CN102362002A - Cu-Ga合金溅射靶及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种Cu-Ga合金溅射靶，可形成膜的成分组成的均匀性(膜均匀性)优异的Cu-Ga溅射膜且可降低溅射中的穿孔产生，同时，强度高且可抑制溅射中的裂纹。本发明是一种包含含有Ga的Cu基合金的溅射靶，其平均结晶粒径为10μm以下，且孔隙率为0.1％以下。

Description

Cu-Ga合金溅射靶及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种Cu-Ga合金溅射靶及其制造方法，例如涉及一种用于CIS(CIGS)系薄膜太阳能电池的光吸收层的形成的Cu-Ga合金溅射靶及其制造方法。
背景技术
作为CIS(CIGS)系薄膜太阳能电池的光吸收层形成方法，通过溅射法依次形成Cu-Ga合金层和In层并进行层叠(例如，参照专利文献1)。另外，作为用于上述Cu-Ga合金层的形成的溅射靶，通常使用例如Ga含量为10～30原子％的溅射靶。
上述溅射靶的制造方法，例如如专利文献2所示，可举出通过熔解■铸造法进行制造的方法。但是，若通过该方法进行制造，由于铸造后的冷却进行比较缓慢，因此，具有结晶组织变大，产生材料成分的微观上的不均匀，溅射靶的面内方向及板厚方向上容易产生组成改变的倾向。使用这样的溅射靶进行成膜时，得到的膜在面内方向也容易产生组成改变，认为这成为太阳能电池的转换效率降低的原因之一。另外，通过熔解■铸造法制造的溅射靶如上所述容易产生板厚方向上的组成改变，认为成为批生产的批间不均的原因之一。
另外通过熔解■铸造法制造的溅射靶上容易产生气孔(孔隙)。若溅射靶中的孔隙率高，存在如下问题：溅射时在气孔边缘部产生穿孔(异常放电)，溅射的放电稳定性变差，因穿孔的冲击产生微粒，微粒附着在基板上等使膜与基板的粘着性降低，太阳能电池的性能变差等。
另外，通过熔解■铸造法制造的溅射靶由于为低强度，由于溅射中的上述靶的温度上升产生的应力，该靶存在容易发生裂纹的问题。
作为形成上述溅射靶的其它的方法，例如如专利文献3或专利文献4所示，可举出粉末烧结法。在该方法中，将合金粉末和纯铜粉末进行烧结，但烧结前的粉末的微细化存在界限，结果结晶组织的微细化存在界限。另外，均匀混合粉末也存在界限。
专利文献1：日本专利第3249408号公报
专利文献2：日本特开2000-073163号公报
专利文献3：日本特开2008-138232号公报
专利文献4：日本特开2008-163367号公报
发明内容
本发明是着眼于所述各种情况而完成的，其目的在于可以提供一种Cu-Ga合金溅射靶，所述Cu-Ga合金溅射靶可形成膜的成分组成的均匀性(膜均匀性)优异的Cu-Ga溅射膜，且可降低溅射中的穿孔产生，同时，强度高且可抑制溅射中的裂纹。
本发明包含以下方式。
(1)一种Cu-Ga合金溅射靶，其包含含有Ga的Cu基合金，其平均结晶粒径为10μm以下，且孔隙率为0.1％以下。
所述溅射靶优选为实质上由包含Ga的Cu基合金构成的Cu-Ga合金溅射靶，进一步优选为仅由包含Ga的Cu基合金构成的Cu-Ga合金溅射靶。
(2)如(1)所述的Cu-Ga合金溅射靶，Ga含量为20原子％以上、29原子％以下。
(3)如(1)或(2)所述的Cu-Ga合金溅射靶，在拍摄了所述溅射靶的表面的放大率为500倍的扫描电子显微镜观察照片中，在长度100μm的任意线段上所占的以Cu9Ga4化合物相为基体的γ相的比率为20％以上、95％以下，且横穿所述线段的以Cu9Ga4化合物相为基体的γ相的个数为5个以上。
(4)如(1)～(3)中任一项所述的Cu-Ga合金溅射靶，其包含Cu9Ga4化合物相和Cu3Ga化合物相。
所述溅射靶优选实质上由Cu9Ga4化合物相和Cu3Ga化合物相构成的物质，进一步优选仅由Cu9Ga4化合物相和Cu3Ga化合物相构成的物质。
