CN102792438B - 精加工绝缘体上半导体型衬底的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及精加工绝缘体上半导体（SeOI）型衬底（4），所述绝缘体上半导体（SeOI）型衬底（4）包括埋在两层半导体材料层（41，43）之间的一层绝缘体层（42）。该方法值得注意之处在于，其顺序包括：布局所述衬底（4）的周边环形，从而获得布局后的衬底（4'），封装所述布局后的衬底（4'），从而用半导体材料（410）覆盖所述掩埋绝缘体层（42）的所述布局后的侧边缘（420）。

Description

精加工绝缘体上半导体型衬底的方法
技术领域
本发明整体上涉及一种衬底的制备，该衬底可应用于电子、光学和光电子领域。
更具体来说，其涉及已知首字母缩写为SeOI（“Semiconductor OnInsulator（绝缘体上半导体）”）的衬底的精加工方法。
背景技术
本发明发现了精加工“SOI”衬底的具体应用，其中的半导体是硅。
在已应用的不同制备方法中，提及的内容可能由那些应用中的键合与转移层的步骤组成。该方法的举例如下所述。
根据该方法，在第一种所谓的“施予”衬底中产生脆化区域，其覆盖着绝缘层，例如通过注入原子和/或离子物质。该衬底接下来通过分子间附着力粘附到第二种所谓的“接受”衬底上。
接下来，施予衬底沿着这个脆化区域被分为两个部分，例如通过脱离退火（“剥离”或“分裂”），使得预期厚度的施予衬底的材料以及绝缘体层被转移到接受衬底上。
关于本主题的举例，可以参考申请人在注册商标“Unibond”下的已知的方法。
附图1是对扫描电子显微镜所拍摄的照片的图示说明，其显示了刚刚脱离退火后的SOI衬底的边缘的横截面图。该SOI衬底包括硅支承1和表面硅层3之间的掩埋绝缘体层2。可以明显地看到，掩埋绝缘体层2（这里是二氧化硅）的侧边缘20可能广泛暴露在化学蚀刻中。
现在，经常对该SOI（或SeOI）衬底实行额外的处理，以显著地改善其表面状况，特别是用于减少其粗糙度或用于加强两层之间的粘结键合。这样的处理通常涉及化学蚀刻，例如使用氢氟酸（HF）。
这样的处理应用于SOI衬底，如图1所示，对绝缘体层2的侧蚀刻导致了衬底的分层。
为了克服该问题，一种处理SOI衬底的方法是，从美国6，939，783文件中已知的快速热退火（本领域技术人员称为“RTA”），该处理具有的作用是，用位于上方的硅在二氧化硅层2的边缘产生侧面封装。
附图2是对扫描电子显微镜所拍摄的照片的图示说明，其显示了在这样处理结束后的SOI衬底的边缘的横截面图。如图中可以看到的这样，该SOI的表面层3的硅被移动，并覆盖了二氧化硅层2的侧边缘20以保护后者。该封装的部分被标记为30。
现在，申请人进行了测试，并不幸地注意到，不是一直能够获得具有预期保护性的有利效果的封装，因为相对于图2所示的理想情况，转移的硅层3的边缘可能不规则。
申请人发现，出现在SeOI或SOI衬底边缘的缺陷，虽然是排除区域的一部分，其中没有电子部件生成，但是该缺陷可能扰乱封装现象。
在后者之中，第一种类型的缺陷被认定为“薄片”，是由在脱离过程中出现的和已被拆离的部分衬底形成的，然后再次明显地粘结键合在衬底的边缘上。
这种薄片31在附图3中是可见的，图3图示说明了SOI衬底的横截面图。
第二种类型的缺陷被称为“锯齿状边缘”，是由上层硅的超出被转移表面的一般边缘的延伸的表面所形成的。
该缺陷32在上述图3以及附图4中可见，图4图解说明的是用扫描电子显微镜所拍摄的照片，是从上面看到的SOI衬底的边缘。
