Kodak Company | White light tandem OLED display with filters |
US7564182B2 (en) * | 2005-06-29 | 2009-07-21 | Eastman Kodak Company | Broadband light tandem OLED display |
JP4999291B2 (ja) | 2005-06-30 | 2012-08-15 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびそれを備える表示装置又は発光装置 |
TW200714131A (en) | 2005-07-29 | 2007-04-01 | Sanyo Electric Co | Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display device |
KR100890862B1 (ko) * | 2005-11-07 | 2009-03-27 | 주식회사 엘지화학 | 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법 |
JP2009524189A (ja) * | 2006-01-18 | 2009-06-25 | エルジー・ケム・リミテッド | 積層型有機発光素子 |
TWI382783B (zh) * | 2006-03-07 | 2013-01-11 | Lg Chemical Ltd | 有機發光二極體及其製造方法 |
WO2007129834A1 (en) * | 2006-05-04 | 2007-11-15 | Lg Chem, Ltd. | Organic light-emitting device having light-emitting pattern, method and apparatus for preparing the same |
JP4690244B2 (ja) | 2006-05-12 | 2011-06-01 | ケミプロ化成株式会社 | テトラ−フェニルシラン骨格を有するフルオレン化合物、それを用いた発光層ホスト材料、ホールブロック材料および有機el素子 |
JP5109303B2 (ja) * | 2006-07-31 | 2012-12-26 | ソニー株式会社 | 有機発光素子および表示装置 |
JP2008084910A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Canon Inc | 有機el表示装置 |
DE112008000348B4 (de) * | 2007-02-05 | 2017-06-22 | Lg Display Co., Ltd. | Organische lichtemittierende Vorrichtung mit verbesserter Lichtemissionseffizienz und Verfahren zur Herstellung derselben |
US20080278072A1 (en) * | 2007-04-30 | 2008-11-13 | Lg Chem, Ltd. | Organic light emitting device and method of producing the same |
KR100829761B1 (ko) | 2007-05-16 | 2008-05-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
CN103996793A (zh) * | 2008-01-23 | 2014-08-20 | Lg化学株式会社 | 有机发光器件及其制备方法 |
EP2299786B1 (en) * | 2008-05-16 | 2014-03-26 | LG Chem, Ltd. | Stacked organic light-emitting diode |
US9587172B2 (en) * | 2008-10-01 | 2017-03-07 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light-emitting diode and method of manufacturing the same |
US20120007071A1 (en) * | 2009-03-17 | 2012-01-12 | Mun-Kyu Joo | Organic light-emitting device, and method for manufacturing same |
JP5453952B2 (ja) * | 2009-06-23 | 2014-03-26 | ソニー株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法、並びに表示装置およびその製造方法 |
US9362459B2 (en) * | 2009-09-02 | 2016-06-07 | United States Department Of Energy | High reflectivity mirrors and method for making same |
JP2012114073A (ja) * | 2010-11-04 | 2012-06-14 | Sony Corp | 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器 |
JP5633057B2 (ja) * | 2011-02-09 | 2014-12-03 | 豊田合成株式会社 | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
-
2013
- 2013-05-24 JP JP2015513947A patent/JP6158316B2/ja active Active
- 2013-05-24 US US14/403,394 patent/US9406907B2/en active Active
- 2013-05-24 WO PCT/KR2013/004580 patent/WO2013176521A1/ko active Application Filing
- 2013-05-24 KR KR1020130059328A patent/KR101433524B1/ko active IP Right Grant
- 2013-05-24 CN CN201380039035.XA patent/CN104488106B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015517744A (ja) | 2015-06-22 |
US20150194633A1 (en) | 2015-07-09 |
CN104488106A (zh) | 2015-04-01 |
US9406907B2 (en) | 2016-08-02 |
KR101433524B1 (ko) | 2014-08-22 |
KR20130132329A (ko) | 2013-12-04 |
CN104488106B (zh) | 2017-06-09 |
WO2013176521A1 (ko) | 2013-11-28 |
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Legal Events
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