(5)一种Cu-Ga合金溅射靶的制造方法，其为(1)～(4)中任一项所述的Cu-Ga合金溅射靶的制造方法，其包含以下工序：第一工序，将含有Ga的Cu基合金的熔液气流雾化、微细化；第二工序，将所述微细化了的Cu-Ga合金堆积到收集器中，得到Cu-Ga合金预成型体；第三工序，将所述Cu-Ga合金预成型体通过致密化方法进行致密化，得到Cu-Ga合金致密体。
根据本发明，结晶粒微细且孔隙率降低，可实现优选具有特有化合物相的形态的Cu-Ga合金溅射靶。其结果，在使用该靶进行溅射时，抑制穿孔产生或裂纹，稳定且效率高，另外成品率良好，可以形成膜组成均匀的Cu-Ga溅射膜作为例如构成CIS(CIGS)系薄膜太阳能电池的光吸收层的层。
附图说明
图1为表示Cu-Ga二元系状态图的图。
图2为本发明的溅射靶的放大率为500倍的显微组织照片。
图3为说明使用图2评价化合物相形态的方法的图。
图4为比较例的溅射靶的放大率为500倍的显微组织照片。
图5为说明使用图4评价化合物相形态的方法的图。
图6为通过X射线衍射法对本发明的溅射靶进行化合物相的鉴定的说明图。
具体实施方式
本发明人等为了解决上述课题对其对策进行了潜心研究。其结果发现如果由于Cu-Ga合金溅射靶的结晶粒的微细化和孔隙率的降低使材料均质性提高，优选进一步将化合物相的形态设为如规定所示，则能够提高使用该靶而得到的Cu-Ga溅射膜的膜组成的均匀性，且能够降低溅射时的穿孔产生，同时，能够抑制溅射中的靶裂纹。以下，对本发明的溅射靶进行详细叙述。
本发明的溅射靶具有平均结晶粒径为10μm以下，且孔隙率为0.1％以下的特点。通过将平均结晶粒径设为10μm以下，则能够抑制通过溅射进行了蚀刻后的靶表面的凹凸的形成，能够使蚀刻的进行稳定化。其结果能够使形成的薄膜的膜厚分布和溅射膜的堆积速度更稳定。上述平均结晶粒径优选为8.0μm以下。另外，从制法方面或成本的观点考虑，平均结晶粒径的下限为0.5μm左右。
另外，通过使孔隙率为0.1％以下且使靶中的孔隙降低，能够确保溅射时的放电稳定性，同时，能够防止在孔隙端由于产生穿孔而引起微粒的产生。上述孔隙率优选为0.05％以下。
本发明的溅射靶的Ga含量优选为20原子％以上、29原子％以下。若Ga含量低于20％，则由于包含Cu相而膜均匀性可能变差。另一方面，若Ga含量大于29％，则可能变为Cu9Ga4化合物相单相，有可能发生裂纹。Ga含量优选为24原子％以上、26原子％以下。
另外，本发明的溅射靶，氧含量优选为500ppm以下。这样，通过降低氧含量，能够进一步降低溅射时的穿孔产生。上述氧含量更优选为400ppm以下。
另外，优选将化合物相的形态设为如下所示。即，在拍摄上述溅射靶的表面的放大率为500倍的扫描电子显微镜观察照片中，图1的Cu-Ga二元系状态图中所图示的以被称为γ相的Cu9Ga4为基体的金属间化合物相的在长度100μm的任意线段上所占的比率优选为20％以上95％以下，且横穿上述线段的上述γ相的个数优选为5个以上。上述γ相的在长度100μm的任意线段上所占的比率更优选为30％以上50％以下，另外，横穿上述线段的上述γ相的更优选的个数为6个以上。
对上述“在长度100μm的任意线段上所占的以Cu9Ga4化合物相为基体的γ相的比率”及“横穿上述线段的以Cu9Ga4化合物相为基体的γ相的个数”的测定方法进行以下说明。