申请人因此发现，当通过RTA处理时，所获得的封装可能会被扰乱，尤其是在顶层的锯齿状边缘32处太薄。当这个封装进行外延处理时，也可能被扰乱，或者甚至在薄片31上完全混乱，可能在薄片31上形成更大数量的封装材料，例如形成材料赘生物。
封装甚至可能不完整，其取决于衬底边缘（板边缘）的不规则的形状，因此，对于化学蚀刻，例如使用氢氟酸（HF），掩埋绝缘体的某些部分可能仍然是可进入的。
此外，某些薄片或锯齿状边缘的片，可能在封装之前脱离接受衬底并再次沉积在SeOI衬底的表面层3上，然后被封装最后密封，从而在这层上产生缺陷。
附图5是通过扫描电子显微镜所拍摄的SOI型衬底的照片的视图，其上可以观察到这种质量较差的封装，尤其是其经过氢氟酸蚀刻的封装较差的掩埋绝缘体的部分。
发明内容
因此本发明的目的是解决上述技术状态的缺陷。
本发明的目的尤其是提供一种精加工SeOI型的衬底方法，通过该方法能够在掩埋绝缘体的侧边获得质量很好的封装，也就是均匀的封装，因此绝缘体的侧边缘整体覆盖了具有相对恒定厚度的一层半导体材料，并且在距离板的边缘恒定距离处该层的边缘形成规则的冠。
为了这个目的，本发明涉及一种精加工绝缘体上半导体（SeOI）型的衬底的方法，该衬底包括埋在两层半导体材料之间的绝缘体层。
根据本发明，该方法顺序包括：
-对所述衬底的周边环形进行布局（routing），以获得布局后的（routed）衬底，
-用半导体材料对所述布局后的衬底进行封装，从而覆盖所述掩埋绝缘体层的布局后的侧边缘。
根据本发明的其它有利的和无限制的特征，其单独使用或作为组合使用：
·在布局完成后立即进行布局后的衬底的封装，
·通过研磨所述SeOI衬底的周边环形边缘进行布局，
·通过刻蚀所述SeOI衬底的周边环形边缘进行布局，
·通过使所述布局后的衬底经受快速热退火（RTA）处理来进行对所述布局后的衬底的封装，
·所述快速热退火（RTA）处理在1150°C至1300°C的温度下进行，持续时间为15秒至约5分钟。
·所述快速热退火（RTA）处理在氢气和/或氩气气氛下进行，
·通过外延进行封装所述布局后的衬底的步骤，
·通过快速热退火（RTA）处理以及通过外延进行封装所述布局后的衬底的步骤，
·通过激光退火进行封装所述布局后的衬底的步骤，
·所述布局包括如下步骤：
-用等离子体在所述SeOI型衬底的周边环形区域上沉积一层保护材料，
-用等离子体完成所述保护材料的局部蚀刻，从而在所述SeOI型衬底的前表面上保持保护材料的环，所述环从所述衬底的侧边缘延伸一定距离，并由此限定了所述衬底的对于等离子体可进入的缩小的周边环形区域，
-生成局部蚀刻的等离子体，其位于SeOI型衬底的所述缩小的周边环形区域，以便蚀刻出现在此区域中超过一定厚度的材料，
-通过等离子体移除保护材料的所述环，
·在用于形成各向同性的等离子体的外壳中进行布局。
·所述布局通过如下步骤进行：
-将所述SeOI型衬底引入用于形成各向同性的等离子体的外壳内部，所述外壳配备有盘形的上部绝缘件和两个电极，两个电极中的一个电极，即所谓的“下部”电极被圆形轮廓的下部绝缘件环绕，所述衬底位于所述外壳中，使得所述衬底的后表面接触所述下部电极并接触所述下部绝缘件，由此在所述后表面上限定对于等离子体不可进入的排除区域，所述上部绝缘件位于距离所述SeOI型衬底的所述前表面一定距离处，以在所述前表面上也限定对于等离子体不可进入的排除区域，下部绝缘件和上部绝缘件的外直径均小于待布局的所述SeOI型衬底的直径，所述衬底的剩余部分形成对于等离子体可进入的所述周边环形区域，
-通过在所述外壳中形成的等离子体将所述一层的保护材料沉积在所述周边环形区域上，
-使所述上部绝缘件更接近所述SeOI型衬底的所述前表面，并对所述保护材料进行所述局部蚀刻，