在拍摄溅射靶的表面的放大率为500倍的扫描电子显微镜观察照片(反射电子像)中，对在长度100μm的任意线段上所占的以Cu9Ga4化合物相为基体的γ相的比率和横穿上述线段的以Cu9Ga4化合物相为基体的γ相的个数而言，例如使用在上述图2中引出线段的图3对实施例1的情况进行说明时，图3中的任意线段(约270μm)，在上述浅灰色部分和深灰色部分的边界引出线(图3中，短竖线)，而且，“在长度100μm的任意线段所占的以Cu9Ga4化合物相为基体的γ相的比率”，可以通过合计浅灰色部分所占的线段长度再求得在总线段所占的比例，换算成每100μm的值而求得，另外，“横穿长度100μm的任意线段的以Cu9Ga4化合物相为基体的γ相的个数”，可以通过在用上述竖线隔开的区域中，求得浅灰色部分所占的区域的个数，换算成每100μm的值而求得。另外，如图3所示，也可以如上所述分别求得任意3根线段的相的比率■个数并算出平均值而求得。另外，线段的方向没有特别限定。
作为构成Cu-Ga合金溅射靶的化合物相，可举出例如以Cu3Ga为基的ζ相或以Cu9Ga4为基体的γ相等，其中，上述γ相的比率在20％以上、95％以下的范围内时，则能够充分抑制上述溅射中的靶裂纹。γ相大于95％存在时，则接近γ单相的溅射中可能容易发生裂纹。另一方面，不足20％的情况下，则可能露出Cu相，膜均匀性变差。
扫描电子显微镜观察照片，以在视野尺寸270μm×230μm、放大率为500倍下的观察照片作为对象，通过后述的实施例所示的方法进行测定时，优选上述γ相的比率的平均值为20％以上且上述γ相的个数的平均值满足5个以上。另外，在后述的实施例中，对观察照片中同一方向的3根线段进行测定，但线段的方向没有特别限定。
(Cu-Ga合金溅射靶的制造方法)
本发明中，上述溅射靶的制造方法也为规定的方法，该方法的特征在于，包括以下工序：
■第一工序，将含有Ga的Cu基合金(Cu-Ga合金)的熔液气流雾化、微细化；
■第二工序，将上述微细化了的Cu-Ga合金堆积到收集器中，得到Cu-Ga合金预成型体；
■第三工序，将上述Cu-Ga合金预成型体通过致密化方法进行致密化，得到Cu-Ga合金致密体。特别是如果采用上述方法(特别是包括上述将含有Ga的Cu基合金的熔液气流雾化，同时堆积到收集器的喷射成形法的方法)，则能够使溅射靶的成分组成和组织均匀，同时，也能够实现上述的化合物相的形态，故优选。
以下，对各工序中的优选的条件等进行详细叙述。
首先，第一工序中，将含有Ga的Cu基合金(Cu-Ga合金、原料)加热至其熔点以上作为熔液，使该熔液从喷嘴流下，进行从其周围向熔液喷射气体使其微粒化的气流雾化。
这样，进行气流雾化，使在半熔融状态→半凝固状态→固相状态骤冷的粒子堆积，得到规定形状的原材料坯料(预成型体、得到最终致密体前的中间体)(第二工序)。根据该喷射成形法，也能够通过单一工序得到用熔解铸造法或粉末烧结法等难以得到的大型的预成型体。
上述第一工序中，将大概在1000～1300℃的范围内熔解而得到的Cu-Ga合金的熔液气流雾化、微细化。上述气流雾化中，使上述熔液从喷嘴流下，从其周围向上述熔液喷射例如惰性气体(例如Ar等)或氮气进行微粒化。以气体流出量/熔液流出量的比表示的气体/金属比可以设为例如2.0～8.0Nm3/kg。
通过上述气流雾化被微粒化的粒子(微粒子)的平均粒径(得到的全部微粒子的球当量直径的平均值)为200μm以下时，则该微粒子容易被骤冷，微粒子内的结晶组织变得进一步微细，能够使靶的平均结晶粒径更小，故优选。
一边进行气流雾化一边使通过该气流雾化被微细化的Cu-Ga合金堆积到收集器中，得到Cu-Ga合金预成型体(第二工序)。
上述堆积时，可举出将喷射距离(从喷嘴的前端到收集器的中心的距离)控制在例如500～1000mm的范围内。
接着，将得到的Cu-Ga合金预成型体通过致密化方法进行致密化(第三工序)。作为致密化方法，例如可举出密封并通过热气净水压(HIP)进行致密化的方法。作为上述HIP的条件，可举出例如在80MPa以上的压力下，400～600℃的温度下处理约1～10小时的条件。
然后，通过机械加工Cu-Ga合金致密体，能够得到本发明的溅射靶。
实施例
以下，举出实施例对本发明进行更具体地说明，但本发明当然不受下述实施例限定，也可以在适于上述■后述的主旨的范围适当地加以改变来实施，这些均包含于本发明的技术范围。