-将所述上部绝缘件保持在其位置的同时，蚀刻一定厚度的用于形成所述SeOI型衬底的所述材料，
-移动上部的绝缘件使其远离所述衬底的前表面，并移除所述保护材料的环。
·在所述布局与封装的步骤之后为牺牲氧化步骤，接着为脱氧步骤。
·在所述牺牲氧化和脱氧步骤之后进行快速热退火（RTA）处理，接着任选地进行第二牺牲氧化和第二脱氧，但后者不是不可或缺的，因为封装是通过最后的快速退火（RTA）步骤之后完成的。
·所述方法包括第一系列步骤，所述第一系列步骤包括快速热退火（RTA）处理和其后的牺牲氧化和脱氧，且该第一系列步骤在用于布局和封装所述衬底的所述步骤之前。
附图说明
通过现在将进行的参考附图的描述，本发明的其他特征和优点将更加清楚，所述附图说明了（作为指示而不是作为限制）其中一个可能的实施方案。
在这些图中，除那些已经描述的之外：
-图6A-6C是图示说明根据本发明的不同的方法步骤，
-图7A-7D是作为截面图分别图示说明，在布局的不同的连续阶段期间，一部分待布局的衬底以及允许应用布局的设施。
在图3、6A-6C和7A-7D的图示中，应注意到，各自比例的不同显示的层或组成部分不总是能被观察到，为了解释的目的，某些区域已经自动放大。
具体实施方式
根据本发明的方法是用于绝缘体上半导体SeOI型的衬底的所谓的“精加工”方法，因为所述方法涉及在导致层的转移的脱离退火之后进行步骤以及在该衬底形成中执行的步骤，所述衬底包括埋在两层半导体材料层之间的绝缘体层。
现在将参考图6A-6C描述根据本发明的方法。
参照图6A，可以看到SeOI型的衬底4顺序包括半导体材料的表面层41、掩埋绝缘体层42以及也由半导体材料制成的支承43。
如本图中所示，在转移层的步骤的最后，获得的SeOI衬底4具有前面提及的类型的缺陷，即薄片44（在本图中只显示其中的一个）和周边环形锯齿状边缘，标记为45。
根据本发明的方法的第一步包括：对衬底4的周边环形边缘进行布局（routing）。这个步骤见图6B。
其应用方法将如下所述。该布局步骤具有除去一定宽度L的表面层41边缘和掩埋绝缘体层42的边缘的作用。优选地，进行该布局以便以距离所述衬底的物理边缘为恒定且可控的距离来布局所述衬底。
任选地，所述布局也可以在支承43的周边环形的一部分被移除深度P之前进行。
L是通常从0.5到3毫米变化的宽度。L被选定为略大于SeOI上出现的冠的宽度，从而通过布局移除所述薄片或锯齿状边缘类型的缺陷，并获得在布局之后宽度不变的冠。
P从0到几千埃变化，通常是500-（50到100nm）。
在图6B中，支承衬底43没有像布局后的那样显示。
布局后的衬底被标记为4'。
下面的步骤如图6C所示，所述步骤包括对布局后的掩埋绝缘体42的横向边缘420实现封装。该步骤的作用是使得形成表面层41的半导体材料向边缘420流动，起到保护边缘420以及使所述边缘420对后续的化学蚀刻不可进入的作用，从而同时避免了分层现象。
封装绝缘体42的材料41的部分，标记为410。所述布局后的和封装的衬底被标记为4″。
用于施加该封装步骤的方法将如下所述。
优选地，封装步骤在布局后立即进行，以便在所述封装之前避免布局后的衬底受到任何意外的污染，并最多地限制通过布局获得的薄膜边缘的质量改变的风险。应该在边缘失去其整齐之前进行封装。所述薄膜包括表面层41和掩埋绝缘体42，所述薄膜之后仍然只稍微粘附到接受支承衬底43上，且所述薄膜边缘尤其应该加固以避免撕裂或划痕。
根据可选择的实施方案，所述封装也可以在清洗步骤后立即进行，所述清洗步骤本身在布局之后。
布局：
该布局可以通过不同的技术进行，且尤其是通过机械研磨或蚀刻步骤。
例如研磨可以通过以下步骤实现，将衬底4放置在驱动到旋转的支承上，使所述衬底4的边缘接近抛光模座，任选地覆盖有研磨作用的溶液（“研磨液”），并将抛光模座应用在衬底4待布局的超过宽度L的边缘上。
关于该主题可以参考描述通过研磨和/或抛光进行布局的文件US6，797，632和US2007/0243694。
所述布局也可以通过湿法蚀刻或干法蚀刻进行。
湿法蚀刻包括在表面层41的前表面411的中央部分形成保护的掩膜，该掩膜的直径小于所述层41的直径，以便留下无保护的周边环形区域。所述衬底接下来顺序暴露到针对形成表面层41和绝缘层42的材料的特定蚀刻溶液，从而蚀刻和移除衬底4的无保护的边缘。
干法蚀刻包括使衬底4的无掩膜保护的边缘经受气体蚀刻，例如用各向同性或各向异性等离子体。
例如，可以参考描述干法蚀刻方法的文件US2009/0170285。
当期望获得特别完全的布局后的边缘时，即垂直或准垂直于前表面411所在的平面，可以使用与图7A-7D相关的现在将描述的设施及布局方法。
在这些附图中，衬底4为槽形，所以所述衬底4的前表面411被分解成非槽形的平面中心区域411a和成槽形的周边区域411b，所以其后表面430也被分解成非槽形平面区域430a和槽形区域430b。
所述衬底4的侧边标记为46。
在用于形成等离子体的反应器5内部进行布局，如下图7A-7D所示。
该反应器包括外壳50，里面安装有两个绝缘件53、54和两个电极51、52，两个电极被连接到电力供应（图中未示出）。
所述待布局的衬底4放置在穿过衬底后表面430的下部电极52和下部绝缘件54上。
下部电极52被有圆形轮廓的下部绝缘件54环绕。优选地，电极52是圆形的且绝缘件54是环形的。
此外，上部绝缘件53是盘状的，且环绕上部绝缘件53的电极51是环形的。
上部绝缘件53安装在驱动装置上（图中未示出），允许上部绝缘件53沿垂直于衬底4的中间面的垂直轴位移，其本身平行于后表面430。因此上部绝缘件53可以在如图7D所示的位置（其中上部绝缘件53最大程度的远离待布局的衬底4）和如图7B和7C所示的位置（其中使上部绝缘件53更靠近该衬底4）之间移动。
用于形成等离子体的所述气体经由管道被引入外壳50内部，例如这里的总共两个，标记为55和56。
发生在外壳50内部的反应过程中所产生的挥发性材料，可以用吸出装置并经过孔（图中未示出）从外壳50排出。
电压被应用于电极51和52，其作用是在外壳50内部产生电场，并将引入管道55和56的气体转化为等离子体。
不同的参数，比如在所述外壳50内部现行的温度和压力，引入外壳50内部的气体的性质、流速和比例，所述等离子体的频率以及应用于电极51和电极52的接点的功率，对形成的等离子体的化学成分和对其性质（即沉积等离子体或蚀刻等离子体）具有影响。这些参数将详细说明如下。
优选地，形成的用来沉积和蚀刻的等离子体是各向同性的。这意味着，等离子体的功能可以经由等离子体中产生的自由基优选地获得，并任选地可以经由在所述等离子体的鞘中加速的离子来执行。
事实上，衬底4的后表面430与下部电极52和下部绝缘件54接触，允许在后表面上限定排除区域，标记为540，所述排除区域被掩盖，因此对等离子体是不可进入的。
如图中所示，绝缘件54的外直径精确地对应于后表面540上的排除区域的直径，因为待布局的衬底4直接接触绝缘件54。
此外，理所当然地放置待布局的衬底4，以便相对居中到环形绝缘件54上。
此外，上层绝缘件53还允许限定衬底的前表面411，即等离子体不可进入的所谓的“前面排除”区域530。