(实施例1～2)
将含有25原子％的Ga、余量由Cu及不可避免的杂质构成的Cu-Ga合金的熔液用感应熔炼炉加热至1200℃而得到后，使该熔液从设置于感应熔炼炉下部的喷嘴流出，通过向流出的熔液喷射氮气，形成微细的液滴，并使其在离喷嘴500～1000mm的距离(喷射距离)且旋转的倾斜角35°的收集器中以气体金属比2.0～8.0Nm3/kg均等地下降堆积，制作Cu-Ga合金预成型体(密度：约75体积％)。将通过上述喷射成形法制作的Cu-Ga合金预成型体进行密封，并在500℃～600℃的温度下、80MPa以上的压力下进行热气净水压(HIP)，得到Cu-Ga合金致密体。
然后，对得到的上述致密体进行机械加工，制作Cu-Ga合金溅射靶(尺寸：纵250mm×横250mm×厚度10mm)，作为实施例1。
另外，实施例2中，除了在400℃～500℃的温度下进行HIP之外，与实施例1同样地制作Cu-Ga合金溅射靶。
另外，实施例3中，除了使用含有20原子％的Ga、余量由Cu及不可避免的杂质构成的Cu-Ga合金的熔液之外，与实施例1同样地通过喷射成形法制作Cu-Ga合金溅射靶。
另外，实施例4中，除了使用含有29原子％的Ga、余量由Cu及不可避免的杂质构成的Cu-Ga合金的熔液之外，与实施例1同样地通过喷射成形法制作Cu-Ga合金溅射靶。
通过惰性气体熔化法测定得到的实施例1～4的Cu-Ga合金溅射靶的氧分析量，结果是250～310ppm。另外，用扫描电子显微镜(SEM)观察在实施例1中制作的Cu-Ga合金溅射靶的组织。将其观察照片(反射电子像)示于图2。图2中，浅灰色部分表示以Cu9Ga4化合物相为基体的γ相、深灰色部分表示以Cu3Ga化合物相为基体的ζ相、黑色部分表示气孔(孔隙)。
另外，如下进行对实施例1～4的Cu-Ga合金溅射靶的平均结晶粒径、孔隙率、化合物相的鉴定、以及化合物相的形态(拍摄上述溅射靶的表面的放大率为500倍的扫描电子显微镜观察照片中，在长度100μm的任意线段所占的以Cu9Ga4化合物相为基体的γ相的比率等)的评价。
(平均结晶粒径的测定)
使用从上述Cu-Ga合金溅射靶切下的试验片，进行表面研磨，接着，使用蚀刻液(氯化铁+盐酸+水)蚀刻表面，准备试样。而且，用SEM观察■拍摄该试样，使用放大率为500倍的显微组织照片(视野尺寸：270μm×230μm、1视野)，通过JISH0501的铜及铜合金压延制品(日文：伸铜品)结晶粒度试验方法中记载的切断法，测定结晶粒数和切断长度并以算出的平均值作为平均结晶粒径。
(孔隙率的测定)
将上述放大率为500倍的显微组织照片(视野尺寸：270μm×230μm)中所占的气孔(例如，在实施例1的情况下，图2中的黑色部分)的面积率(％)作为孔隙率(％)。
(化合物相的鉴定)
使用X射线衍射装置(Rigaku制RINT 1500)进行鉴定。
上述X射线衍射的测定条件如下所示。
■扫描速度：2°/min
■取样宽度：0.02°
■靶输出：40kV、200mA
■测定范围(2θ)∶20°～100°
(化合物相的形态)
求在在拍摄上述溅射靶的表面的放大率为500倍的扫描电子显微镜观察照片(反射电子像)中，长度100μm的任意线段上所占的以Cu9Ga4化合物相为基体的γ相的比率和横穿上述线段的以Cu9Ga4化合物相为基体的γ相的个数。作为其示例，使用在上述图2中引出线段的图3说明实施例1的情况。对于图3中的任意线段(约270μm)，在上述浅灰色部分和深灰色部分的边界引出线(图3中，短竖线)。而且，“在长度100μm的任意线段所占的以Cu9Ga4化合物相为基体的γ相的比率”，通过合计浅灰色部分所占的线段长度再求得在总线段所占的比例，而后换算成每100μm的值而求得。另外，“横穿长度100μm的任意线段的以Cu9Ga4化合物相为基体的γ相的个数”，通过在以上述竖线隔开的区域中，求得浅灰色部分所占的区域的个数，而后换算成每100μm的值而求得。而且，如图3所示，如上所示分别求得任意3根线段的相的比率■个数并算出平均值。
另外，通过X射线衍射法，确认该图3中浅灰色部分(对比度更白的相)的主体为被称为γ相的以Cu9Ga4化合物相为基体的金属间化合物(图6)。
将这些结果示于表1。另外，使用上述得到的溅射靶进行下述评价。
(膜均匀性的评价)
使用上述Cu-Ga合金溅射靶，通过DC磁控溅射法，在玻璃基板(尺寸：100mm×100mm×0.50mm)上形成Cu-Ga溅射膜。
上述溅射法的条件如下所示。
■基板温度：室温
■极限真空度：3×10-5Torr以下(1×10-3Pa以下)
■成膜时的气压：1～4mTorr
■DC溅射功率密度(靶的每单位面积的DC溅射功率)：1.0～20W/cm2
使用上述形成有Cu-Ga溅射膜的试样，测定玻璃基板上的同一膜面内中的任意9处的薄膜电阻。而且，将9处的值均纳入于9处平均值的±3％以下的情况评价为A(膜均匀性良好)，将9处中1处以上大于9处平均值的±3％的情况评价为C(膜均匀性不良)。将其结果示于表1。
(穿孔产生的评价)
另外，上述膜均匀性的评价中的DC磁控溅射时，通过连接于溅射装置的电路的电弧监视器，对穿孔的产生数量进行计数。穿孔产生数量的计数在10分钟的预溅射后的10分钟的溅射中进行。而且，将穿孔产生数量为10次以上的情况评价为C(溅射不良状态)，将穿孔产生数量为9次以下的情况评价为A(溅射良好状态)。将其结果示于表1。
(裂纹产生的评价)
使用上述Cu-Ga合金溅射靶重复进行DC磁控溅射，将溅射靶表面蚀刻最深部中的靶剩余厚度变为1mm的情况评价为“寿命终止”，将直到该寿命终止完全产生裂纹的情况评价为C，将裂纹程度微小的情况评价为B，将直到上述寿命终止不产生裂纹的情况评价为A。将其结果示于表1。
另外，表1中的综合评价中，将上述膜均匀性、穿孔产生、裂纹产生均为A的情况评价为A，将上述膜均匀性、穿孔产生、裂纹产生的1个以上为C的情况评价为C，将其余评价为B。
(比较例1)
比较例1中，除了将气体金属比设为1.0Nm3/kg之外，与实施例1同样地通过喷射成形法制作Cu-Ga合金溅射靶。而且，与上述实施例同样地进行对该Cu-Ga合金溅射靶的平均结晶粒径、孔隙率、化合物相的鉴定、及化合物相的形态的测定、以及膜均匀性的评价、穿孔产生的评价、及裂纹产生的评价。将其结果并记于表1。
(比较例2)
比较例2中，除了将HIP压力设为40MPa之外，与实施例1同样地通过喷射成形法制作Cu-Ga合金溅射靶。而且，与上述实施例同样地进行该Cu-Ga合金溅射靶的平均结晶粒径、孔隙率、化合物相的鉴定、及化合物相的形态的测定、以及膜均匀性的评价、穿孔产生的评价、及裂纹产生的评价。将其结果并记于表1。
(比较例3)
将含有25原子％的Ga、余量由Cu及不可避免的杂质构成的Cu-Ga合金的熔液在铸模中进行铸造制作铸块。对得到的铸块进行机械加工。制作Cu-Ga合金溅射靶(熔解法)。
用扫描电子显微镜(SEM)观察该Cu-Ga合金溅射靶的组织。将其观察照片(反射电子像)示于图4。图4中，与上述图2同样，浅灰色部分表示以Cu9Ga4化合物相为基体的γ相、深灰色部分表示以Cu3Ga化合物相为基体的ζ相，黑色部分表示气孔(孔隙)。
另外，与上述实施例同样地进行该Cu-Ga合金溅射靶的平均结晶粒径、孔隙率、化合物相的鉴定、及化合物相的形态的测定、以及膜均匀性的评价、穿孔产生的评价、及裂纹产生的评价。将其结果并记于表1。另外，上述化合物相的形态，使用图5，与实施例1同样地进行评价。
(比较例4)
将含有25原子％的Ga、余量由Cu及不可避免的杂质构成的Cu-Ga合金的熔液在铸模中进行铸造制作铸块。将得到的铸块粉碎后烧结制作Cu-Ga合金溅射靶(粉末烧结法)。