所述前面排除区域530的直径，不仅取决于上层绝缘件53的直径，而且还取决于其与待布局的衬底4的距离。因此，绝缘件53越是移动远离衬底的前表面411，前面排除区域530的直径越小（见图7A），相反，绝缘件53越是移动接近衬底的前表面411，前面排除区域530的直径越大（见图7B）。
衬底4的等离子体仍然可进入的周边环形区域，即延伸出上述区域530和区域540的该区域，标记为500。
现在将描述布局方法的不同步骤。
在将待布局的衬底4引入外壳5使得待布局的衬底4的后表面430抵靠在绝缘件54和下部电极52上之后，调整用于形成等离子体的参数，以便在所述可进入的环形区域400上沉积一层保护材料6。
优选地，该保护材料6是聚合物。
还是优选地，保护材料6是聚乙烯类型的聚合物，获得由乙烯C2H4形成的等离子体。
上层绝缘件53接下来更靠近衬底4的前表面411，从而扩大前面排除区域530并增大其直径。应注意到，绝缘件53从不接触衬底的前表面411，以避免损坏前表面411或污染前表面411。
在该位置中，如图7B所示，调整等离子体的参数，以便获得保护材料6的局部蚀刻。该蚀刻是局部的，因此其能够只在衬底4的前表面411上保持保护材料的环60。
由于扩大的前面排除区域530，该局部蚀刻是可能的。在绝缘件53的位置，如图7A所示，环60建立的区域是等离子体可进入的，且保护材料6能够沉积其中。另一方面，当绝缘件53降低时，保护材料对应于环60的部分不再是等离子体可进入的，因此不被等离子体蚀刻。换言之，当前面排除区域530的表面区域增大时，等离子体可进入的区域500减小。所述减小的可进入区域标记为500'。
蚀刻保护材料6的等离子体的性质一定取决于该材料的化学性质。
例如，对聚乙烯的保护材料，通过基于氧气（O2）的等离子体进行蚀刻。
接下来的步骤如图7C所示。保持上部绝缘件53在如图7B所示的位置同时，改变引入外壳50内部的气体的性质，以生成能够蚀刻处于等离子体可进入的周边环形区域500'的表面层41的材料的等离子。然后修改参数用于蚀刻绝缘层42。
例如，当形成表面层41的材料是硅时，蚀刻等离子体是氩气和SF6（六氟化硫）以及可选的氮气的混合，而当形成绝缘层42的材料是氧化物时，那么刻蚀的等离子体是氮气和CHF3（三氟甲烷）的混合，或进一步为氧气（O2）和四氟化碳（CF4）的混合。
如图7C所示，在其周边获得待布局的衬底4不仅在其前表面与其后表面上，也在其侧面上。
如果必要，可以继续布局，以便蚀刻支承43的一部分到深度P。
最后，如图7D所示，上层绝缘件之后远离衬底4的前面41且修改等离子体的参数以生成允许移除保护材料的环60的蚀刻等离子体。该蚀刻等离子体通常与用于如图7B所示的蚀刻步骤的蚀刻等离子体一样。
对于刚刚描述的所有步骤，其涉及到沉积等离子体或蚀刻等离子体的使用，惯例的等离子体频率是13.56MHz。功率约为大约100W到500W。等离子体的应用的持续时间在5至40秒之间改变。等离子体的功率和持续时间的组合尤其起到影响蚀刻厚度的作用。最后，外壳内部的压力为大约几托（1托相当于大约102Pa或者更准确地说是133Pa）。
封装：
该封装可以通过快速热退火处理（已知首字母缩写为“RTA”（快速热退火））实现，清洗步骤可有利地先于快速热退火处理。
通常情况下，标准的清洗（步骤）可以是这样的顺序：臭氧（O3）/RCA，RCA处理包括处理表面，其顺序有：
第一溶液浴，其已知首字母缩写为“SC1”（“Standard Clean 1”，其意思为“标准清洗液1”）下，所述溶液包括氢氧化铵（NH4OH）、过氧化氢（H2O2）和去离子水的混合，
第二溶液浴，其已知首字母缩写为“SC2”（“Standard Clean 2”，其意思为“标准清洗液2”）下，所述溶液包括盐酸（HCL）、过氧化氢（H2O2）和去离子水的混合。
在短时间的高温中进行RTA处理。
优选地，该热处理在温度在约1150°C到1300°C之间进行，还是优选地在1200°C。该处理进行的持续时间为15秒到5分钟，优选地为少于3分钟。该RTA（快速热退火）优选地在过氢气和/或氩气气氛下获得。
也可以通过外延进行封装处理。
可以通过RTA处理然后通过外延获得封装，反之亦然，这些步骤在如前面所述的那些（条件）的同样条件下获得。
也可以通过激光退火（“laser anneal”）获得封装，该退火可以任选地定位且限于包括表面层41和绝缘层42的布局后的薄膜的边缘。
根据本发明的所述方法因此有很多优点。用所述方法，能够获得在封装部分周围的周边冠（其宽度为L1），不仅有规律地在SeOI型衬底的周围，还按可复制的方式从一个衬底到其它衬底（见图6C）。
根据本发明所述方法进一步可大量减少衬底制造中的总体缺陷率。事实上，布局步骤不仅允许移除薄片44和锯齿状边缘45，也允许移除边缘处出现的大部分颗粒，且如果缺少这样的步骤，颗粒就能够在RTA处理之前的清洗步骤过程中被沉积在SeOI型衬底的表面层41上。没有该布局步骤，此半导体材料颗粒可能从周边向衬底的中心移动，且半导体材料颗粒在RTA处理过程中被最后密封在该衬底上。
最后，本发明发现在包括牺牲氧化和脱氧步骤的精加工处理中的具体应用。
将提及两个示例性的方法，包括根据本发明的精加工步骤。
第一个方法包括如下步骤：
-拆离，以进行层的转移并获得SOI型衬底，
-布局，之后为根据本发明方法的封装处理，
-第一次牺牲氧化，之后为第一次脱氧，
-RTA处理，
-任选地第二牺牲氧化步骤，之后为第二脱氧步骤，
第二个方法如下：
-拆离，以进行层的转移并获得SOI型衬底，
-RTA处理，
-第一牺牲氧化，之后为第一脱氧，
-布局，之后为根据本发明方法的封装处理，
-任选地第二牺牲氧化步骤，之后为第二脱氧步骤。
这两种方法都具体地用于提供意在部分或全部耗尽型SOI应用的衬底。

Claims (15)

1.一种精加工绝缘体上半导体SeOI型衬底(4)的方法，所述衬底包括埋在两层半导体材料(41，43)之间的绝缘体层(42)，所述方法顺序包括：
-对所述衬底(4)的周边环形的进行布局，以获得布局后的衬底(4')，
-用半导体材料(410)对所述布局后的衬底(4')进行封装，从而覆盖所述掩埋绝缘体层(42)的布局后的侧边缘(420)；
其特征在于，所述布局包括如下步骤：
-用等离子体在所述SeOI型衬底(4)的周边环形区域上沉积一层保护材料(6)，
-用等离子体完成所述保护材料(6)的局部蚀刻，从而在所述SeOI型衬底(4)的前表面(411)上保持保护材料的环(60)，所述环(60)从所述衬底的侧边缘(46)延伸一定距离，并由此限定了所述衬底对于等离子体可进入的缩小的周边环形区域(500’)，
-生成局部蚀刻的等离子体，位于所述SeOI型衬底(4)的所述缩小的周边环形区域(500’)，以便蚀刻出现在该区域(500’)中超过一定厚度的材料，
-通过等离子体移除保护材料(6)的所述环。
2.根据权利要求1所述的精加工绝缘体上半导体SeOI型衬底(4)的方法，其特征在于，在布局后立即进行对所述布局后的衬底(4')的封装。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的精加工绝缘体上半导体SeOI型衬底(4)的方法，其特征在于，通过研磨所述SeOI型衬底(4)的所述周边环形边缘进行所述布局。