而且，与上述实施例同样地进行该Cu-Ga合金溅射靶的平均结晶粒径、孔隙率、化合物相的鉴定、及化合物相的形态的测定、以及膜均匀性的评价、穿孔产生的评价、及裂纹产生的评价。将其结果并记于表1。
(比较例5)
比较例5中，除了使用含有15原子％的Ga、余量由Cu及不可避免的杂质构成的Cu-Ga合金的熔液之外，与实施例1同样地通过喷射成形法制作Cu-Ga合金溅射靶。而且，与上述实施例同样地进行该Cu-Ga合金溅射靶的平均结晶粒径、孔隙率、化合物相的鉴定及化合物相的形态的测定、以及膜均匀性的评价、穿孔产生的评价、及裂纹产生的评价。将其结果并记于表1。
(比较例6)
比较例6中，除了使用含有35原子％的Ga、余量由Cu及不可避免的杂质构成的Cu-Ga合金的熔液之外，与实施例1同样地通过喷射成形法制作Cu-Ga合金溅射靶。而且，与上述实施例同样地进行该Cu-Ga合金溅射靶的平均结晶粒径、孔隙率、化合物相的鉴定及化合物相的形态的测定、以及膜均匀性的评价、穿孔产生的评价、及裂纹产生的评价。将其结果并记于表1。
Figure BDA0000090683600000121
由表1所示的结果可知，满足规定的主要条件的本发明的Cu-Ga合金溅射靶与通过现有方法(比较例3的熔解法、比较例4的粉末烧结法)制作的溅射靶相比，结晶粒微细且均匀，气孔少。另外，可知如果使用这样的靶进行溅射，溅射时的穿孔产生频率少，直到寿命终止不产生裂纹，靶使用的成品率也高。另外，也可知得到的溅射膜的膜均匀性良好。
另外，可知用本发明方法规定的喷射成形法中，为了满足平均结晶粒径或孔隙率等规定的主要条件，优选控制气体金属比、HIP压力、HIP温度等条件。
比较例1中，平均结晶粒径不满足本发明的主要条件，膜均匀性不良。比较例2中，孔隙率不满足本发明的主要条件，穿孔产生频率多，溅射不良。比较例5中，Ga含量及平均结晶粒径不满足本发明的主要条件，膜均匀性不良。比较例6中，Ga含量及γ相的比率不满足本发明的主要条件，直到寿命终止产生裂纹，不良。
参照详细或特定的实施方式对本申请进行说明，只要不脱离本发明的精神和范围，可以增加各种变更及修正，对该领域从业人员来说是清楚的。
本申请是基于2009年4月14日申请的日本专利申请(日本特愿2009-098481)、2010年3月17日申请的日本专利申请(日本特愿2010-061280)的申请，其内容在此作为参照被引用。
产业上的可利用性
根据本发明，能够实现结晶粒微细且孔隙率降低、优选具有特有的化合物相的形态的Cu-Ga合金溅射靶。其结果，在使用该靶进行溅射时，抑制了穿孔产生或裂纹，稳定且效率良好，成品率更好，能够形成膜组成均匀的Cu-Ga溅射膜作为例如构成CIS(CIGS)系薄膜太阳能电池的光吸收层的层。

Claims (5)

1.一种Cu-Ga合金溅射靶，其包含含有Ga的Cu基合金，其平均结晶粒径为10μm以下且孔隙率为0.1％以下。
2.根据权利要求1所述的Cu-Ga合金溅射靶，其中，Ga含量为20原子％以上、29原子％以下。
3.根据权利要求1所述的Cu-Ga合金溅射靶，其中，在拍摄了所述溅射靶的表面的放大率为500倍的扫描电子显微镜观察照片中，在长度100μm的任意线段上所占的以Cu9Ga4化合物相为基体的γ相的比率为20％以上、95％以下，且横穿所述线段的以Cu9Ga4化合物相为基体的γ相的个数为5个以上。
4.根据权利要求1所述的Cu-Ga合金溅射靶，其包含Cu9Ga4化合物相和Cu3Ga化合物相。
5.权利要求1～4中任一项所述Cu-Ga合金溅射靶的制造方法，其包括以下工序：
第一工序，将含有Ga的Cu基合金的熔液气流雾化、微细化；
第二工序，将所述微细化了的Cu-Ga合金堆积到收集器中，得到Cu-Ga合金预成型体；
第三工序，将所述Cu-Ga合金预成型体通过致密化方法进行致密化，得到Cu-Ga合金致密体。
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