4.根据权利要求1或权利要求2所述的精加工绝缘体上半导体SeOI型衬底(4)的方法，其特征在于，通过蚀刻所述SeOI型衬底(4)的所述周边环形边缘进行所述布局。
5.根据权利要求1所述的精加工绝缘体上半导体SeOI型衬底(4)的方法，其特征在于，通过使所述布局后的衬底(4')经受快速热退火处理来进行对所述布局后的衬底(4')的封装。
6.根据权利要求5所述的精加工绝缘体上半导体SeOI型衬底(4)的方法，其特征在于，所述快速热退火处理在1150℃至1300℃之间的温度下进行，持续时间为15秒至5分钟。
7.根据权利要求5或权利要求6所述的精加工绝缘体上半导体SeOI型衬底(4)的方法，其特征在于，所述快速热退火处理在氢气和/或氩气气氛下进行。
8.根据权利要求1所述的精加工绝缘体上半导体SeOI型衬底(4)的方法，其特征在于，通过外延进行封装所述布局后的衬底(4')的所述步骤。
9.根据权利要求1所述的精加工绝缘体上半导体SeOI型衬底(4)的方法，其特征在于，通过快速热退火处理以及通过外延进行封装所述布局后的衬底(4')的所述步骤。
10.根据权利要求1所述的精加工绝缘体上半导体SeOI型衬底(4)的方法，其特征在于，通过用激光退火进行封装所述布局后的衬底(4')的步骤。
11.根据权利要求1所述的精加工绝缘体上半导体SeOI型衬底(4)的方法，其特征在于，在用于形成各向同性的等离子体的外壳(50)中进行所述布局。
12.根据权利要求11所述的精加工绝缘体上半导体SeOI型衬底(4)的方法，其特征在于，所述布局通过如下步骤进行：
-将所述SeOI型衬底(4)引入用于形成各向同性的等离子体的外壳(50)内部，所述外壳配备有盘形的上部绝缘件(53)和两个电极(51，52)，所述两个电极中的一个电极(52)，即所谓的下部电极被圆形轮廓的下部绝缘件(54)环绕，所述衬底(4)位于所述外壳(50)中，使得所述衬底(4)的后表面(430)接触所述下部电极(52)并接触所述下部绝缘件(54)，以便在所述后表面上限定对于等离子体不可进入的排除区域(540)，所述上部绝缘件(53)位于距离所述SeOI型衬底(4)的所述前表面(411)一定距离处，以在所述前表面上也限定对于等离子体不可进入的排除区域(530)，下部绝缘件(54)和上部绝缘件(53)的外直径均小于待布局的所述SeOI型衬底(4)的直径，所述衬底的剩余部分形成对于等离子体可进入的所述周边环形区域(500)，
-通过在所述外壳(50)中形成的等离子体将所述一层保护材料(6)沉积在所述周边环形区域(500)上，
-使所述上部绝缘件(53)更接近所述SeOI型衬底的所述前表面(411)，并对所述保护材料(6)进行所述局部蚀刻，
-将所述上部绝缘件(53)保持在其位置的同时，蚀刻形成所述SeOI型衬底(4)的所述材料的一定厚度，
-使所述上部绝缘件(53)移动远离所述衬底的所述前表面(411)，并移除保护材料的所述环(60)。
13.根据权利要求1所述的精加工绝缘体上半导体SeOI型衬底(4)的方法，其特征在于，在所述布局与封装的步骤之后为牺牲氧化步骤，接着为脱氧步骤。
14.根据权利要求13所述的精加工绝缘体上半导体SeOI型衬底(4)的方法，其特征在于，在所述牺牲氧化和脱氧步骤之后进行快速热退火处理，接着任选地进行第二牺牲氧化和第二脱氧。
15.根据权利要求1所述的精加工绝缘体上半导体SeOI型衬底(4)的方法，其特征在于，所述方法包括第一系列步骤，所述第一系列步骤包括快速热退火处理和其后的牺牲氧化和脱氧，且该第一系列步骤在用于布局和封装所述衬底的所述步骤之前。
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